JP2000233929A - Ｖ（１−ｘ）Ｏ２Ｍｘ組成の超微粒子粉末とその製造方法及び赤外線遮蔽材料 - Google Patents
Ｖ（１−ｘ）Ｏ２Ｍｘ組成の超微粒子粉末とその製造方法及び赤外線遮蔽材料Info
- Publication number
- JP2000233929A JP2000233929A JP11337490A JP33749099A JP2000233929A JP 2000233929 A JP2000233929 A JP 2000233929A JP 11337490 A JP11337490 A JP 11337490A JP 33749099 A JP33749099 A JP 33749099A JP 2000233929 A JP2000233929 A JP 2000233929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- composition
- infrared shielding
- ultrafine
- phase transition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 赤外線透過の相転移温度が低い粒径１０〜５
００ｎｍの超微粒子粉末と赤外線遮蔽板およびその製造
方法。 【解決手段】 金属ＭがＷまたはＭｏ、あるいはＷとＭ
ｏであるＶ(1-x) Ｏ2 Ｍ x 組成の材料をビーズミルによ
り粉砕して粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉末に微粒
化する。その超微粒子粉末は２５〜５０℃の相転移温度
の赤外線遮蔽効果を有し、それを混合したフィルムやコ
ーティングしたガラス板は赤外線遮蔽板として使用され
る。
００ｎｍの超微粒子粉末と赤外線遮蔽板およびその製造
方法。 【解決手段】 金属ＭがＷまたはＭｏ、あるいはＷとＭ
ｏであるＶ(1-x) Ｏ2 Ｍ x 組成の材料をビーズミルによ
り粉砕して粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉末に微粒
化する。その超微粒子粉末は２５〜５０℃の相転移温度
の赤外線遮蔽効果を有し、それを混合したフィルムやコ
ーティングしたガラス板は赤外線遮蔽板として使用され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車の窓
ガラスや住宅の窓ガラスなどに使用して、赤外線を遮蔽
することにより、省エネルギを達成し、快適な運転、居
住などを図る赤外線遮蔽板などに関するものである。ま
た、温度により半導体から金属に相転移して熱あるいは
電気伝導度が変化することを利用したサーモスイッチな
どに使用する材料に関するものである。
ガラスや住宅の窓ガラスなどに使用して、赤外線を遮蔽
することにより、省エネルギを達成し、快適な運転、居
住などを図る赤外線遮蔽板などに関するものである。ま
た、温度により半導体から金属に相転移して熱あるいは
電気伝導度が変化することを利用したサーモスイッチな
どに使用する材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】二酸化バナジュウムＶＯ2 が、ある温度
以上になると半導体から金属に相転移し、赤外線透過率
を大きく減少させるサーモクロミック特性を有すること
は広く知られている。図１０にこのサーモクロミック素
子の仕組みを示す。図に示すようにガラス上にＶＯ2 の
膜を成膜した遮蔽板に太陽光を当てると相転移温度以下
では左図のように可視光線も熱線（赤外線）も透過する
が、相転移温度以上になると右図のように可視光線のみ
透過して熱線を遮蔽するようになる。この相転移温度は
６８℃付近とされる。このサーモクロミック特性を利用
すると、一定温度以上になると可視光線を透過して、熱
線を遮蔽する赤外線遮蔽材とすることができる。例え
ば、この赤外線遮蔽材を自動車や住居の窓材などにコー
ティングして熱線を遮蔽することができれば、省エネル
ギが達成され、快適な運転、居住環境が得られることが
注目されている。しかし、窓ガラスなどに実用するに
は、上記ＶＯ2 の６８℃付近の相転移温度は高温すぎて
実用性に欠けるために、ＶＯ2 にＷやＭｏを添加するこ
とにより相転移温度を下げる研究が行われている。
以上になると半導体から金属に相転移し、赤外線透過率
を大きく減少させるサーモクロミック特性を有すること
は広く知られている。図１０にこのサーモクロミック素
子の仕組みを示す。図に示すようにガラス上にＶＯ2 の
膜を成膜した遮蔽板に太陽光を当てると相転移温度以下
では左図のように可視光線も熱線（赤外線）も透過する
が、相転移温度以上になると右図のように可視光線のみ
透過して熱線を遮蔽するようになる。この相転移温度は
６８℃付近とされる。このサーモクロミック特性を利用
すると、一定温度以上になると可視光線を透過して、熱
線を遮蔽する赤外線遮蔽材とすることができる。例え
ば、この赤外線遮蔽材を自動車や住居の窓材などにコー
ティングして熱線を遮蔽することができれば、省エネル
ギが達成され、快適な運転、居住環境が得られることが
注目されている。しかし、窓ガラスなどに実用するに
は、上記ＶＯ2 の６８℃付近の相転移温度は高温すぎて
実用性に欠けるために、ＶＯ2 にＷやＭｏを添加するこ
とにより相転移温度を下げる研究が行われている。
【０００３】一方、上記の赤外線遮蔽材を窓ガラスなど
に実用化するためには薄膜を作る技術の確立が必要であ
る。この薄膜を作る技術としてスパッタリングによる方
法が開示されている（金一平他、１９９３年１２月９
日、日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー学会
合同研究発表会講演論文集）。
に実用化するためには薄膜を作る技術の確立が必要であ
