JP2000273630A - イオンガン及びイオンビームスパッタ成膜装置 - Google Patents
イオンガン及びイオンビームスパッタ成膜装置Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用するグリッドを簡易に切り換えられるよ
うにする。 【解決手段】 イオンを引き出すグリッドを２組有し、
それら２組のグリッド３２，３３をそれぞれ大径の穴３
５と小径の穴３６とが均等に配列形成されたものとし
て、互いの大径の穴３５と小径の穴３６とが重なるよう
に配置し、それらグリッド３２，３３の一側にシャッタ
３４を配置する。シャッタ３４は移動可能とし、第１の
位置において対向するグリッド（スクリーングリッド）
３３ａの小径の穴３６のみを全て塞ぎ、第２の位置にお
いてグリッド３３ａの大径の穴３５のみを全て塞ぐ構造
とする。シャッタ移動により、グリッド３２（３２ａ，
３２ｂ）とグリッド３３（３３ａ，３３ｂ）の一方が選
択使用される。
うにする。 【解決手段】 イオンを引き出すグリッドを２組有し、
それら２組のグリッド３２，３３をそれぞれ大径の穴３
５と小径の穴３６とが均等に配列形成されたものとし
て、互いの大径の穴３５と小径の穴３６とが重なるよう
に配置し、それらグリッド３２，３３の一側にシャッタ
３４を配置する。シャッタ３４は移動可能とし、第１の
位置において対向するグリッド（スクリーングリッド）
３３ａの小径の穴３６のみを全て塞ぎ、第２の位置にお
いてグリッド３３ａの大径の穴３５のみを全て塞ぐ構造
とする。シャッタ移動により、グリッド３２（３２ａ，
３２ｂ）とグリッド３３（３３ａ，３３ｂ）の一方が選
択使用される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はイオンビームスパ
ッタ成膜装置とそれに用いるイオンガンに関する。
ッタ成膜装置とそれに用いるイオンガンに関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンビームスパッタ成膜装置は例えば
数百eVから数KeV のエネルギーを持つイオンビームをイ
オンガンによって生成し、そのイオンビームをターゲッ
トに照射してターゲット材料をスパッタアウトさせ、そ
のスパッタアウトしたターゲット材料を基板上に堆積さ
せることにより、基板上に所望の薄膜を形成することが
できるものである。
数百eVから数KeV のエネルギーを持つイオンビームをイ
オンガンによって生成し、そのイオンビームをターゲッ
トに照射してターゲット材料をスパッタアウトさせ、そ
のスパッタアウトしたターゲット材料を基板上に堆積さ
せることにより、基板上に所望の薄膜を形成することが
できるものである。
【０００３】異種材料の多層膜を積層形成する場合は、
例えばそれら材料のターゲットをターゲットホルダに予
め取り付けておき、ターゲットホルダを回転させてター
ゲットを切り換えることにより、真空を破ることなく、
連続して成膜することができる。図５は上記のような構
成を有するイオンビームスパッタ成膜装置を模式的に示
したものであり、図中、１１は真空チャンバ、１２はイ
オンガン、１３は回転機構（図示せず）を備えたターゲ
ットホルダ、１４は基板ホルダを示し、１５，１６はタ
ーゲット、１７は基板を示す、なお、矢印１８はイオン
ビームを示し、矢印１９は粒子のスパッタアウト方向を
示す。
例えばそれら材料のターゲットをターゲットホルダに予
め取り付けておき、ターゲットホルダを回転させてター
ゲットを切り換えることにより、真空を破ることなく、
連続して成膜することができる。図５は上記のような構
成を有するイオンビームスパッタ成膜装置を模式的に示
したものであり、図中、１１は真空チャンバ、１２はイ
オンガン、１３は回転機構（図示せず）を備えたターゲ
ットホルダ、１４は基板ホルダを示し、１５，１６はタ
ーゲット、１７は基板を示す、なお、矢印１８はイオン
ビームを示し、矢印１９は粒子のスパッタアウト方向を
示す。
【０００４】図６はイオンガン１２の概略構造を示した
ものであり、イオンガン１２はその筒体２１の内部で生
成したイオンをグリッド２２によって引き出す構造とな
っており、これによりイオンが加速されてイオンビーム
１８とされる。なお、図中、２３はＲＦコイル、２４は
