JP2000261241A

JP2000261241A - 電波吸収体およびその製法

Info

Publication number: JP2000261241A
Application number: JP11059335A
Authority: JP
Inventors: Akimasa Katayama; 晶雅片山; Tetsuya Takeuchi; 哲也竹内; Tatenori Sasai; 建典笹井
Original assignee: Sumitomo Riko Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Riko Co Ltd
Priority date: 1999-03-05
Filing date: 1999-03-05
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストおよび高品質化を実現できる電波吸収
体を提供する。【解決手段】電波反射膜２２と抵抗膜２３とをスペーサ
２１を介在させて所定距離に保つ抵抗皮膜型の電波吸収
体２０であって、上記スペーサ２１の一面を上記電波反
射膜２２に形成し、他面を上記抵抗膜２３に形成するよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窓ガラスや壁等に
施工し、電波の反射を少なくすることができる電波吸収
体およびその製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の情報伝達技術の飛躍的進歩に伴
い、多様な情報伝達が可能となっている。こうしたなか
で、無線による情報伝達が、利便性の観点から、非常に
優れ、盛んに研究が進められている。無線による情報伝
達としては、携帯電話等の電話機が広く知られている
が、最近、携帯型コンピューターや移動型コンピュータ
ーを支援するネットワーク装置である無線ＬＡＮ（Loca
l Area Network) が注目を集めている。無線ＬＡＮは、
その通信方式として、スペクトル拡散方式，狭帯域方
式，赤外線方式が知られており、現在、無線ＬＡＮは、
室内において導入が進められている。しかし、室内で
は、窓ガラスや壁等によって電波が反射するため、その
反射波により誤動作が生じやすいという問題がある。ま
た、隣室その他の場所で別の無線ＬＡＮが使用されてい
た場合、侵入してきた電波によって誤動作が生じる可能
性がある。そのため、室内における反射波を低減すると
ともに室外からの電波を遮蔽することのできる建材が必
要となっている。特に、窓ガラス用には、透明性も必要
とされるため、透明性を兼ね備えた建材が必要となって
いる。

【０００３】このような建材として、例えば、図９に示
す抵抗皮膜型の電波吸収体１が提案されている。この電
波吸収体１は、全体として透明性を有するものであっ
て、ポリカーボネート（ＰＣ）製のスペーサ２と、第１
の積層体３と、第２の積層体４と、アクリル系透明粘着
剤からなる粘着剤層５，６とから構成される。第１の積
層体３は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の
第１の透明フィルム７の表面に、酸化インジウムすず
（ＩＴＯ）からなる、膜厚数十ｎｍの抵抗膜８を形成し
たものである。また、第２の積層体４は、ＰＥＴ製の第
２の透明フィルム９の表面に、ＩＴＯからなる、膜厚数
百ｎｍの電波反射膜１０を形成したものである。そし
て、上記第１，第２の積層体３，４は、粘着剤層５，６
を介して、スペーサ２の左右両面に接着されており、そ
の接着態様は、第１の積層体３の抵抗膜８と第２の積層
体４の電波反射膜１０とが互いに対向するようになって
いる。なお、図において、矢印Ａは、電波の侵入方向を
示している。

【０００４】上記電波吸収体１は、ＩＴＯの、膜厚の変
化によって表面抵抗率が変化する性質、すなわち膜厚を
大きくすると表面抵抗率が小さくなって電波反射能を発
揮し、逆に膜厚を小さくすると表面抵抗率が大きくなっ
て電波吸収能を発揮する性質を利用したものであり、両
膜８，１０の距離を吸収波長（λ）の１／４にすること
により、全体として電波を吸収し、反射波を少なくする
ことができるようになっている。そのため、この電波吸
収体１の表面（例えば、第２の透明フィルム９の表面）
に粘着剤層を設け、この粘着剤層を介して窓ガラス等に
施工するようにすれば、無線ＬＡＮ電波の反射を少なく
することができるとともに、室外からの電波を遮蔽で
き、無線ＬＡＮ等による情報伝達を支障なく行うことが
できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記電
波吸収体１は、抵抗膜８付き第１の透明フィルム７、電
波反射膜１０付き第２の透明フィルム９、スペーサ２を
個別に準備した後、それらを工場あるいは現場にて貼り
合わす工程が必要なため、コストが増加するという問題
がある。また、製品面から見ても、貼り合わせ時に空気
が混入したりしわ等が発生したりして品質の低下を招来
する可能性がある。したがって、低コストで高品質な製
品を提供できる技術の開発が強く望まれている。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、低コストおよび高品質化を実現できる電波吸収
体およびその製法の提供をその目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、電波反射膜と抵抗膜とをスペーサを介在
させて所定距離に保つ抵抗皮膜型の電波吸収体であっ
て、上記スペーサの一面が上記電波反射膜に形成され、
他面が上記抵抗膜に形成されている電波吸収体を第１の
要旨とする。

【０００８】また、本発明は、抵抗膜形成面を除く面を
マスクしたスペーサを準備し、そのマスク済みスペーサ
を、ＩＴＯ微粒子が溶剤中に分散された分散インク中
に、繰り返し浸漬および引き上げを行うことにより上記
マスク済みスペーサの表面に分散インクからなる液膜を
形成し、ついで乾燥工程、マスク除去工程、焼成工程を
経由させることによりＩＴＯ微粒子から構成される抵抗
膜を形成し、その抵抗膜形成面のスペーサ裏面に導電体
からなる電波反射膜を形成する電波吸収体の製法を第２
の要旨とする。

