JP2002352963A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2002352963A
JP2002352963A JP2001153327A JP2001153327A JP2002352963A JP 2002352963 A JP2002352963 A JP 2002352963A JP 2001153327 A JP2001153327 A JP 2001153327A JP 2001153327 A JP2001153327 A JP 2001153327A JP 2002352963 A JP2002352963 A JP 2002352963A
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JP
Japan
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light
electrode
display device
layer
film
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Application number
JP2001153327A
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Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Hirano
Yuichi Iwase
祐一 岩瀬
貴之 平野
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5281Arrangements for contrast improvement, e.g. preventing reflection of ambient light

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a display device which has proper contrast by preventing outdoor daylight reflection by auxiliary wiring, in the display device prepared by auxiliary wiring between light-emitting elements. SOLUTION: The display device is constituted with the light-emitting element 13 arranged on a substrate 1, in a state of an organic EL layer 11 being equipped with an organic light-emitting layer is sandwiched between a 1st electrode 7, and a 2nd electrode 12, which consists of a light-transmitting material, and the auxiliary electrode 9 arranged in a state of its being connected with the 2nd electrode 12 between the light-emitting elements 13, where the surface of the auxiliary electrode 9 is covered by a light-absorbing layer 10.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特には画素間に補助電極を設けてなる表示装置に関する。 Relates a display device present invention relates, in particular, relates to a display device in which an auxiliary electrode between pixels.

【0002】 [0002]

【従来の技術】自発光型の素子(以下、発光素子と記す)である有機エレクトロルミネッセンス(electrolumi BACKGROUND ART self-luminous element (hereinafter, referred to as light emitting device) in which an organic electroluminescence (Electrolumi
nescence:以下ELと記す)素子は、カソード電極またはアノード電極となる下部電極と上部電極との間に、有機発光層を含む有機EL膜を挟持してなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。 Nescence: is hereinafter referred to as EL) elements, between a lower electrode and an upper electrode serving as the cathode electrode or the anode electrode, it by interposing an organic EL layer containing organic light-emitting layer, high luminance light emission by a low voltage DC drive It has attracted attention as a possible light-emitting element.

【0003】このような発光素子を用いた表示装置(すなわち有機ELディスプレイ)において、例えば各画素に薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリックス型の表示装置では、基板上に形成された薄膜トランジスタを覆う状態で層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁膜上の各画素部に発光素子が設けられている。 [0003] In such a light-emitting element display device using the (ie organic EL display), for example, an active matrix type display device thin film transistor in each pixel is provided, inter in a state of covering the thin film transistor formed on a substrate insulating film is provided, the light emitting element is provided in each pixel portion on the interlayer insulating film. ところで、このアクティブマトリックス型の表示装置において発光素子の開口率を確保するためには、発光素子で発生させた発光光を基板と反対側の上部電極側から取り出す、いわゆる上面光取り出し構造(以下、上面発光型と記す)として構成することが有効になる。 Meanwhile, in order to ensure aperture ratio of the light-emitting element in the display device of the active matrix type, light is emitted light generated in the light emitting element from the upper electrode side of the substrate opposite, so-called top light extraction structure (hereinafter, It is configured as described as top-emitting) enabled.

【0004】ここで、上面発光型の表示装置では、光透過性材料によって上部電極が形成されることになるが、 [0004] Here, in the top emission type display apparatus, so that the upper electrode is formed by a light transmitting material,
このような材料は抵抗値が大きいため上部電極内において電圧勾配が発生して電圧降下が生じ易い。 Such materials are likely to occur voltage drop voltage gradient is generated in the upper electrode due to the large resistance value. そこで、各発光素子が設けられた画素間に、上部電極に接続させる状態で補助電極を設け、これによって発光強度の低下を抑えている。 Therefore, among the pixels each light emitting element is provided, the auxiliary electrode in a state to be connected to the upper electrode is provided, thereby to suppress the decrease in emission intensity.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した構成の表示装置のように、補助配線を設けた表示装置においては、この補助配線が上部電極を透過して表示面側から見えることになる。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, as the display device of the configuration described above, in the display device provided with the auxiliary wire, so that the auxiliary wiring is visible from the display surface side passes through the upper electrode. 通常、補助電極は、アルミニウムのような低抵抗材料で形成されており、外光反射が大きい。 Usually, the auxiliary electrode is formed of a low resistance material such as aluminum, a large external light reflection. このため、上部電極側からの外光が補助配線で反射し、表示装置のコントラストを低下させる要因になっている。 Therefore, external light from the upper electrode side is reflected by the auxiliary line, which is a factor of lowering the contrast of the display device.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、第1電極と光透過性材料からなる第2電極との間に発光層を挟持した状態で基板上に配列された発光素子と、第2電極に接続された状態でこれらの発光素子間に配置された補助電極とを備えた表示装置において、補助電極の表面に光吸収層を設けたことを特徴としている。 Means for Solving the Problems] The present invention includes a light emitting element arranged on the substrate while holding the light-emitting layer between the second electrode comprising a first electrode and a light transmitting material, the second in the display device and an auxiliary electrode disposed between the light-emitting element in a state of being connected to the electrode, it is characterized in that a light absorbing layer on the surface of the auxiliary electrode.

【0007】このような構成の表示装置においては、光透過性材料からなる第2電極側から発光層側に入射される外光のうち、発光素子間に入射される外光は、補助配線の表面に設けられた光吸収層によって吸収される。 [0007] In the display device having such a configuration, among external light incident on the light-emitting layer side from the second electrode side of transparent material, external light incident between the light emitting element, the auxiliary wiring It is absorbed by the light absorbing layer provided on the surface. したがって、発光層で生じた発光光を光透過性材料からなる第2電極側から取り出して表示する際に、発光素子間に設けられた補助配線での外光反射によるコントラストの低下が防止される。 Therefore, when displaying removed from the second electrode side formed of a light-emitting light generated in the light emitting layer of a light transmitting material, reduction in contrast is prevented due to external light reflection at the auxiliary wiring provided between the light emitting element .