ガス導入口を示す。グリッド２２は一般にスクリーング
リッド２２ａと加速用グリッド２２ｂとの２枚１組によ
って構成されており、これらグリッド２２ａ，２２ｂは
従来においては共に例えばカーボンやモリブデン等の材
料によって形成されていた。
ものであり、イオンガン１２はその筒体２１の内部で生
成したイオンをグリッド２２によって引き出す構造とな
っており、これによりイオンが加速されてイオンビーム
１８とされる。なお、図中、２３はＲＦコイル、２４は
ガス導入口を示す。グリッド２２は一般にスクリーング
リッド２２ａと加速用グリッド２２ｂとの２枚１組によ
って構成されており、これらグリッド２２ａ，２２ｂは
従来においては共に例えばカーボンやモリブデン等の材
料によって形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したグ
リッドを構成する材料は成膜過程において薄膜中に混入
するため、ターゲット材料とグリッド材料とが異なる場
合には、グリッド材料は不純物として薄膜中に混入する
ことになる。従って、例えば２種類の材料よりなる多層
膜を形成する場合、従来のイオンガンにおいては仮に積
層する一方の材料とグリッド材料とを一致させたとして
も、他方の材料によって形成された薄膜中にはグリッド
材料が不純物として混入することになる。
リッドを構成する材料は成膜過程において薄膜中に混入
するため、ターゲット材料とグリッド材料とが異なる場
合には、グリッド材料は不純物として薄膜中に混入する
ことになる。従って、例えば２種類の材料よりなる多層
膜を形成する場合、従来のイオンガンにおいては仮に積
層する一方の材料とグリッド材料とを一致させたとして
も、他方の材料によって形成された薄膜中にはグリッド
材料が不純物として混入することになる。
【０００６】このような不純物の混入は多層膜の用途に
よっては大きな問題となり、例えば多層膜光学素子にお
いてはその光学性能の低下が問題となる。多層膜光学素
子は屈折率の異なる数種類の物質の積層構造からなるも
ので、使用する波長によって用いる材料と膜の厚さが選
定され、例えば紫外線〜可視〜赤外線の領域ではＳｉＯ
2 とＴｉＯ2 あるいはＴａ2 Ｏ5 といった誘電体材料が
使用されているが、このような物質にモリブデンなどの
物質が混入すると、吸収損失の大きい膜となってしま
い、光学性能が低下してしまう。
よっては大きな問題となり、例えば多層膜光学素子にお
いてはその光学性能の低下が問題となる。多層膜光学素
子は屈折率の異なる数種類の物質の積層構造からなるも
ので、使用する波長によって用いる材料と膜の厚さが選
定され、例えば紫外線〜可視〜赤外線の領域ではＳｉＯ
2 とＴｉＯ2 あるいはＴａ2 Ｏ5 といった誘電体材料が
使用されているが、このような物質にモリブデンなどの
物質が混入すると、吸収損失の大きい膜となってしま
い、光学性能が低下してしまう。
【０００７】図７は一例として、ガラス基板上にモリブ
デンが混入しているＳｉＯ2 膜を成膜したサンプルの透
過分光特性を示したものであり、グラフ中、実線で示し
たガラス基板の透過分光特性から点線で示したサンプル
の透過分光特性を引いたものが、このＳｉＯ2 膜の吸収
損失となり、図に示したように大きな吸収損失が存在し
ている。
デンが混入しているＳｉＯ2 膜を成膜したサンプルの透
過分光特性を示したものであり、グラフ中、実線で示し
たガラス基板の透過分光特性から点線で示したサンプル
の透過分光特性を引いたものが、このＳｉＯ2 膜の吸収
損失となり、図に示したように大きな吸収損失が存在し
ている。
【０００８】この発明の目的は上述した問題点に鑑み、
真空を破ることなく、ターゲット材料に合わせてイオン
ガンのグリッドを切り換えることができるようにしたイ
オンビームスパッタ成膜装置を提供することにあり、さ
らにそれに用いるイオンガンを提供することにある。
真空を破ることなく、ターゲット材料に合わせてイオン
ガンのグリッドを切り換えることができるようにしたイ
オンビームスパッタ成膜装置を提供することにあり、さ
らにそれに用いるイオンガンを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、イオンビームスパッタ成膜装置用のイオンガンは、
