JP2000264796A - シリコン単結晶ウェハの製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶ウェハの製造方法Info
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- JP2000264796A JP2000264796A JP11078498A JP7849899A JP2000264796A JP 2000264796 A JP2000264796 A JP 2000264796A JP 11078498 A JP11078498 A JP 11078498A JP 7849899 A JP7849899 A JP 7849899A JP 2000264796 A JP2000264796 A JP 2000264796A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率的な製造に適したデバイス用ウェーハ製
造する方法を提供する。 【解決手段】 ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率
と、Ｇ１×Ｇ２、及びＧ１edge／Ｇ１centerを制御する
ことにより、「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦
１．２５」かつ「０．５＜（ＯＳＦリング内径／結晶
径）＜１．０６×（Ｇ１×Ｇ２）−０．２」に設定し、
酸化膜耐圧がＣモード率６０％以上で転位の存在しない
シリコン単結晶を得る。
造する方法を提供する。 【解決手段】 ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率
と、Ｇ１×Ｇ２、及びＧ１edge／Ｇ１centerを制御する
ことにより、「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦
１．２５」かつ「０．５＜（ＯＳＦリング内径／結晶
径）＜１．０６×（Ｇ１×Ｇ２）−０．２」に設定し、
酸化膜耐圧がＣモード率６０％以上で転位の存在しない
シリコン単結晶を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（ＣＺ法）により所定の条件下で引き上げられるシリ
コンインゴット及びそこから切り出されるシリコン単結
晶ウェハ、並びにそれらの製造方法に関する。
法（ＣＺ法）により所定の条件下で引き上げられるシリ
コンインゴット及びそこから切り出されるシリコン単結
晶ウェハ、並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】デバイス特性のーつであるゲート酸化膜
耐圧特性は、ＣＺシリコン中に存在するボイド欠陥が原
因となって劣化することが知られており、ゲート酸化膜
耐圧特性の劣化を防止するためには、ＣＺシリコン製造
においてボイド欠陥を低減させる必要がある。
耐圧特性は、ＣＺシリコン中に存在するボイド欠陥が原
因となって劣化することが知られており、ゲート酸化膜
耐圧特性の劣化を防止するためには、ＣＺシリコン製造
においてボイド欠陥を低減させる必要がある。
【０００３】一方、ＣＺ法により得られるシリコンイン
ゴット及びそこから切り出されるシリコンウェハは、成
長時導入欠陥（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）の分布によっ
て、（Ｉ）ボイド欠陥存在領域、（II）ＯＳＦリング発
生領域、（III）完全結晶（無欠陥）の領域、及び（I
V）転位クラスタ存在領域の４つの領域に分けることが
できる。
ゴット及びそこから切り出されるシリコンウェハは、成
長時導入欠陥（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）の分布によっ
て、（Ｉ）ボイド欠陥存在領域、（II）ＯＳＦリング発
生領域、（III）完全結晶（無欠陥）の領域、及び（I
V）転位クラスタ存在領域の４つの領域に分けることが
できる。
【０００４】ここで、上記の「（II）ＯＳＦリング発生
領域」はデバイス用ウェーハとしては不適で、「（IV）
転位クラスタ存在領域」についても、転位クラスタがＰ
Ｎ接合リーク特性などに悪影響を及ぼすこととなるの
で、デバイス用ウェーハには適さないとされている。
領域」はデバイス用ウェーハとしては不適で、「（IV）
転位クラスタ存在領域」についても、転位クラスタがＰ
Ｎ接合リーク特性などに悪影響を及ぼすこととなるの
で、デバイス用ウェーハには適さないとされている。
【０００５】このようなことから、これまでは「（Ｉ）
