JPH11195492A - Organic el element and its manufacture - Google Patents
Organic el element and its manufactureInfo
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- JPH11195492A JPH11195492A JP9369327A JP36932797A JPH11195492A JP H11195492 A JPH11195492 A JP H11195492A JP 9369327 A JP9369327 A JP 9369327A JP 36932797 A JP36932797 A JP 36932797A JP H11195492 A JPH11195492 A JP H11195492A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat light source, a display, and an organic EL element used for light emission display of a predetermined pattern, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層してい
る。そして、その表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉ
ｎ等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する
方向にストライプ状に蒸着等で付着してドットマトリク
スを形成している。この有機ＥＬ素子は、陽極となる透
明電極と陰極となる背面電極の交点に所定の電流を流
し、発光させるものである。そして、この有機ＥＬ素子
の製造は、ガラス基板上に順次上記電極材料及びＥＬ材
料を真空蒸着により形成するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, an organic EL (electroluminescence) element which emits a dot matrix has a light-transmitting ITO film formed on a glass substrate on one surface thereof.
The film is etched into stripes to form transparent electrodes,
A hole transport material such as a triphenylamine derivative (TPD) is provided on the surface thereof, and an electron transport material such as an aluminum chelate complex (Alq 3 ) as a light emitting material is laminated thereon. Then, Al, Li, Ag, Mg, I
A back electrode of n or the like is attached in a stripe shape in a direction orthogonal to the transparent electrode pattern by vapor deposition or the like to form a dot matrix. In this organic EL element, a predetermined current is applied to an intersection of a transparent electrode serving as an anode and a back electrode serving as a cathode to emit light. In the production of the organic EL device, the above-mentioned electrode material and EL material are sequentially formed on a glass substrate by vacuum deposition.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このドットマトリクス
表示の場合、微細な表示を行うためのものや大画面化し
た場合、ドット数を多くする必要があるため各ストライ
プが細くなって抵抗値が高くなってしまうものであっ
た。そして、画面の位置による抵抗値の差から、各ドッ
トに流れる電流値の差が生じ、画面位置よる発光むらが
生じていた。In the case of this dot matrix display, when a fine display is performed or when the screen is enlarged, it is necessary to increase the number of dots. Therefore, each stripe becomes thin and the resistance value becomes high. It was something that would be. Then, a difference in a current value flowing through each dot is generated from a difference in resistance value depending on a screen position, and uneven light emission is generated depending on a screen position.
【０００４】さらに、各ドットを順次走査して発光させ
る単純マトリクス駆動の場合、順次一つの線を選択し
て、各ライン毎に発光するように走査しているため、各
ＩＴＯのライン毎の通電時間がそのストライプ数の逆数
となるので、各ドットの通電時間もそのライン数の逆数
となって、きわめて短い発光時間となってしまうという
問題があった。しかも、画面を高精細化するためには、
各ストライプの幅を狭くする必要があり、各ストライプ
への外部配線の電気的接続も難しいものであった。Further, in the case of the simple matrix drive in which each dot is sequentially scanned to emit light, one line is sequentially selected and scanning is performed so as to emit light for each line. Since the time is the reciprocal of the number of stripes, the energization time of each dot is also the reciprocal of the number of lines, resulting in a problem that the emission time is extremely short. Moreover, in order to increase the screen resolution,
It is necessary to narrow the width of each stripe, and it is difficult to electrically connect external wiring to each stripe.
【０００５】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、表示むらがなく、明るい画
面を形成するすることができ、きめの細かい画面で、配
線の接続も容易な有機ＥＬ素子とその製造方法を提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above conventional technology, and can form a bright screen with a simple configuration, without display unevenness, with a fine-grained screen, and with easy wiring connection. It is an object of the present invention to provide an organic EL device and a method for manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや石
英、樹脂等の透明基板表面にＩＴＯ等の透明電極をスト
ライプ状に形成し、その上にホール輸送材料及び電子輸
送材料その他発光材料である有機ＥＬ材料からなる発光
層を形成し、その上に上記ストライプ状の透明電極と直
交するようにストライプ状に背面電極を積層し、さらに
この背面電極が形成された側に絶縁層を全面に積層する
とともに、この絶縁層に上記透明電極に開口した透孔を
形成し、この透孔を介して上記透明電極に接続した導体
パターンを上記透明基板とは反対側の上記絶縁層の外側
に積層した有機ＥＬ素子である。According to the present invention, a transparent electrode such as ITO is formed in the form of stripes on the surface of a transparent substrate such as glass, quartz or resin, and a hole transporting material, an electron transporting material and other light emitting materials are formed thereon. A light emitting layer made of a certain organic EL material is formed, and a back electrode is laminated on the light emitting layer in a stripe shape so as to be orthogonal to the stripe-shaped transparent electrode. Further, an insulating layer is formed on the entire surface on the side where the back electrode is formed. At the same time as laminating, a through-hole opened in the transparent electrode is formed in the insulating layer, and a conductor pattern connected to the transparent electrode through the through-hole is laminated on the outside of the insulating layer opposite to the transparent substrate. An organic EL device was obtained.