イオンを引き出すグリッドを２組有し、それら２組のグ
リッドはそれぞれ大径の穴と小径の穴とが均等に配列形
成されて、互いの大径の穴と小径の穴とが重なるように
配置され、それら２組のグリッドの一側にシャッタが対
向配置され、そのシャッタは移動可能とされて、第１の
位置において対向するグリッドの小径の穴のみを全て塞
ぎ、第２の位置において上記対向するグリッドの大径の
穴のみを全て塞ぐ構造とされる。
ば、イオンビームスパッタ成膜装置用のイオンガンは、
イオンを引き出すグリッドを２組有し、それら２組のグ
リッドはそれぞれ大径の穴と小径の穴とが均等に配列形
成されて、互いの大径の穴と小径の穴とが重なるように
配置され、それら２組のグリッドの一側にシャッタが対
向配置され、そのシャッタは移動可能とされて、第１の
位置において対向するグリッドの小径の穴のみを全て塞
ぎ、第２の位置において上記対向するグリッドの大径の
穴のみを全て塞ぐ構造とされる。
【００１０】請求項２の発明によれば、真空チャンバ内
にイオンガンと、複数のターゲットを保持できるターゲ
ットホルダと、基板を保持する基板ホルダとが配置され
てなるイオンビームスパッタ成膜装置において、イオン
ガンがイオンを引き出すグリッドを２組有し、それら２
組のグリッドはそれぞれ大径の穴と小径の穴とが均等に
配列形成されて、互いの大径の穴と小径の穴とが重なる
ように配置され、それら２組のグリッドの一側にシャッ
タが対向配置され、そのシャッタは移動可能とされて、
第１の位置において対向するグリッドの小径の穴のみを
全て塞ぎ、第２の位置において上記対向するグリッドの
大径の穴のみを全て塞ぐ構造とされ、上記シャッタに駆
動手段が連結され、その駆動手段により、真空チャンバ
の真空を破ることなく、シャッタが駆動される構成とさ
れる。
にイオンガンと、複数のターゲットを保持できるターゲ
ットホルダと、基板を保持する基板ホルダとが配置され
てなるイオンビームスパッタ成膜装置において、イオン
ガンがイオンを引き出すグリッドを２組有し、それら２
組のグリッドはそれぞれ大径の穴と小径の穴とが均等に
配列形成されて、互いの大径の穴と小径の穴とが重なる
ように配置され、それら２組のグリッドの一側にシャッ
タが対向配置され、そのシャッタは移動可能とされて、
第１の位置において対向するグリッドの小径の穴のみを
全て塞ぎ、第２の位置において上記対向するグリッドの
大径の穴のみを全て塞ぐ構造とされ、上記シャッタに駆
動手段が連結され、その駆動手段により、真空チャンバ
の真空を破ることなく、シャッタが駆動される構成とさ
れる。
【００１１】請求項３の発明では、請求項２の発明にお
いて、ターゲットホルダがターゲットを２個保持できる
構造とされ、そのターゲットホルダに保持される各ター
ゲット材料と上記２組のグリッドの各組の構成材料が同
じものとされる。
いて、ターゲットホルダがターゲットを２個保持できる
構造とされ、そのターゲットホルダに保持される各ター
ゲット材料と上記２組のグリッドの各組の構成材料が同
じものとされる。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面を参
照して実施例により説明する。図１はこの発明によるイ
オンガンの一実施例の構成概要を示したものであり、こ
の例ではイオンガン３１は異なる材料よりなる２組のグ
リッド３２，３３を有するものとされ、さらにそれら２
組のグリッド３２，３３の内側にシャッタ３４を有する
ものとされる。
照して実施例により説明する。図１はこの発明によるイ
オンガンの一実施例の構成概要を示したものであり、こ
の例ではイオンガン３１は異なる材料よりなる２組のグ
リッド３２，３３を有するものとされ、さらにそれら２
組のグリッド３２，３３の内側にシャッタ３４を有する
ものとされる。
【００１３】グリッド３２はスクリーングリッド３２ａ
と加速用グリッド３２ｂとの２枚１組によって構成さ
れ、同様にグリッド３３もスクリーングリッド３３ａと
加速用グリッド３３ｂとの２枚１組によって構成されて
いる。図２Ａ，Ｂはこれら２組のグリッド３２，３３の
形状を示したものであり、一方の組のスクリーングリッ
ド３２ａと加速用グリッド３２ｂとは同一形状とされて
図２Ａに示したような形状とされ、即ち円板状の板面に
