CN116013800B - 一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116013800B CN116013800B CN202211719253.5A CN202211719253A CN116013800B CN 116013800 B CN116013800 B CN 116013800B CN 202211719253 A CN202211719253 A CN 202211719253A CN 116013800 B CN116013800 B CN 116013800B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- target
- positioning mark
- mark point
- defect
- positioning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 210
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 102
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 27
- 230000004807 localization Effects 0.000 claims description 24
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
- Y02W30/82—Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以通过所述定位标记点对所述目标缺陷进行定位。本发明实施例的技术方案，可以实现精准的缺陷定位。
Description
技术领域
本发明实施例涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
目前，半导体集成电路芯片积点越来越小，已经达到7纳米-5纳米，甚至3纳米-2纳米，这对半导体集成电路芯片上的缺陷定位的挑战也越来越大。
现有的缺陷定位方案，难以对半导体集成电路芯片等类似样品进行精准的缺陷定位，有待改进。
发明内容
本发明实施例提供了一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质，能够实现精准的缺陷定位。
根据本发明的一方面，提供了一种缺陷定位方法，可以包括：
在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。
根据本发明的另一方面，提供了一种缺陷定位装置，可以包括：
定位标记点位置确定模块，用于在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
目标缺陷定位模块，用于通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子设备，可以包括：
至少一个处理器；以及
与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，计算机程序被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器执行时实现本发明任意实施例所提供的缺陷定位方法。
根据本发明的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，该计算机指令用于使处理器执行时实现本发明任意实施例所提供的缺陷定位方法。
本发明实施例的技术方案，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。上述技术方案，采用电子束轰击出的定位标记点对目标缺陷进行定位，能够通过轰击出的更为清晰且精准的定位标记点，实现精准的缺陷定位。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或是重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一中所提供的一种缺陷定位方法的流程图；
图2是本发明实施例一中所提供的一种目标分析层的示意图；
图3是本发明实施例一中所提供的另一种目标分析层的示意图；
图4是本发明实施例一中所提供的在一种目标分析层上轰击出的定位标记点的示意图；
图5是本发明实施例一中所提供的在另一种目标分析层上轰击出的定位标记点的示意图；
图6是本发明实施例一中所提供的在聚焦离子束仪器下观测到的定位标记点的示意图；
图7是本发明实施例二中所提供的一种缺陷定位方法的流程图；
图8是本发明实施例二中所提供的将扫描电子显微镜调整为目标放大倍率下的定位标记点位置的示意图；
图9是本发明实施例三所提供的缺陷定位装置的结构框图；
图10是实现本发明实施例的缺陷定位方法的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。“目标”、“原始”等的情况类似，在此不再赘述。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例一
图1是本发明实施例一中所提供的一种缺陷定位方法的流程图。本实施例可适用于缺陷定位的情况。该方法可以由本发明实施例提供的缺陷定位装置来执行，该装置可以由软件和/或硬件的方式实现，该装置可以集成在电子设备上，该电子设备可以是各种用户终端或服务器。
参见图1，本发明实施例的方法具体包括如下步骤：
S110、在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
其中，扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)是一种介于透射电子显微镜和光学显微镜之间的一种观察手段。目标探针可以理解为设置在扫描电子显微镜内的探针，目标探针例如可以是纳米探针。目标分析样品可以是需求进行缺陷定位后进行分析的样品，具体来说，目标分析样品可以是已经失效，需求进行缺陷定位，并基于定位后的缺陷对失效原因进行分析的样品。目标分析样品例如可以是样品芯片。目标缺陷可以理解为需求定位的缺陷。目标缺陷位置可以理解为目标缺陷在目标分析样品上的位置。定位标记点可以理解为能够对目标缺陷进行定位的标记点。定位标记点位置可以理解为定位标记点在目标分析样品上的位置。
在本发明实施例中，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，即说明目标分析样品存在目标缺陷，需求对目标缺陷进行定位，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
