JP2000256821A - ガスデポジション装置及びガスデポジション方法 - Google Patents

ガスデポジション装置及びガスデポジション方法

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JP2000256821A
JP2000256821A JP11063860A JP6386099A JP2000256821A JP 2000256821 A JP2000256821 A JP 2000256821A JP 11063860 A JP11063860 A JP 11063860A JP 6386099 A JP6386099 A JP 6386099A JP 2000256821 A JP2000256821 A JP 2000256821A
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JP
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ultrafine particle
ultrafine
chamber
gas deposition
lid
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JP11063860A
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Nobuyuki Nakahara
伸之 中原
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 超微粒子の供給部である超微粒子生成室から
膜形成室への搬送停止問題を解決するため、蒸発源と対
向する搬送管の開口部に超微粒子が吸い込まれないよう
にすることにより、ノズルからの超微粒子の噴射を任意
に停止もしくは開始させる。 【解決手段】 膜形成を停止する際に、排除管7の超微
粒子排出管5に通ずる開口部の蓋8が閉じ、蒸発源るつ
ぼ3の開口部に対向する排出管5の開口部の蓋6が開
く。排出室内圧は生成室内圧および膜形成室内圧より常
に低い状態にすることにより、蒸発源るつぼ3より蒸発
する材料4を超微粒子流れ13により排出管5を通じて
12で示す基体流れの方向の排出室に排出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に超微粒子
の厚膜あるいは圧粉体を形成するガスデポジション装置
及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】粒径が0.1μm以下の超微粒子は、一
度ガス中に浮遊すると、エアロゾル状となり、重力によ
る自由落下速度が極めて小さく、ガスの流れに乗って容
易に搬送される。これらの現象は超微粒子の材質が金属
や化合物のように密度が異なってもほとんど影響を受け
ない。この性質を利用し、超微粒子の膜を形成できるこ
とが報告されている(第90回ニューセラミックス懇話
会研究会資料)。具体的には、超微粒子生成室で物質蒸
気を発生させ、搬送管を通してHeガスと共に膜形成室
へ送り、空中で凝集した超微粒子を膜形成室において搬
送管のノズルから基体の表面へ超高速で噴射させ、超微
粒子を基体の表面に密着させて超微粒子膜を形成するも
のである。従って、ガスデポジション法は基体に成膜で
きる膜質に特に制限はなく、金属や無機物、有機化合物
などでも超微粒子膜を形成できる。これに対し、膜形成
方法として一般的な印刷ぺ一ストを焼成する厚膜法、あ
るいは真空蒸着やスパッタリング等の薄膜法では、基体
に成膜できる膜質が金属酸化物等に限られている。
【0003】しかしながら、従来のガスデポジション装
置は粒子の供給部から膜形成室への搬送開始或いは搬送
停止はガス導入管に接続したバルブ、または搬送管の途
中に配置したシャッターの開閉操作で行う。そのため、
バルブまたはシャッターを閉鎖す肴と搬送管内の圧力差
がなくなり、その結果搬送途中の粒子は搬送管内に沈降
物として沈降する。その後、バルブまたはシャッターを
開いて搬送を再開すると搬送管内の沈降物は凝集体とな
って搬送管或いは搬送管にシャッターが設けられている
場合はシャッター内に付着してこれらを閉塞したり、或
