JP2000266226A - 半導体マイクロバルブ - Google Patents
半導体マイクロバルブInfo
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- JP2000266226A JP2000266226A JP6920599A JP6920599A JP2000266226A JP 2000266226 A JP2000266226 A JP 2000266226A JP 6920599 A JP6920599 A JP 6920599A JP 6920599 A JP6920599 A JP 6920599A JP 2000266226 A JP2000266226 A JP 2000266226A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型で大流量の制御が可能な半導体マイクロバ
ルブを提供する。 【解決手段】第１のシリコン基板１０は、厚み方向に貫
通する第１の流通孔１０ａが一端側に形成されている。
第２のシリコン基板２０は、該第２のシリコン基板２０
の両端部それぞれに薄肉の可撓部２２を介して揺動自在
に支持され可撓部２２の撓みに応じて第１のシリコン基
板１０の一面の中央部に離接する閉子２３が設けられて
いる。第２のシリコン基板２０は、閉子２３が第１のシ
リコン基板１０の上記一面に接触した状態でも可撓部２
２と第１のシリコン基板１０との間に形成される空間２
０ｂに連通する第２の流通孔２８が設けられている。ま
た、閉子２３が第１のシリコン基板１０の上記一面に接
触した状態で可撓部２２と第１のシリコン基板１０との
間に形成される空間２０ａは、第１のシリコン基板１０
に設けられた上記第１の流通孔１０ａに連通する。
ルブを提供する。 【解決手段】第１のシリコン基板１０は、厚み方向に貫
通する第１の流通孔１０ａが一端側に形成されている。
第２のシリコン基板２０は、該第２のシリコン基板２０
の両端部それぞれに薄肉の可撓部２２を介して揺動自在
に支持され可撓部２２の撓みに応じて第１のシリコン基
板１０の一面の中央部に離接する閉子２３が設けられて
いる。第２のシリコン基板２０は、閉子２３が第１のシ
リコン基板１０の上記一面に接触した状態でも可撓部２
２と第１のシリコン基板１０との間に形成される空間２
０ｂに連通する第２の流通孔２８が設けられている。ま
た、閉子２３が第１のシリコン基板１０の上記一面に接
触した状態で可撓部２２と第１のシリコン基板１０との
間に形成される空間２０ａは、第１のシリコン基板１０
に設けられた上記第１の流通孔１０ａに連通する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体などの流体の
流量制御に用いられる半導体マイクロバルブに関するも
のである。
流量制御に用いられる半導体マイクロバルブに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、気体などの流体の流量制御に
用いられる半導体マイクロバルブとして、図２に示す構
成のものが提案されている。図２に示した半導体マイク
ロバルブは、常閉型のバルブであって、厚み方向に重な
り互いの端部同士が結合（接合）された第１のシリコン
基板１０および第２のシリコン基板２０を備えている。
用いられる半導体マイクロバルブとして、図２に示す構
成のものが提案されている。図２に示した半導体マイク
ロバルブは、常閉型のバルブであって、厚み方向に重な
り互いの端部同士が結合（接合）された第１のシリコン
基板１０および第２のシリコン基板２０を備えている。
【０００３】第１のシリコン基板１０は、厚み方向の一
面（図２における上面）から他面（図２における下面）
にわたって貫通する貫通孔よりなる弁口１０ｂが中央部
に形成され、上記一面側において弁口１０ｂの周縁に
は、第２のシリコン基板２０に設けられた弁体２３０が
離接する弁座１３を突設してある。
面（図２における上面）から他面（図２における下面）
にわたって貫通する貫通孔よりなる弁口１０ｂが中央部