多数の大径の穴３５と小径の穴３６とが縦横に交互に均
等に配列形成されたものとなっている。
と加速用グリッド３２ｂとの２枚１組によって構成さ
れ、同様にグリッド３３もスクリーングリッド３３ａと
加速用グリッド３３ｂとの２枚１組によって構成されて
いる。図２Ａ，Ｂはこれら２組のグリッド３２，３３の
形状を示したものであり、一方の組のスクリーングリッ
ド３２ａと加速用グリッド３２ｂとは同一形状とされて
図２Ａに示したような形状とされ、即ち円板状の板面に
多数の大径の穴３５と小径の穴３６とが縦横に交互に均
等に配列形成されたものとなっている。
【００１４】一方、他方の組のスクリーングリッド３３
ａと加速用グリッド３３ｂも同一形状とされて図２Ｂに
示したような形状とされ、円板状の板面に多数の大径の
穴３５と小径の穴３６とが縦横に交互に均等に配列形成
されたものとなっている。なお、これら２組のグリッド
３２，３３は重ね合わせた時、互いの大径の穴３５と小
径の穴３６とが重なるように形成されており、つまり大
径の穴３５の位置と小径の穴３６の位置とが逆に形成さ
れている。
ａと加速用グリッド３３ｂも同一形状とされて図２Ｂに
示したような形状とされ、円板状の板面に多数の大径の
穴３５と小径の穴３６とが縦横に交互に均等に配列形成
されたものとなっている。なお、これら２組のグリッド
３２，３３は重ね合わせた時、互いの大径の穴３５と小
径の穴３６とが重なるように形成されており、つまり大
径の穴３５の位置と小径の穴３６の位置とが逆に形成さ
れている。
【００１５】図２Ｃはシャッタ３４の形状を示したもの
であり、シャッタ３４はこの例では矩形板状とされて、
その板面に大径の穴３５が配列形成されたものとなって
いる。このシャッタ３４の大径の穴３５の位置はグリッ
ド３２の大径の穴３５の位置と対応しており、さらに下
側に一列多く形成されている。グリッド３２と３３は図
１に示したように、スクリーングリッド３２ａと３３ａ
とが重ね合わされ、加速用グリッド３２ｂと３３ｂとが
重ね合わされて筒体３７に取り付けられる。なお、図１
中、３８はこれらスクリーングリッド３２ａ，３３ａと
加速用グリッド３２ｂ，３３ｂとを絶縁離間するための
碍子を示し、３９はこれら２組のグリッド３２，３３を
一体に固定するセラミックネジを示す。また、４１はＲ
Ｆコイル、４２はガス導入口を示す。
であり、シャッタ３４はこの例では矩形板状とされて、
その板面に大径の穴３５が配列形成されたものとなって
いる。このシャッタ３４の大径の穴３５の位置はグリッ
ド３２の大径の穴３５の位置と対応しており、さらに下
側に一列多く形成されている。グリッド３２と３３は図
１に示したように、スクリーングリッド３２ａと３３ａ
とが重ね合わされ、加速用グリッド３２ｂと３３ｂとが
重ね合わされて筒体３７に取り付けられる。なお、図１
中、３８はこれらスクリーングリッド３２ａ，３３ａと
加速用グリッド３２ｂ，３３ｂとを絶縁離間するための
碍子を示し、３９はこれら２組のグリッド３２，３３を
一体に固定するセラミックネジを示す。また、４１はＲ
Ｆコイル、４２はガス導入口を示す。
【００１６】シャッタ３４はスクリーングリッド３３ａ
と対向して配置され、そのスクリーングリッド３３ａの
板面と平行に移動可能とされる。シャッタ３４の下端に
はシャッタ３４を駆動するためのシャフト４３が取り付
けられており、シャフト４３はベローズ４４を介して筒
体３７の外部に導出されている。図３はシャッタ３４の
位置によって使用するグリッド３２，３３が切り換えら
れる様子を示したものであり、シャッタ３４は図３Ａに
示した第１の位置において対向するスクリーングリッド
３３ａの小径の穴３６を全て塞ぐと共に、大径の穴３５
がスクリーングリッド３３ａの大径の穴３５と対向する
状態となり、よってこの状態ではグリッド３２によって
イオンビーム１８が引き出されることになる。
と対向して配置され、そのスクリーングリッド３３ａの
板面と平行に移動可能とされる。シャッタ３４の下端に
はシャッタ３４を駆動するためのシャフト４３が取り付
けられており、シャフト４３はベローズ４４を介して筒
体３７の外部に導出されている。図３はシャッタ３４の
位置によって使用するグリッド３２，３３が切り換えら
れる様子を示したものであり、シャッタ３４は図３Ａに
示した第１の位置において対向するスクリーングリッド