【０００９】さらに、本発明は、導電体からなる電波反
射膜形成済みスペーサを準備し、その電波反射膜形成面
のスペーサ裏面を除く面をマスクし、そのマスク済みス
ペーサを、ＩＴＯ微粒子が溶剤中に分散された分散イン
ク中に、繰り返し浸漬および引き上げを行うことにより
上記マスク済みスペーサの表面に分散インクからなる液
膜を形成し、ついで乾燥工程、マスク除去工程、焼成工
程を経由させることによりＩＴＯ微粒子から構成される
抵抗膜を形成する電波吸収体の製法を第３の要旨とす
る。

【００１０】そして、本発明は、対面する一対のスペー
サの外縁部をシーリング材で把持して両スペーサ間を密
封し、その状態のまま、ＩＴＯ微粒子が溶剤中に分散さ
れた分散インク中に、繰り返し浸漬および引き上げを行
うことにより上記シーリング材で把持されたスペーサの
外表面に分散インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥
工程、シーリング材除去工程、焼成工程を経由させるこ
とにより、それぞれのスペーサの上記外表面に上記ＩＴ
Ｏ微粒子から構成される抵抗膜を形成し、その抵抗膜形
成面のスペーサ裏面に導電体からなる電波反射膜をそれ
ぞれ形成する電波吸収体の製法を第４の要旨とする。

【００１１】また、本発明は、所定間隔で対面する一対
のスペーサの外縁部をシーリング材で把持し、貫通孔を
介して両スペーサ間を外部と流通可能にし、その貫通孔
から、ＩＴＯ微粒子が溶剤中に分散された分散インクを
導入して、対面する一対のスペーサの相対向する面に分
散インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥工程、シー
リング材除去工程、焼成工程を経由させることにより、
それぞれのスペーサの上記相対向する面に上記ＩＴＯ微
粒子から構成される抵抗膜を形成し、スペーサの上記抵
抗膜形成面と反対側の面に導電体からなる電波反射膜を
それぞれ形成する電波吸収体の製法を第５の要旨とす
る。

【００１２】本発明者らは、低コストで高品質な電波吸
収体を提供すべく、鋭意研究を重ねた。その結果、電波
反射膜と抵抗膜とその間に介在するスペーサとを備えた
抵抗皮膜型の電波吸収体において、上記スペーサの一面
を電波反射膜に形成し、他面を抵抗膜に形成すれば所期
の目的を達成できることを見いだし、本発明に到達し
た。

【００１３】そして、本発明者らは、このような電波吸
収体を得る方法としては、つぎの４つの方法が特に好ま
しいことを見いだした。すなわち、第１の方法として、
まず抵抗膜形成面を除く面をマスクしたスペーサを、Ｉ
ＴＯ微粒子が溶剤中に分散された分散インク中に繰り返
し浸漬および引き上げを行ってその分散インクからなる
液膜を形成し、ついで乾燥工程、マスク除去工程、焼成
工程を経由させることにより抵抗膜を形成し、その後、
その抵抗膜形成面のスペーサ裏面に導電体からなる電波
反射膜を形成することが好ましいことを見いだした。ま
た、第２の方法として、予め導電体からなる電波反射膜
を形成しておいたスペーサを用い、上記第１の方法と同
様にして、抵抗膜を形成することが好ましいことを見い
だした。

【００１４】さらに、第３の方法として、対面する一対
のスペーサ間をシーリング材で密封した後、上記分散イ
ンク中に繰り返し浸漬および引き上げを行ってその分散
インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥工程、シーリ
ング材除去工程、焼成工程を経由させることによりそれ
ぞれのスペーサの表面に抵抗膜を形成し、その後、その
抵抗膜形成面のスペーサ裏面に導電体からなる電波反射
膜をそれぞれ形成することが好ましいことを見いだし
た。また、第４の方法として、所定間隔で対面した一対
のスペーサを貫通孔を介して両スペーサ間を外部と流通
可能にし、その貫通孔から、上記分散インクを導入して
上記一対のスペーサの相対向する面に分散インクからな
る液膜を形成し、ついで乾燥工程、シーリング材除去工
程、焼成工程を経由させることによりそれぞれのスペー
サの上記相対向する面に抵抗膜を形成し、その後、スペ
ーサの抵抗膜形成面と反対側の面に導電体からなる電波
反射膜をそれぞれ形成することが好ましいことを見いだ
した。なお、これら４つの方法のうち第３の方法と第４
の方法が、生産性の点で特に有利である。

【００１５】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて詳しく説明する。

【００１６】本発明の電波吸収体の一例を図１に基づい
て説明する。この電波吸収体２０は、全体として透明性
を有するものであって、スペーサ２１の一面に電波反射
膜２２が直接形成され、他面に抵抗膜２３が直接形成さ
れて構成される。

【００１７】上記スペーサ２１としては、上記電波吸収
体２０が主として透明性が要求される用途に用いられる
ため、通常、透明ガラス板、透明樹脂板、透明樹脂フィ
ルム等の透明性を有するものが用いられる。なかでも、
耐熱性に優れ、各種の膜形成手法を採用できる点で、透
明ガラス板が好ましい。なお、上記透明樹脂板や透明樹
脂フィルムの材質としては、例えばＰＥＴ，ポリイミド
（ＰＩ），ＰＣ，ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭ
Ａ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等があげら
れる。そして、上記スペーサ２１の厚みは、得られる電
波吸収体２０が良好な電波反射抑制能を発揮できるよう
に、その形成材料に応じて適宜に設定される。

