JP2000256765A - 屈曲性に優れるフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法 - Google Patents
屈曲性に優れるフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 FPC素材となる銅箔には高い屈曲性が要求さ
れ，近年の装置の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性
への要求はより高度化している。本発明の目的は，従来
の圧延銅箔の屈曲性を改善することである 【解決手段】 再結晶焼鈍を行った後の圧延面と平行な
断面組織において，幅が30μｍ以上の結晶粒の面積率が
80%以上であること，および／または長さが5μmを超え
る双晶境界の1 mm2の面積あたりの合計長さが20 mm以下
であることを特徴とする，優れた屈曲性を有するフレキ
シブルプリント回路基板用圧延銅箔。
れ，近年の装置の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性
への要求はより高度化している。本発明の目的は，従来
の圧延銅箔の屈曲性を改善することである 【解決手段】 再結晶焼鈍を行った後の圧延面と平行な
断面組織において，幅が30μｍ以上の結晶粒の面積率が
80%以上であること，および／または長さが5μmを超え
る双晶境界の1 mm2の面積あたりの合計長さが20 mm以下
であることを特徴とする，優れた屈曲性を有するフレキ
シブルプリント回路基板用圧延銅箔。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，フレキシブルプリント
回路基板（Flexible printed circuit）等の可撓性配線
部材の用途として好適な優れた屈曲性を有する圧延銅箔
に関するものである。
回路基板（Flexible printed circuit）等の可撓性配線
部材の用途として好適な優れた屈曲性を有する圧延銅箔
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機物を基材としたプリント配線基板
は，ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料
とする硬質銅張積層板（リジット）と，ポリミイドおよ
びポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層基
板（フレキシブル）とに大別され，プリント配線基板の
導電材としては主として銅箔が使用されている。
は，ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料
とする硬質銅張積層板（リジット）と，ポリミイドおよ
びポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層基
板（フレキシブル）とに大別され，プリント配線基板の
導電材としては主として銅箔が使用されている。
【０００３】銅箔はその製造方法の違いにより電解銅箔
と圧延銅箔に分類される。上記プリント配線基板のう
ち，フレキシブルプリント回路基板（FPC）は，樹脂基
板に銅箔をラミネートし，接着剤あるいは加熱加圧によ
り一体化して形成される。近年では高密度実装の有効な
手段として，ビルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板
が多く用いられている。このFPCの構成部材となる銅箔
には，主に圧延銅箔が用いられている。
と圧延銅箔に分類される。上記プリント配線基板のう
ち，フレキシブルプリント回路基板（FPC）は，樹脂基
板に銅箔をラミネートし，接着剤あるいは加熱加圧によ
り一体化して形成される。近年では高密度実装の有効な
手段として，ビルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板
が多く用いられている。このFPCの構成部材となる銅箔
には，主に圧延銅箔が用いられている。
【０００４】FPCは，プリンターのヘッド部やハードデ
ィスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる
場所に広く使用されれ，1００万回以上の屈曲が繰り返
される。このため，その素材となる圧延銅箔には高い屈
曲性が要求され，近年の装置の小型化や高水準化に伴
い，この屈曲性への要求はより高度化している。
ィスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる
場所に広く使用されれ，1００万回以上の屈曲が繰り返
される。このため，その素材となる圧延銅箔には高い屈
曲性が要求され，近年の装置の小型化や高水準化に伴
い，この屈曲性への要求はより高度化している。
【０００５】FPCに使用される銅箔の素材には，タフピ
ッチ銅（酸素含有量100〜500 ppm）または無酸素銅（酸
素含有量10 ppm以下）が用いられ，これらのインゴット
を熱間圧延した後，所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを
繰り返して製造する。その後，樹脂基板との接着性を向
上させるため，圧延銅箔には表面に粗化めっきが施され
る。粗化めっき後の銅箔は，裁断された後，樹脂基板と
貼り合わせる。
ッチ銅（酸素含有量100〜500 ppm）または無酸素銅（酸
素含有量10 ppm以下）が用いられ，これらのインゴット
を熱間圧延した後，所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを
繰り返して製造する。その後，樹脂基板との接着性を向
上させるため，圧延銅箔には表面に粗化めっきが施され
る。粗化めっき後の銅箔は，裁断された後，樹脂基板と
貼り合わせる。
【０００６】銅箔と樹脂との貼りあわせには，例えばエ
ポキシ等の熱硬化性樹脂からなる接着剤が用いられ，張
り合わせ後130〜170℃の温度で1〜2時間加熱して硬化さ
せる。つぎに，銅箔をエッチングして種々の配線パター
ンを形成する。その後，装置との接点部において，FPC
に組み込まれた銅箔に，折り曲げ加工等が行われる場合
もある。
ポキシ等の熱硬化性樹脂からなる接着剤が用いられ，張
り合わせ後130〜170℃の温度で1〜2時間加熱して硬化さ
せる。つぎに，銅箔をエッチングして種々の配線パター
ンを形成する。その後，装置との接点部において，FPC
に組み込まれた銅箔に，折り曲げ加工等が行われる場合
もある。
【０００７】銅箔の屈曲性は再結晶焼鈍を行うことによ
り圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍
状態でFPCの構成部材として使用されるが，この焼鈍は
粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか，樹脂基
板と接着する際の加熱で兼ねる。こうして銅箔は，再結
晶組織に調質された状態で，FPCの構成部材として使用
される。
り圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍
状態でFPCの構成部材として使用されるが，この焼鈍は
粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか，樹脂基
板と接着する際の加熱で兼ねる。こうして銅箔は，再結
晶組織に調質された状態で，FPCの構成部材として使用
される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように，FPC
素材となる銅箔には高い屈曲性が要求され，近年の装置
の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性への要求はより
高度化している。本発明の目的は，従来の圧延銅箔の屈
曲性を改善することである。
素材となる銅箔には高い屈曲性が要求され，近年の装置
の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性への要求はより
高度化している。本発明の目的は，従来の圧延銅箔の屈
曲性を改善することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち，本発明は，上記の
問題点を解決したものであり（１） 再結晶焼鈍を行っ
た後の圧延面と平行な断面組織において，幅が30μｍ以
上の結晶粒の面積率が80%以上であること，および／ま
たは長さが5μmを超える双晶境界の1 mm2の面積あたり
の合計長さが20 mm以下であることを特徴とする，優れ
た屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延
銅箔。（2）上記（１）に関わる銅箔が，酸素を100〜50
0 wt ppm含有するタフピッチ銅から製造され，厚みが5
〜50μmであり，圧延面と平行な断面組織において，直
径5μm以上の介在物が10個／mm2以下，直径１μm以上5
μm未満の介在物が5000個／mm2以下であることを特徴と
する，優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路
基板用圧延銅箔。
問題点を解決したものであり（１） 再結晶焼鈍を行っ
た後の圧延面と平行な断面組織において，幅が30μｍ以
上の結晶粒の面積率が80%以上であること，および／ま
たは長さが5μmを超える双晶境界の1 mm2の面積あたり
の合計長さが20 mm以下であることを特徴とする，優れ
た屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延
銅箔。（2）上記（１）に関わる銅箔が，酸素を100〜50
0 wt ppm含有するタフピッチ銅から製造され，厚みが5
〜50μmであり，圧延面と平行な断面組織において，直
径5μm以上の介在物が10個／mm2以下，直径１μm以上5
μm未満の介在物が5000個／mm2以下であることを特徴と
する，優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路
基板用圧延銅箔。
【００１０】（３）上記（１）に関わる銅箔が，酸素濃
度が10 wt ppm以下の無酸素銅から製造され，厚みが5〜
50μmであり，圧延面と平行な断面組織において，直径5
μm以上の介在物が10個／mm2以下，直径１μm以上5μm
未満の介在物が5000個／mm2以下であることを特徴とす
る，優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基
板用圧延銅箔。 （４）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを，熱
間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷
間圧延で銅箔に仕上げる製造プロセスにおいて，最終の
冷間圧延を圧延前の結晶粒径と圧延加工度が図１の斜線
で示した領域となる条件下で行い，優れた屈曲性を得る
ことを特徴とする上記（２）および（３）に関わる圧延
銅箔の製造方法に関するものである。
度が10 wt ppm以下の無酸素銅から製造され，厚みが5〜
50μmであり，圧延面と平行な断面組織において，直径5
μm以上の介在物が10個／mm2以下，直径１μm以上5μm
未満の介在物が5000個／mm2以下であることを特徴とす
る，優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基
板用圧延銅箔。 （４）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを，熱
間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷
間圧延で銅箔に仕上げる製造プロセスにおいて，最終の
冷間圧延を圧延前の結晶粒径と圧延加工度が図１の斜線
で示した領域となる条件下で行い，優れた屈曲性を得る
ことを特徴とする上記（２）および（３）に関わる圧延
銅箔の製造方法に関するものである。
【００１１】以下，本発明について具体的に説明する。
圧延銅箔の屈曲性を改善する方策として，最終圧延加工
度を大きくする製造工程が提案されている（特開平4-22
8553）。本発明者は，この発明の効果を検証する目的
で，最終圧延加工度を90〜97 %とした銅箔を製造し，そ
の屈曲性を評価したが，必ずしも満足できる屈曲性が安
定して得られなかった。
圧延銅箔の屈曲性を改善する方策として，最終圧延加工
度を大きくする製造工程が提案されている（特開平4-22
8553）。本発明者は，この発明の効果を検証する目的
で，最終圧延加工度を90〜97 %とした銅箔を製造し，そ
の屈曲性を評価したが，必ずしも満足できる屈曲性が安
定して得られなかった。
【００１２】その後，本発明者らは，優れた屈曲性を有
する圧延銅箔を安定して得るための方法について，金属
組織の観点から研究を行った。その結果，銅箔を焼鈍し
てFPCとして使用されるときの再結晶組織に調質した状
態において，結晶粒が大きく，双晶境界の少ない方が優
れた屈曲性が得られることを知見した。
する圧延銅箔を安定して得るための方法について，金属
組織の観点から研究を行った。その結果，銅箔を焼鈍し
てFPCとして使用されるときの再結晶組織に調質した状
態において，結晶粒が大きく，双晶境界の少ない方が優
れた屈曲性が得られることを知見した。
【００１３】図２は銅箔の圧延面に平行な断面の組織の
スケッチであり，(a)が屈曲性が悪い材料の典型的な
例，(b)が屈曲性が優れる材料の典型的な例である{(a)
と(b)では倍率が異なる}。曲線状の境界は結晶粒界に相
当し，直線状の境界は双晶境界（一部のものに矢印を付
した）に相当する。(a)と(b)を比較すると，屈曲性が優
れる(b)は，結晶粒が大きく双晶が少ないという明らか
な特徴を有する。
スケッチであり，(a)が屈曲性が悪い材料の典型的な
例，(b)が屈曲性が優れる材料の典型的な例である{(a)
と(b)では倍率が異なる}。曲線状の境界は結晶粒界に相
当し，直線状の境界は双晶境界（一部のものに矢印を付
した）に相当する。(a)と(b)を比較すると，屈曲性が優
れる(b)は，結晶粒が大きく双晶が少ないという明らか
な特徴を有する。
【００１４】本発明者らは屈曲中の銅箔の組織を詳細に
観察し，クラックの発生と伝播が結晶粒界または双晶の
境界で生じ，材料の破断に至ることを見出した。また，
結晶粒界と双晶境界を比較すると，双晶境界の方がクラ
ックの発生と伝播がより生じ易いことを見出した。ただ
し，これに寄与する双晶境界は長さが5μmを超えるもの
に限られた。これらのことより，結晶粒界の面積が少な
く（すなわち結晶粒が大きく），双晶境界が少ない材料
では，高い屈曲性が得られると推測した。
観察し，クラックの発生と伝播が結晶粒界または双晶の
境界で生じ，材料の破断に至ることを見出した。また，
結晶粒界と双晶境界を比較すると，双晶境界の方がクラ
ックの発生と伝播がより生じ易いことを見出した。ただ
し，これに寄与する双晶境界は長さが5μmを超えるもの
に限られた。これらのことより，結晶粒界の面積が少な
く（すなわち結晶粒が大きく），双晶境界が少ない材料
では，高い屈曲性が得られると推測した。
【００１５】一方，タフピッチ銅は100〜500 wt ppmの
範囲で酸素を含有するほか，10〜100 wt ppmの範囲で酸
素以外の不可避的不純物を含有する。また，無酸素銅の
酸素量は10 ppm以下であるが，10〜100 wt ppmの酸素以
外の不可避的不純物を含有する。これら銅以外の元素の
一部は，銅中で介在物（晶出物，析出物）を形成する
が，この介在物のうち直径が1μm以上のものは再結晶焼
鈍後の組織の形態に影響を及ぼし，また直径が5μm以上
のものは屈曲時にクラックの起点として作用することに
より屈曲性を低下させた。そこで，優れた屈曲性を得る
ためには，これら介在物の個数を所定のレベル以下に規
定する必要があった。
範囲で酸素を含有するほか，10〜100 wt ppmの範囲で酸
素以外の不可避的不純物を含有する。また，無酸素銅の
酸素量は10 ppm以下であるが，10〜100 wt ppmの酸素以
外の不可避的不純物を含有する。これら銅以外の元素の
一部は，銅中で介在物（晶出物，析出物）を形成する
が，この介在物のうち直径が1μm以上のものは再結晶焼
鈍後の組織の形態に影響を及ぼし，また直径が5μm以上
のものは屈曲時にクラックの起点として作用することに
より屈曲性を低下させた。そこで，優れた屈曲性を得る
ためには，これら介在物の個数を所定のレベル以下に規
定する必要があった。
【００１６】つぎに，本発明者らは上記の組織を有する
銅箔を工業的に得るための方法について研究を行い，最
終の冷間圧延における圧延前の結晶粒径と圧延加工度を
図１の斜線の領域にする必要があることを知見した。斜
線の領域とは，加工度と結晶粒径がそれぞれ（90%，5μ
m），（96.7%，5μm），（100%，15μm），（100%，40
μm）および（90%，10μm）の５点を直線を結んだ範囲
の内側である。
銅箔を工業的に得るための方法について研究を行い，最
終の冷間圧延における圧延前の結晶粒径と圧延加工度を
図１の斜線の領域にする必要があることを知見した。斜
線の領域とは，加工度と結晶粒径がそれぞれ（90%，5μ
m），（96.7%，5μm），（100%，15μm），（100%，40
μm）および（90%，10μm）の５点を直線を結んだ範囲
の内側である。
【００１７】本発明に関わる圧延銅箔の限定理由を以下
に示す。長さが5μmを超える双晶境界の 1 mm2の面積あ
たりの合計長さを20 mm以下に規定した理由，および粒
径が30μｍ以上の結晶粒の面積率を80%以上に規定した
理由は，優れた屈曲性を得るためである。なお，ここで
いう結晶粒の幅とは，結晶粒の幅の最大値を指し（図２
のＣの長さをいう）。これら両条件のいずれかが満たさ
れていれば所望の屈曲性は得られるが，両条件がともに
満たされた方がより優れた屈曲性が得られる。一方，両
条件がともに満たされない場合には，屈曲中のクラック
の発生および伝播が著しくなり，屈曲性が顕著に低下す
る。
に示す。長さが5μmを超える双晶境界の 1 mm2の面積あ
たりの合計長さを20 mm以下に規定した理由，および粒
径が30μｍ以上の結晶粒の面積率を80%以上に規定した
理由は，優れた屈曲性を得るためである。なお，ここで
いう結晶粒の幅とは，結晶粒の幅の最大値を指し（図２
のＣの長さをいう）。これら両条件のいずれかが満たさ
れていれば所望の屈曲性は得られるが，両条件がともに
満たされた方がより優れた屈曲性が得られる。一方，両
条件がともに満たされない場合には，屈曲中のクラック
の発生および伝播が著しくなり，屈曲性が顕著に低下す
る。
【００１８】銅箔の厚みについては，薄いほど曲げ部の
外周に生じる歪みが減少するため，屈曲性が向上する。
銅箔の厚さが50μmを超えると，上記のように組織を調
