JP2007214000A - Method for manufacturing electrochemical device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electrochemical device elongating a service life by suppressing reduction in opening ratio by broadening an insulating layer. <P>SOLUTION: An auxiliary electrode layer 14 is formed on an organic insulating layer 12, and a function layer 13 is formed over the whole surface on the organic insulating layer 12 and auxiliary electrode layer 14. Thereafter, the function layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 is peeled from the auxiliary electrode layer 14 by rotating an adhesive roller in contact with the function layer 13. A counter electrode 15 is then formed on the auxiliary electrode layer 14. Since the function layer 13 is formed without using a mask, it is not necessary to ensure an alignment tolerance between the mask and the substrate S as in the past, needing no broadening of the organic insulating layer 12. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device.

近年、広視野角、低消費電力、高応答性能等の観点から、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」を発光素子とした有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、「有機ELディスプレイ」という)が注目を集めている。有機EL素子は、一般に、有機発光層を含む機能層を上下から陽極(画素電極)と陰極(対向電極)で挟み込む構造を持ち、その有機発光層にて正孔と電子が再結合して発光が生じるものである。   In recent years, from the viewpoint of wide viewing angle, low power consumption, high response performance, etc., an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic EL display”) using an “organic EL element” as a light emitting element has been developed. Organic EL devices generally have a structure in which a functional layer including an organic light emitting layer is sandwiched between an anode (pixel electrode) and a cathode (counter electrode) from above and below, and holes and electrons are formed in the organic light emitting layer. Are recombined to produce light emission.

ところで、有機ELディスプレイは、基板側(陽極側)から光を取り出すようにしたボトムエミッションタイプと、基板と対向する側(陰極側)から光を取り出すようにしたトップエミッションタイプとに大別される。ボトムエミッションタイプの有機ELディスプレイは、陽極を光透過性導電材料で構成し発光層にて発せられた光を陽極(画素電極)及び基板を透過させて外部に出射するのに対して、トップエミッションタイプでは陰極(対向電極)を透過させて外部に出射する。従って、トップエミッションタイプの有機ELディスプレイは、開口率を高くすることができることから、結果としてパネルの寿命を長くすることができるという利点がある。   By the way, organic EL displays are roughly classified into a bottom emission type in which light is extracted from the substrate side (anode side) and a top emission type in which light is extracted from the side facing the substrate (cathode side). . In the bottom emission type organic EL display, the anode is made of a light-transmitting conductive material, and the light emitted from the light emitting layer is transmitted through the anode (pixel electrode) and the substrate and emitted to the outside. In the type, the light is transmitted to the outside through the cathode (counter electrode). Therefore, the top emission type organic EL display has an advantage that the aperture ratio can be increased, and as a result, the lifetime of the panel can be extended.

ところで、トップエミッションタイプの有機ELディスプレイでは、陰極(対向電極)の光透過性を確保するために、陰極(対向電極)を、インジウム−スズ(ITO)や酸化亜鉛(ZnO)といった光透過性導電材料、またはマグネシウム−銀(MgAg)といった高導電材料を極薄膜化したものが用いられている。従って、陰極(対向電極)の抵抗値は比較的高くなるので、陰極(対向電極)上の各位置にて電位が不均一となり、その結果、画素の位置によって輝度がばらついてしまうことがあった。   By the way, in the top emission type organic EL display, in order to ensure the light transmittance of the cathode (counter electrode), the cathode (counter electrode) is made of a light transmissive conductive material such as indium-tin (ITO) or zinc oxide (ZnO). A material or a highly conductive material such as magnesium-silver (MgAg) made into an extremely thin film is used. Accordingly, since the resistance value of the cathode (counter electrode) is relatively high, the potential becomes nonuniform at each position on the cathode (counter electrode), and as a result, the luminance may vary depending on the position of the pixel. .

そこで、各陽極(画素電極)間に、陽極(画素電極)が露出するように開口部を有した絶縁層を形成し、その絶縁層上に陰極(対向電極)と電気的に接触した補助電極層を備えたものが知られている。これにより、陰極(対向電極)上の各位置での電位が均一となることから、輝度のばらつきを抑えている(例えば特許文献1参照)。
特開2002−352963号公報
Therefore, an insulating layer having an opening is formed between each anode (pixel electrode) so that the anode (pixel electrode) is exposed, and the auxiliary electrode is in electrical contact with the cathode (counter electrode) on the insulating layer. Those with layers are known. Thereby, since the electric potential in each position on a cathode (counter electrode) becomes uniform, the dispersion | variation in a brightness | luminance is suppressed (for example, refer patent document 1).
JP 2002-352963 A

ところで、上記有機EL素子の機能層は、絶縁層上に補助電極層を形成した後、蒸着法によって陽極(画素電極)上に形成されるが、機能層を絶縁層の開口部に露出した陽極(画素電極)にのみ正確に形成するのは困難である。このため、絶縁層の縁に機能層が重なり、かつ陽極(画素電極)の露出表面が確実に機能層で覆われるように、精密なマスクを用いて蒸着するようにしている。従って、マスクとのアライメントの公差を確保するために、絶縁層を幅広くする必要がある。すると、開口率が低下し、結果としてパネルの寿命を低下させるという問題があった。   By the way, the functional layer of the organic EL element is formed on the anode (pixel electrode) by vapor deposition after the auxiliary electrode layer is formed on the insulating layer. The anode in which the functional layer is exposed at the opening of the insulating layer. It is difficult to form accurately only on the (pixel electrode). Therefore, vapor deposition is performed using a precise mask so that the functional layer overlaps the edge of the insulating layer and the exposed surface of the anode (pixel electrode) is reliably covered with the functional layer. Therefore, it is necessary to widen the insulating layer in order to ensure alignment tolerance with the mask. As a result, the aperture ratio is lowered, resulting in a problem that the lifetime of the panel is reduced.

