KR102169862B1 - Organic light emitting diode display device and fabricating method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 표시영역에 형성된 유기발광다이오드와, 비표시영역에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상에 형성된 패드와; 상기 절연막을 덮도록 형성되는 제1레이저 흡수층을 포함한다.
이를 통해 비표시영역에 형성된 봉지층을 레이저를 이용하여 효과적으로 제거함으로써 공정을 단순화할 수 있게 된다. The present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same.
An organic light emitting diode display device according to the present invention includes: an organic light emitting diode formed in a display area, an insulating layer formed in a non-display area, and a pad formed on the insulating layer; And a first laser absorbing layer formed to cover the insulating layer.
Through this, the process can be simplified by effectively removing the encapsulation layer formed in the non-display area using a laser.
Description
본 발명은 공정을 단순화할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display device capable of simplifying a process and a method of manufacturing the same.
최근 정보화 시대에 발맞추어 디스플레이(display) 분야 또한 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응해서 박형화, 경량화, 저소비전력화 장점을 지닌 평판표시장치(flat panel display device : FPD)로서 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel device : PDP), 전기발광표시장치(electroluminescence display device : ELD), 전계방출표시장치(field emission display device : FED) 및 유기발광다이오드(organic light emitting diode:OLED) 표시장치 등이 개발되어 사용되고 있다. In line with the recent information age, the display field has also developed rapidly, and in response to this, it is a liquid crystal display device (FPD) as a flat panel display device (FPD) with advantages of thinner, lighter, and low power consumption. LCD), plasma display panel device (PDP), electroluminescence display device (ELD), field emission display device (FED), and organic light emitting diode (OLED) ) Display devices have been developed and used.
이중에서도 유기발광다이오드 표시장치는 자발광소자를 이용함으로써 별도의 광원인 백라이트 유닛을 필요로 하는 액정표시장치에 비해 제조공정이 단순하며, 경량 박형의 구현이 가능한 이점을 가지며 널리 이용되고 있는 추세에 있다.Among them, organic light-emitting diode display devices have the advantage of being able to implement a light-weight and thin-walled display device that is simpler than a liquid crystal display device that requires a separate light source, a backlight unit, by using a self-luminous device. have.
또한, 유기발광다이오드 표시장치는 액정표시장치에 비해 시야각 및 명암 대비비가 비교적 우수하며 응답속도가 빠르고, 낮은 소비전력을 소모하며 직류 저전압 구동이 가능하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이한 이점을 가진다. 그리고, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지며 보다 활발한 연구가 진행되고 있다.In addition, the organic light-emitting diode display device has the advantage of being easy to manufacture and design a driving circuit because it has a comparatively superior viewing angle and contrast ratio compared to a liquid crystal display device, has a fast response speed, consumes low power consumption, and can drive a low DC voltage. . In addition, since the internal components are solid, they are resistant to external shocks, and have a wide range of operating temperatures, and more active research is being conducted.
이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 박막트랜지스터와 유기발광다이오드가 형성된 제1기판과 인캡슐레이션을 위한 제2기판이 서로 대면 합착되어 이루어지며, 화상을 구현하는 표시영역과 실질적으로 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동IC와 구동인쇄회로기판이 연결되는 비표시영역을 포함한다. In such an organic light emitting diode display, a first substrate on which a thin film transistor and an organic light emitting diode are formed, and a second substrate for encapsulation are bonded to each other, and substantially drive the organic light emitting diode with a display area that displays an image. And a non-display area to which the driving IC and the driving printed circuit board are connected.
이때, 제1 및 제2기판으로는 제조공정 중 발생하는 높은 열을 견딜 수 있도록 유리기판을 통상 많이 적용해왔는데, 유리기판은 경량, 박형화 및 유연성을 부여하는데 한계가 있는 문제점을 가지기 때문에 최근에는 유연성이 없는 유리기판 대신에 유연성을 가지는, 일예로 폴리이미드와 같은 플렉서블 기판을 적용하고 있다. At this time, as the first and second substrates, glass substrates have been commonly applied to withstand high heat generated during the manufacturing process.However, since glass substrates have limitations in providing light weight, thinness, and flexibility, recently Instead of a non-flexible glass substrate, a flexible substrate such as polyimide, which has flexibility, is applied.
한편 제1기판 상에는 박막트랜지스터와 유기발광다이오드를 형성한 후에 최종적으로 유기발광다이오드를 보호하기 위해 CVD법을 통해 봉지층을 형성하는데, 비표시영역에는 구동 IC와의 연결을 위해 마스크를 적용함으로써 봉지층이 형성되지 않도록 해야 한다. On the other hand, after the thin film transistor and the organic light emitting diode are formed on the first substrate, an encapsulation layer is finally formed through the CVD method to protect the organic light emitting diode. In the non-display area, an encapsulation layer is applied by applying a mask to connect the driving IC. Should not be formed.
이와 같이 마스크를 적용함에 따라 그만큼 챔버의 크기가 커지며 비용이 증대되고, 챔버 내에서 마스크를 정렬하기 위한 공정이 복잡해지는 문제점 때문에 봉지층을 표시영역과 비표시영역을 포함한 전면에 형성한 후에 레이저를 이용하여 비표시영역에 형성된 봉지층을 제거하는 기술이 제안되었다. As the mask is applied in this way, the size of the chamber increases, the cost increases, and the process for aligning the mask in the chamber becomes complicated. After forming the encapsulation layer on the entire surface including the display area and the non-display area, the laser is applied. A technique for removing the encapsulation layer formed in the non-display area by using has been proposed.
그러나, 봉지층을 제거하기 위해 레이저를 조사하는 공정에서 봉지층이 다 제거되기도 전에 기판으로부터 비표시영역에 형성된 패드부의 구성부가 들뜨게 되는 문제점이 생겼다. However, in the process of irradiating a laser to remove the encapsulation layer, there is a problem that the constituent parts of the pad portion formed in the non-display area from the substrate are lifted from the substrate before the encapsulation layer is completely removed.
이는 레이저가 절연물질들을 통과하여 기판까지 닿게 되는데, 기판으로 적용된 폴리이미드는 높은 흡수율을 가지며 레이저를 흡수하기 때문에 비표시영역에 형성된 패드부의 구성부가 기판으로부터 들뜨게 되는 들뜸 현상이 발생되는 것이다.
This is because the laser passes through the insulating materials and reaches the substrate. Since the polyimide applied as the substrate has a high absorption rate and absorbs the laser, an excitation phenomenon occurs in which a component part of the pad formed in the non-display area is lifted from the substrate.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 비표시영역에 있어서 봉지층을 형성하기 전에 레이저를 흡수할 수 있는 레이저 흡수층을 형성시킴으로써 레이저를 적용함에 있어서 들뜸 현상 없이 봉지층을 효과적으로 제거할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
An object of the present invention for solving the above problems is to form a laser absorbing layer capable of absorbing a laser prior to forming the encapsulation layer in a non-display area, so that the encapsulation layer can be effectively removed without excitation when applying a laser. It is to provide an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따라 표시영역과 비표시영역을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 표시영역에 형성된 유기발광다이오드와; 상기 비표시영역에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상에 형성된 패드와; 상기 절연막을 덮도록 형성되는 제1레이저 흡수층을 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention for achieving the above object, an organic light emitting diode display device including a display area and a non-display area includes: an organic light emitting diode formed in the display area; An insulating film formed in the non-display area; A pad formed on the insulating layer; And a first laser absorbing layer formed to cover the insulating layer.