る。この薄膜を作る技術としてスパッタリングによる方
法が開示されている（金一平他、１９９３年１２月９
日、日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー学会
合同研究発表会講演論文集）。
【０００４】また、金属バナジュウム粉末を過酸化水素
溶液などに溶かしたヒドロゾルを基板上にコーティング
した後、熱処理してＶＯ2 の多結晶被膜を作成するゾル
ゲル法による成膜技術が開示されている（Ｊａｐ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）．Ｐａ
ｇｅ４３８〜４４０）。
溶液などに溶かしたヒドロゾルを基板上にコーティング
した後、熱処理してＶＯ2 の多結晶被膜を作成するゾル
ゲル法による成膜技術が開示されている（Ｊａｐ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）．Ｐａ
ｇｅ４３８〜４４０）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記前
者のスパッタリング法では、スパッタリングにおけるＶ
Ｏ2 単相の形成条件が極めて限られているために、スパ
ッタリングにおける温度や酸素流量を精密に制御する必
要があるなどの実用上の困難性があり、大型ガラスなど
には不適で、かつコストが高いという問題点がある。ま
た、後者のゾルゲル法では、コーティングにより薄膜を
作成した後、還元・酸化の熱処理をしなければならない
という問題点があり、ポリマにコーティングするには適
せず、かつ工程が複雑でスパッタリング法と同様に大型
ガラスなどには不適であるという問題点がある。
者のスパッタリング法では、スパッタリングにおけるＶ
Ｏ2 単相の形成条件が極めて限られているために、スパ
ッタリングにおける温度や酸素流量を精密に制御する必
要があるなどの実用上の困難性があり、大型ガラスなど
には不適で、かつコストが高いという問題点がある。ま
た、後者のゾルゲル法では、コーティングにより薄膜を
作成した後、還元・酸化の熱処理をしなければならない
という問題点があり、ポリマにコーティングするには適
せず、かつ工程が複雑でスパッタリング法と同様に大型
ガラスなどには不適であるという問題点がある。
【０００６】そこで、本発明は、簡易な方法でＶ(1-x)
Ｏ2 Ｍx 組成でＭがＷ，Ｍｏなどである相転移温度の低
い粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉末を製造する方法
を提供し、この超微粒子粉末を基板に塗布するなどによ
り安価に大型の赤外線遮蔽板を容易に製造できる技術を
提供することを目的とする。
Ｏ2 Ｍx 組成でＭがＷ，Ｍｏなどである相転移温度の低
い粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉末を製造する方法
を提供し、この超微粒子粉末を基板に塗布するなどによ
り安価に大型の赤外線遮蔽板を容易に製造できる技術を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の超微粒子粉末およ
びその製造方法は、金属ＭがＷまたはＭｏ、あるいはＷ
とＭｏであるＶ(1-x)Ｏ2 Ｍx 組成の材料をビーズミル
により粉砕して微細化し粒径１０〜５００ｎｍの超微粒
子粉末を製造することを特徴とするものである。
に、本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の超微粒子粉末およ
びその製造方法は、金属ＭがＷまたはＭｏ、あるいはＷ
とＭｏであるＶ(1-x)Ｏ2 Ｍx 組成の材料をビーズミル
により粉砕して微細化し粒径１０〜５００ｎｍの超微粒
子粉末を製造することを特徴とするものである。
【０００８】即ち、本発明者らは実験の結果、Ｖ(1-x)
Ｏ2 Ｍx 組成の材料がビーズミルにより粒径１０〜５０
０ｎｍの超微粒子粉末に粉砕できることを見出だした。
従来は、このような微粒子粉末は機械的粉砕によっては
困難とされ、上記のようにゾルゲル法などにより成膜さ
れたものである。本発明は、これをビーズミルにより微
粉砕してＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の粒径１０〜５００ｎｍ
の超微粒子粉末を得たものであり、これにより後述する
ように、簡易に赤外線遮蔽材などに使用することができ
た。
Ｏ2 Ｍx 組成の材料がビーズミルにより粒径１０〜５０
０ｎｍの超微粒子粉末に粉砕できることを見出だした。
従来は、このような微粒子粉末は機械的粉砕によっては
困難とされ、上記のようにゾルゲル法などにより成膜さ
れたものである。本発明は、これをビーズミルにより微
粉砕してＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の粒径１０〜５００ｎｍ
の超微粒子粉末を得たものであり、これにより後述する
ように、簡易に赤外線遮蔽材などに使用することができ
た。
【０００９】前記の金属ＭをＷまたはＭｏ、あるいはＷ
とＭｏとしたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx ，Ｖ (1-x) Ｏ2 Ｍｏx ，
あるいはＶ(1-x) Ｏ2 （Ｗ，Ｍｏ）x 組成の材料は、Ｖ
Ｏ2単体よりも半導体から金属への相転移の温度が低
く、相転移温度を１０〜６８℃まで下げることができる
ので、本発明の粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉末が
得られることにより、実用性のある赤外線遮蔽超微粒子
粉末の製造が可能になった。
とＭｏとしたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx ，Ｖ (1-x) Ｏ2 Ｍｏx ，
あるいはＶ(1-x) Ｏ2 （Ｗ，Ｍｏ）x 組成の材料は、Ｖ
Ｏ2単体よりも半導体から金属への相転移の温度が低
く、相転移温度を１０〜６８℃まで下げることができる
ので、本発明の粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉末が
得られることにより、実用性のある赤外線遮蔽超微粒子
粉末の製造が可能になった。
【００１０】ここで、ビーズミル粉砕に用いるビーズ材
は、ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 やガラスなどが使用できる
が、赤外線遮蔽材として窓ガラス、ポリマとの適応性か
らＳｉＯ2 が望ましい。
は、ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 やガラスなどが使用できる
が、赤外線遮蔽材として窓ガラス、ポリマとの適応性か
らＳｉＯ2 が望ましい。
【００１１】また本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微
粒子粉末及びその製造方法は、ＶＯ 2 ＋ＷＯ3 ＝１００
としてｗｔ％でＶＯ2 ：９８〜９３、ＷＯ3 ：２〜７の
比率になるようにしたＶ酸化物とＷ酸化物の混合粉末を
高周波熱プラズマにより熱合成し、該熱合成したＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料をビーズミルにより粉砕して
微細化し、粒径１０〜５００ｎｍでかつ相転移温度が２
５〜５０℃である超微粒子粉末を製造することを特徴と
するものである。
粒子粉末及びその製造方法は、ＶＯ 2 ＋ＷＯ3 ＝１００
としてｗｔ％でＶＯ2 ：９８〜９３、ＷＯ3 ：２〜７の
比率になるようにしたＶ酸化物とＷ酸化物の混合粉末を
高周波熱プラズマにより熱合成し、該熱合成したＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料をビーズミルにより粉砕して
微細化し、粒径１０〜５００ｎｍでかつ相転移温度が２
５〜５０℃である超微粒子粉末を製造することを特徴と
するものである。
【００１２】本発明者らはＷの有効性について実験の結
果、ＷＯ3 粉末を２〜７ｗｔ％混合したＶＯ2 粉末を熱
合成すると、２５〜５０℃の低温の相転移温度のＶ
(1-x) Ｏ 2 Ｗx 組成の材料が得られることを見出だし
た。その熱合成の方法として、ＶＯ 2 のほかにＶ2 Ｏ5
やＶ2 Ｏ3 などのＶ酸化物と、ＷＯ3 のほかにＷ粉末な
どの金属あるいはＷ酸化物をＶＯ2 ＋ＷＯ3 ＝１００と
してｗｔ％でＶＯ2 ：９８〜９３、ＷＯ3 ：２〜７の比
率になるように混合して、これを溶融すると上記組成の
Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料が得られることも見出だし
た。この熱合成の溶融には、他の加熱方法も可能である
が、高周波熱プラズマによれば、不純物の混入が少なく
純度が高いＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料が容易に得られ
る。これにより、赤外線遮蔽材として極めて有効な材料
が得られた。
果、ＷＯ3 粉末を２〜７ｗｔ％混合したＶＯ2 粉末を熱
合成すると、２５〜５０℃の低温の相転移温度のＶ
(1-x) Ｏ 2 Ｗx 組成の材料が得られることを見出だし
た。その熱合成の方法として、ＶＯ 2 のほかにＶ2 Ｏ5
やＶ2 Ｏ3 などのＶ酸化物と、ＷＯ3 のほかにＷ粉末な
どの金属あるいはＷ酸化物をＶＯ2 ＋ＷＯ3 ＝１００と
してｗｔ％でＶＯ2 ：９８〜９３、ＷＯ3 ：２〜７の比
率になるように混合して、これを溶融すると上記組成の
Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料が得られることも見出だし
た。この熱合成の溶融には、他の加熱方法も可能である
が、高周波熱プラズマによれば、不純物の混入が少なく
純度が高いＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料が容易に得られ
る。これにより、赤外線遮蔽材として極めて有効な材料
が得られた。
【００１３】前記Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成のｘは０．７〜
２．７の範囲であることが望ましい。
２．７の範囲であることが望ましい。
【００１４】また本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外
線遮蔽超微粒子粉末は、基板に塗布することにより赤外
線遮蔽板が得られる、この基板としては、ガラス、ポリ
マあるいはセラミックスが適し、塗布方法は超微粒子粉
末をスラリーとして噴霧する方法が望ましい。これによ
り、従来のスパッタリング法やゾルゲル法によるより、
簡易・安価に大型の赤外線遮蔽板が製造できる。
線遮蔽超微粒子粉末は、基板に塗布することにより赤外
線遮蔽板が得られる、この基板としては、ガラス、ポリ
マあるいはセラミックスが適し、塗布方法は超微粒子粉
末をスラリーとして噴霧する方法が望ましい。これによ
り、従来のスパッタリング法やゾルゲル法によるより、
簡易・安価に大型の赤外線遮蔽板が製造できる。
【００１５】また、本発明の赤外線遮蔽板は、前記のＶ
(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外線遮蔽超微粒子粉末をアクリ
ル、ビニール、ポリエステルなどの基剤に混練した混練
物を成形した成形材としても得られる。この成形材はブ
ロック状でも或いはフィルム状にもできる。また、この
