JP2000263223A - ガス噴射式はんだ付け方法 - Google Patents
ガス噴射式はんだ付け方法Info
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- JP2000263223A JP2000263223A JP11073790A JP7379099A JP2000263223A JP 2000263223 A JP2000263223 A JP 2000263223A JP 11073790 A JP11073790 A JP 11073790A JP 7379099 A JP7379099 A JP 7379099A JP 2000263223 A JP2000263223 A JP 2000263223A
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- hydrogen
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素を使用して安全にはんだ付けを行うこと
ができるガス噴射式のはんだ付け方法を得る。 【解決手段】 鏝先１１ａの回りに内外二重に開口する
ガス噴射口１８ａ，１９ａのうち、内側のガス噴射口１
８ａから水素ガスを噴射しかつ外側のガス噴射口１９ａ
から窒素ガスを噴射することにより、鏝先１１ａ及びは
んだ付けポイントＰの回りに水素ガス雰囲気３０を形成
すると共に、該水素ガス雰囲気３０を窒素ガスによる遮
断層３１で取り囲むことにより外気から遮断しながらは
んだ付けを行う。
ができるガス噴射式のはんだ付け方法を得る。 【解決手段】 鏝先１１ａの回りに内外二重に開口する
ガス噴射口１８ａ，１９ａのうち、内側のガス噴射口１
８ａから水素ガスを噴射しかつ外側のガス噴射口１９ａ
から窒素ガスを噴射することにより、鏝先１１ａ及びは
んだ付けポイントＰの回りに水素ガス雰囲気３０を形成
すると共に、該水素ガス雰囲気３０を窒素ガスによる遮
断層３１で取り囲むことにより外気から遮断しながらは
んだ付けを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩなど
の電子部品やその他のワークをはんだ付けするための方
法に関するものであり、更に詳しくは、はんだ付けポイ
ントにガスを噴射してはんだ付けする方法に関するもの
である。
の電子部品やその他のワークをはんだ付けするための方
法に関するものであり、更に詳しくは、はんだ付けポイ
ントにガスを噴射してはんだ付けする方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】電子部品等のはんだ付けを行う方法とし
て、従来より、はんだ付けポイントに窒素ガスのような
高濃度（９９％以上）のガスを噴射しながらはんだ付け
する方法が知られている。この方法によれば、上記窒素
ガスによりはんだの酸化が防止されると同時に、鏝先や
はんだ付けポイントのはんだに対する濡れ性が向上する
ため、品質の良いはんだ付けを行うことができる。
て、従来より、はんだ付けポイントに窒素ガスのような
高濃度（９９％以上）のガスを噴射しながらはんだ付け
する方法が知られている。この方法によれば、上記窒素
ガスによりはんだの酸化が防止されると同時に、鏝先や
はんだ付けポイントのはんだに対する濡れ性が向上する
ため、品質の良いはんだ付けを行うことができる。
【０００３】一方、上記窒素ガスの代わりに水素ガスを
使用することができれば、該水素ガスが強力な還元作用
を有しているため、その還元作用によって鏝先やはんだ
付けポイントに形成された酸化物を還元しながらはんだ
付けを行うことができ、より高品質のはんだ付けを行う
ことが可能となる。
使用することができれば、該水素ガスが強力な還元作用
を有しているため、その還元作用によって鏝先やはんだ
付けポイントに形成された酸化物を還元しながらはんだ
付けを行うことができ、より高品質のはんだ付けを行う
ことが可能となる。
【０００４】ところが、水素は酸素と爆発的に反応する
ため危険性を伴い、その取り扱いが難しいため、これま
ではんだ付けに使用されることはなかった。
ため危険性を伴い、その取り扱いが難しいため、これま