S120、通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。
需要注意的是，扫描电子显微镜可以利用聚焦的很窄的电子束(electron beam，e-beam)来扫描物体，通过光束与物质间的相互作用，来激发各种物理信息，对这些物理信息收集、放大以及再成像，以达到对物质微观形貌表征的目的。而在对电子束的放大倍率等参数进行改变的情况下，例如采用高放大倍率聚焦的情况下，原本用于放大成像的电子束可以产生对物体进行轰击和造成损伤的效果。在本发明实施例中，根据扫描电子显微镜中的电子束的上述特性，可以通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处进行轰击，以对定位标记点位置处造成损伤，达到轰击出定位标记点的目的；定位标记点可以位于目标缺陷附近的预设位置处，即可根据较为清晰明显的定位标记点实现对目标缺陷的精准定位。
在本发明实施例中，轰击出的定位标记点的大小可以根据目标缺陷的大小和/或目标分析样品的大小确定，以使定位标记点可以更为适用于对目标缺陷进行定位。
在本发明实施例中，在目标缺陷附近还可以选取得到对照位置，例如在目标缺陷为失效通孔的情况下，对照位置可以是没有进行定位标记点的有效通孔，以便于通过定位标记点对目标缺陷进行定位时，能够有效区分和对照目标缺陷以及非目标缺陷，以便于对目标缺陷进行定位。
本发明实施例的技术方案，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。上述技术方案，采用电子束轰击出的定位标记点对目标缺陷进行定位，能够通过轰击出的更为清晰且精准的定位标记点，实现精准的缺陷定位。
一种可选的技术方案，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，包括：基于目标缺陷位置，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置。
其中，定位标记点数量可以理解为待轰击出的定位标记点的数量。
在本发明实施例中，可以基于目标缺陷位置，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置，例如目标缺陷点位置位于能够轰击定位标记点的非金属材质较少的区域，定位标记点的数量可以较少，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置可以分布的较为密集；再例如，目标缺陷点位置位于能够轰击定位标记点的非金属材质较多的区域，定位标记点的数量可以较多，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置可以分布的较为分散。
在本发明实施例中，还可以基于目标缺陷位置以及对目标缺陷进行定位的精度，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置，例如目标缺陷点位置位于能够轰击定位标记点的非金属材质较多的区域，且对目标缺陷进行定位的精度要求较高，可以设置更多的定位标记点的数量，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置可以分布的更为分散。
示例性的，基于目标缺陷位置，可以确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量为2个，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置为目标缺陷位置在水平方向上左右距离目标缺陷位置相同距离处的位置。
在本发明实施例中，通过基于目标缺陷位置，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置，以使轰击出的定位标记点更适用于对目标缺陷进行定位。
另一种可选的技术方案，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置之前，方法还包括：通过扫描电子显微镜，确定目标分析样品上的目标测试点所在的目标测试位置；通过目标探针在目标测试位置处进行测试，并在根据得到的测试结果确定目标分析样本上存在目标缺陷的情况下，确定目标缺陷所在的目标缺陷位置。
其中，目标测试点可以理解为需求通过目标探针测试是否存在目标缺陷以及确定目标缺陷位置的测试点。目标测试位置可以理解为目标测试点在目标分析样品上的位置。
在本发明实施例中，将目标分析样品放入扫描电子显微镜后，可以通过扫描电子显微镜的扫描模式确定目标分析样品上的目标测试点所在的目标测试位置；再涉足目标探针在目标测试位置处进行测试，根据测试结果确定目标分析样本上是否存在目标缺陷，在根据得到的测试结果确定目标分析样本上存在目标缺陷的情况下，通过目标探针确定目标缺陷所在的目标缺陷位置，以通过目标探针实现对目标缺陷位置的精准确定。
另一种可选的技术方案，获取目标分析样品，并对目标分析样品进行剥层处理，得到目标分析样品内的目标分析层；在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，包括：在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析层进行分析，得到目标分析层上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
其中，目标分析层可以理解为目标分析样品中的需求进行分析的层次。
在本发明实施例中，可能仅仅只需对目标分析样品内的某个层次进行分析以实现目标缺陷定位的层次，因此可以获取目标分析样品，并对目标分析样品进行剥层处理，得到目标分析样品内的需求进行分析的目标分析层；在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析层进行分析，得到目标分析层上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，以实现针对性的对需求分析的目标分析层进行分析。
示例性的，参见图2和图3，图2和图3即为不同的目标分析层；参见图4和图5，图4和图5中的框图部分即为分别为在不同的目标分析层下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，并通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出的定位标记点。
另一种可选的技术方案，通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位，包括：通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以使聚焦离子束仪器通过定位标记点定位到目标缺陷。
