JP2001043972A - Manufacture of luminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子の製造方
法に関する。特に、微細なパターンで電極を形成するこ
とが可能な発光素子の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a light-emitting element capable of forming electrodes in a fine pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表示素子（装置）等に用いられている発
光素子には、例えば単純マトリックス構造の有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子がある。このような
有機ＥＬ素子は、例えばガラス基板上に形成された透明
な前面電極と、光を反射する背面電極と、発光層とキャ
リア輸送層とから構成される有機層と、から構成されて
いる。有機層は、前面電極と背面電極との間に形成さ
れ、印加される電圧に応じて発光する。2. Description of the Related Art Light emitting elements used in display elements (devices) and the like include, for example, organic ELs having a simple matrix structure.
(Electroluminescence) elements. Such an organic EL element is composed of, for example, a transparent front electrode formed on a glass substrate, a back electrode that reflects light, and an organic layer composed of a light emitting layer and a carrier transport layer. . The organic layer is formed between the front electrode and the back electrode, and emits light according to the applied voltage.
【０００３】以上のような発光素子の背面電極は、真空
蒸着等によって形成される。具体的には、背面電極を形
成する部分に対応する開口部を形成されたメタルマスク
を基板に接触させて真空蒸着し、背面電極を形成する。
以上のような真空蒸着で背面電極を微細に形成するため
には、メタルマスクの開口部を微細に加工しなければな
らない。しかし、メタルマスクに微細な開口部を形成す
ると、メタルマスクの強度が低下するため、背面電極の
間隔を０．１ｍｍよりも狭くすることが困難であった。[0003] The back electrode of the light emitting element as described above is formed by vacuum evaporation or the like. Specifically, a metal mask having an opening corresponding to a portion where a back electrode is to be formed is brought into contact with a substrate and vacuum-deposited to form a back electrode.
In order to form the back electrode finely by the vacuum deposition as described above, the opening of the metal mask must be finely processed. However, when a fine opening is formed in the metal mask, the strength of the metal mask is reduced, so that it is difficult to make the interval between the back electrodes narrower than 0.1 mm.
【０００４】以上のような問題を解決するために、いわ
ゆる逆テーパレジストを用いる製造方法がある。図４
（ａ）は、上記逆テーパレジストを形成した状態の平面
図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ’断面の
一部を示す図である。複数の前面電極１２０は、真空蒸
着やフォトリソグラフィー等によって、図４（ａ）に示
すように、ガラス基板１１０上に所定間隔で平行に形成
される。[0004] In order to solve the above problems, there is a manufacturing method using a so-called reverse tapered resist. FIG.
FIG. 4A is a plan view showing a state in which the reverse tapered resist is formed, and FIG. 4B is a view showing a part of a cross section taken along the line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 4A, the plurality of front electrodes 120 are formed in parallel on the glass substrate 110 at predetermined intervals by vacuum deposition, photolithography, or the like.
【０００５】逆テーパレジスト１３０は、背面電極が形
成される領域（背面電極形成予定領域）１４０の間に形
成される。なお、背面電極形成予定領域１４０は、前面
電極１２０に直交する方向に所定間隔で複数存在し、図
４（ａ）中の点線で囲った領域である。以上のような逆
テーパレジスト１３０を形成した後、真空蒸着等によっ
て、図５に示すように、有機層１５０及び背面電極１６
０を形成する。この際、逆テーパレジスト１３０によっ
て、有機層１５０及び背面電極１６０が、複数の領域に
分断される。[0005] The reverse taper resist 130 is formed between regions (regions where a back electrode is to be formed) 140 where a back electrode is to be formed. A plurality of back electrode formation regions 140 exist at predetermined intervals in a direction orthogonal to front electrode 120 and are regions surrounded by a dotted line in FIG. After the above-described reverse tapered resist 130 is formed, the organic layer 150 and the back electrode 16 are formed as shown in FIG.
0 is formed. At this time, the organic layer 150 and the back electrode 160 are divided into a plurality of regions by the reverse taper resist 130.
