JP2000241249A - 燃焼火炎温度測定方法及び分光計 - Google Patents
燃焼火炎温度測定方法及び分光計Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
- G01J5/602—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature using selective, monochromatic or bandpass filtering
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 燃焼火炎温度測定用の分光計を提供する。
【解決手段】 分光計（１００）は、燃焼火炎からの光
を受ける位置に配置される少なくとも２個の光検出器
（１、２、３、４）と、少なくとも２個の光検出器のう
ちの第１の光検出器の各出力信号を第２の光検出器の各
出力信号から減じてセグメント信号を求め、このセグメ
ント信号を用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュータ
（３４）とを含み、この少なくとも２個の光検出器の各
々は、ＯＨ発光帯内の各出力信号を検出するためのオー
バーラップする異なる帯域幅を持っている。
を受ける位置に配置される少なくとも２個の光検出器
（１、２、３、４）と、少なくとも２個の光検出器のう
ちの第１の光検出器の各出力信号を第２の光検出器の各
出力信号から減じてセグメント信号を求め、このセグメ
ント信号を用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュータ
（３４）とを含み、この少なくとも２個の光検出器の各
々は、ＯＨ発光帯内の各出力信号を検出するためのオー
バーラップする異なる帯域幅を持っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般には光学的火炎
検出に関し、より具体的には、燃焼火炎温度測定用ソリ
ッドステート分光計に関する。
検出に関し、より具体的には、燃焼火炎温度測定用ソリ
ッドステート分光計に関する。
【０００２】
【発明の背景】ブラウン（Ｂｒｏｗｎ）等の米国特許第
５，５８９，６８２号（１９９６年１２月３１日発行）
に述べられるような従来の炭化ケイ素火炎検出器は、火
炎の存在を検出して、広範囲な波長に亘ってその火炎光
束の強度を測定する。しかしながら、その測定強度は火
炎温度と常に相関関係にあるとは限らず、特に複数の火
炎がある燃焼器ではその関係が成り立たない。
５，５８９，６８２号（１９９６年１２月３１日発行）
に述べられるような従来の炭化ケイ素火炎検出器は、火
炎の存在を検出して、広範囲な波長に亘ってその火炎光
束の強度を測定する。しかしながら、その測定強度は火
炎温度と常に相関関係にあるとは限らず、特に複数の火
炎がある燃焼器ではその関係が成り立たない。
【０００３】
【発明の概要】したがって、もっと直接的な温度測定手
法を得ることが望ましいということがわかる。
法を得ることが望ましいということがわかる。
【０００４】簡単に述べると、本発明の一態様に従え
ば、燃焼火炎温度測定用分光計が提供され、該分光計
は、燃焼火炎からの光を受ける位置に配置された少なく
とも２個の光検出器と、この少なくとも２個の光検出器
のうちの第１の光検出器の各出力信号を第２の光検出器
の各出力信号から減じてセグメント信号を求め、このセ
グメント信号を用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュ
ータとを含み、この少なくとも２個の光検出器の各々
は、ＯＨ発光帯内の各出力信号を検出するためのオーバ
ーラップする（部分的に重なり合う）異なる帯域幅を持
っている。
ば、燃焼火炎温度測定用分光計が提供され、該分光計
は、燃焼火炎からの光を受ける位置に配置された少なく
とも２個の光検出器と、この少なくとも２個の光検出器
のうちの第１の光検出器の各出力信号を第２の光検出器
の各出力信号から減じてセグメント信号を求め、このセ
グメント信号を用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュ
ータとを含み、この少なくとも２個の光検出器の各々
は、ＯＨ発光帯内の各出力信号を検出するためのオーバ
ーラップする（部分的に重なり合う）異なる帯域幅を持
っている。
【０００５】新規と信じられる本発明の特徴は添付され
た請求項に詳しく記載されている。しかしながら、本発
明自体は、構成および作動方法の両方に関し、発明のそ
のほかの目的および利点と共に、添付図面を参照した以
下の説明から最もよく理解されよう。図面において同じ
数字は同様な部品を示すものである。
た請求項に詳しく記載されている。しかしながら、本発
明自体は、構成および作動方法の両方に関し、発明のそ
のほかの目的および利点と共に、添付図面を参照した以
下の説明から最もよく理解されよう。図面において同じ
数字は同様な部品を示すものである。
【０００６】
【発明の詳しい記述】図１及び図２に、本発明の一実施
態様による燃焼火炎温度測定用の分光計１００の側断面
図及び平面図を示す。分光計１００は、燃焼火炎からの
光１４を受ける位置に配置された少なくとも２個の光検
出器（例として、４個の光検出器１、２、３及び４を示
す）と、この少なくとも２個の光検出器のうちの第１の
光検出器の各出力信号を第２の光検出器の各出力信号か
ら減じてセグメント信号を求め、このセグメント信号を
用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュータ３４（図８
に示す）とを含む。少なくとも２個の光検出器の各々
は、ＯＨ発光帯内の各出力信号を検出するための異なる
帯域幅を持っている。
態様による燃焼火炎温度測定用の分光計１００の側断面
図及び平面図を示す。分光計１００は、燃焼火炎からの
光１４を受ける位置に配置された少なくとも２個の光検
出器（例として、４個の光検出器１、２、３及び４を示