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の表示装置の実施の形態を図面に基づいて説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment of the display device of the present invention with reference to the drawings. 尚ここでは、発光素子として有機EL素子を配列形成してなるアクティブマトリックス方式の上面発光型表示装置を例示して実施形態の説明を行う。 Note here, the organic EL device to illustrate the top-emission type display device of the active matrix system formed by arranging form a description of the embodiments as a light-emitting element. しかし、本発明は、発光素子として有機EL素子を用いたものに限定されることはなく、例えば無機電界発光素子のような自発光型の発光素子を用いた表示装置に広く適用可能である。 However, the present invention is not limited by it to the one using an organic EL element as a light-emitting element, for example, a display device is widely applicable to using a self-luminous type light emitting element such as an inorganic electroluminescent device. また、アクティブマトリックス方式に限定されることもなく、単純マトリックス方式の表示装置にも適用可能である。 Also, no means limited to the active matrix method is applicable to the display device of the simple matrix system.

【0009】 表示装置の構成図1は、本実施形態における表示装置の構成を説明するための断面図である。 [0009] Configuration FIG. 1 of the display device is a cross-sectional view for explaining a structure of a display device in this embodiment. この図に示す表示装置は、例えばガラス基板からなる基板1上の各画素に対応させて、薄膜トランジスタ(thin film transistor:以下TFTと記す)2が配列形成されている。 The figure shows a display device, for example so as to correspond to each pixel on a substrate 1 made of a glass substrate, a thin film transistor (thin film transistor: hereinafter referred to as TFT) 2 are arranged and formed. 尚、ここで例示した表示装置は上面発光型であるため、基板1は光透過性を有する材料である必要はなく、ガラス基板以外の他の基板(例えばシリコン基板等)を用いても良く、この基板の表面層に駆動用のトランジスタを配列形成しても良い。 Since here illustrated display device is a top emission type, the substrate 1 need not be a material having optical transparency, it may be used other substrates other than glass substrates (e.g. silicon substrate), transistors for driving the surface layer of the substrate may be an array form.

【0010】また基板1上には、TFT2を覆う状態で絶縁膜3が設けられ、この絶縁膜3に形成した接続孔(図示省略)を介してTFT2に接続させた配線4が、 [0010] On the substrate 1, the insulating film 3 so as to cover the TFT2 provided, the insulating film 3 the formed contact hole was connected to the TFT2 through a (not shown) interconnect 4,
絶縁膜3上に設けられている。 It is provided on the insulating film 3.

【0011】この絶縁膜3上には、配線4を覆う状態で層間絶縁膜5が表面平坦に形成されている。 [0011] On the insulating film 3, an interlayer insulating film 5 so as to cover the wiring 4 is surface flat. この層間絶縁膜5には、配線4に達する接続孔6が設けられている。 The interlayer insulating film 5, the connection holes 6 are provided in the wiring 4 is reached. そして、この接続孔6を介して配線4に接続された第1電極7が、層間絶縁膜5上に各画素に対応させてパターン形成されている。 The first electrode 7 connected to this connecting hole 6 via the line 4 are patterned to correspond to each pixel on the interlayer insulating film 5. この第1電極7は、例えば発光素子の陽極として用いられるもので、Au(金)、Pt The first electrode 7, in which for example is used as an anode of the light emitting element, Au (gold), Pt
(プラチナ)、Cr(クロム)に代表されるような仕事関数の高い材料を用いて構成されていることとする。 (Platinum), and it is configured with a material having a high work function, as represented by Cr (chromium).
尚、この第1電極7は、陰極として用いられても良く、 Note that the first electrode 7 may be used as the cathode,
この場合にはこの第1電極7は、仕事関数の低い導電性材料を用いて構成されることとする。 The first electrode 7 in this case, and be configured with a low conductivity material work function.

【0012】また、層間絶縁膜5上には、第1電極7の周縁を覆う状態で絶縁層8が設けられている。 [0012] On the interlayer insulating film 5, the insulating layer 8 is provided so as to cover the periphery of the first electrode 7. この絶縁膜8は、例えば酸化シリコン(SiO 2 )などからなり、第1電極7の表面のみを露出させるようにパターニングされた開口部8aを備えている。 The insulating film 8 is made of, for example, such as silicon oxide (SiO 2), and a patterned opening 8a so as to expose only the surface of the first electrode 7. 尚、この開口部8 Incidentally, the opening 8
aがこの表示装置における発光素子部分となる。 a is a light emitting element portion in this display device.

【0013】この絶縁膜8上には、アルミニウム(A [0013] On the insulating film 8 of aluminum (A
l)や銀(Ag)のような導電性の高い材料からなる補助電極9が設けられている。 Auxiliary electrode 9 made of a highly conductive material such as l) and silver (Ag) is provided. この補助電極9は、次に説明する第2電極の導電性を補助するためのもので、絶縁膜8上に設けられたことによって第1電極7との間の絶縁性が保たれていることとする。 The auxiliary electrode 9 is then used to assist the conductivity of the second electrode to be described, the insulation is maintained between the first electrode 7 by provided on the insulating film 8 to.

【0014】そして特に、補助配線9の表面には、絶縁膜8の開口部8aを狭めることのないように、補助配線9を覆う状態で光吸収層10が設けられている。 [0014] and in particular, on the surface of the auxiliary wiring 9, so as not to narrow the opening 8a of the insulating film 8, a light absorbing layer 10 is provided so as to cover the auxiliary wiring 9. この光吸収層10は、絶縁膜8上に設けられた補助電極9の少なくとも上部表面を覆う状態で設けられ、より好ましくは図示したように補助電極9の露出表面を完全に覆う状態で設けられていることとする。 The light absorbing layer 10 is provided so as to cover at least the upper surface of the auxiliary electrode 9 provided on the insulating film 8, and more preferably provided in a state to completely cover the exposed surface of the auxiliary electrode 9 as shown and it is.

【0015】このような光吸収層10は、導電性材料や樹脂材料を用いて構成されていることとする。 [0015] Such a light-absorbing layer 10 and be configured with a conductive material or a resin material.

【0016】導電性材料を用いて構成された光吸収層1 [0016] Light constructed using a conductive material absorbing layer 1
0としては、酸化クロム(CrO 2 )膜を用いた構成を例示することができる。 The 0, can be exemplified configuration using chromium oxide (CrO 2) film. この場合、酸化クロム膜を単層で用いても良く、さらに好ましくは酸化クロム膜の下地としてクロム膜を配置し、クロム膜と酸化クロム膜との2層構造としても良い。 In this case, it may be used chromium oxide film as a single layer, more preferably places the chromium film as an underlayer of chromium oxide film may have a two-layer structure of a chromium film and chromium oxide film. この場合の一例として、クロム膜50nm、酸化クロム膜150nmに設定される。 As an example of this case, the chromium film 50 nm, is set in the chromium oxide film 150 nm.