ではんだ付けに使用されることはなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の技術的課題
は、水素を使用して安全にはんだ付けを行うことができ
るガス噴射式のはんだ付け方法を提供することにある。
は、水素を使用して安全にはんだ付けを行うことができ
るガス噴射式のはんだ付け方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の方法は、鏝先の回りに内外二重に開
口するガス噴射口のうち、内側のガス噴射口から水素ガ
スを噴射しかつ外側のガス噴射口から窒素ガスを噴射す
ることにより、鏝先及びはんだ付けポイントの回りに水
素ガス雰囲気を形成すると共に、該水素ガス雰囲気を窒
素ガスで外気から遮断しながらはんだ付けすることを特
徴とするものである。
め、本発明の第１の方法は、鏝先の回りに内外二重に開
口するガス噴射口のうち、内側のガス噴射口から水素ガ
スを噴射しかつ外側のガス噴射口から窒素ガスを噴射す
ることにより、鏝先及びはんだ付けポイントの回りに水
素ガス雰囲気を形成すると共に、該水素ガス雰囲気を窒
素ガスで外気から遮断しながらはんだ付けすることを特
徴とするものである。
【０００７】また、本発明の第２の方法は、ノズル管の
先端に内外二重に開口するガス噴射口のうち、内側のガ
ス噴射口から水素ガスを噴射しかつ外側のガス噴射口か
ら窒素ガスを噴射することにより、はんだ付けポイント
の回りに水素ガス雰囲気を形成すると共に、該水素ガス
雰囲気を窒素ガスで外気から遮断しながら、高温の水素
ガス及び／又は窒素ガスの熱ではんだを溶融させてはん
だ付けすることを特徴とするものである。
先端に内外二重に開口するガス噴射口のうち、内側のガ
ス噴射口から水素ガスを噴射しかつ外側のガス噴射口か
ら窒素ガスを噴射することにより、はんだ付けポイント
の回りに水素ガス雰囲気を形成すると共に、該水素ガス
雰囲気を窒素ガスで外気から遮断しながら、高温の水素
ガス及び／又は窒素ガスの熱ではんだを溶融させてはん
だ付けすることを特徴とするものである。
【０００８】上記構成を有する本発明のはんだ付け方法
によれば、内外二重の噴射口から水素ガスと窒素ガスと
を同時に噴射することにより、はんだ付けポイントを水
素ガス雰囲気中に包み込むと共に該水素ガス雰囲気の回
りを窒素ガスで遮蔽しながらはんだ付けするようにした
ので、水素が外気と接触することによって酸素と爆発的
に反応するのを確実に防止し、安全にはんだ付けを行う
ことができる。この結果、水素ガスの還元作用によって
鏝先やはんだ付けポイント等に形成された酸化物を還元
しながらはんだ付けすることができるため、非常に高品
質のはんだ付けを行うことが可能となる。また、窒素ガ
スによりはんだの酸化が防止されると共に、鏝先やはん
だ付けポイントのはんだに対する濡れ性が向上するた
め、より高品質のはんだ付けが可能なる。
によれば、内外二重の噴射口から水素ガスと窒素ガスと
を同時に噴射することにより、はんだ付けポイントを水
素ガス雰囲気中に包み込むと共に該水素ガス雰囲気の回
りを窒素ガスで遮蔽しながらはんだ付けするようにした
ので、水素が外気と接触することによって酸素と爆発的
に反応するのを確実に防止し、安全にはんだ付けを行う
ことができる。この結果、水素ガスの還元作用によって
鏝先やはんだ付けポイント等に形成された酸化物を還元
しながらはんだ付けすることができるため、非常に高品
質のはんだ付けを行うことが可能となる。また、窒素ガ
スによりはんだの酸化が防止されると共に、鏝先やはん
だ付けポイントのはんだに対する濡れ性が向上するた
め、より高品質のはんだ付けが可能なる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は
本発明に係る第１のはんだ付け方法を実施するためのは
んだ鏝の要部を示すもので、このはんだ鏝１０Ａは、先
端に糸はんだを溶融させてはんだ付けを行うための鏝先
１１ａを備えた銅製の鏝金具１１と、該鏝金具１１を加
熱するための鏝用ヒーター１２とを備えている。
態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は
本発明に係る第１のはんだ付け方法を実施するためのは
んだ鏝の要部を示すもので、このはんだ鏝１０Ａは、先
端に糸はんだを溶融させてはんだ付けを行うための鏝先