【０００７】また、上記発光層は上記透明電極と直交す
るようにストライプ状に積層され、その上に上記背面電
極がストライプ状に形成され、上記導体パターンを上記
透明基板とは反対側の上記絶縁層の外側に、上記ストラ
イプ状の透明電極に各々沿って平行にストライプ状に積
層した有機ＥＬ素子である。上記透明電極と導体パター
ンは、上記背面電極の所定の本数毎に一単位として分割
され、各分割単位毎に駆動されるものである。The light emitting layer is laminated in a stripe shape so as to be orthogonal to the transparent electrode, and the back electrode is formed thereon in a stripe shape, and the conductive pattern is formed on the insulating substrate on the side opposite to the transparent substrate. An organic EL device is formed outside the layer and stacked in a stripe shape in parallel along each of the stripe-shaped transparent electrodes. The transparent electrode and the conductor pattern are divided as one unit for each predetermined number of the back electrodes, and are driven for each division unit.
【０００８】上記導体パターンには絶縁層を介して外部
配線と接続される所定の大きさの導体の接続部を備え、
上記絶縁層には上記導体パターンに開口した透孔が形成
され、この透孔を経て上記接続部と上記導体パターンが
接続しているものである。この接続部は、各導体パター
ンのストライプ毎に交互に位置をずらして配置されてい
るものである。[0008] The conductor pattern has a connection portion of a conductor of a predetermined size connected to an external wiring via an insulating layer,
In the insulating layer, a through-hole opened in the conductor pattern is formed, and the connection portion and the conductor pattern are connected through the through-hole. The connecting portions are arranged such that the positions are alternately shifted for each stripe of each conductor pattern.
【０００９】またこの発明の有機ＥＬ素子には、上記透
明基板とは反対側に、回路基板が設けられ、この回路基
板の回路パターンの電極に上記接続部が接続していると
ともに、上記回路基板の上記回路パターンとは反対側の
面に、上記各ストライプに電流を流すＩＣ等の駆動回路
が設けられているものである。上記回路基板と上記接続
部との接続は、厚み方向にのみ導通する異方性導電体を
用いるものである。In the organic EL device of the present invention, a circuit board is provided on a side opposite to the transparent substrate, and the connection portion is connected to an electrode of a circuit pattern of the circuit board. A drive circuit such as an IC for flowing a current through each of the stripes is provided on the surface opposite to the above circuit pattern. The connection between the circuit board and the connection portion uses an anisotropic conductor that conducts only in the thickness direction.
【００１０】またこの発明は、ガラスや石英、樹脂等の
透明基板表面にＩＴＯ等の透明電極材料を真空蒸着等の
真空薄膜形成技術により形成し、上記透明電極材料を所
定ピッチのストライプ状にし、その上にホール輸送材料
及び電子輸送材料その他発光材料である有機ＥＬ材料か
らなる発光層を真空薄膜形成技術により形成し、その上
に上記ストライプ状の透明電極と直交するようにストラ
イプ状に背面電極を真空薄膜形成技術により形成して積
層し、さらにこの背面電極が形成された側に絶縁層を全
面に真空薄膜形成技術により積層するとともに、この絶
縁層に上記透明電極に開口した透孔を形成し、この透孔
を介して上記透明電極に接続した導体パターンを上記透
明基板とは反対側の上記絶縁層の外側に真空薄膜形成技
術により積層した有機ＥＬ素子の製造方法である。さら
に、上記導体パターンに絶縁層を積層し、上記絶縁層に
は上記導体パターンに開口した透孔を形成して、この絶
縁層の表面に外部配線と接続される所定の大きさのＡｌ
等の導体の接続部を真空薄膜形成技術により形成するも
のである。The present invention also provides a transparent electrode material such as ITO formed on a transparent substrate surface such as glass, quartz or resin by a vacuum thin film forming technique such as vacuum deposition, and the transparent electrode material is formed into a stripe shape at a predetermined pitch. A light emitting layer made of a hole transporting material, an electron transporting material, and an organic EL material as a light emitting material is formed thereon by a vacuum thin film forming technique, and a back electrode is formed thereon in a stripe shape so as to be orthogonal to the striped transparent electrode. Are formed and laminated by vacuum thin film formation technology, and an insulating layer is further laminated on the entire surface on which the back electrode is formed by vacuum thin film formation technology, and a through hole opened in the transparent electrode is formed in the insulating layer. Then, a conductor pattern connected to the transparent electrode through the through hole was laminated on the outside of the insulating layer opposite to the transparent substrate by a vacuum thin film forming technique. A method for producing a machine EL element. Further, an insulating layer is laminated on the conductor pattern, and a through hole opened in the conductor pattern is formed in the insulating layer, and a predetermined size of Al connected to an external wiring is formed on the surface of the insulating layer.