【0017】このような導電性材料を用いて光吸収層1 The light absorption layer 1 by using such a conductive material
0を構成した場合、この光吸収層10も、補助電極9の一部を構成するものとなる。 If you configure 0, the light absorbing layer 10 also becomes to constitute a part of the auxiliary electrode 9. また、光吸収層10の構成をクロム膜とその上部の酸化クロム膜との2層構造にした場合には、酸化クロム単層の場合よりもさらに高い光吸収効果を得ることができる。 Further, when the structure of the light-absorbing layer 10 to the two-layer structure of chromium film and chromium oxide film on the top, it is possible to obtain a higher light absorption effect than in the case of chromium oxide monolayer.

【0018】また、樹脂材料を用いて構成された光吸収層10としては、感光性ポリイミド膜を用いた構成を例示することができる。 Further, as the light absorbing layer 10 formed of a resin material, it may be exemplified a configuration in which a photosensitive polyimide film. この場合、例えば黒色顔料を分散させた感光性ポリイミド膜を単層で用いても良く、さらに好ましくは感光性ポリイミド膜の下地としてクロム膜を配置し、クロム膜と感光性ポリイミド膜との2層構造としても良い。 In this case, for example, a photosensitive polyimide film by dispersing a black pigment may be used in a single layer, more preferably places the chromium film as a base for photosensitive polyimide film, two layers of the chromium film and the photosensitive polyimide film it may be used as the structure. この場合の一例として、クロム膜50n As an example of this case, the chromium film 50n
m、感光性ポリイミド膜2.0μmに設定される。 m, is set in the photosensitive polyimide film 2.0 .mu.m. このように、光吸収層10の構成をクロム膜とその上部の樹脂材料層との2層構造にした場合には、樹脂材料層単層の場合よりもさらに高い光吸収効果を得ることができる。 Thus, when the structure of the light-absorbing layer 10 to the two-layer structure of a chromium film and the resin material of the top, it is possible to obtain a higher light absorption effect than in the case of the resin material layer alone .

【0019】尚、光吸収層10として樹脂材料を用いる場合であって、この光吸収層10によって完全に補助電極9の露出面が覆われる場合、樹脂材料膜には、数画素に1個所程度の割合で補助電極9に達する接続孔(図示省略)を設け、この接続孔を介して次に説明する第2電極と補助配線9との接続状態を確保する。 [0019] Incidentally, in the case of using a resin material as the light absorbing layer 10, if the exposed surface of the fully auxiliary electrode 9 by the light absorption layer 10 is covered with the resin material film, one point about the number of pixels the connection hole at a rate of reaching the auxiliary electrodes 9 (not shown) provided to ensure the connection between the second electrode and the auxiliary wiring 9 to be next described through the connection hole. この接続孔の形成位置は、特に限定されることはないが、この表示装置の画質に対する影響がより小さい位置とすることが好ましい。 Forming position of the connection hole, is not particularly limited, it is preferable to effect on the image quality of the display device is a smaller position.

【0020】一方、絶縁膜8の各開口部8a内の第1電極7上には、第1電極7を隙間なく覆う状態で有機EL Meanwhile, on the first electrode 7 in the apertures 8a of the insulating film 8, organic EL in a state where the first electrode 7 covers without gaps
層11がパターン形成されている。 Layer 11 is patterned. この有機EL層11 The organic EL layer 11
は、少なくとも有機発光層を有するものであり、必要に応じて正孔注入層や正孔輸送層などの単層または積層膜と、電子輸送層や電子注入層などの単層または積層膜間に、有機発光層を挟持させた層であることとする。 Are those having at least an organic light-emitting layer, and a single layer or a laminate film such as a hole injection layer and a hole transport layer, if necessary, between the single-layer or multilayer film, such as an electron transport layer and an electron injection layer , and that a layer obtained by interposing an organic light-emitting layer. 一例としては、陽極として設けられた第1電極7上に、正孔注入層、正孔輸送層を順次積層し、この上部に電子輸送層を兼ねた有機発光層を積層させた構成を示すことができる。 As an example, on the first electrode 7 provided as an anode, a hole injection layer, a hole transport layer sequentially laminated, to show a structure formed by laminating an organic light-emitting layer also serving as an electron-transporting layer in this upper can.

【0021】そして、以上のように設けられた補助電極9、光吸収層10および有機EL層11を覆う状態で、 [0021] Then, the auxiliary electrodes 9 provided as described above, so as to cover the light absorbing layer 10 and the organic EL layer 11,
第2電極12が設けられている。 The second electrode 12 is provided. この第2電極12は、 The second electrode 12,
各画素に共通の電極として、基板1上に一枚の層として設けられていることとする。 As a common electrode in each pixel, and it is provided as a layer one on the substrate 1. この第2電極は、第1電極7が陽極である場合には陰極として設けられ、第1電極7が陰極である場合には陽極として設けられる。 The second electrode, when the first electrode 7 is an anode is provided as a cathode, when the first electrode 7 is a cathode are provided as an anode. ただし、この第2電極12は、光透過性を備えていることとする。 However, the second electrode 12, and that it comprises a light transmissive. ここでは、第2電極12は、例えばMg−Ag薄膜からなる陰極として設けられていることとする。 Here, the second electrode 12, and it is provided as a cathode made of, for example, Mg-Ag film. そして、第1電極7と有機EL層11と、この第2電極12 Then, a first electrode 7 and the organic EL layer 11, the second electrode 12
とが順次積層された各部分が、それぞれ発光素子13となる。 DOO each part which are sequentially stacked, and each light-emitting element 13. これらの各発光素子13には、配線4を介してそれぞれTFT2が接続されている。 These to each light emitting element 13, TFT 2 are each connected via a wire 4.

【0022】また、この第2電極12上には、この薄膜状の第2電極12を保護すると共にその導電性を確保するための透明導電膜14を設けても良い。 Further, the second electrode 12 on may the transparent conductive film 14 for securing the conductive to protect the thin film of the second electrode 12 is provided. この透明導電膜14としては、室温成膜においても良好な導電性を示すIn−Zn−O系の透明導電性材料を好適に用いることができる。 As the transparent conductive film 14, it is possible to use a transparent conductive material In-Zn-O system shown also good electrical conductivity at room temperature film formation suitably.