１１ａを備えた銅製の鏝金具１１と、該鏝金具１１を加
熱するための鏝用ヒーター１２とを備えている。
【００１０】上記鏝金具１１は、内筒１５と外筒１６と
からなるケーシング１４の上記内筒１５内に、鏝先１１
ａを外部に突出させた状態で交換可能なるように収容さ
れ、該内筒１５の外周には上記鏝用ヒーター１２が装着
され、該鏝用ヒーター１２の回りは保護筒１７で覆われ
ており、これらの鏝金具１１と内筒１５、鏝用ヒーター
１２、及び保護筒１７が上記外筒１６内に収容されてい
る。
からなるケーシング１４の上記内筒１５内に、鏝先１１
ａを外部に突出させた状態で交換可能なるように収容さ
れ、該内筒１５の外周には上記鏝用ヒーター１２が装着
され、該鏝用ヒーター１２の回りは保護筒１７で覆われ
ており、これらの鏝金具１１と内筒１５、鏝用ヒーター
１２、及び保護筒１７が上記外筒１６内に収容されてい
る。
【００１１】上記外筒１６の回りにはガス流路１８，１
９が内外二重に形成され、これらのガス流路１８，１９
が、鏝先１１ａの回りに内外二重に開口する噴射口１８
ａ，１９ａにそれぞれ連通している。そして、内側のガ
ス流路１８は第１導管２１を介して水素ガスの供給源に
接続され、外側のガス流路１９は第２導管２２を介して
窒素ガスの供給源に接続されている。また、これらのガ
ス流路１８，１９内にはそれぞれガス用ヒーター２３，
２４が設けられ、これらのヒーター２３，２４で上記ガ
スを、噴射した際に鏝先１１ａやはんだ付けポイントＰ
の温度を低下させないような温度にまで加熱できるよう
になっている。
９が内外二重に形成され、これらのガス流路１８，１９
が、鏝先１１ａの回りに内外二重に開口する噴射口１８
ａ，１９ａにそれぞれ連通している。そして、内側のガ
ス流路１８は第１導管２１を介して水素ガスの供給源に
接続され、外側のガス流路１９は第２導管２２を介して
窒素ガスの供給源に接続されている。また、これらのガ
ス流路１８，１９内にはそれぞれガス用ヒーター２３，
２４が設けられ、これらのヒーター２３，２４で上記ガ
スを、噴射した際に鏝先１１ａやはんだ付けポイントＰ
の温度を低下させないような温度にまで加熱できるよう
になっている。
【００１２】図中２６，２７，２８はそれぞれ温度セン
サーであって、第１温度センサー２６は鏝先１１ａの温
度を検出し、第２，第３温度センサー２７，２８はそれ
ぞれ各ガス用ヒーター２３，２４の温度を検出するもの
である。
サーであって、第１温度センサー２６は鏝先１１ａの温
度を検出し、第２，第３温度センサー２７，２８はそれ
ぞれ各ガス用ヒーター２３，２４の温度を検出するもの
である。
【００１３】上記はんだ鏝１０Ａは、内側のガス流路１
８に第１導管２１から水素ガスを供給し、外側のガス流
路１９に第２導管２２から窒素ガスを供給して、鏝先１
１ａの回りに開口する内側のガス噴射口１８ａから水素
ガスを噴射すると共に、外側のガス噴射口１９ａから窒
素ガスを噴射することにより、鏝先１１ａ及びはんだ付
けポイントＰの回りに水素ガス雰囲気３０を形成すると
共に、該水素ガス雰囲気３０の回りに窒素ガスによる遮
断層３１を形成して水素ガスが外気と接触するのを防止
しながら、はんだ付けを行うものである。
８に第１導管２１から水素ガスを供給し、外側のガス流
路１９に第２導管２２から窒素ガスを供給して、鏝先１
１ａの回りに開口する内側のガス噴射口１８ａから水素
ガスを噴射すると共に、外側のガス噴射口１９ａから窒
素ガスを噴射することにより、鏝先１１ａ及びはんだ付
けポイントＰの回りに水素ガス雰囲気３０を形成すると
共に、該水素ガス雰囲気３０の回りに窒素ガスによる遮
断層３１を形成して水素ガスが外気と接触するのを防止
しながら、はんだ付けを行うものである。
【００１４】これにより、水素が大気中の酸素と接触す
ることによって爆発的に反応するのを確実に防止し、安
全にはんだ付けを行うことができる。この結果、水素ガ
スの還元作用によって鏝先１１ａやはんだ付けポイント
Ｐ等に形成された酸化物を還元しながらはんだ付けする
ことができるため、非常に高品質のはんだ付けを行うこ
とが可能となる。それと同時に、窒素ガスによりはんだ
の酸化が防止されると共に、鏝先１１ａやはんだ付けポ
イントＰのはんだに対する濡れ性が向上するため、より
高品質のはんだ付けが可能なる。