に形成され、上記一面側において弁口１０ｂの周縁に
は、第２のシリコン基板２０に設けられた弁体２３０が
離接する弁座１３を突設してある。
【０００４】一方、第２のシリコン基板２０は、該第２
のシリコン基板２０の端部に薄肉の可撓部２２を介して
揺動自在に支持され可撓部２２の撓みに応じて上記弁座
１３に離接する上記弁体２３０が設けられている。ここ
において、弁体２３０は、可撓部２２よりも厚肉に形成
されている。なお、可撓部２２の要所には、流体の通る
流通孔（図示せず）が形成されている。この流通孔は、
弁体２３０により弁口１０ｂが開かれた状態で弁口１０
ｂと連通する。
のシリコン基板２０の端部に薄肉の可撓部２２を介して
揺動自在に支持され可撓部２２の撓みに応じて上記弁座
１３に離接する上記弁体２３０が設けられている。ここ
において、弁体２３０は、可撓部２２よりも厚肉に形成
されている。なお、可撓部２２の要所には、流体の通る
流通孔（図示せず）が形成されている。この流通孔は、
弁体２３０により弁口１０ｂが開かれた状態で弁口１０
ｂと連通する。
【０００５】また、可撓部２２上には、可撓部２２とと
もにバイメタルを構成するバイメタル素膜２４が積層さ
れている。要するに、図２に示した半導体マイクロバル
ブでは、可撓部２２を変形させる駆動部としてバイメタ
ルを利用しており、可撓部２２の湾曲量を制御できるよ
うになっている。なお、駆動部としては、バイメタルの
熱膨張による湾曲を利用する他に、静電引力や電磁力を
利用するものもある。
もにバイメタルを構成するバイメタル素膜２４が積層さ
れている。要するに、図２に示した半導体マイクロバル
ブでは、可撓部２２を変形させる駆動部としてバイメタ
ルを利用しており、可撓部２２の湾曲量を制御できるよ
うになっている。なお、駆動部としては、バイメタルの
熱膨張による湾曲を利用する他に、静電引力や電磁力を
利用するものもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来構
成の半導体マイクロバルブでは、弁座１３に弁体２３０
が接触することによってバルブを閉じた（弁口１０ｂを
弁体２３０により閉じることによって弁口１０ｂと上記
流通孔との間を遮断した）際のシールを行っている。し
かしながら、第１のシリコン基板１０の中央部に弁口１
０ｂが形成されているので、図２に示す弁体２３０の幅
Ｈ3（図２における弁体２３０の下面の左右方向の幅）
を、弁口１０ｂの開口幅Ｈ2（図２における弁口１０ｂ
の開口面の左右方向の幅）よりも大きくする必要があ
り、また、第１のシリコン基板１０と第２のシリコン基
板２０とを接合する際に、弁座１３と弁体２３０との位
置合わせ余裕を確保するために、弁体２３０の上記幅Ｈ
3をさらに大きくしなければならないという不具合があ
った。
成の半導体マイクロバルブでは、弁座１３に弁体２３０
が接触することによってバルブを閉じた（弁口１０ｂを
弁体２３０により閉じることによって弁口１０ｂと上記
流通孔との間を遮断した）際のシールを行っている。し
かしながら、第１のシリコン基板１０の中央部に弁口１
０ｂが形成されているので、図２に示す弁体２３０の幅
Ｈ3（図２における弁体２３０の下面の左右方向の幅）
を、弁口１０ｂの開口幅Ｈ2（図２における弁口１０ｂ
の開口面の左右方向の幅）よりも大きくする必要があ
り、また、第１のシリコン基板１０と第２のシリコン基
板２０とを接合する際に、弁座１３と弁体２３０との位
置合わせ余裕を確保するために、弁体２３０の上記幅Ｈ
3をさらに大きくしなければならないという不具合があ
った。
【０００７】例えば、図２に示す弁座１３の片側の幅Ｈ
1を２００μｍ、弁体２３０の下面の左右方向の両側そ
れぞれに設ける接合の合わせ余裕の幅Ｈ4を１００μｍ
とすると、弁体２３０の幅Ｈ3は、Ｈ3＝２Ｈ1＋Ｈ2＋２
Ｈ4となるように設定されるから、弁口１０ｂの開口幅
Ｈ2が３００μｍの時は９００μｍとなり、弁口１０ｂ
の開口幅Ｈ2が５００μｍの時は１１００μｍとなる。
1を２００μｍ、弁体２３０の下面の左右方向の両側そ
れぞれに設ける接合の合わせ余裕の幅Ｈ4を１００μｍ