いはノズルより噴射されて基板上に堆積して不均一な厚
さの膜が形成されたり、基板上に不要な膜の形成、或い
は膜に裾引きが生じる等の問題がある。また、電磁バル
ブを閉めることにより、超微粒子生成室とバルブの上流
側の間には差圧がなくなるため、その間に存在する超微
粒子は自然落下し、搬送管の内壁に沈着する。この沈着
した超微粒子は再度バルブを開いた時には凝集体となっ
て搬送され、付着カ等の膜質を低下させるという問題が
ある。さらに、バルブを閉めることにより、膜形成室と
バルブの下流側の間にも差圧が徐々になくなるため、ノ
ズルからの噴射エネルギーが徐々に低下し、付着力や密
度の低下を引き起こす問題があった。
【0004】これらの問題を解決する手段として特開平
5−2995525号公報で開示されている方法は、搬
送管の開口部及び蒸発源のいずれか一方を、他方に対し
遠ざかる方向に相対的に所定距離又は所定距離以上へ迅
速に移動する。そして、搬送管より上方で、搬送管と同
心円で、これより大径の吹込管を配設し、吹込管と搬送
管との間の環状空間を排気装置に接続し余分な超微粒子
を排出し、ノズルからの超微粒子の噴射を停止させるこ
とを特徴としている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では発生した超微粒子が超微粒子生成室内で対流する
ことにより搬送管の開口部に吸い込まれてしまい、粒子
の供給部から膜形成室へ搬送を完全に停止することはで
きないといった問題がある。
【0006】そこで本発明は、上記の問題点である超微
粒子の供給部である超微粒子生成室から膜形成室への搬
送停止問題を解決するため、蒸発源と対向する搬送管の
開口部に超微粒子が吸い込まれないようにすることによ
り、ノズルからの超微粒子の噴射を任意に停止もしくは
開始させることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のガスデポジショ
ン装置は、内部に薄膜の材料となる蒸発源が設置される
超微粒子生成室と、基板を固定するステージを設けた膜
形成室と、前記超微粒子生成室と前記膜形成室とを連結
し、前記蒸発源から蒸発発生した超微粒子を前記基板表
面に噴射し薄膜形成するためのノズルを有する超微粒子
搬送管と、前記超微粒子生成室内に前記搬送管とは別個
に固定した少なくとも1つの超微粒子排出機構とを備え
る。
【0008】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出機構が前記超微粒子搬送管よ
り大きな吸込み力を有する。
【0009】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出機構が前記蒸発源と前記超微
粒子搬送管との間に設けられている。
【0010】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子搬送管の開口部面積より大きな面
積部分が切り抜かれてなる貫通孔部を前記蒸発源から蒸
発した超微粒子が通過する構造体を有し、前記構造体
は、前記超微粒子を排出するスリット又は穴が貫通孔に
通ずるように設けられている。
【0011】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出機構の前記蒸発物の開口部に
任意に開閉可能な蓋と、この蓋を閉じた際に前記超微粒
子排出機構に残存する超微粒子を排除する機構とを備え
る。
【0012】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出機構の前記超微粒子の開口部
に任意に開閉可能な蓋と、この蓋を閉じた際に前記超微
粒子排出機構内に残存する前記超微粒子を気体の流れを
利用することで排除する機構とを備える。
【0013】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出機構の前記超微粒子の開口部
に任意に開閉可能な蓋と、この蓋を閉じた際に超微粒子
排出管内に残存する超微粒子を排除するための気体の流
入口に任意に開閉が可能な蓋とを備える。
【0014】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子搬送管への前記超微粒子の吸い込
