JP2000244015A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JP2000244015A JP2000244015A JP4531199A JP4531199A JP2000244015A JP 2000244015 A JP2000244015 A JP 2000244015A JP 4531199 A JP4531199 A JP 4531199A JP 4531199 A JP4531199 A JP 4531199A JP 2000244015 A JP2000244015 A JP 2000244015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺｎＯによる励起子発光を利用して電気エネ
ルギーを青〜紫外線の光に変換することができる発光素
子を提供する。 【解決手段】 サファイア基板２の上に低抵抗のＺｎＯ
層３を形成し、ＺｎＯ層３の上にＺｎＯ発光部４をエピ
タキシャル成長させる。ついで、ＺｎＯ発光部４の一部
をエッチングして低抵抗のＺｎＯ層３を露出させ、この
露出部分に下部電極５を設けると共にＺｎＯ発光部４の
上面に上部電極６を設ける。
ルギーを青〜紫外線の光に変換することができる発光素
子を提供する。 【解決手段】 サファイア基板２の上に低抵抗のＺｎＯ
層３を形成し、ＺｎＯ層３の上にＺｎＯ発光部４をエピ
タキシャル成長させる。ついで、ＺｎＯ発光部４の一部
をエッチングして低抵抗のＺｎＯ層３を露出させ、この
露出部分に下部電極５を設けると共にＺｎＯ発光部４の
上面に上部電極６を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は励起子によって発光
する励起子発光部を有する発光素子に関する。
する励起子発光部を有する発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】サファイア基板上にエピタキシャル成長
させたＺｎＯ膜に低温で光を照射すると、励起子による
発光が観測される。また、東京工大の研究者グループに
よれば、室温において励起子による発光が観測されたと
報告されている。このようなＺｎＯの励起子による発光
波長は３７０ｎｍにあり、青〜紫外線の領域における発
光素子として有望である。
させたＺｎＯ膜に低温で光を照射すると、励起子による
発光が観測される。また、東京工大の研究者グループに
よれば、室温において励起子による発光が観測されたと
報告されている。このようなＺｎＯの励起子による発光
波長は３７０ｎｍにあり、青〜紫外線の領域における発
光素子として有望である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、励起子
による発光は高純度のＺｎＯ膜でしか観測することがで
きないので、ＺｎＯによる励起子発光を発光ダイオード
やレーザーダイオードのように電気を光に変換する発光
素子として利用しようとすると電極の構造が問題となっ
ていた。
による発光は高純度のＺｎＯ膜でしか観測することがで
きないので、ＺｎＯによる励起子発光を発光ダイオード
やレーザーダイオードのように電気を光に変換する発光
素子として利用しようとすると電極の構造が問題となっ
ていた。
【０００４】すなわち、ＺｎＯはサファイア基板上に直
接成膜しないとエピタキシャル成長させることができ
ず、サファイア基板の上に電極膜を形成し、その上にＺ
ｎＯ膜を成膜したのでは結晶性が良好で高純度なＺｎＯ
膜を得ることができないからである。また、サファイア
基板は絶縁体であるから、サファイア基板の下面に電極
膜を設けても発光素子の電極として用いることができな
いからである。
接成膜しないとエピタキシャル成長させることができ
ず、サファイア基板の上に電極膜を形成し、その上にＺ
ｎＯ膜を成膜したのでは結晶性が良好で高純度なＺｎＯ
膜を得ることができないからである。また、サファイア
基板は絶縁体であるから、サファイア基板の下面に電極
膜を設けても発光素子の電極として用いることができな
いからである。
【０００５】本発明は上述の技術的問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、Ｚ
ｎＯによる励起子発光を利用して電気を光に変換するこ
とができる発光素子を提供することにある。
めになされたものであり、その目的とするところは、Ｚ
ｎＯによる励起子発光を利用して電気を光に変換するこ
とができる発光素子を提供することにある。
【０００６】
【発明の開示】請求項１に記載した発光素子は、サファ
イア基板上に低抵抗のエピタキシャルＺｎＯ膜を形成
し、当該ＺｎＯ膜上にＺｎＯ系の励起子発光部を設けた
ことを特徴としている。
イア基板上に低抵抗のエピタキシャルＺｎＯ膜を形成
し、当該ＺｎＯ膜上にＺｎＯ系の励起子発光部を設けた
ことを特徴としている。
【０００７】サファイア結晶の[１-１００]方向とＺｎ
Ｏ結晶の[１-１００]方向とが３０°ずれて整合する。
すなわち、サファイアの[１１-２０]方向とＺｎＯの[１
-１００]方向とが同じ方向になる。したがって、それら
の方向の面間隔は、サファイア結晶がａ＝４.７５８
Å、ＺｎＯ結晶がａ×√３＝５.６３２６Åであり、そ
れらは１３：１１で粒整合する。そのため、サファイア
基板の上にＺｎＯ膜を形成することにより、結晶性の良
好な低抵抗ＺｎＯ膜をエピタキシャル成長させることが
できる。さらに、この低抵抗ＺｎＯ膜の上には結晶性が
良好で高純度なＺｎＯ系の励起子発光部を得ることがで
きる。そして、低抵抗ＺｎＯ膜を一方の電極として用
い、励起子発光部の上方に設けた電極を他方の電極とし
て用いることができるので、この電極から電気エネルギ
ーを供給して発光素子を発光させることができる。
Ｏ結晶の[１-１００]方向とが３０°ずれて整合する。
すなわち、サファイアの[１１-２０]方向とＺｎＯの[１
-１００]方向とが同じ方向になる。したがって、それら
の方向の面間隔は、サファイア結晶がａ＝４.７５８
Å、ＺｎＯ結晶がａ×√３＝５.６３２６Åであり、そ
れらは１３：１１で粒整合する。そのため、サファイア
基板の上にＺｎＯ膜を形成することにより、結晶性の良
好な低抵抗ＺｎＯ膜をエピタキシャル成長させることが
できる。さらに、この低抵抗ＺｎＯ膜の上には結晶性が
良好で高純度なＺｎＯ系の励起子発光部を得ることがで
きる。そして、低抵抗ＺｎＯ膜を一方の電極として用
い、励起子発光部の上方に設けた電極を他方の電極とし
て用いることができるので、この電極から電気エネルギ
ーを供給して発光素子を発光させることができる。
【０００８】また、請求項２に記載した発光素子は、サ
ファイア基板上に部分的に金属膜を形成し、当該金属膜
の上からサファイア基板上にＺｎＯ系の励起子発光部を
設けたことを特徴としている。
ファイア基板上に部分的に金属膜を形成し、当該金属膜
の上からサファイア基板上にＺｎＯ系の励起子発光部を
設けたことを特徴としている。
【０００９】この発光素子にあっては、サファイア基板
の上に金属膜を部分的にしか設けていないので、サファ
イア基板の露出している領域からＺｎＯ系の励起子発光
部を結晶性よくエピタキシャル成長させることができ
る。そして、サファイア基板上の金属膜を一方の電極と
して用い、励起子発光部の上方に設けた電極を他方の電
極として用いることができるので、この電極から電気エ
ネルギーを供給して発光素子を発光させることができ
る。
の上に金属膜を部分的にしか設けていないので、サファ
イア基板の露出している領域からＺｎＯ系の励起子発光
部を結晶性よくエピタキシャル成長させることができ
る。そして、サファイア基板上の金属膜を一方の電極と
して用い、励起子発光部の上方に設けた電極を他方の電
極として用いることができるので、この電極から電気エ
ネルギーを供給して発光素子を発光させることができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は本発明
の一実施形態による発光素子１の構造を示す断面図であ
る。これは発光ダイオードや面発光型レーザーダイオー
ド等の上面発光型の発光素子１であって、例えばＣ面
又、Ｒ面、ｍ面、ａ面などのサファイア基板２の上に比
抵抗の小さなエピタキシャルＺｎＯ層３を成長させ、Ｚ
ｎＯ層３の上にさらにＺｎＯからなる発光部４をエピタ
キシャル成長させたものである。さらに、エッチングに
よってＺｎＯ発光部４を一部エッチングすることによっ
てＺｎＯ層３を露出させ、ＺｎＯ層３の露出部分に金属
材料によって下部電極５を設け、ＺｎＯ発光部４の上面
に金属材料からなる上部電極６を設けている。なお、こ
の下部電極５は、ＺｎＯ層３の成長後、発光部４の成長
前に予め形成しても構わない。
の一実施形態による発光素子１の構造を示す断面図であ
る。これは発光ダイオードや面発光型レーザーダイオー
ド等の上面発光型の発光素子１であって、例えばＣ面
又、Ｒ面、ｍ面、ａ面などのサファイア基板２の上に比
抵抗の小さなエピタキシャルＺｎＯ層３を成長させ、Ｚ
ｎＯ層３の上にさらにＺｎＯからなる発光部４をエピタ
キシャル成長させたものである。さらに、エッチングに
よってＺｎＯ発光部４を一部エッチングすることによっ
てＺｎＯ層３を露出させ、ＺｎＯ層３の露出部分に金属
材料によって下部電極５を設け、ＺｎＯ発光部４の上面
に金属材料からなる上部電極６を設けている。なお、こ
の下部電極５は、ＺｎＯ層３の成長後、発光部４の成長
前に予め形成しても構わない。
【００１１】また、ＺｎＯの[１-１００]方向及び[１１
-２０]方向とＣ面サファイア基板２の[１１-２０]方向
及び[１０-１０]方向とが１１：１３で粒整合するの
で、サファイア基板２の上にＺｎＯ層３を形成すること
により結晶性の良好なＣ軸配向のＺｎＯ結晶を成長させ
ることができ、さらに、その上に結晶性の良好なＺｎＯ
発光部４をエピタキシャル成長させることができる。し
かも、ＺｎＯ発光部４の下には電極となる低抵抗のＺｎ
Ｏ層３が形成されているので、上部電極６と下部電極５
の間に電圧を印加すると、ＺｎＯ発光部４が励起子発光
し、青〜紫外線の光を放つ。また、ＺｎＯ膜の[０００
１]方向とサファイアの[０-１１１]方向とがほぼ一致し
て整合するため、Ｒ面[０１-１２]サファイア基板上に
[１１-２０]配向の良好なＺｎＯ膜ができるため、この
面を利用することもできる。
-２０]方向とＣ面サファイア基板２の[１１-２０]方向
及び[１０-１０]方向とが１１：１３で粒整合するの
で、サファイア基板２の上にＺｎＯ層３を形成すること
により結晶性の良好なＣ軸配向のＺｎＯ結晶を成長させ
ることができ、さらに、その上に結晶性の良好なＺｎＯ
発光部４をエピタキシャル成長させることができる。し
かも、ＺｎＯ発光部４の下には電極となる低抵抗のＺｎ
Ｏ層３が形成されているので、上部電極６と下部電極５
の間に電圧を印加すると、ＺｎＯ発光部４が励起子発光
し、青〜紫外線の光を放つ。また、ＺｎＯ膜の[０００
１]方向とサファイアの[０-１１１]方向とがほぼ一致し
て整合するため、Ｒ面[０１-１２]サファイア基板上に
[１１-２０]配向の良好なＺｎＯ膜ができるため、この
面を利用することもできる。
【００１２】ここで、ＺｎＯ層３の抵抗を下げるために
ドープされる不純物元素（ドーパント）は、III族元素
又はＶ族元素であって、III族元素としては、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃなどをド
ープすることができ、Ｖ族元素では、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、
Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａなどをドープすることができる。
ドープされる不純物元素（ドーパント）は、III族元素
又はＶ族元素であって、III族元素としては、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃなどをド
ープすることができ、Ｖ族元素では、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、
Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａなどをドープすることができる。
【００１３】（第２の実施形態）図２は本発明の別な実
施形態による発光素子７の構造を示す断面図である。こ
の実施形態にあっては、Ｃ面、Ｒ面あるいはｍ面，ａ面
サファイア基板２の上に低抵抗のエピタキシャルＺｎＯ
層３を形成し、その上に結晶性の良好なｐ型ＺｎＯ層８
とｎ型ＺｎＯ層９をそれぞれエピタキシャル成長させ、
ｐ型ＺｎＯ層８とｎ型ＺｎＯ層９からなる発光部４を設
けている。そして、ｐ型ＺｎＯ層８とｎ型ＺｎＯ層９を
エッチングによって一部除去した後、低抵抗のＺｎＯ層
３の露出領域に金属材料からなる下部電極５を設けると
共に、ｎ型ＺｎＯ層９の上に金属材料からなる上部電極
６を形成する。なお、この下部電極５は、ＺｎＯ層３の
成長後、発光部４の成長前に予め形成しても構わない。
施形態による発光素子７の構造を示す断面図である。こ
の実施形態にあっては、Ｃ面、Ｒ面あるいはｍ面，ａ面
サファイア基板２の上に低抵抗のエピタキシャルＺｎＯ
層３を形成し、その上に結晶性の良好なｐ型ＺｎＯ層８
とｎ型ＺｎＯ層９をそれぞれエピタキシャル成長させ、
ｐ型ＺｎＯ層８とｎ型ＺｎＯ層９からなる発光部４を設
けている。そして、ｐ型ＺｎＯ層８とｎ型ＺｎＯ層９を
エッチングによって一部除去した後、低抵抗のＺｎＯ層
３の露出領域に金属材料からなる下部電極５を設けると
共に、ｎ型ＺｎＯ層９の上に金属材料からなる上部電極
６を形成する。なお、この下部電極５は、ＺｎＯ層３の
成長後、発光部４の成長前に予め形成しても構わない。
【００１４】このようなｐｎ接合型の発光素子７におい
ても、上部電極６と下部電極５の間に電圧を加えること
により、発光部４から青〜紫外線の光を励起子発光させ
ることができる。
ても、上部電極６と下部電極５の間に電圧を加えること
により、発光部４から青〜紫外線の光を励起子発光させ
ることができる。
【００１５】（第３及び４の実施形態）図３は本発明の
さらに別な実施形態による発光素子７ａの構造を示す断
面図である。この実施形態にあっては、サファイア基板
２上に形成された低抵抗ＺｎＯ層３がｎ型となっていて
ｎ型ＺｎＯ層を兼ねており、低抵抗ＺｎＯ層３の上にＺ
ｎＯ活性層８ａとｐ型ＺｎＯ層９ａを積層したものであ
る。このような構造の発光素子７ａでは、低抵抗ＺｎＯ
層３、ＺｎＯ活性層８ａ及びｐ型ＺｎＯ層９ａによって
発光部４が構成され、励起子発光を実現することができ
る。
さらに別な実施形態による発光素子７ａの構造を示す断
面図である。この実施形態にあっては、サファイア基板
２上に形成された低抵抗ＺｎＯ層３がｎ型となっていて
ｎ型ＺｎＯ層を兼ねており、低抵抗ＺｎＯ層３の上にＺ
ｎＯ活性層８ａとｐ型ＺｎＯ層９ａを積層したものであ
る。このような構造の発光素子７ａでは、低抵抗ＺｎＯ
層３、ＺｎＯ活性層８ａ及びｐ型ＺｎＯ層９ａによって
発光部４が構成され、励起子発光を実現することができ
る。
【００１６】あるいは、図４に示す発光素子７ｂのよう
に導電型を逆にして、サファイア基板２上に形成された
低抵抗ＺｎＯ層３がｐ型となっていてｐ型ＺｎＯ層を兼
ねており、低抵抗ＺｎＯ層３の上にＺｎＯ活性層８ｂと
ｎ型ＺｎＯ層９ｂを積層したものでもよい。
に導電型を逆にして、サファイア基板２上に形成された
低抵抗ＺｎＯ層３がｐ型となっていてｐ型ＺｎＯ層を兼
ねており、低抵抗ＺｎＯ層３の上にＺｎＯ活性層８ｂと
ｎ型ＺｎＯ層９ｂを積層したものでもよい。
【００１７】（第５の実施形態）図５は本発明のさらに
別な実施形態による発光素子１０の構造を示す断面図で
ある。この実施形態にあっては、例えばＣ面、Ｒ面、ｍ
面、ａ面などのサファイア基板２の上に低抵抗のエピタ
キシャルＺｎＯ層３を形成し、その上に結晶性の良好な
ｐ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ活性層１２及びｎ型ＺｎＯ層
１３をそれぞれエピタキシャル成長させ、ｐ型ＺｎＯ層
１１、ＺｎＯ活性層１２及びｎ型ＺｎＯ層１３からなる
発光部４を設けている。そして、ｐ型ＺｎＯ層１１、Ｚ
ｎＯ活性層１２及びｎ型ＺｎＯ層１３をエッチングによ
って一部除去した後、低抵抗のＺｎＯ層３の露出領域に
金属材料からなる下部電極５を設けると共に、ｎ型Ｚｎ
Ｏ層１３の上に金属材料からなる上部電極６を形成す
る。なお、この下部電極５は、ＺｎＯ層３の成長後、発
光部４の成長前に予め形成しても構わない。
別な実施形態による発光素子１０の構造を示す断面図で
ある。この実施形態にあっては、例えばＣ面、Ｒ面、ｍ
面、ａ面などのサファイア基板２の上に低抵抗のエピタ
キシャルＺｎＯ層３を形成し、その上に結晶性の良好な
ｐ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ活性層１２及びｎ型ＺｎＯ層
１３をそれぞれエピタキシャル成長させ、ｐ型ＺｎＯ層
１１、ＺｎＯ活性層１２及びｎ型ＺｎＯ層１３からなる
発光部４を設けている。そして、ｐ型ＺｎＯ層１１、Ｚ
ｎＯ活性層１２及びｎ型ＺｎＯ層１３をエッチングによ
って一部除去した後、低抵抗のＺｎＯ層３の露出領域に
金属材料からなる下部電極５を設けると共に、ｎ型Ｚｎ
Ｏ層１３の上に金属材料からなる上部電極６を形成す
る。なお、この下部電極５は、ＺｎＯ層３の成長後、発
光部４の成長前に予め形成しても構わない。
【００１８】このようなｐｎ接合型の発光素子１０にお
いても、上部電極６と下部電極５の間に電圧を加えるこ
とにより、青〜紫外線の光を励起子発光させることがで
きる。
いても、上部電極６と下部電極５の間に電圧を加えるこ
とにより、青〜紫外線の光を励起子発光させることがで
きる。
【００１９】（第６の実施形態）図６は本発明の別な実
施形態による発光素子１４の構造を示す斜視図であっ
て、レーザーダイオードや端面出射型の発光ダイオード
のような端面出射型の発光素子１４を示している。この
実施形態にあっては、例えばＣ面、Ｒ面、ｍ面、ａ面な
どのサファイア基板２の上に低抵抗のエピタキシャルＺ
ｎＯ層３を形成し、その上に結晶性の良好なｐ型ＺｎＯ
層１５、ＺｎＯ活性層１６及びｎ型ＺｎＯ層１７をそれ
ぞれエピタキシャル成長させ、ｐ型ＺｎＯ層１５、Ｚｎ
Ｏ活性層１６及びｎ型ＺｎＯ層１７からなる発光部４を
設ける。ついで、ｎ型ＺｎＯ層１７の上にＳｉＯ2膜１
８を形成し、エッチングによってＳｉＯ2膜１８のほぼ
中央部を開口する。さらに、ｐ型ＺｎＯ層１５、ＺｎＯ
活性層１６及びｎ型ＺｎＯ層１７をエッチングによって
一部除去することによってＺｎＯ層３を露出させる。つ
いで、さらに、ＳｉＯ2膜１８の上からｎ型ＺｎＯ層１
７の上に金属材料を蒸着させて上部電極１９を形成する
と共に、ＺｎＯ層３の上に下部電極２０を形成する。な
お、この下部電極５は、ＺｎＯ層３の成長後、発光部４
の成長前に予め形成しても構わない。
施形態による発光素子１４の構造を示す斜視図であっ
て、レーザーダイオードや端面出射型の発光ダイオード
のような端面出射型の発光素子１４を示している。この
実施形態にあっては、例えばＣ面、Ｒ面、ｍ面、ａ面な
どのサファイア基板２の上に低抵抗のエピタキシャルＺ
ｎＯ層３を形成し、その上に結晶性の良好なｐ型ＺｎＯ
層１５、ＺｎＯ活性層１６及びｎ型ＺｎＯ層１７をそれ
ぞれエピタキシャル成長させ、ｐ型ＺｎＯ層１５、Ｚｎ
Ｏ活性層１６及びｎ型ＺｎＯ層１７からなる発光部４を
設ける。ついで、ｎ型ＺｎＯ層１７の上にＳｉＯ2膜１
８を形成し、エッチングによってＳｉＯ2膜１８のほぼ
中央部を開口する。さらに、ｐ型ＺｎＯ層１５、ＺｎＯ
活性層１６及びｎ型ＺｎＯ層１７をエッチングによって
一部除去することによってＺｎＯ層３を露出させる。つ
いで、さらに、ＳｉＯ2膜１８の上からｎ型ＺｎＯ層１
７の上に金属材料を蒸着させて上部電極１９を形成する
と共に、ＺｎＯ層３の上に下部電極２０を形成する。な
お、この下部電極５は、ＺｎＯ層３の成長後、発光部４
の成長前に予め形成しても構わない。
【００２０】この発光素子１４においては、上部電極１
９と下部電極２０の間に電圧を加えると、発光部４で発
生した青〜紫外線の光が端面（へき開面）から出射され
る。
９と下部電極２０の間に電圧を加えると、発光部４で発
生した青〜紫外線の光が端面（へき開面）から出射され
る。
【００２１】（第７の実施形態）図７は本発明のさらに
別な実施形態による発光素子２１の構造を示す断面図で
ある。この実施形態にあっては、例えばＣ面、Ｒ面、ｍ
面、ａ面などのサファイア基板２の上に金属膜２２を形
成した後、エッチングによって金属膜２２を櫛歯状や格
子状などにパターニングする。この後、金属膜２２の上
にｎ型ＺｎＯ層２３、ＺｎＯ活性層２４及びｐ型ＺｎＯ
層２５からなる発光部４を形成したものである。金属膜
２２はサファイア基板２の上に部分的に形成されている
ので、ｎ型ＺｎＯ層２３は金属膜２２から露出したサフ
ァイア領域２６から次第にエピタキシャル成長し、サフ
ァイア基板２の上に発光部４がエピタキシャル成長す
る。さらに、エッチングによって発光部４を一部エッチ
ングすることによって金属膜２２を露出させ、金属膜２
２の露出部分を下部電極２７とし、ＺｎＯ発光部４の上
面に上部電極６を設ける。
別な実施形態による発光素子２１の構造を示す断面図で
ある。この実施形態にあっては、例えばＣ面、Ｒ面、ｍ
面、ａ面などのサファイア基板２の上に金属膜２２を形
成した後、エッチングによって金属膜２２を櫛歯状や格
子状などにパターニングする。この後、金属膜２２の上
にｎ型ＺｎＯ層２３、ＺｎＯ活性層２４及びｐ型ＺｎＯ
層２５からなる発光部４を形成したものである。金属膜
２２はサファイア基板２の上に部分的に形成されている
ので、ｎ型ＺｎＯ層２３は金属膜２２から露出したサフ
ァイア領域２６から次第にエピタキシャル成長し、サフ
ァイア基板２の上に発光部４がエピタキシャル成長す
る。さらに、エッチングによって発光部４を一部エッチ
ングすることによって金属膜２２を露出させ、金属膜２
２の露出部分を下部電極２７とし、ＺｎＯ発光部４の上
面に上部電極６を設ける。
【００２２】従って、上部電極６と下部電極２７（金属
膜２２）の間に電圧を印加すると、ＺｎＯ発光部４が励
起子発光し、青〜紫外線の光を放つ。
膜２２）の間に電圧を印加すると、ＺｎＯ発光部４が励
起子発光し、青〜紫外線の光を放つ。
【図１】本発明の一実施形態による発光素子の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の別な実施形態による発光素子の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明のさらに別な実施形態による発光素子の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに別な実施形態による発光素子の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図５】本発明のさらに別な実施形態による発光素子の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図６】本発明のさらに別な実施形態による発光素子の
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図７】本発明のさらに別な実施形態による発光素子の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
２ サファイア基板 ３ 低抵抗のＺｎＯ層 ４ 励起子発光部 ５，２０，２７ 下部電極 ６，１９ 上部電極 ２２ 金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】 サファイア基板上に低抵抗のＺｎＯ膜を
形成し、当該ＺｎＯ膜上にＺｎＯ系の励起子発光部を設
けたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 サファイア基板上に部分的に金属膜を形
成し、当該金属膜の上からサファイア基板上にＺｎＯ系
の励起子発光部を設けたことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4531199A JP2000244015A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4531199A JP2000244015A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008229A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE ZnO |
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-
1999
- 1999-02-23 JP JP4531199A patent/JP2000244015A/ja active Pending
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