Are formed by a vacuum thin film forming technique.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１〜図７はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機ＥＬ素子は、図６、図７に示すように、ガラスや
石英、樹脂等の透明基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料による透明電極１２が、ストライプ状に形
成されている。透明基板例えば１００ｍｍ角で厚さが１
ｍｍ程度のものである。このストライプ状の透明電極
は、例えば電極幅が０．４ｍｍ電極間が０１．ｍｍのス
ペースに形成される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 to 7 show an embodiment of an organic EL device of the present invention. As shown in FIGS. 6 and 7, a transparent substrate 10 made of glass, quartz, resin or the like is used as shown in FIGS. On one side, a transparent electrode 12 made of a transparent electrode material such as ITO is formed in a stripe shape. Transparent substrate, for example, 100 mm square and 1 thickness
mm. The stripe-shaped transparent electrode has an electrode width of, for example, 0.4 mm and an electrode width of 01. mm space.
【００１２】なお、各透明電極１２は、背面電極の所定
の本数毎に一つの分割単位として形成されても良い。例
えば６４本の背面電極を一単位として、後述するよう
に、分割駆動されるように設けられる。Each transparent electrode 12 may be formed as one division unit for each predetermined number of back electrodes. For example, 64 back electrodes are provided as one unit so as to be driven separately as described later.
【００１３】透明電極１２上には、５００Å程度の厚さ
のホール輸送材料、及び５００Å程度の厚さの電子輸送
材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層
１４が積層されている。発光層１４は、透明電極１２と
直交するようにストライプ状に形成され、各ストライプ
の幅が０．４ｍｍでストライプ間のスペースが０．１ｍ
ｍとなるように形成されている。発光層１４は、ホール
輸送材料と電子輸送材料とを積層したが、さらに、各発
光色を各々積層したものや、これら発光材料を混合して
積層した層でも良い。On the transparent electrode 12, a light emitting layer 14 made of a hole transporting material having a thickness of about 500.degree., An electron transporting material having a thickness of about 500.degree. The light emitting layer 14 is formed in a stripe shape so as to be orthogonal to the transparent electrode 12, and the width of each stripe is 0.4 mm and the space between the stripes is 0.1 m.
m. The light emitting layer 14 is formed by laminating a hole transporting material and an electron transporting material. However, the light emitting layer 14 may be a layer obtained by laminating each of the luminescent colors or a layer obtained by mixing these luminescent materials.
【００１４】そして、発光層１４の電子輸送材料の表面
には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程度含む純度
９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１６が、発光層
１４と等しい幅で、透明電極１２と直交するように、発
光層１４に積層されている。背面電極１６は、適宜の３
００Å〜２０００Å程度の厚さに形成されている。On the surface of the electron transporting material of the light emitting layer 14, for example, a back electrode 16 of an Al—Li alloy containing about 0.01 to 0.05% of Li and having a purity of about 99% is equal to the light emitting layer 14. It is stacked on the light emitting layer 14 so as to be orthogonal to the transparent electrode 12 in width. The back electrode 16 has an appropriate 3
It is formed to a thickness of about 00 to 2000 mm.
【００１５】背面電極１６は、ＳｉＯ2等の絶縁層１８
により被覆されている。絶縁層１８には、透明電極１２
に対面して積層された部分に、１または所定の間隔で複
数の透孔２０が形成されている。そして、絶縁層１８に
は、透明電極１２に沿って平行に形成され、透明電極１
２よりわずかに幅の狭いＡｌ等の導体パターン２２が形
成されている。この導体パターン２２は上述したよう
に、分割駆動される場合は、各分割単位毎に別々に形成
される。The back electrode 16 is made of an insulating layer 18 such as SiO 2.
Coated with The insulating layer 18 includes a transparent electrode 12
A plurality of through-holes 20 are formed at one or a predetermined interval in a portion that is stacked facing the substrate. The transparent electrode 1 is formed on the insulating layer 18 in parallel with the transparent electrode 12.