みを停止した際に、前記超微粒子搬送管内の前記超微粒
子が前記超微粒子搬送管内から完全に噴射され、前記基
板上に堆積されるまでの時間を考慮して駆動する。
【0015】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子搬送管への前記超微粒子の吸い込
みを開始した際に、当該超微粒子が前記超微粒子搬送管
内から噴射され、前記基板上への堆積が開始されるまで
の時間を考慮して駆動する。
【0016】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出管により排出された前記超微
粒子を貯蔵する機構を備える。
【0017】本発明のガスデポジション装置の一態様に
おいて、前記超微粒子排出管により排出、貯蔵された前
記超微粒子を再利用する。
【0018】本発明のガスデポジション方法は、超微粒
子生成室内に設置された蒸発源から蒸発発生した超微粒
子を搬送管を通じて膜形成室内に設置された基板表面に
噴射し、当該表面に薄膜を形成する手法であって、前記
超微粒子生成室内に前記搬送管とは別個に固定した少な
くとも1つの超微粒子排出機構を設け、薄膜形成を停止
させた際に前記蒸発源から発生した超微粒子を前記超微
粒子排出機構から前記超微粒子生成室外へ排出する。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な諸
実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【0020】(第1の実施形態)図1は、第1の実施形
態の実施形態を示す超微粒子排出管部の拡大図である。
超微粒子生成室内に超微粒子搬送管1の開口2が蒸発源
るつぼ3の開口部と対向し配置されている。蒸発源るつ
ぼ3には電源9により電極10が取り付けられている。
蒸発源るつぼ3内には超微粒子原材料4が収容されてい
る。超微粒子搬送管1と蒸発源るつぼ3の間に開口部が
位置するように超微粒子排出管5が設置されている。超
微粒子排出管5の開口部には任意に開閉が可能な蓋6が
取り付けられている。超微粒子排出管5の開口部付近に
超微粒子排除管7が取り付けられている。超微粒子排除
管7の超微粒子排出管5内部へ通ずる開口部には任意に
開閉が可能な蓋8が設置されている。
【0021】図2は、第1の実施形態の超微粒子排出管
5による微粒子搬送管1の開口2への超微粒子吸い込み
の停止および開始を任意に行う工程を示した図である。
膜形成開始において、超微粒子排出管5の蒸発源るつぼ
3と対向する開口部は蓋6により閉じられた状態にあ
り、超微粒子排除管7の超微粒子排出管5内と通ずる開
口部の蓋8が開き、超微粒子排除管7から超微粒子排出
管5へ気体流れ11を発生させ、超微粒子排出管5内に
残存する超微粒子を常に排除している。超微粒子搬送管
1が蒸発源るつぼ3と対向した位置にあり、蒸発源るつ
ぼ3は電源9より電極10を介して電力を加え抵抗加熱
により加熱する。加熱により蒸発源るつぼ3内に収容さ
れている超微粒子原材料4が蒸発し、超微粒子生成室内
圧より膜形成室内圧を低くすることにより生じる超微粒
子流れ13により蒸発した超微粒子原材料4を超微粒子
搬送管1の開口2から膜形成室へと搬送し、ノズルより
高速噴射されて基板上面に超微粒子膜を形成する(図2
(a))。
【0022】膜形成を停止する際には、超微粒子排除管
7の超微粒子排出管5に通ずる開口部の蓋8が閉じ、蒸
発源るつぼ3の開口部に対向する超微粒子排出管5の開
口部の蓋6が開く。超微粒子排出室内圧は超微粒子生成
室内圧および膜形成室内圧より常に低い状態にすること
により、蒸発源るつぼ3より蒸発する超微粒子材料4を
超微粒子流れ13により超微粒子排出管5を通じて12
で示す基体流れの方向の超微粒子排出室に排出する(図
2(b))。
【0023】(第2の実施形態)図3は、第2の実施形
態を示す超微粒子排出装置部の拡大図である。超微粒子
生成室内に超微粒子搬送管1の開口2が蒸発源るつぼ3
の開口部と対向し配置されている。蒸発源るつぼ3には
電源9により電極10が取り付けられている。蒸発源る
つぼ3内には超微粒子原材料4が収容されている。超微