赤外線遮蔽超微粒子粉末をコート材としてフィルム上に
コートすることによって赤外線遮蔽フィルムが得られ
る。さらに、この赤外線遮蔽超微粒子粉末を２枚以上の
ガラスの間に介在させることにより赤外線遮蔽合せガラ
スとすることができる。
(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外線遮蔽超微粒子粉末をアクリ
ル、ビニール、ポリエステルなどの基剤に混練した混練
物を成形した成形材としても得られる。この成形材はブ
ロック状でも或いはフィルム状にもできる。また、この
赤外線遮蔽超微粒子粉末をコート材としてフィルム上に
コートすることによって赤外線遮蔽フィルムが得られ
る。さらに、この赤外線遮蔽超微粒子粉末を２枚以上の
ガラスの間に介在させることにより赤外線遮蔽合せガラ
スとすることができる。
【００１６】なお、本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の超
微粒子粉末は、相転移温度で半導体から金属に相変化し
て電気伝導度が変わるので、この電気伝導度の変化を利
用した温度センサとして使用することによりサーモスイ
ッチとすることもできる。
微粒子粉末は、相転移温度で半導体から金属に相変化し
て電気伝導度が変わるので、この電気伝導度の変化を利
用した温度センサとして使用することによりサーモスイ
ッチとすることもできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の一実施形態
について具体的に説明する。まずビーズミル粉砕の予備
実験として、市販のＶＯ2 を用いてビーズミル粉砕し、
サーモクロミック効果について試験した。その後、Ｖ
(1-x) Ｏ2 Ｗx を合成して相転移温度を下げた熱遮蔽材
の実用化実験を行った。
について具体的に説明する。まずビーズミル粉砕の予備
実験として、市販のＶＯ2 を用いてビーズミル粉砕し、
サーモクロミック効果について試験した。その後、Ｖ
(1-x) Ｏ2 Ｗx を合成して相転移温度を下げた熱遮蔽材
の実用化実験を行った。
【００１８】
【実施例１】ＶＯ2 による予備実験 ビーズミルにより市販のＶＯ2 を粉砕して予備実験を行
った。まず、市販のＶＯ2 をメノウの乳鉢で１０μｍ以
下に粉砕した後、表１に示す条件でビーズミル粉砕を行
った。
った。まず、市販のＶＯ2 をメノウの乳鉢で１０μｍ以
下に粉砕した後、表１に示す条件でビーズミル粉砕を行
った。
【００１９】
【表１】
【００２０】粉砕後の媒体は懸濁しており、一昼夜の静
置後も分散していた。この分散部分のＴＥＭ像を図２に
示す。図に見られるように、ＶＯ2 は本発明のビーズミ
ルによる粉砕方法によって１０〜５００ｎｍ以下の超微
粒子粉末に粉砕できることが判った。
置後も分散していた。この分散部分のＴＥＭ像を図２に
示す。図に見られるように、ＶＯ2 は本発明のビーズミ
ルによる粉砕方法によって１０〜５００ｎｍ以下の超微
粒子粉末に粉砕できることが判った。
【００２１】次に上記のＶＯ2 超微粒子粉末についてサ
ーモクロミック特性の確認を行った。サーモクロミック
特性、即ち相転移現象の確認は赤外線の透過率の変化を
調べることによりできる。対象となるガラスを透過する
赤外線の波長は、０．８〜２．８μｍである。この波長
域はフーリエ変換赤外線分光光度計（ＦＩＴＲ）の測定
範囲（２．２〜２５μｍ）の下限であるが、相転移現象
の確認は測定波長全域の透過率の変化から判定できるの
で、ＦＩＴＲを用いて測定した。
ーモクロミック特性の確認を行った。サーモクロミック
特性、即ち相転移現象の確認は赤外線の透過率の変化を
調べることによりできる。対象となるガラスを透過する
赤外線の波長は、０．８〜２．８μｍである。この波長
域はフーリエ変換赤外線分光光度計（ＦＩＴＲ）の測定
範囲（２．２〜２５μｍ）の下限であるが、相転移現象
の確認は測定波長全域の透過率の変化から判定できるの
で、ＦＩＴＲを用いて測定した。
【００２２】透過率の測定は透明なＫＢｒの板上にビー
ズミルで粉砕したＶＯ2 の超微粒子粉末のスラリを滴下
後乾燥して試料を作成し、温度を変えて赤外線透過率を
測定した。室温（２４℃）と５０℃および７０℃の測定
結果を図３に示す。図から本材料は２４℃と５０℃では
赤外線透過率に差異がないが、７０℃に上昇すると赤外
線の透過率が低下することが分かる。即ち７０℃以下で
は赤外線遮蔽効果がないが、７０℃に達すると相転移が
生じ赤外線遮蔽効果が生ずることが認められた。
ズミルで粉砕したＶＯ2 の超微粒子粉末のスラリを滴下
後乾燥して試料を作成し、温度を変えて赤外線透過率を
測定した。室温（２４℃）と５０℃および７０℃の測定
結果を図３に示す。図から本材料は２４℃と５０℃では
赤外線透過率に差異がないが、７０℃に上昇すると赤外
線の透過率が低下することが分かる。即ち７０℃以下で
は赤外線遮蔽効果がないが、７０℃に達すると相転移が
生じ赤外線遮蔽効果が生ずることが認められた。
【００２３】
【実施例２】Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx による実験 次にＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx を合成して、その相転移温度を確
認した。前述のように、ＶＯ2 にＷなどの金属をドープ
することにより相転移温度が低下することが知られてい
るので、より低い温度で相転移する実用性のある赤外線
遮蔽材としてＶ (1-x) Ｏ2 Ｗx を選び、これを合成して
その相転移温度を確認する実験を行った。
認した。前述のように、ＶＯ2 にＷなどの金属をドープ
することにより相転移温度が低下することが知られてい
るので、より低い温度で相転移する実用性のある赤外線
遮蔽材としてＶ (1-x) Ｏ2 Ｗx を選び、これを合成して