상기 절연막은 게이트 절연막이고, 상기 패드는 게이트 패드이며, 상기 게이트 패드의 상부로 상기 게이트 패드를 노출시키는 패드콘택홀을 구비하는 층간절연막과, 상기 패드콘택홀을 통해 상기 게이트 패드와 접촉하며 형성된 보조전극을 더 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층은 상기 층간절연막을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다. The insulating layer is a gate insulating layer, the pad is a gate pad, an interlayer insulating layer having a pad contact hole exposing the gate pad above the gate pad, and an auxiliary formed by contacting the gate pad through the pad contact hole An electrode is further included, and the first laser absorbing layer is formed to cover the interlayer insulating layer.
상기 보조전극과 중첩되어 형성되는 제2레이저 흡수층을 더 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층은 서로 이격된 것을 특징으로 한다.It further comprises a second laser absorbing layer formed to overlap with the auxiliary electrode, wherein the first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer are spaced apart from each other.
상기 제1레이저 흡수층과 상기 보조전극은 서로 이격된 것을 특징으로 한다.The first laser absorbing layer and the auxiliary electrode are spaced apart from each other.
상기 패드와 중첩되어 형성되는 제2레이저 흡수층을 더 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층은 서로 이격된 것을 특징으로 한다.It further comprises a second laser absorbing layer formed to overlap with the pad, wherein the first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer are spaced apart from each other.
상기 제1레이저 흡수층과 상기 패드는 서로 이격된 것을 특징으로 한다.The first laser absorbing layer and the pad are spaced apart from each other.
상기 레이저 흡수층은 300nm이하의 파장대를 가지는 레이저를 90%이상 흡수하는 것을 특징으로 한다. The laser absorption layer is characterized in that it absorbs 90% or more of a laser having a wavelength band of 300 nm or less.
상기 레이저 흡수층은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 몰리티타늄(MoTi) 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The laser absorbing layer is characterized in that it is made of at least one of indium-tin-oxide (ITO) and molitanium (MoTi).
중앙의 제1영역과, 상기 제1영역의 양측에 각각 위치되는 제2영역을 포함하며 기판 상에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층의 상부로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막의 상부로 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부로 형성되며 상기 제2영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체 콘택홀을 포함하는 층간 절연막과, 상기 제1 및 제2반도체 콘택홀을 통해 노출된 상기 제2영역과 접촉하는 소스및 드레인 전극을 포함하고, 상기 기판은 플렉서블 기판이고, 상기 절연막은 상기 층간 절연막인 것을 특징으로 한다.A semiconductor layer formed on a substrate, including a first central region and a second region positioned on both sides of the first region, a gate insulating film formed above the semiconductor layer, and a gate formed above the gate insulating film An interlayer insulating layer including an electrode, first and second semiconductor contact holes formed above the gate electrode and respectively exposing the second region, and the second layer exposed through the first and second semiconductor contact holes And source and drain electrodes in contact with a region, wherein the substrate is a flexible substrate, and the insulating layer is the interlayer insulating layer.
상기 제1레이저 흡수층을 통해 상기 보조전극과 전기적으로 연결되는 구동 IC를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it further comprises a driving IC electrically connected to the auxiliary electrode through the first laser absorption layer.
상기 유기발광다이오드는 제1전극과, 유기발광층 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층은 상기 제1전극과 동일층에 동일물질로 형성된 특징으로 한다.The organic light-emitting diode includes a first electrode, an organic light-emitting layer, and a second electrode, and the first laser absorption layer is formed of the same material on the same layer as the first electrode.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은, 유기발광다이오드가 형성되는 표시영역과 비표시영역이 구분된 기판 상의 상기 비표시영역 상에 절연물질로 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막 상에 패드를 형성하는 단계; 및 상기 절연막을 덮도록 제1레이저 흡수층을 형성하는 단계를 포함한다.Meanwhile, a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming an insulating film of an insulating material on the non-display area on a substrate in which a display area in which an organic light emitting diode is formed and a non-display area are separated. Wow; Forming a pad on the insulating layer; And forming a first laser absorbing layer to cover the insulating layer.
상기 패드의 상부로 상기 패드를 노출시키는 패드콘택홀을 구비한 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 패드콘택홀을 통해 상기 패드와 접촉하는 보조전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층은 상기 층간절연막을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.Forming an interlayer insulating layer having a pad contact hole exposing the pad above the pad, and forming an auxiliary electrode contacting the pad through the pad contact hole, the first laser The absorption layer is characterized in that it is formed to cover the interlayer insulating film.
상기 제1레이저 흡수층을 형성할 시에 상기 보조전극과 중첩하는 제2레이저 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층, 그리고 상기 제1레이저 흡수층과 상기 보조전극은 서로 이격된 것을 특징으로 한다.Forming a second laser absorbing layer overlapping with the auxiliary electrode when forming the first laser absorbing layer, the first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer, and the first laser absorbing layer and the auxiliary The electrodes are characterized in that they are spaced apart from each other.
상기 제1레이저 흡수층을 형성할 시에 동시에 상기 패드와 중첩되는 제2레이저 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층, 그리고 상기 제1레이저 흡수층과 상기 패드는 서로 이격된 것을 특징으로 한다.Forming a second laser absorbing layer overlapping with the pad at the same time when forming the first laser absorbing layer, wherein the first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer, and the first laser absorbing layer and the pad Is characterized by being spaced apart from each other.
상기 레이저 흡수층은 300nm이하의 파장대를 가지는 레이저를 90%이상 흡수할 수 있는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 몰리티타늄(MoTi) 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The laser absorption layer is characterized in that it is made of at least one of indium-tin-oxide (ITO) and molitanium (MoTi) capable of absorbing 90% or more of a laser having a wavelength of 300 nm or less.
상기 표시영역 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 상부로 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막의 상부로 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 상부로 상기 반도체층의 제2영역을 각각 노출시키는 제1및 제2반도체 콘택홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2반도체 콘택홀을 통해 상기 제2영역과 각각 접촉하는 소스 및드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a semiconductor layer on the display area, forming a gate insulating layer over the semiconductor layer, forming a gate electrode over the gate insulating layer, and forming the semiconductor layer over the gate electrode Forming an interlayer insulating film including first and second semiconductor contact holes each exposing the second regions of, and source and drain electrodes respectively contacting the second regions through the first and second semiconductor contact holes It characterized in that it further comprises the step of forming.
베이스기판 상에 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층의 상부로 고분자 물질을 도포하여 플렉서블층을 형성하는 단계및 상기 희생층을 이용하여 상기 플렉서블층을 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Forming a sacrificial layer on a base substrate, forming a flexible layer by applying a polymer material to the top of the sacrificial layer, and peeling off the flexible layer by using the sacrificial layer. do.
상기 제2레이저 흡수층의 상부로 구동 IC를 본딩시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. And bonding a driving IC to an upper portion of the second laser absorbing layer.
상기 유기발광다이오드가 형성된 기판 전면에 상기 유기발광다이오드를 보호하기 위한 봉지층을 형성하는 단계와, 상기 비표시영역에 레이저를 조사하여 상기 비표시영역에 형성된 봉지층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Forming an encapsulation layer for protecting the organic light-emitting diode on the entire surface of the substrate on which the organic light-emitting diode is formed, and removing the encapsulation layer formed in the non-display area by irradiating a laser to the non-display area. It features.
상기 유기발광다이오드를 형성하는 단계는, 화소영역 별로 제1전극을 형성하는 단계와, 상기 제1전극의 상부로 상기 유기발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기발광층이 형성된 기판 전면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1레이저 흡수층은 상기 제1전극이 형성되는 단계에서 형성되는 것을 특징으로 한다.