【０００６】上記逆テーパレジスト１３０は、フォトリ
ソグラフィーなどによって微細に加工することができ
る。このため、逆テーパレジスト１３０を用いた製造方
法では、メタルマスクを用いることなく、微細なパター
ンで発光層１５０及び背面電極１６０を形成することが
できる。しかし、逆テーパレジスト１３０を用いる製造
方法では、例えば有機層１５０の幅が狭く形成されてし
まった場合、図６に示すように、有機層１５０と逆テー
パレジスト１３０との間の隙間に背面電極１６０が形成
されてしまう場合がある。このように背面電極１６０が
形成されると、背面電極１６０と前面電極１２０とがシ
ョートしてしまうという問題がある。The above reverse tapered resist 130 can be finely processed by photolithography or the like. Therefore, in the manufacturing method using the inverse tapered resist 130, the light emitting layer 150 and the back electrode 160 can be formed in a fine pattern without using a metal mask. However, in the manufacturing method using the reverse tapered resist 130, for example, when the width of the organic layer 150 is formed to be narrow, as shown in FIG. 160 may be formed. When the back electrode 160 is thus formed, there is a problem that the back electrode 160 and the front electrode 120 are short-circuited.
【０００７】以上のようなショートを防止するために、
例えば図７に示すように、前面電極１２０と逆テーパレ
ジスト１３０との間に、逆テーパレジスト１３０の幅よ
りも広い層間絶縁膜１７０を形成する方法がある。これ
によって、背面電極１６０が有機層１５０と逆テーパレ
ジスト１３０との間にはみ出しても、前面電極１２０と
背面電極１６０とがショートしないようにしている。In order to prevent the above short circuit,
For example, as shown in FIG. 7, there is a method of forming an interlayer insulating film 170 between the front electrode 120 and the reverse tapered resist 130, which is wider than the width of the reverse tapered resist 130. Thereby, even if the back electrode 160 protrudes between the organic layer 150 and the reverse tapered resist 130, the front electrode 120 and the back electrode 160 are not short-circuited.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、層間絶縁膜１
７０を形成する上記製造方法では、図７に示したよう
に、逆テーパレジスト１３０の幅よりも広く層間絶縁膜
１７０を形成しなければならない。具体的には、前面電
極１２０と背面電極１６０とのショートを防止するため
に、層間絶縁膜１７０の形成領域と有機層１５０の形成
領域とが重なるようにしなければならない。However, the interlayer insulating film 1
In the above-described manufacturing method for forming 70, the interlayer insulating film 170 must be formed wider than the width of the reverse tapered resist 130, as shown in FIG. Specifically, in order to prevent a short circuit between the front electrode 120 and the rear electrode 160, the region where the interlayer insulating film 170 is formed and the region where the organic layer 150 is formed must overlap.
【０００９】一方、層間絶縁膜１７０の形成領域が広が
りすぎると、有機層１５０と前面電極１２０との接触面
が小さくなり、画素開口率が低下するおそれがある。以
上のことから、層間絶縁膜１７０を精度よく形成しなけ
ればならず、発光素子の製造工程が複雑になってしまう
場合があるという問題がある。従って、本発明は、簡単
な方法で電極を微細に形成することが可能な発光素子の
製造方法を提供することを目的とする。On the other hand, if the formation region of the interlayer insulating film 170 is too wide, the contact surface between the organic layer 150 and the front electrode 120 becomes small, and the pixel aperture ratio may be reduced. From the above, there is a problem that the interlayer insulating film 170 must be formed with high accuracy, and the manufacturing process of the light emitting element may be complicated. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light-emitting element in which an electrode can be finely formed by a simple method.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の発光素子の製造方法は、基板上に、所定間
隔で互いに平行となるように複数の第１電極を形成する
第１電極形成工程と、前記基板及び前記第１電極上に所
定間隔で複数のレジストを形成するレジスト形成工程
と、前記第１電極及び前記レジスト上に、電圧を印加さ
れることによって発光する発光層を形成する発光層形成
工程と、前記発光層上に導電膜を形成する導電膜形成工
程と、前記レジストの上部に形成された前記導電膜を除
去することによって、所定間隔で互いに平行な複数の第
２電極を形成する除去工程と、を備えることを特徴とす
る。この発明によれば、レジスト上に発光層及び導電膜
を形成している。このため、レジストの上部に形成され
た導電膜を、他の領域に形成された導電膜を傷つけるこ
となく簡単に除去することができる。即ち、レジストを
微細なパターンで形成すれば、簡単に第２電極を微細に
形成することができる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention comprises a first method of forming a plurality of first electrodes on a substrate at predetermined intervals so as to be parallel to each other. An electrode forming step, a resist forming step of forming a plurality of resists at predetermined intervals on the substrate and the first electrode, and a light emitting layer that emits light when a voltage is applied to the first electrode and the resist. Forming a light-emitting layer to be formed, forming a conductive film on the light-emitting layer, and removing the conductive film formed on the resist to form a plurality of parallel light-emitting layers at predetermined intervals. And a removing step of forming two electrodes. According to the invention, the light emitting layer and the conductive film are formed on the resist. Therefore, the conductive film formed on the resist can be easily removed without damaging the conductive films formed in other regions. That is, if the resist is formed in a fine pattern, the second electrode can be easily formed finely.