整しても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さ
を5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断な
どにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚み
を5〜50μmとした。
外周に生じる歪みが減少するため，屈曲性が向上する。
銅箔の厚さが50μmを超えると，上記のように組織を調
整しても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さ
を5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断な
どにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚み
を5〜50μmとした。
【００１９】銅箔中の直径5μm以上の介在物個数を，10
個／mm2以下に規制した理由は，直径5μm以上の介在物
が屈曲の際のクラックの起点として作用し，この個数が
10個／mm2を超えると屈曲性の低下が著しくなるためで
ある。また，直径が１〜５μmの介在物個数を5000個／m
m2以下に規定した理由は，5000個／mm2を超えると上記
の再結晶組織が得られないためである。なお，介在物の
直径は，介在物の形が楕円状，棒状，線状などの場合に
は，図３に示すごとく短軸(L1)と長軸(L2)の平均値 {L=
(L1+L2)／2)}で定義した。ここで，介在物とは銅以外の
異物あるいは不純物相を指し，溶解の際の溶湯中への耐
火物等の異物の混入，鋳造の際の凝固過程での不純物の
晶出，鋳造や熱処理の際の冷却過程での不純物の析出等
が成因である。また，介在物の種類としては，酸化物，
硫化物，りん化物等の非金属介在物および金属間化合
物，金属析出物等の金属介在物がある。
個／mm2以下に規制した理由は，直径5μm以上の介在物
が屈曲の際のクラックの起点として作用し，この個数が
10個／mm2を超えると屈曲性の低下が著しくなるためで
ある。また，直径が１〜５μmの介在物個数を5000個／m
m2以下に規定した理由は，5000個／mm2を超えると上記
の再結晶組織が得られないためである。なお，介在物の
直径は，介在物の形が楕円状，棒状，線状などの場合に
は，図３に示すごとく短軸(L1)と長軸(L2)の平均値 {L=
(L1+L2)／2)}で定義した。ここで，介在物とは銅以外の
異物あるいは不純物相を指し，溶解の際の溶湯中への耐
火物等の異物の混入，鋳造の際の凝固過程での不純物の
晶出，鋳造や熱処理の際の冷却過程での不純物の析出等
が成因である。また，介在物の種類としては，酸化物，
硫化物，りん化物等の非金属介在物および金属間化合
物，金属析出物等の金属介在物がある。
【００2０】銅箔を製造する際の最終圧延での圧延前の
結晶粒径および圧延加工度を，図１の斜線の領域に規定
した理由は，優れた屈曲性が得られる上記の再結晶組織
を得るためである。最終冷間圧延をこの範囲の上方なら
びに左方に外れる条件で行った場合には，介在物を如何
に制御しても，所望の屈曲性が得られない。また，この
範囲を下方に外れる条件で行ったときには再結晶後の伸
びが低下する。
結晶粒径および圧延加工度を，図１の斜線の領域に規定
した理由は，優れた屈曲性が得られる上記の再結晶組織
を得るためである。最終冷間圧延をこの範囲の上方なら
びに左方に外れる条件で行った場合には，介在物を如何
に制御しても，所望の屈曲性が得られない。また，この
範囲を下方に外れる条件で行ったときには再結晶後の伸
びが低下する。
【００2１】
【実施例】以下，本発明の様態を実施例により説明す
る。厚さ200 mm，幅600 mmのタフピッチ銅（酸素濃度10
0〜500 wt ppm）および無酸素銅インゴット（酸素濃度1
0 ppm以下）を製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延し
た。
る。厚さ200 mm，幅600 mmのタフピッチ銅（酸素濃度10
0〜500 wt ppm）および無酸素銅インゴット（酸素濃度1
0 ppm以下）を製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延し
た。
【００２２】つぎに，焼鈍と冷間圧延を繰り返し，厚さ
t0 mmの圧延上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結
晶させ，酸化スケールを除去した後，所定の厚みt mmま
で冷間圧延した。ここで，最後の冷間圧延での加工度は
ｘは，
t0 mmの圧延上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結
晶させ，酸化スケールを除去した後，所定の厚みt mmま
で冷間圧延した。ここで，最後の冷間圧延での加工度は
ｘは，
【数１】ｘ = (t0−t) / t0 × 100 (%) で与えられる。また，圧延前の結晶粒径（その直前の焼
鈍における，焼鈍後の結晶粒径）を，圧延方向に直角な
断面において切断法で測定した。
鈍における，焼鈍後の結晶粒径）を，圧延方向に直角な
断面において切断法で測定した。
【００２３】このように種々の中間焼鈍条件および最終
圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評
価した。 （１）組織の観察 試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，りん酸
中で銅箔試料を正極として電解研磨を行なった。その
後，走査型電子顕微鏡を用いて，圧延面の反射電子像
（COPMO像）を写真撮影し，写真上で結晶粒の形態を観
察した。図２に示したように直線状の境界が双晶境界で
あり，長さが5μmを超える双晶境界について個々の長さ
を測定して合計し，1mm2当たりの長さに換算した。また
結晶粒の幅は最大値で評価した（図２参照）。
圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評
価した。 （１）組織の観察 試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，りん酸
中で銅箔試料を正極として電解研磨を行なった。その
後，走査型電子顕微鏡を用いて，圧延面の反射電子像