す）と、この少なくとも２個の光検出器のうちの第１の
光検出器の各出力信号を第２の光検出器の各出力信号か
ら減じてセグメント信号を求め、このセグメント信号を
用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュータ３４（図８
に示す）とを含む。少なくとも２個の光検出器の各々
は、ＯＨ発光帯内の各出力信号を検出するための異なる
帯域幅を持っている。
【０００７】この３１０ナノメートル（ｎｍ）域の波長
のＯＨ発光帯はＯＨ分子のエネルギ準位間の種々の遷移
によって生じた一連の細い輝線を含む。回転遷移および
振動遷移の両方が起こる。燃焼火炎中のＯＨ分子は熱平
衡状態にあり、燃焼火炎温度を表す発光特性を持つ。３
１０ナノメートル域のＯＨ発光帯のこれらの輝線の強度
および分布が４段階の温度について図３〜図６に示して
ある。１５００゜Ｋと３０００゜Ｋとの間の温度が代表
的なガスタービン燃焼器の火炎温度である。
のＯＨ発光帯はＯＨ分子のエネルギ準位間の種々の遷移
によって生じた一連の細い輝線を含む。回転遷移および
振動遷移の両方が起こる。燃焼火炎中のＯＨ分子は熱平
衡状態にあり、燃焼火炎温度を表す発光特性を持つ。３
１０ナノメートル域のＯＨ発光帯のこれらの輝線の強度
および分布が４段階の温度について図３〜図６に示して
ある。１５００゜Ｋと３０００゜Ｋとの間の温度が代表
的なガスタービン燃焼器の火炎温度である。
【０００８】窒化ガリウム（ＧａＮ、Ｅｇ＝３．４ｅ
Ｖ）の最大吸収波長は約３６５ナノメートルである。す
なわち、ＧａＮは３６５ナノメートル以上の波長に対し
透過性である。窒化アルミニウム（ＡｌＮ、Ｅｇ＝６．
２）の最大吸収波長は約２００ナノメートルである。Ａ
ｌXＧａX-1Ｎで表される、ＧａＮとＡｌＮとの合金類
は、ＧａＮとＡｌＮとの両極端の間で、その合金中のア
ルミニウム量に依存して変わるバンドギャップ幅を持つ
直接バンドギャップ幅の物質である。これらの合金より
成る半導体は価電子帯から伝導帯に直接光学的に遷移
し、これらの遷移のためにフォノンの助けを必要としな
い（これに対し、炭化ケイ素はフォノンの助けを必要と
する）。その結果、応答のカットオフ特性がシャープで
あり、したがって高分解能を与える。本発明の特定の実
施態様ではＡｌXＧａX-1Ｎに関して述べられているが、
他の合金も使用することができ、直接バンドギャップ幅
の合金が特に有効である。
Ｖ）の最大吸収波長は約３６５ナノメートルである。す
なわち、ＧａＮは３６５ナノメートル以上の波長に対し
透過性である。窒化アルミニウム（ＡｌＮ、Ｅｇ＝６．
２）の最大吸収波長は約２００ナノメートルである。Ａ
ｌXＧａX-1Ｎで表される、ＧａＮとＡｌＮとの合金類
は、ＧａＮとＡｌＮとの両極端の間で、その合金中のア
ルミニウム量に依存して変わるバンドギャップ幅を持つ
直接バンドギャップ幅の物質である。これらの合金より
成る半導体は価電子帯から伝導帯に直接光学的に遷移
し、これらの遷移のためにフォノンの助けを必要としな
い（これに対し、炭化ケイ素はフォノンの助けを必要と
する）。その結果、応答のカットオフ特性がシャープで
あり、したがって高分解能を与える。本発明の特定の実
施態様ではＡｌXＧａX-1Ｎに関して述べられているが、
他の合金も使用することができ、直接バンドギャップ幅
の合金が特に有効である。
【０００９】光検出器１−４（図１および図２）の配列
はＯＨ発光帯の異なるセグメントの火炎強度（光１４）
の検出に用いることができる。これらの光検出器とし
て、たとえば、フォトダイオード又はフォトトランジス
タを用いることができる。好ましい実施態様において
は、各光検出器は、最小光応答波長が実質的にほぼ同じ
であるが最大光応答波長が異なるような、異なったバン
ドギャップ幅を持つ合金を含む。
はＯＨ発光帯の異なるセグメントの火炎強度（光１４）
の検出に用いることができる。これらの光検出器とし
て、たとえば、フォトダイオード又はフォトトランジス
タを用いることができる。好ましい実施態様において
は、各光検出器は、最小光応答波長が実質的にほぼ同じ
であるが最大光応答波長が異なるような、異なったバン
ドギャップ幅を持つ合金を含む。
【００１０】たとえば、図１に関して、２個の光検出器
１及び２がそれぞれ燃焼環境に耐えうる十分に透明な物
質よりなる基板１０上に配置される。そのような物質に
ついては、たとえば、約１２５ミクロンから約７５０ミ
クロンの範囲の厚みを持つサファイヤがある。第１のｎ
型半導体層１１４及び２１４がアルミニウム・ガリウム
窒化物を含み、約０．５ミクロンから約５ミクロンの範
囲の厚みを持つ。元素の組合せによりＡｌ0.35Ｇａ0.65
Ｎの組成を持つ合金が得られれば、第１の半導体層の最
大吸収波長（したがって光検出器１及び２の最小光応答
波長）は約２９０ナノメートルであると立証されてい
る。すなわち、その合金は２９０ナノメートルより長い
波長を実質的に透過して２９０ナノメートルより短い波
長を吸収する光学フィルタの役割を果たす。この実施態
様では、低濃度に不純物を添加した第２のｐ型またはｎ
型半導体層１１６及び２１６が、アルミニウムの組成の
異なるアルミニウム・ガリウム窒化物で構成され、光検
出器の最大光応答波長を様々にかえると共に、約０．２
ミクロンから約１ミクロンの範囲の厚みを持つ。図７の
実施態様では、最大光応答波長は３１９ナノメートルか
ら、３１４ナノメートル、３１０ナノメートルおよび３
０６ナノメートルへ変化する。随意選択による第３のｐ
型半導体層１１８及び２１８は、第２の半導体層１１６
及び２１６によって支持することができ、窒化ガリウム
を含む。図１の実施態様において、第１のコンタクト・
パッド１２０及び２２０が第１の半導体層１１４及び２
１４によって支持され、第２のコンタクト・パッド１２
４及び２２４が第１、第２および第３の半導体層によっ
て支持される。一実施態様において、この第１および第
２コンタクト・パッドは、たとえば、チタン、ニッケ
ル、アルミニウム又は金のような物質を含む金属、合