The forming of the organic light-emitting diode includes forming a first electrode for each pixel area, forming the organic light-emitting layer over the first electrode, and forming a second electrode on the entire surface of the substrate on which the organic light-emitting layer is formed. And forming, wherein the first laser absorbing layer is formed in the step of forming the first electrode.
본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법에 따르면, 봉지층을 형성하기 전에 레이저를 흡수할 수 있는 레이저 흡수층을 비표시영역에 형성시킴으로써 비표시영역의 봉지층을 레이저를 통해 효과적으로 제거할 수 있게 된다. According to the organic light emitting diode display device and its manufacturing method according to the present invention, the encapsulation layer in the non-display area can be effectively removed through the laser by forming a laser absorbing layer capable of absorbing the laser in the non-display area before forming the encapsulation layer. You will be able to.
이를 통해 레이저를 조사함으로써 발생될 수 있는 들뜸현상이 방지되고, 공정을 단순화하며 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
Through this, there is an advantage in that the excitation phenomenon that may occur by irradiating the laser is prevented, the process is simplified, and the cost can be reduced.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 표시영역과 비표시영역을 개략적으로 도시한 도면.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오 표시장치의 제조공정을 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 비표시영역의 다른 예를 도시한 도면.
도 5는 물질별 레이저 흡수율을 보여주는 그래프. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically illustrating a display area and a non-display area in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3A to 3H are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a view showing another example of a non-display area in an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph showing the laser absorption rate for each material.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 표시영역과 비표시영역을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a display area and a non-display area in an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention. It is a drawing.
도시된 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(100)는 다수의 화소영역(미도시)을 포함하며 화상을 구현하는 표시영역(AA)과 표시영역(AA)을 테두리하며 구동을 위한 IC(미도시)와 구동인쇄회로기판(미도시)이 연결되기 위한 패드부(PA)를 포함하는 비표시영역(NAA)으로 구분된다. As shown, the organic light emitting
이와 같은 유기발광다이오드 표시장치(100)는 다수의 화소영역 각각에 대응하여 구동 박막트랜지스터(DTr), 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 유기발광다이오드(E)가 형성된 제1기판(110)을 포함한다. 이때, 도면 상에 도시하지는 않았지만 인캡슐레이션을 위한 제2기판과 제2기판의 전면으로 구비되는 보호필름이 더 포함될 수 있다. The organic light emitting
여기서, 도시하지는 않았지만 다수의 화소영역 각각은 제1방향을 따라 형성되는 게이트 배선과 이와 교차하는 제2방향을 따라 형성되는 데이터 배선에 의해 정의된다. 그리고, 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에는 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성된다. 이에 대해서는 하기에서 보다 상세히 설명한다.Here, although not shown, each of the plurality of pixel regions is defined by a gate line formed along a first direction and a data line formed along a second direction crossing the gate line. In addition, a switching thin film transistor and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor are formed at the intersection of the gate wiring and the data wiring. This will be described in more detail below.
상기 제1기판(110) 및 제2기판(미도시)은 서로 이격된 상태로 이의 가장자리부에 형성된 실패턴(seal pattern, 미도시)을 통해 봉지되어 합착되거나 Face seal 등의 전면 합착 등의 방법으로 합착됨으로서 표시패널을 이룬다. The
여기서, 하부기판이라 불리는 제1기판(110)과 상부기판 또는 인캡슐레이션기판이라 불리는 제2기판(미도시)은 얇은 플렉서블(flexibility) 기판일 수 있다. Here, the
이때, 플렉서블(flexibility) 기판은 폴리 에테르 술폰(Polyethersulfone :PES), 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate : PEN), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate : PET), 폴리 카보네이트(polycarbonate : PC) 및 폴리 이미드(polyimide : PI) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.At this time, the flexible substrate is polyethersulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyimide ( polyimide: PI) can be made of any one.
제1기판(110) 상에는 무기절연물질, 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(111)이 형성된다. A
여기서, 버퍼층(111)은 기판(110)의 표면 특성을 향상시켜 박막의 증착율을 개선시키는 역할을 하는 것으로, 생략될 수 있다. Here, the
그리고, 버퍼층(111)이 형성된 제1기판(110) 상의 표시영역(AA)에는 반도체층(113)이 형성되는데, 반도체층(113)은 구동영역에 대응하여 실리콘으로 이루어진다. In addition, a
상기 반도체층(113)은 그 중앙에 위치되며 채널을 이루는 제1영역(113a)과, 그리고 상기 제1영역(113a) 양측으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2영역(113b)을 포함한다. The
이러한 반도체층(113)의 상부로는 게이트 절연막(116)이 형성된다. A
그리고 게이트 절연막(116)이 형성된 제1기판(110) 상부로는 반도체층(113)의 제1영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되고, 비표시영역(NAA)에는 게이트 배선(미도시)의 일 끝단과 연결되는 게이트 패드(122)가 형성된다. Further, a
게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 및 게이트 패드(122) 위로 전면에 층간절연막(123)이 형성된다. An interlayer insulating
여기서, 층간절연막(123)과 하부의 게이트 절연막(116)에는 제1영역(113a)의 양측에 위치한 제2영역(113b)을 노출시키는 제1 및 제2반도체층 콘택홀(124, 125)이 구비된다. 이때 비표시영역(NAA)의 층간절연막(123)에는 게이트 패드(122)를 일부 노출시키는 패드콘택홀(126)이 구비된다. Here, the
이러한 층간절연막(123)의 상부로는 제1 및 제2반도체층 콘택홀(124, 125)을 통해 노출된 제2영역(113b)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 패드콘택홀(126)을 통해 노출된 게이트 패드(122)와 접촉하는 보조전극(138)이 형성된다. Source and
또한 도시하지는 않았지만, 층간절연막(123)의 상부에는 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선(미도시)과, 이와 이격하는 전원배선(미도시)이 형성된다. 또한 이들 배선과 함께 데이터 배선(미도시)의 일 끝단과 연결되는 데이터 패드(미도시)가 비표시영역(NAA)에 형성될 수 있다. Further, although not shown, a data line (not shown) defining a pixel region crossing the gate line (not shown) and a power line (not shown) spaced apart from the gate line (not shown) are formed on the
여기서, 제1기판(110) 상에 형성된 반도체층(113)과, 게이트 절연막(116)과, 게이트 전극(120)과, 층간 절연막(123) 및 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이룬다. 이때 도면에 도시하지는 않았지만, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 구동 박막트랜지스터(DTr)의 구성과 동일한 구성을 가진다. 한편, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시)은 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)과 연결되고, 소스 전극(미도시)은 게이트 배선(미도시)과 교차하여 형성되는 데이터 배선(미도시)과 연결된다.Here, the
상기 데이터 배선(미도시)과 소스 및 드레인 전극(133,136) 및 이들 사이로 노출된 층간절연막(123)의 상부로는 무기절연물질로 이루어진 제1보호층(140)과 유기절연물질로 이루어지며 평탄한 표면을 가지는 제2보호층(142)이 형성된다. 이때, 제1보호층(140) 및 제2보호층(142) 중에서 하나는 생략 가능하다. The data line (not shown), the source and drain
상기 제1 및 제2보호층(140, 142)에는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)과 비표시영역(NAA)에 있어서 보조전극(138a, 138b)과 층간절연막(123)을 노출시키는 개구홀(144)이 구비된다. The first and second
상기 제2보호층(142)의 상부에는 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉되는 제1전극(147)이 형성된다. 이때 제1전극(147)은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. A
그리고, 동시에 비표시영역(NAA)에는 개구홀을 통해 보조전극(138) 및 층간절연막(123)과 접촉하는 레이저 흡수층(149)이 형성된다. At the same time, in the non-display area NAA, a
여기서 레이저 흡수층(149)은 보조전극(138)과 중첩하는 제1레이저 흡수층(149a)과 층간절연막(123)과 중첩하는 제2레이저 흡수층(149b)을 포함하는데, 제1레이저 흡수층(149a)과 제2레이저 흡수층(149b)는 서로 이격되어 형성되며, 제2레이저 흡수층(149b)은 보조전극(138)과 이격되어 형성된다. 이는 제1레이저 흡수층(149a)의 상부로 구동 IC(미도시)가 본딩되기 때문에 제2레이저 흡수층(149b)과 보조전극(138) 간의 전기적인 연결을 방지하기 위함이다. Here, the
또한, 제2레이저 흡수층(149b)은 이와 이격된 보조전극(138)과의 이격거리가 최소가 되도록 함으로써 층간절연막(123)을 거의 덮도록 형성됨이 바람직하다. In addition, it is preferable that the second
이를 부연 설명하면, 제2레이저 흡수층(149b)은 레이저를 흡수하기 위한 구성부로, 만약 제2레이저 흡수층(149b)을 통해 하부의 층간절연막이 노출될 경우, 노출된 층간절연막을 통해 레이저가 통과될 수 있기 때문에 비표시영역에 노출된 층간절연막이 가려질 수 있도록 형성됨이 바람직하다. To further explain this, the second
여기서, 본 발명에서 사용되는 레이저는 300nm 이하의 딥 자외선(deep UV) 파장대를 가지는 것으로, 248nm를 가지는 엑시머(excimer) 레이저장치를 통해 출사된 레이저임이 가장 바람직하다. 이는 레이저 흡수층(149)으로 적용되는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 몰리티타늄(MoTi)이 248nm의 레이저 파장을 90%이상 흡수하기 때문이다. Here, the laser used in the present invention has a deep UV wavelength band of 300 nm or less, and is most preferably a laser emitted through an excimer laser device having 248 nm. This is because indium-tin-oxide (ITO) or molitanium (MoTi) applied as the
한편, 300nm 이상의 파장대를 가지는 레이저가 조사될 경우, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 몰리티타늄(MoTi)으로 형성되는 레이저 흡수층(149)의 막 유실이 발생되며, 레이저 흡수층(149)이 본래의 기능(레이저 흡수)을 수행할 수 없게 되는 문제점이 있다. On the other hand, when a laser having a wavelength band of 300 nm or more is irradiated, a film loss of the
한편, 제1전극(147)은 제1층과 제2층의 이중층 구조로 형성될 수 있는데, 제1층은 반사판의 역할을 수행하고, 제2층은 애노드 전극의 역할을 수행할 수 있다. Meanwhile, the
이때, 제1층은 반사효율이 우수한 금속물질, 예를들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 이루어져 제1전극(147) 상부로 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛을 상부로 반사시킴으로써 발광효율을 향상시키는 역할을 한다.At this time, the first layer is made of a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or silver (Ag), and reflects light emitted from the organic
그리고 제2층은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질, 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. In addition, the second layer may be made of a transparent conductive material having a relatively large work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).
이와 같이 제1전극(147)이 이중층 구조를 가질 경우, 레이저 흡수층(149) 또한 제1전극(147)과 마찬가지로 이중층 구조를 가질 수 있다. As described above, when the
한편 레이저 흡수층(149)은, 일예로 몰리티타늄(MoTi)으로 형성될 수 있다. 이를 위해 제1전극(147)을, 전술한 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)가 아닌 몰리티타늄(MoTi)을 적용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 얇은 두께로 몰리티타늄을 증착함이 바람직하다. 또는 제1전극(147)을 형성할 시에 함께 형성하지 않고, 제1전극(147)이 형성된 후에 형성될 수도 있다. Meanwhile, the
또한, 도면에 나타내지는 않았지만 제1레이저 흡수층(149a)의 상부로는 구동 IC가 본딩된다. 이에 따라 구동 IC는 제1레이저 흡수층(149a)을 통해 보조전극(138)과 전기적으로 연결되게 된다. Further, although not shown in the drawing, the driving IC is bonded to the upper portion of the first
이와 같은 제1전극(147)의 상부로 각 화소영역의 경계에는 각 화소영역을 둘러싸며 제1전극(147)의 테두리와 중첩하는 버퍼패턴(150)이 형성된다. A
여기서 버퍼패턴(150)은 일반적인 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를 들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다. Here, the
제1전극(147) 상부로는 유기발광층(155)이 형성되는데, 유기발광층(155)은 각 화소영역을 경계하는 버퍼패턴(150)을 통해 구분될 수 있게 된다. An
상기 유기발광층(155)은 적색, 녹색 및 청색을 각각 발광하는 발광패턴이 각 화소영역 별로 형성됨으로써 구성될 수 있으며, 화이트를 발광하는 발광패턴이 추가될 수도 있다. The organic light-emitting
이때, 유기발광층(155)은 각 화소영역 별로 형성되는 적색, 녹색 및 청색 각각의 발광패턴 두께를 달리하여 형성할 수 있는데, 일예로 적색을 발광하는 적색 발광패턴의 경우 55nm 내지 65nm 정도의 두께를 가지고, 녹색 발광패턴의 경우 40nm 내지 50nm 정도의 두께를 가지며, 청색 발광패턴의 경우 35nm 내지 45nm 정도의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. In this case, the
또한, 이와 같은 유기발광층(155)은 단일층으로 구성될 수 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.In addition, the organic
이러한 유기 발광층(155) 상부로는 전면에 제2전극(158)이 형성된다. A
상기 제2전극(158)은 캐소드(cathode) 전극 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질, 일예로 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴 중 하나로 이루어질 수 있다.The
전술한 제1, 2전극(147, 158)과 그 사이에 형성된 유기 발광층(155)은 유기발광다이오드(E)를 이룬다.The above-described first and
이때, 유기발광다이오드(E)는 유기발광층(155)에서 발광된 빛이 제2전극(158)을 통해 방출되는 상부 발광방식(top emission type)으로 구동될 수 있는데, 이에 한정되지 않고 유기발광층(155)에서 발광된 빛이 제1전극(147)을 통해 방출되는 하부 발광방식(bottom emission type)으로 구동되도록 구성할 수도 있다. 이 경우, 전술한 이중층 구조의 제1전극에서 반사판으로 작용하는 제1층은 포함되지 않게 된다. In this case, the organic light emitting diode E may be driven in a top emission type in which light emitted from the organic
다음으로 제2전극(158)이 형성된 제1기판(110) 전면에 유기발광다이오드(E)를 밀봉하기 위한 제1봉지층 내지 제3봉지층(161, 162, 163)이 형성될 수 있다. Next, first to third encapsulation layers 161, 162, and 163 for sealing the organic light emitting diode E may be formed on the entire surface of the
여기서, 제1봉지층 내지 제3봉지층(161, 162, 163)은 대기중의 수분, 산소, 먼지 등과 같은 이물질이 유기발광다이오드(E)로 침투하지 않도록 유기발광다이오드(E)를 보호하는 역할을 함과 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다. Here, the first to third encapsulation layers 161, 162, and 163 protect the organic light-emitting diode E so that foreign substances such as moisture, oxygen, and dust in the atmosphere do not penetrate into the organic light-emitting diode E. At the same time, it plays a role in flattening the surface.
이러한 제1봉지층 내지 제3봉지층(161, 162, 163)은 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어질 수 있다. The first to third encapsulation layers 161, 162, and 163 may be made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or aluminum oxide (Al2O3).