可以理解的是，在本发明实施例中，可以通过扫描电子显微镜确定是否存在目标缺陷，以及对目标缺陷进行定位，但是并不能很好的对目标缺陷进行精准切割和目标缺陷的有效分析，而聚焦离子束(Focused Ion beam，FIB)仪器并不能有效的对目标缺陷进行定位，但是可以对定位出的目标缺陷进行精准切割和目标缺陷的有效分析。考虑到上述情况，本发明实施例中，可以通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，再将目标分析样品移入聚焦离子束仪器中，以使聚焦离子束仪器通过定位标记点定位到目标缺陷，能够有效提高缺陷定位分析的工作效率，例如，参见图6，图6中的框图部分即为将目标分析样品移入聚焦离子束仪器中，聚焦离子束仪器能够观测到的定位标记点。
实施例二
图7是本发明实施例二中提供的另一种缺陷定位方法的流程图。本实施例以上述各技术方案为基础进行优化。在本实施例中，可选的，通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，包括：通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击出定位标记点；其中，目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对目标分析样品造成损伤的最小放大倍率。其中，与上述各实施例相同或相应的术语的解释在此不再赘述。
参见图7，本实施例的方法具体可以包括如下步骤：
S210、在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
S220、通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位，其中，目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对目标分析样品造成损伤的最小放大倍率。
其中，目标放大倍率可以理解为能够使聚焦的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点的放大倍率。预设放大倍率阈值可以理解为目标放大倍率最小的放大倍率。
需要注意的是，扫描电子显微镜的电子束在扫描模式下通常只是用于放大成像，若需求采用电子束对物体进行轰击和造成损伤，还需要对扫描电子显微镜的放大倍率等参数进行改变，在本发明实施例中，可以对扫描电子显微镜的放大倍率进行调整，调整为能够使聚焦的电子束在定位标记点出轰击出较为清晰的定位标记点的目标放大倍率，例如，参见图8，图8即为在将扫描电子显微镜调整为目标放大倍率下的定位标记点位置。
可以理解的是，目标放大倍率可以是预先设定的固定的放大倍率，目标放大倍率还可以是根据目标分析样品的材质、属性和/或需求轰击出的定位标记点的清晰度决定的。
本发明实施例的技术方案，通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击出定位标记点，其中，目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对目标分析样品造成损伤的最小放大倍率，以进一步实现能够轰击出的更为清晰且精准的定位标记点，从而进一步实现精准的缺陷定位。
一种可选的技术方案，通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击出定位标记点，包括：通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击目标轰击时长，以轰击出定位标记点；其中，目标放大倍率与目标轰击时长呈反比。
其中，目标轰击时长可以理解为聚焦的电子束在定位标记点位置处轰击的时间长度。
可以理解的是，目标放大倍率越大，轰击出定位标记点所需的时间越短，目标放大倍率越小，轰击出定位标记点所需的时间越长，因此，在本发明实施中，可以通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击目标轰击时长，以轰击出定位标记点即为其中，目标轰击时长由目标放大倍率决定，且目标放大倍率与目标轰击时长呈反比，以实现能够轰击出的更为符合需求的定位标记点，从而进一步实现精准的缺陷定位。
示例性的，目标放大倍率可适当调整在400-600万倍，目标轰击时长可根据目标放大倍率适当调整在3-5分钟，在上述情况下，目标放大倍率调整的越大，目标轰击时长可适应调整的越短。
实施例三
图9是本发明实施例三所提供的缺陷定位装置的结构框图，该装置用于执行上述任意实施例所提供的缺陷定位方法。该装置与上述各实施例的缺陷定位方法属于同一个发明构思，在缺陷定位装置的实施例中未详尽描述的细节内容，可以参考上述缺陷定位方法的实施例。参见图9，该装置具体可包括：定位标记点位置确定模块310和目标缺陷定位模块320。
其中，定位标记点位置确定模块310，用于在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
目标缺陷定位模块320，用于通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。
可选的，目标缺陷定位模块320，可以包括：
定位标记点轰击单元，用于通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击出定位标记点；
其中，目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对目标分析样品造成损伤的最小放大倍率。
在上述方案的基础上，可选的，定位标记点轰击单元，可以包括：
定位标记点轰击子单元，用于通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击目标轰击时长，以轰击出定位标记点；
其中，目标放大倍率与目标轰击时长呈反比。
可选的，定位标记点位置确定模块310，可以包括：
第一定位标记点位置确定单元，用于基于目标缺陷位置，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置。
可选的，缺陷定位装置，还可以包括：
目标测试位置确定模块，用于在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置之前，通过扫描电子显微镜，确定目标分析样品上的目标测试点所在的目标测试位置；
目标缺陷位置确定模块，用于通过目标探针在目标测试位置处进行测试，并在根据得到的测试结果确定目标分析样本上存在目标缺陷的情况下，确定目标缺陷所在的目标缺陷位置。
可选的，缺陷定位装置，还可以包括：
目标分析层得到模块，用于获取目标分析样品，并对目标分析样品进行剥层处理，得到目标分析样品内的目标分析层；
