JPS6218010B2 - - Google Patents
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- JPS6218010B2 JPS6218010B2 JP55089591A JP8959180A JPS6218010B2 JP S6218010 B2 JPS6218010 B2 JP S6218010B2 JP 55089591 A JP55089591 A JP 55089591A JP 8959180 A JP8959180 A JP 8959180A JP S6218010 B2 JPS6218010 B2 JP S6218010B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/39—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using tunable lasers
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザを光源として使用する赤
外分光分析方式に関するものである。
外分光分析方式に関するものである。
赤外線の吸収スペクトルによる分析方法の一種
として、赤外領域で発光する半導体レーザを光源
として使用する方法が近年提案されている。この
ような分析方法はたとえば特開昭54−61587号公
報により開示されて周知であるが、以下にその原
理を簡約して説明する。
として、赤外領域で発光する半導体レーザを光源
として使用する方法が近年提案されている。この
ような分析方法はたとえば特開昭54−61587号公
報により開示されて周知であるが、以下にその原
理を簡約して説明する。
赤外線を発する半導体レーザは多元半導体から
成るダイオードレーザの一種であつて、順方向電
流を流すことにより発光するが、発光波長がある
範囲内で上記順方向電流（以下レーザ電流と言
う）の値によつてほぼ直線的に変化するという性
質がある。この性質を利用して半導体レーザに供
給するレーザ電流を時間とともに直線的に変化さ
せ、一方分析対象物通過後のレーザ光を赤外線検
知器に入射させて電気信号に変換する。こうすれ
ば上記赤外線検知器の出力電圧の時間的変化、換
言すれば出力電圧の波形がそのまま分析対象物の
赤外線吸収スペクトルとなる。
成るダイオードレーザの一種であつて、順方向電
流を流すことにより発光するが、発光波長がある
範囲内で上記順方向電流（以下レーザ電流と言
う）の値によつてほぼ直線的に変化するという性
質がある。この性質を利用して半導体レーザに供
給するレーザ電流を時間とともに直線的に変化さ
せ、一方分析対象物通過後のレーザ光を赤外線検
知器に入射させて電気信号に変換する。こうすれ
ば上記赤外線検知器の出力電圧の時間的変化、換
言すれば出力電圧の波形がそのまま分析対象物の
赤外線吸収スペクトルとなる。
上述の分光分析方法により大気中に微量に存在
する、公害の原因となる亜硫酸ガス（SO2）、一
酸化炭素（CO）等を検出または定量しようとす
る場合には一般に有効信号のレベルはかなり微弱
になる。このように信号が微弱なときには測定系
の雑音が分析精度を劣化させることは当然である
が、とくに半導体レーザを光源として使用する赤
外分光分析方法においてはレーザ素子から発生す
る雑音が赤外線検知器や該検知器の出力信号を増
幅する増幅器等の雑音に比し高レベルであつて、
この雑音によつて測定システムの精度、感度が制
限されるという問題点がある。
する、公害の原因となる亜硫酸ガス（SO2）、一
酸化炭素（CO）等を検出または定量しようとす
る場合には一般に有効信号のレベルはかなり微弱
になる。このように信号が微弱なときには測定系
の雑音が分析精度を劣化させることは当然である
が、とくに半導体レーザを光源として使用する赤
外分光分析方法においてはレーザ素子から発生す
る雑音が赤外線検知器や該検知器の出力信号を増
幅する増幅器等の雑音に比し高レベルであつて、
この雑音によつて測定システムの精度、感度が制
限されるという問題点がある。
上記半導体レーザ素子から発生する雑音（以下
レーザ雑音と言う）は主として一種の接合ダイオ
ードであるレーザ素子に電流を流すことによつて
生ずるダイオード雑音であり、またレーザ素子の
電極が素子の半導体部分に充分良好なオーム性接
触をなしていないと、接触抵抗等に基因する雑音
がさらに加算される。
レーザ雑音と言う）は主として一種の接合ダイオ
ードであるレーザ素子に電流を流すことによつて
生ずるダイオード雑音であり、またレーザ素子の
電極が素子の半導体部分に充分良好なオーム性接
触をなしていないと、接触抵抗等に基因する雑音
がさらに加算される。
ただし半導体レーザ素子の発生する雑音電圧自
体は直接測定システム中の増幅器への入力とはな
らないが、この雑音は本来レーザ電流の微小かつ
不規則的なゆらぎにほかならない。そしてこの種
のレーザにはその発光波長、発光強度がともにレ
ーザ電流に依存する性質があるため上記レーザ電
流のゆらぎは結果として赤外線検知器の出力電圧
に不規則的なゆらぎを与える。これは一般の電気
的雑音と本質的に同一であり、したがつて一般の
雑音と同等の悪影響を測定システムに及ぼす。
体は直接測定システム中の増幅器への入力とはな
らないが、この雑音は本来レーザ電流の微小かつ
不規則的なゆらぎにほかならない。そしてこの種
のレーザにはその発光波長、発光強度がともにレ
ーザ電流に依存する性質があるため上記レーザ電
流のゆらぎは結果として赤外線検知器の出力電圧
に不規則的なゆらぎを与える。これは一般の電気
的雑音と本質的に同一であり、したがつて一般の
雑音と同等の悪影響を測定システムに及ぼす。
しかるに従来上述の赤外分光分析方法を実施す
るための装置においては上記レーザ雑音の抑圧が
考慮されていなくて、単にレーザ電流、レーザ素
子の温度を安定化する方策が採られていたにすぎ
ない。したがつてレーザ雑音が他種雑音よりも大
きく、これが分析精度および分析対象物質の検出
感度を制限するという不都合があつた。
るための装置においては上記レーザ雑音の抑圧が
考慮されていなくて、単にレーザ電流、レーザ素
子の温度を安定化する方策が採られていたにすぎ
ない。したがつてレーザ雑音が他種雑音よりも大
きく、これが分析精度および分析対象物質の検出
感度を制限するという不都合があつた。
本発明は前述の問題点を解決したもので、光源
となる半導体レーザの発光を分岐し、その１つ
を、分析対象物を通過させ、他の１つは通過させ
ずにそれぞれ光電変換し、光電変換によつて得ら
れた２系統の信号の差をとることによつてレーザ
雑音を抑圧するようにした新規な赤外分光分析方
式を提供しようとするものである。
となる半導体レーザの発光を分岐し、その１つ
を、分析対象物を通過させ、他の１つは通過させ
ずにそれぞれ光電変換し、光電変換によつて得ら
れた２系統の信号の差をとることによつてレーザ
雑音を抑圧するようにした新規な赤外分光分析方
式を提供しようとするものである。
以下図面を用いて本発明に係る赤外分光分析方
式の実施例について詳細に説明する。
式の実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明の方式の一実施例に使用する分
析装置の構成を系統図として示したもので、以下
本図の分析装置の構成と動作について説明する。
析装置の構成を系統図として示したもので、以下
本図の分析装置の構成と動作について説明する。
赤外線を発する半導体レーザ（以下単にレーザ
と言う）１の発光はモータＭによつて駆動される
チヨツパ２によつて断続されて、分析すべき試料
たとえばガスセル４に入射するが、その前に光分
岐手段３によつて２分され、ガスセル４には分岐
光の片方ａのみが入射する。光分岐手段３は入射
光のスペクトルを変化させることなく光路を互い
に等パワーの２路の分岐させる機能を有するもの
であればよいが、各分岐光はなるべく等パワーで
あれば好都合である。しかし後述するように、等
パワーでなくてもさほど不便はない。本実施例に
おいて光分岐手段３として半透鏡を用いるものと
する。
と言う）１の発光はモータＭによつて駆動される
チヨツパ２によつて断続されて、分析すべき試料
たとえばガスセル４に入射するが、その前に光分
岐手段３によつて２分され、ガスセル４には分岐
光の片方ａのみが入射する。光分岐手段３は入射
光のスペクトルを変化させることなく光路を互い
に等パワーの２路の分岐させる機能を有するもの
であればよいが、各分岐光はなるべく等パワーで
あれば好都合である。しかし後述するように、等
パワーでなくてもさほど不便はない。本実施例に
おいて光分岐手段３として半透鏡を用いるものと
する。
さてガスセル４を通過した分岐光ａは第１の赤
外線検知器５（以下第１検知器と言う）に入射し
て電気信号に変換される。一方、半透鏡３により
分岐された他方の分岐光ｂは直接第２の赤外線検
知器６（以下第２検知器と言う）に入射して電気
信号に変換される。そして上記２系統の電気信号
は最終的に差動増幅器８に印加され、両者の差に
比例する信号が出力として取出されるのである
が、第２検知器６の出力信号は差動増幅器８に印
加される前に可変減衰器７を通過させられる。こ