【0023】尚ここでは、第2電極12の下層に補助電極9を設けた構成としたが、第2電極12の上部または透明導電膜14の上部に補助電極9を設けた構成であっても良い。 [0023] Note that here, it is configured with an auxiliary electrode 9 in the lower layer of the second electrode 12, even the upper part structure in which an auxiliary electrode 9 of the top or the transparent conductive film 14 of the second electrode 12 good. このような場合であっても、補助電極9を形成した状態においての露出表面を光吸収層10で覆う構成は同様である。 Even in such a case, the configuration of covering the exposed surface of the state of forming the auxiliary electrode 9 in the light absorbing layer 10 are the same. ただしこの場合において、光吸収層1 However, in this case, the light absorption layer 1
0として樹脂材料を用いる場合であって、この光吸収層10によって完全に補助電極9の露出面が覆われた構成であっても、補助電極9はその下面において透明導電膜14を介して第2電極12に接続されるため、樹脂材料膜には接続孔(図示省略)を設ける必要はない。 0 as in the case of using a resin material, be completely exposed surface of the auxiliary electrode 9 is covered configured by the light absorption layer 10, the auxiliary electrode 9 through the transparent conductive film 14 at its lower surface a to be connected to the second electrode 12, the resin material layer is not necessary to provide a connection hole (not shown).

【0024】以上のような構成の表示装置においては、 [0024] In the display device having the above-described structure,
各有機EL層11で生じた発光光が、光透過性材料からなる第2電極12側から取り出される上面発光型となる。 Emitting light generated by the organic EL layer 11, a top-emitting taken out from the second electrode 12 side of transparent material. ここで、特にこの表示装置においては、アルミニウムや銀などの導電性が高く、反射率が高い材料からなる補助電極9の表面(第2電極12側の表面)が、光吸収層10によって覆われている。 Here, especially in the display device has high conductivity, such as aluminum or silver, surface of the auxiliary electrode 9 reflectivity is composed of a material having a high (the surface of the second electrode 12 side) is covered by the light absorbing layer 10 ing. このため、透明導電膜1 For this reason, the transparent conductive film 1
4を介して第2電極12側から有機EL層11側および補助配線9側に入射した外光は、この補助配線9の表面を覆う光吸収層10によって吸収される。 External light incident on the organic EL layer 11 side and the auxiliary wiring 9 side from the second electrode 12 side through the 4 is absorbed by the light absorbing layer 10 covering the surface of the auxiliary wiring 9. さらに、この補助電極9の下方に配置される配線4などに外光が達することを防止できる。 Furthermore, it is possible to prevent the external light reaches the like wiring 4 that is disposed below the auxiliary electrode 9. つまり、この光吸収層10は、発光素子間に設けられたブラックマトリックスとして作用することになる。 That is, the light absorbing layer 10 will act as a black matrix provided between the light emitting element. したがって、有機EL層11における発光光を第2電極12側から取り出して表示する際に、 Therefore, when displaying the emitted light in the organic EL layer 11 is taken out from the second electrode 12 side,
発光素子13間に設けられた補助配線9での外光反射、 External light reflection on the auxiliary wiring 9 provided between the light emitting element 13,
さらには補助配線9の下方に配置された配線4での外光反射が抑えられ、コントラストの良好な表示を行うことが可能になる。 Furthermore suppressed the external light reflection on the wiring 4 that is disposed below the auxiliary wiring 9, it is possible to perform excellent display contrast.

【0025】また、この表示装置においては、光吸収層10が直接、補助配線9を覆う状態で設けられているため、例えば、透明導電膜14の上方に、さらに偏向板や波長板を配置する場合と比較して、有機EL層11で生じた発光光を有効に取りだすことが可能になると共に、 Further, in this display device, the light absorbing layer 10 is directly because it is provided in a state to cover the auxiliary wiring 9, for example, above the transparent conductive film 14 is further arranged a deflecting plate or a wavelength plate If compared with, it becomes possible to take out effectively the emission light generated in the organic EL layer 11,
補助配線9に対して外光が漏れ込むことを確実に防止することができる。 It is possible to reliably prevent leaking external light with respect to the auxiliary wiring 9. この結果、表示装置における輝度の向上と消費電力の低下を達成することが可能になる。 As a result, it is possible to achieve a reduction in power consumption and improvement of the luminance of the display device.

【0026】 表示装置の製造方法−1次に、上述した表示装置の製造方法の一例を、図2,図3および図4の断面工程図を用いて説明する。 [0026] Production Method 1 of the display device Next, an example of a method of manufacturing the above-described display device will be described with reference to cross-sectional process drawing of FIG. 2, 3 and 4. 尚ここで説明する製造方法はあくまでも一例であり、この製造方法によって本発明の表示装置が限定されることはない。 Note manufacturing method described here is merely an example, the display device is not limited in the present invention by the manufacturing method.

【0027】まず、図2(1)に示すように、基板1上の各画素に、TFT2を配列形成する。 [0027] First, as shown in FIG. 2 (1), each pixel on the substrate 1, it is arranged forming a TFT 2. そして、このT Then, the T
FT2を覆う状態で絶縁膜3を形成し、この絶縁膜3に形成した接続孔(図示省略)を介してTFT2に接続させた配線4を、絶縁膜3上に形成する。 The insulating film 3 is formed so as to cover the FT2, the wire 4 is connected to the TFT2 through a connection hole formed in the insulating film 3 (not shown) is formed on the insulating film 3.

【0028】次いで、図2(2)に示すように、この配線4を覆う状態で、絶縁膜3上に層間絶縁膜5を表面平坦に形成する。 [0028] Then, as shown in FIG. 2 (2), in the state of covering the wire 4, flat form surface interlayer insulating film 5 on the insulating film 3. そして、この層間絶縁膜5に、配線4に達する接続孔6を形成する。 Then, the interlayer insulating film 5, to form a connecting hole 6 in the wiring 4 is reached.