粒子排出機構14は超微粒子搬送管1の内径中心線と蒸
発源るつぼ3の間に超微粒子排出機構14の貫通孔部中
心線が一致する位置に設置されている。超微粒子排出機
構14の貫通孔側面には超微粒子排出管15が通ずる開
口部があり、その開口部には任意に開閉が可能な蓋16
が設置されている。超微粒子排出管14が超微粒子排出
機構14の貫通孔側面へ通ずる開口部付近に超微粒子排
除管17が設置されている。超微粒子排除管17が超微
粒子排出管15へ通ずる開口部には任意に開閉が可能な
蓋18が設置されている。
【0024】図4は、第2の実施形態の超微粒子排出機
構14による微粒子搬送管1の開口2への超微粒子吸い
込みの停止および開始を任意に行う行程を示した模式図
である。
【0025】膜形成開始において、超微粒子排出管5が
超微粒子排出機構14の貫通孔側面に通ずる開口部の蓋
16により閉じられた状態にあり、超微粒子排除管17
の超微粒子排出管15内と通ずる開口部の蓋18が開
き、超微粒子排除管17から超微粒子排出管15へ気体
流れ20を発生させ、超微粒子排出管15内に残存する
超微粒子を常に排除している。超微粒子搬送管1が蒸発
源るつぼ3と対向した位置にあり、蒸発源るつぼ3は電
源9より電極10を介して電力を加え抵抗加熱により加
熱する。加熱により蒸発源るつぼ3内に収容されている
超微粒子原材料4が蒸発し、超微粒子生成室内圧より膜
形成室内圧を低くすることにより生じる超微粒子流れ1
8により蒸発した超微粒子原材料4を超微粒子搬送管1
の開口2から膜形成室へと搬送し、ノズルより高速噴射
されて基板上面に超微粒子膜を形成する(図4
(a))。
【0026】膜形成を停止するには、超微粒子排除管1
7の超微粒子排出管15に通ずる開口部の蓋18が閉
じ、超微粒子排出機構14の貫通孔に通ずる超微粒子排
出管15の開口部の蓋16が開く。超微粒子排出室内圧
は超微粒子生成室内圧および膜形成室内圧より常に低い
状態にするとこにより、蒸発源るつぼ3より蒸発する超
微粒子材料4を超微粒子ながれ22により超微粒子排出
管12を通し超微粒子排出室へ排出する(図4
(b))。
【0027】図5は、実施例3の超微粒子排出室25に
貯蔵された超微粒子52を再利用する行程を示した模式
図である。
【0028】膜形成中はバルブ41,45を閉じ、バル
ブ28,37,40は開いている。真空ポンプ38,3
9が作動し、超微粒子生成室23に比べ膜形成室24お
よび超微粒子排出室25の室内圧力が低くなっている。
超微粒子搬送管48の開口32が蒸発源るつぼ26の開
口部と対向した位置にあり、蒸発源るつぼ26は電源2
9より電極30を介して電力を加え抵抗加熱により加熱
する。加熱により蒸発源るつぼ26内に収容されている
超微粒子原材料27が蒸発し、超微粒子生成室23内圧
より膜形成室24内圧が低いことにより生じる超微粒子
流れ47,31により超微粒子搬送管48の開口32か
ら膜形成室24へと搬送し、ノズル35より高速噴射さ
れて基板34上面に超微粒子膜を形成する。
【0029】この際、超微粒子排出管46の蒸発源るつ
ぼ26の開口部と対向する開口部は図示しない蓋により
閉じられた状態にあり、図示しない超微粒子排除管の超
微粒子排出管46内と通ずる開口部の図示しない蓋が開
き、図示しない超微粒子排除管から超微粒子排出管46
へ図示しない気体流れを発生させ、超微粒子排出管46
内に残存する超微粒子を常に排除している。(図5
(a))。
【0030】膜形成を停止するには、図示しない超微粒
子排除管の超微粒子排出管46に通ずる開口部の図示し
ない蓋が閉じ、蒸発源るつぼ26の開口部に対向する超
微粒子排出管46の開口部の図示しない蓋が開く。バル
ブ41,45を閉じ、バルブ28,37,40は開いて
いる。真空ポンプ38,39を作動させ、超微粒子排出
室25内圧は超微粒子生成室23内圧および膜形成室2
4内圧より常に低い状態にするとこにより超微粒子なが
れ51,31を発生し、蒸発源るつぼ26より蒸発する
超微粒子材料27を超微粒子流れ31により超微粒子排
出管46を通し超微粒子排出室25に排出する(図5
(b))。
【0031】微粒子排出室25の超微粒子52を再利用
した膜形成中では、超微粒子排出管46の蒸発源るつぼ
26の開口部と対向する開口部は図示しない蓋により閉