のようにするには後述するように両系統の信号の
レベルを揃えるためである。差動増幅器８の出力
端子９に現れる信号はレーザ雑音を除去された映
像信号であつて、信号処理回路１０を介して図示
しない表示装置に印加されて赤外線像として表示
される。なお簡単にするため集光用の光学系（レ
ンズ等）は省略した。また信号処理回路１０は本
発明の本質には関係がないのでその動作について
の詳細な説明を省略するが、信号の増幅、不要直
流分除去、同期信号の発生等を行うものとする。
外線検知器５（以下第１検知器と言う）に入射し
て電気信号に変換される。一方、半透鏡３により
分岐された他方の分岐光ｂは直接第２の赤外線検
知器６（以下第２検知器と言う）に入射して電気
信号に変換される。そして上記２系統の電気信号
は最終的に差動増幅器８に印加され、両者の差に
比例する信号が出力として取出されるのである
が、第２検知器６の出力信号は差動増幅器８に印
加される前に可変減衰器７を通過させられる。こ
のようにするには後述するように両系統の信号の
レベルを揃えるためである。差動増幅器８の出力
端子９に現れる信号はレーザ雑音を除去された映
像信号であつて、信号処理回路１０を介して図示
しない表示装置に印加されて赤外線像として表示
される。なお簡単にするため集光用の光学系（レ
ンズ等）は省略した。また信号処理回路１０は本
発明の本質には関係がないのでその動作について
の詳細な説明を省略するが、信号の増幅、不要直
流分除去、同期信号の発生等を行うものとする。
第１図の回路構成によりレーザ雑音を少なくと
も大部分抑圧することができる。以下にその理由
を説明する。
も大部分抑圧することができる。以下にその理由
を説明する。
便宜上、第１、第２両検知器の特性はたがいに
全く同一であると仮定し、ガスセル４内のガスに
は検出すべき成分たとえばSO2以外の吸収物は含
まれていないものとする。試料を収容する容器に
よる吸収も無視し得る程度とする。また半透鏡３
は入射光をたがいに等パワーの２つの分岐光に分
割するものとする。このように仮定した場合には
減衰器７は短絡してしまつて差支えない。換言す
れば無減衰（減衰度OdB）でよい。この仮定のも
とに、第１、第２両検知器の出力電圧をそれぞれ
V1，V2とすれば次の両式が成立する。
全く同一であると仮定し、ガスセル４内のガスに
は検出すべき成分たとえばSO2以外の吸収物は含
まれていないものとする。試料を収容する容器に
よる吸収も無視し得る程度とする。また半透鏡３
は入射光をたがいに等パワーの２つの分岐光に分
割するものとする。このように仮定した場合には
減衰器７は短絡してしまつて差支えない。換言す
れば無減衰（減衰度OdB）でよい。この仮定のも
とに、第１、第２両検知器の出力電圧をそれぞれ
V1，V2とすれば次の両式が成立する。
V1＝D1＋ｅ（λ）＋n1＋ｎl ………(1)
V2＝D2＋n2＋n′l ………(2)
ただしD1およびD2は直流分、ｅ（λ）は試料
の赤外線吸収に基づく変化分、n1およびn2はそれ
ぞれ第１検知器５および第２検知器６内で発生す
る雑音電圧、ｎlおよびn′lは分岐光ａ，ｂ中のレ
ーザ雑音である。上述した仮定によりD1＝D2、
ｎl＝n′lとみなすことができる。なぜなら第１、
第２両検知器にはレーザ光がたがいに等パワーの
２系統の分岐光として入射するからである。
の赤外線吸収に基づく変化分、n1およびn2はそれ
ぞれ第１検知器５および第２検知器６内で発生す
る雑音電圧、ｎlおよびn′lは分岐光ａ，ｂ中のレ
ーザ雑音である。上述した仮定によりD1＝D2、
ｎl＝n′lとみなすことができる。なぜなら第１、
第２両検知器にはレーザ光がたがいに等パワーの
２系統の分岐光として入射するからである。
ゆえに差動増幅器８の出力端子９に現れる出力
電圧をV3とし、差動増幅器８の利得をＧとする
と V3＝Ｇ（V1−V2）＝Ｇ｛ｅ（λ）＋＜n1−n2＞｝
………(3) となり、レーザ雑音は消去されることになる。た
だしn1およびn2は両検知器５，６の雑音をそれぞ
れ表しているので、両者は互いに無相関であるた
め差動増幅後の値を単なる減衰で表すことは適当
でない。よつてこれを＜＞内に入れた。実際には
差動増幅器の出力端子９に現れる両検知器の雑音
の合成値は単独の検知器の場合よりも平均値とし
て3dB程度高くなる。しかし一般にレーザ雑音は
検知器の雑音よりも10〜30dB高いので、総合し
た信号対雑音比（SN比）は従来の場合よりもは
るかに良好となる。
電圧をV3とし、差動増幅器８の利得をＧとする
と V3＝Ｇ（V1−V2）＝Ｇ｛ｅ（λ）＋＜n1−n2＞｝
………(3) となり、レーザ雑音は消去されることになる。た
だしn1およびn2は両検知器５，６の雑音をそれぞ
れ表しているので、両者は互いに無相関であるた
め差動増幅後の値を単なる減衰で表すことは適当
でない。よつてこれを＜＞内に入れた。実際には
差動増幅器の出力端子９に現れる両検知器の雑音
の合成値は単独の検知器の場合よりも平均値とし
て3dB程度高くなる。しかし一般にレーザ雑音は
検知器の雑音よりも10〜30dB高いので、総合し
た信号対雑音比（SN比）は従来の場合よりもは
るかに良好となる。
ここまでの議論においては理解の便宜のために
若干の理想化を行なつた。しかし実際には半透鏡
その他の光分岐手段が必ずしも入射光を正確に２
分し得るとは限らない。また試料たとえばガスの
容器その他分析の対象となる物質に基因しない吸
収が存在する可能性がある。このような場合には
減衰器７によつて分岐光ｂに対する見掛け上の利
得を調整してレーザ雑音のレベルを揃えてから差
動増幅器８に印加すればよい。
若干の理想化を行なつた。しかし実際には半透鏡
その他の光分岐手段が必ずしも入射光を正確に２
分し得るとは限らない。また試料たとえばガスの
容器その他分析の対象となる物質に基因しない吸
収が存在する可能性がある。このような場合には
減衰器７によつて分岐光ｂに対する見掛け上の利
得を調整してレーザ雑音のレベルを揃えてから差
動増幅器８に印加すればよい。
また両系統のレベルを揃えるには、電気的な減
衰器の代わりに光学的な減衰手段を用いてもよ
い。たとえばガスセル４のガス容器部分が赤外線
を吸収するガラスから成つているとすれば、同質
のガラスで同一形状の容器を作り、内部を真空に
して密閉すれば、この真空セルの赤外線吸収量は
ガスセル４の容器の吸収と同一であるから、第２
検知器６には上記真空セルを通して分岐光ｂを入
射させるようにすれば、電気的減衰器を省くこと
ができる。第２図に真空セル１１を光学的減衰器
として用い、かつ差動増幅前に前置増幅器１２お
よび１３で第１検知器および第２検知器６の出力
をそれぞれ増幅するようにした実施例の要部を示
した。本実施例は電気的減衰器がなく、かつ差動
増幅器に印加される２系統の信号はそれぞれ増幅
されているためSN比が良好で、分析対象物の吸
収が微弱な場合に好適である。
衰器の代わりに光学的な減衰手段を用いてもよ
い。たとえばガスセル４のガス容器部分が赤外線
を吸収するガラスから成つているとすれば、同質
のガラスで同一形状の容器を作り、内部を真空に
して密閉すれば、この真空セルの赤外線吸収量は
ガスセル４の容器の吸収と同一であるから、第２
検知器６には上記真空セルを通して分岐光ｂを入
射させるようにすれば、電気的減衰器を省くこと
ができる。第２図に真空セル１１を光学的減衰器
として用い、かつ差動増幅前に前置増幅器１２お
よび１３で第１検知器および第２検知器６の出力
をそれぞれ増幅するようにした実施例の要部を示
した。本実施例は電気的減衰器がなく、かつ差動
増幅器に印加される２系統の信号はそれぞれ増幅
されているためSN比が良好で、分析対象物の吸
収が微弱な場合に好適である。
つぎに、前述したところから容易に理解される
ように本発明の方式によればレーザ雑音だけでな
く分析対象物による吸収以外の要因によるレーザ
光パワーの変動をすべて打ち消すことができる。
なぜなら何らかの理由によりレーザ１の出力光パ
ワーがＰなる値からＰ＋△Ｐに変化したとすれ
ば、分岐光ａ，ｂのパワーはそれぞれ（Ｐ＋△
Ｐ）／２となり、同方向にいずれも△Ｐ／２だけ
変化する。よつてこの変化に対応する両検知器の
出力レベル変化は差動増幅器８内で打消し合つ
て、出力には現れなくなるわけである。
ように本発明の方式によればレーザ雑音だけでな
く分析対象物による吸収以外の要因によるレーザ
光パワーの変動をすべて打ち消すことができる。
なぜなら何らかの理由によりレーザ１の出力光パ
ワーがＰなる値からＰ＋△Ｐに変化したとすれ
ば、分岐光ａ，ｂのパワーはそれぞれ（Ｐ＋△
Ｐ）／２となり、同方向にいずれも△Ｐ／２だけ
変化する。よつてこの変化に対応する両検知器の
出力レベル変化は差動増幅器８内で打消し合つ
て、出力には現れなくなるわけである。
たとえば、半導体レーザ中とくに赤外領域で発
光するものにはモードホツプと呼ばれる現象があ
る。これはレーザ電流を連続的に変化させていつ
た場合にレーザ光の波長が不連続的に変化する現
象を指すのであるが、波長が不連続的に変化する
時点で発光パワーもかなり急激な変化をするため
吸収スペクトルが不明確になる。本発明の方式に
よればこのようなレーザの発光パワー変化が吸収
スペクトルに及ぼす影響を抑圧することができ