３３ａの小径の穴３６を全て塞ぐと共に、大径の穴３５
がスクリーングリッド３３ａの大径の穴３５と対向する
状態となり、よってこの状態ではグリッド３２によって
イオンビーム１８が引き出されることになる。
【００１７】一方、グリッド３３を使用する場合は、シ
ャッタ３４を図３Ｂに示したように矢印方向に下げる。
この下げた第２の位置においては、シャッタ３４は対向
するスクリーングリッド３３ａの大径の穴３５を全て塞
ぎ、つまりグリッド３２の小径の穴３６を全て塞ぐこと
になり、大径の穴３５がスクリーングリッド３３ａの小
径の穴３６と対向する状態となってグリッド３３が使用
される。なお、図３Ｃは図３Ａの状態を一部拡大して示
したものである。
ャッタ３４を図３Ｂに示したように矢印方向に下げる。
この下げた第２の位置においては、シャッタ３４は対向
するスクリーングリッド３３ａの大径の穴３５を全て塞
ぎ、つまりグリッド３２の小径の穴３６を全て塞ぐこと
になり、大径の穴３５がスクリーングリッド３３ａの小
径の穴３６と対向する状態となってグリッド３３が使用
される。なお、図３Ｃは図３Ａの状態を一部拡大して示
したものである。
【００１８】上記のような構造とされたイオンガン３１
によれば、２組のグリッド３２，３３を切り換え使用す
ることができ、かつその切り換えを簡易に行うことがで
きる。図４は上述したイオンガン３１を具備するイオン
ビームスパッタ成膜装置の構成を模式的に示したもので
あり、図５と対応する部分には同一符号を付けてある。
によれば、２組のグリッド３２，３３を切り換え使用す
ることができ、かつその切り換えを簡易に行うことがで
きる。図４は上述したイオンガン３１を具備するイオン
ビームスパッタ成膜装置の構成を模式的に示したもので
あり、図５と対応する部分には同一符号を付けてある。
【００１９】イオンガン３１のシャッタ３４に取り付け
られているシャフト４３はこの例では真空チャンバ１１
の外部に導出されて、駆動手段４５に連結されている。
駆動手段４５は例えばウォームギアを備えたモータ等に
よって構成され、この駆動手段４５を作動させることに
より、シャッタ３４を駆動することができ、つまり真空
チャンバ１１の真空を破ることなく、シャッタ３４を移
動させてグリッド３２，３３を切り換えられるものとな
っている。なお、図４中、４６はベローズを示す。
られているシャフト４３はこの例では真空チャンバ１１
の外部に導出されて、駆動手段４５に連結されている。
駆動手段４５は例えばウォームギアを備えたモータ等に
よって構成され、この駆動手段４５を作動させることに
より、シャッタ３４を駆動することができ、つまり真空
チャンバ１１の真空を破ることなく、シャッタ３４を移
動させてグリッド３２，３３を切り換えられるものとな
っている。なお、図４中、４６はベローズを示す。
【００２０】この図４に示したイオンビームスパッタ成
膜装置によれば、成膜したい物質に応じて、つまりター
ゲット材料に応じて使用するグリッドを簡易に切り換え
ることができる。従って、２組のグリッド３２，３３を
ターゲットホルダ１３に保持される２個のターゲット１
５，１６とそれぞれ同じ材料で構成し、ターゲット１
５，１６の切り換えに合わせてグリッド３２，３３を切
り換えて使用するようにすれば、成膜された膜内にグリ
ッド材料が不純物として混入するといった問題を解消す
ることができる。
膜装置によれば、成膜したい物質に応じて、つまりター
ゲット材料に応じて使用するグリッドを簡易に切り換え
ることができる。従って、２組のグリッド３２，３３を
ターゲットホルダ１３に保持される２個のターゲット１
５，１６とそれぞれ同じ材料で構成し、ターゲット１
５，１６の切り換えに合わせてグリッド３２，３３を切
り換えて使用するようにすれば、成膜された膜内にグリ
ッド材料が不純物として混入するといった問題を解消す
ることができる。
【００２１】今、このイオンビームスパッタ成膜装置で
ＳｉＯ2 膜とＴｉＯ2 膜との積層構造からなる多層膜光
学素子を形成する場合を一例として挙げれば、グリッド
３２をＳｉで形成し、グリッド３３をＴｉで形成するこ
とにより、グリッド材料が薄膜中に不純物として混入す
るのを防止することができ、よって良好な光学性能を有
する多層膜光学素子を得ることができる。