とすると、弁体２３０の幅Ｈ3は、Ｈ3＝２Ｈ1＋Ｈ2＋２
Ｈ4となるように設定されるから、弁口１０ｂの開口幅
Ｈ2が３００μｍの時は９００μｍとなり、弁口１０ｂ
の開口幅Ｈ2が５００μｍの時は１１００μｍとなる。
【０００８】したがって、図２からも分かるように、同
一のチップサイズで見れば、弁体２３０の上記幅Ｈ3が
大きくなるほど、可撓部２２（ビームまたはダイアフラ
ム）の実効的な長さが短くなってしまい、弁体２３０の
変位量が小さくなる（弁体２３０が変位しにくくなる）
という不具合があった。一方、大流量の制御を行うため
に弁体２３０の変位量を大きくとるためには、可撓部２
２の長さを長くしなければならず、チップサイズが大き
くなってしまうという不具合があった。
一のチップサイズで見れば、弁体２３０の上記幅Ｈ3が
大きくなるほど、可撓部２２（ビームまたはダイアフラ
ム）の実効的な長さが短くなってしまい、弁体２３０の
変位量が小さくなる（弁体２３０が変位しにくくなる）
という不具合があった。一方、大流量の制御を行うため
に弁体２３０の変位量を大きくとるためには、可撓部２
２の長さを長くしなければならず、チップサイズが大き
くなってしまうという不具合があった。
【０００９】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、小型で大流量の制御が可能な半導体
マイクロバルブを提供することにある。
あり、その目的は、小型で大流量の制御が可能な半導体
マイクロバルブを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、厚み方向に重なり互いの両端部
同士が結合された第１の半導体基板および第２の半導体
基板を備え、第２の半導体基板は、両端部それぞれに薄
肉の可撓部を介して揺動自在に支持され第１の半導体基
板の一面に離接する閉子と、各可撓部にそれぞれ設けら
れ可撓部を変形させる駆動部と、閉子が上記一面に接触
した状態で各可撓部と第１の半導体基板との間に形成さ
れる一対の空間それぞれに連通する一対の流通孔がそれ
ぞれ第１の半導体基板もしくは第２の半導体基板に設け
られてなることを特徴とするものであり、第２の半導体
基板に設けられる閉子の第１の半導体基板に対する接触
面の大きさを各流通孔の開口面積に関係なく設定するこ
とができ、しかも従来のような弁体と弁口との位置合わ
せ余裕をとる必要がないので、従来のように弁体の幅を
弁口の開口幅よりも大きく設定しさらに上記位置合わせ
余裕をとる場合に比べてチップサイズを小型化すること
ができ、また、可撓部の長さを従来よりも長くすること
ができて従来よりも可撓部の変位が大きくなるから、大
流量の制御が可能となる。
目的を達成するために、厚み方向に重なり互いの両端部
同士が結合された第１の半導体基板および第２の半導体
基板を備え、第２の半導体基板は、両端部それぞれに薄
肉の可撓部を介して揺動自在に支持され第１の半導体基
板の一面に離接する閉子と、各可撓部にそれぞれ設けら
れ可撓部を変形させる駆動部と、閉子が上記一面に接触
した状態で各可撓部と第１の半導体基板との間に形成さ
れる一対の空間それぞれに連通する一対の流通孔がそれ
ぞれ第１の半導体基板もしくは第２の半導体基板に設け
られてなることを特徴とするものであり、第２の半導体
基板に設けられる閉子の第１の半導体基板に対する接触
面の大きさを各流通孔の開口面積に関係なく設定するこ
とができ、しかも従来のような弁体と弁口との位置合わ
せ余裕をとる必要がないので、従来のように弁体の幅を
弁口の開口幅よりも大きく設定しさらに上記位置合わせ
余裕をとる場合に比べてチップサイズを小型化すること
ができ、また、可撓部の長さを従来よりも長くすること
ができて従来よりも可撓部の変位が大きくなるから、大
流量の制御が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本実施形態の半導体マイクロバル
ブは、図１（ａ）に示すように、厚み方向に重なり互い
の両端部同士が結合（接合）された第１のシリコン基板
１０および第２のシリコン基板２０を備えている。