金、又は金属類ないしは合金類の層を含み、約１０００
オングストロームから５０００オングストロームの範囲
の厚みを持つ。そのうえ、その第１半導体層と基板との
間に窒化アルミニウムのバッファ層１１２および２１２
を設けることができる。一実施態様において、このバッ
ファ層は約０．２ミクロンから約１ミクロンの範囲の厚
みを持つ。
１及び２がそれぞれ燃焼環境に耐えうる十分に透明な物
質よりなる基板１０上に配置される。そのような物質に
ついては、たとえば、約１２５ミクロンから約７５０ミ
クロンの範囲の厚みを持つサファイヤがある。第１のｎ
型半導体層１１４及び２１４がアルミニウム・ガリウム
窒化物を含み、約０．５ミクロンから約５ミクロンの範
囲の厚みを持つ。元素の組合せによりＡｌ0.35Ｇａ0.65
Ｎの組成を持つ合金が得られれば、第１の半導体層の最
大吸収波長（したがって光検出器１及び２の最小光応答
波長）は約２９０ナノメートルであると立証されてい
る。すなわち、その合金は２９０ナノメートルより長い
波長を実質的に透過して２９０ナノメートルより短い波
長を吸収する光学フィルタの役割を果たす。この実施態
様では、低濃度に不純物を添加した第２のｐ型またはｎ
型半導体層１１６及び２１６が、アルミニウムの組成の
異なるアルミニウム・ガリウム窒化物で構成され、光検
出器の最大光応答波長を様々にかえると共に、約０．２
ミクロンから約１ミクロンの範囲の厚みを持つ。図７の
実施態様では、最大光応答波長は３１９ナノメートルか
ら、３１４ナノメートル、３１０ナノメートルおよび３
０６ナノメートルへ変化する。随意選択による第３のｐ
型半導体層１１８及び２１８は、第２の半導体層１１６
及び２１６によって支持することができ、窒化ガリウム
を含む。図１の実施態様において、第１のコンタクト・
パッド１２０及び２２０が第１の半導体層１１４及び２
１４によって支持され、第２のコンタクト・パッド１２
４及び２２４が第１、第２および第３の半導体層によっ
て支持される。一実施態様において、この第１および第
２コンタクト・パッドは、たとえば、チタン、ニッケ
ル、アルミニウム又は金のような物質を含む金属、合
金、又は金属類ないしは合金類の層を含み、約１０００
オングストロームから５０００オングストロームの範囲
の厚みを持つ。そのうえ、その第１半導体層と基板との
間に窒化アルミニウムのバッファ層１１２および２１２
を設けることができる。一実施態様において、このバッ
ファ層は約０．２ミクロンから約１ミクロンの範囲の厚
みを持つ。
【００１１】４個の光検出器１−４を図２に示すが、本
発明によれば２個の光検出器１−２のようなより少数の
光検出器を使用することができ、また光検出器の数の上
限も無い。光検出器の数を追加すれば、装置の費用と計
算の複雑性は増すが、より正確な結果が得られる。
発明によれば２個の光検出器１−２のようなより少数の
光検出器を使用することができ、また光検出器の数の上
限も無い。光検出器の数を追加すれば、装置の費用と計
算の複雑性は増すが、より正確な結果が得られる。
【００１２】そのうえ、各光検出器の最小光応答波長が
おおむね同じであることが好ましいが、最小光応答波長
が異なる光検出器をもう１個追加する場合でも、１個以
上のフィルタ１２（図８に示す）を用いて所定の最小光
応答波長より短い波長を除去し、温度測定に使用する出
力信号群の最小光応答波長がおおむね等しくなるように
することができる。フィルタ１２は好ましくは光学フィ
ルタを含み、１つの実施態様として基板１０と光検出器
１、２、３及び４の間に位置する。
おおむね同じであることが好ましいが、最小光応答波長
が異なる光検出器をもう１個追加する場合でも、１個以
上のフィルタ１２（図８に示す）を用いて所定の最小光
応答波長より短い波長を除去し、温度測定に使用する出
力信号群の最小光応答波長がおおむね等しくなるように
することができる。フィルタ１２は好ましくは光学フィ
ルタを含み、１つの実施態様として基板１０と光検出器
１、２、３及び４の間に位置する。
【００１３】さらに、説明のため各最小光応答波長がお
おむね同じであるという観点で本発明について述べてき
たが、おおむね同じであるのが必ずしも最小光応答波長
である必要は無い。たとえば、図１にて、アルミニウム
含有量を第２半導体層１１６及び２１６でよりもむしろ
第１半導体層１１４及び２１４で変えて、各最大光応答
波長がおおむね同じになり且つ最小光応答波長がそれぞ
れ異なるようにしてもよい。
おむね同じであるという観点で本発明について述べてき
たが、おおむね同じであるのが必ずしも最小光応答波長
である必要は無い。たとえば、図１にて、アルミニウム
含有量を第２半導体層１１６及び２１６でよりもむしろ
第１半導体層１１４及び２１４で変えて、各最大光応答
波長がおおむね同じになり且つ最小光応答波長がそれぞ
れ異なるようにしてもよい。
【００１４】出力信号群を得る方法の厳密な説明は省く
として、本発明による出力信号群は、その帯域幅は異な
るが最小光応答波長か又は最大光応答波長のいずれか一
方がおおむね同じである少なくとも２つの出力信号群を
含む。
として、本発明による出力信号群は、その帯域幅は異な
るが最小光応答波長か又は最大光応答波長のいずれか一
方がおおむね同じである少なくとも２つの出力信号群を
含む。
【００１５】少なくとも２つの出力信号群の一方から他
方を減じることにより、それらの２つの最大波長の間の
スペクトル輝線の強度が求められる。たとえば、図７で
各光検出器の出力信号にＡ、Ｂ、Ｃ及びＤと符号をつけ
てある。出力信号Ａから出力信号Ｂを減じた場合、その
結果生じる３１４〜３１９ナノメートルの範囲の波長域
のセグメント信号の信号強度が、コンピュータ３４によ
って、コンピュータ内のルックアップ・テーブル（これ
は図３〜図６のような曲線の積分をもとにグラフの形ま
たは数値の形で作成される）と比較され、これにより温
度を決定することができる。
方を減じることにより、それらの２つの最大波長の間の
スペクトル輝線の強度が求められる。たとえば、図７で
各光検出器の出力信号にＡ、Ｂ、Ｃ及びＤと符号をつけ