その相転移温度を確認する実験を行った。
【００２４】本実施例では、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx は、ＶＯ
2 とＷＯ3 を混合したものを溶融して合成した。その製
造工程を図１に示す。本実施例では、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx
は溶融法により合成したが、他の方法により合成しても
よい。
2 とＷＯ3 を混合したものを溶融して合成した。その製
造工程を図１に示す。本実施例では、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx
は溶融法により合成したが、他の方法により合成しても
よい。
【００２５】この合成したＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の溶融塊
を、前記ＶＯ2 の予備実験と同様にメノウ乳鉢で１０μ
ｍ以下に粉砕した後、同様の表１に示す条件でビーズミ
ル粉砕を行った。この超微粒子粉末のＴＥＭ像を図４に
示す。図に示すように、このビーズミルで粉砕したＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末も１０〜５００ｎｍの粒
径の範囲にあることが認められた。
を、前記ＶＯ2 の予備実験と同様にメノウ乳鉢で１０μ
ｍ以下に粉砕した後、同様の表１に示す条件でビーズミ
ル粉砕を行った。この超微粒子粉末のＴＥＭ像を図４に
示す。図に示すように、このビーズミルで粉砕したＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末も１０〜５００ｎｍの粒
径の範囲にあることが認められた。
【００２６】試料製作の簡易化と相転移の温度測定の容
易のため、このＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末のサー
モクロミック特性、即ち相転移現象の確認は、ＫＢｒ錠
剤法によるＦＴＩＲ測定により行った。ＫＢｒ錠剤は、
粒径数μｍのＫＢｒ粉末に前記ビーズミル粉砕したＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末を２〜３％を混合し、そ
の混合粉末をプレスして約１０ｍｍφ×２ｍｍｔのペレ
ットを作成した。このペレットを図６に示す測定恒温装
置を用いて、Ｎ2 の熱ガスで加熱することにより測定温
度を変え赤外線透過率を測定した。
易のため、このＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末のサー
モクロミック特性、即ち相転移現象の確認は、ＫＢｒ錠
剤法によるＦＴＩＲ測定により行った。ＫＢｒ錠剤は、
粒径数μｍのＫＢｒ粉末に前記ビーズミル粉砕したＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末を２〜３％を混合し、そ
の混合粉末をプレスして約１０ｍｍφ×２ｍｍｔのペレ
ットを作成した。このペレットを図６に示す測定恒温装
置を用いて、Ｎ2 の熱ガスで加熱することにより測定温
度を変え赤外線透過率を測定した。
【００２７】その測定結果を図５に示す。前掲図３のＶ
Ｏ2 では７０℃で透過率が減少して相転移したが、本実
施例の図５のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx では、３０℃で赤外線透
過率が低下し相転移することが認められる。このよう
に、本発明方法のＶ(1-x) Ｏ2Ｗx は常温近傍の３０℃
で相変化を生ずるので赤外線遮蔽材として実用性がある
ことが分かった。
Ｏ2 では７０℃で透過率が減少して相転移したが、本実
施例の図５のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx では、３０℃で赤外線透
過率が低下し相転移することが認められる。このよう
に、本発明方法のＶ(1-x) Ｏ2Ｗx は常温近傍の３０℃
で相変化を生ずるので赤外線遮蔽材として実用性がある
ことが分かった。
【００２８】
【実施例３】ＷＯ3 量の比率の効果の確認実験 上記Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx におけるＷＯ3 量の効果を確認す
るために実施例３の実験を行った。実施例３では、製造
工程は実施例２の図１と同じであるが、Ｖ(1-x ) Ｏ2 Ｗ
x の熱合成の溶融を高周波熱プラズマによった。高周波
熱プラズマによる溶融方法を図１１に示す。
るために実施例３の実験を行った。実施例３では、製造
工程は実施例２の図１と同じであるが、Ｖ(1-x ) Ｏ2 Ｗ
x の熱合成の溶融を高周波熱プラズマによった。高周波
熱プラズマによる溶融方法を図１１に示す。
【００２９】本実施例では溶融後のＷＯ3 が２、４、６
ｗｔ％になるように、ＶＯ2 とＷＯ 3 の粉末の混合比率
を変えて実験した。この混合粉末を、図１１に示すよう
に反応管２の回りに誘導加熱コイル３を巻いた誘導熱プ
ラズマ炉１に供給管４から供給して、熱プラズマにより
溶融した。この溶融合成されたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の粒を
Ｃハース上に堆積させて採取し、メノウ乳鉢で１０μｍ
以下に粉砕した後、実施例２と同様に表１に示す条件で
ビーズミル粉砕を行って微細化した。
ｗｔ％になるように、ＶＯ2 とＷＯ 3 の粉末の混合比率
を変えて実験した。この混合粉末を、図１１に示すよう
に反応管２の回りに誘導加熱コイル３を巻いた誘導熱プ
ラズマ炉１に供給管４から供給して、熱プラズマにより