【００１１】前記除去工程は、粘着性を有するシートを
前記導電膜に接着させて、前記レジストの上部に形成さ
れた該導電膜を剥離して除去する工程を備えてもよい。
前記レジスト形成工程は、前記除去工程で、実質的に前
記レジストの上部に形成された前記導電膜にのみ前記シ
ートを接着させるために、該シートの柔軟性に応じた厚
さの前記レジストを形成する工程を備えてもよい。[0011] The removing step may include a step of adhering an adhesive sheet to the conductive film and peeling and removing the conductive film formed on the resist.
In the resist forming step, in the removing step, in order to adhere the sheet substantially only to the conductive film formed on the resist, the resist having a thickness corresponding to the flexibility of the sheet is formed. May be provided.
【００１２】前記発光層形成工程は、前記発光層を有機
材料から形成する工程を備え、前記導電膜形成工程は、
前記導電膜を金属から形成する工程を備えてもよい。前
記導電膜形成工程は、前記レジストの側面での厚さが他
の部分での厚さよりも薄くなるように、前記導電膜を形
成する工程を備えてもよい。前記レジスト形成工程は、
前記レジストの前記第１電極側の幅が、対向する側の幅
以下となるように、該レジストを形成する工程を備えて
もよい。[0012] The light emitting layer forming step includes a step of forming the light emitting layer from an organic material.
The method may further include a step of forming the conductive film from a metal. The conductive film forming step may include a step of forming the conductive film such that a thickness of the resist on a side surface is smaller than a thickness of another portion. The resist forming step,
The method may further include a step of forming the resist such that a width of the resist on the first electrode side is equal to or smaller than a width of the opposite side.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態にかか
る発光素子の製造方法について図面を参照して説明す
る。この製造方法によって製造される発光素子は、例え
ば図１に示すように構成されている。なお、図１（ａ）
は、発光素子を基板に垂直な方向から見た平面図であ
り、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面の一部を
示す図である。発光素子は、図１に示すように、ガラス
基板１と、前面電極２と、隔壁レジスト３と、有機層４
と、背面電極５と、から構成されている。Next, a method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The light emitting device manufactured by this manufacturing method is configured, for example, as shown in FIG. FIG. 1 (a)
FIG. 1 is a plan view of a light emitting element viewed from a direction perpendicular to a substrate, and FIG. 1B is a diagram illustrating a part of a cross section taken along the line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 1, the light emitting element includes a glass substrate 1, a front electrode 2, a partition resist 3, an organic layer 4
And a back electrode 5.
【００１４】前面電極２は、所定間隔で平行となるよう
に、ガラス基板１上に複数形成されている。また、前面
電極２は、光学的に透明な電極であり、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）等から形成されている。隔壁レジ
スト３は、フォトレジスト等の絶縁材料から形成され、
ガラス基板１及び前面電極２上の所定領域、例えば所定
間隔で形成される背面電極５の間の領域に形成されてい
る。A plurality of front electrodes 2 are formed on the glass substrate 1 so as to be parallel at predetermined intervals. The front electrode 2 is an optically transparent electrode, for example, ITO
(Indium Tin Oxide) or the like. The partition resist 3 is formed from an insulating material such as a photoresist,
It is formed in a predetermined region on the glass substrate 1 and the front electrode 2, for example, in a region between the back electrodes 5 formed at predetermined intervals.