A conductor pattern 22 of Al or the like having a width slightly smaller than 2 is formed. As described above, when the conductor pattern 22 is divided and driven, it is formed separately for each division unit.
【００１６】導体パターン２２には、さらにＳｉＯ2等
の絶縁層２４を介して外部配線と接続される所定の大き
さの導体の接続部２６が積層されている。絶縁層２４
は、１０００Å程度の厚さに形成され、１本の導体パタ
ーン２２に対して開口した透孔２８が形成され、この透
孔２８を介して接続部２６が導体パターン２２に接続さ
れている。この接続部２６は、図７に示すように、その
面積を広く取るために、各導体パターン２２のストライ
プに対して交互に位置をずらして配置されている。The conductor pattern 22 further has a conductor connection portion 26 of a predetermined size connected to an external wiring via an insulating layer 24 of SiO 2 or the like. Insulating layer 24
Is formed to have a thickness of about 1000 °, and a through hole 28 opened to one conductor pattern 22 is formed. A connection portion 26 is connected to the conductor pattern 22 through the through hole 28. As shown in FIG. 7, the connecting portions 26 are alternately shifted from the stripes of the conductor patterns 22 in order to increase the area.
【００１７】またこの実施形態の有機ＥＬ素子には、透
明基板１０とは反対側の接続部２６が形成された側に、
図示しない回路基板が設けられ、この回路基板の回路パ
ターンの電極に、接続部２６が接続している。さらに、
この回路基板の上記回路パターンとは反対側の面には、
各導体パターン２２に電流を流す駆動回路が設けられて
いる。そして、上記回路基板の電極と接続部２６との接
続は、例えば厚み方向にのみ導通する異方性導電体を用
いることにより、容易に接続可能なものである。Further, in the organic EL device of this embodiment, on the side where the connecting portion 26 opposite to the transparent substrate 10 is formed,
A circuit board (not shown) is provided, and the connection portion 26 is connected to an electrode of a circuit pattern on the circuit board. further,
On the surface of the circuit board opposite to the circuit pattern,
A drive circuit for flowing a current through each conductor pattern 22 is provided. The connection between the electrode of the circuit board and the connection portion 26 can be easily made by using, for example, an anisotropic conductor that conducts only in the thickness direction.
【００１８】この実施形態の発光層１４は、ホール輸送
材料としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、
ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。ま
た、電子輸送材料としては、アルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、
オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導
体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン
類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の発光材料
を混合しても良く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混
合して発光層を形成しても良く、その場合、ホール輸送
材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：１０
の範囲で適宜変更可能である。The light emitting layer 14 of this embodiment is formed of a triphenylamine derivative (TPD) as a hole transporting material.
There are hydrazone derivatives, arylamine derivatives and the like. Further, as an electron transport material, aluminum chelate complex (Al
q 3 ), distyrylbiphenyl derivatives (DPVBi),
An oxadiazole derivative, a bistyrylanthracene derivative, a benzoxazolethiophene derivative, perylenes, thiazoles, or the like is used. Further, an appropriate light emitting material may be mixed, or a hole transporting material and an electron transporting material may be mixed to form a light emitting layer. In this case, the ratio of the hole transporting material to the electron transporting material is 10:90. To 90:10
Can be changed as appropriate within the range.
【００１９】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
１〜図７に示すように、先ず、ガラスや石英、透明樹脂
等の透明基板１０の表面に、図１に示すように、蒸着や
スパッタリング等の真空薄膜形成技術によりＩＴＯ等の
透明な導体を全面に形成し、エッチングにより、ストラ
イプ状に透明電極１２を形成する。次に、図２に示すよ
うに、ストライプ状の透明電極１２と直交するように、
ホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料である
有機ＥＬ材料からなる発光層１４を蒸着等の真空薄膜形
成技術により積層する。このとき、上記所定のパターン
を形成するように、マスクを用いて、透明電極１２の上
に重なるように蒸着する。さらに、背面電極１６を形成
するＡｌ−Ｌｉ合金を、マスクを用いて発光層１４と重
なるように真空薄膜形成技術により蒸着する。As shown in FIGS. 1 to 7, a method for manufacturing an EL element according to this embodiment firstly comprises vapor deposition or vapor deposition on a surface of a transparent substrate 10 such as glass, quartz, or transparent resin, as shown in FIG. A transparent conductor such as ITO is formed on the entire surface by a vacuum thin film forming technique such as sputtering, and the transparent electrodes 12 are formed in a stripe shape by etching. Next, as shown in FIG.