溶融した。この溶融合成されたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の粒を
Ｃハース上に堆積させて採取し、メノウ乳鉢で１０μｍ
以下に粉砕した後、実施例２と同様に表１に示す条件で
ビーズミル粉砕を行って微細化した。
【００３０】上記のＷＯ3 粉末の混合比率を変えた超微
粒子粉末について、相転移温度を測定した。相転移温度
の測定方法は前記の実施例２と同様である。ＷＯ3 粉末
の混合比率と相転移温度との関係の実験結果を図１２に
示す。この結果から、ＷＯ3の量が多くなると相転移温
度が低下し、２ｗｔ％では４７℃になり、６ｗｔ％では
２６℃まで低下して、理論値に近い値が得られることが
判った。
粒子粉末について、相転移温度を測定した。相転移温度
の測定方法は前記の実施例２と同様である。ＷＯ3 粉末
の混合比率と相転移温度との関係の実験結果を図１２に
示す。この結果から、ＷＯ3の量が多くなると相転移温
度が低下し、２ｗｔ％では４７℃になり、６ｗｔ％では
２６℃まで低下して、理論値に近い値が得られることが
判った。
【００３１】上記ＷＯ3 を２、４、６ｗｔ％に変えて溶
融合成されたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx のｘは０．７〜２．６で
あった。
融合成されたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx のｘは０．７〜２．６で
あった。
【００３２】本発明は上記結果から実用性を考慮し、Ｗ
Ｏ3 の比率を２〜７％とし、Ｖ(1-x ) Ｏ2 Ｗx のｘを
０．７〜２．７とした。これにより５０〜２５℃の相転
移温度を得ることができた。
Ｏ3 の比率を２〜７％とし、Ｖ(1-x ) Ｏ2 Ｗx のｘを
０．７〜２．７とした。これにより５０〜２５℃の相転
移温度を得ることができた。
【００３３】
【実施例４】Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の合成方法の検証 実施例４では、Ｖ2 Ｏ5 はＷＯ3 を固溶するという知見
から、ＶＯ2 粉末でなく、Ｖ2 Ｏ5 およびＶ2 Ｏ3 の粉
末を用い、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の合成を固相反応法によっ
て行った。本実施例では、ＷＯ3 の比率は実施例３の結
果ら４ｗｔ％とした。その製造工程を図１３に示す。
から、ＶＯ2 粉末でなく、Ｖ2 Ｏ5 およびＶ2 Ｏ3 の粉
末を用い、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の合成を固相反応法によっ
て行った。本実施例では、ＷＯ3 の比率は実施例３の結
果ら４ｗｔ％とした。その製造工程を図１３に示す。
【００３４】まず、最終のＷＯ3 の比率が４ｗｔ％にな
るように計算し、Ｖ2 Ｏ5 とＷＯ3の粉末を混合して８
００℃の大気中で溶解した。この溶融塊を実施例１と同
様にメノウ鉢で５〜２０μｍに荒粉砕した。この粉砕し
た粗粒に、組成中のＶがＶＯ 2 になるような量の５〜２
０μｍのＶ2 Ｏ3 の粉末を混合し、Ｎ2 ガス中で７００
℃に加熱して固相反応させて、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の組成
の粒を得た。そして、実施例２と同様にビーズミル粉砕
を行って微細化した。
るように計算し、Ｖ2 Ｏ5 とＷＯ3の粉末を混合して８
００℃の大気中で溶解した。この溶融塊を実施例１と同
様にメノウ鉢で５〜２０μｍに荒粉砕した。この粉砕し
た粗粒に、組成中のＶがＶＯ 2 になるような量の５〜２
０μｍのＶ2 Ｏ3 の粉末を混合し、Ｎ2 ガス中で７００
℃に加熱して固相反応させて、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の組成
の粒を得た。そして、実施例２と同様にビーズミル粉砕
を行って微細化した。
【００３５】結果の記載は省略するが、本実施例４で得
られたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微粒子粉末も実施例３
のＷＯ3 が４％の試料と同様の結果が得られた。上記の
結果から、本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の組成の超微粒子
粉末は、溶融法でも固相反応法でも同様の結果が得られ
ることが判った。
られたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微粒子粉末も実施例３
のＷＯ3 が４％の試料と同様の結果が得られた。上記の
結果から、本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の組成の超微粒子
粉末は、溶融法でも固相反応法でも同様の結果が得られ
ることが判った。
【００３６】
【実施例５】Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末のフィル
ムによる実験 次に、上記のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末を用いて
フィルムを作成して実験を行った。そのフィルムの製造
工程を図７に示す。即ち、上記のＶ(1-x) Ｏ2Ｗx の超
微粒子粉末２％をポリエステル或いはアクリル樹脂液に
加えて混練した後、アルコールを除去して触媒（硬化
剤）を添加した混合溶液を基板上に噴霧により成膜し
た。これを２４時間放置して乾燥させ、基板から剥離し
て赤外線遮蔽フィルムを作成した。そして、このフィル
ムの赤外線透過性を調べた。その結果を図８に示す。図
から判るようにこのフィルムは、前記実施例のペレット
と同様に３０℃で良好な赤外線遮蔽効果を有する。
ムによる実験 次に、上記のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末を用いて
フィルムを作成して実験を行った。そのフィルムの製造
工程を図７に示す。即ち、上記のＶ(1-x) Ｏ2Ｗx の超
微粒子粉末２％をポリエステル或いはアクリル樹脂液に
加えて混練した後、アルコールを除去して触媒（硬化
剤）を添加した混合溶液を基板上に噴霧により成膜し
た。これを２４時間放置して乾燥させ、基板から剥離し
て赤外線遮蔽フィルムを作成した。そして、このフィル
ムの赤外線透過性を調べた。その結果を図８に示す。図
から判るようにこのフィルムは、前記実施例のペレット
と同様に３０℃で良好な赤外線遮蔽効果を有する。
【００３７】
【実施例６】ガラス板上に成膜したコーティング膜のサ
ーモクロミック特性の確認 次にガラス板上に成膜したコーティング膜について実験
した。コーティングの製造工程を図９に示す。即ち、本
発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末に重クロム酸塩
とポリビニールアルコールを加えた混合液をバーコータ
ーによりガラス板上にコーティングして成膜した。重ク
ロム酸塩とポリビニールアルコールの混合膜は感光硬化
を生ずるので、この被膜を紫外線照射して不溶化処理し
た。この被膜をコーティングした遮蔽板について赤外線
透過性を調べた結果、前記図８と同様な結果が得られ
た。
ーモクロミック特性の確認 次にガラス板上に成膜したコーティング膜について実験
した。コーティングの製造工程を図９に示す。即ち、本
発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx の超微粒子粉末に重クロム酸塩
とポリビニールアルコールを加えた混合液をバーコータ
ーによりガラス板上にコーティングして成膜した。重ク
ロム酸塩とポリビニールアルコールの混合膜は感光硬化
を生ずるので、この被膜を紫外線照射して不溶化処理し
た。この被膜をコーティングした遮蔽板について赤外線
透過性を調べた結果、前記図８と同様な結果が得られ
た。
【００３８】なお、上記実施例４の方法により成膜した
ガラス板を重ねることにより赤外線遮蔽合わせガラスを
製造することもできる。
ガラス板を重ねることにより赤外線遮蔽合わせガラスを
製造することもできる。
【００３９】上記のように本発明の金属ＭがＷまたはＭ
ｏ、あるいはＷとＭｏであるＶ(1-x ) Ｏ2 Ｍx 組成の超
微粒子粉末は、ビーズミルにより粉砕されて粒径１０〜
５００ｎｍの超微粒子粉末に微粒化されるので、従来の
スパッタリング法やゾルゲル法によるＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx
組成の合成より安価かつ簡易に合成でき、用途の広い超
微粒子粉末が製造できる。
ｏ、あるいはＷとＭｏであるＶ(1-x ) Ｏ2 Ｍx 組成の超
微粒子粉末は、ビーズミルにより粉砕されて粒径１０〜
５００ｎｍの超微粒子粉末に微粒化されるので、従来の
スパッタリング法やゾルゲル法によるＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx
組成の合成より安価かつ簡易に合成でき、用途の広い超
微粒子粉末が製造できる。
【００４０】また、本発明によれば、ＶＯ2 粉末に２〜
７ｗｔ％のＷＯ3 粉末を混合して高周波熱プラズマによ
り熱合成したＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx でｘ＝０．７〜２．７の
材料を、ビーズミルにより粉砕して粒径１０〜５００ｎ
ｍにすることにより、相転移温度が２５〜５０℃のＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微粒子粉末が得られた。これに
より、実用性の高い赤外線遮蔽材が得られた。
７ｗｔ％のＷＯ3 粉末を混合して高周波熱プラズマによ
り熱合成したＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx でｘ＝０．７〜２．７の
材料を、ビーズミルにより粉砕して粒径１０〜５００ｎ
ｍにすることにより、相転移温度が２５〜５０℃のＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微粒子粉末が得られた。これに
より、実用性の高い赤外線遮蔽材が得られた。
【００４１】上記実施例では、金属ＭをＷとしたＶ
(1-x) Ｏ2 Ｗx について実施した結果、相転移温度をＶ
Ｏ2 単体よりも低い２５℃まで低下させて実用性のある
赤外線遮蔽効果のある超微粒子粉末の製造が可能にした
が、この相転移温度は理論的に１０℃まで下げることが
可能である。また、金属ＭとしてＷの他に、Ｍｏ、ある
いはＷとＭｏをＭｏＯ3 、あるいはＷＯ3 及びＭｏＯ3
の混合物することによっても近似の効果が得られる。さ
らに、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の熱合成は、溶融法でも固相反
応法でもよいことが判った。
(1-x) Ｏ2 Ｗx について実施した結果、相転移温度をＶ
Ｏ2 単体よりも低い２５℃まで低下させて実用性のある
赤外線遮蔽効果のある超微粒子粉末の製造が可能にした
が、この相転移温度は理論的に１０℃まで下げることが
可能である。また、金属ＭとしてＷの他に、Ｍｏ、ある
いはＷとＭｏをＭｏＯ3 、あるいはＷＯ3 及びＭｏＯ3
の混合物することによっても近似の効果が得られる。さ
らに、Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｗx の熱合成は、溶融法でも固相反
応法でもよいことが判った。
