JP2000252251A - 半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウェーハ表面の清浄度を的確に管理可能
な半導体ウェーハ洗浄後の半導体ウェーハ表面の清浄度
管理方法および清浄度の管理等に役立つエッチング代検
出方法を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ１の表面処理後に行う洗浄
工程の清浄度を管理する半導体ウェーハ１表面の清浄度
管理方法において、清浄度管理は半導体ウェーハ１表面
に存在するマイクロクラック３を観察して行うことを特
徴とする半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法および表
面のエッチング代検出方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハ洗浄
後の表面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法
に係わり、特に洗浄後に半導体ウェーハ表面に存在する
マイクロクラックを利用した半導体ウェーハ洗浄後の表
面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般的なシリコンウェーハの製造工程
は、シリコン単結晶の切断―面取り―研削―エッチング
―ドナキラー処理―鏡面研磨等多数の工程より構成され
ており、そしてこの各工程間には、洗浄、または洗浄／
乾燥の工程が組込まれている。

【０００３】切断から研削までの機械的加工により、シ
リコンウェーハの表面に生じた破砕層およびごみ等の汚
染物を除去するために洗浄が行われる。この洗浄工程は
ＮａＯＨ（２％）＋界面活性剤よりなる洗浄液によりシ
リコンウェーハの洗浄を行い、破砕層および汚染物を除
去する。破砕層の除去と、特に汚染物の除去が十分に行
われているか否かを調べるために、シリコンウェーハ表
面の清浄度を把握し、この結果に基づき洗浄条件を設定
する。

【０００４】従来、シリコンウェーハ表面の清浄度の管
理は、洗浄工程後のウェーハの表面が、相当激しい凹凸
状態を有しているので、通常のパーティクルカウンタに
よるパーティクル数のカウントができず、例えば必要に
応じて苛性ソーダ系洗浄液で洗浄した後、このシリコン
ウェーハの表面に粘着テープ（例えば、基材＝アセテー
トフィルム、粘着剤：アクリル樹脂系）を貼り付けた
後、そのテープを剥し、テープを剥がしたときのテープ
の汚れ具合を目視で観察していた。

【０００５】すなわち、従来、凹凸状態を有するウェー
ハ表面から粘着テープへの汚染物の付着状態等を確認す
ることにより、洗浄処理の良否を判断し、ウェーハ表面
の清浄度を把握、管理していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のテーピングテストによる管理方法にあって
は、粘着テープに付着するごみ等で汚染物の除去状態を
把握する一応の目安になるが、洗浄処理の良否を正確、
かつ定量的に把握することができないという問題があっ
た。

【０００７】特に、研削工程時に使用される研磨剤と呼
ばれる硬い砥粒は破砕層のマイクロクラックに深く食い
込んでいるため、粘着テープに付着しにくく、テストの
再現性は極めて低いものである。

【０００８】なお、この研磨剤の残留は、鏡面研磨工程
後のウェーハ製品の品質低下、歩留低下などと密接に関
係し、ごみ、砥粒等の汚染物の除去状態を正確かつ定量
的に把握しておくことが、極めて重要である。

【０００９】また、洗浄工程において、シリコンウェー
ハ表面の破砕層が十分に除去されているか否か把握する
ために、洗浄工程でのエッチング代の検出、管理が重要
である。このエッチング代の検出としては、従来、例え
ば厚さ測定器（ソータ）および平坦度測定装置（ＡＤ
Ｅ）、ダイヤルゲージ等により洗浄工程後にエッチング
されたシリコンウェーハの厚さを直接またはイニシャル
ウェーハとの差を測定することによってエッチング代を
検出していた。

【００１０】このような従来のエッチング代の検出で
は、破砕層の除去状態を把握する一応の目安にはなる
が、破砕層が完全に除去されているか、さらには、破砕
層と共に表層に残存する研削時の砥粒や汚染物等の除去
状態を把握できないという問題があった。

【００１１】そこで、ウェーハ表面の破砕層が半導体ウ
ェーハ洗浄後に十分除去されて、汚染物も十分に除去さ
れたか否か、ウェーハ表面の清浄度を管理し、また、エ
ッチング工程が適正に行われているか、否かを管理する
必要があり、このため表面の清浄度の状態を的確に管理
可能な半導体ウェーハ洗浄後の表面の清浄度管理方法お
よび表面の清浄度の管理等に役立つエッチング代検出方
法が要望されている。

【００１２】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、汚染物の存在を把握して、表面の清浄度の状態
を的確に管理可能な半導体ウェーハ洗浄後の表面の清浄
度管理方法および表面の清浄度の管理等に役立つエッチ
ング代検出方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、半導体ウェーハの表
面処理後に行う洗浄工程の清浄度を管理する半導体ウェ
ーハ表面の清浄度管理方法において、前記清浄度管理は
半導体ウェーハ表面に存在するマイクロクラックを観察
して行うことを特徴とする半導体ウェーハ表面の清浄度
管理方法であることを要旨としている。

【００１４】本願請求項２の発明では、上記マイクロク
ラックの観察は、マイクロクラックの溝幅を測定して行
うことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ表
面の清浄度管理方法であることを要旨としている。

【００１５】本願請求項３の発明では、上記マイクロク
ラックの溝幅の測定は、０．１〜２．０μｍの範囲で溝
幅を測定することを特徴とする請求項２に記載の半導体
ウェーハ表面の清浄度管理方法であることを要旨として
いる。

【００１６】本願請求項４の発明は、半導体ウェーハの
表面処理後に行う洗浄工程における清浄度を管理する半
導体ウェーハ表面の清浄度管理方法において、洗浄後の
半導体ウェーハ表面に存在するマイクロクラックを観察
して行うエッチング代の検出結果に基づき、清浄度管理
を行うことを特徴とする半導体ウェーハ表面の清浄度管
理方法であることを要旨としている。

【００１７】本願請求項５の発明では、上記マイクロク
ラックの観察は、マイクロクラックの溝深さを測定して
行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ
表面の清浄度管理方法であることを要旨としている。

【００１８】本願請求項６の発明では、上記マイクロク
ラックの観察は、光学顕微鏡または電子顕微鏡により行
うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に
記載の半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法であること
を要旨としている。

【００１９】本願請求項７の発明は、半導体ウェーハの
表面処理後に行う洗浄工程によるエッチング代を検出す
る半導体ウェーハ表面のエッチング代検出方法におい
て、エッチング代検出方法は洗浄後の半導体ウェーハ表
面に存在するマイクロクラックを観察して行うことを特
徴とする半導体ウェーハ表面のエッチング代検出方法で
あることを要旨としている。

【００２０】本願請求項８の発明では、上記マイクロク
ラックの観察は、マイクロクラックの溝幅を測定して行
うことを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハ表
面のエッチング代検出方法であることを要旨としてい
る。

【００２１】本願請求項９の発明では、上記マイクロク
ラックの溝幅の測定は、０．２〜３．０μｍの範囲で溝
幅を測定することを特徴とする請求項８に記載の半導体
ウェーハ表面のエッチング代検出方法であることを要旨
としている。

【００２２】本願請求項１０の発明は、半導体ウェーハ
の表面処理後に行う洗浄工程によるエッチング代を検出
する半導体ウェーハ表面のエッチング代検出方法におい
て、エッチング代検出方法は洗浄後の半導体ウェーハ表
面に存在するマイクロクラックの溝深さを測定して行う
ことを特徴とする半導体ウェーハ表面のエッチング代検
出方法であることを要旨としている。

【００２３】本願請求項１１の発明では、上記マイクロ
クラックの観察は、光学顕微鏡または電子顕微鏡により
行うことを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか１
項に記載の半導体ウェーハ表面のエッチング代検出方法
であることを要旨としている。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる半導体ウェ
ーハ洗浄後の表面の清浄度管理方法およびエッチング代
検出方法の実施形態について添付図面に基づき説明す
る。

【００２５】半導体ウェーハ、例えばシリコンウェーハ
は、図２に示すような製造工程を経て製造される。

【００２６】切断工程：単結晶引上装置により引上げら
れたシリコン単結晶をＳｉＣ砥粒が分散された加工液を
供給しながらマルチワイヤソーにより所定の厚さに切断
しウェーハを製造する。

【００２７】洗浄工程：前工程の切断工程ではシリコン
の切粉や加工液に含まれるＳｉＣ砥粒等の無機物や有機
物がウェーハに多数付着するため、洗浄液を用いてウェ
ーハの洗浄を行う。

【００２８】面取り工程：ウェーハのカケ・チップ防止
およびエピタキシャル成長のウェーハ周辺部での異常成
長を防止するため、ダイヤモンド砥石を用いて面取りを
行う。

【００２９】研削工程：切断で生じたウェーハ面の凹凸
の平滑化、加工歪みの深さの均一化、ウェーハ内および
ウェーハ間の厚さの均一化を図るために、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｏ₂、ＺｒＳｉＯ₄、Ａｌ₂Ｏ₃などの研磨剤を用いて両面
を４０〜６０μｍ研削する。

【００３０】洗浄工程：アルカリ洗浄液（ＮａＯＨ（３
％）＋界面活性剤）を用いてウェーハ表面の洗浄を行
い、表面の破砕層および表層の汚染物を除去する。切断
や研削されたウェーハには、加工により生じた表面に破
砕層および表層にマイクロクラックが存在し、破砕層は
スライス状態で２５〜５０μｍ、研削状態で１０〜１５
μｍであり、この破砕層には、研磨剤、シリコン粉等の
汚染物が残存する。このような研磨剤、シリコン粉等の
汚染物が残存した歪層が存在するとデバイスの電気特性
の悪化、動作不良等の悪影響を与えると共に以降のウェ
ーハ製造工程においても汚染等の悪影響を与える。従っ
て、表面の破砕層および表層の汚染物の完全な除去が必
要である。

【００３１】表面清浄度管理工程：半導体ウェーハの表
面の汚染物を洗浄工程後に本発明の半導体ウェーハ洗浄
後の表面の清浄度管理方法を用いてシリコンウェーハの
表面の清浄度を管理する。管理結果を基に、前の洗浄工
程の洗浄条件の適否を判断し、所望の洗浄結果が得られ
ていない場合には、洗浄条件を変更して所望の結果が得
られるよう管理する。

【００３２】エッチング工程：エッチング工程では、Ｈ
Ｆ（還元剤）、ＨＮＯ₃（酸化剤）、ＣＨ₃ＣＯＯＨ（緩
和剤）の混酸液を用いて加工化学的腐食法による表面処
理をする。

【００３３】洗浄工程：前工程のエッチング工程ではウ
ェーハに無機物や有機物が多数付着するため、アルカリ
洗浄液（ＮａＯＨ＋界面活性剤）や純水を用いてウェー
ハの洗浄を行う。

【００３４】なお、表面清浄度管理工程は、エッチング
工程後の洗浄工程終了後にも行ってもよい。

【００３５】ドナーキラー処理：シリコン単結晶に含ま
れる酸素ドナーを消去するために、ウェーハを６５０℃
で３０分熱処理する。

【００３６】洗浄工程：前工程のドナーキラー処理工程
でウェーハに付着した汚染物を除去するため、アルカリ
洗浄液（ＮａＯＨ＋界面活性剤）や純水を用いてウェー
ハの洗浄を行う。

【００３７】鏡面研磨工程：化学―機械研磨方法を用い
て破砕層がなく汚れもないシリコンウェーハの表面を鏡
のように研磨する。

【００３８】上述したようなシリコンウェーハの製造工
程において、洗浄工程は研磨剤、シリコン粉等の汚染物
が存在して、デバイスの電気特性の悪化、動作不良等の
悪影響を与えると共に以降のウェーハ製造工程において
もウェーハの汚染等の悪影響を与える原因となることを
未然に防止するのに極めて重要である。

【００３９】従って、洗浄工程でウェーハのエッチング
または洗浄が確実に行われ破砕層や汚染物が的確に除去
されているか否か、ウェーハ表面の清浄度を正確に把握
することが重要である。

【００４０】この把握結果に基づき、洗浄工程の良否を
判断し、ウェーハ表面に残留する不純物が所定量より多
い、あるいは好ましくない不純物が残留している場合に
は前記洗浄工程の条件等、例えば薬液組成、処理時間、
ウェーハ保持状態等を変更して良好な表面状態となるよ
うに半導体ウェーハ製造工程を管理する。

【００４１】以下に本発明の半導体ウェーハ洗浄後の半
導体ウェーハ表面の清浄度管理方法およびエッチング代
検出方法の第１の実施形態について図面を参照しながら
説明する。

【００４２】図３に示されるように、研削されたシリコ
ンウェーハ１には加工により破砕層２とマイクロクラッ
ク３が発生する。上述のように破砕層２はスライス状態
で２５〜５０μｍ、研削状態で１０〜１５μｍであり、
この破砕層２には、研磨剤、シリコン粉等の汚染物が残
存する。

【００４３】図４に示されるように、破砕層２は研削工
程後の洗浄工程により除去されるが、シリコンウェーハ
１表面にはゴミや砥粒と共にマイクロクラック３が残
る。

【００４４】さらに洗浄工程が進行すると、図１に示さ
れるように、線状であったマイクロクラック３（図１
（ａ）、（ｂ））は、エッチングされてマイクロクラッ
ク３の溝幅ｗが拡大する（図１（ｃ）、（ｄ））。溝幅
ｗとシリコンウェーハ１表面の清浄度と密接な関係があ
り、溝幅ｗが０．１〜２．０μｍの範囲では洗浄に起因
する不良率は低く、さらに残留研磨剤数も少ない。特に
溝幅ｗが０．３〜２．０μｍの範囲では不良率は極めて
低く、残留研磨剤数も０である。

【００４５】溝幅ｗはシリコンウェーハ１の鏡面仕上げ
後の製品品質、製造歩留とも密接に関連しており、洗浄
工程を進行させると溝幅ｗはさらに拡大し、溝の形状が
不明瞭となる（図１（ｅ）、（ｆ））。溝幅ｗは当該ウ
ェーハの洗浄工程の短縮、ウェーハ表面消耗量の低減か
ら可能な限り狭くする（ウェーハエッチング量を少なく
する）ことが好ましい。

【００４６】洗浄工程におけるマイクロクラックの溝幅
ｗの管理は図５に示すような電子顕微鏡、例えば反射電
子線検出装置４を付けた電子顕微鏡（電子線マイクロア
ナライザー）５を用いて行う。

【００４７】研削工程に続く洗浄工程後のシリコンウェ
ーハから試料Ｓを作製し、この試料Ｓを試料ステージ６
に載置し、試料Ｓに電子ビーム照射装置７から電子線を
照射し、試料Ｓからの反射線、例えば反射電子線を反射
電子線検出装置４で検出する。すなわち、検出された反
射電子線の情報を、中央演算装置（ＣＰＵ）８と記憶装
置９を有するデータ処理装置１０に収集し、ＣＰＵ８に
より反射電子線の強度から試料Ｓの２次元反射電子像で
形成される溝幅データを作り、記憶装置９に格納し、表
示装置１１に表示する。電子顕微鏡５の一定視野、例え
ば４２０μｍ×５６０μｍの大きさの範囲内に存在する
マイクロクラックの溝幅ｗを管理する。

【００４８】なお、上述した本発明の第１の実施形態で
は、電子顕微鏡として電子線走査による反射電子を検出
する電子線検出装置を付けた電子線マイクロアナライザ
ーを用いて説明したが、光学顕微鏡を用いて、シリコン
ウェーハ１のマイクロクラックの溝幅ｗを管理してもよ
い。

【００４９】次に上述した第１の実施形態の変形例につ
いて説明する。

【００５０】半導体ウェーハ表面の洗浄工程において、
シリコンウェーハ表面およびマイクロクラックはエッチ
ングされる。シリコンウェーハ表面がエッチングされる
ことによりシリコンウェーハ表面の清浄度は向上する
が、これに伴って、マイクロクラックの溝深さは浅くな
る。従って、マイクロクラックの溝幅を管理するのに換
えて、溝深さを管理することにより、シリコンウェーハ
表面の清浄度を判断することができる。

【００５１】上述した本発明の第１の実施形態によれ
ば、半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法は洗浄後にウ
ェーハ表面に存在するマイクロクラックの溝幅あるいは
溝深さを観察して行うので、管理の再現性は極めて高
く、残留研磨剤を一個一個数える管理方法と異なり、容
易かつ正確にシリコンウェーハの洗浄工程後の清浄度管
理を行うことができる。