ブは、図１（ａ）に示すように、厚み方向に重なり互い
の両端部同士が結合（接合）された第１のシリコン基板
１０および第２のシリコン基板２０を備えている。
【００１２】第１のシリコン基板１０は、厚み方向の一
面（図１（ａ）における上面）から他面（図１（ａ）に
おける下面）にわたって貫通する貫通孔よりなる第１の
流通孔１０ａが該第１のシリコン基板１０の一端側（図
１における右側）に形成されている。
面（図１（ａ）における上面）から他面（図１（ａ）に
おける下面）にわたって貫通する貫通孔よりなる第１の
流通孔１０ａが該第１のシリコン基板１０の一端側（図
１における右側）に形成されている。
【００１３】一方、第２のシリコン基板２０は、該第２
のシリコン基板２０の両端部（図１（ａ）における左端
部および右端部）それぞれに薄肉の可撓部２２を介して
揺動自在に支持され可撓部２２の撓みに応じて第１のシ
リコン基板１０の上記一面の中央部に離接する閉子２３
が設けられている。ここにおいて、閉子２３は、可撓部
２２よりも厚肉に形成されている（第２のシリコン基板
２０の両端部と同じ厚さに形成されている）。また、第
２のシリコン基板２０は、閉子２３が第１のシリコン基
板１０の上記一面に接触した状態（図１（ａ）の状態）
でも図１（ａ）の左側の可撓部２２と第１のシリコン基
板１０との間に形成される空間２０ｂに連通する第２の
流通孔２８が設けられている。また、閉子２３が第１の
シリコン基板１０の上記一面に接触した状態（図１
（ａ）の状態）で図１（ａ）の右側の可撓部２２と第１
のシリコン基板１０との間に形成される空間２０ａは、
第１のシリコン基板１０に設けられた上記第１の流通孔
１０ａに連通する。
のシリコン基板２０の両端部（図１（ａ）における左端
部および右端部）それぞれに薄肉の可撓部２２を介して
揺動自在に支持され可撓部２２の撓みに応じて第１のシ
リコン基板１０の上記一面の中央部に離接する閉子２３
が設けられている。ここにおいて、閉子２３は、可撓部
２２よりも厚肉に形成されている（第２のシリコン基板
２０の両端部と同じ厚さに形成されている）。また、第
２のシリコン基板２０は、閉子２３が第１のシリコン基
板１０の上記一面に接触した状態（図１（ａ）の状態）
でも図１（ａ）の左側の可撓部２２と第１のシリコン基
板１０との間に形成される空間２０ｂに連通する第２の
流通孔２８が設けられている。また、閉子２３が第１の
シリコン基板１０の上記一面に接触した状態（図１
（ａ）の状態）で図１（ａ）の右側の可撓部２２と第１
のシリコン基板１０との間に形成される空間２０ａは、
第１のシリコン基板１０に設けられた上記第１の流通孔
１０ａに連通する。
【００１４】要するに、第１の流通孔１０ａに連通した
空間２０ａと第２の流通孔２８に連通した空間２０ｂと
は、閉子２３が第１のシリコン基板１０の上記一面から
離れると連通し、閉子２３が第１のシリコン基板１０の
上記一面に接触すると遮断されるようになっている。つ
まり、閉子２３は、バルブを閉じた状態（つまり、閉子
２３が第１のシリコン基板１０の上記一面に接触した状
態）で、第１の流通孔１０ａと第２の流通孔２８とが連
通しないように、流路の全体を遮断するように形成され
ている（図１（ｂ）参照）。
空間２０ａと第２の流通孔２８に連通した空間２０ｂと
は、閉子２３が第１のシリコン基板１０の上記一面から
離れると連通し、閉子２３が第１のシリコン基板１０の
上記一面に接触すると遮断されるようになっている。つ
まり、閉子２３は、バルブを閉じた状態（つまり、閉子
２３が第１のシリコン基板１０の上記一面に接触した状
態）で、第１の流通孔１０ａと第２の流通孔２８とが連
通しないように、流路の全体を遮断するように形成され
ている（図１（ｂ）参照）。
【００１５】なお、第１の流通孔１０ａおよび第２の流
通孔２８は、閉子２３が上記一面に接触した状態で各可
撓部２２と第１のシリコン基板１０との間に形成される
一対の空間２０ａ，２０ｂそれぞれに連通すればよく、
それぞれ第１のシリコン基板１０もしくは第２のシリコ
ン基板２０のいずれかに設けられていればよい。
通孔２８は、閉子２３が上記一面に接触した状態で各可