A light emitting layer 14 made of a hole transporting material, an electron transporting material, and an organic EL material as a light emitting material is laminated by a vacuum thin film forming technique such as vapor deposition. At this time, vapor deposition is performed using a mask so as to overlap the transparent electrode 12 so as to form the predetermined pattern. Further, an Al-Li alloy forming the back electrode 16 is deposited by a vacuum thin film forming technique so as to overlap the light emitting layer 14 using a mask.
【００２０】さらにこの背面電極１４が形成された側
に、絶縁層１８を全面に真空蒸着やスパッタリング等の
薄膜形成技術により積層する。そして、この絶縁層１８
の透明電極１２に接した位置に、透孔２０をエッチング
等により形成する。エッチング方法は、ＲＩＥ法やウエ
ットエッチング法等を用いる。Further, on the side where the back electrode 14 is formed, an insulating layer 18 is laminated on the entire surface by a thin film forming technique such as vacuum evaporation or sputtering. Then, the insulating layer 18
A hole 20 is formed by etching or the like at a position in contact with the transparent electrode 12. As an etching method, an RIE method, a wet etching method, or the like is used.
【００２１】この後、絶縁層１８の表面にＡｌを蒸着
し、導体パターン２２を形成する。ストライプの形成
は、マスク蒸着またはエッチングにより行う。導体パタ
ーン２２は、分割駆動される表示装置の場合、所定の分
割単位毎に形成する。また、導体パターン２２は、絶縁
層１８の透孔２０を介して、透明電極１２に接続する。
さらに、導体パターン２２にＳｉＯ2等の絶縁層２４を
上記と同様に真空薄膜形成技術により積層する。この絶
縁層２４には、各導体パターン２２に開口した透孔２８
をエッチングにより形成する。この後、絶縁層２４の表
面に、所定の大きさのＡｌ等の導体の接続部２６を真空
薄膜形成技術により各導体パターン２２に対応させて形
成する。この形成はマスク蒸着により各導体パターン２
２毎に、市松模様に対応するように形成する。Thereafter, Al is deposited on the surface of the insulating layer 18 to form a conductor pattern 22. The stripes are formed by mask evaporation or etching. In the case of a display device driven by division, the conductor pattern 22 is formed for each predetermined division unit. The conductor pattern 22 is connected to the transparent electrode 12 through the through hole 20 of the insulating layer 18.
Further, an insulating layer 24 such as SiO 2 is laminated on the conductor pattern 22 by a vacuum thin film forming technique in the same manner as described above. The insulating layer 24 has through holes 28 opened in the respective conductor patterns 22.
Is formed by etching. Thereafter, on the surface of the insulating layer 24, a connection portion 26 of a conductor such as Al of a predetermined size is formed corresponding to each conductor pattern 22 by a vacuum thin film forming technique. This formation is carried out by mask evaporation.
Every two are formed so as to correspond to a checkered pattern.
【００２２】この後、図示しない回路基板の回路パター
ンの電極を接続部２６に接続する。回路基板は例えばポ
リイミドの基板を用い、一方の面にこのＥＬ素子の駆動
用のＩＣを取り付ける回路を形成し、他方の面に、接続
部２６が接続する回路パターンを形成する。接続部２６
と回路基板の電極との接続は例えば、異方性導電体によ
り接続する。異方性導電体は、加圧及び加熱して接続さ
せるが、発光層１４への影響を考慮して、１００℃以下
の加熱とする。Thereafter, the electrodes of the circuit pattern on the circuit board (not shown) are connected to the connection portions 26. As the circuit board, for example, a polyimide substrate is used, and a circuit for attaching an IC for driving the EL element is formed on one surface, and a circuit pattern to be connected to the connection portion 26 is formed on the other surface. Connection part 26
The connection between the electrode and the electrode of the circuit board is made by, for example, an anisotropic conductor. The anisotropic conductor is connected by pressurizing and heating, but is heated to 100 ° C. or less in consideration of the influence on the light emitting layer 14.
【００２３】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層等をフラッシュ蒸着
により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。Here, the deposition conditions are, for example, that the degree of vacuum is 6 ×
At 10 −6 Torr, a film is formed at a deposition rate of 50 ° / sec in the case of an EL material. Further, the light emitting layer and the like may be formed by flash evaporation. In the flash vapor deposition method, an organic EL material previously mixed at a predetermined ratio is dropped to a vapor deposition source heated to 300 to 600 ° C., preferably 400 to 500 ° C., and the organic EL material is vaporized at a stretch. Alternatively, the organic EL material may be housed in a container, and the container may be rapidly heated and vapor-deposited at once.