【００５２】また、従来の粒径１〜５μｍの比較的大き
い残留研磨剤をカウントする管理方法と第１の実施形態
の方法を組合わせれば、半導体ウェーハ表面の清浄度の
広範な管理が可能となる。

【００５３】次に本発明に係わる半導体ウェーハ洗浄後
の表面清浄度管理方法およびエッチング代検出方法の第
２の実施形態について説明する。

【００５４】第２の実施形態は半導体ウェーハ表面の処
理後に行われる洗浄工程においてシリコンウェーハは洗
浄液によりエッチングされるが、そのエッチング代の検
出に、洗浄後の半導体ウェーハ表面に存在するマイクロ
クラックの溝幅を観察して行う方法である。

【００５５】半導体ウェーハ表面の洗浄工程において、
シリコンウェーハ表面およびマイクロクラックはエッチ
ングされる。シリコンウェーハ表面がエッチングされる
ことによりシリコンウェーハ表面の清浄度は向上する
が、これに伴って、マイクロクラックの溝幅も拡大す
る。

【００５６】図６に示されるように、マイクロクラック
の溝幅が０２１〜３．０μｍの範囲ではマイクロクラッ
クの溝幅とエッチング代（片面）には密接な関係があ
る。

【００５７】従って、マイクロクラックの０．２〜３．
０μｍの範囲で溝幅を管理することにより、エッチング
代を把握することができる。

【００５８】マイクロクラックの溝幅の管理は、第１の
実施形態と同様に電子顕微鏡または光学顕微鏡を用いて
行う。

【００５９】本第２の実施形態によれば、マイクロクラ
ックの溝幅を管理することによりシリコンウェーハ表面
のエッチング代を把握することができる。このエッチン
グ代を把握することで適性な洗浄条件の設定ができるな
どシリコンウェーハの洗浄工程の管理に役立つ。また、
エッチング代の増加に伴い、シリコンウェーハに残存す
る研磨剤の個数は減少し、破砕層の残存も減少すること
に基づき、エッチング代を把握できることにより、容易
に半導体ウェーハ表面の清浄度をモニタリングすること
ができる。

【００６０】次に上述した第２の実施形態に変形例につ
いて説明する。

【００６１】半導体ウェーハ表面の洗浄工程において、
シリコンウェーハ表面およびマイクロクラックはエッチ
ングされる。シリコンウェーハ表面がエッチングされる
ことによりシリコンウェーハ表面の清浄度は向上する
が、これに伴って、マイクロクラックの溝深さは浅くな
る。従って、マイクロクラックの溝幅を管理するのに換
えて、溝深さを管理することにより、シリコンウェーハ
表面のエッチング代を把握することができる。

【００６２】上述した本発明の第２の実施形態によれ
ば、半導体ウェーハ表面のエッチング代の管理方法は洗
浄後のウェーハ表面に存在するマイクロクラックの溝幅
あるいは溝深さを観察して行うので、容易かつ正確にエ
ッチング代を把握することができて、洗浄条件の設定が
容易にでき、さらに清浄度管理に応用すれば、容易に半
導体ウェーハ表面の清浄度をモニタリングすることがで
きる。

【００６３】

【実施例】１．第１の実施例 シリコン単結晶インゴットの切断−洗浄−面取り−研削
の各工程を行った後、シリコンウェーハを界面活性剤
（５％）＋ＮaＯＨ（３％）の洗浄液を用いて洗浄を行
う。

【００６４】表１はこの洗浄液の薬液温度やタクトタイ
ム、さらに後工程を調整して、破砕層の除去と共にウェ
ーハ表面に存在するマイクロクラックの溝幅が約０．２
μｍずつ広がるようにしたシリコンウェーハを作製し、
マイクロクラックの溝幅とシリコンウェーハの洗浄工程
での洗浄起因不良（外観不良）率との関係を見たもので
ある。

【００６５】表１に示すように、溝幅０．３〜２．０μ
ｍの範囲で洗浄起因不良率との間に非常に良好な相関性
が見られた。なお、本実施例では従来の残留研磨剤の直
接カウントによる管理方法と比較するために、電子顕微
鏡による反射電子ないし二次電子像による管理を行っ
た。すなわち、２００倍の面積（視野は約４２０μｍ×
５６０μｍ）の大きさの範囲内に存在する粒径１〜５μ
ｍの残留研磨剤と同視野内に存在するマイクロクラック
の溝幅を測定したものである。

【００６６】この測定結果のように、従来の管理方法で
は研磨剤数が５０個以下程度と少ないカウント数になる
とバラツキが大きく、洗浄起因不良率とほとんど相関が
なくなり、正確に評価できないことが判明し、マイクロ
クラックの溝幅測定による清浄度管理が優れていること
がわかった。

【００６７】

【表１】

【００６８】２．第２の実施例 本発明の第２の実施形態によるエッチング代検出方法と
従来の厚さ管理によるエッチング代検出方法を用いてエ
ッチング代の測定を行った。

【００６９】上述した第１の実施例と同様にして作製し
たシリコンウェーハを界面活性剤（１％）＋ＮaＯＨ
（５％）の洗浄液を用い、薬液温度７０℃一定にしてタ
クトタイムを５〜２０分間で洗浄した場合のエッチング
代を調べた。

【００７０】電子顕微鏡によって任意の視野内における
マイクロクラックの溝幅を管理し、この管理値を用いて
図６よりウェーハ面（破砕層）のエッチング代（片面）
を求めた。同視野（この場合は２００倍で、視野の大き
さは約４２０μｍ×５６０μｍ）内の表面清浄度と密接
に関係している粒径１〜５μｍの残留研磨剤（酸化ジル
コニア系）の個数をカウントした。

【００７１】これらの結果を表２に示す。

【００７２】

【表２】

【００７３】本発明の第２の実施形態によれば、洗浄後
のマイクロクラックの溝幅を測定することにより、エッ
チング代を把握できると共に、洗浄液で除去しきれない
研削時に発生したチッピングや破砕層の残り具合を把握
することができることがわかった。

【００７４】また、本発明による検出方法によるエッチ
ング代の値（片面）と従来の方法の値（両面）はよく一
致している。

【００７５】

【発明の効果】本発明に係わる半導体ウェーハ表面の清
浄度管理方法によれば、管理の再現性は極めて高く、容
易かつ正確にシリコンウェーハの洗浄工程後の清浄度管
理を行うことができる。

【００７６】マイクロクラックの溝幅を測定して清浄度
管理を行うことによりさらに再現性高く、容易かつ正確
にシリコンウェーハの洗浄工程後の清浄度管理を行うこ
とができる。

【００７７】マイクロクラックの溝幅は、０．１〜２．
０μｍの範囲を測定するので、より一層再現性高く、容
易かつ正確にシリコンウェーハの洗浄工程後の清浄度管
理を行うことができる。

【００７８】マイクロクラックの観察は、マイクロクラ
ックの溝深さを観察して行うので、再現性高く、容易か
つ正確にシリコンウェーハの洗浄工程後の清浄度管理を
行うことができる。

【００７９】マイクロクラックの観察は、光学顕微鏡ま
たは電子顕微鏡により行うので、正確にマイクロクラッ
クの溝幅あるいは溝深さを管理できて、ウェーハ表面の
清浄度を正確に把握できる。

【００８０】本発明に係わる半導体ウェーハ表面のエッ
チング代検出方法によれば、マイクロクラックを観察す
ることによりシリコンウェーハ表面のエッチング代を把
握することができてる。このエッチング代を把握するこ
とで適性な洗浄条件の設定ができるなどシリコンウェー
ハの洗浄工程の管理に役立つ。エッチング代を把握する
ことにより、容易に半導体ウェーハ表面の清浄度をモニ
タリングすることができる。

【００８１】マイクロクラックの溝幅を測定することに
よりシリコンウェーハ表面のエッチング代を容易に把握
できる。

【００８２】マイクロクラックの溝幅の測定は、０．２
〜３．０μｍの範囲で溝幅を測定するので、より一層再
現性高く、容易かつ正確にシリコンウェーハの洗浄工程
後のエッチング代を把握できる。

【００８３】マイクロクラックの観察は、マイクロクラ
ックの溝深さを測定して行うので、再現性高く、容易か
つ正確にシリコンウェーハの洗浄後のエッチング代を把
握することができる。

【００８４】マイクロクラックの観察は、光学顕微鏡ま
たは電子顕微鏡により行うので、正確にマイクロクラッ
クの溝幅あるいは溝深さを管理できて、エッチング代を
正確に把握できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる半導体ウェーハ表面の清浄度管
理方法およびエッチング代検出方法で管理される半導体
ウェーハ面のマイクロクラックのエッチング状態を示す
説明図。

【図２】本発明に係わる半導体ウェーハ表面の清浄度管
理方法およびエッチング代検出方法が実施されるシリコ
ンウェーハの製造工程図。

【図３】一般的な研削後のシリコンウェーハ表面の状態
を示す説明図。

【図４】一般的な洗浄後のシリコンウェーハ表面の状態
を示す説明図。

【図５】本発明に係わる半導体ウェーハ表面の清浄度管
理方法に用いられる電子顕微鏡の概念図。

【図６】本発明に係わる半導体ウェーハ表面のエッチン
グ代検出方法により管理されたマイクロクラック溝幅と
エッチング代の相関図。

【符号の説明】

１ 半導体ウェーハ ２ 破砕層 ３ マイクロクラック ｗ マイクロクラックの溝幅

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハの表面処理後に行う洗浄
   工程の清浄度を管理する半導体ウェーハ表面の清浄度管
   理方法において、前記清浄度管理は半導体ウェーハ表面
   に存在するマイクロクラックを観察して行うことを特徴
   とする半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法。
2. 【請求項２】 上記マイクロクラックの観察は、マイク
   ロクラックの溝幅を測定して行うことを特徴とする請求
   項１に記載の半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法。
3. 【請求項３】 上記マイクロクラックの溝幅の測定は、
   ０．１〜２．０μｍの範囲で溝幅を測定することを特徴
   とする請求項２に記載の半導体ウェーハ表面の清浄度管
   理方法。
4. 【請求項４】 半導体ウェーハの表面処理後に行う洗浄
   工程における清浄度を管理する半導体ウェーハ表面の清
   浄度管理方法において、洗浄後の半導体ウェーハ表面に
   存在するマイクロクラックを観察して行うエッチング代
   の検出結果に基づき、清浄度管理を行うことを特徴とす
   る半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法。
5. 【請求項５】 上記マイクロクラックの観察は、マイク
   ロクラックの溝深さを測定して行うことを特徴とする請
   求項１に記載の半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法。
6. 【請求項６】 上記マイクロクラックの観察は、光学顕
   微鏡または電子顕微鏡により行うことを特徴とする請求
   項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体ウェーハ表
   面の清浄度管理方法。
7. 【請求項７】 半導体ウェーハの表面処理後に行う洗浄
   工程によるエッチング代を検出する半導体ウェーハ表面
   のエッチング代検出方法において、エッチング代検出方
   法は洗浄後の半導体ウェーハ表面に存在するマイクロク
   ラックを観察して行うことを特徴とする半導体ウェーハ
   表面のエッチング代検出方法。
8. 【請求項８】 上記マイクロクラックの観察は、マイク
   ロクラックの溝幅を測定して行うことを特徴とする請求
   項７に記載の半導体ウェーハ表面のエッチング代検出方
   法。
9. 【請求項９】 上記マイクロクラックの溝幅の測定は、
   ０．２〜３．０μｍの範囲で溝幅を測定することを特徴
   とする請求項８に記載の半導体ウェーハ表面のエッチン
   グ代検出方法。
10. 【請求項１０】 半導体ウェーハの表面処理後に行う洗
    浄工程によるエッチング代を検出する半導体ウェーハ表
    面のエッチング代検出方法において、エッチング代検出
    方法は洗浄後の半導体ウェーハ表面に存在するマイクロ
    クラックの溝深さを測定して行うことを特徴とする半導
    体ウェーハ表面のエッチング代検出方法。
11. 【請求項１１】 上記マイクロクラックの観察は、光学
    顕微鏡または電子顕微鏡により行うことを特徴とする請
    求項７ないし１０のいずれか１項に記載の半導体ウェー
    ハ表面のエッチング代検出方法。