撓部２２と第１のシリコン基板１０との間に形成される
一対の空間２０ａ，２０ｂそれぞれに連通すればよく、
それぞれ第１のシリコン基板１０もしくは第２のシリコ
ン基板２０のいずれかに設けられていればよい。
【００１６】また、可撓部２２上には、可撓部２２とと
もにバイメタルを構成するバイメタル素膜２４が積層さ
れている。要するに、図１に示した半導体マイクロバル
ブでは、可撓部２２を変形させる駆動部としてバイメタ
ルを利用しており、可撓部２２の湾曲量を制御できるよ
うになっている。なお、駆動部としては、バイメタルの
熱膨張による湾曲を利用する他に、静電引力や電磁力を
利用するものでもよい。
もにバイメタルを構成するバイメタル素膜２４が積層さ
れている。要するに、図１に示した半導体マイクロバル
ブでは、可撓部２２を変形させる駆動部としてバイメタ
ルを利用しており、可撓部２２の湾曲量を制御できるよ
うになっている。なお、駆動部としては、バイメタルの
熱膨張による湾曲を利用する他に、静電引力や電磁力を
利用するものでもよい。
【００１７】しかして、本実施形態では、第２のシリコ
ン基板２０に設けられる閉子２３の第１のシリコン基板
１０に対する接触面の大きさを各流通孔１０ａ，２８の
開口面積に関係なく設定することができ、しかも図２に
示した従来構成のような弁体２３０と弁口１０ｂとの位
置合わせ余裕をとる必要がないことにより、従来のよう
に弁体２３０（図２参照）の幅Ｈ3を弁口の開口幅Ｈ2よ
りも大きく設定しさらに上記位置合わせ余裕をとる場合
に比べてチップサイズを小型化することができ、また、
可撓部２２の長さを従来よりも長くすることができて従
来よりも可撓部２２の変位が大きくなるから、大流量の
制御が可能となる。
ン基板２０に設けられる閉子２３の第１のシリコン基板
１０に対する接触面の大きさを各流通孔１０ａ，２８の
開口面積に関係なく設定することができ、しかも図２に
示した従来構成のような弁体２３０と弁口１０ｂとの位
置合わせ余裕をとる必要がないことにより、従来のよう
に弁体２３０（図２参照）の幅Ｈ3を弁口の開口幅Ｈ2よ
りも大きく設定しさらに上記位置合わせ余裕をとる場合
に比べてチップサイズを小型化することができ、また、
可撓部２２の長さを従来よりも長くすることができて従
来よりも可撓部２２の変位が大きくなるから、大流量の
制御が可能となる。
【００１８】例えば、数値例を挙げると、仮にバルブを
閉じた状態（図１（ａ）に示すように閉子２３が第１の
シリコン基板１０の上記一面に接触した状態）でシール
に必要な幅（図１（ａ）における左右方向の幅）が図２
に示した従来構成と同じく４００μｍ（２Ｈ1＝２×２
００μｍ）、接合の合わせ余裕も従来構成と同じく２０
０μｍ（２Ｈ4＝２×１００μｍ）としても、閉子２３
の幅Ｈ3’（図１（ａ）における閉子２３の下面の左右
方向の幅）は第１の流通孔１０ａの開口幅に関係なく６
００μｍで良いことになる。つまり、本実施形態では、
第１のシリコン基板１０の上記一面における第１の流通
孔１０ａの開口幅Ｈ2’を従来構成における弁口１０ｂ
の開口幅Ｈ2と同じ３００μｍとしても、閉子２３の幅
Ｈ3’（＝６００μｍ）を従来構成における弁体２３０
の上記幅Ｈ3（＝９００μｍ）に比べて小さくすること
ができる。
閉じた状態（図１（ａ）に示すように閉子２３が第１の
シリコン基板１０の上記一面に接触した状態）でシール
に必要な幅（図１（ａ）における左右方向の幅）が図２
に示した従来構成と同じく４００μｍ（２Ｈ1＝２×２
００μｍ）、接合の合わせ余裕も従来構成と同じく２０
０μｍ（２Ｈ4＝２×１００μｍ）としても、閉子２３
の幅Ｈ3’（図１（ａ）における閉子２３の下面の左右
方向の幅）は第１の流通孔１０ａの開口幅に関係なく６
００μｍで良いことになる。つまり、本実施形態では、
第１のシリコン基板１０の上記一面における第１の流通
孔１０ａの開口幅Ｈ2’を従来構成における弁口１０ｂ
の開口幅Ｈ2と同じ３００μｍとしても、閉子２３の幅
Ｈ3’（＝６００μｍ）を従来構成における弁体２３０
の上記幅Ｈ3（＝９００μｍ）に比べて小さくすること