（COPMO像）を写真撮影し，写真上で結晶粒の形態を観
察した。図２に示したように直線状の境界が双晶境界で
あり，長さが5μmを超える双晶境界について個々の長さ
を測定して合計し，1mm2当たりの長さに換算した。また
結晶粒の幅は最大値で評価した（図２参照）。
【００２４】（２）介在物の観察 試料を200℃で30分間加熱した後，圧延面を機械研磨し
て鏡面に仕上げた。その後，走査型電子顕微鏡を用い
て，圧延面の２次電子像を写真撮影し，写真上で介在物
の個数を計測した。介在物の直径は図３に示す方法で測
定した。
て鏡面に仕上げた。その後，走査型電子顕微鏡を用い
て，圧延面の２次電子像を写真撮影し，写真上で介在物
の個数を計測した。介在物の直径は図３に示す方法で測
定した。
【００２５】（３）屈曲性 試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，図４に
示す装置により，屈曲疲労寿命の測定を行った。この装
置は，発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造に
なっており，被試験銅箔は１は，矢印で示したねじ２の
部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部
３が上下に駆動すると，銅箔１の中間部は，所定の曲率
半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では，以下の
条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求め
た。 試験片幅12.7 mm，試験片長さ：200 mm，試験片採取方
向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採
取，曲率半径r：2.5 mm，振動ストローク：25mm，振動
速度：1500回／分 なお，屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に，優れた屈曲
性を有していると判断した。また，この試験は加速試験
であり，実際にＦＰＣが使用される条件よりも厳しい条
件で行っている。
示す装置により，屈曲疲労寿命の測定を行った。この装
置は，発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造に
なっており，被試験銅箔は１は，矢印で示したねじ２の
部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部
３が上下に駆動すると，銅箔１の中間部は，所定の曲率
半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では，以下の
条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求め
た。 試験片幅12.7 mm，試験片長さ：200 mm，試験片採取方
向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採
取，曲率半径r：2.5 mm，振動ストローク：25mm，振動
速度：1500回／分 なお，屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に，優れた屈曲
性を有していると判断した。また，この試験は加速試験
であり，実際にＦＰＣが使用される条件よりも厳しい条
件で行っている。
【００２６】（４）伸び 試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，引張方
向が圧延方向と平行になるように引張試験を行なった。
試料の形状は，幅12.7 mm，長さ150 mmとし，評点間距
離を50 mmとして伸びを測定した。目標の伸びは10%以上
とした。表１に評価した試料の加工履歴，介在物個数，
組織および屈曲性を示す。
向が圧延方向と平行になるように引張試験を行なった。
試料の形状は，幅12.7 mm，長さ150 mmとし，評点間距
離を50 mmとして伸びを測定した。目標の伸びは10%以上
とした。表１に評価した試料の加工履歴，介在物個数，
組織および屈曲性を示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】本発明に関わるNo.1〜19の圧延銅箔は，3
万回以上の優れた屈曲性を有している。また，結晶粒の
規定条件と双晶境界の規定条件の双方を満たしているも
のは，一方だけしか満たしていないものと比較して屈曲
回数が多いことがわかる。
万回以上の優れた屈曲性を有している。また，結晶粒の
規定条件と双晶境界の規定条件の双方を満たしているも
のは，一方だけしか満たしていないものと比較して屈曲
回数が多いことがわかる。
【００２９】一方比較例のNo.1および2は，製造プロセ
スは規定の範囲であるが，直径1〜5μmの介在物個数が5
000個／mm2を超えているため，粒径30μm以上の結晶粒
の面積率が80%より小さく，さらに双晶境界の1mm2当た
りの合計長さが20 mmを超えており，屈曲回数が3満回に
満たない。比較例のNo.3は，結晶粒の規定条件と双晶境
界の規定条件の双方を満たしているものの，直径5μm以
上の介在物個数が10個／mm2を超えているため，この大
きな介在物がクラックの起点となり，屈曲回数が３万回
に満たない。
スは規定の範囲であるが，直径1〜5μmの介在物個数が5
000個／mm2を超えているため，粒径30μm以上の結晶粒
の面積率が80%より小さく，さらに双晶境界の1mm2当た
りの合計長さが20 mmを超えており，屈曲回数が3満回に
満たない。比較例のNo.3は，結晶粒の規定条件と双晶境
界の規定条件の双方を満たしているものの，直径5μm以
上の介在物個数が10個／mm2を超えているため，この大
きな介在物がクラックの起点となり，屈曲回数が３万回
に満たない。
【００３０】比較例のNo.4〜6は，介在物個数は規定の
範囲であるが，圧延前の結晶粒径と圧延加工度が図１の
斜線の領域から上方または左方に外れているため，粒径
30μm以上の結晶粒の面積率が80%より小さく，さらに双
晶境界の1 mm2当たりの合計長さが20mmを超えており，
屈曲回数が3万回に満たない。また，比較例のNo.7は圧
延前の結晶粒径と圧延加工度が図１の斜線の領域から下
方に外れているため，屈曲性は良好であるが伸びが10%
に満たない。比較例のNo.8は銅箔の厚みが50μmを超え
ているために，所望の組織は得られているが屈曲回数が
著しく少ない。
範囲であるが，圧延前の結晶粒径と圧延加工度が図１の
斜線の領域から上方または左方に外れているため，粒径
30μm以上の結晶粒の面積率が80%より小さく，さらに双
晶境界の1 mm2当たりの合計長さが20mmを超えており，
屈曲回数が3万回に満たない。また，比較例のNo.7は圧
延前の結晶粒径と圧延加工度が図１の斜線の領域から下
方に外れているため，屈曲性は良好であるが伸びが10%
に満たない。比較例のNo.8は銅箔の厚みが50μmを超え
ているために，所望の組織は得られているが屈曲回数が
著しく少ない。
【００３１】
【発明の効果】本発明は，優れた屈曲性を有し，フレキ
シブルプリント回路基板等の可撓性配線部材として最適
な圧延銅箔およびその有効な製造方法を提供するもので
ある。もちろんこの銅箔は，リチウムイオン電池の電極
などのフレキシブルプリント回路以外の用途にも好適で
ある。
シブルプリント回路基板等の可撓性配線部材として最適
な圧延銅箔およびその有効な製造方法を提供するもので
ある。もちろんこの銅箔は，リチウムイオン電池の電極
などのフレキシブルプリント回路以外の用途にも好適で
ある。
【図１】圧延加工度と圧延前の結晶粒径との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図２】圧延面と平行な断面組織図である。 （ａ）屈曲性が悪い材料の組織図 （ｂ）屈曲性が良い材料の組織図
【図３】介在物の直径（Ｌ）の定義した図である。 （ａ）介在物の形状が線状の場合 （ｂ）介在物の形状が楕円状の場合 （ｃ）介在物の形状が棒状の場合
【図４】屈曲疲労寿命の測定を行うために使用した屈曲
試験装置の説明図である。
試験装置の説明図である。
１ 銅箔 ２ ねじ 振動伝達部材 発振駆動体 Ｃ ＜…………‥＞ 結晶粒の幅 ｄ ← 双晶境界 Ｌ１ 短軸 Ｌ２ 長軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９４ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９４Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】 再結晶焼鈍を行った後の圧延面と平行な
断面組織において，幅が30μｍ以上の結晶粒の面積率が
80%以上であること，および／または長さが5μmを超え
る双晶境界の1 mm2の面積あたりの合計長さが20 mm以下
であることを特徴とする，優れた屈曲性を有するフレキ
シブルプリント回路基板用圧延銅箔。 - 【請求項2】請求項１に関わる銅箔が，酸素を100〜500
wt ppm含有するタフピッチ銅から製造され，厚みが5〜5
0μmであり，圧延面と平行な断面組織において，直径5
μm以上の介在物が10個／mm2以下，直径１μm以上5μm
未満の介在物が5000個／mm2以下であることを特徴とす
る，優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基
板用圧延銅箔。 - 【請求項３】請求項１に関わる銅箔が，酸素濃度が10 w
t ppm以下の無酸素銅から製造され，厚みが5〜50μmで
あり，圧延面と平行な断面組織において，直径5μm以上
の介在物が10個／mm2以下，直径１μm以上5μm未満の介
在物が5000個／mm2以下であることを特徴とする，優れ
た屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延
銅箔。 - 【請求項４】タフピッチ銅または無酸素銅のインゴット
を，熱間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最
後に冷間圧延で銅箔に仕上げる製造プロセスにおいて，
最終の冷間圧延を圧延前の結晶粒径と圧延加工度が図１
の斜線で示した領域となる条件下で行い，優れた屈曲性
を得ることを特徴とする請求項２および請求項３に関わ
る圧延銅箔の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP06070799A JP3859384B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 屈曲性に優れるフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法 |
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001048272A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Trace metallique cuivre electrolytique |
| JP2005187885A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nikko Metal Manufacturing Co Ltd | 疲労特性に優れたチタン銅条 |
| EP1630239A1 (en) | 2004-08-30 | 2006-03-01 | Dowa Mining Co., Ltd. | Copper alloy and method of manufacturing the same |
| JP2008038169A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Sumitomo Kinzoku Kozan Shindo Kk | 圧延銅箔 |
| WO2008050584A1 (fr) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Feuille de cuivre enroulee presentant une excellente resistance a la flexion |
| US7789977B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-09-07 | Hitachi Cable, Ltd. | Rolled copper foil and manufacturing method thereof |
| JP2011070830A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | せん断加工性に優れる圧延銅箔ならびにこれを用いた負極集電体、負極板および二次電池 |
| JP2012012621A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Mitsui Sumitomo Metal Mining Brass & Copper Co Ltd | 圧延銅箔およびその製造方法 |
| US8221897B2 (en) | 2007-07-11 | 2012-07-17 | Hitachi Cable, Ltd. | Rolled copper foil |
| US20130075272A1 (en) * | 2010-03-30 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Highly pure copper anode for electrolytic copper plating, method for manufacturing same, and electrolytic copper plating method |
| CN103418615A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 株式会社Sh铜业 | 轧制铜箔 |
| CN103596879A (zh) * | 2011-06-02 | 2014-02-19 | Jx日矿日石金属株式会社 | 石墨烯制造用铜箔以及石墨烯的制造方法 |
| EP2716602A4 (en) * | 2011-06-02 | 2015-06-10 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | COPPER FILM FOR GRAPH PRODUCTION AND GRAPH PRODUCTION PROCESS |
| CN104789813A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-07-22 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 一种led封装用超细键合铜合金丝及其制造方法 |
| US9359212B2 (en) | 2011-11-15 | 2016-06-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for producing graphene and method of producing graphene using the same |
| US9840757B2 (en) | 2014-06-13 | 2017-12-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Rolled copper foil for producing two-dimensional hexagonal lattice compound and method of producing two-dimensional hexagonal lattice compound |
| USRE47195E1 (en) | 2011-02-18 | 2019-01-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for producing graphene and method of producing graphene using the same |
| WO2024014170A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2024014171A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP06070799A patent/JP3859384B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001048272A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Trace metallique cuivre electrolytique |
| US6544663B1 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil |
| JP2005187885A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nikko Metal Manufacturing Co Ltd | 疲労特性に優れたチタン銅条 |
| US7563408B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-07-21 | Dowa Metaltech Co., Ltd. | Copper alloy and method of manufacturing the same |
| EP1630239A1 (en) | 2004-08-30 | 2006-03-01 | Dowa Mining Co., Ltd. | Copper alloy and method of manufacturing the same |
| JP2008038169A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Sumitomo Kinzoku Kozan Shindo Kk | 圧延銅箔 |
| WO2008050584A1 (fr) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Feuille de cuivre enroulee presentant une excellente resistance a la flexion |
| JPWO2008050584A1 (ja) * | 2006-10-24 | 2010-02-25 | 日鉱金属株式会社 | 耐屈曲性に優れた圧延銅箔 |
| JP4704474B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2011-06-15 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 耐屈曲性に優れた圧延銅箔 |
| US7789977B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-09-07 | Hitachi Cable, Ltd. | Rolled copper foil and manufacturing method thereof |
| US8221897B2 (en) | 2007-07-11 | 2012-07-17 | Hitachi Cable, Ltd. | Rolled copper foil |
| JP2011070830A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | せん断加工性に優れる圧延銅箔ならびにこれを用いた負極集電体、負極板および二次電池 |
| US20130075272A1 (en) * | 2010-03-30 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Highly pure copper anode for electrolytic copper plating, method for manufacturing same, and electrolytic copper plating method |
| JP2012012621A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Mitsui Sumitomo Metal Mining Brass & Copper Co Ltd | 圧延銅箔およびその製造方法 |
| USRE47195E1 (en) | 2011-02-18 | 2019-01-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for producing graphene and method of producing graphene using the same |
| US9487404B2 (en) | 2011-06-02 | 2016-11-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for producing graphene and method of producing graphene using the same |
| EP2716602A4 (en) * | 2011-06-02 | 2015-06-10 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | COPPER FILM FOR GRAPH PRODUCTION AND GRAPH PRODUCTION PROCESS |
| EP2716601A4 (en) * | 2011-06-02 | 2015-06-10 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | COPPER FILM FOR GRAPH PRODUCTION AND GRAPH PRODUCTION PROCESS |
| US9255007B2 (en) | 2011-06-02 | 2016-02-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for producing graphene and method of producing graphene using the same |
| CN103596879A (zh) * | 2011-06-02 | 2014-02-19 | Jx日矿日石金属株式会社 | 石墨烯制造用铜箔以及石墨烯的制造方法 |
| US9359212B2 (en) | 2011-11-15 | 2016-06-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for producing graphene and method of producing graphene using the same |
| CN103418615A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 株式会社Sh铜业 | 轧制铜箔 |
| US9840757B2 (en) | 2014-06-13 | 2017-12-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Rolled copper foil for producing two-dimensional hexagonal lattice compound and method of producing two-dimensional hexagonal lattice compound |
| CN104789813A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-07-22 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 一种led封装用超细键合铜合金丝及其制造方法 |
| WO2024014170A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2024014168A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2024014172A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2024014173A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| WO2024014171A1 (ja) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 圧延銅箔、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部品の製造方法 |
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