ることによって爆発的に反応するのを確実に防止し、安
全にはんだ付けを行うことができる。この結果、水素ガ
スの還元作用によって鏝先１１ａやはんだ付けポイント
Ｐ等に形成された酸化物を還元しながらはんだ付けする
ことができるため、非常に高品質のはんだ付けを行うこ
とが可能となる。それと同時に、窒素ガスによりはんだ
の酸化が防止されると共に、鏝先１１ａやはんだ付けポ
イントＰのはんだに対する濡れ性が向上するため、より
高品質のはんだ付けが可能なる。
【００１５】図示の例では、内側のガス流路１８と外側
のガス流路１９の両方にヒーター２３，２４を設けてい
るが、鏝先１１ａやはんだ付けポイントＰに直接接触す
る水素ガスが少なくとも加熱されていれば良いことか
ら、内側のガス流路１８だけにヒーター２３を設けるよ
うにしても良い。あるいは、ガス供給源から必要温度に
加熱されたガスを供給することもでき、この場合には、
ガス流路１８，１９に上述したようなヒーター２３，２
４を設ける必要はない。
のガス流路１９の両方にヒーター２３，２４を設けてい
るが、鏝先１１ａやはんだ付けポイントＰに直接接触す
る水素ガスが少なくとも加熱されていれば良いことか
ら、内側のガス流路１８だけにヒーター２３を設けるよ
うにしても良い。あるいは、ガス供給源から必要温度に
加熱されたガスを供給することもでき、この場合には、
ガス流路１８，１９に上述したようなヒーター２３，２
４を設ける必要はない。
【００１６】図２は本発明に係る第２のはんだ付け方法
を示すもので、このはんだ付けに使用するはんだ鏝１０
Ｂは、ガス流路４１，４２とそれらに通じる噴射口４１
ａ，４２ａとを内外二重に備えた二重構造のノズル管４
０と、上記各ガス流路４１，４２内にそれぞれ設けたガ
ス加熱用のヒーター４３，４４とを備え、内側のガス流
路４１が水素ガスの供給源に接続され、外側のガス流路
４２が窒素ガスの供給源に接続されている。
を示すもので、このはんだ付けに使用するはんだ鏝１０
Ｂは、ガス流路４１，４２とそれらに通じる噴射口４１
ａ，４２ａとを内外二重に備えた二重構造のノズル管４
０と、上記各ガス流路４１，４２内にそれぞれ設けたガ
ス加熱用のヒーター４３，４４とを備え、内側のガス流
路４１が水素ガスの供給源に接続され、外側のガス流路
４２が窒素ガスの供給源に接続されている。
【００１７】そして、内側のガス噴射口４１ａからヒー
ター４３で加熱された高温の水素ガスを噴射し、外側の
ガス噴射口４２ａからヒーター４４で加熱された高温の
窒素ガスを噴射することにより、はんだ付けポイントＰ
を水素ガス雰囲気４６中に包み込むと共に、該水素ガス
雰囲気４６の回りを窒素ガスによる遮断層４７で外気か
ら遮蔽しながら、高温ガスの熱ではんだを溶融させては
んだ付けするものである。
ター４３で加熱された高温の水素ガスを噴射し、外側の
ガス噴射口４２ａからヒーター４４で加熱された高温の
窒素ガスを噴射することにより、はんだ付けポイントＰ
を水素ガス雰囲気４６中に包み込むと共に、該水素ガス
雰囲気４６の回りを窒素ガスによる遮断層４７で外気か
ら遮蔽しながら、高温ガスの熱ではんだを溶融させては
んだ付けするものである。
【００１８】この第２の方法においても、上記第１の方
法と同様に、窒素ガスによる遮断層の形成によって水素
ガスが大気と接触するのを防止しながらはんだ付けする
ようにしているため、水素が酸素と接触して爆発的に反
応するのを確実に防止することができると共に、水素ガ
スの還元作用によって鏝先１１ａやはんだ付けポイント
Ｐ等に形成された酸化物を還元しながらはんだ付けする
ことにより、非常に高品質のはんだ付けを行うことがで
きる。
法と同様に、窒素ガスによる遮断層の形成によって水素
ガスが大気と接触するのを防止しながらはんだ付けする
ようにしているため、水素が酸素と接触して爆発的に反
応するのを確実に防止することができると共に、水素ガ
スの還元作用によって鏝先１１ａやはんだ付けポイント
Ｐ等に形成された酸化物を還元しながらはんだ付けする
ことにより、非常に高品質のはんだ付けを行うことがで
きる。
【００１９】図示の例では、内外両方のガス流路４１，
４２にヒーター４３，４４を設けているが、はんだ付け
ポイントＰに直接接触する水素ガスが少なくとも加熱さ
れていれば良いことから、内側のガス流路４１だけにヒ