ボイド欠陥存在領域」の結晶が主に使用されているが、
最近は「（III）完全結晶（無欠陥）の領域」が全面を
占める結晶の作製が注目されている（日本結晶成長学会
誌Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．５（１９９８）ｐ２０７）。
ボイド欠陥存在領域」の結晶が主に使用されているが、
最近は「（III）完全結晶（無欠陥）の領域」が全面を
占める結晶の作製が注目されている（日本結晶成長学会
誌Ｖｏｌ．２５Ｎｏ．５（１９９８）ｐ２０７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、「（III）完
全結晶（無欠陥）の領域」のみからなる結晶を効率よく
育成することができれば、ボイド欠陥の存在によるゲー
ト酸化膜耐圧特性の劣化の問題は解消する。しかしなが
ら、完全結晶の作製にはかなりの精密な引上制御が必要
になるので、従来に比べて生産効率の低下を招くという
問題がある。
全結晶（無欠陥）の領域」のみからなる結晶を効率よく
育成することができれば、ボイド欠陥の存在によるゲー
ト酸化膜耐圧特性の劣化の問題は解消する。しかしなが
ら、完全結晶の作製にはかなりの精密な引上制御が必要
になるので、従来に比べて生産効率の低下を招くという
問題がある。
【０００７】本発明は以上のような課題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、効率的な製造に適したデバ
イス用ウェーハ製造する方法を提供することにある。
たものであり、その目的は、効率的な製造に適したデバ
イス用ウェーハ製造する方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するために、本発明者らは、完全結晶よりも引上制御が
容易な上記Ｉ、II、およびIIIの領域が混在した結晶の
有効性を追求し、かかる混在型の結晶において酸化膜耐
圧の良品率が良好で、転位クラスタの発生していないも
のが作製できる条件を求め、本発明を完成するに至っ
た。
するために、本発明者らは、完全結晶よりも引上制御が
容易な上記Ｉ、II、およびIIIの領域が混在した結晶の
有効性を追求し、かかる混在型の結晶において酸化膜耐
圧の良品率が良好で、転位クラスタの発生していないも
のが作製できる条件を求め、本発明を完成するに至っ
た。
【０００９】これまでには、引上げ条件と上記Ｉ領域、
III領域の存在割合および酸化膜耐圧良品率との関係は
明確に示されておらず（面内の欠陥領域分布でIII領域
が拡がれば耐圧特性の良好な部分が拡がることになる
が、それにつれて狭くなるＩ領域内での耐圧不良率が増
える傾向が見られるので、ウエーハ全面での良品率を考
えると、単純にIII領域を増やせば高酸化膜耐圧の強化
になるとは限らない)、高酸化膜耐圧性が良好な結晶を
作製するための引上条件を決めることが困難であった
が、完全結晶よりも引上制御が容易な上記Ｉ、II、およ
びIIIの領域が混在した結晶をあえて作製することも有
効な解決方法のーつと考え、綿密な条件検討の結果、本
発明を完成するに至ったのである。
III領域の存在割合および酸化膜耐圧良品率との関係は
明確に示されておらず（面内の欠陥領域分布でIII領域
が拡がれば耐圧特性の良好な部分が拡がることになる
が、それにつれて狭くなるＩ領域内での耐圧不良率が増
える傾向が見られるので、ウエーハ全面での良品率を考
えると、単純にIII領域を増やせば高酸化膜耐圧の強化
になるとは限らない)、高酸化膜耐圧性が良好な結晶を
作製するための引上条件を決めることが困難であった
が、完全結晶よりも引上制御が容易な上記Ｉ、II、およ
びIIIの領域が混在した結晶をあえて作製することも有
効な解決方法のーつと考え、綿密な条件検討の結果、本
発明を完成するに至ったのである。
【００１０】この過程において、本発明者らは、ＣＺ法
により作製されるシリコンインゴットから切り出された
シリコンウェハにおいては、ＯＳＦリングの内径を拡大
することにより、その内側に存在するボイド欠陥領域に
おけるボイド欠陥の密度が低下し、非アニール用のシリ
コンウェーハ（アニール処理（例えば、特開昭６１−１
９３４５６号公報）を施さないシリコンウェーハ）に適
すようになることを見出して、本発明を完成した。
により作製されるシリコンインゴットから切り出された
シリコンウェハにおいては、ＯＳＦリングの内径を拡大
することにより、その内側に存在するボイド欠陥領域に
おけるボイド欠陥の密度が低下し、非アニール用のシリ
コンウェーハ（アニール処理（例えば、特開昭６１−１
９３４５６号公報）を施さないシリコンウェーハ）に適