【0029】次に、図2(3)に示すように、層間絶縁膜5上に第1電極7を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (3), a first electrode 7 is formed on the interlayer insulating film 5. この場合、上述したような仕事関数の高い材料からなる陽極膜を、例えばDC In this case, the anode layer consisting of a high work function as described above materials, for example, DC
スパッタリング法によって200nmの膜厚で成膜する。 It formed in a film thickness of 200nm by sputtering. 成膜条件の一例としては、例えばスパッタガスとしてAr(アルゴン)を用い、成膜圧力を0.2Pa、D As an example of the deposition conditions, for example using Ar (argon) as the sputtering gas, 0.2 Pa and deposition pressure, D
C出力を300Wに設定する。 Setting the C output to 300W. その後、リソグラフィ技術を用いてこの陽極膜上にレジストパターンを形成し、 Thereafter, a resist pattern is formed on the anode layer by lithography,
これをマスクに用いて陽極膜をエッチング加工することで、陽極膜を高精度にパターニングしてなる第1電極7 By etching the anodic film using this mask, a first electrode 7 made by patterning the anode layer with high precision
を得る。 Obtained. このエッチング加工は、ウェットエッチングやドライエッチングによって行われる。 This etching is performed by wet etching or dry etching.

【0030】次に、図2(4)に示すように、各画素に形成された第1電極7の周縁を覆い、第1電極7の表面のみを露出させる形状の絶縁層8を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (4), covering the periphery of the first electrode 7 formed in each pixel, forming an insulating layer 8 having a shape exposing only the surface of the first electrode 7. この場合、先ず、例えばSiO 2のような絶縁性材料を、スパッタリングによって600nm程度の膜厚で成膜する。 In this case, first, for example an insulating material such as SiO 2, formed in a film thickness of about 600nm by sputtering.
次いで、リソグラフィ技術を用いてこの膜上にレジストパターンを形成し、これをマスクに用いたエッチング加工を行うことで、第1電極7を露出させる開口部8aを有する絶縁膜8を得る。 Then, by lithography to form a resist pattern on the membrane, which by performing etching processing using the mask to obtain the insulating film 8 having an opening 8a for exposing the first electrode 7. このエッチング加工は、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合水溶液を用いたウェットエッチングやドライエッチングによって行われる。 This etching is performed for example by wet etching or dry etching mixed aqueous solution with the hydrofluoric acid and ammonium fluoride.

【0031】次に、図3(1)に示すように、絶縁膜8 Next, as shown in FIG. 3 (1), the insulating film 8
上に補助電極9を形成する。 To form the auxiliary electrode 9 above. この場合、先ず、上述した導電性の高い材料(例えばAl)からなる導電膜を、例えばDCスパッタリング法によって300nmの膜厚で成膜する。 In this case, first, a conductive film made from the above material having high conductivity (e.g. Al), for example, formed in a film thickness of 300nm by DC sputtering. 成膜条件の一例としては、例えばスパッタガスとしてArを用い、成膜圧力を0.2Pa、DC出力を300Wに設定する。 As an example of the deposition conditions, for example, using Ar as a sputtering gas, setting the film formation pressure 0.2 Pa, the DC output to 300 W. その後、リソグラフィ技術を用いてこの導電膜上にレジストパターンを形成し、これをマスクに用いて導電膜をエッチング加工することで、補助電極9を得る。 Thereafter, the conductive resist pattern is formed on the membrane, which by etching the conductive film using a mask to obtain the auxiliary electrode 9 by lithography. このエッチング加工は、例えばウェットエッチングによって行われる。 This etching is carried out, for example, by wet etching. この際、導電性材料としてAlを用いる場合には、エッチング液として例えば大宮化成(株)製「AL−1」(商品名)が用いられる。 At this time, in the case of using Al as the conductive material, for example, Omiya chemical as an etchant Ltd. "AL-1" (trade name) is used.

【0032】以上のようにして補助電極9を形成した後、この補助電極9の露出面を覆う状態で光吸収層10 [0032] As described above after forming the auxiliary electrode 9, the light-absorbing layer 10 in the state of covering the exposed surface of the auxiliary electrode 9
を形成する。 To form. ここで、例えばクロム膜と酸化クロム膜との2層構造からなる光吸収層10を形成する場合、先ず、クロム膜をDCスパッタリング法によって50nm Here, for example, in the case of forming a light absorbing layer 10 made of two-layer structure of a chromium film and chromium oxide film, first, 50 nm chromium film by DC sputtering
の膜厚で成膜する。 It is in a film thickness of the film. 成膜条件の一例としては、例えばスパッタガスとしてArを用い、成膜圧力を0.2Pa、 As an example of the deposition conditions, for example, using Ar as a sputtering gas, 0.2 Pa and deposition pressure,
DC出力を300Wに設定する。 The DC output is set to 300W. その後、このクロム膜上に、酸化クロム膜をDCスパッタリング法によって1 Then, on the chromium film, a chromium oxide film by DC sputtering method 1
50nmの膜厚で成膜する。 It formed to film in a film thickness of 50nm. 成膜条件の一例としては、 As one example of the deposition conditions,
例えばスパッタガスにAr:O 2 =1:1分圧としたガスを用い、成膜圧力を0.3Pa、DC出力を300W For example, sputtering gas Ar: O 2 = 1: using a 1 minute pressure and gas, 0.3 Pa and deposition pressure, the DC output 300W
に設定する。 It is set to.

【0033】次いで、リソグラフィ技術を用いてこの酸化クロム膜上にレジストパターンを形成し、これをマスクに用いて酸化クロム膜およびクロム膜をエッチング加工することで、補助電極9の露出面を覆う光吸収層10 [0033] Then, by lithography to form a resist pattern on the chromium oxide film, which by the chromium oxide film and the chromium film is etched by using the mask, the light covers the exposed surface of the auxiliary electrode 9 absorption layer 10
を得る。 Obtained. このエッチング加工は、ウェットエッチングやドライエッチングによって行われる。 This etching is performed by wet etching or dry etching. エッチング液として例えば三洋化成工業(株)製「ETCH−1」(商品名)が用いられる。 For example, as the etching solution manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd. "ETCH-1" (trade name) is used.

【0034】尚、補助電極9の上部のみに光吸収層10 [0034] Incidentally, the light absorbing layer 10 only on the auxiliary electrode 9
を設けた構成とする場合には、補助電極材料と光吸収層材料とを成膜した後、同一のレジストパターンをマスクに用いてこれらの材料膜をパターンエッチングすることで、補助電極9と光吸収層10とのを形成する。 When the structure provided with, after formation of the auxiliary electrode material and the light-absorbing layer material, using the same resist pattern as a mask by pattern etching of these material films, the auxiliary electrode 9 and the light forming from the absorbent layer 10. このようにした場合、マスクの作製工程を増加させることなく光吸収層10を形成することができる。 In such a case, it is possible to form the light absorption layer 10 without increasing the manufacturing steps of the mask.