定位标记点位置确定模块310，可以包括：
第二定位标记点位置确定单元，用于在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析层进行分析，得到目标分析层上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
可选的，目标缺陷定位模块320，可以包括：
目标缺陷定位单元，用于通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以使聚焦离子束仪器通过定位标记点定位到目标缺陷。
本发明实施例所提供的缺陷定位装置，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。上述装置，采用电子束轰击出的定位标记点对目标缺陷进行定位，能够通过轰击出的更为清晰且精准的定位标记点，实现精准的缺陷定位。
本发明实施例所提供的缺陷定位装置可执行本发明任意实施例所提供的缺陷定位方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。
值得注意的是，上述缺陷定位装置的实施例中，所包括的各个单元和模块只是按照功能逻辑进行划分的，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本发明的保护范围。
实施例四
图10示出了可以用来实施本发明的实施例的电子设备10的结构示意图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备(如头盔、眼镜、手表等)和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本发明的实现。
如图10所示，电子设备10包括至少一个处理器11，以及与至少一个处理器11通信连接的存储器，如只读存储器(ROM)12、随机访问存储器(RAM)13等，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，处理器11可以根据存储在只读存储器(ROM)12中的计算机程序或从存储单元18加载到随机访问存储器(RAM)13中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 13中，还可存储电子设备10操作所需的各种程序和数据。处理器11、ROM 12以及RAM 13通过总线14彼此相连。输入/输出(I/O)接口15也连接至总线14。
电子设备10中的多个部件连接至I/O接口15，包括：输入单元16，例如键盘、鼠标等；输出单元17，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元18，如磁盘、光盘等；以及通信单元19，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元19允许电子设备10通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
处理器11可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器11的一些示例包括但不限于中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、各种专用的人工智能(AI)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器(DSP)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器11执行上文所描述的各个方法和处理，例如缺陷定位方法。
在一些实施例中，缺陷定位方法可被实现为计算机程序，其被有形地包含于计算机可读存储介质，例如存储单元18。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 12和/或通信单元19而被载入和/或安装到电子设备10上。当计算机程序加载到RAM 13并由处理器11执行时，可以执行上文描述的缺陷定位方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，处理器11可通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行缺陷定位方法。
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统的系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、以及至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、以及该至少一个输出装置。
用于实施本发明的方法的计算机程序可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些计算机程序可以提供给通用计算机、专用计算机或是其他可编程数据处理装置的处理器，使得计算机程序当由处理器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。计算机程序可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行并且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
在本发明的上下文中，计算机可读存储介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的计算机程序。计算机可读存储介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。备选地，计算机可读存储介质可以是机器可读信号介质。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
为了提供与用户的交互，可以在电子设备上实施此处描述的系统和技术，该电子设备具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给电子设备。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)、区块链网络和互联网。
计算系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，又称为云计算服务器或云主机，是云计算服务体系中的一项主机产品，以解决了传统物理主机与VPS服务中，存在的管理难度大，业务扩展性弱的缺陷。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (8)