すようになることを見出して、本発明を完成した。
【００１１】具体的には、本発明は以下のようなものを
提供する。
提供する。
【００１２】（１） ＣＺ法により、下記の及びを
満たす条件で引き上げられたシリコンインゴット。 「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」 「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06×(Ｇ１cente
r×Ｇ２center)−０．２」
満たす条件で引き上げられたシリコンインゴット。 「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」 「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06×(Ｇ１cente
r×Ｇ２center)−０．２」
【００１３】（２） 上記（１）記載のシリコンインゴ
ットから切り出され、ＯＳＦリングの内径がウェハの内
径の１／２以上であることを特徴とするシリコンウェ
ハ。
ットから切り出され、ＯＳＦリングの内径がウェハの内
径の１／２以上であることを特徴とするシリコンウェ
ハ。
【００１４】（３） ＣＺ法により、下記の及びを
満たす条件で引き上げることを特徴とするシリコンイン
ゴットの製造方法。 「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」 「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06×(Ｇ１cente
r×Ｇ２center)−０．２」
満たす条件で引き上げることを特徴とするシリコンイン
ゴットの製造方法。 「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」 「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06×(Ｇ１cente
r×Ｇ２center)−０．２」
【００１５】（４） ＣＺ法により作製されるシリコン
インゴットから切り出されるシリコンウェハであって、
ＯＳＦリングの内径がウェハの内径の１／２以上である
ことを特徴とする非アニール用シリコンウェハ。
インゴットから切り出されるシリコンウェハであって、
ＯＳＦリングの内径がウェハの内径の１／２以上である
ことを特徴とする非アニール用シリコンウェハ。
【００１６】（５） シリコンインゴットが「１．１５
≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」となる条件で
引き上げられて製造されたことを特徴とする上記（４）
記載の非アニール用シリコンウェハ。
≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」となる条件で
引き上げられて製造されたことを特徴とする上記（４）
記載の非アニール用シリコンウェハ。
【００１７】（６） ＣＺ法により作製されるシリコン
インゴットから切り出されるシリコンウェハにおいて、
ＯＳＦリングの内径を拡大することにより、その内側に
存在するボイド欠陥領域におけるボイド欠陥の密度を低
下させる方法。
インゴットから切り出されるシリコンウェハにおいて、
ＯＳＦリングの内径を拡大することにより、その内側に
存在するボイド欠陥領域におけるボイド欠陥の密度を低
下させる方法。
【００１８】（７） ＣＺ法により作製されるシリコン
インゴットから切り出されるシリコンウェハであって、
ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率と、Ｇ１×Ｇ
２、及びＧ１edge／Ｇ１centerを制御することにより、
ＯＳＦリング内側の領域の酸化膜耐圧を向上させる方
法。
インゴットから切り出されるシリコンウェハであって、
ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率と、Ｇ１×Ｇ
２、及びＧ１edge／Ｇ１centerを制御することにより、
ＯＳＦリング内側の領域の酸化膜耐圧を向上させる方
法。
【００１９】［用語の定義等］「Ｇ１」というのは、成
長時導入欠陥のパターンが決まる温度領域（固液界面温
度〜１３５０℃付近の温度領域）の軸方向温度勾配（℃
/ｍｍ）を意味し、「Ｇ２」というのは、ボイド欠陥形
成温度領域（１１２０℃近傍の温度領域）の軸方向温度
勾配（℃/ｍｍ）を意味する。
長時導入欠陥のパターンが決まる温度領域（固液界面温
度〜１３５０℃付近の温度領域）の軸方向温度勾配（℃
/ｍｍ）を意味し、「Ｇ２」というのは、ボイド欠陥形