る。第３図Ａ〜Ｄはこの様子を示したもので、以
下同図について説明する。
光するものにはモードホツプと呼ばれる現象があ
る。これはレーザ電流を連続的に変化させていつ
た場合にレーザ光の波長が不連続的に変化する現
象を指すのであるが、波長が不連続的に変化する
時点で発光パワーもかなり急激な変化をするため
吸収スペクトルが不明確になる。本発明の方式に
よればこのようなレーザの発光パワー変化が吸収
スペクトルに及ぼす影響を抑圧することができ
る。第３図Ａ〜Ｄはこの様子を示したもので、以
下同図について説明する。
第３図Ａはモードホツプにおけるレーザ光波長
の変化を示すグラフで、横軸はレーザ電流、縦軸
は発光波長にそれぞれ対応する。電流値I1，I2，
I3において不連続的な発光波長変化、すなわち飛
躍が現れている。これがモードホツプである。同
図Ｂはレーザ光パワーの変化を示したもので、上
記３つの電流値においてパワーに極小点が生じて
いる。さらに同図Ｃは第１図における第１検知器
５の出力波形に相当し、赤外線吸収スペクトルが
同図Ｂの曲線に乗つたものとみなすことができ
る。本図Ｃから明らかなように、吸収による光パ
ワー変化と、モードホツプに基因する変化とが重
なり合うため、判定が困難である。
の変化を示すグラフで、横軸はレーザ電流、縦軸
は発光波長にそれぞれ対応する。電流値I1，I2，
I3において不連続的な発光波長変化、すなわち飛
躍が現れている。これがモードホツプである。同
図Ｂはレーザ光パワーの変化を示したもので、上
記３つの電流値においてパワーに極小点が生じて
いる。さらに同図Ｃは第１図における第１検知器
５の出力波形に相当し、赤外線吸収スペクトルが
同図Ｂの曲線に乗つたものとみなすことができ
る。本図Ｃから明らかなように、吸収による光パ
ワー変化と、モードホツプに基因する変化とが重
なり合うため、判定が困難である。
最後に第３図Ｄは本発明の方式を適用した場合
で、第１図における出力端子９に現れる信号波形
に相当する。第３図Ｄを同図Ｃと比較すれば明ら
かなように、レーザ光パワーの電流依存性が補正
されているため、吸収スペクトルがずつと見易く
なつている。
で、第１図における出力端子９に現れる信号波形
に相当する。第３図Ｄを同図Ｃと比較すれば明ら
かなように、レーザ光パワーの電流依存性が補正
されているため、吸収スペクトルがずつと見易く
なつている。
以上の説明から明らかなように、本発明の方式
によればレーザ光の雑音、およびレーザ電流によ
るパワー変化等を効果的に抑圧することができる
ため、分光分析の検出感度および分析精度を従来
の場合に比し格段に向上させることができるとい
う優れた利点がある。ゆえに赤外線吸収により大
気中の微量成分の検出、定量等を行う分光分析に
適用してきわめて有利である。
によればレーザ光の雑音、およびレーザ電流によ
るパワー変化等を効果的に抑圧することができる
ため、分光分析の検出感度および分析精度を従来
の場合に比し格段に向上させることができるとい
う優れた利点がある。ゆえに赤外線吸収により大
気中の微量成分の検出、定量等を行う分光分析に
適用してきわめて有利である。
第１図は本発明に係る分光分析方式の一実施例
に使用する装置の構成を示す概略ブロツク図、第
２図は本発明の他の一実施例に使用する装置の構
成を示す要部ブロツク図、第３図Ａ〜Ｄはレーザ
光パワーの電流依存性と吸収スペクトルとの関
係、および本発明の方式による吸収スペクトルの
補正を説明するためのグラフである。 １：半導体レーザ、２：チヨツパ、３：半透
鏡、７：可変減衰器、１１：真空セル、１２，１
３：前置増幅器。
に使用する装置の構成を示す概略ブロツク図、第
２図は本発明の他の一実施例に使用する装置の構
成を示す要部ブロツク図、第３図Ａ〜Ｄはレーザ
光パワーの電流依存性と吸収スペクトルとの関
係、および本発明の方式による吸収スペクトルの
補正を説明するためのグラフである。 １：半導体レーザ、２：チヨツパ、３：半透
鏡、７：可変減衰器、１１：真空セル、１２，１
３：前置増幅器。
Claims (1)
- １ 光源とする半導体レーザの発する赤外線を分
岐し、分岐光の１つを、分析対象物に入射せしめ
た後第１赤外線検知器に入射せしめて第１電気信
号に変換するとともに、分岐光の他の１つを、分
析対象物を経由せずに第２赤外線検知器に入射せ
しめて第２電気信号に変換した後、レベル調整手
段を通して前記第１電気信号とレベルを一致さ
せ、しかる後これら両電気信号を差動増幅器に入
力せしめて減算することにより両信号に含まれる
レーザノイズ成分を除去した信号を得て上記分析
対象物の赤外線吸収スペクトルを求めることを特
徴とする赤外分光分析方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8959180A JPS5714743A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | System for infrared spectrochemical analysis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8959180A JPS5714743A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | System for infrared spectrochemical analysis |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5714743A JPS5714743A (en) | 1982-01-26 |
| JPS6218010B2 true JPS6218010B2 (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=13975016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8959180A Granted JPS5714743A (en) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | System for infrared spectrochemical analysis |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5714743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411117U (ja) * | 1987-07-08 | 1989-01-20 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057237A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 生化学分析における反射濃度測定方法 |
| JPS61174689A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Rohm Co Ltd | 電子部品用半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 |
| JP4295032B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2009-07-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | めっき装置 |
| JP2010145320A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | General Packer Co Ltd | ガス測定装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5250275A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for measuring quantity of light using laser |
-
1980
- 1980-06-30 JP JP8959180A patent/JPS5714743A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5250275A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | Apparatus for measuring quantity of light using laser |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411117U (ja) * | 1987-07-08 | 1989-01-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5714743A (en) | 1982-01-26 |
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