1.一种缺陷定位方法，其特征在于，包括：
在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以通过所述定位标记点对所述目标缺陷进行定位；
所述基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，包括：
基于所述目标缺陷位置以及对所述目标缺陷进行定位的精度，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，所述定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置；
其中，所述定位标记点的大小根据所述目标缺陷的大小和所述目标分析样品的大小确定；
所述通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，包括：
通过所述扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点；
其中，所述目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，所述预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对所述目标分析样品造成损伤的最小放大倍率，所述目标放大倍率根据所述目标分析样品的材质、属性和需求轰击出的定位标记点的清晰度决定。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述通过所述扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，包括：
通过所述扫描电子显微镜中在所述目标放大倍率下聚焦的电子束，在所述定位标记点位置处轰击目标轰击时长，以轰击出所述定位标记点；
其中，所述目标放大倍率与所述目标轰击时长呈反比。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置之前，所述方法还包括：
通过所述扫描电子显微镜，确定所述目标分析样品上的目标测试点所在的目标测试位置；
通过所述目标探针在所述目标测试位置处进行测试，并在根据得到的测试结果确定所述目标分析样本上存在所述目标缺陷的情况下，确定所述目标缺陷所在的目标缺陷位置。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
获取所述目标分析样品，并对所述目标分析样品进行剥层处理，得到所述目标分析样品内的目标分析层；
所述在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，包括：
在通过扫描电子显微镜内的目标探针对所述目标分析层进行分析，得到所述目标分析层上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以通过所述定位标记点对所述目标缺陷进行定位，包括：
通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以使聚焦离子束仪器通过所述定位标记点定位到所述目标缺陷。
6.一种缺陷定位装置，其特征在于，包括：
定位标记点位置确定模块，用于在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
目标缺陷定位模块，用于通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以通过所述定位标记点对所述目标缺陷进行定位；
所述定位标记点位置确定模块，包括：
第一定位标记点位置确定单元，用于基于目标缺陷位置以及对所述目标缺陷进行定位的精度，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置；
其中，所述定位标记点的大小根据所述目标缺陷的大小和所述目标分析样品的大小确定；
可选的，所述目标缺陷定位模块，包括：
定位标记点轰击单元，用于通过扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在定位标记点位置处轰击出定位标记点；
其中，目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对目标分析样品造成损伤的最小放大倍率，所述目标放大倍率根据所述目标分析样品的材质、属性和需求轰击出的定位标记点的清晰度决定。
7.一种电子设备，其特征在于，包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行如权利要求1-5中任一项所述的缺陷定位方法。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现如权利要求1-5中任一所述的缺陷定位方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211719253.5A CN116013800B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211719253.5A CN116013800B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116013800A CN116013800A (zh) | 2023-04-25 |
| CN116013800B true CN116013800B (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=86035098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211719253.5A Active CN116013800B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116013800B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000241319A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 試料作製方法および装置 |
| CN103325708A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-09-25 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷横切观测装置 |