ができる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１の発明は、厚み方向に重なり互
いの両端部同士が結合された第１の半導体基板および第
２の半導体基板を備え、第２の半導体基板は、両端部そ
れぞれに薄肉の可撓部を介して揺動自在に支持され第１
の半導体基板の一面に離接する閉子と、各可撓部にそれ
ぞれ設けられ可撓部を変形させる駆動部と、閉子が上記
一面に接触した状態で各可撓部と第１の半導体基板との
間に形成される一対の空間それぞれに連通する一対の流
通孔がそれぞれ第１の半導体基板もしくは第２の半導体
基板に設けられているので、第２の半導体基板に設けら
れる閉子の第１の半導体基板に対する接触面の大きさを
各流通孔の開口面積に関係なく設定することができ、し
かも従来のような弁体と弁口との位置合わせ余裕をとる
必要がないことにより、従来のように弁体の幅を弁口の
開口幅よりも大きく設定しさらに上記位置合わせ余裕を
とる場合に比べてチップサイズを小型化することがで
き、また、可撓部の長さを従来よりも長くすることがで
きて従来よりも可撓部の変位が大きくなるから、大流量
の制御が可能となるという効果がある。
いの両端部同士が結合された第１の半導体基板および第
２の半導体基板を備え、第２の半導体基板は、両端部そ
れぞれに薄肉の可撓部を介して揺動自在に支持され第１
の半導体基板の一面に離接する閉子と、各可撓部にそれ
ぞれ設けられ可撓部を変形させる駆動部と、閉子が上記
一面に接触した状態で各可撓部と第１の半導体基板との
間に形成される一対の空間それぞれに連通する一対の流
通孔がそれぞれ第１の半導体基板もしくは第２の半導体
基板に設けられているので、第２の半導体基板に設けら
れる閉子の第１の半導体基板に対する接触面の大きさを
各流通孔の開口面積に関係なく設定することができ、し
かも従来のような弁体と弁口との位置合わせ余裕をとる
必要がないことにより、従来のように弁体の幅を弁口の
開口幅よりも大きく設定しさらに上記位置合わせ余裕を
とる場合に比べてチップサイズを小型化することがで
き、また、可撓部の長さを従来よりも長くすることがで
きて従来よりも可撓部の変位が大きくなるから、大流量
の制御が可能となるという効果がある。
【図１】実施形態を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
は概略平面図である。
は概略平面図である。
【図２】従来例を示す概略断面図である。
【符号の説明】 １０ 第１のシリコン基板 １０ａ 第１の流通孔 ２０ 第２のシリコン基板 ２０ａ，２０ｂ 空間 ２２ 可撓部 ２３ 閉子 ２８ 第２の流通孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年６月７日（１９９９．６．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】例えば、数値例を挙げると、仮にバルブを
閉じた状態（図１（ａ）に示すように閉子２３が第１の
シリコン基板１０の上記一面に接触した状態）でシール
に必要な幅（図１（ａ）における左右方向の幅）が図２
に示した従来構成と同じく４００μｍ（２Ｈ1＝２×２
００μｍ）、接合の合わせ余裕も従来構成と同じく２０
０μｍ（２Ｈ4＝２×１００μｍ）としても、閉子２３
の幅Ｈ3’（図１（ａ）における閉子２３の下面の左右
方向の幅）は第１の流通孔１０ａの開口幅に関係なく６
００μｍで良いことになる。つまり、本実施形態では、
第１のシリコン基板１０の上記一面における第１の流通
孔１０ａの開口幅Ｈ2’を従来構成における弁口１０ｂ
の開口幅Ｈ2と同じ３００μｍとしても、閉子２３の幅
Ｈ3’（＝６００μｍ）を従来構成における弁体２３０
の上記幅Ｈ3（＝９００μｍ）に比べて小さくすること
ができ、チップサイズを小型化することができる。な
お、この数値例では接合の合わせ余裕を従来構成と同じ
２００μｍとして説明したが、本実施形態の半導体マイ
クロバルブでは、接合の合わせ余裕は必要ないので、チ
ップサイズをさらに小型化することができる。