てある。出力信号Ａから出力信号Ｂを減じた場合、その
結果生じる３１４〜３１９ナノメートルの範囲の波長域
のセグメント信号の信号強度が、コンピュータ３４によ
って、コンピュータ内のルックアップ・テーブル（これ
は図３〜図６のような曲線の積分をもとにグラフの形ま
たは数値の形で作成される）と比較され、これにより温
度を決定することができる。
【００１６】基板１０（又は光学窓）が燃焼環境によっ
て汚れた場合、各波長帯の信号がそれぞれ比例して低下
するので、基板または光学窓の状態にかかわらず信号強
度は温度を正確に表し、この測定系は自己補償型になっ
ている。
て汚れた場合、各波長帯の信号がそれぞれ比例して低下
するので、基板または光学窓の状態にかかわらず信号強
度は温度を正確に表し、この測定系は自己補償型になっ
ている。
【００１７】前述のように、光検出器を追加することに
よって精度は増加する。たとえば、光検出器を３個使用
して、信号の減算を２回行うと（Ａ−ＢおよびＢ−
Ｃ）、ルックアップ・テーブルで使用し測定温度が得ら
れるデータが追加される。帯域幅の広い出力信号から帯
域幅の狭い出力信号を減じることが好ましいが、そのよ
うな方針は決定的なものではない。そのうえ、精度上
は、Ａ−Ｂ、Ｂ−Ｃ、およびＣ−Ｄのように隣接する出
力信号間の差し引きによるセグメント信号を測定するこ
とが好ましいが、Ａ−Ｃ又はＢ−Ｄのように隣接してい
ない出力信号間のセグメント信号を用いることもでき
る。
よって精度は増加する。たとえば、光検出器を３個使用
して、信号の減算を２回行うと（Ａ−ＢおよびＢ−
Ｃ）、ルックアップ・テーブルで使用し測定温度が得ら
れるデータが追加される。帯域幅の広い出力信号から帯
域幅の狭い出力信号を減じることが好ましいが、そのよ
うな方針は決定的なものではない。そのうえ、精度上
は、Ａ−Ｂ、Ｂ−Ｃ、およびＣ−Ｄのように隣接する出
力信号間の差し引きによるセグメント信号を測定するこ
とが好ましいが、Ａ−Ｃ又はＢ−Ｄのように隣接してい
ない出力信号間のセグメント信号を用いることもでき
る。
【００１８】更により有効な分析手法は、少なくとも３
個の光検出器が必要であるが、これより得た２個のセグ
メント信号強度から強度比を得る方法である。強度の場
合とと同様に、比は自己補償型であり、さらに単一の信
号増幅器の利得の変動によって起こる信号ドリフトの影
響を取り除くのに有効である。
個の光検出器が必要であるが、これより得た２個のセグ
メント信号強度から強度比を得る方法である。強度の場
合とと同様に、比は自己補償型であり、さらに単一の信
号増幅器の利得の変動によって起こる信号ドリフトの影
響を取り除くのに有効である。
【００１９】この実施態様では、コンピュータは少なく
とも３個の光検出器１、２及び３のうちの第１対の光検
出器１及び２の一方の光検出器１の各出力信号（Ａ）か
ら他方の光検出器２の各出力信号（Ｂ）を減じて第１の
セグメント信号を求め、さらに少なくとも３個の光検出
器１、２及び３のうちの第２対の光検出器２及び３の一
方の光検出器２の各出力信号（Ｂ）から他方の光検出器
３の各出力信号（Ｃ）を減じて第２のセグメント信号を
求める。この実施例では、その次に、ＡからＢを減じた
（Ａ−Ｂ）セグメント信号の強度をＢからＣを減じた
（Ｂ−Ｃ）セグメント信号の強度で除算した比を得る。
上記の実施例は実施態様の１つを説明したものである。
いくつかの異なったどの様な比でも用いることができ
る。たとえば、比＝（Ｃ−Ａ）強度／（Ｂ−Ａ）強度を
用いることもできる。
とも３個の光検出器１、２及び３のうちの第１対の光検
出器１及び２の一方の光検出器１の各出力信号（Ａ）か
ら他方の光検出器２の各出力信号（Ｂ）を減じて第１の
セグメント信号を求め、さらに少なくとも３個の光検出
器１、２及び３のうちの第２対の光検出器２及び３の一
方の光検出器２の各出力信号（Ｂ）から他方の光検出器
３の各出力信号（Ｃ）を減じて第２のセグメント信号を
求める。この実施例では、その次に、ＡからＢを減じた
（Ａ−Ｂ）セグメント信号の強度をＢからＣを減じた
（Ｂ−Ｃ）セグメント信号の強度で除算した比を得る。
上記の実施例は実施態様の１つを説明したものである。
いくつかの異なったどの様な比でも用いることができ
る。たとえば、比＝（Ｃ−Ａ）強度／（Ｂ−Ａ）強度を
用いることもできる。
【００２０】３１０ナノメートル（ｎｍ）波長域のＯＨ
発光帯は、この波長領域で信号強度が強く、１２００゜
Ｃもの高温な燃焼器壁（図示してない）に関する黒体放
射に起因する干渉がほとんどないことから、有効であ
る。発光帯としてはＯＨの発光帯が好ましいが、この原
理は他のスペクトル帯に適用することができる。
発光帯は、この波長領域で信号強度が強く、１２００゜
Ｃもの高温な燃焼器壁（図示してない）に関する黒体放
射に起因する干渉がほとんどないことから、有効であ
る。発光帯としてはＯＨの発光帯が好ましいが、この原
理は他のスペクトル帯に適用することができる。
【００２１】この比が得られた後、コンピュータ３４で
コンピュータ内のルックアップ・テーブルを用いて燃焼
火炎温度を決定することができる。この温度ルックアッ
プ・テーブルを図３〜図６に示すような各曲線のセグメ
ント内で強度を積分したものの比に基づくものにするこ
とができる。前述のように、追加のデータ部分は精度の
増加をもたらす。もしコンピュータが光検出器の第３対
から第３のセグメント信号を求め、それを使用して追加
の比を作成すると、その比を使って温度測定の精度を増
すことができる。第３のセグメント信号は、隣接してい
ない出力信号Ａ及びＣからＡ−Ｃとして求めるか、又
は、より好ましくは、４個目のフォトダイオード４の信
号Ｄから、たとえば、出力信号の典型としてＣ−Ｄとし
て得ることができる。
コンピュータ内のルックアップ・テーブルを用いて燃焼
火炎温度を決定することができる。この温度ルックアッ
プ・テーブルを図３〜図６に示すような各曲線のセグメ
ント内で強度を積分したものの比に基づくものにするこ
とができる。前述のように、追加のデータ部分は精度の
増加をもたらす。もしコンピュータが光検出器の第３対
から第３のセグメント信号を求め、それを使用して追加
の比を作成すると、その比を使って温度測定の精度を増
すことができる。第３のセグメント信号は、隣接してい
ない出力信号Ａ及びＣからＡ−Ｃとして求めるか、又
は、より好ましくは、４個目のフォトダイオード４の信
号Ｄから、たとえば、出力信号の典型としてＣ−Ｄとし
て得ることができる。
【００２２】図８は本発明の実施態様による図１および
図２の光検出器の分析手法のブロック線図であり、検出
器１−４を例示している。もし望ましいのであれば、い
くつかの検出器の信号を合波して１つのアンプ３０に送
るか、又はいくつかの別々の増幅器１３０、２３０、３
３０及び４３０を使用して信号を増幅することができ
る。好ましくはアナログ式演算増幅器で増幅を行う。
図２の光検出器の分析手法のブロック線図であり、検出
器１−４を例示している。もし望ましいのであれば、い
くつかの検出器の信号を合波して１つのアンプ３０に送
るか、又はいくつかの別々の増幅器１３０、２３０、３
３０及び４３０を使用して信号を増幅することができ
る。好ましくはアナログ式演算増幅器で増幅を行う。
【００２３】これらの信号は次に単一のアナログ−デジ
タル（Ａ／Ｄ）変換器３２か又は別々のＡ／Ｄ変換器１
３２、２３２、３３２及び４３２によってディジタル信
号に変換される。その後、コンピュータ３４は、減算部
１３６、２３６及び３３６で各変換出力信号を減算して
セグメント信号を求め、ルックアップ・テーブル４０の
使用に先だって除算部１３８及び２３８でセグメント信
号強度の比を求めることができる。
タル（Ａ／Ｄ）変換器３２か又は別々のＡ／Ｄ変換器１
３２、２３２、３３２及び４３２によってディジタル信
号に変換される。その後、コンピュータ３４は、減算部
１３６、２３６及び３３６で各変換出力信号を減算して
セグメント信号を求め、ルックアップ・テーブル４０の
使用に先だって除算部１３８及び２３８でセグメント信
号強度の比を求めることができる。
【００２４】この増幅および／またはＡ／Ｄ変換のため
にマルチプレクサが用いられる場合、コンピュータは減
算および除算処理に先立ち各出力信号を保存する記憶装
置を含むことになる。ノイズの影響を低減するように減
算処理の前にコンピュータで長時間出力信号を平均化す
ることはさらに有益である。このような時間平均化は、
たとえば、数時間のオーダー又は数日のオーダーで行っ
てよい。
にマルチプレクサが用いられる場合、コンピュータは減
算および除算処理に先立ち各出力信号を保存する記憶装
置を含むことになる。ノイズの影響を低減するように減
算処理の前にコンピュータで長時間出力信号を平均化す
ることはさらに有益である。このような時間平均化は、
たとえば、数時間のオーダー又は数日のオーダーで行っ
てよい。
【００２５】他の実施態様においては、この測定系が火
炎吹き消え又は着火をすばやく検知できるように設計す
ることができる。火炎の存在と平均温度に関する情報は
即時にコンピュータの制御系に伝えることができる。燃
料−空気比を最適化して燃焼で生じる窒素酸化物および
一酸化炭素の排出を最小にするために閉ループ制御を用
いることができる。
炎吹き消え又は着火をすばやく検知できるように設計す
ることができる。火炎の存在と平均温度に関する情報は
即時にコンピュータの制御系に伝えることができる。燃
料−空気比を最適化して燃焼で生じる窒素酸化物および
一酸化炭素の排出を最小にするために閉ループ制御を用
いることができる。
【００２６】この明細書では本発明のある特定の好まし
い特徴だけを例示し説明してきたが、多くの変更態様お
よび改造が当業者に思い浮かぶであろう。それゆえ、特
許請求の範囲は本発明の本来の精神の中に入るような変
更態様および改造をすべて網羅するものであることを理
解されたい。
い特徴だけを例示し説明してきたが、多くの変更態様お
よび改造が当業者に思い浮かぶであろう。それゆえ、特
許請求の範囲は本発明の本来の精神の中に入るような変
更態様および改造をすべて網羅するものであることを理
解されたい。
【図１】本発明の一実施態様により用いられる光検出器
の側断面図である。
の側断面図である。
【図２】本発明の一実施態様により用いられる光検出器
の平面図である。
の平面図である。
【図３】１５００゜ＫにおけるＯＨ発光の線強度および
分布を示すグラフである。
分布を示すグラフである。
【図４】２０００゜ＫにおけるＯＨ発光の線強度および
分布を示すグラフである。
分布を示すグラフである。
【図５】２５００゜ＫにおけるＯＨ発光の線強度および
分布を示すグラフである。
分布を示すグラフである。
【図６】３０００゜ＫにおけるＯＨ発光の線強度および
分布を示すグラフである。
分布を示すグラフである。
【図７】図１および図２の光検出器の光応答の最大波長
例を示すグラフである。
例を示すグラフである。
【図８】本発明の実施態様による図１および図２の光検
出器の出力を分析する手法のブロック図である。
出器の出力を分析する手法のブロック図である。
１、２、３、４ 光検出器 １０ 基板 １２ フィルタ １４ 光 ３０ 増幅器 ３２ アナログ−ディジタル変換器 ３４ コンピュータ １００ 分光計 １１４、２１４ 第１のｎ型半導体層 １１６、２１６ 第２のｐ型（またはｎ型）半導体層 １１８、２１８ 第３のｐ型半導体層 １２０、２２０ 第１のコンタクト・パッド １２４、２２４ 第２のコンタクト・パッド １１２、２１２ バッファ層
Claims (5)
- 【請求項１】 燃焼火炎からの光を受ける位置に配置さ
れた少なくとも２個の光検出器であって、該少なくとも
２個の光検出器の各々が、ＯＨ発光帯内の各出力信号を
検出するためのオーバーラップする異なる帯域幅を持っ
ている少なくとも２個の光検出器と、 前記少なくとも２個の光検出器のうちの第１の光検出器
の各出力信号を第２の光検出器の各出力信号から減じて
セグメント信号を求め、このセグメント信号を用いて燃
焼火炎温度を決定するコンピュータと、を含んでいる燃
焼火炎温度測定用分光計。 - 【請求項２】 燃焼火炎からの光を受ける位置に配置さ
れていて、各々がそれぞれの出力信号を検出のためのオ
ーバーラップする異なる帯域幅を持っている少なくとも
３個の光検出器と、 前記少なくとも３個の光検出器のうちの第１対の光検出
器の一方の光検出器の各出力信号を他方の光検出器の各
出力信号から減じて第１のセグメント信号を求めると共
に、前記少なくとも３個の光検出器のうちの第２対の光
検出器の一方の光検出器の各出力信号を他方の光検出器
の各出力信号から減じて第２のセグメント信号を求め、
これらの第１及び第２のセグメント信号の強度の比を計
算し、この比を用いて燃焼火炎温度を決定するコンピュ
ータと、を含んでいる燃焼火炎温度測定用分光計。 - 【請求項３】 燃焼火炎温度を測定する方法であって、 燃焼火炎からの光を検出して、ＯＨ発光帯内の燃焼火炎
の少なくとも２つの出力信号群を得るステップであっ
て、各々の信号は最小光応答波長または最大光応答波長
の一方がおおむね同じであるオーバーラップする異なる
帯域幅を持っているステップと、 前記少なくとも２つの出力信号群のうちの第１の出力信
号群を第２の出力信号群から減じてセグメント信号を求
めるステップと、 前記セグメント信号を用いて燃焼火炎温度を決定するス
テップと、を含んでいる燃焼火炎温度測定方法。 - 【請求項４】 燃焼火炎温度を測定する方法であって、 燃焼火炎からの光を検出して、ＯＨ発光帯内の燃焼火炎
の少なくとも３つの出力信号群を得るステップであっ
て、各々の信号は最小光応答波長または最大光応答波長
の一方がおおむね同じであるオーバーラップする異なる
帯域幅を持っているステップと、 前記少なくとも３個の光検出器のうちの第１対の光検出
器の一方の光検出器の各出力信号を他方の光検出器の各
出力信号から減じて第１のセグメント信号を求めるステ
ップと、 前記少なくとも３個の光検出器のうちの第２対の光検出
器の一方の光検出器の各出力信号を他方の光検出器の各
出力信号から減じて第２のセグメント信号を求め留ステ
ップと、 前記第１及び第２のセグメント信号の強度の比を計算
し、この比を用いて燃焼火炎温度を決定するステップ
と、を含んでいる燃焼火炎温度測定方法。 - 【請求項５】 燃焼火炎温度測定用の分光計であって、 ＯＨ発光帯内の燃焼火炎の少なくとも２つの出力信号群
を得る手段であって、各々の出力信号は最小光応答波長
または最大光応答波長の一方がおおむね同じであるオー
バーラップする異なる帯域幅を持っている手段と、 前記少なくとも２つの出力信号群のうちの第１の出力信
号群を第２の出力信号群から減じてセグメント信号を求
める手段と、 前記セグメント信号を用いて燃焼火炎温度を決定する手
段と、を含んでいる分光計。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/246,861 US6239434B1 (en) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | Solid state optical spectrometer for combustion flame temperature measurement |
| US09/246861 | 1999-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241249A true JP2000241249A (ja) | 2000-09-08 |
| JP2000241249A5 JP2000241249A5 (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=22932553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000029939A Pending JP2000241249A (ja) | 1999-02-08 | 2000-02-08 | 燃焼火炎温度測定方法及び分光計 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6239434B1 (ja) |
| EP (1) | EP1026488B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000241249A (ja) |
| DE (1) | DE60031020T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045379A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Yamatake Corporation | 火炎検知方法および火炎検知装置 |
| JP2010537674A (ja) * | 2007-06-08 | 2010-12-09 | アールアイシー・インベストメンツ・エルエルシー | 睡眠に関する情報を監視するためのシステム及び方法 |
| JP2012522274A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト | ガリウムドープ石英ガラス製の光学フィルタ材料、フィルタ部品及びｕｖ線源を用いて照射する方法 |
| US8505303B2 (en) | 2009-12-11 | 2013-08-13 | General Electric Company | Impurity detection in combustor systems |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646265B2 (en) * | 1999-02-08 | 2003-11-11 | General Electric Company | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination |
| US7112796B2 (en) * | 1999-02-08 | 2006-09-26 | General Electric Company | System and method for optical monitoring of a combustion flame |
| US6350988B1 (en) * | 1999-02-08 | 2002-02-26 | General Electric Company | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination |
| US6784430B2 (en) | 1999-02-08 | 2004-08-31 | General Electric Company | Interdigitated flame sensor, system and method |
| US6947802B2 (en) * | 2000-04-10 | 2005-09-20 | Hypertherm, Inc. | Centralized control architecture for a laser materials processing system |
| US6640548B2 (en) | 2001-09-26 | 2003-11-04 | Siemens Westinghouse Power Corporation | Apparatus and method for combusting low quality fuel |
| US6768326B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-07-27 | General Electric Company | SiC photodiode detectors for radiation detection applications |
| US6838741B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-01-04 | General Electtric Company | Avalanche photodiode for use in harsh environments |
| US7186947B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-03-06 | Hypertherm, Inc. | Process monitor for laser and plasma materials processing of materials |
| US7285433B2 (en) * | 2003-11-06 | 2007-10-23 | General Electric Company | Integrated devices with optical and electrical isolation and method for making |
| US20070012965A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | General Electric Company | Photodetection system and module |
| WO2008079076A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Qunano Ab | Led with upstanding nanowire structure and method of producing such |
| US8752362B2 (en) * | 2009-01-15 | 2014-06-17 | General Electric Company | Optical flame holding and flashback detection |
| US20110008737A1 (en) * | 2009-06-15 | 2011-01-13 | General Electric Company | Optical sensors for combustion control |
| US8456634B2 (en) * | 2009-06-15 | 2013-06-04 | General Electric Company | Optical interrogation sensors for combustion control |
| US20110232296A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | General Electric Company | Optical fuel nozzle flashback detector |
| US10551246B2 (en) * | 2016-01-28 | 2020-02-04 | Ams Sensors Uk Limited | IR detector array device |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058814B2 (ja) * | 1980-05-12 | 1985-12-21 | 横河電機株式会社 | 放射温度計 |
| JPS6036825A (ja) | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Ltd | 燃焼火炎の制御方法および装置 |
| CH684971A5 (de) * | 1989-03-16 | 1995-02-15 | Landis & Gyr Tech Innovat | Ultraviolettlicht-Sensor. |
| DE3930610A1 (de) | 1989-09-13 | 1991-03-21 | Esab Hancock Gmbh | Einrichtung zur optisch-elektronischen steuerung einer brennschneidmaschine |
| FR2663740B1 (fr) * | 1990-06-21 | 1992-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'exploitation des signaux fournis par un pyrometre optique, notamment pour mesurer avec precision la temperature de corps en mouvement et a temperature rapidement evolutive. |
| US5125739A (en) | 1991-01-14 | 1992-06-30 | United Technologies Corporation | Triple spectral area pyrometer |
| US5257496A (en) | 1992-05-05 | 1993-11-02 | General Electric Company | Combustion control for producing low NOx emissions through use of flame spectroscopy |
| US5480298A (en) | 1992-05-05 | 1996-01-02 | General Electric Company | Combustion control for producing low NOx emissions through use of flame spectroscopy |
| US5394005A (en) | 1992-05-05 | 1995-02-28 | General Electric Company | Silicon carbide photodiode with improved short wavelength response and very low leakage current |
| US5249954A (en) * | 1992-07-07 | 1993-10-05 | Electric Power Research Institute, Inc. | Integrated imaging sensor/neural network controller for combustion systems |
| JPH0732538A (ja) | 1993-07-19 | 1995-02-03 | Nkk Corp | 溶接可能な着色アルミニウム板または着色アルミニウム合金板 |
| US5467185A (en) | 1994-07-15 | 1995-11-14 | General Electric Company | Emissions control for internal combustion engine |
| US5544478A (en) | 1994-11-15 | 1996-08-13 | General Electric Company | Optical sensing of combustion dynamics |
| JPH08226854A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Babcock Hitachi Kk | ２色光センサおよび放射温度計 |
| US5589682A (en) | 1995-06-07 | 1996-12-31 | General Electric Company | Photocurrent detector circuit with high sensitivity, fast response time, and large dynamic range |
| US5834331A (en) | 1996-10-17 | 1998-11-10 | Northwestern University | Method for making III-Nitride laser and detection device |
| US6104074A (en) * | 1997-12-11 | 2000-08-15 | Apa Optics, Inc. | Schottky barrier detectors for visible-blind ultraviolet detection |
-
1999
- 1999-02-08 US US09/246,861 patent/US6239434B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-03 DE DE60031020T patent/DE60031020T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-03 EP EP00300863A patent/EP1026488B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-08 JP JP2000029939A patent/JP2000241249A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045379A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Yamatake Corporation | 火炎検知方法および火炎検知装置 |
| JP2010537674A (ja) * | 2007-06-08 | 2010-12-09 | アールアイシー・インベストメンツ・エルエルシー | 睡眠に関する情報を監視するためのシステム及び方法 |
| JP2012522274A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト | ガリウムドープ石英ガラス製の光学フィルタ材料、フィルタ部品及びｕｖ線源を用いて照射する方法 |
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