| CN107004553A (zh) * | 2014-06-25 | 2017-08-01 | Fei埃法有限公司 | 用于电子器件的纳米探测的装置以及方法 |
| TW201802465A (zh) * | 2016-04-08 | 2018-01-16 | 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 | 用於分析微影光罩或晶圓之缺陷的裝置與方法 |
| CN109690748A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-04-26 | 科磊股份有限公司 | 用于半导体晶片检验的缺陷标记 |
| CN112903736A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-04 | 上海华力微电子有限公司 | 在样品坡面上进行纳米探针测试的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7081625B2 (en) * | 2002-11-06 | 2006-07-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
| JP2012242146A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及び試料作成方法 |
-
2022
- 2022-12-30 CN CN202211719253.5A patent/CN116013800B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000241319A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 試料作製方法および装置 |
| CN103325708A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-09-25 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷横切观测装置 |
| CN107004553A (zh) * | 2014-06-25 | 2017-08-01 | Fei埃法有限公司 | 用于电子器件的纳米探测的装置以及方法 |
| TW201802465A (zh) * | 2016-04-08 | 2018-01-16 | 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 | 用於分析微影光罩或晶圓之缺陷的裝置與方法 |
| CN109690748A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-04-26 | 科磊股份有限公司 | 用于半导体晶片检验的缺陷标记 |
| CN112903736A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-04 | 上海华力微电子有限公司 | 在样品坡面上进行纳米探针测试的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116013800A (zh) | 2023-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4801427B2 (ja) | パターン形状評価方法 | |
| US8799831B2 (en) | Inline defect analysis for sampling and SPC | |
| JP2006215020A5 (zh) | ||
| JPH104128A (ja) | エミッション顕微鏡による半導体層の故障解析方法及び半導体装置故障解析システム | |
| JP2023531350A (ja) | サンプル画像を増分する方法、画像検出モデルの訓練方法及び画像検出方法 | |
| CN111027343A (zh) | 条形码区域定位方法和装置 | |
| CN113409284A (zh) | 电路板故障检测方法、装置、设备以及存储介质 | |
| CN104155156A (zh) | Tem平面样品的制备方法 | |
| CN116013800B (zh) | 一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN117333424A (zh) | 晶圆缺陷评估方法、装置、存储器芯片和可读存储介质 | |
| CN107229565B (zh) | 测试方法和装置 | |
| CN115272381B (zh) | 一种金属线分割方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| KR20210100028A (ko) | 시편들을 검사하는 방법 및 그의 시스템 | |
| CN105046007A (zh) | 一种集成电路芯片反向工程的定位方法 | |
| CN105097580A (zh) | 聚焦离子束分析方法 | |
| JP4961500B2 (ja) | パターン形状評価装置 | |
| US20230081224A1 (en) | Method and system for evaluating test data, wafer test system, and storage medium | |
| CN115329597A (zh) | 用于仿真检测高精地图质量的方法、装置和设备 | |
| CN114663368A (zh) | 晶圆的观测方法、装置与观测系统 | |
| CN114722401A (zh) | 一种设备安全测试方法、装置、设备及存储介质 | |
| CN115270675B (zh) | 一种基于命令文件检查esd跨领域接口的方法 | |
| CN115243267B (zh) | 一种基于dpi技术的5g网络伪基站检测定位方法及电子设备 | |
| US20220208620A1 (en) | Semiconductor device manufacture with in-line hotspot detection | |
| TW201805844A (zh) | 用於自動產生一晶圓影像以設計座標映射之系統、方法及電腦程式產品 | |
| US20210356429A1 (en) | System and method for performing three-dimensional compositional analyses |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |