JP2000240900A - バルブユニット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残留ガスの置換を効率よく行うことが可能な
バルブユニットを提供すること。 【解決手段】 本発明に係るバルブユニット１０は、ブ
ロック体に流路が形成されたマニホールド１に対して、
流路を通って流れる流体の流れを制御する複数の流体制
御機器２，３，４が一体に取り付けられてなるものであ
って、プロセスガスの流れを制御するガス供給バルブ２
と、プロセスガスの流れの下流側に配置されてパージガ
スの流れを制御するガス置換バルブ３とを有し、ガス供
給バルブ２から排出側に形成されたプロセスガス流路２
２と、ガス置換バルブ３からプロセスガス流路２２へ合
流するよう形成されたパージガス流路２５との合流点
が、ガス置換バルブ３の上流側にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
の産業用製造装置で使用されるバルブユニットに関し、
さらに詳細には、流路内に滞留する残留ガスの置換を効
率的に行うことが可能なバルブユニットに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程では、従来からホトレジ
スト加工のエッチング等に腐食性ガス、毒性ガスおよび
可燃性ガス等のプロセスガスが供給ガスとして使用され
ている。ホトレジスト加工（ホトレジスト塗布、露光、
現像、エッチング）は、半導体製造工程において複数回
繰り返されるが、そこではプロセスガスを必要に応じて
供給するガス供給装置が使用されている。即ち、ホトレ
ジスト加工においては、複数種類のプロセスガスや、同
一種類であっても濃度の異なったプロセスガスが使用さ
れることがある。そのため、密閉された空間で構成した
チャンバ内で、複数の腐食性ガスや成分ガス等のプロセ
スガスが混合されたり、プロセスガス等に不活性ガスが
混合されたりして所定の濃度にされたりして供給されて
いる。

【０００３】ところが、プロセスガスの中でも腐食性ガ
スは、供給後パイプ内に残留したまま放置されると、パ
イプ内部の金属等を腐食してしまうので、次のガス供給
時に不純物が混入して半導体に悪影響を与えることがあ
った。また、腐食性ガスが少量でも残留すれば、次に使
用するプロセスガスの成分が変化してしまい、ホトレジ
スト加工に大きな悪影響を与え、半導体製品の品質の劣
化させる原因にもなった。さらに、前回使用のプロセス
ガスが可燃性ガス等の場合には、たとえ少しの残量であ
っても種類によっては次のガスと混合して、可燃性ガス
による燃焼や爆発が発生する恐れがあった。そこで、ガ
ス供給装置では、複数種類の所定量のプロセスガス等を
チャンバ内で混合して供給ガスを製造して半導体工程に
供給した後、チャンバやガス供給装置等の内部に残留し
ているプロセスガスを窒素ガス等の不活性ガスで置換す
ることが行われている。

【０００４】ところで、最近では半導体製造装置の集積
化が進み、ガス供給装置を構成する流路及び制御バルブ
などをユニット化したバルブユニットが採用されるに至
っている。図３は、そのようなバルブユニットの従来例
を示す断面図である。バルブユニット１００は、流路の
形成されたマニホールド１０１に、不図示のチャンバへ
のプロセスガスの流れを制御するガス供給バルブ１０
２、残留ガスを置換するためのパージガスの流れを制御
するガス置換バルブ１０３、及びプロセスガスの流入を
防止するチェック弁１０４が一列に並べられ一体に取り
付けられている。そして、プロセスガスを流す時にはガ
ス置換バルブ１０３が閉じられ、ガス供給バルブ１０２
が開けられてプロセスガスがチャンバ側へと供給され
る。そのため、プロセスガスは、プロセスガス流入路１
１１から入りガス供給バルブ１０２を介してプロセスガ
ス流出路１１２へと流れ、排出流路１１３から不図示の
チャンバへと供給される。

【０００５】一方、残留ガスの置換時には、ガス供給バ
ルブ１０２が閉じられてプロセスガスの供給が止められ
た後、ガス置換バルブ１０３が開けられてパージガス
（例えば窒素ガス）が高い圧力（例えば２気圧）で流路
内に流される。パージガスは、チェック弁１０４からガ
ス置換バルブ１０３を通ってプロセスガス流出路１１２
に直交するパージガス流入路１１４から排出流路１１３
側へ勢い良く流されるとともに、高い圧力で供給されて
いるためガス供給バルブ１０２側へ続くデッドスペース
１２０内へも流入することとなる。そのため、デッドス
ペース１２０内の残留ガスは、パージガスによって希釈
されとともに排出流路１１３側へ流されて排出される。
従って、プロセスガス流出路１１２内にパージガスを流
し続けることによって、流路内に残るプロセスガスが希
釈されてガス置換が完了することになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示す
ような従来のバルブユニット１００では、流路内の残留
ガスを所望の濃度にまで希釈させるガス置換に時間がか
かり、またそれに伴ってパージガスの消費量が多くなる
ことが問題になっていた。ガス置換に長時間を要すれ
ば、半導体製造装置のサイクルタイムが長くなって生産
効率を低下させ、またパージガスの消費量が多くなれ
ば、コスト削減への障害となるからである。

【０００７】そこで、本発明は、上記の課題を解決すべ
く、残留ガスの置換を効率よく行うことが可能なバルブ
ユニットを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るバルブユニ
ットは、ブロック体に流路が形成されたマニホールドに
対して、前記流路を通って流れる流体の流れを制御する
複数の流体制御機器が一体に取り付けられてなるもので
あって、プロセスガスの流れを制御するガス供給バルブ
と、プロセスガスの流れの下流側に配置されてパージガ
スの流れを制御するガス置換バルブとを有し、前記ガス
供給バルブから排出側に形成されたプロセスガス流路
と、前記ガス置換バルブから前記プロセスガス流路へ合
流するよう形成されたパージガス流路との合流点が、前
記ガス置換バルブの上流側にあることを特徴とする。例
えば、前記パージガス流路を上流側に傾斜して形成し、
下流側に傾斜して形成した前記プロセスガス流路の傾斜
部分に合流させる。よって、プロセスガス供給後にガス
供給バルブを閉じ、ガス置換バルブを開けてパージガス
を流せば、パージガス流路からプロセスガス流路の合流
点を通って下流側に残留ガスが押し流され、またパージ
ガスは一般に高い圧力で供給されるため、ガス供給バル
ブによって閉じられてデッドスペースとなった合流点の
上流側にも流れ込んで、当該スペースの残留ガスを希釈
して排気させる。このとき、合流点がガス置換バルブの
上流側、即ちガス供給バルブの閉弁部により近い位置に
あるため、デッドスペースの容積が小さく、即ちプロセ
スガスの残留量が少なくなることでガス置換に要する時
間を短縮し、パージガスの消費量も減らすことができ
る。

【０００９】また、本発明に係るバルブユニットは、ブ
ロック体に流路が形成されたマニホールドに対して、前
記流路を通って流れる流体の流れを制御する複数の流体
制御機器が一体に取り付けられてなるものであって、プ
ロセスガスの流れを制御するガス供給バルブと、プロセ
スガスの流れの下流側に配置されてパージガスの流れを
制御するガス置換バルブとを有し、前記ガス供給バルブ
から排出側に形成されたプロセスガス流路と、前記ガス
置換バルブからプロセスガス流路へ合流するよう形成さ
れたパージガス流路と、前記パージガス流路と前記プロ
セスガス流路との入り口部を連絡するバイパス流路とを
有することを特徴とする。よって、プロセスガス供給後
にガス供給バルブを閉じ、ガス置換バルブを開けてパー
ジガスを流せば、パージガス流路からプロセスガス流路
の合流点を通って下流側に残留ガスが押し流され、また
バイパス流路を通って合流点の更に上流側からプロセス
ガス流路内の残留ガスが押し流される。また、パージガ
スは一般に高い圧力で供給されるため、ガス供給バルブ
によって閉じられてデッドスペースとなったプロセスガ
ス流路入り口の上流側にも流れ込んで、当該スペースの
残留ガスを希釈して排気させる。このとき、デッドスペ
ースがガス供給バルブ内の僅かな空間であるため、プロ
セスガスの残留量が少なく、ガス置換に要する時間を短
縮し、パージガスの消費量も減らすことができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係るバルブユニッ
トの一実施の形態について図面を参照して具体的に説明
する。本実施の形態のバルブユニットは、前述したもの
と同様に半導体製造装置等のガス供給装置を構成するも
のである。図１は、バルブユニットの第１実施の形態を
示す断面図である。バルブユニット１０は、流路の形成
されたマニホールド１上に、不図示のチャンバへのプロ
セスガスの流れを制御するガス供給バルブ２、残留ガス
を置換するためのパージガスの流れを制御するガス置換
バルブ３、及びプロセスガスの流入を防止するチェック
弁４が一列に並べられ一体に取り付けられている。ガス
供給バルブ２、ガス置換バルブ３及びチェック弁４は、
それぞれのバルブブロック１１，１２，１３と一体に構
成され、そのバルブブロック１１，１２，１３によって
マニホールド１に取り付けられている。バルブブロック
１１，１２，１３には、それぞれ弁部に連通し、取り付
け面である底面側にポート部を開設する流入路１１Ａ，
１２Ａ，１３Ａと流出路１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂとが穿
設されている。

【００１１】そして、このバルブブロック１１，１２，
１３の流入路１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ及び流出路１１
Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂとに連通する流路がマニホールド１
に穿設されている。即ち、プロセスガスの流れを制御す
る作業バルブ２のバルブブロック１１には、プロセスガ
ス流入路２１とプロセスガス流出路２２が連通してい
る。特に、本実施の形態のものは、従来例のもの（図３
参照）と比較して分かるように、プロセスガス流出路２
２が、マニホールド１の長手方向に穿設された水平部２
２Ｐに対し、下流側（ガス置換バルブ３側）に傾斜した
傾斜部２２Ｑによって連通している。従って、バルブブ
ロック１１の流出路１１Ｂもプロセスガス流出路２２の
傾斜部２２Ｑに合わせて傾斜して形成されている。

【００１２】またマニホールド１には、チェック弁１３
にパージガスを供給するパージガス流入路２３と、チェ
ック弁１３からガス置換バルブ３へパージガスを流すた
めの連絡流路２４とが穿設されている。更に、マニホー
ルド１には、ガス置換バルブ３に対するバルブブロック
１２の流出路１２Ｂから、プロセスガス流出路２２の傾
斜部２２Ｑの途中で合流するようにパージガス供給路２
５が穿設されている。このパージガス供給路２５は、上
流側（ガス供給バルブ２側）にプロセスガス流出路２２
の傾斜部２２Ｑと同程度に傾斜して形成され、そこへ連
通するバルブブロック１２の流出路１２Ｂも傾斜して形
成されている。なお、プロセスガス流出路２２とパージ
ガス供給路２５とが、それぞれ請求項１に記載するプロ
セスガス流路とパージガス流路に相当する。

【００１３】そこで、このようなバルブユニット１０に
よれば、次のようにしてガス置換が行われる。先ず、プ
ロセスガスは、ガス置換バルブ３が閉じられた状態でガ
ス供給バルブ２が開けられて、マニホールド１のパージ
ガス流入路２１からパージガス流出路２２を通って不図
示のチャンバへと供給される。そして、エッチング等の
処理が終了すると、ガス供給バルブ２が閉じられプロセ
スガスの供給が停止し、次いでガス置換が実行される。
即ち、ガス供給バルブ２の閉弁に続いてガス置換バルブ
３が開けられ、高圧のパージガスがプロセスガス流出路
２２内に押し流される。パージガスには、窒素ガスなど
の不活性ガスが使用され、２気圧或いはそれ以上の圧力
で供給される。よって、パージガスは、マニホールド１
のパージガス流入路２３及び連絡流路２４を通ってチェ
ック弁４からガス置換バルブ３へと流れ、更にパージガ
ス供給路２５からプロセスガス流出路２２の傾斜部２２
Ｑへと勢い良く流入する。

【００１４】プロセスガス流出路２２へ流れ込んだパー
ジガスは、そのまま残留ガスを押し流しながら排出流路
２６から排出する。また、パージガスは、流路内の圧力
より高圧で供給されているため、傾斜部２２Ｑをバルブ
ブロック１１の流出路１１Ｂ、即ちデッドスペース２８
（斑点で図示）内へも流れ込む。そのため、デッドスペ
ース２８内の残留ガスは、パージガスによって希釈され
るとともに排出流路２６側へ流されて排出される。従っ
て、プロセスガス流出路２２内にパージガスを流し続け
ることによって、流路内に残るプロセスガスが希釈され
てガス置換が完了することになる。

【００１５】ここで、本実施の形態のバルブユニット１
０と図３の従来のバルブユニット１００とのガス置換特
性について試験結果を比較する。図４及び図５は、ガス
置換特性についての試験結果をグラフで示したものであ
る。なお、この試験では、腐食性ガスの代わりに酸素の
充填された流路内に窒素ガスのパージによってガス置換
を行った。図４のグラフには、バルブユニット流路内の
残留酸素濃度に対するパージ時間の比較を示し、図５の
グラフには、バルブユニット流路内の残留酸素濃度に対
する窒素ガス消費量の比較を示している。なお、本試験
は、置換ガス圧力を０．２ＭＰａとし、毎分１リットル
の置換ガス流量のもとで行った。また、実際にガス置換
を行う場合には、流路内の残留ガスの濃度はガス種によ
り許容濃度が決められており、今回の試験は０．５ｐｐ
ｍ以下に希釈するまでを比較した。

【００１６】そこで、両バルブユニット１０，１００を
ほぼ基準値に達するまでのパージ時間と窒素ガス消費量
で比較してみると、明らかに本実施の形態のバルブユニ
ット１０（実線で表示）の方が、従来のバルブユニット
１００に比べて良いガス置換特性を示した。即ち、図４
に示すように、残留酸素が基準濃度に達するまでに、従
来のバルブユニット１００の場合は約９００ｓｅｃもの
パージ時間を要したのに対し、本バルブユニット１０は
約２００ｓｅｃであった。また、図５に示すように、残
留酸素が基準濃度に達するまでに、従来のバルブユニッ
ト１００の場合は約１５リットルもの窒素ガスを消費し
たたのに対し、本バルブユニット１０は約３．３リット
ルであった。従って、本実施の形態のバルブユニット１
０によれば、パージ時間の短縮に伴って窒素ガス消費量
もで抑えることができた。

【００１７】これは、プロセスガス流出路２２の傾斜部
２２Ｑに、同じように傾斜させたパージガス供給路２５
を合流させるように形成したので、デッドスペース２８
を極力小さくすることができたからであると考えられ
る。その点において、従来のマニホールド１０１ではデ
ッドスペース１２０内での残留ガスの容量が０．７１ｃ
ｃであるのに対し、本実施の形態のマニホールド１で
は、デッドスペース２８内での残留ガスの容量を０．１
３ｃｃにまで低下させることができた。そして、この結
果から、本実施の形態のバルブユニット１０によれば、
半導体製造装置のサイクルタイムを短くすることがで
き、製造能力の向上につながった。また、ガス置換に使
用されるパージガスの消費量を少なくさせることがで
き、コスト削減にもなった。

【００１８】次に、本発明に係るバルブユニットの第２
実施の形態について説明する。図２は、バルブユニット
の第２実施の形態を示す断面図である。本実施の形態の
バルブユニット３０は、第１実施の形態のものと同様に
組み付けられ、半導体製造装置等のガス供給装置を構成
するものである。従って、前記バルブユニット１０（図
１参照）と同一の構成部品には同符号を付して説明す
る。流路の形成されたマニホールド３１上に、ガス供給
バルブ２、ガス置換バルブ３、及びチェック弁４が一列
に並べられ一体に取り付けられている。そして、これら
は各バルブブロック１１，１２，１３と一体に構成さ
れ、そのバルブブロック１１，１２，１３によってマニ
ホールド３１に取り付けられている。バルブブロック１
１，１２，１３には、それぞれ弁部に連通し、取り付け
面である底面側にポート部を開設する流入路１１Ａ，１
２Ａ，１３Ａと流出路１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂとが穿設
されている。

【００１９】そして、このバルブブロック１１，１２，
１３の流入路１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ及び流出路１１
Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂとに連通する流路がマニホールド３
１に穿設されている。即ち、プロセスガスの流れを制御
する作業バルブ２のバルブブロック１１には、プロセス
ガス流入路４１とプロセスガス流出路４２が連通してい
る。プロセスガス流出路４２は、マニホールド３１の長
手方向に穿設された水平部４２Ｐに対し、上面から垂直
に穿設された垂直部４２Ｑによって連通している。また
マニホールド３１には、チェック弁１３にパージガスを
供給するパージガス流入路４３と、チェック弁１３から
ガス置換バルブ３へパージガスを流すための連絡流路４
４とが穿設されている。更に、マニホールド３１には、
バルブブロック１２の流出路１２Ｂからプロセスガス流
出路４２の水平部４２Ｐへ垂直に連通して合流するパー
ジガス供給路４５と、そのパージガス供給路４５とプロ
セスガス流出路４２との上面開口部を連通するＶ字形の
バイパス流路４６が穿設されている。なお、プロセスガ
ス流出路４２とパージガス供給路４５とが、それぞれ請
求項２に記載するプロセスガス流路とパージガス流路に
相当する。

【００２０】そこで、このようなバルブユニット３０に
よれば、次にようにしてガス置換が行われる。先ず、プ
ロセスガスは、ガス置換バルブ３が閉じられた状態でガ
ス供給バルブ２が開けられて、マニホールド３１のパー
ジガス流入路４１からパージガス流出路４２を通って不
図示のチャンバへと供給される。そして、エッチング等
の処理が終了すると、ガス供給バルブ２が閉じられプロ
セスガスの供給が停止し、ガス置換が実行される。即
ち、ガス供給バルブ２の閉弁に続いてガス置換バルブ３
が開けられ、高圧のパージガスがプロセスガス流出路４
２内に押し流される。パージガスには、窒素ガスなどの
不活性ガスが使用され、２気圧或いはそれ以上の圧力で
供給される。よって、パージガスは、マニホールド３１
のパージガス流入路４３及び連絡流路４４を通ってチェ
ック弁４からガス置換バルブ３へと流れ、更にバルブブ
ロック１２の流出路１２Ｂからパージガス供給路４５と
バイパス流路４６との２方向に分かれて流れ込む。

【００２１】パージガス供給路４５へ流れ込んだパージ
ガスは、そのままプロセスガス流出路４２内の残留ガス
を押し流して排出流路２６から排出する。一方、バイパ
ス流路４６へ流れ込んだパージガスは、プロセスガス流
出路４２内の残留ガスを上流から更に押し流して排出流
路２６側へ排出する。また、バイパス流路４６へ流れ込
んだパージガスは、高圧で供給されているため、デッド
スペース４８（斑点で図示）となっているバルブブロッ
ク１１の流出路１１Ｂ内へも流れ込む。そのため、デッ
ドスペース４８内の残留ガスは、パージガスによって希
釈されとともに排出流路２６側へ流されて排出される。
従って、パージガスを流し続けることによって、流路内
に残るプロセスガスが希釈されてガス置換が完了するこ
とになる。

【００２２】そして、本実施の形態のバルブユニット３
０によれば、ガス置換特性の試験結果は示されていない
が、更なるパージ時間の短縮を可能とし、それに伴って
窒素ガス消費量もでより抑えることができる。第１実施
の形態でも示したように、ガス置換特性の向上は、流路
内のデッドスペースに起因していると考えられるからで
ある。その点において本実施の形態では、マニホールド
３１内の残留ガスを完全に押し流すようにしたので、デ
ッドスペース４８内での残留ガスの容量が、流出路１１
Ｂ部分の０．０９ｃｃにまでに低下させることができた
からである。また、ガス置換特性向上の根拠として、パ
ージガスがデッドスペース４８へ流れ込む方向性を挙げ
ることもできる。即ち、パージガスは流路内の圧力より
高圧で供給されるためデッドスペース内にも流入する
が、本実施の形態のようにバイパス流路４６がデッドス
ペース４８の方向を向いていることにより、パージガス
の流れによる運動エネルギが有効に働いてデッドスペー
ス内に効果的に流入することが考えられるからである。

【００２３】従って、本実施の形態のバルブユニット３
０によれば、ガス置換特性の向上により半導体製造装置
のサイクルタイムを短くすることができ、製造能力の向
上につながる。また、ガス置換に使用されるパージガス
の消費量を少なくさせることができ、コスト削減にもな
る。

【００２４】なお、本発明は、前記実施の形態のものに
限定されるわけではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で
様々な変更が可能である。例えば、前記第２実施の形態
では、パージガス供給路４５に加えてバイパス流路４６
を形成したがバイパス流路４６のみでパージガスを供給
するようにしてもよい。

【００２５】

【発明の効果】本発明は、ブロック体に流路が形成され
たマニホールドに対して、前記流路を通って流れる流体
の流れを制御する複数の流体制御機器が一体に取り付け
られてなるものであって、プロセスガスの流れを制御す
るガス供給バルブと、プロセスガスの流れの下流側でパ
ージガスの流れを制御するガス置換バルブとを有し、前
記ガス供給バルブから排出側に形成されたプロセスガス
流路と、前記ガス置換バルブからプロセスガス流路へ合
流するよう形成されたパージガス流路との合流点が、前
記ガス置換バルブの上流側に位置するよう構成したの
で、残留ガスの置換を効率よく行うことが可能なバルブ
ユニットを提供することが可能となった。

【００２６】また、本発明は、ブロック体に流路が形成
されたマニホールドに対して、前記流路を通って流れる
流体の流れを制御する複数の流体制御機器が一体に取り
付けられてなるものであって、プロセスガスの流れを制
御するガス供給バルブと、プロセスガスの流れの下流側
に配置されてパージガスの流れを制御するガス置換バル
ブとを有し、前記ガス供給バルブから排出側に形成され
たプロセスガス流路と、前記ガス置換バルブからプロセ
スガス流路へ合流するよう形成されたパージガス流路
と、前記パージガス流路と前記プロセスガス流路との入
り口部を連絡するバイパス流路とを有する構成としたの
で、残留ガスの置換を効率よく行うことが可能なバルブ
ユニットを提供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るバルブユニットの第１実施の形態
を示す断面図である。

【図２】本発明に係るバルブユニットの第２実施の形態
を示す断面図である。

【図３】従来のバルブユニットを示す断面図である。

【図４】パージ時間に基づくガス置換特性を示したグラ
フである。

【図５】パージガス消費量に基づくガス置換特性を示し
たグラフである。

【符号の説明】

１，３１，１０１ マニホールド ２，１０２ ガス供給バルブ ３，１０３ ガス置換バルブ ４，１０４ チェック弁 １０，３０，１００ バルブユニット ２２，４２，１１２ プロセスガス流出路 ２５，４５，４６，１１４ パージガス供給路

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ブロック体に流路が形成されたマニホー
   ルドに対して、前記流路を通って流れる流体の流れを制
   御する複数の流体制御機器が一体に取り付けられてなる
   バルブユニットであって、 プロセスガスの流れを制御するガス供給バルブと、プロ
   セスガスの流れの下流側に配置されてパージガスの流れ
   を制御するガス置換バルブとを有し、前記ガス供給バル
   ブから排出側に形成されたプロセスガス流路と、前記ガ
   ス置換バルブから前記プロセスガス流路へ合流するよう
   形成されたパージガス流路との合流点が、前記ガス置換
   バルブの上流側にあることを特徴とするバルブユニッ
   ト。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のバルブユニットにおい
   て、 前記パージガス流路が、上流側に傾斜して形成され、下
   流側に傾斜して形成された前記プロセスガス流路の傾斜
   部分に合流することを特徴とするバルブユニット。
3. 【請求項３】 ブロック体に流路が形成されたマニホー
   ルドに対して、前記流路を通って流れる流体の流れを制
   御する複数の流体制御機器が一体に取り付けられてなる
   バルブユニットであって、 プロセスガスの流れを制御するガス供給バルブと、プロ
   セスガスの流れの下流側に配置されてパージガスの流れ
   を制御するガス置換バルブとを有し、前記ガス供給バル
   ブから排出側に形成されたプロセスガス流路と、前記ガ
   ス置換バルブからプロセスガス流路へ合流するよう形成
   されたパージガス流路と、前記パージガス流路と前記プ
   ロセスガス流路との入り口部を連絡するバイパス流路と
   を有することを特徴とするバルブユニット。