【００２４】この実施形態のＥＬ素子の駆動方法は、先
ず、単純マトリクス駆動の場合、各透明電極１２に各々
導体パターン２２が接続され、透明電極１２の抵抗値を
無視することができるので、例えば透明電極１２側を走
査用の電極とし、背面電極１６を、パラレル入力とする
ことができる。これにより、透明電極１２の方が本数が
少ない場合、透明電極１２を走査することにより１ライ
ン当たりの発光時間を長くすることができ、より明るい
画面を形成することができる。In the driving method of the EL element of this embodiment, first, in the case of simple matrix driving, the conductor pattern 22 is connected to each transparent electrode 12 and the resistance value of the transparent electrode 12 can be ignored. The transparent electrode 12 can be used as a scanning electrode, and the back electrode 16 can be used as a parallel input. Accordingly, when the number of the transparent electrodes 12 is smaller, the light emission time per line can be extended by scanning the transparent electrodes 12, and a brighter screen can be formed.
【００２５】また、一画面を分割して駆動する分割駆動
の場合、各背面電極１６を所定の本数のグループに分割
し、各グループを一単位として透明電極１２側を分割
し、背面電極１６の各グループ毎に各々並列に駆動する
ことにより、より各ラインの発光時間を長く取ることが
できる。例えば背面電極１６の本数が５１２本の場合、
１２８本づつのブロック単位に分割し、各ブロック単位
を各々並列に駆動することにより、５１２本を単純に走
査する場合と比較して、各ライン当たりの発光時間を４
倍にすることができる。さらに、全画面では、同時に４
点で発光するので、発光時間と発光点が各々４倍となり
全体として１６倍の明るさとなる。In the case of divided driving in which one screen is divided and driven, each back electrode 16 is divided into a predetermined number of groups, and the transparent electrode 12 side is divided by each group as one unit. By driving each group in parallel, the emission time of each line can be made longer. For example, when the number of back electrodes 16 is 512,
By dividing each block into 128 blocks and driving each block in parallel, the emission time per line is reduced by 4 compared to the case where 512 blocks are simply scanned.
Can be doubled. In addition, on the full screen, 4
Since the light is emitted at the point, the emission time and the emission point are each quadrupled, and the brightness becomes 16 times as a whole.
【００２６】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、透
明電極１２の抵抗値を背面電極１６と同等に低いものと
して扱うことができ、透明電極１２の抵抗値による発光
むらがなくなり、均一な明るさの画面を得ることができ
る。また、発光時間を長くするためのブロック化や入力
方法の変更が容易に可能であり、より明るい画面を形成
することができる。また、発光層１４は、絶縁層１８，
２４で覆われ、確実に気密状態に密閉されているので、
より長寿命化を図ることができる。さらに、接続部２６
に直接回路基板を接合し、電気的接続を図ることがで
き、発光装置の小型化を容易にし、信頼性も高いものと
することができる。また、強度も高いものとなる。According to the organic EL device of this embodiment, the resistance value of the transparent electrode 12 can be treated as being as low as that of the back electrode 16, and there is no uneven light emission due to the resistance value of the transparent electrode 12, and uniform brightness is obtained. Screen can be obtained. In addition, it is possible to easily form a block or change an input method in order to lengthen the light emission time, and to form a brighter screen. The light emitting layer 14 includes an insulating layer 18,
Since it is covered with 24 and is securely sealed in an airtight state,
A longer life can be achieved. Further, the connection unit 26
The circuit board can be directly joined to the light emitting device to make electrical connection, the size of the light emitting device can be easily reduced, and the reliability can be increased. Also, the strength is high.
【００２７】[0027]
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、マトリクス駆動するＥＬ素子の透明電極側の電気抵
抗を低くすることができ、各発光部分の発光むらをなく
すことができ、透明電極側を走査電極とすることもでき
る。また、発光層は確実に密閉され、発光層の劣化を抑
え、寿命を延ばすこともできる。さらに、発光装置の小
型化を容易にし、ユニット化も容易に可能となる。According to the organic EL device and the method of manufacturing the same of the present invention, the electric resistance of the matrix-driven EL device on the transparent electrode side can be reduced, and the light emission unevenness of each light emitting portion can be eliminated. The side can be a scanning electrode. Further, the light emitting layer is securely sealed, deterioration of the light emitting layer can be suppressed, and the life can be extended. Further, the size of the light emitting device can be easily reduced, and the unit can be easily formed.
【図１】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の製造工
程を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の次の製
造工程を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a next manufacturing step of the organic EL device according to one embodiment of the present invention.
【図３】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の次の製
造工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a next manufacturing step of the organic EL device according to one embodiment of the present invention.
【図４】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の次の製
造工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a next manufacturing step of the organic EL device according to one embodiment of the present invention.
【図５】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の次の製
造工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a next manufacturing step of the organic EL element according to the embodiment of the present invention.
【図６】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の次の製
造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a next manufacturing step of the organic EL device according to one embodiment of the present invention.
【図７】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の部分破
断平面図である。FIG. 7 is a partially broken plan view of the organic EL device according to the embodiment of the present invention.
１０ 透明基板 １２ 透明電極 １４ 発光層 １６ 背面電極 １８，２４ 絶縁層 ２０，２８ 透孔 ２２ 導体パターン ２６ 接続部 Reference Signs List 10 transparent substrate 12 transparent electrode 14 light emitting layer 16 back electrode 18, 24 insulating layer 20, 28 through hole 22 conductive pattern 26 connection part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Shigeru Fukumoto 3158 Shimo-Okubo, Osawano-machi, Kamishinkawa-gun, Toyama Prefecture Inside Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. Inside the corporation
Claims (9)
に形成し、その上にホール輸送材料及び電子輸送材料そ
の他発光材料である有機ＥＬ材料からなる発光層を形成
し、その上に上記ストライプ状の透明電極と直交するよ
うにストライプ状に背面電極を積層し、さらにこの背面
電極が形成された側に絶縁層を全面に積層するととも
に、この絶縁層に上記透明電極に開口した透孔を形成
し、この透孔を介して上記透明電極に接続した導体パタ
ーンを上記透明基板とは反対側の上記絶縁層の外側に積
層したことを特徴とする有機ＥＬ素子。1. A transparent electrode is formed in a stripe shape on a surface of a transparent substrate, and a light emitting layer made of an organic EL material which is a hole transporting material, an electron transporting material and other light emitting materials is formed thereon, and the stripe shape is formed thereon. A back electrode is laminated in a stripe shape so as to be orthogonal to the transparent electrode, and an insulating layer is further laminated on the entire surface on which the back electrode is formed, and a through hole opened in the transparent electrode is formed in the insulating layer. An organic EL device, wherein a conductor pattern connected to the transparent electrode through the through hole is laminated on the outside of the insulating layer opposite to the transparent substrate.
うにストライプ状に積層され、その発光層の上に上記背
面電極がストライプ状に形成され、上記導体パターンを
上記透明基板とは反対側の上記絶縁層の外側に、上記ス
トライプ状の透明電極に各々沿って平行にストライプ状
に積層したことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素
子。2. The light emitting layer is laminated in a stripe shape so as to be orthogonal to the transparent electrode, the back electrode is formed in a stripe shape on the light emitting layer, and the conductor pattern is formed on the side opposite to the transparent substrate. 2. The organic EL device according to claim 1, wherein the organic EL device is laminated in a stripe shape in parallel along each of the stripe-shaped transparent electrodes outside the insulating layer.
面電極の所定の本数毎に一単位として分割され、各分割
単位毎に駆動されることを特徴とする請求項１記載の有
機ＥＬ素子。3. The organic EL device according to claim 1, wherein the transparent electrode and the conductor pattern are divided as one unit for each predetermined number of the back electrodes, and are driven for each division unit.
の絶縁層には上記導体パターンに開口した透孔が形成さ
れ、この透孔及びその周囲に、外部配線と接続される所
定の大きさの導体からなる接続部が積層されたことを特
徴とする請求項１，２または３記載の有機ＥＬ素子。4. The conductor pattern is covered with an insulating layer, and the insulating layer has a through hole formed in the conductor pattern, and a predetermined size connected to an external wiring is formed in and around the through hole. 4. The organic EL device according to claim 1, wherein the connection portion made of the conductor is laminated.
イプ毎に交互に位置をずらして配置されていることを特
徴とする請求項４記載の有機ＥＬ素子。5. The organic EL device according to claim 4, wherein said connection portions are alternately shifted in position for each stripe of each conductor pattern.
子の駆動回路を備えた回路基板が設けられ、この回路基
板の回路パターンに上記接続部が接続しているととも
に、上記回路基板の上記回路パターンとは反対側の面
に、上記駆動回路が設けられている請求項４記載の有機
ＥＬ素子。6. A circuit board provided with a drive circuit for the EL element is provided on a side opposite to the transparent substrate, and the connection portion is connected to a circuit pattern of the circuit board. The organic EL device according to claim 4, wherein the drive circuit is provided on a surface opposite to the circuit pattern.
厚み方向にのみ導通する異方性導電体を用いるものであ
ることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ素子。7. The connection between the circuit board and the connection portion,
7. The organic EL device according to claim 6, wherein an anisotropic conductor that conducts only in the thickness direction is used.
形成技術により形成し、上記透明電極材料を所定ピッチ
のストライプ状に設け、その上にホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料である有機ＥＬ材料からなる
発光層を真空薄膜形成技術により形成し、その上に上記
ストライプ状の透明電極と直交するようにストライプ状
に背面電極を真空薄膜形成技術により形成して積層し、
さらにこの背面電極が形成された側に絶縁層を全面に真
空薄膜形成技術により積層するとともに、この絶縁層に
上記透明電極に開口した透孔を形成し、この透孔を介し
て上記透明電極に接続した導体パターンを上記透明基板
とは反対側の上記絶縁層の外側に真空薄膜形成技術によ
り積層することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。8. A transparent electrode material is formed on a surface of a transparent substrate by a vacuum thin film forming technique, and the transparent electrode material is provided in a stripe shape at a predetermined pitch. A hole transporting material, an electron transporting material, and an organic light emitting material are formed thereon. A light emitting layer made of an EL material is formed by a vacuum thin film forming technique, and a back electrode is formed on the striped transparent electrode by a vacuum thin film forming technique so as to be orthogonal to the stripe-shaped transparent electrode, and laminated.
Further, an insulating layer is laminated on the entire surface on the side where the back electrode is formed by a vacuum thin film forming technique, and a through hole opened in the transparent electrode is formed in the insulating layer, and the transparent electrode is formed through the through hole in the transparent electrode. A method for manufacturing an organic EL device, comprising: laminating a connected conductor pattern outside the insulating layer on the side opposite to the transparent substrate by a vacuum thin film forming technique.
の絶縁層には上記導体パターンに開口した透孔を形成
し、この絶縁層の表面に外部配線と接続される所定の大
きさの導体の接続部を真空薄膜形成技術により形成する
ことを特徴とする請求項８記載の有機ＥＬ素子の製造方
法。9. An insulating layer is laminated on the conductor pattern, a through hole opened in the conductor pattern is formed in the insulating layer, and a conductor of a predetermined size connected to an external wiring is formed on a surface of the insulating layer. 9. The method according to claim 8, wherein the connecting portion is formed by a vacuum thin film forming technique.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9369327A JPH11195492A (en) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | Organic el element and its manufacture |
| US09/221,238 US6140766A (en) | 1997-12-27 | 1998-12-28 | Organic EL device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9369327A JPH11195492A (en) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | Organic el element and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195492A true JPH11195492A (en) | 1999-07-21 |
Family
ID=18494149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9369327A Pending JPH11195492A (en) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | Organic el element and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195492A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060907A1 (en) * | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| US6835951B2 (en) | 2001-11-07 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2008530752A (en) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | OLED device |
| KR20120029396A (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-26 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | Hermetic electrical package |
| JP2013506958A (en) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Monolithic parallel interconnect structure |
| JP2013187082A (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Kaneka Corp | Light-emitting device and manufacturing method therefor |
| JP2013544009A (en) * | 2010-10-21 | 2013-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | OLED device having brightness distribution control means |
| JP5982060B2 (en) * | 2013-04-25 | 2016-08-31 | パナソニック株式会社 | Passive matrix drive display and tiling display |
-
1997
- 1997-12-27 JP JP9369327A patent/JPH11195492A/en active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060785A (en) * | 1999-04-02 | 2011-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent display device and method for producing the same |
| US6525467B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| WO2000060907A1 (en) * | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| JP2010080453A (en) * | 1999-04-02 | 2010-04-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent display and method for manufacturing the same |
| JP4608105B2 (en) * | 1999-04-02 | 2011-01-05 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
| US6835951B2 (en) | 2001-11-07 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2008530752A (en) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | OLED device |
| KR20120029396A (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-26 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | Hermetic electrical package |
| JP2012527728A (en) * | 2009-05-21 | 2012-11-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Airtight electrical package |
| JP2013506958A (en) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Monolithic parallel interconnect structure |
| JP2013544009A (en) * | 2010-10-21 | 2013-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | OLED device having brightness distribution control means |
| JP2013187082A (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Kaneka Corp | Light-emitting device and manufacturing method therefor |
| JP5982060B2 (en) * | 2013-04-25 | 2016-08-31 | パナソニック株式会社 | Passive matrix drive display and tiling display |
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