成温度領域（１１２０℃近傍の温度領域）の軸方向温度
勾配（℃/ｍｍ）を意味する。
【００２０】「Ｇ１center」というのは、固液界面温度
〜１３５０℃付近の結晶中心での軸方向温度勾配（℃/
ｍｍ）を意味し、「Ｇ１edge」というのは、固液界面温
度〜１３５０℃付近の結晶外周の軸方向温度勾配（℃/
ｍｍ）を意味する。「Ｇ２center」というのは、１１２
０℃近傍における結晶中心での軸方向温度勾配（℃／ｍ
ｍ）を意味する。
〜１３５０℃付近の結晶中心での軸方向温度勾配（℃/
ｍｍ）を意味し、「Ｇ１edge」というのは、固液界面温
度〜１３５０℃付近の結晶外周の軸方向温度勾配（℃/
ｍｍ）を意味する。「Ｇ２center」というのは、１１２
０℃近傍における結晶中心での軸方向温度勾配（℃／ｍ
ｍ）を意味する。
【００２１】「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦
１．２５」及び「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06
×(Ｇ１center×Ｇ２center)−０．２」という条件につ
き、ここに出現する１．１５、１．２５、０．５、１．
０６、及び−０．２という値は、後述するように、実験
から得られたプロットに基づいて算出あるいは決定され
たものであり、現段階で発明者が把握できている最適値
というだけのものに過ぎない。従って、上記範囲からわ
ずかに外れているが本発明と同じ作用・効果を有すると
いうようなものは、技術的にみれば等価であるので、本
発明の技術的範囲に含まれると解するのが妥当である。
１．２５」及び「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06
×(Ｇ１center×Ｇ２center)−０．２」という条件につ
き、ここに出現する１．１５、１．２５、０．５、１．
０６、及び−０．２という値は、後述するように、実験
から得られたプロットに基づいて算出あるいは決定され
たものであり、現段階で発明者が把握できている最適値
というだけのものに過ぎない。従って、上記範囲からわ
ずかに外れているが本発明と同じ作用・効果を有すると
いうようなものは、技術的にみれば等価であるので、本
発明の技術的範囲に含まれると解するのが妥当である。
【００２２】
【実施例】温度環境が異なるさまざまなホットゾーン条
件において、引上速度を変化させ、上記Ｉ〜IV領域の存
在割合が変化しているような結晶を作製し、各結晶数ヵ
所から切り出したウェーハを用いて、酸化膜耐圧測定、
ＯＳＦリング内径(径内はＩ領域)の計測、及び転位クラ
スタ存在有無の確認を行うことにより、酸化膜耐圧の良
品率が良好で、転位クラスタの発生していない結晶を作
製することができる条件を求めた。酸化膜耐圧測定は酸
化膜厚２５ｎｍ、電極面積１０ｍｍ２の条件で行い、Ｏ
ＳＦ内径は、ウェーハ熱処理後のＸ線トポグラフ撮影か
ら求め、転位クラスタ存在の有無はセコエッチング後の
光学顕微鏡観察により判定した。
件において、引上速度を変化させ、上記Ｉ〜IV領域の存
在割合が変化しているような結晶を作製し、各結晶数ヵ
所から切り出したウェーハを用いて、酸化膜耐圧測定、
ＯＳＦリング内径(径内はＩ領域)の計測、及び転位クラ
スタ存在有無の確認を行うことにより、酸化膜耐圧の良
品率が良好で、転位クラスタの発生していない結晶を作
製することができる条件を求めた。酸化膜耐圧測定は酸
化膜厚２５ｎｍ、電極面積１０ｍｍ２の条件で行い、Ｏ
ＳＦ内径は、ウェーハ熱処理後のＸ線トポグラフ撮影か
ら求め、転位クラスタ存在の有無はセコエッチング後の
光学顕微鏡観察により判定した。
【００２３】結果を別紙表１〜表６に示す。表は、各ウ
エーハ切り出し位置での引上条件;引上速度Ｖ,結 晶中
心軸方向温度勾配Ｇ１、Ｇ２、Ｇ１edge／Ｇ１center、
Ｇ１×Ｇ２、ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率、
酸化膜耐圧測定結果、および転位クラスタ存在の有無
を、Ｇ１edge／Ｇ１center条件ごとに分けて列挙したも
のである。これらの表において、酸化膜耐圧がＣモード
率で６０％以上であれば、通常使われている結晶より良
好といえる。
エーハ切り出し位置での引上条件;引上速度Ｖ,結 晶中
心軸方向温度勾配Ｇ１、Ｇ２、Ｇ１edge／Ｇ１center、
Ｇ１×Ｇ２、ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率、
酸化膜耐圧測定結果、および転位クラスタ存在の有無
を、Ｇ１edge／Ｇ１center条件ごとに分けて列挙したも
のである。これらの表において、酸化膜耐圧がＣモード
率で６０％以上であれば、通常使われている結晶より良
好といえる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】
【００２９】
【表６】
【００３０】図１（Ａ）〜図１（Ｆ）は、表１〜表６の
それぞれについて、ＯＳＦリング内径の結晶径に対する
比率とＧ１×Ｇ２条件による酸化膜耐圧結果と転位クラ
スタの存在の有無を示したものである。酸化膜耐圧がＣ
モード率６０％以上で転位の存在しない結晶を得るため
には、ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率と、Ｇ１
×Ｇ２、及びＧ１edge／Ｇ１centerを制御すればよいと
いうことがわかり、その条件範囲は、 「１．１５≦
（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」かつ「０．５＜
（ＯＳＦリング内径／結晶径）＜１．０６×（Ｇ１×Ｇ
２）−０．２」（なお、Ｇ１，Ｇ２の単位は「℃／ｍ
ｍ」）であろうことが明らかになった。
それぞれについて、ＯＳＦリング内径の結晶径に対する
比率とＧ１×Ｇ２条件による酸化膜耐圧結果と転位クラ
スタの存在の有無を示したものである。酸化膜耐圧がＣ
モード率６０％以上で転位の存在しない結晶を得るため
には、ＯＳＦリング内径の結晶径に対する比率と、Ｇ１
×Ｇ２、及びＧ１edge／Ｇ１centerを制御すればよいと
いうことがわかり、その条件範囲は、 「１．１５≦
（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」かつ「０．５＜
（ＯＳＦリング内径／結晶径）＜１．０６×（Ｇ１×Ｇ
２）−０．２」（なお、Ｇ１，Ｇ２の単位は「℃／ｍ
ｍ」）であろうことが明らかになった。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
（Ｉ）ボイド欠陥存在領域、（II）ＯＳＦリング発生領
域、及び（III）完全結晶（無欠陥）の領域の混在型の
結晶において、酸化膜耐圧の良品率が良好で、転位クラ
スタの発生していないものが作製でき、効率的な製造に
適したデバイス用ウェーハ製造する方法を提供すること
ができる。
（Ｉ）ボイド欠陥存在領域、（II）ＯＳＦリング発生領
域、及び（III）完全結晶（無欠陥）の領域の混在型の
結晶において、酸化膜耐圧の良品率が良好で、転位クラ
スタの発生していないものが作製でき、効率的な製造に
適したデバイス用ウェーハ製造する方法を提供すること
ができる。
【図１】 表１〜表６について、ＯＳＦリング内径の結
晶径に対する比率とＧ１×Ｇ２条件による酸化膜耐圧結
果と転位クラスタの存在の有無を示した図である。特
に、それぞれ、図１（Ａ）は表１、図１（Ｂ）は表２、
図１（Ｃ）は表３、図１（Ｄ）は表４、図１（Ｅ）は表
５、図１（Ｆ）は表６についてのものである。図１にお
いて、○は、ＧＯＩでＣモード率６０％以上、かつ転位
クラスタのないものを、また、＋は、ＧＯＩでＣモード
率６０％以上で、転位クラスタがあるものを、さらに、
×は、ＧＯＩでＣモード率６０％以下のものを示す。ま
た、図上の数字はＧ１ｅｄｇｅ／Ｇ１ｃｅｎｔｅｒを示
す。の存在しないシリコン単結晶を得る。
晶径に対する比率とＧ１×Ｇ２条件による酸化膜耐圧結
果と転位クラスタの存在の有無を示した図である。特
に、それぞれ、図１（Ａ）は表１、図１（Ｂ）は表２、
図１（Ｃ）は表３、図１（Ｄ）は表４、図１（Ｅ）は表
５、図１（Ｆ）は表６についてのものである。図１にお
いて、○は、ＧＯＩでＣモード率６０％以上、かつ転位
クラスタのないものを、また、＋は、ＧＯＩでＣモード
率６０％以上で、転位クラスタがあるものを、さらに、
×は、ＧＯＩでＣモード率６０％以下のものを示す。ま
た、図上の数字はＧ１ｅｄｇｅ／Ｇ１ｃｅｎｔｅｒを示
す。の存在しないシリコン単結晶を得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 最勝寺 俊昭 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内 (72)発明者 中村 浩三 神奈川県平塚市四之宮2612番地 コマツ電 子金属株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 AB01 BA04 CF10 FE18
Claims (7)
- 【請求項１】 ＣＺ法により、下記の及びを満たす
条件で引き上げられたシリコンインゴット。 「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」 「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06×(Ｇ１cente
r×Ｇ２center)−０．２」 - 【請求項２】 請求項１記載のシリコンインゴットから
切り出され、ＯＳＦリングの内径がウェハの内径の１／
２以上であることを特徴とするシリコンウェハ。 - 【請求項３】 ＣＺ法により、下記の及びを満たす
条件で引き上げることを特徴とするシリコンインゴット
の製造方法。 「１．１５≦（Ｇ１edge／Ｇ１center）≦１．２５」 「0.5＜(OSFリング内径／結晶径)＜1.06×(Ｇ１cente
r×Ｇ２center)−０．２」 - 【請求項４】 ＣＺ法により作製されるシリコンインゴ
ットから切り出されるシリコンウェハであって、ＯＳＦ
リングの内径がウェハの内径の１／２以上であることを
特徴とする非アニール用シリコンウェハ。 - 【請求項５】 シリコンインゴットが「１．１５≦（Ｇ
１edge／Ｇ１center）≦１．２５」となる条件で引き上
げられて製造されたことを特徴とする請求項４記載の非
アニール用シリコンウェハ。 - 【請求項６】 ＣＺ法により作製されるシリコンインゴ
ットから切り出されるシリコンウェハにおいて、ＯＳＦ
リングの内径を拡大することにより、その内側に存在す
るボイド欠陥領域におけるボイド欠陥の密度を低下させ
る方法。 - 【請求項７】 ＣＺ法により作製されるシリコンインゴ
ットから切り出されるシリコンウェハであって、ＯＳＦ
リング内径の結晶径に対する比率と、Ｇ１×Ｇ２、及び
Ｇ１edge／Ｇ１centerを制御することにより、ＯＳＦリ
ング内側の領域の酸化膜耐圧を向上させる方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078498A JP2000264796A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | シリコン単結晶ウェハの製造方法 |
| TW088120127A TW593798B (en) | 1998-11-20 | 1999-11-18 | Production of silicon single crystal wafer |
| EP99972701A EP1143046A4 (en) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | SILICON CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON CRYSTAL WAFERS |
| PCT/JP1999/006478 WO2000031326A1 (fr) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | Silicium monocristallin et production d'une tranche de silicium monocristallin |
| KR1020017006404A KR20010101046A (ko) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | 실리콘 단결정 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078498A JP2000264796A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | シリコン単結晶ウェハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000264796A true JP2000264796A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13663642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078498A Pending JP2000264796A (ja) | 1998-11-20 | 1999-03-23 | シリコン単結晶ウェハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000264796A (ja) |
-
1999
- 1999-03-23 JP JP11078498A patent/JP2000264796A/ja active Pending
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