ーターを設けても良い。あるいは、ガス供給源から必要
温度に加熱されたガスを供給することもでき、この場合
には、ガス流路４１，４２に上述したようなヒーター４
３，４４を設ける必要はない。
４２にヒーター４３，４４を設けているが、はんだ付け
ポイントＰに直接接触する水素ガスが少なくとも加熱さ
れていれば良いことから、内側のガス流路４１だけにヒ
ーターを設けても良い。あるいは、ガス供給源から必要
温度に加熱されたガスを供給することもでき、この場合
には、ガス流路４１，４２に上述したようなヒーター４
３，４４を設ける必要はない。
【００２０】
【発明の効果】このように本発明によれば、内側の噴射
口から水素ガスを噴射しかつ外側の噴射口から窒素ガス
を噴射することにより、はんだ付けポイントを水素ガス
雰囲気中に包み込むと共に、該水素ガス雰囲気を窒素ガ
スによる遮断層で取り囲むことにより外気から遮断しな
がらはんだ付けするようにしたので、水素が外気と接触
することによって酸素と爆発的に反応するのを確実に防
止し、安全にはんだ付けを行うことができる。しかも、
水素ガスの還元作用によって鏝先やはんだ付けポイント
等に形成された酸化物を還元しながらはんだ付けするこ
とができるため、非常に高品質のはんだ付けを行うこと
が可能となるばかりでなく、窒素ガスによりはんだの酸
化防止と鏝先やはんだ付けポイントの濡れ性の向上とが
図られるため、より高品質のはんだ付けが可能なる。
口から水素ガスを噴射しかつ外側の噴射口から窒素ガス
を噴射することにより、はんだ付けポイントを水素ガス
雰囲気中に包み込むと共に、該水素ガス雰囲気を窒素ガ
スによる遮断層で取り囲むことにより外気から遮断しな
がらはんだ付けするようにしたので、水素が外気と接触
することによって酸素と爆発的に反応するのを確実に防
止し、安全にはんだ付けを行うことができる。しかも、
水素ガスの還元作用によって鏝先やはんだ付けポイント
等に形成された酸化物を還元しながらはんだ付けするこ
とができるため、非常に高品質のはんだ付けを行うこと
が可能となるばかりでなく、窒素ガスによりはんだの酸
化防止と鏝先やはんだ付けポイントの濡れ性の向上とが
図られるため、より高品質のはんだ付けが可能なる。
【図１】本発明に係る第１のはんだ付け方法を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る第２のはんだ付け方法を示す要部
断面図である。
断面図である。
１１ａ 鏝先 １８ａ，１９ａ 噴射口 ３０ 水素ガス雰囲気 ４０ ノズル管 ４１ａ，４２ａ 噴射口 ４６ 水素ガス雰囲気
Claims (2)
- 【請求項１】鏝先の回りに内外二重に開口するガス噴射
口のうち、内側のガス噴射口から水素ガスを噴射しかつ
外側のガス噴射口から窒素ガスを噴射することにより、
鏝先及びはんだ付けポイントの回りに水素ガス雰囲気を
形成すると共に、該水素ガス雰囲気を窒素ガスで取り囲
むことにより外気から遮断しながらはんだ付けすること
を特徴とするガス噴射式はんだ付け方法。 - 【請求項２】ノズル管の先端に内外二重に開口するガス
噴射口のうち、内側のガス噴射口から水素ガスを噴射し
かつ外側のガス噴射口から窒素ガスを噴射することによ
り、はんだ付けポイントの回りに水素ガス雰囲気を形成
すると共に、該水素ガス雰囲気を窒素ガスで取り囲むこ
とにより外気から遮断しながら、高温の水素ガス及び／
又は窒素ガスの熱ではんだを溶融させてはんだ付けする
ことを特徴とするガス噴射式はんだ付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073790A JP2000263223A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | ガス噴射式はんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073790A JP2000263223A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | ガス噴射式はんだ付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000263223A true