【００１５】有機層４は、ガラス基板１、前面電極２、
及び、隔壁レジスト３を覆うように形成されている。ま
た、有機層４は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）剤から形成され、印加される電圧に応じて発光
する。背面電極５は、有機層４上の、隔壁レジスト３の
形成領域を除いた領域に形成されている。また、背面電
極５は、例えばＡｌ（アルミニウム）等から形成され、
光を反射する。The organic layer 4 comprises a glass substrate 1, a front electrode 2,
And, it is formed so as to cover the partition resist 3. The organic layer 4 is formed of, for example, an organic EL (electroluminescence) agent, and emits light according to an applied voltage. The back electrode 5 is formed on the organic layer 4 in a region excluding the region where the partition resist 3 is formed. The back electrode 5 is formed of, for example, Al (aluminum) or the like,
Reflects light.
【００１６】次に、以上のような構成の発光素子の製造
方法について説明する。図２は、上記製造方法による発
光素子の各製造工程を示す図である。始めに、真空蒸着
やフォトリソグラフィー等によって、図２（ａ）に示す
ように、ガラス基板１上の所定領域に前面電極２を形成
する。Next, a method of manufacturing the light emitting device having the above-described configuration will be described. FIG. 2 is a diagram showing each manufacturing process of the light emitting device according to the above manufacturing method. First, as shown in FIG. 2A, a front electrode 2 is formed in a predetermined region on a glass substrate 1 by vacuum evaporation, photolithography, or the like.
【００１７】次に、フォトリソグラフィーや印刷法等に
よって、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１及び前
面電極２上の所定領域に隔壁レジスト３を形成する。具
体的には、隔壁レジスト３と前面電極２とが互いに直交
し、隔壁レジスト３が所定間隔で複数形成されるよう
に、隔壁レジスト３を形成する。この際、隔壁レジスト
３の側面とガラス基板１又は前面電極２の表面とのなす
角がほぼ直角となるようにする。また、隔壁レジスト３
を後述するように所定値以上の厚さに形成する。Next, as shown in FIG. 2B, a partition resist 3 is formed in a predetermined region on the glass substrate 1 and the front electrode 2 by photolithography or printing. Specifically, the barrier rib resist 3 is formed such that the barrier rib resist 3 and the front electrode 2 are orthogonal to each other, and a plurality of barrier rib resists 3 are formed at predetermined intervals. At this time, the angle between the side surface of the partition wall resist 3 and the surface of the glass substrate 1 or the front electrode 2 is set to be substantially a right angle. In addition, partition resist 3
Is formed to a thickness equal to or greater than a predetermined value as described later.
【００１８】隔壁レジスト３を形成した後、真空蒸着等
によって、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板１、前
面電極２、及び、隔壁レジスト３上に有機層４を形成す
る。このとき、有機層４は連続して成膜されていてもよ
い。続いて、真空蒸着等によって、図２（ｃ）に示すよ
うに、有機層４上に連続した導電膜５ａを形成する。こ
の際、導電膜５ａはガラス基板１の表面に垂直な方向に
成長するため、隔壁レジスト３の側面部に形成された導
電膜５ａは、他の部分よりも薄く形成される。After the partition resist 3 is formed, an organic layer 4 is formed on the glass substrate 1, the front electrode 2, and the partition resist 3 by vacuum deposition or the like, as shown in FIG. At this time, the organic layer 4 may be continuously formed. Subsequently, as shown in FIG. 2C, a continuous conductive film 5a is formed on the organic layer 4 by vacuum deposition or the like. At this time, since the conductive film 5a grows in a direction perpendicular to the surface of the glass substrate 1, the conductive film 5a formed on the side surface of the partition wall resist 3 is formed thinner than other portions.
【００１９】その後、隔壁レジスト３の上部に形成され
た導電膜５ａを除去するために、片面に粘着剤６を有す
る転写シート７を導電膜５ａ上に張り付ける。そして、
転写シート７を剥がすことによって、図２（ｄ）に示す
ように、隔壁レジスト３の上部に形成された導電膜５ａ
を剥離して、背面電極５を形成する。Thereafter, in order to remove the conductive film 5a formed on the partition resist 3, a transfer sheet 7 having an adhesive 6 on one surface is adhered on the conductive film 5a. And
By peeling the transfer sheet 7, as shown in FIG. 2D, the conductive film 5a formed on the partition resist 3 is formed.