閉じた状態（図１（ａ）に示すように閉子２３が第１の
シリコン基板１０の上記一面に接触した状態）でシール
に必要な幅（図１（ａ）における左右方向の幅）が図２
に示した従来構成と同じく４００μｍ（２Ｈ1＝２×２
００μｍ）、接合の合わせ余裕も従来構成と同じく２０
０μｍ（２Ｈ4＝２×１００μｍ）としても、閉子２３
の幅Ｈ3’（図１（ａ）における閉子２３の下面の左右
方向の幅）は第１の流通孔１０ａの開口幅に関係なく６
００μｍで良いことになる。つまり、本実施形態では、
第１のシリコン基板１０の上記一面における第１の流通
孔１０ａの開口幅Ｈ2’を従来構成における弁口１０ｂ
の開口幅Ｈ2と同じ３００μｍとしても、閉子２３の幅
Ｈ3’（＝６００μｍ）を従来構成における弁体２３０
の上記幅Ｈ3（＝９００μｍ）に比べて小さくすること
ができ、チップサイズを小型化することができる。な
お、この数値例では接合の合わせ余裕を従来構成と同じ
２００μｍとして説明したが、本実施形態の半導体マイ
クロバルブでは、接合の合わせ余裕は必要ないので、チ
ップサイズをさらに小型化することができる。
フロントページの続き (72)発明者 吉田 仁 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 河田 裕志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 藤井 圭子 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 3H057 AA05 BB32 CC02 DD12 FA22 FC02 FC08 HH02 HH05 3H062 AA04 AA15 BB30 CC04 CC29 HH02
Claims (1)
- 【請求項１】 厚み方向に重なり互いの両端部同士が結
合された第１の半導体基板および第２の半導体基板を備
え、第２の半導体基板は、両端部それぞれに薄肉の可撓
部を介して揺動自在に支持され第１の半導体基板の一面
に離接する閉子と、各可撓部にそれぞれ設けられ可撓部
を変形させる駆動部と、閉子が上記一面に接触した状態
で各可撓部と第１の半導体基板との間に形成される一対
の空間それぞれに連通する一対の流通孔がそれぞれ第１
の半導体基板もしくは第２の半導体基板に設けられてな
ることを特徴とする半導体マイクロバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6920599A JP2000266226A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 半導体マイクロバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6920599A JP2000266226A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 半導体マイクロバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000266226A true JP2000266226A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13396000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6920599A Withdrawn JP2000266226A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 半導体マイクロバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000266226A (ja) |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP6920599A patent/JP2000266226A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |