JP2000243579A - Organic el element and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL device used for light-emitting display of a flat light source, a display, and other predetermined patterns, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトルミネッセン
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状になるようにエッチ
ングして透明電極を形成し、さらにこの透明電極の表面
に発光層を形成している。この発光層は、有機ＥＬ材料
であり、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホー
ル輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキレ
ート錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材料、さらに各種発
光材料を積層したものや、これらの混合層からなる。そ
してこの発光層の表面で、透明電極と直交する方向に、
Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金属からなるストラ
イプ状の背面電極が透明電極と対向するように設けら
れ、発光部を形成している。そして発光部において、透
明電極と背面電極間に電圧を印加し、これら各電極が形
成するストライプの交点で発光する、いわゆる単純マト
リックスタイプの発光装置が一般的であった。2. Description of the Related Art Conventionally, an organic EL (electroluminescence) element has a transparent electrode formed on a transparent substrate by forming a porous ITO film on one surface and etching it into a predetermined stripe shape or the like. Further, a light emitting layer is formed on the surface of the transparent electrode. This light emitting layer is an organic EL material, provided with a hole transporting material such as a triphenylamine derivative (TPD), on which an electron transporting material such as an aluminum chelate complex (Alq 3 ) as a light emitting material, and various light emitting materials. Or a mixed layer of these. Then, on the surface of the light emitting layer, in a direction orthogonal to the transparent electrode,
A striped back electrode made of a metal such as Al, Li, Ag, Mg, In or the like is provided so as to face the transparent electrode, and forms a light emitting portion. In a light emitting portion, a so-called simple matrix type light emitting device in which a voltage is applied between a transparent electrode and a back electrode and light is emitted at intersections of stripes formed by these electrodes is generally used.
【０００３】このような有機ＥＬ素子の場合、透明電極
はより透明で低抵抗値であることが望ましいが、ＩＴＯ
からなる透明電極は、通常１０Ω／□程度の抵抗値で、
厚さが数千Åの薄膜で形成されている。In the case of such an organic EL device, it is desirable that the transparent electrode be more transparent and have a low resistance value.
The transparent electrode consisting of usually has a resistance value of about 10Ω / □,
It is formed of a thin film having a thickness of several thousand square meters.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、ＩＴＯの透明電極は、そのエッチングされたエッジ
部を顕微鏡で拡大すると、その表面は平滑な平面ではな
く、エッチング等により形成された鋭い岩峰のような形
状で、ぎざぎざになっている。このような透明電極に発
光層を積層すると、発光層を構成するホール輸送材料や
電子輸送材料は各々数百Å程度で、透明電極に比べかな
り薄い膜であるため、発光部に通電して発光させた際、
透明電極の凹凸状部分に電流が集中し、さらにこの凸部
により背面電極との間で短絡が生じるという問題を有し
ていた。In the case of the above-mentioned prior art, when the etched edge portion of the ITO transparent electrode is magnified with a microscope, the surface thereof is not a smooth flat surface but a sharp surface formed by etching or the like. It is shaped like a rock peak and is jagged. When a light-emitting layer is laminated on such a transparent electrode, the hole-transporting material and the electron-transporting material constituting the light-emitting layer are each several hundred square meters, and are considerably thinner than the transparent electrode. When you let
There is a problem that current concentrates on the uneven portion of the transparent electrode, and furthermore, a short circuit occurs with the rear electrode due to the projection.
【０００５】しかも、透明電極は抵抗値が高いため、で
きるだけ厚く形成しなければならず、透明電極を厚く形
成すると、エッチング端面の凹凸が多くなり、上記短絡
等の問題がより生じやすくなるものであった。Moreover, since the transparent electrode has a high resistance value, it must be formed as thick as possible. If the transparent electrode is formed thickly, the unevenness of the etched end face increases, and the above-mentioned problem such as short-circuit is more likely to occur. there were.
【０００６】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、微細で高品質な発光表示を可能にする
有機ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL device capable of performing fine and high-quality light-emitting display and a method of manufacturing the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明の有機ＥＬ素子
は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯや
ＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電極
と、上記透明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発
光層と、この発光層に積層され、上記透明電極に対向し
て形成されたＡｌ，Ｌｉ等からなる背面電極とを備えた
ものである。そして、上記透明基板表面に上記透明電極
のパターンに沿って上記透明電極の側縁部等に接した金
属薄膜等の導電体による導体パターンを備えた有機ＥＬ
素子である。The organic EL device of the SUMMARY OF THE INVENTION This invention includes a glass or quartz, transparent electrode formed of a transparent electrode material 2 such as ITO or SnO a transparent substrate surface such as a resin, the transparent electrode And a back electrode made of Al, Li, or the like, which is formed on the light emitting layer and faces the transparent electrode. An organic EL having a conductor pattern of a conductor such as a metal thin film in contact with a side edge of the transparent electrode or the like along the pattern of the transparent electrode on the surface of the transparent substrate.
Element.
【０００８】また、上記透明電極はストライプ状に形成
され、上記導体パターンは、上記透明電極の側縁部に沿
ってストライプ状に設けたものである。または、上記導
体パターンは、上記透明電極の両側縁部に沿って１対づ
つ形成され、この各導体パターンの対同士が同様の導電
体によるはしご状の導体パターンや網目状の導体パター
ンにより接続されている。さらに、上記導体パターン
は、Ｃｒ等の黒色または暗色の導電体材料が好ましい。Further, the transparent electrode is formed in a stripe shape, and the conductor pattern is provided in a stripe shape along a side edge of the transparent electrode. Alternatively, one pair of the conductor patterns is formed along both side edges of the transparent electrode, and each pair of the conductor patterns is connected by a ladder-like conductor pattern or a mesh-like conductor pattern made of a similar conductor. ing. Further, the conductor pattern is preferably made of a black or dark conductive material such as Cr.
【０００９】上記導体パターンは、上記発光層による発
光部以外の部分では、幅広に形成され、抵抗値の少ない
パターンに形成したものである。[0009] The conductor pattern is formed to have a wide width and a low resistance value in portions other than the light emitting portion of the light emitting layer.
【００１０】またこの発明の有機ＥＬ素子の製造方法
は、透明基板表面に形成される透明電極のパターンに沿
って、予め導電体による導体パターンを上記透明基板上
に形成し、この導体パターンが形成された上記透明基板
を、真空状態で所定の薄膜を形成する真空装置内に設置
し、上記導体パターンと側縁部等が接するようにして透
明な電極材料により透明電極を真空薄膜形成技術により
形成するものである。そして、上記透明電極に有機ＥＬ
材料からなる発光層と、上記透明電極に対向して形成さ
れる背面電極とを上記真空装置内で真空薄膜形成技術に
より各々連続的に形成する有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。上記透明電極および背面電極は、所定の形状にマス
ク蒸着により形成する。In the method of manufacturing an organic EL device according to the present invention, a conductor pattern of a conductor is formed on the transparent substrate in advance along the pattern of the transparent electrode formed on the surface of the transparent substrate, and the conductor pattern is formed. The above-mentioned transparent substrate is placed in a vacuum device for forming a predetermined thin film in a vacuum state, and a transparent electrode is formed by a vacuum thin-film forming technique using a transparent electrode material such that the above-mentioned conductor pattern is in contact with a side edge or the like. Is what you do. Then, an organic EL is applied to the transparent electrode.
This is a method for manufacturing an organic EL device in which a light emitting layer made of a material and a back electrode formed opposite to the transparent electrode are continuously formed by the vacuum thin film forming technique in the vacuum apparatus. The transparent electrode and the back electrode are formed in a predetermined shape by mask evaporation.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図１〜図５はこの発明の
ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形態の
ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の一
方の表面に、所定のピッチでストライプ状の透明電極１
２が設けられている。透明電極１２は、５００Å程度の
厚さに形成さ形成されている。この透明電極１２の両側
縁には、それぞれ透明電極１２の側縁部に接し隣同士互
いに離間した複数対の導体パターン１４が形成されてい
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 to 5 show a first embodiment of an EL element according to the present invention. The EL element of this embodiment is formed by forming a stripe at a predetermined pitch on one surface of a transparent substrate 10 made of glass, quartz, resin or the like. Transparent electrode 1
2 are provided. The transparent electrode 12 is formed to a thickness of about 500 °. A plurality of pairs of conductor patterns 14 that are in contact with the side edges of the transparent electrode 12 and are separated from each other are formed on both side edges of the transparent electrode 12.
【００１２】導体パターン１４は、１本の同じ透明電極
に接する各導体パターン１４の対同士が、同様の導電体
による導体パターン１５によりはしご状に接続されてい
る。この導体パターン１４，１５は、Ｃｒ等の黒色また
は暗色の金属導電体材料が好ましいが、Ａｌ等の導電率
の高い材料であれば良い。導体パターン１４の端部１４
ａは、図１に示すように、透明基板１２上で、互いのパ
ターン同士絶縁状態を保って、幅広に形成し、電気抵抗
を少なくして、配線パターンや電極として利用すること
ができる。In the conductor pattern 14, pairs of the conductor patterns 14 in contact with one and the same transparent electrode are connected in a ladder shape by a conductor pattern 15 made of a similar conductor. The conductor patterns 14 and 15 are preferably made of a black or dark metal conductor material such as Cr, but may be a material having high conductivity such as Al. End 14 of conductor pattern 14
As shown in FIG. 1, a can be used as a wiring pattern or an electrode formed on the transparent substrate 12 while keeping the patterns insulated from each other and having a wide width to reduce the electric resistance.
【００１３】透明電極１２と導体パターン１４には、さ
らに発光層１６が積層されている。発光層１６は、５０
０Å程度の厚さのホール輸送材料１７、及び５００Å程
度の厚さの電子輸送材料１８、その他発光材料によるＥ
Ｌ材料からなり、透明電極１２と導体パターン１４の全
面に積層されている。A light emitting layer 16 is further laminated on the transparent electrode 12 and the conductor pattern 14. The light emitting layer 16 has 50
A hole transporting material 17 having a thickness of about 0 °, an electron transporting material 18 having a thickness of about 500 °, and other materials such as E
It is made of L material and is laminated on the entire surface of the transparent electrode 12 and the conductor pattern 14.
【００１４】また発光層１６の表面には、透明電極１２
と対向し、かつ透明電極１２のストライプ方向と直交す
る方向で所定のピッチを有するストライプ状の背面電極
２０が形成されている。背面電極２０は、例えばＬｉを
０．０１〜０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−
Ｌｉ合金層が１５０Å程度の厚さに形成されさらにＡｌ
層が２０００Å程度形成されたものである。背面電極２
０は、その他、Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金属からなるもの
でも良い。On the surface of the light emitting layer 16, a transparent electrode 12 is provided.
And a stripe-shaped back electrode 20 having a predetermined pitch in a direction orthogonal to the stripe direction of the transparent electrode 12. The back electrode 20 is made of, for example, Al- having a purity of about 99% containing about 0.01 to 0.05% of Li.
A Li alloy layer is formed to a thickness of about 150 °
The layer has a thickness of about 2000 °. Back electrode 2
0 may be made of a metal such as Ag, Mg, and In.
【００１５】ここで、例えば基板１０は１０ｃｍ角で、
発光部分は０．５ｍｍピッチで０．１ｍｍのスペースを
空けてマトリクス状に形成され、発光部分は導体パター
ン１４，１５と重ならない部分で、０．４ｍｍ角に形成
されている。また、導体パターン１４は、最大３μｍ程
度の厚さに形成されている。Here, for example, the substrate 10 is 10 cm square.
The light-emitting portions are formed in a matrix with a space of 0.1 mm at a pitch of 0.5 mm and the light-emitting portions are portions that do not overlap with the conductor patterns 14 and 15 and are formed in a square of 0.4 mm. The conductor pattern 14 is formed to a thickness of about 3 μm at the maximum.
【００１６】また、発光層１６は、母体材料のうちホー
ル輸送材料１７としては、α−ＮＰＤ、トリフェニルア
ミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールア
ミン誘導体等がある。また、電子輸送材料１８として
は、アルミキレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフ
ェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導
体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾー
ルチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用
いる。さらに、適宜の発光材料を混合しても良く、ホー
ル輸送材料と電子輸送材料を混合して発光層を形成して
も良く、その場合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。In the light emitting layer 16, as the hole transporting material 17 of the base material, there are α-NPD, triphenylamine derivative (TPD), hydrazone derivative, arylamine derivative and the like. In addition, as the electron transport material 18, an aluminum chelate complex (Alq3), a distyrylbiphenyl derivative (DPVBi), an oxadiazole derivative, a bistyrylanthracene derivative, a benzoxazolethiophene derivative, a perylene, a thiazole, or the like is used. Further, an appropriate light emitting material may be mixed, or a hole transporting material and an electron transporting material may be mixed to form a light emitting layer. In this case, the ratio of the hole transporting material to the electron transporting material is 10:90. It can be changed appropriately within a range of 90 to 90:10.
【００１７】この実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法
は、透明基板１０の表面に図３に示すような導体パター
ン１４，１５を形成する。この導体パターンの形成は、
所望のＣｒやＡｌの薄膜を透明基板１０に形成した後、
所定のパターンにエッチングする。In the method of manufacturing an organic EL device according to this embodiment, conductive patterns 14 and 15 as shown in FIG. The formation of this conductor pattern
After forming a desired thin film of Cr or Al on the transparent substrate 10,
Etch into a predetermined pattern.
【００１８】次に、透明基板１０を真空装置に中に装着
し、ＩＴＯ等の電極材料を蒸着等の真空薄膜形成技術に
より設ける。このとき、導体パターン１４に沿って隣接
する導体パターン１４を覆うように配置されたワイヤマ
スク２２を介して透明電極１２の材料を蒸着する。これ
により、図５に示すように、導体パターン１５に重なる
と共に、導体パターン１４に接した透明電極１２が形成
される。Next, the transparent substrate 10 is mounted in a vacuum device, and an electrode material such as ITO is provided by a vacuum thin film forming technique such as vapor deposition. At this time, the material of the transparent electrode 12 is vapor-deposited via the wire mask 22 arranged so as to cover the adjacent conductor pattern 14 along the conductor pattern 14. Thereby, as shown in FIG. 5, the transparent electrode 12 overlapping with the conductor pattern 15 and in contact with the conductor pattern 14 is formed.
【００１９】次に透明電極１２の表面にホール輸送材料
１７及び電子輸送材料１８によるＥＬ材料からなる発光
層１６を、真空蒸着やスパッタリングその他真空薄膜形
成技術により積層する。そして発光層１６に背面電極材
料を図４に示すものと同様のワイヤマスク蒸着により、
透明電極１２と直交するストライプ状に積層し背面電極
２０を形成する。これらの真空薄膜形成技術による工程
は、同じ真空装置内で一連の工程として行う。Next, a light emitting layer 16 made of an EL material made of a hole transport material 17 and an electron transport material 18 is laminated on the surface of the transparent electrode 12 by vacuum evaporation, sputtering or other vacuum thin film forming techniques. Then, a back electrode material is formed on the light emitting layer 16 by the same wire mask evaporation as that shown in FIG.
The back electrode 20 is formed by laminating in a stripe shape orthogonal to the transparent electrode 12. These steps using the vacuum thin film forming technique are performed as a series of steps in the same vacuum apparatus.
【００２０】ここで発光層１６等の蒸着条件は、例えば
真空度が６×１０−６Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場
合、５０Å／ｓｅｃの蒸着速度で成膜させる。また発光
層１６等は、フラッシュ蒸着により形成してもよい。フ
ラッシュ蒸着法は、予め所定の比率で混合したＥＬ材料
を３００℃〜６００℃好ましくは４００℃〜５００℃に
加熱した蒸着源に落下させ、ＥＬ材料を一気に蒸発させ
るものである。またそのＥＬ材料を容器中に収容し、急
速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるものでもよ
い。Here, the deposition conditions of the light emitting layer 16 and the like are, for example, a degree of vacuum of 6 × 10 −6 Torr, and in the case of an organic EL material, a film is formed at a deposition rate of 50 ° / sec. The light emitting layer 16 and the like may be formed by flash evaporation. In the flash vapor deposition method, an EL material previously mixed at a predetermined ratio is dropped into a vapor deposition source heated to 300 ° C. to 600 ° C., preferably 400 ° C. to 500 ° C., and the EL material is vaporized at a stretch. Alternatively, the EL material may be housed in a container, and the container may be rapidly heated and vapor-deposited at once.
【００２１】この実施形態のＥＬ素子によれば、透明電
極１２に沿って導体パターン１４，１５が形成され、透
明電極１２の各部位までの抵抗値を低い値にすることが
できる。しかも導体パターン１４，１５は精度良く滑ら
かにエッチング可能であり、透明電極１２のエッチング
工程がなく、発光層１６を介して短絡等も生じないもの
である。さらに、透明電極１２の形成から背面電極２０
の形成までの肯定を一連の真空薄膜形成技術により行う
ことができ、汚染やごみ等による弊害がなく、ダークス
ポットの発生を大幅に抑えることができる。また、透明
電極１２の抵抗値を無視すことができるので、透明電極
１２を薄く形成することができ、その形成時間を短縮す
ることができ、工程の効率化を図ることもできる。特
に、透明電極１２の形成工程を他の材料の形成時間程度
に短縮することにより、一連の製造ラインが、従来、透
明電極１２の製造工程で長時間要していた部分が均一化
され、より効率のよい製造を可能にする。According to the EL device of this embodiment, the conductor patterns 14 and 15 are formed along the transparent electrode 12 so that the resistance of each part of the transparent electrode 12 can be reduced. In addition, the conductor patterns 14 and 15 can be etched smoothly with high precision, there is no step of etching the transparent electrode 12, and no short circuit or the like occurs via the light emitting layer 16. Further, the formation of the transparent electrode 12 and the back electrode 20
Can be confirmed by a series of vacuum thin film forming techniques, and there is no adverse effect due to contamination, dust, and the like, and the generation of dark spots can be greatly suppressed. Further, since the resistance value of the transparent electrode 12 can be neglected, the transparent electrode 12 can be formed thin, the formation time can be shortened, and the efficiency of the process can be improved. In particular, by shortening the process for forming the transparent electrode 12 to about the time for forming another material, a series of production lines can be made uniform in a portion that has conventionally taken a long time in the process for producing the transparent electrode 12, and Enables efficient manufacturing.
【００２２】次にこの発明の第二実施形態について図６
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
有機ＥＬ素子は、第一実施形態と同様に、透明基板１０
の表面に所定のピッチを有しストライプ状の透明電極１
２が形成され、この透明電極１２と透明基板１０との間
に、導体パターン１４と同様の材料で、網目状の導体パ
ターン２４形成されている。網目状の導体パターン２４
は、導体パターン１４，１５と動じに形成するもので、
例えば１００μｍピッチで１０μｍ幅にメッシュ状に形
成する。この導体パターン２４もＣｒ等の暗色または黒
色系の材料が好ましい。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The description will be made based on FIG. Here, the same members as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The organic EL device according to this embodiment includes a transparent substrate 10 similar to the first embodiment.
Transparent electrode 1 having a predetermined pitch on the surface of
2, a mesh-shaped conductor pattern 24 is formed between the transparent electrode 12 and the transparent substrate 10 using the same material as the conductor pattern 14. Reticulated conductor pattern 24
Is formed in cooperation with the conductor patterns 14 and 15,
For example, it is formed in a mesh shape with a pitch of 100 μm and a width of 10 μm. The conductor pattern 24 is also preferably made of a dark or black material such as Cr.
【００２３】この実施形態の有機ＥＬ素子とその製造方
法によれば、導体パターン１４，１５とともにその間に
網目状の導体パターン２４が形成され、より透明電極１
２の抵抗値を無視することができ、より駆動電圧を下げ
ることができる。According to the organic EL device of this embodiment and the method of manufacturing the same, the mesh-like conductor pattern 24 is formed between the conductor patterns 14 and 15 and the transparent electrode 1
2 can be ignored, and the driving voltage can be further reduced.
【００２４】なおこの発明の有機ＥＬ素子は、上記実施
形態に限定されるものではなく、透明電極に接した導体
パターンは１本でも良く、網目状の導体パターンをスト
ライプ上に設けたものでも良く、その形状は問わない。The organic EL device of the present invention is not limited to the above embodiment, and may have only one conductor pattern in contact with the transparent electrode, or may have a mesh-shaped conductor pattern provided on a stripe. The shape is not limited.
【００２５】[0025]
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、透明電極の抵抗値を事実上無視することができ、均
一で明るい画面を形成することができる。さらに、透明
電極を薄く形成することができることから、製造効率も
向上させることができる。特に、透明電極の形成時間を
他の材料の形成時間程度に抑えることができ、一連の製
造ラインの工程が短縮化される。さらに、一連の工程を
真空装置内で可能にしたので、製造上の歩留まりも向上
し、より効率の良い製造を可能にした。According to the organic EL device of the present invention and the method of manufacturing the same, the resistance of the transparent electrode can be practically neglected, and a uniform and bright screen can be formed. Further, since the transparent electrode can be formed thin, the production efficiency can be improved. In particular, the formation time of the transparent electrode can be suppressed to about the formation time of another material, and the series of manufacturing line steps can be shortened. Further, since a series of processes can be performed in a vacuum apparatus, the production yield is improved, and more efficient production is enabled.