Is peeled off to form the back electrode 5.
【００２０】以上のようにして導電膜５ａを除去する際
に、隔壁レジスト３が薄いと、隔壁レジスト３間に形成
された導電膜５ａに粘着剤６が張り付いてしまう場合が
ある。これによって、隔壁レジスト３間に形成された導
電膜５ａも除去されてしまい、背面電極５の形成パター
ンが不均一になってしまう場合がある。このような事態
を避けるために、上記したように隔壁レジスト３を所定
値以上の厚さに形成している。具体的には、隔壁レジス
ト３の厚さは、粘着剤６や転写シート７の柔軟性等に応
じて決定される。例えば、粘着剤６を有する転写シート
７として常温時に粘着性を有する汎用のテープを用いる
場合は、隔壁レジスト３を少なくとも１μｍ以上の厚さ
に形成する。これによって、隔壁レジスト３上部の導電
膜５ａにのみ粘着剤６が接着する。When the conductive film 5a is removed as described above, if the barrier rib resist 3 is thin, the adhesive 6 may adhere to the conductive film 5a formed between the barrier rib resists 3 in some cases. As a result, the conductive film 5a formed between the partition resists 3 may also be removed, and the formation pattern of the back electrode 5 may become non-uniform. In order to avoid such a situation, the barrier rib resist 3 is formed to a thickness equal to or more than a predetermined value as described above. Specifically, the thickness of the partition resist 3 is determined according to the flexibility of the adhesive 6 and the transfer sheet 7. For example, when a general-purpose tape having adhesiveness at normal temperature is used as the transfer sheet 7 having the adhesive 6, the partition wall resist 3 is formed to have a thickness of at least 1 μm or more. Thus, the adhesive 6 is adhered only to the conductive film 5a on the partition resist 3.
【００２１】また、有機層４と金属膜である導電膜５ａ
との密着性は弱く、上記したように、隔壁レジスト３の
側面部に形成された導電膜５ａは、他の部分よりも薄く
形成されている。このため、転写シート７を剥がすこと
によって、導電膜５ａは、隔壁レジスト３上部のエッジ
部又は隔壁レジスト３の側面部で破断して剥離される。
これによって、図２（ｅ）に示すように、蒸着によって
形成された１枚の導電膜５ａが、所定間隔で並んだ複数
の背面電極５に分離される。Further, the organic layer 4 and the conductive film 5a which is a metal film
As described above, the conductive film 5a formed on the side surface of the partition wall resist 3 is formed thinner than other portions. Therefore, by peeling the transfer sheet 7, the conductive film 5 a is broken and peeled at an edge portion above the partition wall resist 3 or a side surface portion of the partition wall resist 3.
Thus, as shown in FIG. 2E, one conductive film 5a formed by vapor deposition is separated into a plurality of back electrodes 5 arranged at a predetermined interval.
【００２２】以上のようにして、所定間隔で並んだ背面
電極５を形成することができ、図１に示した発光素子を
形成することができる。また、フォトリソグラフィー等
によって、隔壁レジスト３を微細なパターンで簡単に形
成することができるので、背面電極５も以上に示したよ
うにして簡単に微細に形成することができる。As described above, the back electrodes 5 arranged at predetermined intervals can be formed, and the light emitting device shown in FIG. 1 can be formed. Further, since the partition wall resist 3 can be easily formed in a fine pattern by photolithography or the like, the back electrode 5 can also be easily formed finely as described above.
【００２３】また、隔壁レジスト３上の全面に有機層４
を形成しているため、前面電極２と背面電極５との接触
を防止するための絶縁膜等を形成する必要がない。即
ち、従来と同様に背面電極５を微細に形成できるだけで
なく、さらに前面電極２と背面電極５との接触を確実に
防止できるため、発光素子の高い動作信頼性を簡単に実
現することができる。さらに、転写シート７を導電膜５
ａに張り付けて剥がすだけで背面電極５を形成できるた
め、製造工程が簡単であり、発光素子の高い生産性を実
現することができる。An organic layer 4 is formed on the entire surface of the partition resist 3.