【００１８】上記スペーサ２１の一面に直接形成される
電波反射膜２２は、電波反射能を発揮する膜であって、
通常導電体からなる。この導電体としては、金属、導電
セラミック、導電メッシュ等があげられる。そして、こ
の電波反射膜２２は、表面抵抗率（ＪＩＳＫ７１９
４に準じて測定される値）が１０Ω／□以下に設定され
ていることが望ましいため、例えば、ＩＴＯからなる場
合、その膜厚は、１５０ｎｍ以上に設定されていること
が好ましい。

【００１９】一方、上記スペーサ２１の他面に直接形成
される抵抗膜２３は、透明性を有し表面抵抗率が大きい
膜であって、通常ＩＴＯからなる。そして、この抵抗膜
２３は、表面抵抗率（ＪＩＳＫ７１９４に準じて測
定される値）が４００Ω／□程度に設定されていること
が望ましいため、例えば、ＩＴＯからなる場合、その膜
厚は、通常１００ｎｍ以下、好適には１０〜５０ｎｍの
範囲に設定される。

【００２０】上記電波吸収体２０は、上記電波反射膜２
２形成材料（および抵抗膜２３形成材料）を用い、上記
スペーサ２１の一面（他面）に対し、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の蒸着法、
ディップコート法、スプレー法等の塗布法、ゾルゲル
法、熱分解法等の各種の膜形成手法を用いることにより
製造することができる。

【００２１】上記蒸着法のうちスパッタリング法とは、
不活性ガス（アルゴン等）を槽内に導入し、電極間に数
千ボルトの電圧をかけてグロー放電を起こさせ、不活性
ガスイオンを負に印加したターゲットに衝突させ、飛散
したターゲット物質を被蒸着体（スペーサ２１）上で凝
固させて皮膜を形成する方法である。また、真空蒸着法
とは、高真空中（１０^-3〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度）で蒸着
物質を加熱蒸発させ、被蒸着体（スペーサ２１）上で凝
固させて皮膜を形成する方法である。さらに、イオンプ
レーティング法とは、加熱蒸発させた蒸発原子をグロー
放電または高周波プラズマで部分的にイオン化し、負に
印加した被蒸着体（スペーサ２１）表面に蒸着させて皮
膜を形成する方法である。

【００２２】また、上記塗布法のうちディップコート法
とは、被塗布体（スペーサ２１）を塗布したい材料を含
む液体中に繰り返し浸漬および引き上げを行った後、乾
燥させて皮膜を形成する方法である。そして、スプレー
法とは、塗布したい材料を含む液体を被塗布体（スペー
サ２１）にスプレーした後、乾燥させて皮膜を形成する
方法である。

【００２３】さらに、上記ゾルゲル法、熱分解法は、皮
膜形成までの反応の違いにより分類されるものである
が、基本的には加熱時に何らかの反応をさせ機能性薄膜
を形成するものである。これらの方法を採用する場合
は、低表面抵抗率が得られやすいという理由から、加熱
温度を高く設定することが好ましい。

【００２４】そして、上記電波吸収体２０の製造は、抵
抗膜２３の形成につき、上記一連の膜形成手法のなかで
もディップコート法を採用し、下記の４つの方法のいず
れかで行うことが好ましい。なかでも、第３の方法、第
４の方法は、一面に抵抗膜２３が形成されたスペーサ２
１を１度に２枚作製できる方法であるため、生産性の観
点から特に好ましい。

【００２５】〔第１の方法〕まず、図２に示すように、
スペーサ２１の表面のうち、抵抗膜形成面２３′を除く
面をマスク材２４でマスクする。このマスク材２４の材
質は、つぎに用いる分散インクに溶解しないものであれ
ばどのようなものであってもよい。ついで、ＩＴＯ微粒
子が溶剤中に分散された分散インクが装填された槽２５
内に、上記マスク材２４でマスクされたスペーサ２１を
浸漬し、その後引き上げる。そして、この浸漬および引
き上げを所定回数繰り返し行うことにより、マスク材２
４付きスペーサ２１の表面に分散インクからなる液膜２
６を形成する。つぎに、上記液膜２６を乾燥させた後、
マスク材２４を取り外し、焼成を行うことにより、スペ
ーサ２１の一面に抵抗膜２３を形成する。その後、上記
抵抗膜２３形成済みスペーサ２１の裏面に、導電体から
なる電波反射膜２２を形成する。このようにして、図１
に示す電波吸収体２０が得られる。

【００２６】上記第１の方法で用いられる分散インク
は、上述したように、ＩＴＯ微粒子と溶剤とを含有する
ものであるが、それら以外に樹脂バインダーや無機バイ
ンダーが配合されていてもよい。そして、この分散イン
クの粘度は、抵抗膜２３を良好な状態で形成するため、
塗布作業時の温度（２０℃程度）で１０〜５０ｐｏｉｓ
ｅ（ＪＩＳＫ５４００４．５による測定値）の範
囲に設定されていることが好ましい。また、上記分散イ
ンク全体に占めるＩＴＯ微粒子の含有割合は、形成され
る抵抗膜２３の透明性、導電性を考慮して、３０〜７０
体積％の範囲に設定されていることが好ましい。また、
導電性向上のため、分散インク中にすずを含有させるこ
とが好ましい。さらに、分散インク中のＩＴＯ微粒子と
しては、形成される抵抗膜２３の透明性を考慮して、平
均粒径が５０ｎｍ以下、特に１０〜３０ｎｍの範囲のも
のが好ましい。なお、分散インク中の溶剤は、一般のイ
ンクに用いられる各種の有機溶剤または水が用いられ
る。