本発明は、上記の問題点に鑑みなされたもので、絶縁層を幅広くすることによって開口率が低下するのを抑制し、高寿命化を図ることができる電気光学装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a method for manufacturing an electro-optical device that can prevent the aperture ratio from being lowered by widening an insulating layer and can achieve a long lifetime. It is in.

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、第1電極層と、第2電極層と、前記第1電極層と前記第2電極層との間に配置される少なくとも発光層とを含む機能層とから構成された電気光学素子を複数備え、前記発光層にて発せられた光を、前記第2電極層を透過して前記基板と対向する側から出射する電気光学装置の製造方法において、前記基板上に、前記第1電極層に対応する位置に開口部を備えた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、前記第2電極層と電気的に接続する補助電極層を形成する補助電極層形成工程と、前記絶縁層及び前記補助電極層上に前記機能層を形成する機能層形成工程と、前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離する剥離工程と、前記補助電極層上に前記第2電極層を形成する電極層形成工程とを備えている。   The method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes a first electrode layer, a second electrode layer, and at least a light emitting layer disposed between the first electrode layer and the second electrode layer on a substrate. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising: a plurality of electro-optical elements each including a functional layer, wherein light emitted from the light-emitting layer is transmitted from the side facing the substrate through the second electrode layer And forming an insulating layer having an opening at a position corresponding to the first electrode layer on the substrate, and electrically connecting the second electrode layer on the insulating layer. An auxiliary electrode layer forming step for forming an auxiliary electrode layer, a functional layer forming step for forming the functional layer on the insulating layer and the auxiliary electrode layer, and the functional layer formed on the auxiliary electrode layer as the auxiliary A peeling step for peeling from the electrode layer; and the second step on the auxiliary electrode layer. And an electrode layer forming step of forming a cathode layer.

これによれば、第1電極層に対応する位置に開口部が形成されたマスクを使用せずに機能層を形成するようにした。従って、マスクとのアライメントの公差を確保する必要はないことから、絶縁層を幅広くする必要がない。この結果、開口率の低下を抑制することができることから、電気光学装置の高寿命化を図ることができる。   According to this, the functional layer is formed without using a mask in which an opening is formed at a position corresponding to the first electrode layer. Therefore, since it is not necessary to ensure the tolerance of alignment with the mask, it is not necessary to widen the insulating layer. As a result, it is possible to suppress a decrease in the aperture ratio, so that the life of the electro-optical device can be extended.

この電気光学装置の製造方法において、前記補助電極層形成工程は、転写法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、補助電極層を転写法によって形成するようにしたので、補助電極層を形成するためのマスクは不要であり、そのためのアライメントの公差を考慮する必要はない。従って、絶縁層の幅を狭くすることができる。この結果、開口率を高くすることができる。
In the method for manufacturing the electro-optical device, the auxiliary electrode layer forming step may be performed by a transfer method.
According to this, since the auxiliary electrode layer is formed by the transfer method, a mask for forming the auxiliary electrode layer is unnecessary, and there is no need to consider alignment tolerances for that purpose. Therefore, the width of the insulating layer can be reduced. As a result, the aperture ratio can be increased.

この電気光学装置の製造方法において、前記剥離工程は、粘着性を有するローラ状の転写部材を、前記絶縁層及び前記補助電極層上の全面に形成された前記機能層に接触させながら回転させることで前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離するようにしてもよい。   In the electro-optical device manufacturing method, the peeling step rotates a sticky roller-shaped transfer member in contact with the functional layer formed on the entire surface of the insulating layer and the auxiliary electrode layer. The functional layer formed on the auxiliary electrode layer may be peeled off from the auxiliary electrode layer.

これによれば、粘着性を有するローラを備えた転写部材を使用することで、簡単に補助電極層上に形成された機能層を補助電極層上から剥離することができる。また、粘着性を有するローラ状の転写部材をチャンバー内に配設することによって、大気に晒すことなく機能層を補助電極層上から剥離し、その状態で補助電極層上に第2電極層を形成することができることから、パーティクル等の不純物の付着や電極表面の変質が生じることなく電極上に機能層を形成することができる。   According to this, the functional layer formed on the auxiliary electrode layer can be easily peeled off from the auxiliary electrode layer by using a transfer member provided with an adhesive roller. In addition, by disposing an adhesive roller-shaped transfer member in the chamber, the functional layer is peeled off from the auxiliary electrode layer without being exposed to the atmosphere, and in this state, the second electrode layer is formed on the auxiliary electrode layer. Since it can be formed, the functional layer can be formed on the electrode without causing adhesion of impurities such as particles and alteration of the electrode surface.

この電気光学装置の製造方法において、前記剥離工程は、粘着性を有するシートをローラ状の転写部材によって前記絶縁層及び前記補助電極層上の全面に形成された前記機能層に接触させながら回転させることで前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離してもよい。   In the electro-optical device manufacturing method, in the peeling step, an adhesive sheet is rotated while being brought into contact with the functional layer formed on the entire surface of the insulating layer and the auxiliary electrode layer by a roller-shaped transfer member. Thus, the functional layer formed on the auxiliary electrode layer may be peeled off from the auxiliary electrode layer.

これによれば、粘着性を有するローラ状の転写部材を使用する場合に比べて、シートの長さを長くすることで、転写部材の交換頻度を少なくすることができる。
この電気光学装置の製造方法において、前記転写部材を前記補助電極層の長手方向に沿って接触させながら回転させることで前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離してもよい。
According to this, compared with the case where the roller-shaped transfer member which has adhesiveness is used, the replacement frequency of a transfer member can be decreased by lengthening the length of a sheet | seat.
In this electro-optical device manufacturing method, the functional layer formed on the auxiliary electrode layer is peeled off from the auxiliary electrode layer by rotating the transfer member while being in contact with the auxiliary electrode layer in the longitudinal direction. May be.