じられた状態にある。このとき、図示しない超微粒子排
除管の超微粒子排出管46内と通ずる開口部の図示しな
い蓋が開き、図示しない超微粒子排除管から超微粒子排
出管46へ図示しない気体流れを発生させ、超微粒子排
出管46内に残存する超微粒子を常に排除している。こ
こで、バルブ40を閉じ、バルブ28,41,37,4
5は開いている。真空ポンプ38が作動し、膜形成室2
3は超微粒子生成室24および超微粒子排出室25にく
らべ室内圧力が低くなっていることにより生じる超微粒
子流れ54により超微粒子搬送管48の開口43から膜
形成室24へと搬送し、ノズル35より高速噴射されて
基板34上面に超微粒子膜を形成する(図5(c))。
【0032】図6は、比較例として従来ガスデポジショ
ン装置を示した模式図である。膜形成室102がバルブ
115を介して接続される真空ポンプ114によって真
空引きされているので、超微粒子生成室101と膜形成
室102との間には差圧が生じている。るつぼ103は
電源112に接続され、るつぼ103内には蒸発される
べき物質104が収容されている。超微粒子生成室10
1において、バルブ113を介して導入される不活性ガ
スの雰囲気中で、抵抗加熱法により生成されたエアロゾ
ル状の金属超微粒子は上述の差圧により膜形成室102
内に搬送され、ノズル108より高速噴射される。ガス
デポジション装置は、これによって基板107上に超微
粒子膜及び小塊状の圧粉体を形成する。また、バルブ1
10を閉めることにより超微粒子の搬送を停止する。
【0033】
【実施例】以下、本発明の諸実施例を具体的に説明す
る。
【0034】(実施例1)超微粒子搬送管は内径1.5
mm、超微粒子排出管は内径2.3mm、超微粒子排除
管は内径2mmのステンレス製のものを用いた。超微粒
子排出管の開口部に使用する蓋は直径2.4mm、超微
粒子排除管の開口部に使用する蓋は直径2.1mmでそ
れぞれ厚みが1mmのステンレス製の円盤を用いた。蓋
の開閉にはサーボモータを用い電気信号を送ることによ
り任意に行えるようにした。蒸発源るつぼには内径13
mmのアルミナコートタングステンバスケットを用い
た。超微粒子搬送管の開口と蒸発源るつぼの距離は45
mmとした。また、超微粒子生成室、膜形成室および超
微粒子排出室はヘリウムガスを導入した。
【0035】超微粒子生成室内の気圧を加圧し1750
Torr、膜形成室内を真空ポンプで減圧し300To
rr、超微粒子排出室も真空ポンプで減圧し100To
rrとした。超微粒子排出管の開口部蓋を閉じた状態
で、超微粒子排除管の開口部の蓋は開いた状態にするこ
とで超微粒子排出管内に残存する超微粒子を常に排出す
るようにし、蒸発源るつぼ内に30gの銅を設置し抵抗
加熱により約1500℃に加熱し銅を蒸発させた。膜形
成室内のステージ上面にはガラス基板を設置し6mm/
minで一方向に10sec移動し膜形成を行った後、
超微粒子排出管の蓋をサーボモータにより50mm/s
ecの速度で開くと同時に超微粒子排除管の蓋をサーボ
モータにより50mm/secの速度で閉じた。超微粒
子搬送管内に含まれる超微粒子が完全にガラス基板上に
体積される時間を考慮して基板を約1.5sec停止し
た。再びガラス基板を設置したステージを6mm/mi
nで一方向に10sec移動した後、超微粒子排出管の
蓋をサーボモータにより50mm/secの速度で閉じ
ると同時に超微粒子排除管の蓋をサーボモータにより5
0mm/secの速度で開き、蒸発源るつぼより発生し
た超微粒子が超微粒子搬送管に吸い込まれガラス基板上
に堆積を開始する時間を考慮し約1.5sec停止し
た。また、この状態で、超微粒子排出管内残存する超微
粒子を常に排出されている。
【0036】その後、再びガラス基板を設置したステー
ジを6mm/minで一方向に10sec移動し、膜形
成を行った。その後、ガラス基板を取り出し膜厚を測定
した結果、超微粒子搬送停止前後の膜質および膜厚に変
化はなかった。
【0037】(実施例2)超微粒子排出装置の直径は8
0mm、貫通孔の直径は20mm、超微粒子搬送管は内
径3.0mm、超微粒子排出管は内径2.Omm、超微
粒子排除管は内径1.9mmのステンレス製のものを用
いた。超微粒子排出管の開口部に使用する蓋は直径2.