【0035】次に、図3(2)に示すように、第1電極7上に、発光層を有する有機EL層11を形成する。 Next, as shown in FIG. 3 (2), on the first electrode 7, to form an organic EL layer 11 having a light-emitting layer. ここでは、真空蒸着装置を用いた成膜を行う。 Here, the film is formed using the vacuum evaporation apparatus. この場合、 in this case,
基板1上に蒸着マスクAを載置し、この蒸着マスクA上からの真空蒸着により、次のような手順で有機EL層1 Placing a deposition mask A over the substrate 1 by vacuum deposition from on the deposition mask A, the organic EL layer 1 in the following steps
1を形成する。 To form a 1. この際、第1電極7の露出表面のみに正確に有機EL層11をパターン形成することは困難である。 In this case, it is difficult to accurately organic EL layer 11 is patterned only on the exposed surface of the first electrode 7. このため、絶縁膜8の縁に有機EL層11が重なり、第1電極7の露出表面が確実に有機EL層11で覆われるように、蒸着マスクAを設計することとする。 Therefore, it overlaps the organic EL layer 11 to the edge of the insulating film 8, as the exposed surface of the first electrode 7 is reliably covered with the organic EL layer 11, and to design an evaporation mask A.

【0036】そしてまず、第1電極7上に、正孔注入層として4,4',4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)を30nmの膜厚で形成し、次いで正孔輸送層としてビス(N−ナフチル)−N−フェニルベンジジン(α−NP [0036] Then First, on the first electrode 7, as a hole injection layer 4,4 ', 4 "- tris (3-methylphenyl phenylamino) triphenyl amine (MTDATA) is formed with a thickness of 30 nm, then as the hole transport layer of bis (N- naphthyl) -N- phenyl benzidine (alpha-NP
D)を20nmの膜厚で形成し、さらに電子輸送性発光層として8キノリノールアルミニウム錯体(Alq3) The D) is formed with a thickness of 20 nm, further 8-quinolinol aluminum complex as an electron transport light-emitting layer (Alq3)
を50nmの膜厚で形成する。 To form a film thickness of 50nm. この際、真空蒸着装置の各抵抗加熱用のボートに、例えば各層材料0.2gづつを充填する。 At this time, the boat for the resistance heating vacuum deposition apparatus, for example, to fill the layers material 0.2g increments. そして、真空処理室内を1.0×10 -4 Then, the vacuum processing chamber 1.0 × 10 -4
Paまで減圧した後、各ボートに順次電圧を印加して加熱し、連続成膜を行う。 After the pressure was reduced to Pa, and heated by applying a sequential voltages to the boat, for continuous deposition.

【0037】以上の後、図4(1)に示すように、基板1上から蒸着マスク(A)を取り除き、有機EL層1 [0037] After the above, as shown in FIG. 4 (1), removing the deposition mask from the substrate 1 (A), the organic EL layer 1
1、光吸収層10で覆われた補助電極9などを覆う状態で、基板1上の全面に第2電極12を形成する。 1, in a state that covered over and the auxiliary electrode 9 in the light absorbing layer 10, a second electrode 12 on the entire surface of the substrate 1. ここでは、マグネシウム−銀からなる第2電極12を10nm Here, magnesium - 10 nm a second electrode 12 made of silver
の膜厚で形成することとする。 And that the thickness of the formation. この際、真空蒸着装置を用い、各抵抗加熱用のボートにマグネシウムを0.1 In this case, using a vacuum deposition apparatus, a magnesium boat for each resistance heating 0.1
g、銀を0.4g充填し、真空処理室内を1.0×10 g, silver was 0.4g filled, the vacuum processing chamber 1.0 × 10
-4 Paまで減圧した後、各ボートに電圧を印加して加熱して成膜を行う。 The pressure was reduced to -4 Pa, a film is formed by heating and applying a voltage to each boat. これにより、マグネシウムと銀との成膜速度比を9:1とした成膜を行う。 Thus, the deposition rate ratio of magnesium and silver 9: performing 1 and was deposited.

【0038】次に、図4(2)に示すように、第2電極12上の全面に、透明導電膜14を形成する。 Next, as shown in FIG. 4 (2), on the entire surface of the second electrode 12, a transparent conductive film 14. この場合、例えばDCスパッタリングによって、室温成膜において良好な導電性を示すIn−Zn−O系の透明導電膜14を200nmの膜厚で形成する。 In this case, for example, by DC sputtering to form an In-Zn-O-based transparent conductive film 14 having good conductivity at room temperature with a film thickness of 200 nm. 成膜条件の一例としては、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス(体積比Ar:O 2 =1000:5)を用い、成膜雰囲気圧力0.3Pa、DC出力40Wに設定される。 As an example of the deposition condition, a mixed gas of argon and oxygen as the sputtering gas (volume ratio Ar: O 2 = 1000: 5 ) using a film forming atmosphere pressure 0.3 Pa, is set to the DC output 40W.

【0039】以上のようにして、図1を用いて説明した表示装置が得られる。 [0039] As described above, the display device described with reference to FIG. 1 is obtained. また、この透明導電膜14上には、必要に応じて光透過性材料からなる封止膜を設けたり、さらに光透過性材料からなる対向基板が貼り合わせられることとする。 Further, on the transparent conductive film 14, and that may be provided a sealing film made of a light transmissive material, the counter substrate further comprises an optically transparent material are bonded as required.

【0040】 表示装置の製造方法−2次に、図1を用いて説明した表示装置において、光吸収層10に樹脂材料膜を用いた場合の製造方法を説明する。 Next the production method -2 display device, the display device described with reference to FIG. 1, illustrating a method of manufacturing the case of the light absorbing layer 10 using a resin material film. 尚、ここでは、光吸収層10の成膜工程のみを、図3(1)を用いて説明するが、その他の手順は製造方法−1と同様であることとする。 Here, only the step of forming the light absorbing layer 10 will be described with reference to FIG. 3 (1), the other steps to be similar to the production method -1.