これによれば、補助電極層上に形成された機能層を、確実に補助電極層上から剥離することができる。   According to this, the functional layer formed on the auxiliary electrode layer can be reliably peeled off from the auxiliary electrode layer.

(第1実施形態)
以下、本発明の一実施形態に係る電気光学装置としてのトップエミッションタイプの有機ELディスプレイの製造方法について図面に従って説明する。
(First embodiment)
A method for manufacturing a top emission type organic EL display as an electro-optical device according to an embodiment of the invention will be described below with reference to the drawings.

まず、本発明の製造方法によって製造された有機ELディスプレイの構成について説明する。
図1は、本実施形態に係る有機ELディスプレイの構成を説明するための一部概略断面図である。本実施形態の有機ELディスプレイ10は、アクティブマトリクス駆動方式であって、基板S上に各有機EL素子に供給する電流(キャリア)の量を制御するための駆動トランジスタ(本実施形態では、薄膜トランジスタ)To等を備えた回路形成層Saを備えている。
First, the structure of the organic EL display manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described.
FIG. 1 is a partial schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the organic EL display according to the present embodiment. The organic EL display 10 of the present embodiment is an active matrix drive system, and is a drive transistor (in this embodiment, a thin film transistor) for controlling the amount of current (carrier) supplied to each organic EL element on the substrate S. A circuit forming layer Sa including To and the like is provided.

そして、回路形成層Sa上には、複数の第1電極としての画素電極11をマトリクス状に配置形成している。各画素電極11は、回路形成層Saに形成された駆動トランジスタToのドレイン電極に電気的に接続され、各駆動トランジスタToにて制御された電流(キャリア)が供給されるようになっている。尚、画素電極11は、光反射性を有し、かつ仕事関数の高い導電性材料で構成されている。本実施形態では、画素電極11をクロム(Cr)あるいはアルミニウム(Al)の反射膜の上にインジウム−スズ酸化物(ITO)を形成することで構成している。また、回路形成層Sa上には、有機絶縁層12が形成されている。有機絶縁層12は、画素電極11に対応した位置に開口部Qoが形成されている。そして、各開口部Qoによって画素領域Zが区画形成されている。尚、本実施形態の有機絶縁層12は、ポリイミドで構成されている。   On the circuit formation layer Sa, pixel electrodes 11 as a plurality of first electrodes are arranged and formed in a matrix. Each pixel electrode 11 is electrically connected to the drain electrode of the drive transistor To formed in the circuit formation layer Sa, and is supplied with a current (carrier) controlled by each drive transistor To. The pixel electrode 11 is made of a conductive material having light reflectivity and a high work function. In this embodiment, the pixel electrode 11 is configured by forming indium-tin oxide (ITO) on a chromium (Cr) or aluminum (Al) reflective film. An organic insulating layer 12 is formed on the circuit forming layer Sa. The organic insulating layer 12 has an opening Qo at a position corresponding to the pixel electrode 11. A pixel region Z is defined by each opening Qo. Note that the organic insulating layer 12 of the present embodiment is made of polyimide.

各画素電極11及び開口部Qoの周囲の有機絶縁層12上には機能層13が配置されている。機能層13は、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c及び電子輸送層13dから構成されており、画素電極11側から正孔注入層13a→正孔輸送層13b→発光層13c→電子輸送層13dの順に積層されている。各正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c及び電子輸送層13dは、公知の低分子材料で構成されている。例えば、本実施形態では、正孔注入層13aに銅フタロシアニンを、正孔輸送層13bにトリフェニルジアミン(TPD)を、発光層13cにアルキキノリール鎖体アルミニウム(Alq3)を、電子輸送層13dにオキサジアゾール(BND)を使用している。本実施形態の発光層13cは白色の光を出射するものである。   A functional layer 13 is disposed on the organic insulating layer 12 around each pixel electrode 11 and the opening Qo. The functional layer 13 includes a hole injection layer 13a, a hole transport layer 13b, a light emitting layer 13c, and an electron transport layer 13d. From the pixel electrode 11 side, the hole injection layer 13a → the hole transport layer 13b → the light emitting layer. The layers are stacked in the order of 13c → electron transport layer 13d. Each of the hole injection layer 13a, the hole transport layer 13b, the light emitting layer 13c, and the electron transport layer 13d is made of a known low molecular material. For example, in this embodiment, copper phthalocyanine is used for the hole injection layer 13a, triphenyldiamine (TPD) is used for the hole transport layer 13b, alkynolyl chain aluminum (Alq3) is used for the light emitting layer 13c, and the electron transport layer 13d is used. Oxadiazole (BND) is used. The light emitting layer 13c of this embodiment emits white light.

有機絶縁層12上であって、基板Sの一方向(紙面と直交する方向)に沿って配置された画素電極11列の間には補助電極層14が形成されている。各補助電極層14は、基板Sの一方向(紙面と直交する方向)に沿った細長い線状の配線である。また、各補助電極層14は、図示しないアース端子に接続され接地電位となっている。   An auxiliary electrode layer 14 is formed between the pixel electrode 11 rows arranged on the organic insulating layer 12 along one direction of the substrate S (direction orthogonal to the paper surface). Each auxiliary electrode layer 14 is an elongated linear wiring along one direction of the substrate S (a direction orthogonal to the paper surface). Each auxiliary electrode layer 14 is connected to a ground terminal (not shown) and has a ground potential.

機能層13上の全面には、その一部が補助電極層14と接触するように対向電極15が形成されている。対向電極15は、光透過性を有した導電性材料で構成されている。本実施形態では、対向電極15をインジウム−スズ化合物(ITO)で構成している。尚、補助電極層14は、対向電極15に比べて低抵抗な導電材料で構成され、本実施形態では、アルミニウム(Al)で構成している。この結果、対向電極15上の各位置での電位は均一に接地電位になる。そして、各画素電極11と、対向電極15と、前記画素電極11と前記対向電極15との間に配置された機能層13とで一つの電気光学素子としての有機EL素子16が構成されている。   A counter electrode 15 is formed on the entire surface of the functional layer 13 such that a part thereof is in contact with the auxiliary electrode layer 14. The counter electrode 15 is made of a light-transmitting conductive material. In the present embodiment, the counter electrode 15 is made of an indium-tin compound (ITO). The auxiliary electrode layer 14 is made of a conductive material having a resistance lower than that of the counter electrode 15 and is made of aluminum (Al) in the present embodiment. As a result, the potential at each position on the counter electrode 15 is uniformly the ground potential. Each pixel electrode 11, the counter electrode 15, and the functional layer 13 disposed between the pixel electrode 11 and the counter electrode 15 constitute an organic EL element 16 as one electro-optical element. .

対向電極15上の全面には保護層17が形成されている。保護層17は、光透過性を有した公知の絶縁材料で構成されている。また、保護層17上の全面には、カラーフィルタ18が取り付けられている。カラーフィルタ18は、有機EL素子16にて発せられた白
色の光を赤色の光に変換する赤色変換層18Rと、緑色の光に変換する緑色変換層18Gと、青色の光に変換する青色変換層18Bとを備え、各変換層18R,18G,18Bを各画素領域Zに対応した位置に配置している。
A protective layer 17 is formed on the entire surface of the counter electrode 15. The protective layer 17 is made of a known insulating material having optical transparency. A color filter 18 is attached to the entire surface of the protective layer 17. The color filter 18 includes a red conversion layer 18R that converts white light emitted from the organic EL element 16 into red light, a green conversion layer 18G that converts green light, and blue conversion that converts blue light. The conversion layer 18R, 18G, 18B is disposed at a position corresponding to each pixel region Z.

そして、各有機EL素子16の発光層13cにて発せられた光は、その一部が画素電極11によって対向電極15側に反射されるとともに、対向電極15を透過して基板Sと対向する側、即ち、カラーフィルタ18側へ出射される。このとき、赤色変換層18Rからは赤色の光LRが、緑色変換層18Gからは緑色の光LGが、青色変換層18Bからは青色の光LBが、それぞれ出射される。   A part of the light emitted from the light emitting layer 13c of each organic EL element 16 is reflected by the pixel electrode 11 to the counter electrode 15 side, passes through the counter electrode 15 and faces the substrate S. That is, the light is emitted to the color filter 18 side. At this time, red light LR is emitted from the red conversion layer 18R, green light LG is emitted from the green conversion layer 18G, and blue light LB is emitted from the blue conversion layer 18B.

このように構成された有機ELディスプレイ10は、有機絶縁層12の幅(図1中符号を「W」で示した長さ)が、従来のトップエミッションタイプの有機ELディスプレイに比べて狭いため各有機EL素子16の開口率が高くなっている。   In the organic EL display 10 configured in this manner, the width of the organic insulating layer 12 (the length indicated by the symbol “W” in FIG. 1) is narrower than that of the conventional top emission type organic EL display. The aperture ratio of the organic EL element 16 is high.

次に、前述した有機ELディスプレイ10の製造方法について図2〜図8に従って説明する。
まず、公知の方法によって、基板S上に駆動トランジスタToといった各種電子素子を形成して回路形成層Saを形成する。続いて、その形成した駆動トランジスタToのドレイン電極と電気的接続するように画素電極11を形成する(図2(a)参照)。これは、例えば、回路形成層Sa上の全面に、スパッタリング法によってクロム(Cr)からなる層を形成し、続いて、レジストフォトリソグラフィ工程を施して所定の画素形状に合わせたレジストパターンを形成し、さらにエッチング処理を施すことで所定形状の画素電極11を形成する。
Next, the manufacturing method of the organic EL display 10 mentioned above is demonstrated according to FIGS.
First, a circuit forming layer Sa is formed by forming various electronic elements such as the drive transistor To on the substrate S by a known method. Subsequently, the pixel electrode 11 is formed so as to be electrically connected to the drain electrode of the formed driving transistor To (see FIG. 2A). For example, a layer made of chromium (Cr) is formed on the entire surface of the circuit formation layer Sa by a sputtering method, and then a resist photolithography process is performed to form a resist pattern in accordance with a predetermined pixel shape. Further, the pixel electrode 11 having a predetermined shape is formed by performing an etching process.

続いて、蒸着法によって各画素電極11を覆うように回路形成層Sa上の全面に渡って有機絶縁層を形成し、続いて、画素電極11に対応した位置に透過部を備えたレジストパターン(図示略)を使用して露光・現像を行う(絶縁層形成工程)。この結果、図2(b)に示すように、画素電極11に対応する位置に開口部Qoが形成された有機絶縁層12が形成される。図3は、このようにして形成された有機絶縁層12を備えた基板Sの上面図であって、図2(a),(b)は、図3中A−A断面に対応する。   Subsequently, an organic insulating layer is formed over the entire surface of the circuit forming layer Sa so as to cover each pixel electrode 11 by vapor deposition, and then a resist pattern (including a transmissive portion at a position corresponding to the pixel electrode 11). (Not shown) is used for exposure and development (insulating layer forming step). As a result, as shown in FIG. 2B, the organic insulating layer 12 in which the opening Qo is formed at a position corresponding to the pixel electrode 11 is formed. FIG. 3 is a top view of the substrate S provided with the organic insulating layer 12 formed as described above, and FIGS. 2A and 2B correspond to the AA cross section in FIG.

次に、リソグラフィー法(転写法)を用いて有機絶縁層12上に補助電極層14を形成する(補助電極層形成工程)。これは、まず、図4(a)に示すように、画素電極11及び有機絶縁層12上の全面に渡って、アルミニウム(Al)からなる導電層20を蒸着形成する。続いて、図4(b)に示すように、導電層20上に、基板Sの一方向(紙面と直交する方向)に沿った有機絶縁層12に対応した位置に非透過部21aを備えたレジストパターン21を形成し、露光・現像を行う。さらに、エッチング処理を施して非透過部21a以外の領域に対応して配置された導電層20を除去し、レジストパターン21を取り除く。この結果、図4(c)に示すように、有機絶縁層12上に補助電極層14が形成される。   Next, the auxiliary electrode layer 14 is formed on the organic insulating layer 12 using a lithography method (transfer method) (auxiliary electrode layer forming step). First, as shown in FIG. 4A, a conductive layer 20 made of aluminum (Al) is vapor-deposited over the entire surface of the pixel electrode 11 and the organic insulating layer 12. Subsequently, as shown in FIG. 4B, a non-transmissive portion 21a is provided on the conductive layer 20 at a position corresponding to the organic insulating layer 12 along one direction of the substrate S (direction perpendicular to the paper surface). A resist pattern 21 is formed, and exposure and development are performed. Further, the conductive layer 20 disposed corresponding to the region other than the non-transmissive portion 21a is removed by performing an etching process, and the resist pattern 21 is removed. As a result, the auxiliary electrode layer 14 is formed on the organic insulating layer 12 as shown in FIG.

次に、有機絶縁層12及び補助電極層14上の全面に機能層13を形成する(機能層形成工程)。具体的には、公知の方法と同様にして、図示しない減圧チャンバーを使用して図5(a)に示すように、正孔注入層13aを蒸着形成する。本実施形態では、銅フタロシアニンを、例えば膜厚が600Åとなるまで蒸着することで正孔注入層13aを形成する。その後、同様にして、正孔注入層13a上にトリフェニルジアミン(TPD)からなる正孔輸送層13bを、正孔輸送層13b上にアルキキノリール鎖体アルミニウム(Alq3)からなる発光層13cを、発光層13c上にオキサジアゾールBNDからなる電子輸送層13dを、それぞれ順次蒸着する(図5(b)参照)。図6は、このようにして形成された機能層13及び補助電極層14を備えた基板Sの上面図であって、図5(a),
(b)は、図6中B−B断面に対応する。
Next, the functional layer 13 is formed on the entire surface of the organic insulating layer 12 and the auxiliary electrode layer 14 (functional layer forming step). Specifically, as shown in FIG. 5A, the hole injection layer 13a is formed by vapor deposition using a decompression chamber (not shown) in the same manner as a known method. In the present embodiment, the hole injection layer 13a is formed by evaporating copper phthalocyanine, for example, until the film thickness reaches 600 mm. Thereafter, similarly, a hole transport layer 13b made of triphenyldiamine (TPD) is formed on the hole injection layer 13a, and a light emitting layer 13c made of alkynolyl chain aluminum (Alq3) is formed on the hole transport layer 13b. Then, an electron transport layer 13d made of oxadiazole BND is sequentially deposited on the light emitting layer 13c (see FIG. 5B). FIG. 6 is a top view of the substrate S including the functional layer 13 and the auxiliary electrode layer 14 formed as described above, and FIG.
(B) corresponds to the BB cross section in FIG.

次に、補助電極層14上に形成された機能層13を剥離する(剥離工程)。これは、機能層13を形成する減圧チャンバーと連結された図示しないチャンバー内にて行われる。このチャンバー内には、図7(a)に示す転写部材25が搭載されている。転写部材25は、周囲に機能層13に対して粘着性を有した粘着剤26が付着したローラ27を備え、補助電極層14の長手方向(図7(a)及び図6中X矢印方向)に沿って移動可能となっている。   Next, the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 is peeled off (peeling step). This is performed in a chamber (not shown) connected to a decompression chamber that forms the functional layer 13. A transfer member 25 shown in FIG. 7A is mounted in the chamber. The transfer member 25 includes a roller 27 around which an adhesive 26 having adhesiveness to the functional layer 13 is attached, and the longitudinal direction of the auxiliary electrode layer 14 (the X arrow direction in FIG. 7A and FIG. 6). It is possible to move along.

そして、図7(b),(c)に示すように、前記チャンバー内にてローラ27を機能層13に押し当てながら補助電極層14の長手方向(図7(b)中X矢印方向)に沿って移動させる。すると、補助電極層14上に形成された機能層13にローラ27が接触し、図7(c)に示すように、補助電極層14上に形成された機能層13が補助電極層14上から剥離してローラ27に貼り付く。この結果、図8(a)に示すように、補助電極層14上から機能層13が剥離される。   Then, as shown in FIGS. 7B and 7C, in the longitudinal direction of the auxiliary electrode layer 14 (X arrow direction in FIG. 7B) while pressing the roller 27 against the functional layer 13 in the chamber. Move along. Then, the roller 27 comes into contact with the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14, and the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 is seen from above the auxiliary electrode layer 14 as shown in FIG. Peel off and stick to roller 27. As a result, the functional layer 13 is peeled off from the auxiliary electrode layer 14 as shown in FIG.

続いて、対向電極15を形成する。これは、転写部材25を搭載した前記チャンバーと連結された図示しない蒸着装置にて行われる。そして、補助電極層14上から機能層13が剥離した基板Sを、大気に晒されることなく蒸着装置に搬入する。その蒸着装置にて、図8(b)に示すように、機能層13上の全面に、インジウム−スズ酸化物(ITO)を蒸着することで対向電極15を形成する(電極層形成工程)。このとき、対向電極15は補助電極層14に接触する。その後、公知の方法を用いて、対向電極15上に保護層17を形成した後(図8(c)参照)、別途作成したカラーフィルタ18を貼着する。このようにすることで、有機ELディスプレイ10が製造される。   Subsequently, the counter electrode 15 is formed. This is performed by a vapor deposition apparatus (not shown) connected to the chamber on which the transfer member 25 is mounted. And the board | substrate S from which the functional layer 13 peeled from the auxiliary electrode layer 14 is carried in to a vapor deposition apparatus, without being exposed to air | atmosphere. With the vapor deposition apparatus, as shown in FIG. 8B, the counter electrode 15 is formed by vapor-depositing indium-tin oxide (ITO) on the entire surface of the functional layer 13 (electrode layer forming step). At this time, the counter electrode 15 contacts the auxiliary electrode layer 14. Then, after forming the protective layer 17 on the counter electrode 15 using a well-known method (refer FIG.8 (c)), the color filter 18 produced separately is stuck. In this way, the organic EL display 10 is manufactured.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、有機絶縁層12上に補助電極層14を形成した後、有機絶縁層12及び補助電極層14上の全面に渡って機能層13を形成した。その後、機能層13に対して粘着性を有したローラ27を機能層13上に接触させながら回転させることで補助電極層14上に形成された機能層13を補助電極層14から剥離した。そして、その補助電極層14上に対向電極15を形成した。従って、マスクを使用せずに機能層13を形成したので、従来のように、マスクと基板Sとのアライメントの公差を確保する必要はないことから、有機絶縁層12の幅Wを広くする必要はない。この結果、各有機EL素子16の開口率の低下を抑制することができるので、有機ELディスプレイ10の高寿命化を図ることができる。
(2)本実施形態によれば、有機絶縁層12を形成した後、フォトリソグラフィー法(転写法)を使用して有機絶縁層12上に補助電極層14を形成した。従って、有機絶縁層12の幅Wを狭くすることができる。従って、開口率を高くすることができる。
(3)本実施形態によれば、粘着性を有するローラ27を備えた転写部材25を、補助電極層14上に形成された機能層13に接触させながら回転させることで補助電極層14上に形成された機能層13を補助電極層14上から剥離するようにした。従って、簡単に補助電極層14上に形成された機能層13を剥離することができる。
(4)本実施形態によれば、転写部材25を補助電極層14の長手方向に沿って接触させながら回転させることで、補助電極層14上の機能層13を剥離するようにした。従って、確実に機能層13を剥離することができる。
(5)本実施形態によれば、転写部材25を所定のチャンバー内に配設し、大気に晒すことなく機能層13を補助電極層14上から剥離し、その状態のまま補助電極層14上に対向電極15を形成するようにした。従って、補助電極層14及び機能層13表面上にパーティクル等の不純物が付着することや、補助電極層14及び機能層13の表面が大気によって変質するのを抑制することができる。この結果、補助電極層14と対向電極15との
付着力が良好となるので、対向電極15の電位を確実に均一にすることができる。
(6)本実施形態によれば、機能層13は、発光層13c以外に正孔注入層13a、正孔輸送層13b、電子輸送層13dを有している。従って、各有機EL素子16の発光効率を高くすることができる。この結果、高寿命な有機ELディスプレイ10を提供することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る有機ELディスプレイ10の製造方法について図9に従って説明する。この第2実施形態に係る有機ELディスプレイ10の製造方法では、補助電極層14上に形成された機能層13を剥離するための転写部材の構成が上記第1実施形態に記載したものと異なっている以外は同じである。従って、本実施形態では、上記第1実施形態と同じ点については、その詳細な説明を省略する。
As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to this embodiment, after the auxiliary electrode layer 14 is formed on the organic insulating layer 12, the functional layer 13 is formed over the entire surface on the organic insulating layer 12 and the auxiliary electrode layer 14. Thereafter, the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 was peeled off from the auxiliary electrode layer 14 by rotating a roller 27 having adhesiveness to the functional layer 13 while being in contact with the functional layer 13. Then, the counter electrode 15 was formed on the auxiliary electrode layer 14. Therefore, since the functional layer 13 is formed without using a mask, it is not necessary to ensure the alignment tolerance between the mask and the substrate S as in the prior art, and therefore the width W of the organic insulating layer 12 needs to be widened. There is no. As a result, a decrease in the aperture ratio of each organic EL element 16 can be suppressed, so that the lifetime of the organic EL display 10 can be increased.
(2) According to this embodiment, after forming the organic insulating layer 12, the auxiliary electrode layer 14 was formed on the organic insulating layer 12 using a photolithography method (transfer method). Therefore, the width W of the organic insulating layer 12 can be reduced. Therefore, the aperture ratio can be increased.
(3) According to the present embodiment, the transfer member 25 including the roller 27 having adhesiveness is rotated on the auxiliary electrode layer 14 by rotating the transfer member 25 while being in contact with the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14. The formed functional layer 13 was peeled off from the auxiliary electrode layer 14. Therefore, the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 can be easily peeled off.
(4) According to the present embodiment, the functional layer 13 on the auxiliary electrode layer 14 is peeled off by rotating the transfer member 25 while making contact with the longitudinal direction of the auxiliary electrode layer 14. Therefore, the functional layer 13 can be reliably peeled off.
(5) According to this embodiment, the transfer member 25 is disposed in a predetermined chamber, the functional layer 13 is peeled off from the auxiliary electrode layer 14 without being exposed to the atmosphere, and the auxiliary layer 14 is left in this state. The counter electrode 15 was formed on the substrate. Accordingly, it is possible to prevent impurities such as particles from adhering to the surfaces of the auxiliary electrode layer 14 and the functional layer 13, and to prevent the surfaces of the auxiliary electrode layer 14 and the functional layer 13 from being altered by the atmosphere. As a result, the adhesion between the auxiliary electrode layer 14 and the counter electrode 15 becomes good, so that the potential of the counter electrode 15 can be made uniform uniformly.
(6) According to the present embodiment, the functional layer 13 includes the hole injection layer 13a, the hole transport layer 13b, and the electron transport layer 13d in addition to the light emitting layer 13c. Therefore, the luminous efficiency of each organic EL element 16 can be increased. As a result, a long-life organic EL display 10 can be provided.
(Second Embodiment)
Next, a method for manufacturing the organic EL display 10 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the method of manufacturing the organic EL display 10 according to the second embodiment, the configuration of the transfer member for peeling the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 is different from that described in the first embodiment. It is the same except that it is. Therefore, in the present embodiment, detailed description of the same points as in the first embodiment is omitted.

図9(a)〜(c)は、それぞれ、本実施形態に係る転写部材30を使用して補助電極層14上に形成された機能層13を剥離する方法を説明するための図である。図9(a)に示すように、本実施形態に係る転写部材30は、機能層13に対して粘着性を有した粘着シート31がローラ27によって張設されている。そして、図9(b),(c)に示すように、機能層13上にローラ27を介して粘着シート31を押し当てることで、粘着シート31を機能層13に対して接触させながら補助電極層14の長手方向(図9中X矢印方向)に沿って移動させる。   FIGS. 9A to 9C are views for explaining a method of peeling the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 using the transfer member 30 according to this embodiment. As shown in FIG. 9A, in the transfer member 30 according to this embodiment, an adhesive sheet 31 having adhesiveness with respect to the functional layer 13 is stretched by a roller 27. Then, as shown in FIGS. 9B and 9C, by pressing the adhesive sheet 31 onto the functional layer 13 via the roller 27, the auxiliary electrode is brought into contact with the functional layer 13. It moves along the longitudinal direction of the layer 14 (X arrow direction in FIG. 9).

すると、補助電極層14上に形成された機能層13が粘着シート31に接触し補助電極層14上に形成された機能層13が補助電極層14上から剥離する。このとき、機能層13は補助電極層14の長手方向に沿って剥離するので、機能層13が確実に補助電極層14上から剥離される。   Then, the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 comes into contact with the adhesive sheet 31, and the functional layer 13 formed on the auxiliary electrode layer 14 is peeled off from the auxiliary electrode layer 14. At this time, since the functional layer 13 is peeled along the longitudinal direction of the auxiliary electrode layer 14, the functional layer 13 is surely peeled from the auxiliary electrode layer 14.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、粘着シート31の長さを長くすることで、転写部材30の使用期間が延びるので、上記第1実施形態の転写部材25と比べて、転写部材の交換頻度を少なくすることができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to the present embodiment, the use period of the transfer member 30 is extended by increasing the length of the pressure-sensitive adhesive sheet 31, and therefore the transfer member replacement frequency compared to the transfer member 25 of the first embodiment. Can be reduced.

尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記各実施形態では、転写部材25,30を使用して補助電極層14上の機能層13を剥離するようにしたが、本発明はこれに限定されず、転写部材25,30以外のものを使用して機能層13を剥離するようにしてもよい。例えば、ヘラ状のもので補助電極層14上の機能層13を摺接処理することで補助電極層14上の機能層13を剥離するようにしてもよい。
In addition, embodiment of invention is not limited to the said embodiment, You may implement as follows.
In each of the above-described embodiments, the functional layer 13 on the auxiliary electrode layer 14 is peeled off using the transfer members 25 and 30. However, the present invention is not limited to this, and other than the transfer members 25 and 30. May be used to peel off the functional layer 13. For example, the functional layer 13 on the auxiliary electrode layer 14 may be peeled off by sliding the functional layer 13 on the auxiliary electrode layer 14 with a spatula.

○上記各実施形態では、転写部材25,30を、補助電極層14の長手方向に沿って移動させることで補助電極層14上の機能層13を剥離するようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、転写部材25,30を、補助電極層14の長手方向に対して斜めに沿って移動させることで補助電極層14上の機能層13を剥離するようにしてもよい。このようにすることで、機能層13が補助電極層14上から剥離しやすくなるので、機能層13を確実に剥離させることができる。   In each of the above embodiments, the functional members 13 on the auxiliary electrode layer 14 are peeled off by moving the transfer members 25 and 30 along the longitudinal direction of the auxiliary electrode layer 14. It is not limited. For example, the functional layer 13 on the auxiliary electrode layer 14 may be peeled off by moving the transfer members 25 and 30 obliquely with respect to the longitudinal direction of the auxiliary electrode layer 14. By doing in this way, since the functional layer 13 becomes easy to peel from on the auxiliary electrode layer 14, the functional layer 13 can be peeled reliably.

○上記第1実施形態では、有機EL素子16は、その機能層13を構成する正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c及び電子輸送層13dは、低分子系有機材料で構成されていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、高分子系有機材料で構成されたものであっても適用可能である。   In the first embodiment, the organic EL element 16 includes the hole injection layer 13a, the hole transport layer 13b, the light emitting layer 13c, and the electron transport layer 13d that constitute the functional layer 13 of a low molecular organic material. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied even if it is composed of a polymer organic material.

○上記第1実施形態では、電気光学素子として有機EL素子16に適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、発光ダイオード(LED)といった他の態様の電気光学素子であってもよい。   In the first embodiment, the electro-optical element is applied to the organic EL element 16, but the present invention is not limited to this. For example, the electro-optical element may be an electro-optical element of another aspect such as a light emitting diode (LED). May be.