Is formed, it is not necessary to form an insulating film or the like for preventing contact between the front electrode 2 and the back electrode 5. That is, not only can the back electrode 5 be finely formed as in the related art, but also the contact between the front electrode 2 and the back electrode 5 can be reliably prevented, so that high operation reliability of the light emitting element can be easily realized. . Further, the transfer sheet 7 is
Since the back electrode 5 can be formed only by sticking to and peeling off a, the manufacturing process is simple, and high productivity of the light emitting element can be realized.
【００２４】なお、以上に示した隔壁レジスト３の断面
形状は上記したような四角形でなくてもよい。例えば、
図３（ａ）に示すように、断面が逆テーパ状の隔壁レジ
スト３を形成してもよい。具体的には、隔壁レジスト３
の断面形状が、前面電極２側で狭く、粘着剤６が接着す
る側で広くなるように隔壁レジスト３を形成してもよ
い。このようにすると、導電膜５ａを転写シート７で剥
離する際、導電膜５ａは隔壁レジスト３の側面部で破断
しにくくなる。即ち、導電膜５ａは、図３（ｂ）に示す
ように、隔壁レジスト３上部のエッジ部で破断する。こ
のため、背面電極５の形成間隔を高い精度で制御するこ
とができる。The cross-sectional shape of the partition resist 3 described above does not have to be a square as described above. For example,
As shown in FIG. 3A, a partition resist 3 having a reverse tapered cross section may be formed. Specifically, the barrier rib resist 3
May be formed such that the cross-sectional shape is narrower on the front electrode 2 side and wider on the side to which the adhesive 6 is adhered. In this way, when the conductive film 5a is peeled off by the transfer sheet 7, the conductive film 5a is less likely to be broken at the side surface of the partition resist 3. That is, as shown in FIG. 3B, the conductive film 5a breaks at the edge on the upper part of the barrier rib resist 3. For this reason, the formation interval of the back electrode 5 can be controlled with high accuracy.
【００２５】なお、以上に示した粘着剤６を有する転写
シート７は、加熱時に粘着性を有する熱転写シートでも
よい。また、隔壁レジスト３上部の導電膜５ａを除去す
るために、片面に研磨剤が付着したシート等を用い、隔
壁レジスト３上部の導電膜５ａを研磨除去してもよい。
なお、この場合も上記と同様に、隔壁レジスト３間に形
成された導電膜５ａを傷つけないために、シートの柔軟
性等に応じて、隔壁レジスト３の厚さを設定する。The transfer sheet 7 having the pressure-sensitive adhesive 6 described above may be a heat transfer sheet having tackiness when heated. Further, in order to remove the conductive film 5a on the partition resist 3, the conductive film 5a on the partition resist 3 may be polished and removed by using a sheet or the like having an abrasive attached to one surface.
In this case, as in the above case, the thickness of the partition wall resist 3 is set according to the flexibility of the sheet or the like so as not to damage the conductive film 5a formed between the partition wall resists 3.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によって、レジストを微細に形成すれば、高い精度で微
細な電極を形成することができる。また、粘着性を有す
るシートを用いることによって、レジストの上部に形成
された導電膜を簡単に除去することができる。従って、
高い精度で微細な電極を簡単に形成することができる。As is clear from the above description, if the resist is finely formed according to the present invention, a fine electrode can be formed with high precision. In addition, by using an adhesive sheet, the conductive film formed over the resist can be easily removed. Therefore,
Fine electrodes can be easily formed with high accuracy.
【図１】本発明の実施の形態にかかる製造方法によって
製造される発光素子の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a light emitting device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した発光素子の各製造工程を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing each manufacturing process of the light emitting device shown in FIG.
【図３】本発明の実施の形態にかかる製造方法で形成さ
れる隔壁レジストの他の形状を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another shape of the partition wall resist formed by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
【図４】従来の発光素子の製造方法で、逆テーパレジス
トを形成した後の、発光素子の構成を示す図である。FIG. 4 is a view showing a configuration of a light emitting device after a reverse tapered resist is formed by a conventional method for manufacturing a light emitting device.
【図５】図４に示した逆テーパレジストを用い、従来の
方法で形成された電極の状態を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a state of an electrode formed by a conventional method using the reverse tapered resist shown in FIG.
【図６】有機層と逆テーパレジストとの間の領域に電極
が形成された状態を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where an electrode is formed in a region between an organic layer and a reverse tapered resist.
【図７】図６に示した問題を解決する方法で形成された
発光素子の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a light emitting device formed by a method for solving the problem shown in FIG.
１・・・ガラス基板、２・・・前面電極、３・・・隔壁レジス
ト、４・・・有機層、５・・・背面電極、５ａ・・・導電膜、６・
・・粘着剤、７・・・転写シートDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... Front electrode, 3 ... Partition resist, 4 ... Organic layer, 5 ... Back electrode, 5a ... Conductive film, 6 ...
..Adhesives, 7 Transfer sheets
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０１Ｌ 29/44 Ｂ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/22 H01L 29/44 B
Claims (6)
うに複数の第１電極を形成する第１電極形成工程と、 前記基板及び前記第１電極上に所定間隔で複数のレジス
トを形成するレジスト形成工程と、 前記第１電極及び前記レジスト上に、電圧を印加される
ことによって発光する発光層を形成する発光層形成工程
と、 前記発光層上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、 前記レジストの上部に形成された前記導電膜を除去する
ことによって、所定間隔で互いに平行な複数の第２電極
を形成する除去工程と、 を備えることを特徴とする発光素子の製造方法。A first electrode forming step of forming a plurality of first electrodes on a substrate so as to be parallel to each other at predetermined intervals; and forming a plurality of resists at predetermined intervals on the substrate and the first electrodes. Forming a light emitting layer that emits light by applying a voltage on the first electrode and the resist, and forming a conductive film on the light emitting layer And a removing step of forming a plurality of second electrodes parallel to each other at predetermined intervals by removing the conductive film formed on the resist.
前記導電膜に接着させて、前記レジストの上部に形成さ
れた該導電膜を剥離して除去する工程を備える、ことを
特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the removing step includes a step of adhering an adhesive sheet to the conductive film, and peeling and removing the conductive film formed on the resist. A method for manufacturing the light emitting device according to claim 1.
で、実質的に前記レジストの上部に形成された前記導電
膜にのみ前記シートを接着させるために、該シートの柔
軟性に応じた厚さの前記レジストを形成する工程を備え
る、ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子の製造
方法。3. The method according to claim 1, wherein the step of forming the resist includes the step of: bonding the sheet substantially only to the conductive film formed on the resist in the removing step. 3. The method according to claim 2, further comprising the step of forming the resist.
材料から形成する工程を備え、 前記導電膜形成工程は、前記導電膜を金属から形成する
工程を備える、 ことを特徴とする請求項２又は３に記載の発光素子の製
造方法。4. The method according to claim 1, wherein the light emitting layer forming step includes a step of forming the light emitting layer from an organic material, and the conductive film forming step includes a step of forming the conductive film from a metal. Item 4. The method for manufacturing a light emitting device according to item 2 or 3.
面での厚さが他の部分での厚さよりも薄くなるように、
前記導電膜を形成する工程を備える、ことを特徴とする
請求項４に記載の発光素子の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the step of forming the conductive film is performed such that a thickness of the side surface of the resist is smaller than a thickness of another portion.
The method according to claim 4, further comprising a step of forming the conductive film.
前記第１電極側の幅が、対向する側の幅以下となるよう
に、該レジストを形成する工程を備える、ことを特徴と
する請求項４又は５に記載の発光素子の製造方法。6. The resist forming step includes forming the resist such that the width of the resist on the first electrode side is equal to or less than the width of the opposite side. 6. The method for manufacturing a light emitting device according to 4 or 5.
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|---|---|---|---|
| JP21391399A JP4423710B2 (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Method for manufacturing light emitting device |
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|---|---|
| JP2001043972A true JP2001043972A (en) | 2001-02-16 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214000A (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing electrochemical device |
| JP2009230956A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent display device |
-
1999
- 1999-07-28 JP JP21391399A patent/JP4423710B2/en not_active Expired - Lifetime
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