JP2000246628A - 基板把持装置及び研磨装置 - Google Patents

基板把持装置及び研磨装置

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JP2000246628A
JP2000246628A JP4545499A JP4545499A JP2000246628A JP 2000246628 A JP2000246628 A JP 2000246628A JP 4545499 A JP4545499 A JP 4545499A JP 4545499 A JP4545499 A JP 4545499A JP 2000246628 A JP2000246628 A JP 2000246628A
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polishing
substrate holding
holding
elastic mat
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Shin Owada
伸 大和田
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Original Assignee
Ebara Corp
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の背圧や研磨境界面の温度の制御を、比
較的簡単な構成でより厳密に行うことができるような基
板把持装置を提供する。 【解決手段】 基板保持面を有する把持板12を備え、
該基板保持面に基板Wを保持して基板Wの被研磨面を研
磨テーブルの研磨面に押し付けて研磨を行なうための基
板把持装置において、把持板12には、局所的に変形し
て前記基板保持面の凹凸を調整するアクチュエータが設
けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板把持装置に関
し、特に半導体ウエハなどの基板の表面を平坦かつ鏡面
に研磨するポリッシング装置に用いて好適な基板把持装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が0.5μm以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の1手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。
【0003】従来、この種のポリッシング装置は、上面
に研磨布を貼付して研磨面を構成するターンテーブル
と、基板の被研磨面をターンテーブルに向けて基板を保
持するトップリングとを有し、これらをそれぞれ自転さ
せながらトップリングにより基板を一定の圧力でターン
テーブルに押しつけ、砥液を供給しつつ基板の被研磨面
を平坦且つ鏡面に研磨している。
【0004】図11は、従来のポリッシング装置の一例
の主要部を示す図である。これは、上面に研磨布100
を貼った回転するターンテーブル102と、回転および
押圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ(基
板)Wを保持するトップリング104と、研磨布100
に砥液Qを供給する砥液供給ノズル106を備えてい
る。トップリング104はトップリングシャフト108
に連結され、このトップリングシャフト108は図示し
ないトップリングヘッドにエアシリンダを介して上下動
可能に支持されている。
【0005】トップリング104はその下面にポリウレ
タン等の弾性マット110を備えており、この弾性マッ
ト110を介して半導体ウエハWを保持するようになっ
ている。さらにトップリング104には、円筒状のガイ
ドリング112が外周縁部に設けられている。ガイドリ
ング112はトップリング104に対して固定され、そ
の下端面はトップリング104の保持面から突出してお
り、その内側に凹所を形成している。これにより、ポリ
ッシング対象物である半導体ウエハWが凹所内に保持さ
れ、研磨中にトップリング104外へ飛び出さないよう
になっている。
【0006】このような構成の研磨装置において、半導
体ウエハWをトップリング104の下面の弾性マット1
10の下部に保持し、ターンテーブル102上の研磨布
100に半導体ウエハWをトップリング104によって
押圧するとともに、ターンテーブル102およびトップ
リング104を回転させて研磨布100と半導体ウエハ
Wを相対運動させて研磨する。このとき、砥液供給ノズ
ル106から研磨布100上に砥液Qを供給する。砥液
は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁し
たものを用い、アリカリによる化学的研磨作用と、砥粒
による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウエ
ハWを研磨する。
【0007】上述したポリッシング装置により半導体ウ
エハWの全面に渡ってこれを高い精度で平坦化するため
には、研磨量に影響する種々の複雑な要因を制御する必
要が有る。これらの要因としては、半導体ウエハWとタ
ーンテーブル102の相対的な摺動速度、半導体ウエハ
Wと研磨布100の間の面(研磨境界面)における砥液
の供給量(分布量)、トップリング104から半導体ウ
エハWに作用する研磨布100に向けた押圧力、研磨境
界面における温度等が挙げられる。
【0008】押圧力は、トップリングから半導体ウエハ
Wへ弾性マットを介して付与されるが、トップリング
は、研磨中においてそれに掛かる種々の力や研磨の際の
摩擦による温度変化によって種々に変形するので、半導
体ウエハへの押圧力も不均一になってしまう。従って、
そのような変形に対してこれを相殺するような調整を行
なうことができる手段を講じることが好ましい。
【0009】図12に示すのはそのような対策の1つで
あり、トップリング104の把持板114と被覆板11
6の間に背圧空間S,Sを形成し、把持板114及
び弾性マット110に半導体ウエハWの裏面と背圧空間
,Sを連通する貫通孔118,120を設ける構
成が考えられる。これにより、半導体ウエハWに対して
弾性マット110の裏面側から正負の流体圧を作用させ
て押圧力を半導体ウエハWの全面に渡りあるいは局部的
に制御することができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図12
に示す方法では、半導体ウエハWの裏面に局部的に背圧
を作用させるために、ウエハと弾性マットの間にある程
度気密性のある背圧空間S,Sを形成しなくてはな
らないので、シールや流体圧を作用させるカップリング
の構成が複雑になってしまう。そのため、ウエハの背面
を細分して精度高く圧力制御するのは難しくなるという
課題が有った。また、流体圧力には配管系による遅れが
有り、制御の際の応答性が充分ではないという課題もあ
った。
【0011】本発明は、上述した問題点を解決すべくな
されたもので、基板の背圧や研磨境界面の温度の制御
を、比較的簡単な構成でより厳密に行うことができるよ
うな基板把持装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板保持面を有する把持板を備え、該基板保持面に
基板を保持して基板の被研磨面を研磨テーブルの研磨面
に押し付けて研磨を行なうための基板把持装置におい
て、前記把持板には、局所的に変形して前記基板保持面
の凹凸を調整するアクチュエータが設けられていること
を特徴とする基板把持装置である。
【0013】これにより、研磨中に種々の要因で把持板
が変形しても、その変形をアクチュエータの作動によっ
て補って基板保持面の平坦性を維持し、把持板から基板
の全面に渡って一定の押圧力を付与することができる。
アクチュエータとしては、寸法が小さく、エネルギー供
給のための構成が簡単で、微細な制御が可能なものが好
ましく、圧電素子が最適である。
【0014】請求項2に記載の発明は、基板保持面を有
する把持板を備え、該基板保持面に弾性マットを介して
基板を保持して基板の被研磨面を研磨テーブルの研磨面
に押し付けて研磨を行なうための基板把持装置におい
て、前記弾性マットに内蔵された局所変形用のアクチュ
エータに給電するための給電機構が設けられていること
を特徴とする基板把持装置である。
【0015】これにより、研磨中に種々の要因で把持板
が変形しても、その変形を弾性マットのアクチュエータ
の作動によって補って基板保持面の平坦性を維持し、把
持板から基板の全面に渡って一定の押圧力を付与するこ
とができる。アクチュエータとしては、圧電素子が最適
であり、給電機構は、例えば、弾性マットに平面的に配
置された個々のアクチュエータに把持板から個別に給電
でき、かつ電気的な接続を例えばワンタッチ式に容易に
行うことができることが望ましい。
【0016】請求項3に記載の発明は、前記把持板の変
形状態を直接又は間接に検知するためのセンサと、該セ
ンサの出力に基づいて前記アクチュエータの動作を制御
する制御手段とを有することを特徴とする請求項1又は
2に記載の基板把持装置である。これにより、変形状態
をリアルタイムで判断して迅速に対応することができ
る。もちろん、このような複雑な方法だけでなく、例え
ば、人間が基板の研磨結果を判断してそれに応じた制御
を行なうようにしてもよい。
【0017】請求項4に記載の発明は、基板保持面を有
する把持板を備え、該基板保持面に基板を保持して基板
の被研磨面を研磨テーブルの研磨面に押し付けて研磨を
行なうための基板把持装置において、前記基板保持面と
基板の間に介在して配置される弾性マットであって、前
記弾性マットには、該弾性マットを局所的に変形させる
アクチュエータが設けられていることを特徴とする弾性
マットである。
【0018】請求項5に記載の発明は、基板保持面を有
する把持板を備え、該基板保持面に基板を保持して基板
の被研磨面を研磨テーブルの研磨面に押し付けて研磨を
行なうための基板把持装置において、前記基板保持面と
基板の間に介在して配置される弾性マットであって、前
記弾性マットは、機械的な性質が場所によって異なるよ
うな傾斜的特性を有する素材で構成されていることを特
徴とする弾性マットである。
【0019】これにより、研磨中に種々の要因で把持板
が変形しても、その変形があらかじめ想定できる場合に
は、そのような変形に対応可能なように機械的性質が局
所的に異なるような特性を有する素材の弾性マットを用
いることにより、基板保持面の変形を補正し、把持板か
ら基板の全面に渡って一定の押圧力を付与することがで
きる。
【0020】請求項6に記載の発明は、請求項1ないし
3のいずれかに記載の基板把持装置、又は請求項4又は
5に記載の弾性マットを用いた基板把持装置のいずれか
と、研磨テーブルとを有することを特徴とする研磨装置
である。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1ないし図5は、本発明
の1つの実施の形態を示す図であり、トップリング10
は、把持板12とこれの裏面を覆う被覆板14と、これ
らの周囲を囲むガイドリング16とから構成され、把持
板12とガイドリング16により形成される凹所に弾性
マット18を介して半導体ウエハWを保持するようにな
っている。被覆板14はボール20を有する自在継手部
22を介してトップリングシャフト24に接続されてお
り、このトップリングシャフト24はトップリングヘッ
ド26に固定されたトップリング用エアシリンダ27に
連結されて上下動可能に、かつトップリング10の下端
面に保持された半導体ウエハWをターンテーブル102
(図11参照)に押圧可能になっている。
【0022】トップリングシャフト24内には、半導体
ウエハWを真空吸着しあるいは背圧を調整するための真
空排気源や圧縮空気源に接続される管30や、トップリ
ング10の温度・歪みやトップリング10内の空間の圧
力等を検出するセンサあるいはトップリング10に設け
た弁等を駆動するための信号の授受や電源用のケーブル
を通すための空間が形成されている。
【0023】また、トップリングシャフト24はキー
(図示せず)を介して回転筒32に連結されており、こ
の回転筒32は、その外周部のタイミングプーリ34、
タイミングベルト36等を介してトップリングヘッド2
6に固定されたトップリング用モータ37に接続されて
いる。したがって、トップリング用モータ37を回転駆
動することによって回転筒32及びトップリングシャフ
ト24が一体に回転し、トップリング10が回転する。
トップリングヘッド26は、トップリングヘッドシャフ
ト35によって水平方向に揺動可能に支持されている。
【0024】トップリング10の外周を囲むようにかつ
これとは個別に上下動可能に押圧リング38が設けられ
ている。これはトップリングヘッド26より垂下して設
けられた複数の押圧リング用エアシリンダ40に連結さ
れている。これにより、押圧リング38は回転が規制さ
れつつトップリング10に対して上下動自在になってい
る。
【0025】トップリング用エアシリンダ27及び押圧
リング用エアシリンダ40は、それぞれレギュレータR
,Rを介して圧縮空気源28aに接続され、トップ
リング用エアシリンダ27へ供給する空気圧を調整する
ことによりトップリング10が半導体ウエハWを研磨布
100に押圧する押圧力を調整することができ、押圧リ
ング用エアシリンダ40へ供給する空気圧を調整するこ
とにより押圧リング38が研磨布100を押圧する押圧
力を調整することができる。
【0026】把持板12の上面の中央には凹部42が形
成されており、被覆板14には凹部42に沿うような形
状の突出部44が下方に突出して形成され、両者はこれ
らを嵌合するように取り付けられている。被覆板14
は、押え板50を把持板12にボルト固定することによ
り把持板12に取り付けられている。把持板12と被覆
板14の間には、従来の場合と同様に背圧空間S,S
が形成され、把持板12及び弾性マット18にこれを
挿通して半導体ウエハW裏面と背圧空間S,S を連
通する貫通孔46,48が設けられている。背圧空間S
,Sは、押え板50の上部に設けられたカプラ5
2、管30、レギュレータR,R・・を介して圧縮
空気源28bや真空排気源29に接続され、これによ
り、半導体ウエハWに対して弾性マット18の裏面側か
ら正負の流体圧を作用させて押圧力を半導体ウエハWの
全面に渡りあるいは局部的に制御することができるよう
になっている。
【0027】把持板12の下面(基板保持面)には、厚
さ方向に伸縮する薄片状の圧電素子54a,54b,5
4c,54d,54eが、基板保持面を、この例では同
心円状に複数(この例では5)に分割するようにして貼
付されている。圧電素子54a,・・54eは、基板保
持面に形成された同心の周方向溝56a,・・56eに
底面を貼付することにより埋設されており、個々に厚さ
tが可変になっている。圧電素子は周知のものであるの
で詳細な説明は省く。これらの圧電素子54a,・・5
4eには、把持板への取り付け面の所定箇所に受電端子
58a,・・58eが設けられ、一方、把持板の基板保
持面にはこの受電端子に対応する位置に給電端子60
a,・・60eが設けられている。この給電端子は、把
持板12内部やトップリングシャフト24内部を挿通す
る配線を経由して外部の電源に接続されている。
【0028】この実施の形態においては、把持板の温度
を測定する温度センサ、変形を測定する歪みセンサ(ま
とめて符号62で示す)が、基板全面に対応する領域に
わたって適当に分散配置されている。これらのセンサ6
2の検出出力は、多重伝送ユニット64を介して制御装
置66に入力され、ここで演算処理されて把持板12の
全体の変形状態が推定される。このデータの演算処理は
所定のプログラムを用いれば可能であり、ここでは詳述
しない。歪みセンサのデータ、あるいは温度センサのデ
ータのいずれか一方だけでも変形状態を推定することは
できるが、この実施の形態ではより高い精度を得るため
に両方を用いている。
【0029】以下、このように構成された研磨装置の作
用を説明する。研磨は、ターンテーブル102を回転さ
せ、砥液供給ノズル106から研磨砥液Qを供給しつ
つ、トップリング10によって把持した半導体ウエハW
をトップリング用エアシリンダによって所定圧力でター
ンテーブル102の研磨布100面に押圧することによ
り行われる。
【0030】制御装置66は、研磨中に温度及び歪みセ
ンサ62により得られたデータに基づいて把持板12の
変形状態を推定し、次に、この結果に基づいてこの変形
を補うように各圧電素子54a,・・54eの伸縮変形
量を求め、さらにこれに基づいてこれらに供給する電圧
を制御する。市販の圧電素子では、例えば、10Vの電
圧付与で5μmの伸びが得られるものがある。このよう
に入力電圧を制御することにより、厚さtを個々に変化
させることができる。これにより、図5(a)又は図5
(b)に模式的に示すように、研磨に伴ってトップリン
グ10に作用する力や温度上昇に伴うトップリング10
の変形を補正して基板保持面の平坦性を維持することが
できる。従って、自在継手部22を介して把持板12に
伝達された押圧力が、保持面から弾性マット18を介し
て基板Wの全面に均一に付与される。
【0031】さらに制御装置66は、必要に応じて背圧
空間S,Sに作用させる背圧を個別に制御する。こ
れは、把持板12の貫通孔46及び弾性マットの貫通孔
48を介して半導体ウエハWの裏面に作用する。この装
置では、圧電素子54a,・・54eによってトップリ
ング10の変形が補正されて基板保持面の平坦性が維持
されているので、背圧制御を必ずしも行う必要がなく、
圧電素子54a,・・54eによる補正が完全でない場
合に補助的に行えばよい。なお、この実施の形態では、
把持板にセンサを配置してその変形を算出し、リアルタ
イムでその変形を補正するようにしたが、より簡単な方
法としては、研磨済みの基板の変形を測定し、その傾向
からトップリング10の変形を推定して、これを基に圧
電素子54a,・・54eの伸縮を調整するようにして
もよい。
【0032】トップリング10は自転しており、ある時
間を平均すれば、基板把持面の変形は回転対称な変形で
あると考えられるので、上記のように背圧制御も同心状
の空間毎の軸対称な制御で充分であると考えられる。し
かしながら、トップリング10の変形が軸対称的でない
場合には、圧電素子54a,・・54eをさらに例えば
周方向にも分割して貼付し、より高い精度の制御を行な
うようにしてもよい。
【0033】図6及び図7はこの発明の第2の実施の形
態のトップリング10を示すもので、基板保持面にバイ
モルフ型の圧電素子68,・・が貼付されている。バイ
モルフ型の圧電素子68,・・は、伸縮率が異なる2層
のシート状圧電素子68a,68bを貼り合わせて構成
されているものである。所定の電圧を印加すると上下の
層のうち、一方が伸び、他方が縮む又は伸び率が上下で
異なることにより、バイモルフ型圧電素子は全体として
上下いずれかに「反る」ように変形する。この例では、
基板保持面の所定半径より外側の領域に、周方向に分割
した所定中心角の扇状のバイモルフ型圧電素子が、径方
向に沿って反り変形するように配置されている。
【0034】この実施の形態においては、図7に模式的
に示すように、把持板12が径方向中間部で突出するよ
うに変形することが想定されている場合に、図示するよ
うに反り変形させることによって把持板の変形を相殺
し、基板保持面の平坦度を維持する。この場合、各圧電
素子68,・・の変形の傾向は変わらないが、圧電素子
に付与される電圧を調整することによって反り変形の量
が調整される。なお、この例では、圧電素子を周方向に
分割して配置しているので、トップリング10の変形が
軸対称的でない場合の調整に好適である。
【0035】以下に説明する実施の形態は、把持板12
の基板保持面ではなく、把持板12と基板の間に介在す
る弾性マットの特性を局所的に変化させるものである。
図8に示すのは、弾性マット18の内部の所定箇所に圧
電素子70a,70b,・・を埋設したもので、これに
より、弾性マット厚さを変化させて、把持板12の変形
を補正したり、基板Wへの背圧を局所的に制御するよう
に用いることができる。圧電素子70a,70b,・・
の平面的な配置や分割方法、圧電素子70a,70b,
・・のタイプ(縦伸縮式又はバイモルフ型)等は条件に
応じて任意に選択することができる。この例では、図1
の実施の形態と同様に、厚さ方向に伸縮する圧電素子が
同心状に分割されて用いられている。
【0036】この例の弾性マット18では、基板に接す
る表面層18aは含水させて基板への密着性を確保する
ために空孔率の高い発泡層又は不織布で構成されてい
る。その裏面側の第2層18bはある程度の強度を維持
するための硬質層であって、例えば、PET(ポリエチ
レンテレフタレート)のような樹脂層である。この硬質
層の裏面側には、把持板12の基板保持面に密着させる
ための粘着層18cが設けられている。圧電素子70
a,70b,・・は、この例ではPET層18bに埋設
されており、これはPETの成型時に成型用型内に配置
しておくことにより、一体に作製される。
【0037】圧電素子70a,70b,・・に給電する
ための配線72が粘着層18cを貫通してその表面に設
けられた受電端子74に接続されている。把持板12に
は、対応する箇所に給電端子76が設けられており、こ
れらの端子74,76は弾性マット18を貼付した時に
同時に連結されて外部電源に接続されるように構成され
ている。
【0038】図9及び図10は、この発明のさらに他の
実施の形態を示すもので、ここでは、弾性マット18
が、例えば機械的特性が位置によって変化するような傾
斜素材により作製されている。この例では、弾性マット
18は周方向に分割された分割片19から構成され、個
々の分割片19は、弾性率が径方向において、図10に
示すように順次変化するようになっている。このような
傾斜素材は、微量の添加成分をイオン注入のような方法
で場所によって組成を変化させながら添加することによ
って作製することができる。この例では、添加によって
素材の弾性率を挙げるような添加元素を用いており、径
方向の中間の領域で弾性率が小さく、中央及び周辺領域
で弾性率が大きくなるような素材が用いられている。こ
れにより、トップリング10の把持板12が径方向の中
間の領域で突出するような変形をする場合に、その突出
部による押圧力変化を緩和するように作用させることが
できる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板把持
装置によれば、局所的に変形して前記基板保持面の凹凸
を調整するアクチュエータや、局所的に機械的性質の異
なる機能性素材を用いることにより、状況に応じて基板
保持面のレベルを調整してその平坦度を維持し、基板の
全面を平坦かつ鏡面に研磨し、半導体製造工程における
質の高いポリッシングを行うとともに、半導体ウエハの
周縁部まで製品に供することができるようにすることに
より半導体ウエハの歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1つの実施の形態のトップリングの断
面図である。
【図2】図1のトップリングの要部の拡大図である。
【図3】基板保持面を下から見た図である。
【図4】図1の実施の形態のトップリングを有する研磨
装置の全体を示す断面図である。
【図5】図1のトップリングにおける作用を説明する模
式的断面図である。
【図6】個の発明の他の実施の形態のトップリングの基
板保持面を下から見た図である。
【図7】図6のトップリングの作用を説明する模式的断
面図である。
【図8】本発明の他の実施の形態である弾性マットの断
面図である。
【図9】本発明のさらに他の実施の形態である弾性マッ
トの平面図である。
【図10】図9の弾性マットの特性を示すグラフであ
る。
【図11】従来のポリッシング装置の構成を示す部分断
面図である。
【図12】従来のトップリングの概略を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
10 トップリング 12 把持板 14 被覆板 16 ガイドリング 18 弾性マット 18a 表面層 18b 第2層 18c 粘着層 20 ボール 22 自在継手部 24 トップリングシャフト 26 トップリングヘッド 28 圧縮空気源 29 真空排気源 30 管 32 回転筒 34 タイミングプーリ 36 タイミングベルト 38 押圧リング 40 押圧リング用エアシリンダ 42 凹部 44 突出部 46,48 貫通孔 50 板 52 カプラ 54a,54b,54c,54d,54e 圧電素子 56a,・・ 周方向溝 58a,・・ 受電端子 60a,・・ 給電端子 62 センサ 64 多重伝送ユニット 66 制御装置 68,・・ 圧電素子 68a,68b シート状圧電素子 70a,70b,・・ 圧電素子 72 配線 74 受電端子 76 給電端子 100 研磨布 102 ターンテーブル 104 トップリング 106 砥液供給ノズル 108 トップリングシャフト 110 弾性マット 112 ガイドリング 114 把持板 116 被覆板 118,120 貫通孔 R,R,・・ レギュレータ W 基板 Q 研磨砥液 S,S 背圧空間

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板保持面を有する把持板を備え、該基
    板保持面に基板を保持して基板の被研磨面を研磨テーブ
    ルの研磨面に押し付けて研磨を行なうための基板把持装
    置において、 前記把持板には、局所的に変形して前記基板保持面の凹
    凸を調整するアクチュエータが設けられていることを特
    徴とする基板把持装置。
  2. 【請求項2】 基板保持面を有する把持板を備え、該基
    板保持面に弾性マットを介して基板を保持して基板の被
    研磨面を研磨テーブルの研磨面に押し付けて研磨を行な
    うための基板把持装置において、 前記弾性マットに内蔵された局所変形用のアクチュエー
    タに給電するための給電機構が設けられていることを特
    徴とする基板把持装置。
  3. 【請求項3】 前記把持板の変形状態を直接又は間接に
    検知するためのセンサと、該センサの出力に基づいて前
    記アクチュエータの動作を制御する制御手段とを有する
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板把持装
    置。
  4. 【請求項4】 基板保持面を有する把持板を備え、該基
    板保持面に基板を保持して基板の被研磨面を研磨テーブ
    ルの研磨面に押し付けて研磨を行なうための基板把持装
    置において、前記基板保持面と基板の間に介在して配置
    される弾性マットであって、 前記弾性マットには、該弾性マットを局所的に変形させ
    るアクチュエータが設けられていることを特徴とする弾
    性マット。
  5. 【請求項5】 基板保持面を有する把持板を備え、該基
    板保持面に基板を保持して基板の被研磨面を研磨テーブ
    ルの研磨面に押し付けて研磨を行なうための基板把持装
    置において、前記基板保持面と基板の間に介在して配置
    される弾性マットであって、 前記弾性マットは、機械的な性質が場所によって異なる
    ような傾斜的特性を有する素材で構成されていることを
    特徴とする弾性マット。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし3のいずれかに記載の基
    板把持装置、又は請求項4又は5に記載の弾性マットを
    用いた基板把持装置のいずれかと、研磨テーブルとを有
    することを特徴とする研磨装置。
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