JP2000252406A - 電子回路装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＩＣベアチップ上に被覆するシリ
コーン被覆部材の厚みを制御して、ボンディングワイヤ
の腐食を防止するとともに、ボンディングワイヤの剥離
・倒れを防止することができる電子部品装置を提供す
る。 【解決手段】ＩＣベアチップ２、３と配線基板１の所定
配線パターン２２、３２とを接続するボンディングワイ
ヤ２０、３０以外に、２つのＩＣベアチップ２、３との
間の領域に、また、例えばＩＣベアチップ２の一対の辺
に各々平行に、さらに、例えばＩＣベアチップ３を対角
線上で跨ぐように、ダミー用ボンディングワイヤ４、
５、６を形成した。
コーン被覆部材の厚みを制御して、ボンディングワイヤ
の腐食を防止するとともに、ボンディングワイヤの剥離
・倒れを防止することができる電子部品装置を提供す
る。 【解決手段】ＩＣベアチップ２、３と配線基板１の所定
配線パターン２２、３２とを接続するボンディングワイ
ヤ２０、３０以外に、２つのＩＣベアチップ２、３との
間の領域に、また、例えばＩＣベアチップ２の一対の辺
に各々平行に、さらに、例えばＩＣベアチップ３を対角
線上で跨ぐように、ダミー用ボンディングワイヤ４、
５、６を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板上にＩＣ
ベアチップを搭載し、所定配線パターンとの間をボンデ
ィングワイヤで接続して成る電子回路装置に関するもの
である。
ベアチップを搭載し、所定配線パターンとの間をボンデ
ィングワイヤで接続して成る電子回路装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣベアチップは、樹脂モールド
により、またセラミックパッケージなどの容器に収容し
て、配線基板上に実装されていた。しかし、電子機器・
通信機器などの小型化に伴い、絶縁基板に所定配線パタ
ーンを形成した配線基板上に、直接ＩＣベアチップを搭
載し、ＩＣベアチップと所定配線パターンとの間をワイ
ヤボンディング技術によって接続した構造の電子回路装
置が使用されている。
により、またセラミックパッケージなどの容器に収容し
て、配線基板上に実装されていた。しかし、電子機器・
通信機器などの小型化に伴い、絶縁基板に所定配線パタ
ーンを形成した配線基板上に、直接ＩＣベアチップを搭
載し、ＩＣベアチップと所定配線パターンとの間をワイ
ヤボンディング技術によって接続した構造の電子回路装
置が使用されている。
【０００３】このようなＩＣベアチップ及びボンディン
グワイヤは、絶縁保護、外部からの機械的な衝撃、腐食
などを防止するために、ゲル状シリコーン樹脂やゴム状
シリコーン樹脂（以下、これらをシリコーン被覆部材と
いう）によって被覆していた。
グワイヤは、絶縁保護、外部からの機械的な衝撃、腐食
などを防止するために、ゲル状シリコーン樹脂やゴム状
シリコーン樹脂（以下、これらをシリコーン被覆部材と
いう）によって被覆していた。
【０００４】このシリコーン被覆部材でＩＣベアチップ
及びボンディングワイヤを完全に被覆するために、配線
基板上にＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを囲う
枠体部材を設け、この枠体内にシリコーン被覆部材を充
填・硬化していた。また、配線基板の表面に凹部を設
け、この凹部の底面にＩＣベアチップを搭載し、ボンデ
ィングワイヤで電気的な接続処理を施し、凹部内にシリ
コーン被覆部材を充填・硬化していた。
及びボンディングワイヤを完全に被覆するために、配線
基板上にＩＣベアチップ及びボンディングワイヤを囲う
枠体部材を設け、この枠体内にシリコーン被覆部材を充
填・硬化していた。また、配線基板の表面に凹部を設
け、この凹部の底面にＩＣベアチップを搭載し、ボンデ
ィングワイヤで電気的な接続処理を施し、凹部内にシリ
コーン被覆部材を充填・硬化していた。
【０００５】しかし、上述の枠体を用いたり、また、基
板の表面に凹部を形成したりして、シリコーン被覆部材
の被覆領域を規定する構造では、部品点数が増加した
り、基板の構造が複雑になったりして、低コストが困難
であった。
板の表面に凹部を形成したりして、シリコーン被覆部材
の被覆領域を規定する構造では、部品点数が増加した
り、基板の構造が複雑になったりして、低コストが困難
であった。
【０００６】こに対して、シリコーン被覆部材の液粘性
などを制御して、枠体部材や凹部を設けず、配線基板上
に直接搭載したＩＣベアチップ及びボンディングワイヤ
にシリコーン被覆部材で被覆することも提案されている
（特開平１０−５０８９６号、特開平１０−４１４３８
号）。
などを制御して、枠体部材や凹部を設けず、配線基板上
に直接搭載したＩＣベアチップ及びボンディングワイヤ
にシリコーン被覆部材で被覆することも提案されている
（特開平１０−５０８９６号、特開平１０−４１４３８
号）。
【０００７】しかし、配線基板上にＩＣベアチップを搭
載し、ボンディングワイヤを形成して、その上部にシリ
コーン被覆部材で被覆するにあたり、シリコン被覆部材
がＩＣベアチップ及び該ＩＣベアチップと接合するボン
ディングワイヤを完全被覆する必要があり、そのため枠
体に代わる低背の半田レジスト膜を形成したり、ＩＣベ
アチップの形状の角部を削除したりしていた。
載し、ボンディングワイヤを形成して、その上部にシリ
コーン被覆部材で被覆するにあたり、シリコン被覆部材
がＩＣベアチップ及び該ＩＣベアチップと接合するボン
ディングワイヤを完全被覆する必要があり、そのため枠
体に代わる低背の半田レジスト膜を形成したり、ＩＣベ
アチップの形状の角部を削除したりしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際には、配
線基板上にボンディングワイヤで接合した状態のＩＣベ
アチップを搭載し、シリコーン被覆部材で被覆した場合
に、以下の２つの問題は完全に解決されるに至らなかっ
た。
線基板上にボンディングワイヤで接合した状態のＩＣベ
アチップを搭載し、シリコーン被覆部材で被覆した場合
に、以下の２つの問題は完全に解決されるに至らなかっ
た。
【０００９】１つは、ＩＣベアチップ及びボンディング
ワイヤを被覆するシリコーン被覆部材となる前駆体液
（シリコーン被覆部材を形成するための供給した樹脂
液）は、その供給時において配線基板上に平面方向に拡
がり、その結果、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部
材の厚みが薄くなってしまう。その結果、ＩＣベアチッ
プに接合したボンディングワイヤの頂点部分が外部に露
出し、ボンディングワイヤの腐食が発生してしまう。同
時に、十分な厚みが得られず、耐衝撃性が低下してしま
う。
ワイヤを被覆するシリコーン被覆部材となる前駆体液
（シリコーン被覆部材を形成するための供給した樹脂
液）は、その供給時において配線基板上に平面方向に拡
がり、その結果、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部
材の厚みが薄くなってしまう。その結果、ＩＣベアチッ
プに接合したボンディングワイヤの頂点部分が外部に露
出し、ボンディングワイヤの腐食が発生してしまう。同
時に、十分な厚みが得られず、耐衝撃性が低下してしま
う。
【００１０】今１は、逆にＩＣベアチップ上に供給した
シリコーン被覆部材が厚くなりすぎると、外部の衝撃に
より、シリコーン被覆部材が樹脂振動してしまう。そし
て、この振動による応力は、ボンディングワイヤに加わ
り、ボンディングワイヤの断線、剥離、ボンディングワ
イヤ倒れなどを発生してしまう。
シリコーン被覆部材が厚くなりすぎると、外部の衝撃に
より、シリコーン被覆部材が樹脂振動してしまう。そし
て、この振動による応力は、ボンディングワイヤに加わ
り、ボンディングワイヤの断線、剥離、ボンディングワ
イヤ倒れなどを発生してしまう。
【００１１】特に、同一平面上に配線基板上に、頂点高
さが異なるボンディングワイヤによって接続された２つ
のＩＣベアチップ（一方が信号処理系のＩＣベアチッ
プ、他方が電力処理系ＩＣベアチップ）を夫々隣接配置
し、該２つのＩＣベアチップ上に連続したシリコーン被
覆部材で被覆してなる電子回路装置では、夫々のシリコ
ーン被覆部材の高さを制御しないと、上述の問題点がい
ずれかの問題が発生してしまう。
さが異なるボンディングワイヤによって接続された２つ
のＩＣベアチップ（一方が信号処理系のＩＣベアチッ
プ、他方が電力処理系ＩＣベアチップ）を夫々隣接配置
し、該２つのＩＣベアチップ上に連続したシリコーン被
覆部材で被覆してなる電子回路装置では、夫々のシリコ
ーン被覆部材の高さを制御しないと、上述の問題点がい
ずれかの問題が発生してしまう。
【００１２】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、ＩＣベアチップ上に被覆す
るシリコーン被覆部材の厚みを制御して、ボンディング
ワイヤの腐食を防止するとともに、ボンディングワイヤ
の断線・剥離・倒れを防止することができる電子部品装
置を提供することにある。
たものであり、その目的は、ＩＣベアチップ上に被覆す
るシリコーン被覆部材の厚みを制御して、ボンディング
ワイヤの腐食を防止するとともに、ボンディングワイヤ
の断線・剥離・倒れを防止することができる電子部品装
置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、配線基板
上に、頂点部の高さが異なるボンディングワイヤによっ
て接続された少なくとも２つのＩＣベアチップを隣接配
置するとともに、前記２つのＩＣベアチップ及びボンデ
ィングワイヤを樹脂（シリコーン被覆部材）で被覆して
なる電子回路装置において、前記２つのＩＣベアチップ
間の配線基板領域に、第１のダミー用ボンディングワイ
ヤを前記２つのＩＣベアチップを横切る方向に配設する
とともに、頂点部の高いボンディングワイヤが接続され
たＩＣベアチップ外周の配線基板領域に、前記第１のダ
ミー用ボンディングワイヤと略直交する方向に一対の第
２のダミー用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ
前記頂点部の高いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ
1 、頂点部の低いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ
2 、第１のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さを
Ｈ3 、第２のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さ
をＨ4 とした時、各々の高さがＨ4 ＞Ｈ1 であり、且つ
Ｈ4 ＞Ｈ3 ＞Ｈ2 である電子回路装置である。
上に、頂点部の高さが異なるボンディングワイヤによっ
て接続された少なくとも２つのＩＣベアチップを隣接配
置するとともに、前記２つのＩＣベアチップ及びボンデ
ィングワイヤを樹脂（シリコーン被覆部材）で被覆して
なる電子回路装置において、前記２つのＩＣベアチップ
間の配線基板領域に、第１のダミー用ボンディングワイ
ヤを前記２つのＩＣベアチップを横切る方向に配設する
とともに、頂点部の高いボンディングワイヤが接続され
たＩＣベアチップ外周の配線基板領域に、前記第１のダ
ミー用ボンディングワイヤと略直交する方向に一対の第
２のダミー用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ
前記頂点部の高いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ
1 、頂点部の低いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ
2 、第１のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さを
Ｈ3 、第２のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さ
をＨ4 とした時、各々の高さがＨ4 ＞Ｈ1 であり、且つ
Ｈ4 ＞Ｈ3 ＞Ｈ2 である電子回路装置である。
【００１４】このような構成により、ＩＣベアチップ及
びボンディングワイヤを被覆するシリコーン被覆部材と
なる前駆体液を供給した時、前駆体液はその表面張力に
より各ボンディングワイヤにまとわりついて保持され
る。その結果、シリコーン被覆部材の表面は、一方のＩ
Ｃベアチップ（電力処理系ＩＣベアチップでボンディン
グワイヤが太く、頂点部の高さが高い側のＩＣベアチッ
プ）から他方のＩＣベアチップ（信号処理系ＩＣベアチ
ップでボンディングワイヤが細く、頂点部の高さが低い
側のＩＣベアチップ）にかけて傾斜することになる。そ
して、第１ダミー用ボンディングワイヤ及び第１ダミー
用ボンディングワイヤを有する本発明の構造では、シリ
コーン被覆部材の表面は、第２のダミー用ボンディング
ワイヤから第１のダミー用ボンディングワイヤにかけて
急勾配の傾斜面となり、第１のダミー用ボンディングワ
イヤから他方のＩＣベアチップのボンディングワイヤに
かけて緩やかな傾斜面となる。
びボンディングワイヤを被覆するシリコーン被覆部材と
なる前駆体液を供給した時、前駆体液はその表面張力に
より各ボンディングワイヤにまとわりついて保持され
る。その結果、シリコーン被覆部材の表面は、一方のＩ
Ｃベアチップ（電力処理系ＩＣベアチップでボンディン
グワイヤが太く、頂点部の高さが高い側のＩＣベアチッ
プ）から他方のＩＣベアチップ（信号処理系ＩＣベアチ
ップでボンディングワイヤが細く、頂点部の高さが低い
側のＩＣベアチップ）にかけて傾斜することになる。そ
して、第１ダミー用ボンディングワイヤ及び第１ダミー
用ボンディングワイヤを有する本発明の構造では、シリ
コーン被覆部材の表面は、第２のダミー用ボンディング
ワイヤから第１のダミー用ボンディングワイヤにかけて
急勾配の傾斜面となり、第１のダミー用ボンディングワ
イヤから他方のＩＣベアチップのボンディングワイヤに
かけて緩やかな傾斜面となる。
【００１５】これにより、一方のＩＣベアチップにおい
て、このＩＣベアチップに接合するボンディングワイヤ
は、第２のダミー用ボンディングワイヤの存在により、
シリコーン被覆部材によって完全に被覆されることにな
る。他方のＩＣベアチップにおいては、厚みが薄いシリ
コーン被覆部材が存在することになる。
て、このＩＣベアチップに接合するボンディングワイヤ
は、第２のダミー用ボンディングワイヤの存在により、
シリコーン被覆部材によって完全に被覆されることにな
る。他方のＩＣベアチップにおいては、厚みが薄いシリ
コーン被覆部材が存在することになる。
【００１６】従って、一方のＩＣベアチップに接合する
ボンディングワイヤはシリコーン被覆部材に埋設される
ことになり、腐食などが一切発生しない。
ボンディングワイヤはシリコーン被覆部材に埋設される
ことになり、腐食などが一切発生しない。
【００１７】また、他方のＩＣベアチップにおいては、
シリコーン被覆部材に外部衝撃が加わり、樹脂振動が発
生しても、厚みが薄いため、その樹脂振動による応力を
小さくなる。その結果、ボンディングワイヤの断線、剥
離、倒れなどを有効に抑えることができる。
シリコーン被覆部材に外部衝撃が加わり、樹脂振動が発
生しても、厚みが薄いため、その樹脂振動による応力を
小さくなる。その結果、ボンディングワイヤの断線、剥
離、倒れなどを有効に抑えることができる。
【００１８】しかも、基板平面方向に広がろうとするシ
リコーン被覆部材の前駆体液は、第２のダミー用ボンデ
ィングワイヤに保持されるように働くため、配線基板上
に拡がりにくく、シリコーン被覆部材の形成に必要な面
積を小さくすることができる。これにより配線基板の小
型化が可能となる。
リコーン被覆部材の前駆体液は、第２のダミー用ボンデ
ィングワイヤに保持されるように働くため、配線基板上
に拡がりにくく、シリコーン被覆部材の形成に必要な面
積を小さくすることができる。これにより配線基板の小
型化が可能となる。
【００１９】また、シリコーン被覆部材の前駆体液の拡
がりを制御できるため、シリコーン被覆部材の厚みを同
時に容易に管理することもできる。
がりを制御できるため、シリコーン被覆部材の厚みを同
時に容易に管理することもできる。
【００２０】第２の発明は、配線基板上にボンディング
ワイヤによって接合されたＩＣベアチップを配置すると
ともに、該ＩＣベアチップの互いに対向する一対の辺と
略平行に、且つ前記ＩＣベアチップに接続するボンディ
ングワイヤの頂点部の高さよりも高い頂点部を有するダ
ミー用ボンディングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベア
チップ及びダミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆し
た電子回路装置である。
ワイヤによって接合されたＩＣベアチップを配置すると
ともに、該ＩＣベアチップの互いに対向する一対の辺と
略平行に、且つ前記ＩＣベアチップに接続するボンディ
ングワイヤの頂点部の高さよりも高い頂点部を有するダ
ミー用ボンディングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベア
チップ及びダミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆し
た電子回路装置である。
【００２１】このような構造は、第１の発明では、２つ
のＩＣベアチップを近接させて配置した場合であった
が、単独のＩＣベアチップに適用したことである。即
ち、シリコーン被覆部材が、ＩＣベアチップの互いに対
向する一対の辺の外周に形成したダミー用ボンディング
ワイヤによって、シリコーン被覆部材の前駆体液が基板
平面上に広がることを有効に抑制できる。その結果、配
線基板上のＩＣベアチップを搭載する際に必要な領域を
小さくすることができ、配線基板の小型化が達成され
る。
のＩＣベアチップを近接させて配置した場合であった
が、単独のＩＣベアチップに適用したことである。即
ち、シリコーン被覆部材が、ＩＣベアチップの互いに対
向する一対の辺の外周に形成したダミー用ボンディング
ワイヤによって、シリコーン被覆部材の前駆体液が基板
平面上に広がることを有効に抑制できる。その結果、配
線基板上のＩＣベアチップを搭載する際に必要な領域を
小さくすることができ、配線基板の小型化が達成され
る。
【００２２】また、シリコーン被覆部材の厚みを、適正
に制御できるため、ＩＣベアチップと接合するボンディ
ングワイヤを完全に被覆して腐食を防止できる。
に制御できるため、ＩＣベアチップと接合するボンディ
ングワイヤを完全に被覆して腐食を防止できる。
【００２３】第３の発明は、配線基板上に、ボンディン
グワイヤによって接続されたＩＣベアチップを配置する
とともに、該ＩＣベアチップの対角線上に、該ＩＣベア
チップに接続するボンディングワイヤの頂点部の高さよ
りも高い頂点部を有し、且つＩＣベアチップを跨ぐダミ
ー用ボンディングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベアチ
ップ及びダミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆した
ことを特徴とする電子回路装置である。
グワイヤによって接続されたＩＣベアチップを配置する
とともに、該ＩＣベアチップの対角線上に、該ＩＣベア
チップに接続するボンディングワイヤの頂点部の高さよ
りも高い頂点部を有し、且つＩＣベアチップを跨ぐダミ
ー用ボンディングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベアチ
ップ及びダミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆した
ことを特徴とする電子回路装置である。
【００２４】この発明は、上述の第１の発明の一方のＩ
Ｃベアチップや他方のＩＣベアチップに、さらに、単独
に配線基板上に搭載されたＩＣベアチップに適用するこ
とができる。
Ｃベアチップや他方のＩＣベアチップに、さらに、単独
に配線基板上に搭載されたＩＣベアチップに適用するこ
とができる。
【００２５】この発明の構造のように、ＩＣベアチップ
上部で、対角線上に延びるダミー用ボンディングワイヤ
がシリコーン被覆部材内に埋設されることになる。この
ため、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部材の厚みを
容易に制御でき、シリコーン被覆部材自身の機械的な強
度を向上させることができる。従って、ボンディングワ
イヤの腐食を防止するとともに、外部衝撃による樹脂振
動の応力が発生しても、その応力を減少させることがで
き、ボンディングワイヤの断線・剥離・倒れを有効に防
止できる。さらに、基板平面上に広がるシリコーン被覆
部材の前駆体液を抑制でき、その結果、ＩＣベアチップ
を被覆するシリコーン被覆部材の領域を小さくすること
ができる。
上部で、対角線上に延びるダミー用ボンディングワイヤ
がシリコーン被覆部材内に埋設されることになる。この
ため、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆部材の厚みを
容易に制御でき、シリコーン被覆部材自身の機械的な強
度を向上させることができる。従って、ボンディングワ
イヤの腐食を防止するとともに、外部衝撃による樹脂振
動の応力が発生しても、その応力を減少させることがで
き、ボンディングワイヤの断線・剥離・倒れを有効に防
止できる。さらに、基板平面上に広がるシリコーン被覆
部材の前駆体液を抑制でき、その結果、ＩＣベアチップ
を被覆するシリコーン被覆部材の領域を小さくすること
ができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子回路装置を図
面に基づいて詳説する。
面に基づいて詳説する。
【００２７】図１は、本発明の電子回路装置の部分平面
図であり、図２はＸ−Ｘ線の断面図である。
図であり、図２はＸ−Ｘ線の断面図である。
【００２８】本発明の電子回路装置１０は、絶縁基板１
１上に所定配線パターンを形成した配線基板１と、電力
処理系ＩＣベアチップ２と、信号処理系ＩＣベアチップ
３と、第１〜第２のダミー用ボンディングワイヤ４、
５、ゲル状シリコーン樹脂やゴム状シリコーン樹脂の被
覆部材（以下、これらをシリコーン被覆部材７という）
とから構成されている。
１上に所定配線パターンを形成した配線基板１と、電力
処理系ＩＣベアチップ２と、信号処理系ＩＣベアチップ
３と、第１〜第２のダミー用ボンディングワイヤ４、
５、ゲル状シリコーン樹脂やゴム状シリコーン樹脂の被
覆部材（以下、これらをシリコーン被覆部材７という）
とから構成されている。
【００２９】絶縁基板１１は、例えばアルミナ、チッ化
アルミなどのセラミック材料、ガラスエポキシ基板など
から成る。絶縁基板１１上には、所定配線パターンが形
成されている。この配線パターンとは、ＩＣベアチップ
２、３が搭載される部位の電極パッド２１、３１、ＩＣ
ベアチップ２、３と電気的に接続される配線パターン２
２、３２、第１のダミー用ボンディングワイヤ４が形成
されるダミー用電極パッド４１、第１のダミー用ボンデ
ィングワイヤ５が結合されるダミー用電極パッド５１を
含んでいる。
アルミなどのセラミック材料、ガラスエポキシ基板など
から成る。絶縁基板１１上には、所定配線パターンが形
成されている。この配線パターンとは、ＩＣベアチップ
２、３が搭載される部位の電極パッド２１、３１、ＩＣ
ベアチップ２、３と電気的に接続される配線パターン２
２、３２、第１のダミー用ボンディングワイヤ４が形成
されるダミー用電極パッド４１、第１のダミー用ボンデ
ィングワイヤ５が結合されるダミー用電極パッド５１を
含んでいる。
【００３０】このような配線パターンは、例えば、Ａｇ
やＡｇ−Ｐｄ、銅などの導体膜上に、必要に応じてＮｉ
メッキ及びＡｕメッキが施されている。
やＡｇ−Ｐｄ、銅などの導体膜上に、必要に応じてＮｉ
メッキ及びＡｕメッキが施されている。
【００３１】ＩＣベアチップ２（一方のＩＣベアチッ
プ）は、例えば、電力処理系ＩＣベアチップであり、電
源端子やバイアス供給端子などの比較的大きな電力が供
給される増幅用トランジスタやソレノイド、モータなど
を駆動させるためのスイッチングトランジスタなどが例
示でき、例えばＭＯＳＦＥＴである。例えばソレノイ
ド、モータなどを駆動させるためのスイッチングトラン
ジスタでは、約１Ａの大きな電流の処理が行なわれる。
尚、図では省略しているが、ＩＣベアチップ２の上面に
は入出力パッドが形成されている。
プ）は、例えば、電力処理系ＩＣベアチップであり、電
源端子やバイアス供給端子などの比較的大きな電力が供
給される増幅用トランジスタやソレノイド、モータなど
を駆動させるためのスイッチングトランジスタなどが例
示でき、例えばＭＯＳＦＥＴである。例えばソレノイ
ド、モータなどを駆動させるためのスイッチングトラン
ジスタでは、約１Ａの大きな電流の処理が行なわれる。
尚、図では省略しているが、ＩＣベアチップ２の上面に
は入出力パッドが形成されている。
【００３２】ＩＣベアチップ３（他方のＩＣベアチッ
プ）は、例えば、信号系処理系ＩＣベアチップであり、
Ｃ−ＭＯＳＩＣなどが例示でき、例えば数μＡ〜数百ｍ
Ａ程度の信号を処理するものである。尚、図では省略し
ているがＩＣベアチップ３の上面には入出力パッドが形
成されている。
プ）は、例えば、信号系処理系ＩＣベアチップであり、
Ｃ−ＭＯＳＩＣなどが例示でき、例えば数μＡ〜数百ｍ
Ａ程度の信号を処理するものである。尚、図では省略し
ているがＩＣベアチップ３の上面には入出力パッドが形
成されている。
【００３３】このＩＣベアチップ２は、絶縁基板１１の
電極パッド２１上に搭載されている。そして、ＩＣベア
チップ２の上面の入出力パッドと絶縁基板１１の所定配
線パターン２２の一部との間には、アルミニウム、Ａｕ
などのボンディングワイヤ２０がボンディング接合され
て、互いの電気的な接続が達成される。尚、電力処理系
ＩＣベアチップ２に接合されるボンディングワイヤ２０
は、例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーな
どが例示でき、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さ
Ｈ1 は絶縁基板１１の表面から例えば１．５〜２．０ｍ
ｍとなっている。
電極パッド２１上に搭載されている。そして、ＩＣベア
チップ２の上面の入出力パッドと絶縁基板１１の所定配
線パターン２２の一部との間には、アルミニウム、Ａｕ
などのボンディングワイヤ２０がボンディング接合され
て、互いの電気的な接続が達成される。尚、電力処理系
ＩＣベアチップ２に接合されるボンディングワイヤ２０
は、例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーな
どが例示でき、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さ
Ｈ1 は絶縁基板１１の表面から例えば１．５〜２．０ｍ
ｍとなっている。
【００３４】また、ＩＣベアチップ３は、絶縁基板１１
の電極パッド３１上に搭載されている。そして、ＩＣベ
アチップ３の上面の入出力パッドと絶縁基板１１の所定
配線パターン３２の一部との間には、アルミニウム、Ａ
ｕなどのボンディングワイヤ３０がボンディング接合さ
れて、互いの電気的に接続が達成される。尚、信号処理
系ＩＣベアチップ３に接合されるボンディングワイヤ３
０は、例えば直径３０〜５０μｍのアルミワイヤーなど
が例示でき、ボンディングワイヤ３０の頂点部の高さＨ
2 は絶縁基板１１の表面から例えば０．７〜１．０ｍｍ
となっている。
の電極パッド３１上に搭載されている。そして、ＩＣベ
アチップ３の上面の入出力パッドと絶縁基板１１の所定
配線パターン３２の一部との間には、アルミニウム、Ａ
ｕなどのボンディングワイヤ３０がボンディング接合さ
れて、互いの電気的に接続が達成される。尚、信号処理
系ＩＣベアチップ３に接合されるボンディングワイヤ３
０は、例えば直径３０〜５０μｍのアルミワイヤーなど
が例示でき、ボンディングワイヤ３０の頂点部の高さＨ
2 は絶縁基板１１の表面から例えば０．７〜１．０ｍｍ
となっている。
【００３５】通常、電力処理系ＩＣベアチップ２に用い
るボンディングワイヤ２０は、上述のように１Ａ程度の
大きな電流が流れることから、その直径を太くしてい
る。また、直径を太くした結果、ワイヤが撓みにくくな
るため、ボンディングワイヤの頂点部の高さを高く、ボ
ンディング距離を長くして、安定したワイヤボンディン
グができるようにしている。結果、上述のように、信号
処理系ＩＣベアチップ３に用いるボンディングワイヤ３
０に比較して、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さ
Ｈ1 が高くなってしまう。
るボンディングワイヤ２０は、上述のように１Ａ程度の
大きな電流が流れることから、その直径を太くしてい
る。また、直径を太くした結果、ワイヤが撓みにくくな
るため、ボンディングワイヤの頂点部の高さを高く、ボ
ンディング距離を長くして、安定したワイヤボンディン
グができるようにしている。結果、上述のように、信号
処理系ＩＣベアチップ３に用いるボンディングワイヤ３
０に比較して、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さ
Ｈ1 が高くなってしまう。
【００３６】第１のダミー用ボンディングワイヤ４は、
ＩＣベアチップ２とＩＣベアチップ３との間に、ＩＣベ
アチップ２、３の配列方向を横切るように配置された電
極パッド４１、４１間に形成されるボンディングワイヤ
である。この第１のダミー用ボンディングワイヤ４は、
例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーであ
り、ボンディングワイヤ４の頂点部は、ＩＣベアチップ
２とＩＣベアチップ３との幅方向の略中心部に位置して
いる。そして、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さ
をＨ1 、ボンディングワイヤ３０の頂点部の高さを
Ｈ2 、第１のダミー用ボンディングワイヤ４の頂点部の
高さをＨ3 とした時、第１のダミー用ボンディングワイ
ヤ４の高さＨ3 を、Ｈ2 ＜Ｈ3 ＜Ｈ1 となるように設定
する。
ＩＣベアチップ２とＩＣベアチップ３との間に、ＩＣベ
アチップ２、３の配列方向を横切るように配置された電
極パッド４１、４１間に形成されるボンディングワイヤ
である。この第１のダミー用ボンディングワイヤ４は、
例えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーであ
り、ボンディングワイヤ４の頂点部は、ＩＣベアチップ
２とＩＣベアチップ３との幅方向の略中心部に位置して
いる。そして、ボンディングワイヤ２０の頂点部の高さ
をＨ1 、ボンディングワイヤ３０の頂点部の高さを
Ｈ2 、第１のダミー用ボンディングワイヤ４の頂点部の
高さをＨ3 とした時、第１のダミー用ボンディングワイ
ヤ４の高さＨ3 を、Ｈ2 ＜Ｈ3 ＜Ｈ1 となるように設定
する。
【００３７】第２のダミー用ボンディングワイヤ５は、
例えば、ＩＣベアチップ２の一対の辺、図ではＩＣベア
チップ２の上辺及び下辺の外周に、該辺に平行に配置さ
れた電極パッド５１、５１間に形成されるボンディング
ワイヤである。この第２のボンディングワイヤ５は、例
えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーであり、
ボンディングワイヤ５の頂点部は、ＩＣベアチップ２に
接続されたボンディングワイヤ２０の頂点を考慮し設計
されており、例えば、図２に示す断面において、第２の
ダミー用ボンディングワイヤ５内に、ＩＣベアチップ２
に接続されたボンディングワイヤ２０が位置するように
することが望ましい。
例えば、ＩＣベアチップ２の一対の辺、図ではＩＣベア
チップ２の上辺及び下辺の外周に、該辺に平行に配置さ
れた電極パッド５１、５１間に形成されるボンディング
ワイヤである。この第２のボンディングワイヤ５は、例
えば直径１００〜５００μｍのアルミワイヤーであり、
ボンディングワイヤ５の頂点部は、ＩＣベアチップ２に
接続されたボンディングワイヤ２０の頂点を考慮し設計
されており、例えば、図２に示す断面において、第２の
ダミー用ボンディングワイヤ５内に、ＩＣベアチップ２
に接続されたボンディングワイヤ２０が位置するように
することが望ましい。
【００３８】第２のダミー用ボンディングワイヤ５の頂
点部の高さＨ4 は、ＩＣベアチップ２に接続したボンデ
ィングワイヤ２０の頂点高さＨ1 とした時、Ｈ4 ＞Ｈ1
となるように設定する。
点部の高さＨ4 は、ＩＣベアチップ２に接続したボンデ
ィングワイヤ２０の頂点高さＨ1 とした時、Ｈ4 ＞Ｈ1
となるように設定する。
【００３９】シリコーン被覆部材７は、配線基板１に搭
載したＩＣベアチップ２、３及びそれに接合するボンデ
ィングワイヤ２０、３０を絶縁的に保護し、外部からの
機械的な衝撃から保護し、腐食などを防止するためのも
のである。具体的には、ゲル状またはゴム状シリコーン
樹脂である。そして、シリコーン被覆部材７は、ＩＣベ
アチップ２、３に連続して共通的に被覆されている。こ
のシリコーン被覆部材７の前駆体液は、液粘度が３００
０ポイズ以上であり、チクソ性（塑性変形の度合、即
ち、前駆体液を塗布供給した時に原形を維持する度合を
示す性質、例えば、塗布供給５回転／秒させた時に得ら
れる粘度と塗布供給１５回転／秒させた時に得られる粘
度との比率が１０以上）を有しており、この前駆体液を
加熱硬化しすることにより、シリコーン被覆部材７が得
られる。得られたシリコーン被覆部材７は、ゴム状また
ゲル状で所定弾性を有している。
載したＩＣベアチップ２、３及びそれに接合するボンデ
ィングワイヤ２０、３０を絶縁的に保護し、外部からの
機械的な衝撃から保護し、腐食などを防止するためのも
のである。具体的には、ゲル状またはゴム状シリコーン
樹脂である。そして、シリコーン被覆部材７は、ＩＣベ
アチップ２、３に連続して共通的に被覆されている。こ
のシリコーン被覆部材７の前駆体液は、液粘度が３００
０ポイズ以上であり、チクソ性（塑性変形の度合、即
ち、前駆体液を塗布供給した時に原形を維持する度合を
示す性質、例えば、塗布供給５回転／秒させた時に得ら
れる粘度と塗布供給１５回転／秒させた時に得られる粘
度との比率が１０以上）を有しており、この前駆体液を
加熱硬化しすることにより、シリコーン被覆部材７が得
られる。得られたシリコーン被覆部材７は、ゴム状また
ゲル状で所定弾性を有している。
【００４０】第１の発明では、上述したように、配線基
板１上に頂点部の高さＨ1 、Ｈ2 が異なるボンディング
ワイヤ２０、３０によって接続されたＩＣベアチップ
２、３を夫々隣接配置し、このＩＣベアチップ２、３及
びボンディングワイヤ２０、３０が連続してシリコーン
被覆部材７によって被覆されている。そして、シリコー
ン被覆部材７の表面は、ＩＣベアチップ２、３の隣接し
あう間隔の配線基板領域に形成された第１のダミー用ボ
ンディングワイヤ４を境界Ａに、シリコーン被覆部材７
の厚みが厚い一方のＩＣベアチップ２の領域と、シリコ
ーン被覆部材７の厚みの薄い他方のＩＣベアチップ３の
領域とに分けられる。
板１上に頂点部の高さＨ1 、Ｈ2 が異なるボンディング
ワイヤ２０、３０によって接続されたＩＣベアチップ
２、３を夫々隣接配置し、このＩＣベアチップ２、３及
びボンディングワイヤ２０、３０が連続してシリコーン
被覆部材７によって被覆されている。そして、シリコー
ン被覆部材７の表面は、ＩＣベアチップ２、３の隣接し
あう間隔の配線基板領域に形成された第１のダミー用ボ
ンディングワイヤ４を境界Ａに、シリコーン被覆部材７
の厚みが厚い一方のＩＣベアチップ２の領域と、シリコ
ーン被覆部材７の厚みの薄い他方のＩＣベアチップ３の
領域とに分けられる。
【００４１】一方のＩＣベアチップ２の領域のシリコー
ン被覆部材７の厚みは、は、ボンディングワイヤ２０
（頂点部高さＨ1 ）よりも高い頂点部（Ｈ4 ）の一対の
第２のダミー用ボンディングワイヤ５に、前駆体液が表
面張力によって保持されることにより規定される。即
ち、シリコーン被覆部材７によりボンディングワイヤ２
０を埋設されることになる。これにより、ボンディング
ワイヤ２０の腐食を有効に防止できる。尚、ボンディン
グワイヤ２０と第２のダミー用ボンディングワイヤ５と
の頂点部分の差ΔＨ（＝Ｈ4 −Ｈ1 ）を０．５ｍｍ〜
０．２ｍｍに設定することが望ましい。即ち、ΔＨが
０．５ｍｍ未満となると、一対の第２のダミー用ボンデ
ィングワイヤ５、５間のシリコーン被覆部材７からボン
ディングワイヤ２０が露出することがない。ΔＨが２．
０ｍｍを越えると、相対的にシリコーン被覆部材７の量
が多くなり過ぎて、絶縁基板１１の表面の拡がりが増
し、また、他方のＩＣベアチップ３側に過剰にシリコー
ン被覆部材７が移行してしまうために好ましくない。
ン被覆部材７の厚みは、は、ボンディングワイヤ２０
（頂点部高さＨ1 ）よりも高い頂点部（Ｈ4 ）の一対の
第２のダミー用ボンディングワイヤ５に、前駆体液が表
面張力によって保持されることにより規定される。即
ち、シリコーン被覆部材７によりボンディングワイヤ２
０を埋設されることになる。これにより、ボンディング
ワイヤ２０の腐食を有効に防止できる。尚、ボンディン
グワイヤ２０と第２のダミー用ボンディングワイヤ５と
の頂点部分の差ΔＨ（＝Ｈ4 −Ｈ1 ）を０．５ｍｍ〜
０．２ｍｍに設定することが望ましい。即ち、ΔＨが
０．５ｍｍ未満となると、一対の第２のダミー用ボンデ
ィングワイヤ５、５間のシリコーン被覆部材７からボン
ディングワイヤ２０が露出することがない。ΔＨが２．
０ｍｍを越えると、相対的にシリコーン被覆部材７の量
が多くなり過ぎて、絶縁基板１１の表面の拡がりが増
し、また、他方のＩＣベアチップ３側に過剰にシリコー
ン被覆部材７が移行してしまうために好ましくない。
【００４２】また、他方のＩＣベアチップ３の領域のシ
リコーン被覆部材７は、第１のダミー用ボンディングワ
イヤ４の表面張力によって、表面の傾斜度合いが変化し
て、第１のダミー用ボンディングワイヤ４から他方のＩ
Ｃベアチップ３にかけて、その表面の傾斜が非常に緩や
かになり、他方のＩＣベアチップ３上のシリコーン被覆
部材７の厚みが薄くなる。
リコーン被覆部材７は、第１のダミー用ボンディングワ
イヤ４の表面張力によって、表面の傾斜度合いが変化し
て、第１のダミー用ボンディングワイヤ４から他方のＩ
Ｃベアチップ３にかけて、その表面の傾斜が非常に緩や
かになり、他方のＩＣベアチップ３上のシリコーン被覆
部材７の厚みが薄くなる。
【００４３】このように、特に、ＩＣベアチップ３の上
部の厚みを薄くできることにより、外部衝撃により樹脂
振動が発生しても、その振動による応力を低減でき、ボ
ンディングワイヤ３０の断線・剥離・ワイヤ倒れを未然
に防止できる。
部の厚みを薄くできることにより、外部衝撃により樹脂
振動が発生しても、その振動による応力を低減でき、ボ
ンディングワイヤ３０の断線・剥離・ワイヤ倒れを未然
に防止できる。
【００４４】このため、２つのＩＣベアチップ２、３を
近接配置させ、ＩＣベアチップ２、３と配線パターン２
２、３２との接続が安定し、しかも、ボンディングワイ
ヤ２０、３０の腐食がなく、小型な電子回路装置とな
る。
近接配置させ、ＩＣベアチップ２、３と配線パターン２
２、３２との接続が安定し、しかも、ボンディングワイ
ヤ２０、３０の腐食がなく、小型な電子回路装置とな
る。
【００４５】第２の発明は、図１に示すシリコーン被覆
部材７が、ＩＣベアチップ２単独に被覆されるように形
成された電子回路装置である。
部材７が、ＩＣベアチップ２単独に被覆されるように形
成された電子回路装置である。
【００４６】即ち、ＩＣベアチップ２の互いに対向する
一対の辺（図１では上下辺）の外周に、該上下辺に平行
で、且つ該ＩＣベアチップ２に接続するボンディングワ
イヤ２０の頂点部の高さＨ1 よりも高い頂点部の高さＨ
4 を有するダミー用ボンディングワイヤ（第２のダミー
用ボンディングワイヤ５）が形成されている。
一対の辺（図１では上下辺）の外周に、該上下辺に平行
で、且つ該ＩＣベアチップ２に接続するボンディングワ
イヤ２０の頂点部の高さＨ1 よりも高い頂点部の高さＨ
4 を有するダミー用ボンディングワイヤ（第２のダミー
用ボンディングワイヤ５）が形成されている。
【００４７】このような構造により、上述したように、
配線基板１上に供給したシリコーン被覆部材７の前駆体
液が広がることを抑制でき、配線基板の小型化が達成さ
れる。
配線基板１上に供給したシリコーン被覆部材７の前駆体
液が広がることを抑制でき、配線基板の小型化が達成さ
れる。
【００４８】同時に、シリコーン被覆部材７内に、ＩＣ
ベアチップ２に接続するボンディングワイヤ２０を完全
に埋設させることができるため、腐食を防止できる。
ベアチップ２に接続するボンディングワイヤ２０を完全
に埋設させることができるため、腐食を防止できる。
【００４９】図３、図４は、第３の発明を第１の発明に
適用した状態の平面図及びその断面図である。
適用した状態の平面図及びその断面図である。
【００５０】図３、図４において、図１、図２に比較し
て、配線基板１上に、一対の第３のダミーボンディング
ワイヤ６、６が設けられた構造である。
て、配線基板１上に、一対の第３のダミーボンディング
ワイヤ６、６が設けられた構造である。
【００５１】一対の第３のダミーボンディングワイヤ
６、６は、平面が矩形状のＩＣベアチップ３の対角線の
延長線上に形成された電極パッド６１、６１、６１、６
１に接合され、ＩＣベアチップ３の上方で互いに交差す
るように形成されている。
６、６は、平面が矩形状のＩＣベアチップ３の対角線の
延長線上に形成された電極パッド６１、６１、６１、６
１に接合され、ＩＣベアチップ３の上方で互いに交差す
るように形成されている。
【００５２】尚、一対の第３のダミー用ボンディングワ
イヤ６のうち、低い側の頂点部の高さをＨ5 とした場
合、Ｈ2 ＜Ｈ5 となっている。
イヤ６のうち、低い側の頂点部の高さをＨ5 とした場
合、Ｈ2 ＜Ｈ5 となっている。
【００５３】このようにＩＣベアチップ３の上方に略対
角線上に交差しあう一対の第３のダミー用ボンディング
ワイヤ６、６によって、ＩＣベアチップ３上をシリコー
ン被覆部材７の厚みが規制できる。そして、ＩＣベアチ
ップ３に接続するボンディングワイヤ３０がシリコーン
被覆部材７の表面から露出することを完全に防止でき
る。また、配線基板１の表面に広がるシリコーン被覆部
材７を抑制することができる。これにより、ボンディン
グワイヤ３つの腐食を防止でき、小型の電子回路装置と
なる。
角線上に交差しあう一対の第３のダミー用ボンディング
ワイヤ６、６によって、ＩＣベアチップ３上をシリコー
ン被覆部材７の厚みが規制できる。そして、ＩＣベアチ
ップ３に接続するボンディングワイヤ３０がシリコーン
被覆部材７の表面から露出することを完全に防止でき
る。また、配線基板１の表面に広がるシリコーン被覆部
材７を抑制することができる。これにより、ボンディン
グワイヤ３つの腐食を防止でき、小型の電子回路装置と
なる。
【００５４】しかも、ＩＣベアチップ３上のシリコーン
被覆部材７の厚み内に、第３のダミー用ボンディングワ
イヤ６が埋設されるため、シリコーン被覆部材７自身の
剛性を高まり、これにより、外部の衝撃によりシリコー
ン被覆部材７が樹脂振動が発生しようとしても、有効に
抑えることができる。また、その樹脂振動を一対のダミ
ー用ボンディングワイヤ６、６によって、振動応力を細
かく分散することができ、応力自身を小さくすることが
できる。その結果、ボンディングワイヤ３０の切断、剥
がれ、ワイヤ倒れを未然に防止することができる。
被覆部材７の厚み内に、第３のダミー用ボンディングワ
イヤ６が埋設されるため、シリコーン被覆部材７自身の
剛性を高まり、これにより、外部の衝撃によりシリコー
ン被覆部材７が樹脂振動が発生しようとしても、有効に
抑えることができる。また、その樹脂振動を一対のダミ
ー用ボンディングワイヤ６、６によって、振動応力を細
かく分散することができ、応力自身を小さくすることが
できる。その結果、ボンディングワイヤ３０の切断、剥
がれ、ワイヤ倒れを未然に防止することができる。
【００５５】尚、信号系ＩＣベアチップ３は、一般に入
力出力パッドが多く、ボンディングワイヤ３０が各４辺
から導出されることになる。しかし、一対の第３のダミ
ー用ボンディングワイヤ６、６が、ＩＣベアチップ３の
対角線上に跨がるように形成されるため、ＩＣベアチッ
プ３の入出力パッドに接続されたボンディングワイヤ３
０と直接接触したりすることが一切ない。
力出力パッドが多く、ボンディングワイヤ３０が各４辺
から導出されることになる。しかし、一対の第３のダミ
ー用ボンディングワイヤ６、６が、ＩＣベアチップ３の
対角線上に跨がるように形成されるため、ＩＣベアチッ
プ３の入出力パッドに接続されたボンディングワイヤ３
０と直接接触したりすることが一切ない。
【００５６】尚、上述の説明では、矩形状のＩＣベアチ
ップ３の対角線を跨ぐように一対の第３のダミー用ボン
ディングワイヤ６、６を形成しているが、対角線上に電
極パッド６１、６１を形成することができない場合に
は、一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６、６が
対角線近傍になるように形成しても構わない。
ップ３の対角線を跨ぐように一対の第３のダミー用ボン
ディングワイヤ６、６を形成しているが、対角線上に電
極パッド６１、６１を形成することができない場合に
は、一対の第３のダミー用ボンディングワイヤ６、６が
対角線近傍になるように形成しても構わない。
【００５７】図３、図４では、ＩＣベアチップ２、３を
近接配置した電子回路装置に適用した例を示している
が、図３、４に示す一つのＩＣベアチップ３が単独に形
成された電子回路装置にも適用できる。また、上述の例
では、ＩＣベアチップ３の上方を、２本の第３のダミー
用ボンディングワイヤ６，６で跨ぐように形成したが、
一方の対角線上を跨ぐ１本の第３のダミー用ボンディン
グワイヤ６を形成しても構わない。
近接配置した電子回路装置に適用した例を示している
が、図３、４に示す一つのＩＣベアチップ３が単独に形
成された電子回路装置にも適用できる。また、上述の例
では、ＩＣベアチップ３の上方を、２本の第３のダミー
用ボンディングワイヤ６，６で跨ぐように形成したが、
一方の対角線上を跨ぐ１本の第３のダミー用ボンディン
グワイヤ６を形成しても構わない。
【００５８】尚、第１〜第３のダミー用ボンディングワ
イヤ４、５、６の電気的な接続について言及していな
が、例えば、そのインダクタンス成分を利用して、イン
ダクタンス素子として利用してもよい。また、ＩＣベア
チップ周囲の複雑な配線パターンを簡略化するためのジ
ャンパー導体として用いても構わない。
イヤ４、５、６の電気的な接続について言及していな
が、例えば、そのインダクタンス成分を利用して、イン
ダクタンス素子として利用してもよい。また、ＩＣベア
チップ周囲の複雑な配線パターンを簡略化するためのジ
ャンパー導体として用いても構わない。
【００５９】
【発明の効果】以上のように、ＩＣベアチップと配線基
板の所定配線パターンとを接続するボンディングワイヤ
以外に、２つのＩＣベアチップ間に、また、ＩＣベアチ
ップの一対の辺に各々平行に、さらに、ＩＣベアチップ
を対角線上で跨ぐように、夫々ダミー用ボンディングワ
イヤを形成している。従って、ＩＣベアチップを被覆す
るシリコーン被覆部材の厚みを簡単に制御することがで
き、ＩＣベアチップ及びＩＣベアチップと接合するボン
ディングワイヤをシリコーン被覆部材で完全に被覆で
き、ボンディングワイヤの腐食を防止することができ
る。
板の所定配線パターンとを接続するボンディングワイヤ
以外に、２つのＩＣベアチップ間に、また、ＩＣベアチ
ップの一対の辺に各々平行に、さらに、ＩＣベアチップ
を対角線上で跨ぐように、夫々ダミー用ボンディングワ
イヤを形成している。従って、ＩＣベアチップを被覆す
るシリコーン被覆部材の厚みを簡単に制御することがで
き、ＩＣベアチップ及びＩＣベアチップと接合するボン
ディングワイヤをシリコーン被覆部材で完全に被覆で
き、ボンディングワイヤの腐食を防止することができ
る。
【００６０】また、ＩＣベアチップ上のシリコーン被覆
部材の厚み部分に発生する外部衝撃による樹脂振動を有
効に抑えることができ、ボンディングワイヤの断線、剥
離、ワイヤ倒れを未然に防止することができる。
部材の厚み部分に発生する外部衝撃による樹脂振動を有
効に抑えることができ、ボンディングワイヤの断線、剥
離、ワイヤ倒れを未然に防止することができる。
【図１】本発明の電子回路装置の概略平面図である。
【図２】本発明の図１中のＸ−Ｘ線の断面図である。
【図３】本発明の他の電子回路装置の概略平面図であ
る。
る。
【図４】本発明の図１中のＹ−Ｙ線の断面図である。
１０・・・電子回路装置 １・・・・配線基板 １１・・・絶縁基板 ２１、３１・・電極パッド ２２、３２・・配線パターン ４１、５１、６１・・電極パッド ２・・・・ＩＣベアチップ（電力処理系ＩＣベアチッ
プ） ３・・・・ＩＣベアチップ（信号処理系ＩＣベアチッ
プ） ４・・・第１のダミー用ボンディングワイヤ ５・・・第２のダミー用ボンディングワイヤ ６・・・第３のダミー用ボンディングワイヤ
プ） ３・・・・ＩＣベアチップ（信号処理系ＩＣベアチッ
プ） ４・・・第１のダミー用ボンディングワイヤ ５・・・第２のダミー用ボンディングワイヤ ６・・・第３のダミー用ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 配線基板上に、頂点部の高さが異なるボ
ンディングワイヤが接合された少なくとも２つのＩＣベ
アチップを隣接配置するとともに、前記２つのＩＣベア
チップ及びボンディングワイヤを樹脂で被覆して成る電
子回路装置において、 前記２つのＩＣベアチップ間の配線基板領域に、第１の
ダミー用ボンディングワイヤを前記２つのＩＣベアチッ
プを横切る方向に配設するとともに、 頂点部の高いボンディングワイヤが接続されたＩＣベア
チップ外周の配線基板領域に、前記第１のダミー用ボン
ディングワイヤと略直交する方向に一対の第２のダミー
用ボンディングワイヤを配設して成り、かつ前記頂点部
の高いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ1 、頂点部
の低いボンディングワイヤの頂点部高さをＨ2 、第１の
ダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをＨ3 、第２
のダミー用ボンディングワイヤの頂点部高さをＨ4 とし
た時、各々の高さがＨ4 ＞Ｈ1 であり、且つＨ4 ＞Ｈ3
＞Ｈ2 であることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項２】 配線基板上にボンディングワイヤによっ
て接続されたＩＣベアチップを配置するとともに、該Ｉ
Ｃベアチップの互いに対向する一対の辺と略平行に、且
つ前記ＩＣベアチップに接続するボンディングワイヤの
頂点部の高さよりも高い頂点部を有するダミー用ボンデ
ィングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベアチップ及びダ
ミー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆したことを特徴
とする電子回路装置。 - 【請求項３】 配線基板上に、ボンディングワイヤによ
って接続されたＩＣベアチップを配置するとともに、該
ＩＣベアチップの対角線上に、該ＩＣベアチップに接続
するボンディングワイヤの頂点部の高さよりも高い頂点
部を有し、且つＩＣベアチップを跨ぐダミー用ボンディ
ングワイヤを配設し、かつ前記ＩＣベアチップ及びダミ
ー用ボンディングワイヤを樹脂で被覆したことを特徴と
する電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05123799A JP3825196B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05123799A JP3825196B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252406A true JP2000252406A (ja) | 2000-09-14 |
| JP3825196B2 JP3825196B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=12881351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05123799A Expired - Fee Related JP3825196B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3825196B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064666A1 (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-22 | Daikin Industries, Ltd. | パワーモジュールとその製造方法および空気調和機 |
| WO2011070697A1 (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | パナソニック株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP05123799A patent/JP3825196B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064666A1 (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-22 | Daikin Industries, Ltd. | パワーモジュールとその製造方法および空気調和機 |
| KR100869993B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2008-11-24 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 파워 모듈과 그 제조 방법 및 공기 조화기 |
| US7612448B2 (en) | 2004-12-13 | 2009-11-03 | Daikin Industries, Ltd. | Power module having a cooling device and semiconductor devices mounted on a resin substrate, method of producing same, and air conditioner |
| AU2005315026B8 (en) * | 2004-12-13 | 2010-03-18 | Daikin Industries, Ltd. | Power module, method of producing same, and air conditioner |
| WO2011070697A1 (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | パナソニック株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3825196B2 (ja) | 2006-09-20 |
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