【００２７】〔第２の方法〕まず、図３に示すように、
スペーサ２１の一面に、導電体からなる電波反射膜２２
を形成する。ついで、上記第１の方法と同様、得られた
電波反射膜２２形成済みスペーサ２１の裏面２３″を除
く面をマスク材２４でマスクする。つぎに、上記と同様
の分散インクが装填された槽２５内に、上記マスク材２
４でマスクされた電波反射膜２２形成済みスペーサ２１
を浸漬し、その後引き上げる。そして、この浸漬および
引き上げを所定回数繰り返し行うことにより、マスク材
２４付き電波反射膜２２形成済みスペーサ２１の表面に
分散インクからなる液膜２６を形成する。そして、上記
液膜２６を、乾燥させた後、マスク材２４を取り外し、
焼成を行うことにより、スペーサ２１の裏面に抵抗膜２
３を形成する。このようにして、図１に示す電波吸収体
２０が得られる。

【００２８】〔第３の方法〕まず、図４（Ａ）および図
４（Ｂ）に示すように、対面する一対のスペーサ２１
ａ，２１ｂの外縁部を、シーリング材２７で把持して密
封する。この密封は、分散インクからなる液膜がスペー
サ２１ａ，２１ｂの相対向する面２８ａ，２８ｂに形成
されないようにするために行う。なお、この際に用いら
れるシーリング材２７の材質については、分散インクに
溶解しないものであればどのような材質であってもよ
い。また、シーリング材２７の形状については、一対の
スペーサ２１ａ，２１ｂを密封できるのであればどのよ
うな形状であってもよく、通常、２以上に分割できるよ
うになっている。

【００２９】つぎに、図５に示すように、上記と同様の
分散インクが装填された槽２５内に、上記シーリング材
２７で把持し密封された一対のスペーサ２１ａ，２１ｂ
を浸漬し、その後引き上げる。そして、この浸漬および
引き上げを所定回数繰り返し行うことにより、シーリン
グ材２７で把持し密封されたスペーサ２１ａ，２１ｂの
外表面に分散インクからなる液膜２６を形成する。つぎ
に、上記液膜２６を乾燥させた後、シーリング材２７を
取り外し、焼成を行うことにより、スペーサ２１ａ，２
１ｂの一面に抵抗膜２３ａ，２３ｂを形成する。その
後、上記抵抗膜２３ａ形成済みスペーサ２１ａ（または
抵抗膜２３ｂ形成済みスペーサ２１ｂ）の裏面に、導電
体からなる電波反射膜２２を形成する。このようにし
て、図１に示す電波吸収体２０が得られる。

【００３０】なお、上記第３の方法において、上記シー
リング材２７を用いての把持は、必ずしも一対のスペー
サ２１ａ，２１ｂを所定距離に保つ（図４および図５参
照）ようにして行う必要はなく、一対のスペーサ２１
ａ，２１ｂの相対向する面２８ａ，２８ｂが互いに接す
るようにして把持を行ってもよい。

【００３１】〔第４の方法〕まず、図６に示すように、
所定間隔で対面する一対のスペーサ２１ａ，２１ｂの外
縁部を、貫通孔２９ａ，２９ｂを有するシーリング材２
７′で把持する。なお、一対のスペーサ２１ａ，２１ｂ
の間隔、ならびにシーリング材２７′が有する貫通孔２
９ａ，２９ｂの数および大きさについては、分散インク
からなる液膜２６が良好な状態で形成できるように適宜
に設定される。つぎに、上記と同様の分散インクを上記
シーリング材２７′の貫通孔２９ａから流入させ、貫通
孔２９ｂから排出する。そして、この流入および排出を
所定回数繰り返し行うことにより、シーリング材２７′
で把持したスペーサ２１ａ，２１ｂの相対向する面２８
ａ，２８ｂに分散インクからなる液膜２６を形成する。
つぎに、上記液膜２６を乾燥させた後、シーリング材２
７′を取り外し、焼成を行うことにより、スペーサ２１
ａ，２１ｂの一面に抵抗膜２３ａ，２３ｂを形成する。
その後、上記抵抗膜２３ａ形成済みスペーサ２１ａ（ま
たは抵抗膜２３ｂ形成済みスペーサ２１ｂ）の他面に、
導電体からなる電波反射膜２２を形成する。このように
して、図１に示す電波吸収体２０が得られる。

【００３２】このようにして得られた電波吸収体２０
は、スペーサ２１の一面に電波反射膜２２が直接形成さ
れ、他面に抵抗膜２３が直接形成されている。このた
め、従来の電波吸収体１（図９参照）のように、抵抗膜
８付き第１の透明フィルム７、電波反射膜１０付き第２
の透明フィルム９、スペーサ２を個別に準備した後、そ
れらを工場あるいは現場にて貼り合わす工程が不要とな
り、低コストな製品が得られる。さらに、上記第１の透
明フィルム７および第２の透明フィルム９が不要になる
ため、材料の面からもコストを低減させることができ
る。そして、スペーサ２１の両面に電波反射膜２２およ
び抵抗膜２３が直接形成されているため、従来のよう
に、空気の混入や貼り合わせによるしわ等の発生の心配
がないという利点がある。