JP2000263223A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13528351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11073790A Pending JP2000263223A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | ガス噴射式はんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000263223A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030074146A (ko) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | 에섹 트레이딩 에스에이 | 기판 상에 땜납을 분배하기 위한 방법 및 장치 |
| KR100475752B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2005-03-10 | 점보실업 주식회사 | 리드 어셈블리용 용접장치의 질소분사관 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61262470A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスシ−ルド溶接法 |
| JPS62183960A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-12 | R I Denshi Kogyo:Kk | ハンダ付け用還元性雰囲気炉 |
| JPH03222341A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH06315766A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-15 | Kuroda Denki Kk | 酸化防止用はんだ付方法及び装置 |
| WO1998030352A1 (fr) * | 1997-01-07 | 1998-07-16 | Kabushikigaisha Taiseikaken | Fer a souder du type sans contact et pouvant effectuer une soudure discontinue |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11073790A patent/JP2000263223A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61262470A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスシ−ルド溶接法 |
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| WO1998030352A1 (fr) * | 1997-01-07 | 1998-07-16 | Kabushikigaisha Taiseikaken | Fer a souder du type sans contact et pouvant effectuer une soudure discontinue |
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| KR100475752B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2005-03-10 | 점보실업 주식회사 | 리드 어셈블리용 용접장치의 질소분사관 |
| KR20030074146A (ko) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | 에섹 트레이딩 에스에이 | 기판 상에 땜납을 분배하기 위한 방법 및 장치 |
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