한편, 도면 상에는 다층 구조를 가지는 제1봉지층 내지 제3봉지층(161, 162, 163)이 도시되었지만, 이에 한정되지 않고 단일층으로 구성될 수도 있다.
Meanwhile, although the first to third encapsulation layers 161, 162, and 163 having a multilayer structure are illustrated in the drawings, the present invention is not limited thereto and may be configured as a single layer.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오 표시장치의 제조공정을 도시한 단면도로, 도 1을 참조한다.3A to 3H are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and refer to FIG. 1.
우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(101)을 준비하고, 베이스 기판(101) 상에 희생층(103)을 증착한 후, 고분자 물질, 일예로 폴리이미드(polyimide:PI)를 도포하여 플렉서블층(110)을 형성한다. First, as shown in FIG. 3A, a
여기서, 베이스 기판(101)은 지지기판의 역할을 하는 것으로, 최종적으로 플렉서블 기판을 제조하기 위한 후속공정을 위해 얇은 플렉서블층이 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 그 형태가 고정되도록 플렉서블층(110)을 안정적으로 지지하는 역할을 한다. 이러한 베이스 기판(101)을 통해 플렉서블층(110)의 취급이 용이해지며 후속 공정이 보다 정밀하고 안정적으로 진행될 수 있게 된다. Here, the
이를 위한 베이스기판(101)은 투명하면서 내열성이 우수한 판상의 유리 또는 석영 등의 투명 무기 성형물로 이루어질 수 있다. For this, the
희생층(103)은 아모포스 실리콘이나 폴리실리콘 재질로 형성될 수 있다. The
고분자 물질은 폴리이미드에 한정되지 않고, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone:PES), 폴리 카보네이트(polycarbonate:PC) 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate:PEN), 폴리이미드폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate:PET) 및 폴리염화비닐(polyvinyl chloride:PVC) 중에서 선택된 적어도 하나 물질로 이루어질 수 있다.The polymeric material is not limited to polyimide, but polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC) polyethylene naphthalate (PEN), polyimide polyethylene terephthalate (PET), and polyvinyl chloride It may be made of at least one material selected from (polyvinyl chloride:PVC).
그리고, 플렉서블층(110) 상에 무기절연물질, 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 버퍼층(111)을 형성한다. Then, an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the
그리고, 버퍼층(111)이 형성된 플렉서블층(110) 상에 비정질실리콘을 증착하고, 포토레지스트를 도포한 후, 마스크를 통한 노광을 진행한다. 그리고 노광된 포토레지스트를 현상하고, 현상 후 남아 있는 포토레지스트의 외부로 노출된 비정질실리콘층을 식각하는 마스크 공정을 통한 패터닝을 진행함으로써 반도체층(113)을 형성한다.Then, amorphous silicon is deposited on the
이때, 반도체층(113)의 탈수소 과정을 거쳐 열처리를 통해 폴리실리콘으로 결정하는 공정이 더 포함된다. In this case, a process of determining polysilicon through heat treatment through a dehydrogenation process of the
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 반도체층(113)이 형성된 플렉서블층(110) 상에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO₂)과 같은 절연물질을 증착하여 게이트 절연막(116)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 3B, an insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO₂) is deposited on the
그리고, 게이트 절연막(116)의 상부에 제1금속층(미도시)을 증착하고, 마스크 공정을 진행하여 반도체층(113)의 제1영역(도 1의 113a) 상부로 게이트 전극(120)과, 게이트 배선(미도시)의 일 끝단과 연결되는 게이트 패드(122)를 형성한다. Then, a first metal layer (not shown) is deposited on the
여기서, 제1금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta) 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 단일층 또는 이중층 이상의 다층구조로 형성할 수 있다. 또는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta) 및 몰리브덴(Mo) 중 하나에 칼슘(Ca), Mg(마그네슘), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 망간(Mn), 지르코늄(Zr), 카드뮴(Cd), 금(Au), 은(Ag), 코발트(Co), 인(In), 탄탈(Ta), 하프늄(Hf), 텅스텐(W) 및 크롬(Cr) 중 하나 이상이 포함된 합금으로 이루어질 수도 있다.Here, the first metal layer is aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta), and molybdenum (Mo). One or two or more materials selected from may be deposited to form a single layer or a multilayer structure of a double layer or more. Or aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta) and molybdenum (Mo) in one of calcium ( Ca), Mg (magnesium), zinc (Zn), titanium (Ti), molybdenum (Mo), nickel (Ni), manganese (Mn), zirconium (Zr), cadmium (Cd), gold (Au), silver ( Ag), cobalt (Co), phosphorus (In), tantalum (Ta), hafnium (Hf), tungsten (W), and may be made of an alloy containing at least one of chromium (Cr).
다음으로 도 3c를 참조하면, 게이트 전극(120) 및 게이트 배선(미도시) 외부로 노출된 게이트 절연막(116)을 식각하여 기판(110) 상에 적정 도즈량을 갖는 이온주입에 의해 n+ 또는 p+ 도핑을 실시한다. Next, referring to FIG. 3C, the
이때, 반도체층(113)에 있어서 게이트 전극(120)에 의해 이온주입이 블록킹된 영역은 제1영역(113a)을 형성하고, 그 외의 이온주입된 영역은 제2영역(113b)을 형성함으로써 제1영역(113a)과 제2영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)이 완성된다. In this case, a
다음으로 게이트 전극(120)이 형성된 플렉서블층(110) 전면에 무기절연물질, 일예로 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝을 진행함으로써 게이트 전극(120) 양측의 제2영역(113b)을 각각 노출시키는 제1, 제2반도체층 콘택홀(124, 125)과 게이트 패드(122)를 노출시키는 패드콘택홀(126)을 구비하는 층간절연막(123)을 형성한다. Next, an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the entire surface of the
그리고, 층간절연막(123)이 형성된 플렉서블층(110) 전면에 제2금속층을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써 제1, 2반도체층 콘택홀(124, 125)을 통해 제2영역(113b)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 패드콘택홀(126)을 통해 게이트패드(122)와 접촉하는 보조전극(138)을 형성한다. In addition, a second metal layer is deposited on the entire surface of the
이때 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 게이트 전극(120)을 사이에 두고 서로 이격하게 위치된다. In this case, the source and drain
또한, 동시에 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선(미도시)과, 이와 이격하는 전원배선(미도시)이 형성되며, 데이터 배선(미도시)의 일 끝단과 연결되는 데이터 패드(미도시)가 비표시영역(NAA)에 형성될 수 있다. In addition, a data line (not shown) that crosses the gate line (not shown) to define a pixel region, and a power line (not shown) spaced apart from the gate line (not shown) is formed, and is connected to one end of the data line (not shown). A data pad (not shown) may be formed in the non-display area NAA.
상기 제2금속층은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta) 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 단일층 또는 이중층 이상의 다층구조로 형성할 수 있다. 또는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta) 및 몰리브덴(Mo) 중 하나에 칼슘(Ca), Mg(마그네슘), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 망간(Mn), 지르코늄(Zr), 카드뮴(Cd), 금(Au), 은(Ag), 코발트(Co), 인(In), 탄탈(Ta), 하프늄(Hf), 텅스텐(W) 및 크롬(Cr) 중 하나 이상이 포함된 합금으로 이루어질 수도 있다.The second metal layer is aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta), and molybdenum (Mo). One or two or more materials selected from may be deposited to form a single layer or a multilayer structure of a double layer or more. Or aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta) and molybdenum (Mo) in one of calcium ( Ca), Mg (magnesium), zinc (Zn), titanium (Ti), molybdenum (Mo), nickel (Ni), manganese (Mn), zirconium (Zr), cadmium (Cd), gold (Au), silver ( Ag), cobalt (Co), phosphorus (In), tantalum (Ta), hafnium (Hf), tungsten (W), and may be made of an alloy containing at least one of chromium (Cr).