15mm、超微粒子排除管の開口部に使用する蓋は直径
2.0mmでそれぞれ厚みが1mmと0.5mmのステ
ンレス製の円盤を用いた。蓋の開閉にはサーボモータを
用い電気信号を送ることにより任意に行えるようにし
た。蒸発源るつぼには内径13mmのアルミナコートタ
ングステンバスケットを用いた。超微粒子搬送管の開口
と蒸発源るつぼの距離は45mmとした。また、超微粒
子生成室、膜形成室および超微粒子排出室はヘリウムガ
スを導入した。超微粒子生成室内の気圧を加圧し175
0Torr、膜形成室内を真空ポンプで減圧し300T
orr、超微粒子排出室も真空ポンプで減圧し10To
rrとした。
【0038】超微粒子排出管の開口部蓋を閉じた状態
で、超微粒子排除管の開口部の蓋は開いた状態にするこ
とで超微粒子排出管内に残存する超微粒子を常に排出す
るようにし、蒸発源るつぼ内に30gの銅を設置し抵抗
加熱により約1500℃に加熱し銅を蒸発させた。膜形
成室内のステージ上面にはガラス基板を設置し6mm/
minで一方向に10sec移動し膜形成を行った後、
超微粒子排出管の蓋をサーボモータにより50mm/s
ecの速度で開くと同時に超微粒子排除管の蓋をサーボ
モータにより50mm/secの速度で閉じた。超微粒
子搬送管内に含まれる超微粒子が完全にガラス基板上に
体積される時間を考慮して基板を約1.5sec停止し
た。再びガラス基板を設置したステージを6mm/mi
nで一方向に10sec移動した後、超微粒子排出管の
蓋をサーボモータにより50mm/secの速度で閉じ
ると同時に超微粒子排除管の蓋をサーボモータにより5
0mm/secの速度で開き、蒸発源るつぼより発生し
た超微粒子が超微粒子搬送管に吸い込まれガラス基板上
に堆積を介しする時間を考慮し約1.5sec停止し
た。また、この状態で、超微粒子排出管内残存する超微
粒子を常に排出されている。
【0039】その後、再びガラス基板を設置したステー
ジを6mm/minで一方向に10sec移動し、膜形
成を行った。その後、ガラス基板を取り出し膜厚を測定
した結果、超微粒子搬送停止前後の膜質および膜厚に変
化はなかった。
【0040】(実施例3)超微粒子排出装置の直径は8
0mm、貫通孔の直径は20mm、超微粒子搬送管は内
径3.0mm、超微粒子排出管は内径2.0mm、超微
粒子排除管は内径1.9mmのステンレス製のものを用
いた。超微粒子排出管の開口部に使用する蓋は直径2.
15mm、超微粒子排除管の開口部に使用する蓋は直径
2,0mmでそれぞれ厚みが1mmとOI5mmのステ
ンレス製の円盤を用いた。蓋の開閉にはサーボモータを
用い電気信号を送ることにより任意に行えるようにし
た。蒸発源るつぼには内径13mmのアルミナコートタ
ングステンバスケットを用いた。超微粒子搬送管の開口
と蒸発源るつぼの距離は45mmとした。また、超微粒
子生成室、膜形成室および超微粒子排出室はヘリウムガ
スを導入した。超微粒子生成室内の気圧を加圧し175
0Torr、膜形成室内を真空ポンプで減圧して300
Torr、超微粒子排出室も真空ポンプで減圧して10
Torrとした。
【0041】蒸発源るつぼ内に30gの銅を設置し抵抗
加熱により約1500℃に加熱し銅を蒸発させた。膜形
成室内のステージ上面にはガラス基板を設置し6mm/
minで一方向に移動した。10sec間膜形成を行っ
た後、超微粒子排出管の開口部蓋を閉じた状態で、超微
粒子排除管の開口部の蓋は開いた状態にすることで超微
粒子排出管内に残存する超微粒子を常に排出するように
し、蒸発源るつぼ内に30gの銅を設置し抵抗加熱によ
り約1500℃に加熱し銅を蒸発させた。膜形成室内の
ステージ上面にはガラス基板を設置し6mm/minで
一方向に10sec移動し膜形成を行った後、超微粒子
排出管の蓋をサーボモータにより50mm/secの速
度で開くと同時に超微粒子排除管の蓋をサーボモータに
より50mm/secの速度で閉じた。超微粒子搬送管
内に含まれる超微粒子が完全にガラス基板上に体積され
る時間を考慮して基板を約1.5sec停止した。
【0042】再びガラス基板を設置したステージを6m
m/minで一方向に10sec移動した後、超微粒子
排出管の蓋をサーボモータにより50mm/secの速
度で閉じると同時に超微粒子排除管の蓋をサーボモータ
により50mm/secの速度で聞き、蒸発源るつぼよ
り発生した超微粒子が超微粒子搬送管に吸い込まれガラ
ス基板上に堆積を介しする時間を考慮し約1.5sec