【0041】ここでは先ず、補助電極9を形成した後、 [0041] Here, first, after the formation of the auxiliary electrode 9,
補助電極9および第1電極7を覆う状態で、基板1上にポジ型の感光性ポリイミド膜を成膜する。 In the state of covering the auxiliary electrode 9 and the first electrode 7, forming a photosensitive polyimide film of the positive type on the substrate 1. この感光性ポリイミド膜は、例えば黒色顔料が分散されていることとする。 The photosensitive polyimide film, for example, black pigment and be dispersed. この際、例えば、基板1の回転数を3200rp In this case, for example, the rotational speed of the substrate 1 3200Rp
m程度に設定したスピンコート法による塗布成膜を行う。 Performing coating film formation by the spin coating method, which was set to about m. そして、成膜後直ちにホットプレート上にて90 Then, in the post-deposition immediately on a hot plate 90
℃、10分間のプリベーク(露光前ベーク)を行う。 ° C., performs the 10 minute pre-baking (pre-exposure bake).
尚、露光前ベーク後における膜厚が、例えば2.4μm The film thickness after pre-exposure bake, for example, 2.4μm
程度になるように塗布膜厚が設定されることとする。 Coating film thickness so that the degree is to be set.

【0042】次に、この感光性ポリイミド膜に対してパターン露光を行う。 Next, pattern exposure is carried out with respect to the photosensitive polyimide film. この際、少なくとも第1電極7上の全面に対して露光光を照射し、補助電極9上には露光光が照射されないようにパターン露光を行う。 At this time, by irradiating the exposure light to the entire surface of at least the first electrode 7, it is formed on the auxiliary electrode 9 performing pattern exposure so that the exposure light is not irradiated. ただし、数画素に対して1個所の割合で補助電極9上にも露光光を照射する。 However, irradiation with exposure light on the auxiliary electrode 9 at the rate of one point with respect to the number of pixels.

【0043】以上の後、例えば回転式スプレー洗浄装置を用いた現像処理を行うことで、未露光部に感光性ポリイミド膜を残して露光部の感光性ポリイミド膜を除去する。 [0043] After the above, for example, by performing a development process using a rotary spray cleaning apparatus, leaving a photosensitive polyimide film in the unexposed portion removing the photosensitive polyimide film of the exposed portion. この際、現像液には、TMAH(tetramethylammon At this time, the developing solution, TMAH (tetramethylammon
ium hydroxide)の2.38%水溶液(例えば東京応化製NMD−3)を用い、3分間の現像処理を行うこととする。 Using a 2.38% aqueous solution of ium hydroxide) (e.g., Tokyo Ohka NMD-3), and performing development processing for 3 minutes. これにより、補助電極9を覆うと共に複数画素に1つの割合で補助電極9に達する接続孔(図示省略)を備えた光吸収層10が形成される。 Thereby, connecting holes light-absorbing layer 10 having a (not shown) is formed in a ratio of one to a plurality of pixels to cover the auxiliary electrode 9 reaches the auxiliary electrode 9. この光吸収層10 The light-absorbing layer 10
は、感光性ポリイミド膜単層で構成される。 It is composed of photosensitive polyimide film monolayer.

【0044】次いで、感光性ポリイミド膜のポリイミドを環化させるため、本焼成をクリーンベーク炉にて行った。 [0044] Then, the polyimide photosensitive polyimide film for cyclization were present baking in a clean baking furnace. この本焼成は窒素雰囲気中で行われることとし、1 The main baking is a be performed in a nitrogen atmosphere, 1
70℃で60分、その後350℃で30分の2段階の焼成を行う。 60 minutes at 70 ° C., for 2-step firing of 30 minutes then 350 ° C.. 尚、露光前ベークにおける感光性ポリイミドの膜厚が、2.4μm程度であった場合、本焼成後における感光性ポリイミド膜の膜厚は、2.0μm程度になる。 Incidentally, the film thickness of the photosensitive polyimide in pre-exposure bake, indicating an approximately 2.4 [mu] m, the film thickness of the photosensitive polyimide film after the firing, is about 2.0 .mu.m.

【0045】尚、感光性ポリイミド膜の下地としてクロム膜を設けた光吸収層10を形成する場合、補助電極9 [0045] In the case of forming the light absorption layer 10 having a chromium film as a base for photosensitive polyimide film, the auxiliary electrode 9
を覆う状態でクロム膜をパターン形成した後、上述した手順によって感光性ポリイミド膜をパターン形成する。 After forming the pattern chrome film in a state in which the cover, photosensitive polyimide film is patterned by the above-mentioned procedure.
または、補助電極材料を成膜した後クロム膜を成膜し、 Alternatively, a chromium film after forming the auxiliary electrode material,
これらの材料膜を同一のレジストパターンをマスクに用いてパターンエッチングした後、上述した手順によって感光性ポリイミド膜をパターン形成しても良い。 After pattern etching using these material films of the same resist pattern as a mask, a photosensitive polyimide film by the above-described procedure may be patterned. この場合、補助電極9の上部のみがクロム膜と感光性ポリイミド膜との積層膜からなり、補助電極9の側面部分が感光性ポリイミド膜の単層からなる光吸収層10が形成されることになる。 In this case, only the upper portion of the auxiliary electrode 9 is made of a laminated film of a chromium film and the photosensitive polyimide film, the side surface portion of the auxiliary electrode 9 that the light-absorbing layer 10 composed of a single layer of photosensitive polyimide film is formed Become.

【0046】以上のような手順であっても、図1を用いて説明した表示装置が得られる。 [0046] Even above procedure, the display device described with reference to FIG. 1 is obtained. また、この透明導電膜14上には、必要に応じて光透過性材料からなる封止膜を設けたり、さらに光透過性材料からなる対向基板が貼り合わせられることとする。 Further, on the transparent conductive film 14, and that may be provided a sealing film made of a light transmissive material, the counter substrate further comprises an optically transparent material are bonded as required.

【0047】尚、以上の説明においては、本発明をアクティブマトリックス型の表示装置に適用した場合を説明した。 [0047] In the above explanation, it has been described in which the present invention is applied to an active matrix type display device. しかし本発明の表示装置は、光透過性材料からなる第2電極に補助電極が接続された表示装置であれば、 But the display device of the present invention, any display device in which the auxiliary electrode to the second electrode made of a light transmissive material is connected,
単純マトリックス型の表示装置にも適用可能である。 To simple matrix type display device it is applicable. この場合であっても、第2電極によって構成される発光素子間の補助電極の表面に、上述したと同様の光吸収層を設けることで同様の効果を得ることができる。 Even in this case, may be on the surface of the auxiliary electrode between constituted the light-emitting element by a second electrode, the same effect by providing the same light-absorbing layer and described above.