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子を示す
部分平面図である。FIG. 1 is a partial plan view showing an organic EL device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子を示す
部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の透明
基板を示す部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view showing a transparent substrate of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a step of manufacturing the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
【図５】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の透明
電極を形成した製造工程を示す部分平面図である。FIG. 5 is a partial plan view showing a manufacturing step of forming a transparent electrode of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
【図６】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の透明
基板を示す部分平面図である。FIG. 6 is a partial plan view showing a transparent substrate of an organic EL device according to a second embodiment of the present invention.
１０ 透明基板 １２ 透明電極 １４，１５，２４ 導体パターン １６ 発光層 １７ ホール輸送材料 １８ 電子輸送材料 １８ 背面電極 ２０ 背面電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Transparent substrate 12 Transparent electrode 14, 15, 24 Conductive pattern 16 Light emitting layer 17 Hole transport material 18 Electron transport material 18 Back electrode 20 Back electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB18 BA06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Shigeru Fukumoto 3158 Shimo-Okubo, Osawano-machi, Kamishinkawa-gun, Toyama Prefecture Inside Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. Incorporated F term (reference) 3K007 AB00 AB18 BA06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03
Claims (7)
形成された透明電極と、上記透明電極に積層された有機
ＥＬ材料からなる発光層と、この発光層に積層され、上
記透明電極に対向して形成された背面電極とからなる有
機ＥＬ素子において、上記透明基板表面に上記透明電極
のパターンに沿って上記透明電極に接した導電体による
導体パターンを備えたことを特徴とするＥＬ素子。1. A transparent electrode formed of a transparent electrode material on a transparent substrate surface, a light emitting layer made of an organic EL material laminated on the transparent electrode, and a light emitting layer laminated on the light emitting layer and facing the transparent electrode. An organic EL device comprising a back electrode formed as described above, further comprising a conductor pattern of a conductor in contact with the transparent electrode along the transparent electrode pattern on the surface of the transparent substrate.
れ、上記導体パターンは、上記透明電極の側縁部に沿っ
てストライプ状に設けたことを特徴とする請求項１記載
の有機ＥＬ素子。2. The organic EL device according to claim 1, wherein the transparent electrode is formed in a stripe shape, and the conductor pattern is provided in a stripe shape along a side edge of the transparent electrode.
れ、上記導体パターンは、上記透明電極の両側縁部に沿
って１対づつ形成され、この各導体パターンの対同士が
同様の導電体により接続されていることを特徴とする請
求項１記載の有機ＥＬ素子。3. The transparent electrode is formed in a stripe shape, and the conductor patterns are formed one by one along both side edges of the transparent electrode, and each pair of the conductor patterns is connected by a similar conductor. The organic EL device according to claim 1, wherein:
導電体材料であることを特徴とする請求項１記載の有機
ＥＬ素子。4. The organic EL device according to claim 1, wherein said conductive pattern is a black or dark conductive material.
発光部以外の部分では幅広に形成され、抵抗値の少ない
パターンに形成したことを特徴とする請求項１，２，３
または４記載の有機ＥＬ素子。5. The pattern according to claim 1, wherein said conductive pattern is formed to have a large width in a portion other than a light emitting portion of said light emitting layer and has a small resistance value.
Or the organic EL device according to 4.
ターンに沿って、予め導電体による導体パターンを上記
透明基板上に形成し、この導体パターンが形成された上
記透明基板を、真空状態で所定の薄膜を形成する真空装
置内に設置し、上記導体パターンと接するようにして透
明な電極材料により透明電極を真空薄膜形成技術により
形成し、さらに、上記透明電極に有機ＥＬ材料からなる
発光層と、上記透明電極に対向して形成される背面電極
とを上記真空装置内で真空薄膜形成技術により各々連続
的に形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方
法。6. A conductor pattern of a conductor is formed on the transparent substrate in advance along a pattern of a transparent electrode formed on the surface of the transparent substrate, and the transparent substrate on which the conductor pattern is formed is placed in a vacuum state. It is installed in a vacuum device for forming a predetermined thin film, and a transparent electrode is formed by a vacuum thin film forming technique using a transparent electrode material so as to be in contact with the conductor pattern. Further, the light emitting layer made of an organic EL material is formed on the transparent electrode. And a back electrode formed opposite to the transparent electrode are continuously formed in the vacuum device by a vacuum thin film forming technique.
状にマスク蒸着により形成することを特徴とする請求項
６記載の有機ＥＬ素子の製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the transparent electrode and the back electrode are formed in a predetermined shape by mask evaporation.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345185A (en) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and method of manufacture |
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-
1999
- 1999-02-17 JP JP11038602A patent/JP2000243579A/en active Pending
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