停止した。また、この状態で、超微粒子排出管内残存す
る超微粒子を常に排出されている。その後、再びガラス
基板を設置したステージを6mm/minで一方向に1
0sec移動し、膜形成を行った。その後、ガラス基板
を取り出し膜厚を測定した結果、超微粒子搬送停止前後
の膜質および膜厚に変化はなかった。
【0043】次に、超微粒子排出室内の超微粒子により
膜形成を行った。超微粒子排出管と超微粒子生成管に設
けられたバルブを閉じた状態で超微粒子排出室内の気圧
を加圧して1750Torr、膜形成室内を真空ポンプ
で減圧して300Torrした。超微粒子排出室と膜形
成室が所定の圧力になった時点で超微粒子排出室と膜形
成室をつなぐ管に設けられたノズルを開き膜形成を10
sec間行ったところ、膜形成開始後1.4sec間は
膜形成を行われず、1.4sec以降に膜を形成するこ
とができた。膜形成終了後、ガラス基板を取り出し膜厚
を測定した結果、超微粒子生成室内で超微粒子を生成し
形成した膜と超微粒子排出室内の超微粒子により形成し
た膜の膜質は同等であった。
【0044】〔比較例〕超微粒子配送管および超微粒子
排出管はともに内径1.5mmのステンレス製のものを
用い、超微粒子配送管を移動する駆動源にはサーボモー
タを使用した。蒸発源るつぼには内径13mmのアルミ
ナコートタングステンバスケットを用いた。超微粒子搬
送管の開口と蒸発源るつぼの距離は45mmとした。ま
た、超微粒子生成室、膜形成室および超微粒子排出室は
ヘリウムガスを導入した。余分な微粒子を排出する吹込
口の内径を30mmとし、超微粒子配送管より50mm
上方に設置されている。
【0045】超微粒子生成室内の気圧を加圧し1750
Torr、膜形成室内は真空ポンプにより300Tor
rに減圧する。蒸発源るつぼ内に30gの銅を設置し抵
抗加熱により約1500℃に加熱して銅を蒸発させた。
膜形成室内のステージ上面にはガラス基板を設置し6m
m/minで一方向に10sec移動し膜形成を行った
後、超微粒子搬送管のバルブをしめ10sec放置し
た。その後、超微粒子搬送管のバルブを開き膜形成を1
0sec行った後、ガラス基板を取り出し膜厚を測定し
た結果、バルブを閉じた後に行った堆積膜中には凝集体
が存在し膜の吸着力が低下するなどバルブを閉じる前に
比べて膜質が変化していた。特にバルブを閉じた後約
1.2sec間は基板上に超微粒子が付着していた。
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、超微粒子の供給部であ
る超微粒子生成室から膜形成室への搬送停止問題を解決
するため、蒸発源と対向する搬送管の開口部に超微粒子
が吸い込まれないようにすることにより、ノズルからの
超微粒子の噴射を任意に停止もしくは開始させることが
可能となり、極めて信頼性の高いガスデポジションの実
現が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるガスデポジション装置の超微粒子
排出管部を拡大して示す模式図である。
【図2】本発明によるガスデポジション装置を用いた超
微粒子の吸込み停止および開始工程を示す模式図であ
る。
【図3】本発明によるガスデポジション装置の超微粒子
排出機構を拡大して示す模式図である。
【図4】本発明によるガスデポジション装置を用いた超
微粒子の吸込み停止および開始工程を示す模式図であ
る。
【図5】本発明によるガスデポジション装置の超微粒子
排出室内の超微粒子を再利用し超微粒子の堆積膜を形成
する行程を示す模式図である。
【図6】従来のガスデポジション装置を示す模式図であ
る。
【符号の説明】
1…超微粒子排出管 2,32,33,42,43…開口 3,26,103…蒸発源るつぼ 4…蒸発源材料 5,15,46…超微粒子排出管 6,8,16,18…蓋 7,17…超微粒子排除管 9,29,112…電源 10,30,111…電極 11,12,20,21…気体流れ 13,19,22,31,47,51,106…超微粒
子流れ 14…超微粒子排出機構 23,101…超微粒子生成室 24,102…膜形成室 25…超微粒子排出室 27…超微粒子材料 28,37,40,41,45,110,113,11
5…バルブ 34,107…基板 35,108…ノズル 36,52,53,109…超微粒子 38,39,114…真空ポンプ 48,106…超微粒子搬送管 50,116…圧力計 104…物質

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部に薄膜の材料となる蒸発源が設置さ
    れる超微粒子生成室と、 基板を固定するステージを設けた膜形成室と、 前記超微粒子生成室と前記膜形成室とを連結し、前記蒸
    発源から蒸発発生した超微粒子を前記基板表面に噴射し
    薄膜形成するためのノズルを有する超微粒子搬送管と、 前記超微粒子生成室内に前記搬送管とは別個に固定した
    少なくとも1つの超微粒子排出機構とを備えることを特
    徴とするガスデポジション装置。
  2. 【請求項2】 前記超微粒子排出機構が前記超微粒子搬
    送管より大きな吸込み力を有することを特徴とする請求
    項1に記載のガスデポジション装置。
  3. 【請求項3】 前記超微粒子排出機構が前記蒸発源と前
    記超微粒子搬送管との間に設けられていることを特徴と
    する請求項1又は2に記載のガスデポジション装置。
  4. 【請求項4】 前記超微粒子搬送管の開口部面積より大
    きな面積部分が切り抜かれてなる貫通孔部を前記蒸発源
    から蒸発した超微粒子が通過する構造体を有し、前記構
    造体は、前記超微粒子を排出するスリット又は穴が貫通
    孔に通ずるように設けられていることを特徴とする請求
    項1〜3のいずれか1項に記載のガスデポジション装
    置。
  5. 【請求項5】 前記超微粒子排出機構の前記蒸発物の開
    口部に任意に開閉可能な蓋と、この蓋を閉じた際に前記
    超微粒子排出機構に残存する超微粒子を排除する機構と
    を備えることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に
    記載のガスデポジション装置。
  6. 【請求項6】 前記超微粒子排出機構の前記超微粒子の
    開口部に任意に開閉可能な蓋と、この蓋を閉じた際に前
    記超微粒子排出機構内に残存する前記超微粒子を気体の
    流れを利用することで排除する機構とを備えることを特
    徴とする請求項5に記載のガスデポジション装置。
  7. 【請求項7】 前記超微粒子排出機構の前記超微粒子の
    開口部に任意に開閉可能な蓋と、この蓋を閉じた際に超
    微粒子排出管内に残存する超微粒子を排除するための気
    体の流入口に任意に開閉が可能な蓋とを備えることを特
    徴とする請求項6に記載のガスデポジション装置。
  8. 【請求項8】 前記超微粒子搬送管への前記超微粒子の
    吸い込みを停止した際に、前記超微粒子搬送管内の前記
    超微粒子が前記超微粒子搬送管内から完全に噴射され、
    前記基板上に堆積されるまでの時間を考慮して駆動する
    ことを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載のガ
    スデポジション装置。
  9. 【請求項9】 前記超微粒子搬送管への前記超微粒子の
    吸い込みを開始した際に、当該超微粒子が前記超微粒子
    搬送管内から噴射され、前記基板上への堆積が開始され
    るまでの時間を考慮して駆動することを特徴とする請求
    項1〜8いずれか1項に記載のガスデポジション装置。
  10. 【請求項10】 前記超微粒子排出管により排出された
    前記超微粒子を貯蔵する機構を備えることを特徴とする
    請求項1〜9のいずれか1項に記載のガスデポジション
    装置。
  11. 【請求項11】 前記超微粒子排出管により排出、貯蔵
    された前記超微粒子を再利用することを特徴とする請求
    項10に記載のガスデポジション装置。
  12. 【請求項12】 超微粒子生成室内に設置された蒸発源
    から蒸発発生した超微粒子を搬送管を通じて膜形成室内
    に設置された基板表面に噴射し、当該表面に薄膜を形成
    するガスデポジション方法であって、前記超微粒子生成
    室内に前記搬送管とは別個に固定した少なくとも1つの
    超微粒子排出機構を設け、薄膜形成を停止させた際に前
    記蒸発源から発生した超微粒子を前記超微粒子排出機構
    から前記超微粒子生成室外へ排出することを特徴とする
    ガスデポジション方法。
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