【0048】また、本発明を適用した単純マトリックス型の表示装置の製造は、従来の補助配線を備えた単純マトリックス型の表示装置の製造工程に、図3(1)を用いて説明した光吸収層の形成工程を加えれば良い。 [0048] The production of simple matrix type display device according to the present invention, the manufacturing process of the conventional auxiliary wiring simple matrix type display device having a light absorption described with reference to FIG. 3 (1) it may be added to form the layer step.

【0049】さらに、単純マトリックス型の表示装置である場合、光透過性材料からなる第2電極が発光層よりも基板側に設けられ、発光層で生じた発光光が第2電極を介して基板側から取り出される透過型であっても、この第2電極に接続された補助電極が設けられた構成であれば、この補助電極の第2電極の基板側に向かう表面に光吸収層を設けることで、同程度の効果を得ることができる。 [0049] Further, if a simple matrix type display device, a second electrode made of a light transmitting material is provided on the substrate side of the light-emitting layer, emission light generated in the light emitting layer via the second electrode substrate be transmissive taken from the side, with the configuration of the second electrode connected to the auxiliary electrode is provided, the provision of the light-absorbing layer on the surface towards the substrate side of the second electrode of the auxiliary electrode in, it is possible to obtain comparable effects.

【0050】 [0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明の表示装置によれば、光透過性材料からなる第2電極側から発光層側に入射される外光を吸収するための光吸収層を、この第2電極に接続された補助電極の表面に設けたことで、発光層で生じた発光光を光透過性材料からなる第2電極側から取り出して表示する際に、発光素子間に設けられた補助配線での外光反射を防止することができる。 According to the display device of the present invention described above, according to the present invention, a light absorbing layer for absorbing external light incident on the light-emitting layer side from the second electrode side of transparent material, this by providing on the surface of the connected auxiliary electrode to the second electrode, when displaying removed from the second electrode side formed of a light-emitting light generated in the light emitting layer of a light transmitting material, provided between the light emitting element it is possible to prevent external light reflection on the auxiliary wiring. したがって、発光素子間に補助配線を設けた表示装置におけるコントラスト向上を図ることが可能になる。 Therefore, it is possible to achieve contrast enhancement in the display device provided with an auxiliary wiring between the light emitting element.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の表示装置の一構成例を示す概略断面図である。 1 is a schematic sectional view showing a configuration example of a display device of the present invention.

【図2】図1の表示装置の製造手順を説明するための断面工程図(その1)である。 A 2 is a cross-sectional process diagram for explaining the manufacturing steps of the display device of FIG. 1 (Part 1).

【図3】図1の表示装置の製造手順を説明するための断面工程図(その2)である。 Is FIG. 3 is a cross-sectional process diagram for explaining the manufacturing steps of the display device of FIG. 1 (Part 2).

【図4】図1の表示装置の製造手順を説明するための断面工程図(その3)である。 A [4] a cross-sectional process diagram for explaining the manufacturing steps of the display device of FIG. 1 (Part 3).

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…基板、2…TFT、5…層間絶縁膜、7…第1電極、9…補助電極、10…光吸収層、11…有機EL層(発光層)、12…第2電極、13…発光素子 1 ... substrate, 2 ... TFT, 5 ... interlayer insulation film, 7 ... first electrode, 9 ... auxiliary electrode 10 ... light absorption layer, 11 ... Organic EL layer (light emitting layer), 12 ... second electrode, 13 ... emission element

フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB05 AB17 BA06 CA01 CB01 CB03 CB04 DA01 DB03 EB00 5C094 AA04 AA06 BA03 BA27 CA19 DA13 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 ED12 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 Front page of the continued F-term (reference) 3K007 AB05 AB17 BA06 CA01 CB01 CB03 CB04 DA01 DB03 EB00 5C094 AA04 AA06 BA03 BA27 CA19 DA13 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 ED12 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 第1電極と光透過性材料からなる第2電極との間に発光層を挟持した状態で基板上に配列された発光素子と、前記第2電極に接続された状態で前記発光素子間に配置された補助電極とを備えた表示装置において、 前記補助電極の表面が、光吸収層で覆われていることを特徴とする表示装置。 [Claim 1, wherein in a state with the light emitting elements arranged on the substrate while holding the light-emitting layer, which is connected to the second electrode between the second electrode comprising a first electrode and a light transmitting material in the display device and an auxiliary electrode disposed between the light emitting element, a display device the surface of the auxiliary electrode, characterized in that it is covered with the light-absorbing layer.
  2. 【請求項2】 請求項1記載の表示装置において、 前記光吸収層は、導電性材料からなることを特徴とする表示装置。 2. A display device according to claim 1, wherein the light absorbing layer, the display device characterized by comprising a conductive material.
  3. 【請求項3】 請求項1記載の表示装置において、 前記光吸収層として、酸化クロム膜を用いたことを特徴とする表示装置。 3. A display device according to claim 1, a display device, characterized in that as the light-absorbing layer, using a chromium oxide film.
  4. 【請求項4】 請求項3記載の表示装置において、 前記光吸収層は、前記酸化クロム膜の下地層としてクロム膜を用いたことを特徴とする表示装置。 4. A display device according to claim 3, wherein the light absorbing layer, the display device characterized by using the chromium film as an underlying layer of the chromium oxide film.
  5. 【請求項5】 請求項1記載の表示装置において、 前記光吸収層として、樹脂材料膜を用いたことを特徴とする表示装置。 5. A display device according to claim 1, as the light-absorbing layer, the display device characterized by using a resin material film.
  6. 【請求項6】 請求項5記載の表示装置において、 前記光吸収層は、前記樹脂材料膜の下地層としてクロム膜を用いたことを特徴とする表示装置。 6. The display device according to claim 5, wherein the light absorbing layer, the display device characterized by using the chromium film as an underlying layer of the resin material layer.
  7. 【請求項7】 請求項5記載の表示装置において、 前記第2電極と補助電極とが、前記樹脂材料膜に形成された接続孔において接続されていることを特徴とする表示装置。 7. The display device according to claim 5, wherein the display and the second electrode and the auxiliary electrode, characterized in that it is connected in the resin material layer which is formed in connection hole device.
  8. 【請求項8】 請求項1記載の表示装置において、 前記第1電極は、前記基板上に形成されたトランジスタに接続する状態で設けられていることを特徴とする表示装置。 8. The display device according to claim 1, wherein said first electrode is a display device which is characterized in that provided in a state of connecting to a transistor formed on the substrate.
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