○上記第1実施形態では、画素電極11を形成した後に補助電極層14を形成し、その後、画素電極11上に機能層13を形成したが、画素電極11を形成した後、酸素プラズマ処理を施して画素電極11の表面改質を行うようにしてもよい。このようにすることにより、画素電極11と機能層13との接触を良好にすることができるので、画素電極11から機能層13へのキャリア注入の効率を向上させることができる。   In the first embodiment, the auxiliary electrode layer 14 is formed after the pixel electrode 11 is formed, and then the functional layer 13 is formed on the pixel electrode 11. However, after the pixel electrode 11 is formed, oxygen plasma treatment is performed. The surface modification of the pixel electrode 11 may be performed. By doing so, the contact between the pixel electrode 11 and the functional layer 13 can be improved, so that the efficiency of carrier injection from the pixel electrode 11 to the functional layer 13 can be improved.

本発明の電気光学装置の製造方法によって製造された有機ELディスプレイの概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL display manufactured by a method for manufacturing an electro-optical device of the present invention. (a),(b)は、それぞれ、本実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明するための図。(A), (b) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on this embodiment, respectively. 同じく、本実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, the figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on this embodiment. 同じく、(a),(b),(c)は、それぞれ本実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a), (b), and (c) are diagrams for explaining a method of manufacturing an organic EL display according to the present embodiment. 同じく、(a),(b)は、それぞれ本実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a), (b) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on this embodiment, respectively. 同じく、本実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, the figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on this embodiment. 同じく、(a),(b),(c)は、それぞれ機能層の剥離方法を説明するための図。Similarly, (a), (b), and (c) are diagrams for explaining a method of peeling a functional layer, respectively. 同じく、(a),(b),(c)は、それぞれ本実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a), (b), and (c) are diagrams for explaining a method of manufacturing an organic EL display according to the present embodiment. (a),(b),(c)は、それぞれ第2実施形態に係る機能層の剥離方法を説明するための図。(A), (b), (c) is a figure for demonstrating the peeling method of the functional layer which concerns on 2nd Embodiment, respectively.

符号の説明Explanation of symbols

Q…開口部、S…基板、11…第1電極層としての画素電極、12…絶縁層としての有機絶縁層、13c…発光層、13…機能層、14…補助電極層、15…第2電極層としての対向電極、16…電気光学素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、25,30…転写部材、31…シート。   Q ... opening, S ... substrate, 11 ... pixel electrode as first electrode layer, 12 ... organic insulating layer as insulating layer, 13c ... light emitting layer, 13 ... functional layer, 14 ... auxiliary electrode layer, 15 ... second Counter electrode as electrode layer, 16... Organic electroluminescence element as electro-optical element, 25, 30... Transfer member, 31.

Claims (5)

基板上に、第1電極層と、第2電極層と、前記第1電極層と前記第2電極層との間に配置される少なくとも発光層とを含む機能層とから構成された電気光学素子を複数備え、前記発光層にて発せられた光を、前記第2電極層を透過して前記基板と対向する側から出射する電気光学装置の製造方法において、
前記基板上に、前記第1電極層に対応する位置に開口部を備えた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記第2電極層と電気的に接続する補助電極層を形成する補助電極層形成工程と、
前記絶縁層及び前記補助電極層上に前記機能層を形成する機能層形成工程と、
前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離する剥離工程と、
前記補助電極層上に前記第2電極層を形成する電極層形成工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
An electro-optic element comprising a functional layer including a first electrode layer, a second electrode layer, and at least a light emitting layer disposed between the first electrode layer and the second electrode layer on a substrate. In the method of manufacturing an electro-optical device that emits light emitted from the light emitting layer from the side facing the substrate through the second electrode layer,
Forming an insulating layer having an opening at a position corresponding to the first electrode layer on the substrate; and
An auxiliary electrode layer forming step of forming an auxiliary electrode layer electrically connected to the second electrode layer on the insulating layer;
A functional layer forming step of forming the functional layer on the insulating layer and the auxiliary electrode layer;
A peeling step of peeling the functional layer formed on the auxiliary electrode layer from the auxiliary electrode layer;
An electro-optical device manufacturing method comprising: an electrode layer forming step of forming the second electrode layer on the auxiliary electrode layer.
請求項1に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記補助電極層形成工程は、転写法によって行われるようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
The method of manufacturing the electro-optical device according to claim 1,
The method of manufacturing an electro-optical device, wherein the auxiliary electrode layer forming step is performed by a transfer method.
請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記剥離工程は、粘着性を有するローラ状の転写部材を、前記絶縁層及び前記補助電極層上の全面に形成された前記機能層に接触させながら回転させることで前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1 or 2,
The peeling step is formed on the auxiliary electrode layer by rotating an adhesive roller-shaped transfer member in contact with the functional layer formed on the entire surface of the insulating layer and the auxiliary electrode layer. The method for producing an electro-optical device is characterized by peeling the functional layer from the auxiliary electrode layer.
請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記剥離工程は、粘着性を有するシートをローラ状の転写部材によって前記絶縁層及び前記補助電極層上の全面に形成された前記機能層に接触させながら回転させることで前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1 or 2,
The peeling step is formed on the auxiliary electrode layer by rotating an adhesive sheet while making contact with the functional layer formed on the entire surface of the insulating layer and the auxiliary electrode layer by a roller-shaped transfer member. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising peeling off the functional layer formed from the auxiliary electrode layer.
請求項3または4に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記転写部材を前記補助電極層の長手方向に沿って接触させながら回転させることで前記補助電極層上に形成された前記機能層を前記補助電極層上から剥離することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 3 or 4,
An electro-optical device characterized in that the functional layer formed on the auxiliary electrode layer is peeled off from the auxiliary electrode layer by rotating the transfer member in contact with the auxiliary electrode layer in the longitudinal direction. Manufacturing method.
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