【００３３】なお、上記電波吸収体２０において、電波
反射膜２２および抵抗膜２３は、必ずしも均一厚みの層
状に形成する必要はなく、例えばメッシュ状（網目状）
に形成してもよい。

【００３４】また、上記電波反射膜２２は、図１に示す
ような１層構造に限定されるものではなく、２層以上に
してもよい。例えば、図７に示すように、反射膜３１の
両面に、透明性を向上させることが可能な膜（以下「透
明性向上膜」という）３２ａ，３２ｂを形成して、３層
構造にしてもよい。

【００３５】上記反射膜３１の形成材料としては、銀
（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）と銅（Ｃ
ｕ），銀（Ａｇ）と金（Ａｕ）等の銀系合金等があげら
れる。なかでも、透明性が比較的良好で、低表面抵抗率
を実現できるという理由から、Ａｇが好ましい。

【００３６】上記反射膜３１の両面に形成される透明性
向上膜３２ａ，３２ｂの形成材料としては、酸化チタン
（ＴｉＯ₂），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂），酸化イ
ンジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃），ＩＴＯ，酸化アルミニウム
（Ａｌ₂Ｏ₃），フッ化マグネシム（ＭｇＦ₂），酸化
タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）等があげられる。なかでも、反
射膜３１の表面の光の反射を効果的に抑えることができ
るという理由から、ＴｉＯ₂が好ましい。なお、２つの
透明性向上膜３２ａ，３２ｂは、その形成材料が互いに
同じであってもよいし異なっていてもよい。

【００３７】また、上記スペーサ２１は、図１に示すよ
うな１層構造に限定されるものではなく、複層構造であ
ってもよい。

【００３８】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００３９】

【実施例１】まず、厚み５ｍｍのガラス板（比誘電率
８．２）を準備し、その一面を除く面をマスク材（材
質：シリコーン樹脂）でマスクした（図２参照）。つい
で、そのマスク材付きガラス板を、透明導電性ＩＴＯイ
ンク（住友金属鉱山社製のＤＸ−４１８、高温焼成タイ
プ、２０℃で３０ｐｏｉｓｅ、ＩＴＯ微粒子の平均粒径
２０ｎｍ）中に繰り返し浸漬および引き上げを行ない、
液膜を形成した。つぎに、１２０℃×１５分間の条件で
乾燥を行った後、マスク材を取り外し、さらに４５０℃
×２０分間の条件で焼成を行い、表面抵抗率が４００Ω
／□であるＩＴＯ膜（抵抗膜、膜厚０．３μｍ）を形成
した。その後、ガラス板の裏面に、ＤＣマグネトロンス
パッタ蒸着装置（日本真空技術社製）を用いて、表面抵
抗率が１０Ω／□であるＩＴＯ膜（電波反射膜、膜厚３
００ｎｍ）を形成した。このようにして、スペーサの一
面が抵抗膜に形成され、他面が電波反射膜に形成された
電波吸収体を作製した。

【００４０】このようにして得られた電波吸収体につい
て、下記に示すようにして自由空間法（反射電力法）に
よる反射減衰量を測定したところ、周波数５．２ＧＨｚ
において３５ｄＢであった。また、ＪＩＳＲ３１０
６に準じて分光透過率（測定波長：５５０ｎｍ）を測定
したところ、７５％であった。

【００４１】〔自由空間法（反射電力法）による反射減
衰量の測定方法〕図８に示す測定系を準備し、この測定
系により、電波吸収体およびそれと同寸法の金属板（材
質：アルミニウム）の反射レベルを測定し、両者の差を
反射減衰量として算出した。図示の測定系による測定方
法を詳しく説明すると、まず、ネットワークアナライザ
４０で発振したＣＷ波を逓倍器４１を介して３逓倍波と
し、送信アンテナ４２から距離ｄ₁（２．５ｍ）離れた
試料４３に向けて送信する。つぎに、試料４３からの反
射波を、送信アンテナ４２から距離ｄ₂（３０ｃｍ）離
れた受信アンテナ４４で受信する。そして、受信した反
射波をダウンコンバータ４５で変換し、ネットワークア
ナライザ４０によって測定する。なお、図示の測定系で
は、電波のカップリングを防止するため、試料４３に対
する入射角が約５°となっているが、この程度の入射角
であれば略垂直入射とみなすことができる。また、試料
４３以外の反射波の影響を少なくするため、従来公知の
電波吸収体４７を貼り付けた発泡スチロール製の試料固
定台４６を用いている。なお、測定は、電波暗室４８の
中で行ない、送受信アンテナ４２，４４は、電波暗室４
８の無電波地域（クワイアットゾーン）４９に設置して
ある。

【００４２】

【実施例２】まず、厚み１０ｍｍのＰＣ製の樹脂板を準
備し、その一面を除く面をマスク材（材質：シリコーン
樹脂）でマスクした（図２参照）。ついで、そのマスク
材付き樹脂板を、透明導電性ＩＴＯインク（住友金属鉱
山社製のＤＸ−４１８、低温焼成タイプ、２０℃で３０
ｐｏｉｓｅ、ＩＴＯ微粒子の平均粒径２０ｎｍ）中に繰
り返し浸漬および引き上げを行ない、液膜を形成した。
つぎに、４０℃×１５分間の条件で乾燥を行った後、マ
スク材を取り外し、さらに８０℃×１５分間の条件で焼
成を行い、表面抵抗率が４００Ω／□であるＩＴＯ膜
（抵抗膜、膜厚３μｍ）を形成した。その後、樹脂板の
裏面に、ＤＣマグネトロンスパッタ蒸着装置（日本真空
技術社製）を用いて、表面抵抗率が１０Ω／□であるＩ
ＴＯ膜（電波反射膜、膜厚３００ｎｍ）を形成した。こ
のようにして、スペーサの一面が抵抗膜に形成され、他
面が電波反射膜に形成された電波吸収体を作製した。

【００４３】このようにして得られた電波吸収体につい
て、上記と同様にして自由空間法（反射電力法）による
反射減衰量を測定したところ、周波数４．７ＧＨｚにお
いて３１ｄＢであった。また、上記と同様にして分光透
過率（測定波長：５５０ｎｍ）を測定したところ、８０
％であった。

【００４４】

【実施例３】まず、厚み０．５ｍｍのＰＣ製の樹脂板を
準備し、その一面に、ＤＣマグネトロンスパッタ蒸着装
置（日本真空技術社製）を用いて、表面抵抗率が４００
Ω／□であるＩＴＯ膜（抵抗膜、膜厚２４ｎｍ）を形成
した。一方、ＰＣ製の樹脂板の裏面に、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ蒸着装置（日本真空技術社製）を用いて、表
面抵抗率が１０Ω／□であるＩＴＯ膜（電波反射膜、膜
厚３００ｎｍ）を形成した。このようにして、スペーサ
の一面が抵抗膜に形成され、他面が電波反射膜に形成さ
れた電波吸収体を作製した。

【００４５】このようにして得られた電波吸収体につい
て、上記と同様にして自由空間法（反射電力法）による
反射減衰量を測定したところ、周波数７６ＧＨｚにおい
て４１ｄＢであった。また、上記と同様にして分光透過
率（測定波長：５５０ｎｍ）を測定したところ、７３％
であった。

【００４６】

【実施例４】まず、厚み５ｍｍのガラス板（比誘電率
８．２）を準備し、その一面に対し、ＤＣマグネトロン
スパッタ蒸着装置（日本真空技術社製）を用いて、表面
抵抗率が１０Ω／□のＩＴＯ膜（電波反射膜、膜厚３０
０ｎｍ）を形成した（図３参照）。ついで、そのＩＴＯ
膜形成面のスペーサ裏面を除く面をマスクし、そのマス
ク済みスペーサを、透明導電性ＩＴＯインク（住友金属
鉱山社製のＤＸ−４１８、低温焼成タイプ、２０℃で３
０ｐｏｉｓｅ、ＩＴＯ微粒子の平均粒径２０ｎｍ）中に
繰り返し浸漬および引き上げを行ない、液膜を形成し
た。つぎに、４０℃×１５分間の条件で乾燥を行った
後、マスク材を取り外し、さらに８０℃×１５分間の条
件で焼成を行い、表面抵抗率が４００Ω／□であるＩＴ
Ｏ膜（抵抗膜、膜厚３μｍ）を形成した。このようにし
て、スペーサの一面が抵抗膜に形成され、他面が電波反
射膜に形成された電波吸収体を作製した。

【００４７】このようにして得られた電波吸収体につい
て、上記と同様にして自由空間法（反射電力法）による
反射減衰量を測定したところ、周波数５．２ＧＨｚにお
いて３０ｄＢであった。また、上記と同様にして分光透
過率（測定波長：５５０ｎｍ）を測定したところ、８０
％であった。

【００４８】

【実施例５】まず、厚み５ｍｍのガラス板（比誘電率
８．２）を２枚準備し、シーリング材（材質：シリコー
ン樹脂）で密封した（図４および図５参照）。この際、
２枚のガラス板の距離を１０ｍｍとした。ついで、その
シーリング材付きガラス板を、透明導電性ＩＴＯインク
（住友金属鉱山社製のＤＸ−４１８、高温焼成タイプ、
２０℃で３０ｐｏｉｓｅ、ＩＴＯ微粒子の平均粒径２０
ｎｍ）中に繰り返し浸漬および引き上げを行ない、液膜
を形成した。つぎに、１２０℃×１５分間の条件で乾燥
を行った後、シーリング材を取り外し、さらに４５０℃
×２０分間の条件で焼成を行い、表面抵抗率が４００Ω
／□であるＩＴＯ膜（抵抗膜、膜厚０．３μｍ）を形成
した。その後、得られた２枚の抵抗膜付きガラス板の裏
面に、ＤＣマグネトロンスパッタ蒸着装置（日本真空技
術社製）を用いて、表面抵抗率が１０Ω／□であるＩＴ
Ｏ膜（電波反射膜、膜厚３００ｎｍ）を形成した。この
ようにして、スペーサの一面が抵抗膜に形成され、他面
が電波反射膜に形成された電波吸収体を２枚作製した。

【００４９】このようにして得られた電波吸収体（２枚
のうち１枚）について、上記と同様にして自由空間法
（反射電力法）による反射減衰量を測定したところ、周
波数５．２ＧＨｚにおいて３５ｄＢであった。また、上
記と同様にして分光透過率（測定波長：５５０ｎｍ）を
測定したところ、７５％であった。

【００５０】

【実施例６】まず、厚み１０ｍｍのＰＣ製の樹脂板を２
枚準備し、シーリング材（材質：シリコーン樹脂、貫通
孔の形成条件：直径１０ｍｍの貫通孔を２０ｍｍ間隔で
形成）で把持した（図６参照）。この際、２枚の樹脂板
の距離を２０ｍｍとした。ついで、上記シーリング材の
一面に形成された貫通孔から、透明導電性ＩＴＯインク
（住友金属鉱山社製のＤＸ−４１８、低温焼成タイプ、
２０℃で３０ｐｏｉｓｅ、ＩＴＯ微粒子の平均粒径２０
ｎｍ）を流入し、他面に形成された貫通孔から、透明導
電性ＩＴＯインクを排出する作業を繰り返し行い、液膜
を形成した。つぎに、４０℃×１５分間の条件で乾燥を
行った後、シーリング材を取り外し、さらに８０℃×１
５分間の条件で焼成を行い、表面抵抗率が４００Ω／□
であるＩＴＯ膜（抵抗膜、膜厚３μｍ）を形成した。そ
の後、得られた２枚の抵抗膜付き樹脂板のそれぞれの裏
面に、ＤＣマグネトロンスパッタ蒸着装置（日本真空技
術社製）を用いて、表面抵抗率が１０Ω／□であるＩＴ
Ｏ膜（電波反射膜、膜厚３００ｎｍ）を形成した。この
ようにして、スペーサの一面が抵抗膜に形成され、他面
が電波反射膜に形成された電波吸収体を２枚作製した。

【００５１】このようにして得られた電波吸収体（２枚
のうち１枚）について、上記と同様にして自由空間法
（反射電力法）による反射減衰量を測定したところ、周
波数４．７ＧＨｚにおいて３１ｄＢであった。また、上
記と同様にして分光透過率（測定波長：５５０ｎｍ）を
測定したところ、８０％であった。

【００５２】

【従来例】厚み２５μｍのＰＥＴフィルムを準備し、こ
の一面にＤＣマグネトロンスパッタ蒸着装置（日本真空
技術社製）を用いて、表面抵抗率が１０Ω／□であるＩ
ＴＯ膜（電波反射膜、膜厚３００ｎｍ）を形成した。一
方、厚み２５μｍのＰＥＴフィルムを準備し、この一面
にＤＣマグネトロンスパッタ蒸着装置（日本真空技術社
製）を用いて、表面抵抗率が４００Ω／□であるＩＴＯ
膜（抵抗膜、膜厚２４ｎｍ）を形成した。

【００５３】つぎに、厚み１０ｍｍのＰＣ製の樹脂板を
準備し、この両面に厚み２０μｍのアクリル系透明粘着
剤フィルムを貼りつけ、粘着剤層を形成した。そして、
この両面の粘着剤層を介して、ＰＣ製の樹脂板の一面に
電波反射膜付きＰＥＴフィルムを、他面に抵抗膜付きＰ
ＥＴフィルムを貼りつけた。このようにして電波吸収体
を得た（図９参照）。

【００５４】このようにして得られた電波吸収体につい
て、上記と同様にして自由空間法（反射電力法）による
反射減衰量を測定したところ、周波数４．７ＧＨｚにお
いて３６ｄＢであった。また、上記と同様にして分光透
過率（測定波長：５５０ｎｍ）を測定したところ、６５
％であった。

【００５５】上記実施例１品〜６品および従来例品につ
いての評価結果より、実施例１品〜６品のように、スペ
ーサに直接抵抗膜および電波反射膜を形成しても、従来
例品と同様、良好な反射減衰量と分光透過率を実現して
いることがわかる。また、実施例１品、２品、４品、５
品、６品の抵抗膜を目視したところ、塗布むら等に伴う
不具合は見られなかった。

【００５６】

【実施例７】つぎに、電波反射膜をＴｉＯ₂蒸着膜／Ａ
ｇ蒸着膜／ＴｉＯ₂蒸着膜の３層構造にしたこと以外
は、実施例１と同様にして、電波吸収体を作製した。そ
して、実施例１と同様にして反射減衰量および分光透過
率を測定したところ、実施例１と同様、良好な結果が得
られた。

【００５７】

【発明の効果】以上のように、本発明の電波吸収体は、
電波反射膜と抵抗膜とをスペーサを介在させて所定距離
に保つ抵抗皮膜型の電波吸収体であって、上記スペーサ
の一面が上記電波反射膜に形成され、他面が上記抵抗膜
に形成されているものである。そのため、抵抗膜付き第
１の透明フィルム、電波反射膜付き第２の透明フィル
ム、スペーサを個別に準備した後、それらを工場あるい
は現場にて貼り合わすという工程が不要となり、低コス
ト化が図れる。また、従来では必要であった、透明フィ
ルムが不要となるため、材料の面からも低コスト化が図
れる。そして、スペーサの両面に電波反射膜および抵抗
膜が直接形成されているため、従来のように、空気の混
入や貼り合わせによるしわ等の発生の心配がなく、高品
質な製品が得られるという利点がある。

【００５８】そして、上記電波吸収体は、まず抵抗膜形
成面を除く面をマスクしたスペーサを、ＩＴＯ微粒子が
溶剤中に分散された分散インク中に、繰り返し浸漬およ
び引き上げを行ってその分散インクからなる液膜を形成
し、ついで乾燥工程、マスク除去工程、焼成工程を経由
させることにより抵抗膜を形成し、その後、その抵抗膜
形成面のスペーサ裏面に導電体からなる電波反射膜を形
成するか、あるいは予め導電体からなる電波反射膜を形
成しておいたスペーサを用い、上記と同様にして抵抗膜
を形成するかすれば、簡単に得られる。

【００５９】また、上記電波吸収体の製法として、対面
する一対のスペーサ間をシーリング材で密封した後、上
記分散インク中に繰り返し浸漬および引き上げを行って
その分散インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥工
程、シーリング材除去工程、焼成工程を経由させること
によりそれぞれのスペーサの表面に抵抗膜を形成し、そ
の後、その抵抗膜形成面のスペーサ裏面に導電体からな
る電波反射膜をそれぞれ形成する方法、あるいは所定間
隔で対面した一対のスペーサを貫通孔を介して両スペー
サ間を外部と流通可能にし、その貫通孔から、上記分散
インクを導入して上記一対のスペーサの相対向する面に
分散インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥工程、シ
ーリング材除去工程、焼成工程を経由させることにより
それぞれのスペーサの上記相対向する面に抵抗膜を形成
し、その後、スペーサの抵抗膜形成面と反対側の面に導
電体からなる電波反射膜をそれぞれ形成する方法を採用
すれば、生産性の点で特に有利である。

【００６０】本発明の電波吸収体は、例えばＯＡ室の間
仕切り，オフィスビルの窓材等として用いられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電波吸収体の一例を模式的に示す断面
図である。

【図２】本発明の電波吸収体の製法の一例（第１の方
法）を説明するための模式的断面図である。

【図３】本発明の電波吸収体の製法の他の例（第２の方
法）を説明するための模式的断面図である。

【図４】（Ａ）は対面する一対のスペーサをシーリング
材で密封した状態を模式的に示す正面図であり、（Ｂ）
はそのＸ−Ｘ断面図である。

【図５】本発明の電波吸収体の製法のさらに他の例（第
３の方法）を説明するための模式的断面図である。

【図６】本発明の電波吸収体の製法のさらに他の例（第
４の方法）を説明するための模式的断面図である。

【図７】電波反射膜の他の例を示す模式的断面図であ
る。

【図８】反射減衰量の測定系を示す説明図である。

【図９】従来の電波吸収体を模式的に示す断面図であ
る。

【符号の説明】

２０電波吸収体２１スペーサ２２電波反射膜２３抵抗膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者笹井建典愛知県小牧市大字北外山字哥津3600番地東海ゴム工業株式会社内Ｆターム(参考） 5E321 AA44 AA46 BB23 BB31 BB32 GG11 5J020 BD02 EA03 EA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電波反射膜と抵抗膜とをスペーサを介在
させて所定距離に保つ抵抗皮膜型の電波吸収体であっ
て、上記スペーサの一面が上記電波反射膜に形成され、
他面が上記抵抗膜に形成されていることを特徴とする電
波吸収体。
【請求項２】抵抗膜形成面を除く面をマスクしたスペ
ーサを準備し、そのマスク済みスペーサを、酸化インジ
ウムすず微粒子が溶剤中に分散された分散インク中に、
繰り返し浸漬および引き上げを行うことにより上記マス
ク済みスペーサの表面に分散インクからなる液膜を形成
し、ついで乾燥工程、マスク除去工程、焼成工程を経由
させることにより酸化インジウムすず微粒子から構成さ
れる抵抗膜を形成し、その抵抗膜形成面のスペーサ裏面
に導電体からなる電波反射膜を形成することを特徴とす
る電波吸収体の製法。
【請求項３】導電体からなる電波反射膜形成済みスペ
ーサを準備し、その電波反射膜形成面のスペーサ裏面を
除く面をマスクし、そのマスク済みスペーサを、酸化イ
ンジウムすず微粒子が溶剤中に分散された分散インク中
に、繰り返し浸漬および引き上げを行うことにより上記
マスク済みスペーサの表面に分散インクからなる液膜を
形成し、ついで乾燥工程、マスク除去工程、焼成工程を
経由させることにより酸化インジウムすず微粒子から構
成される抵抗膜を形成することを特徴とする電波吸収体
の製法。
【請求項４】対面する一対のスペーサの外縁部をシー
リング材で把持して両スペーサ間を密封し、その状態の
まま、酸化インジウムすず微粒子が溶剤中に分散された
分散インク中に、繰り返し浸漬および引き上げを行うこ
とにより上記シーリング材で把持されたスペーサの外表
面に分散インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥工
程、シーリング材除去工程、焼成工程を経由させること
により、それぞれのスペーサの上記外表面に上記酸化イ
ンジウムすず微粒子から構成される抵抗膜を形成し、そ
の抵抗膜形成面のスペーサ裏面に導電体からなる電波反
射膜をそれぞれ形成することを特徴とする電波吸収体の
製法。
【請求項５】所定間隔で対面する一対のスペーサの外
縁部をシーリング材で把持し、貫通孔を介して両スペー
サ間を外部と流通可能にし、その貫通孔から、酸化イン
ジウムすず微粒子が溶剤中に分散された分散インクを導
入して、対面する一対のスペーサの相対向する面に分散
インクからなる液膜を形成し、ついで乾燥工程、シーリ
ング材除去工程、焼成工程を経由させることにより、そ
れぞれのスペーサの上記相対向する面に上記酸化インジ
ウムすず微粒子から構成される抵抗膜を形成し、スペー
サの上記抵抗膜形成面と反対側の面に導電体からなる電
波反射膜をそれぞれ形成することを特徴とする電波吸収
体の製法。