ＳｉＯ2 膜とＴｉＯ2 膜との積層構造からなる多層膜光
学素子を形成する場合を一例として挙げれば、グリッド
３２をＳｉで形成し、グリッド３３をＴｉで形成するこ
とにより、グリッド材料が薄膜中に不純物として混入す
るのを防止することができ、よって良好な光学性能を有
する多層膜光学素子を得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によるイ
オンガンによれば、例えば取り付け、取り外しといった
面倒な作業を伴うことなく、２組のグリッドを簡易に切
り換えて使用することができる。また、この発明による
イオンビームスパッタ成膜装置によれば、真空を破るこ
となく、イオンガンの２組のグリッドを切り換えて使用
することができ、よって例えば異種材料の積層膜を連続
成膜によって形成するような場合に、それらのターゲッ
ト材料と同じ材料で２組のグリッドを構成し、ターゲッ
ト材料に合わせて使用するグリッドを切り換えるように
すれば、グリッド材料が膜中に不純物として混入するの
を防ぐことが可能となる。
オンガンによれば、例えば取り付け、取り外しといった
面倒な作業を伴うことなく、２組のグリッドを簡易に切
り換えて使用することができる。また、この発明による
イオンビームスパッタ成膜装置によれば、真空を破るこ
となく、イオンガンの２組のグリッドを切り換えて使用
することができ、よって例えば異種材料の積層膜を連続
成膜によって形成するような場合に、それらのターゲッ
ト材料と同じ材料で２組のグリッドを構成し、ターゲッ
ト材料に合わせて使用するグリッドを切り換えるように
すれば、グリッド材料が膜中に不純物として混入するの
を防ぐことが可能となる。
【図１】請求項１の発明の一実施例を説明するための
図。
図。
【図２】Ａは図１におけるグリッド３２の正面図、Ｂは
グリッド３３の正面図、Ｃはシャッタ３４の正面図。
グリッド３３の正面図、Ｃはシャッタ３４の正面図。
【図３】シャッタによるグリッドの切り換えを示す図、
Ａはグリッド３２を使用する場合、Ｂはグリッド３３を
使用する場合を示し、ＣはＡの部分拡大図を示す。
Ａはグリッド３２を使用する場合、Ｂはグリッド３３を
使用する場合を示し、ＣはＡの部分拡大図を示す。
【図４】請求項２の発明の一実施例を説明するための
図。
図。
【図５】従来のイオンビームスパッタ成膜装置の概要を
示す図。
示す図。
【図６】従来のイオンガンの構成概要を示す図。
【図７】ターゲット材料（不純物）混入によるＳｉＯ2
膜の透過分光特性の低下を説明するためのグラフ。
膜の透過分光特性の低下を説明するためのグラフ。
Claims (3)
- 【請求項１】 イオンビームスパッタ成膜装置用のイオ
ンガンであって、 イオンを引き出すグリッドを２組有し、それら２組のグ
リッドはそれぞれ大径の穴と小径の穴とが均等に配列形
成されて、互いの大径の穴と小径の穴とが重なるように
配置され、 それら２組のグリッドの一側にシャッタが対向配置さ
れ、 そのシャッタは移動可能とされて、第１の位置において
対向するグリッドの小径の穴のみを全て塞ぎ、第２の位
置において上記対向するグリッドの大径の穴のみを全て
塞ぐ構造とされていることを特徴とするイオンガン。 - 【請求項２】 真空チャンバ内に、イオンガンと、複数
のターゲットを保持できるターゲットホルダと、基板を
保持する基板ホルダとが配置されてなるイオンビームス
パッタ成膜装置において、 上記イオンガンがイオンを引き出すグリッドを２組有
し、それら２組のグリッドはそれぞれ大径の穴と小径の
穴とが均等に配列形成されて、互いの大径の穴と小径の
穴とが重なるように配置され、それら２組のグリッドの
一側にシャッタが対向配置され、そのシャッタは移動可
能とされて、第１の位置において対向するグリッドの小
径の穴のみを全て塞ぎ、第２の位置において上記対向す
るグリッドの大径の穴のみを全て塞ぐ構造とされ、 上記シャッタに駆動手段が連結され、 その駆動手段により、上記真空チャンバの真空を破るこ
となく、上記シャッタが駆動される構成とされているこ
とを特徴とするイオンビームスパッタ成膜装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のイオンビームスパッタ成
膜装置において、 上記ターゲットホルダはターゲットを２個保持できる構
造とされ、 そのターゲットホルダに保持される各ターゲット材料と
上記２組のグリッドの各組の構成材料が同じものとされ
ていることを特徴とするイオンビームスパッタ成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08293899A JP4175723B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | イオンガン及びイオンビームスパッタ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08293899A JP4175723B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | イオンガン及びイオンビームスパッタ成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273630A true JP2000273630A (ja) | 2000-10-03 |
| JP4175723B2 JP4175723B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=13788176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08293899A Expired - Fee Related JP4175723B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | イオンガン及びイオンビームスパッタ成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4175723B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092482A (ko) * | 2001-06-04 | 2002-12-12 | 염근영 | 이온 플럭스가 향상된 이온빔 소오스 |
| EP3319112A1 (de) * | 2016-11-07 | 2018-05-09 | Meyer Burger (Germany) AG | Vorrichtung zur extraktion von elektrischen ladungsträgern aus einem ladungsträgererzeugungsraum |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876232A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-06-20 | 上海伟钊光学科技股份有限公司 | 具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源 |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP08293899A patent/JP4175723B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092482A (ko) * | 2001-06-04 | 2002-12-12 | 염근영 | 이온 플럭스가 향상된 이온빔 소오스 |
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| WO2018083322A1 (de) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | Meyer Burger (Germany) Ag | Vorrichtung zur extraktion von elektrischen ladungsträgern aus einem ladungsträgererzeugungsraum |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4175723B2 (ja) | 2008-11-05 |
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