JP2000241319A5 - 試料作製方法および試料作製システム - Google Patents

Claims (12)

1. ウェハの表面近傍の欠陥を検出して上記欠陥の座標情報を記憶する欠陥検出工程と、
   上記座標情報をもとに所望の表面近傍欠陥を識別するマークを施すマーキング工程と、
   上記マークをもとに欠陥の観察、計測または分析のいずれかを行うのに適した試験片に上記ウェハを加工する加工工程を含むことを特徴とする試料作製方法。
2. 請求項１に記載の試料作製方法において、
   上記マーキング工程が電子ビーム照射によって上記欠陥部周辺の雰囲気中の成分を含む付着物のマークを上記ウェハ面上に形成することであること特徴とする試料作製方法。
3. 請求項１記載の試料作製方法において、
   上記マーキング工程が、マークを付すべき箇所を含む領域にガス供給するステップとマーク形状に電子ビームを照射するステップによって上記ガスの成分を含む付着物のマークを上記ウェハ面上に形成することであることを特徴とする試料作製方法。
4. 請求項１記載の試料作製方法において、
   上記試験片は透過型電子顕微鏡または走査型透過電子顕微鏡による観察または計測のための試験片であることを特徴とする試料作製方法。
5. 請求項１記載の試料作製方法において、
   上記加工工程が、上記マークを基準にして上記所望の表面近傍欠陥を含む微小試料を少なくともイオンビーム加工を用いて上記ウェハから摘出する摘出工程と、
   上記微小試料を解析用試料ホルダに移送して固定する固定工程と、
   上記微小試料に対してさらに上記イオンビームによる加工を施して解析しやすい形状にする仕上げ工程とを含むことを特徴とする試料作製方法。
6. ウェハの表面近傍の欠陥を検出し、上記検出した欠陥を識別するマークを、電子ビーム走査とマーク形成付近に照射されるガス供給によって上記ガスの成分を上記電子ビーム走査領域に形成することを特徴とするマーキング法。
7. ウェハの表面近傍欠陥を検出する欠陥検出部と、
   上記表面近傍欠陥のうち所望の欠陥の近傍にマークを付けるマーキング部と、
   上記欠陥検出部によって検出した欠陥のうち、少なくとも注目する欠陥を含む微小試料を摘出し、分析装置または観察装置または計測装置の少なくともいずれかに搭載するのに適した形状に加工する試料加工部とを有することを特徴とする試料作製システム。
8. 請求項７記載の試料作製装置において、
   上記試料加工部は摘出した上記微小試料を真空試料室内で別の部材に移し替える試料移動手段を有することを特徴とする試料作製システム。
9. 請求項７記載の試料作製システムにおいて、
   上記欠陥検出部と上記マーキング部が一体化したことを特徴とする試料作製システム。
10. 請求項７から９のいずれかに記載の試料作製装置において、
    上記マーキング部が電子ビーム照射光学系を有することを特徴とする試料作製システム。
11. 請求項１０記載の試料作製システムおいて、
    上記マーキング部には局所的にデポジション膜を形成するためのガスを供給するデポジション用ガス源を有することを特徴とする試料作製システム。
12. ウェハの表面近傍欠陥を検出して検出した欠陥の座標情報を記憶する表面近傍欠陥検出装置と、
    ウェハから所望の欠陥を含む微小試料片を摘出して分析装置または観察装置または計測装置のうちのいずれかに適する形状の試料片に加工する試料作製装置と、
    透過型電子顕微鏡もしくは走査型透過電子顕微鏡と、ウェハ名称、欠陥座標、欠陥分布、試料片名称、欠陥画像のうちの少なくともいずれかのデータを蓄えたコンピュータとを相互にネットワークによって接続したことを特徴とする表面近傍欠陥解析システム。