다음 도 3d에 도시된 바와 같이, 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성된 플렉서블층(110) 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO₂)과 같은 무기절연물질을 증착하고, 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 같은 유기절연물질을 도포하여 제1보호층(140)과 제2보호층(142)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 3D, an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO₂) is deposited on the entire surface of the
이후 마스크 공정을 진행함으로써 제1 및 제2보호층(140, 142)에는 드레인 전극(136)을 노출하는 드레인 콘택홀(143)과, 비표시영역(NAA)의 보조전극(138)과 층간절연막(123)을 노출하는 개구홀(144)이 형성된다. Thereafter, by performing a mask process, the
다음으로 제2보호층(142) 상부로 일함수 값이 비교적 높은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 수천 Å정도의 두께를 갖도록 증착하고 패터닝함으로써 각 화소영역 별로 드레인 콘택홀(143)을 통해 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제1전극(147)을 형성한다. Next, by depositing and patterning indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), a transparent conductive material having a relatively high work function, to have a thickness of several thousand Å over the second protective layer 142 A
또한 제1전극(147)과 동시에, 비표시영역(NAA)의 보조전극(138) 및 이의 양측으로 노출된 층간절연막(123)과 각각 접촉하며 서로 이격된 레이저 흡수층(149)을 형성한다. Also, at the same time as the
여기서 레이저 흡수층(149)은, 보조전극(138)과 중첩하는 제1레이저 흡수층(149a)과 층간절연막(123)과 중첩하는 제2레이저 흡수층(149b)을 포함한다. Here, the
한편, 레이저 흡수층(149)은 제1전극(147)과 동일한 물질이 아닌 다른 물질로 형성될 수도 있다. 이를 보다 상세히 설명하면, 상기 3d 단계에서 마스크공정을 통해 표시영역(AA)의 화소영역별로 제1전극(147)을 형성한 후, 제1전극(147)이 형성된 플렉서블층(110) 상에 몰리티타늄(MoTi)를 도포하고 마스크공정을 진행함으로써 비표시영역(NAA)의 보조전극(138) 및 이의 양측으로 노출된 층간절연막(123)과 각각 접촉하며 서로 이격된 레이저 흡수층(149)을 형성할 수도 있다. Meanwhile, the
즉, 레이저 흡수층(149)은 제1전극(147)과 동일한 물질로 형성할 경우, 제1전극(147)을 형성하는 공정에서 같이 형성하면 되므로, 레이저 흡수층(149)을 위한 별도의 마스크공정을 추가하지 않아도 되는 이점이 있다. That is, when the
다음으로 도 3e에 도시한 바와 같이, 제1전극(147)의 상부에 감광성 유기절연물질을 도포하고 이를 패터닝함으로써 제1전극(147)과 일부 중첩되는 버퍼패턴(150)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3E, a photosensitive organic insulating material is applied on the top of the
여기서 감광성 유기절연물질은, 예를들면 폴리이미드(poly imide), 포토아크릴(Photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 이에 한정되지 않고 블랙을 나타내는 물질 예를 들면 블랙수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크(gravure), 블랙 스프레이(black spray), 블랙 에나멜(black enamel) 중 하나를 적용할 수도 있다. Here, the photosensitive organic insulating material may be, for example, any one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB). In addition, the present invention is not limited thereto, and one of black resin, graphite powder, gravure ink, black spray, and black enamel may be applied.
상기 버퍼패턴(150)은 플렉서블층(110) 상에 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 각 화소영역이 구분되도록 한다. The
다음으로 버포패턴(150)이 형성된 플렉서블층(110)의 전면에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(155)을 형성한다. Next, the organic light-emitting
유기발광층(155)은 노즐(nozzle)코팅장치, 디스펜싱 장치 또는 잉크젯장치를 이용하여 코팅 및 분사함으로써 플렉서블층(110)의 전면에 형성할 수 있으며, 또는 진공 열증착 방법을 통해 형성할 수 있다.The organic
이때, 진공 열증착 방법은 진공챔버 내부에서 유기발광층(155) 형성을 위한 유기발광물질이 분말상태로 담겨져 있는 도가니(미도시)에 열을 가해 유기발광물질을 가열 승화시켜 증착하는 방법이다. In this case, in the vacuum thermal evaporation method, heat is applied to a crucible (not shown) in which the organic light emitting material for forming the organic
이러한 유기발광층(155)은 단일층으로 구성될 수 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.The organic
또한, 유기발광층(155)은 적, 녹, 청색 화소영역(P1, P2, P3)별로 그 두께를 달리 형성할 수 있는데, 일예로 적색을 발광하는 적색 유기발광층(155)의 경우 55nm 내지 65nm 정도의 두께를 가지고, 녹색 유기발광층(155)의 경우 40nm 내지 50nm 정도의 두께를 가지며, 청색 유기발광층(155)의 경우 35nm 내지 45nm 정도의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. In addition, the
다음으로 유기발광층(155)이 형성된 플렉서블층(110)의 전면에 비교적 일함수 값이 작은 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au) 중 하나를 열증착 또는 이온 빔 증착을 실시하여 제2전극(158)을 형성한다. Next, on the entire surface of the
이때, 제2전극(158)은 유기발광층(155)의 손상을 최소화하기 위하여 저온에서 형성하는 것이 바람직하다. In this case, the
전술한 제1, 제2전극(147, 158)과 이들 사이에 형성된 유기발광층(155)은 유기발광다이오드(E)를 이룬다. The above-described first and
그리고 도 3f에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드(E)의 제2전극(158)이 형성된 플렉서블층(110)의 전면에 절연물질을 증착 또는 도포하여 봉지층(161, 162, 163)을 형성한다. And, as shown in FIG. 3F, an insulating material is deposited or coated on the entire surface of the
상기 봉지층(161, 162, 163)은 유기발광다이오드(E)로 수분이 침투하는 것을 방지하고 보호하며 평탄한 표면을 형성하기 위한 것으로, 단일층 또는 제1봉지층 내지 제3봉지층(161, 162, 163)의 다층 구조로 형성될 수 있다. The encapsulation layers 161, 162 and 163 are for preventing and protecting moisture from penetrating into the organic light-emitting diode E, and forming a flat surface, a single layer or a first encapsulation layer to a
다음 도 3g에 도시된 바와 같이, 플렉서블 기판(110) 상의 비표시영역(NAA)에 대해 레이저를 조사하여 봉지층(161, 162, 163)을 제거한다. Next, as shown in FIG. 3G, the encapsulation layers 161, 162, and 163 are removed by irradiating a laser onto the non-display area NAA on the
이때, 본 발명에서는 비표시영역(NAA)의 봉지층(161, 162, 163) 하부에 레이저 흡수층(149)이 구비됨으로써 레이저가 레이저 흡수층(149)에서 대부분 흡수된다. 이를 통해, 종래 비표시영역(NAA)에 형성된 봉지층을 제거하기 위해 레이저를 조사하는 조사 공정에서 패드부의 구성부가 기판(플렉서블층)으로부터 분리되는 들뜸현상이 방지될 수 있게 된다. In this case, in the present invention, the
이를 보다 상세히 설명하면, 비표시영역(NAA)에서 보조전극이 형성되지 않은 부분에는 층간절연막과 게이트절연막, 버퍼층 및 플렉서블층이 순차적으로 위치되는데, 본 발명에 따른 레이저 흡수층이 없을 경우 레이저는 층간절연막과 게이트절연막 및 버퍼층을 통과하여 플렉서블층까지 침투하게 된다. 이때, 플렉서블층의 레이저 흡수율이 90%이상으로 높기 때문에 봉지층을 다 제거하기도 전에 플렉서블층으로부터 패드부의 구성부가 분리되는 들뜸현상이 발생될 수 있다. 그러나, 본 발명에서는 레이저 흡수율이 90%이상으로 높은 레이저 흡수층을 봉지층 하부에 형성시킴으로써 레이저가 레이저 흡수층에서 대부분 흡수되며, 하부의 층간절연막을 통과하지 못하게 됨으로써 들뜸현상이 방지될 수 있는 것이다. In more detail, in the non-display area (NAA) where the auxiliary electrode is not formed, the interlayer insulating film, the gate insulating film, the buffer layer and the flexible layer are sequentially positioned. In the absence of the laser absorption layer according to the present invention, the laser is an interlayer insulating film. It penetrates into the flexible layer through the gate insulating layer and the buffer layer. At this time, since the laser absorption rate of the flexible layer is as high as 90% or more, an excitation phenomenon in which the components of the pad portion are separated from the flexible layer may occur before the encapsulation layer is completely removed. However, in the present invention, by forming a laser absorbing layer having a high laser absorption rate of 90% or more under the encapsulation layer, most of the laser is absorbed by the laser absorbing layer, and the lifting phenomenon can be prevented by not passing through the lower interlayer insulating layer.
이후, 비표시영역(NAA)의 제1레이저 흡수층(149a) 상부로는 구동 IC(미도시)가 본딩된다. 이와 같이 제1레이저 흡수층(149a)을 통해 구동 IC(미도시)와 보조전극(138)이 서로 전기적으로 연결된다. Thereafter, a driving IC (not shown) is bonded to an upper portion of the first
또한, 베이스 기판(101)의 배면에 레이저빔을 조사하여 희생층(103)인 실리콘막에 탈수소 처리를 함으로써 베이스 기판(101)으로부터 플렉서블층(110)을 분리해내는 박리(release)공정을 진행할 수 있다. In addition, a release process of separating the
이에 따라, 플렉서블층(110)은 플렉서블 기판(110)으로 작용함으로써, 도 3h에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 제작할 수 있게 된다. Accordingly, the
한편, 본 발명에서는 게이트 패드에 대해 레이저 흡수층을 적용한 것을 도시하고, 설명하였지만 데이터 패드에 대해서도 본 발명에 따른 레이저 흡수층을 적용할 수 있다.Meanwhile, in the present invention, a laser absorbing layer is applied to a gate pad and described, but the laser absorbing layer according to the present invention may be applied to a data pad.
이를 도 4를 참조하여 설명한다. This will be described with reference to FIG. 4.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 비표시영역의 다른 예를 도시한 도면이다. 이때, 도 1을 설명하면서 이미 설명하였으므로, 상세한 설명은 생략한다. 4 is a diagram illustrating another example of a non-display area in an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention. At this time, since it has already been described while describing FIG. 1, detailed descriptions are omitted.
도 4에 도시된 바와 같이, 비표시영역(NAA)의 층간절연막(223) 상부에는 데이터 배선(미도시)의 일 끝단과 연결되는 데이터 패드(237)가 형성된다. As shown in FIG. 4, a
이러한 데이터 패드(237)의 상부에는 레이저 흡수층(249)이 형성된다. A
이를 보다 상세히 설명하면, 비표시영역(NAA)에 있어서 게이트 패드(도 1의 122)의 상부로는 보조전극(도 1의 138)이 되고, 이의 상부로 레이저 흡수층(도 1의 149)이 형성되지만, 데이트 패드(237)는 보조전극(도 1의 138)과 동일한 공정에서 동일물질로 동일층에 형성되므로 데이터 패드(237)와 바로 중첩하여 레이저 흡수층(249)이 형성된다. In more detail, in the non-display area (NAA), the upper portion of the gate pad (122 in FIG. 1) becomes an auxiliary electrode (138 in FIG. 1), and a laser absorbing layer (149 in FIG. 1) is formed above the gate pad (122 in FIG. 1). However, since the
한편, 이상에서 설명한 본 발명에 따른 레이저 흡수층(149, 249)은 보조전극(도 1의 138) 또는 데이터패드(237)와 중첩되어 형성되는 제1흡수층(149a, 249a)과, 절연막(123, 223)의 상부로 형성되는 제2흡수층9149b, 249b)이 모두 형성되는 것으로 설명하였지만, 제1흡수층(149a, 249a)은 생략될 수도 있다. 이는 게이트 패드와 이의 상부에 형성되는 보조전극 또는 데이터 패드는 금속물질로 이루어지기 때문이다. 즉, 레이저는 금속물질을 통과하지 못하고 반사되므로 금속물질의 하부로 침투하지 못하게 된다.
Meanwhile, the
도 5는 물질별 레이저 흡수율을 보여주는 그래프이다. 5 is a graph showing the laser absorption rate for each material.
이하에서는, 도 4와 하기 표 1을 참조하여 설명한다. Hereinafter, it will be described with reference to FIG. 4 and Table 1 below.
Laser Type
248nm를 가지는 레이저에 대해 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 몰리티타늄(MoTi)의 레이저 흡수율이 90%이상으로 높임을 알 수 있다. It can be seen that the laser absorption rate of indium-tin-oxide (ITO) or molitanium (MoTi) is increased to 90% or more for a laser having 248 nm.
따라서, 본 발명에서는 들뜸현상을 방지하며 비표시영역(NAA)에 형성된 봉지층을 레이저를 통해 제거하기 위해, 레이저 흡수층(149)으로 248nm를 가지는 레이저를 90% 이상으로 흡수할 수 있는 물질, 일예로 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 몰리티타늄(MoTi)을 사용할 수 있다.
Therefore, in the present invention, in order to prevent the lifting phenomenon and to remove the encapsulation layer formed in the non-display area (NAA) through a laser, a material capable of absorbing more than 90% of a laser having 248 nm as the
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiments of the present invention described above are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains may be freely modified within the scope of the gist of the present invention. Accordingly, the scope of protection of the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and equivalents thereto.
100: 유기발광다이오드 표시장치
122: 게이트 패드 138: 보조전극
149: 레이저 흡수층 149a: 제1레이저 흡수층
149b: 제2레이저 흡수층 161: 제1봉지층
162: 제2봉지층 163: 제3봉지층100: organic light emitting diode display
122: gate pad 138: auxiliary electrode
149:
149b: second laser absorption layer 161: first encapsulation layer
162: second encapsulation layer 163: third encapsulation layer
Claims (21)
상기 표시영역에 형성된 유기발광다이오드와;
상기 비표시영역에 형성된 절연막과;
상기 절연막 상에 형성된 패드와;
상기 절연막을 덮도록 형성되는 제1레이저 흡수층
을 포함하며,
상기 패드와 중첩되어 형성되는 제2레이저 흡수층을 더 포함하고,
상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층은 서로 이격되며,
상기 제 1 및 제 2 레이저 흡수층은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 몰리티타늄(MoTi) 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드표시장치.
In the organic light emitting diode display device comprising a display area and a non-display area,
An organic light emitting diode formed in the display area;
An insulating film formed in the non-display area;
A pad formed on the insulating layer;
A first laser absorbing layer formed to cover the insulating layer
Including,
Further comprising a second laser absorbing layer formed by overlapping with the pad,
The first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer are spaced apart from each other,
The first and second laser absorbing layers are formed of at least one of indium-tin-oxide (ITO) and molitanium (MoTi).
상기 패드의 상부로 상기 패드를 노출시키는 패드콘택홀을 구비하는 층간절연막과,
상기 패드콘택홀을 통해 상기 패드와 접촉하며 형성된 보조전극을 더 포함하고,
상기 제1레이저 흡수층은 상기 층간절연막을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
An interlayer insulating layer having a pad contact hole exposing the pad above the pad,
Further comprising an auxiliary electrode formed in contact with the pad through the pad contact hole,
The organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer is formed to cover the interlayer insulating layer.
상기 제 2 레이저 흡수층은 상기 보조전극과 중첩되어 형성되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
The second laser absorbing layer is formed by overlapping the auxiliary electrode.
상기 제1레이저 흡수층과 상기 보조전극은 서로 이격된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
The organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer and the auxiliary electrode are spaced apart from each other.
상기 제1레이저 흡수층과 상기 패드는 서로 이격된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer and the pad are spaced apart from each other.
상기 제 1 및 제 2 레이저 흡수층은 300nm이하의 파장대를 가지는 레이저를 90%이상 흡수하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The first and second laser absorption layers absorb 90% or more of a laser having a wavelength of 300 nm or less.
중앙의 제1영역과, 상기 제1영역의 양측에 각각 위치되는 제2영역을 포함하며 기판 상에 형성된 반도체층과,
상기 반도체층의 상부로 형성된 절연막과,
상기 절연막의 상부로 형성된 게이트 전극과,
상기 게이트 전극의 상부로 형성되며 상기 제2영역을 각각 노출시키는 제1 및 제2반도체 콘택홀을 포함하는 상기 층간절연막과,
상기 제1 및 제2반도체 콘택홀을 통해 노출된 상기 제2영역과 접촉하는 소스및 드레인 전극을 포함하고,
상기 기판은 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
A semiconductor layer formed on the substrate, comprising a central first region and a second region respectively positioned on both sides of the first region,
An insulating film formed over the semiconductor layer,
A gate electrode formed on the insulating layer,
The interlayer insulating layer formed on the gate electrode and including first and second semiconductor contact holes each exposing the second region;
A source and drain electrode in contact with the second region exposed through the first and second semiconductor contact holes,
The organic light emitting diode display device, wherein the substrate is a flexible substrate.
상기 제2레이저 흡수층을 통해 상기 보조전극과 전기적으로 연결되는 구동 IC를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
And a driving IC electrically connected to the auxiliary electrode through the second laser absorption layer.
상기 유기발광다이오드는 제1전극과, 유기발광층 및 제2전극을 포함하고,
상기 제1레이저 흡수층은 상기 제1전극과 동일층에 동일물질로 형성된 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode includes a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode,
The organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer is formed of the same material on the same layer as the first electrode.
상기 절연막 상에 패드를 형성하는 단계; 및
상기 절연막을 덮도록 제1레이저 흡수층을 형성하는 단계
를 포함하며,
상기 제1레이저 흡수층을 형성할 시에 동시에 상기 패드와 중첩되는 제2레이저 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층은 서로 이격되며,
상기 제 1 및 제 2 레이저 흡수층은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 몰리티타늄(MoTi) 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
Forming an insulating layer of an insulating material on the non-display area on a substrate in which the display area and the non-display area in which the organic light emitting diode is formed are divided;
Forming a pad on the insulating layer; And
Forming a first laser absorbing layer to cover the insulating layer
Including,
Further comprising forming a second laser absorbing layer overlapping with the pad at the same time when forming the first laser absorbing layer,
The first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer are spaced apart from each other,
The first and second laser absorbing layers are made of at least one of indium-tin-oxide (ITO) and molitanium (MoTi).
상기 절연막을 포함하는 상기 패드의 상부로 상기 패드를 노출시키는 패드콘택홀을 구비한 층간절연막을 형성하는 단계와,
상기 패드콘택홀을 통해 상기 패드와 접촉하는 보조전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1레이저 흡수층은 상기 층간절연막을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 12,
Forming an interlayer insulating layer having a pad contact hole exposing the pad above the pad including the insulating layer,
Further comprising forming an auxiliary electrode in contact with the pad through the pad contact hole,
The method of manufacturing an organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer is formed to cover the interlayer insulating layer.
상기 제2레이저 흡수층은 상기 보조전극과 중첩하며,
상기 제1레이저 흡수층과 상기 제2레이저 흡수층, 그리고 상기 제1레이저 흡수층과 상기 보조전극은 서로 이격된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 13,
The second laser absorbing layer overlaps the auxiliary electrode,
The first laser absorbing layer and the second laser absorbing layer, and the first laser absorbing layer and the auxiliary electrode are spaced apart from each other.
상기 제1레이저 흡수층과 상기 패드는 서로 이격된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 13,
The method of manufacturing an organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer and the pad are spaced apart from each other.
상기 제 1 및 제 2 레이저 흡수층은 300nm이하의 파장대를 가지는 레이저를 90%이상 흡수하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 12,
The first and second laser absorption layers absorb 90% or more of a laser having a wavelength of 300 nm or less.
상기 표시영역 상에 반도체층을 형성하는 단계와,
상기 반도체층의 상부로 상기 절연막을 형성하는 단계와,
상기 절연막의 상부로 게이트 전극을 형성하는 단계와,
상기 게이트 전극의 상부로 상기 반도체층의 제2영역을 각각 노출시키는 제1및 제2반도체 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계와,
상기 제1 및 제2반도체 콘택홀을 통해 상기 제2영역과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 16,
Forming a semiconductor layer on the display area,
Forming the insulating film over the semiconductor layer,
Forming a gate electrode over the insulating layer,
Forming an interlayer insulating film including first and second semiconductor contact holes respectively exposing the second regions of the semiconductor layer above the gate electrode; and
And forming a source and a drain electrode respectively contacting the second region through the first and second semiconductor contact holes.
베이스기판 상에 희생층을 형성하는 단계와,
상기 희생층의 상부로 고분자 물질을 도포하여 상기 기판을 이루는 플렉서블층을 형성하는 단계 및
상기 희생층을 이용하여 상기 플렉서블층을 박리하여, 상기 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 12,
Forming a sacrificial layer on the base substrate,
Forming a flexible layer constituting the substrate by coating a polymer material on the sacrificial layer, and
And forming the substrate by removing the flexible layer using the sacrificial layer.
상기 제2레이저 흡수층의 상부로 구동 IC를 본딩시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 14 or 15,
And bonding a driving IC to an upper portion of the second laser absorbing layer.
상기 유기발광다이오드가 형성된 상기 기판 전면에 상기 유기발광다이오드를 보호하기 위한 봉지층을 형성하는 단계와,
상기 비표시영역에 레이저를 조사하여 상기 비표시영역에 형성된 봉지층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 12,
Forming an encapsulation layer for protecting the organic light-emitting diode on the entire surface of the substrate on which the organic light-emitting diode is formed,
And removing the encapsulation layer formed in the non-display area by irradiating a laser on the non-display area.
상기 유기발광다이오드를 형성하는 단계는,
화소영역 별로 제1전극을 형성하는 단계와,
상기 제1전극의 상부로 유기발광층을 형성하는 단계와,
상기 유기발광층이 형성된 상기 기판 전면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1레이저 흡수층은 상기 제1전극이 형성되는 단계에서 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
The method of claim 12,
The step of forming the organic light-emitting diode,
Forming a first electrode for each pixel area,
Forming an organic light-emitting layer over the first electrode,
Forming a second electrode on the entire surface of the substrate on which the organic emission layer is formed,
The method of manufacturing an organic light emitting diode display device, wherein the first laser absorbing layer is formed in the step of forming the first electrode.
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