【００４２】また本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外
線遮蔽超微粒子粉末は、スラリーとしてガラス、ポリマ
あるいはセラミックスの基板に噴霧塗布することによ
り、簡易に赤外線遮蔽板が得られる。また、本超微粒子
粉末を基剤に混練した混練物を成形したり、これをコー
ト材としてフィルム上にコートすることによっても簡易
に赤外線遮蔽フィルムが得られ、或いは２枚以上のガラ
スの間に介在させることにより赤外線遮蔽合せガラスと
することができる。
線遮蔽超微粒子粉末は、スラリーとしてガラス、ポリマ
あるいはセラミックスの基板に噴霧塗布することによ
り、簡易に赤外線遮蔽板が得られる。また、本超微粒子
粉末を基剤に混練した混練物を成形したり、これをコー
ト材としてフィルム上にコートすることによっても簡易
に赤外線遮蔽フィルムが得られ、或いは２枚以上のガラ
スの間に介在させることにより赤外線遮蔽合せガラスと
することができる。
【００４３】さらに本発明のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の超
微粒子粉末は、相転移温度において半導体から金属に相
変化して電気伝導度が変わるので、この電気伝導度の変
化を利用した温度センサとして使用することによりサー
モスイッチとすることもできる。
微粒子粉末は、相転移温度において半導体から金属に相
変化して電気伝導度が変わるので、この電気伝導度の変
化を利用した温度センサとして使用することによりサー
モスイッチとすることもできる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＶ(1-x)
Ｏ2 Ｍx 組成の超微粒子粉末は、ビーズミルにより簡易
に粉砕されるので、量産が可能であり、従来方法のよう
に成膜後の加熱処理などが不要で、大型ガラスやポリマ
にコーティングすることが容易であるので、赤外線遮蔽
材として広く普及することが期待でき、省エネルギーの
達成と居住環境の改善などが期待される。
Ｏ2 Ｍx 組成の超微粒子粉末は、ビーズミルにより簡易
に粉砕されるので、量産が可能であり、従来方法のよう
に成膜後の加熱処理などが不要で、大型ガラスやポリマ
にコーティングすることが容易であるので、赤外線遮蔽
材として広く普及することが期待でき、省エネルギーの
達成と居住環境の改善などが期待される。
【図１】本発明実施例２のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微
粒子粉末の製造工程を示す図である。
粒子粉末の製造工程を示す図である。
【図２】本発明実施例１のＶＯ2 のビーズミル粉砕粉の
ＴＥＭ像である。
ＴＥＭ像である。
【図３】本発明実施例１のＶＯ2 のビーズミル粉砕粉の
赤外線吸収スペクトルを示す図である。
赤外線吸収スペクトルを示す図である。
【図４】本発明実施例２のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成のビー
ズミル粉砕粉のＴＥＭ像である。
ズミル粉砕粉のＴＥＭ像である。
【図５】本発明実施例２のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成のビー
ズミル粉砕粉の赤外線吸収スペクトルを示す図である。
ズミル粉砕粉の赤外線吸収スペクトルを示す図である。
【図６】相転移温度の測定用恒温装置の外観図である。
【図７】本発明実施例５の赤外線遮蔽フィルムの製造工
程の１例を示すフローチャートである。
程の１例を示すフローチャートである。
【図８】本発明実施例５のＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微
粒子粉末を混練したポリエステル樹脂フィルムの赤外線
吸収スペクトルを示す図である。
粒子粉末を混練したポリエステル樹脂フィルムの赤外線
吸収スペクトルを示す図である。
【図９】本発明実施例６のガラス板にコーティングした
赤外線遮蔽板の製造工程の１例を示すフローチャートで
ある。
赤外線遮蔽板の製造工程の１例を示すフローチャートで
ある。
【図１０】サーモクロミック素子の仕組みを示す図であ
る。
る。
【図１１】本発明実施例３の熱プラズマ溶融の方法を説
明する図である。
明する図である。
【図１２】本発明実施例３のＷＯ3 粉末の混合比率と相
転移温度との関係を示す図である。
転移温度との関係を示す図である。
【図１３】本発明実施例４の製造工程を示すフローチャ
ートである。
ートである。
１ 高周波熱プラズマ ２ 反応管 ３ 誘導加熱コイル ４ 供給管 ５ Ｃハース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横田 誠二 神奈川県平塚市田村5893高周波熱錬株式会 社内 (72)発明者 川嵜 一博 神奈川県平塚市田村5893高周波熱錬株式会 社内
Claims (12)
- 【請求項１】 金属ＭがＷまたはＭｏ、あるいはＷとＭ
ｏであるＶ(1-x) Ｏ 2 Ｍx 組成の材料をビーズミルによ
り粉砕して微細化し粒径１０〜５００ｎｍの超微粒子粉
末を製造することを特徴とするＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の
超微粒子粉末の製造方法。 - 【請求項２】 ＶＯ2 ＋ＷＯ3 ＝１００としてｗｔ％で
ＶＯ2 ：９８〜９３、ＷＯ3 ：２〜７の比率になるよう
にしたＶ酸化物とＷ酸化物の混合粉末を高周波熱プラズ
マにより熱合成し、該熱合成したＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成
の材料をビーズミルにより粉砕して微細化し、粒径１０
〜５００ｎｍでかつ相転移温度が２５〜５０℃である超
微粒子粉末を製造することを特徴とするＶ(1-x) Ｏ2 Ｗ
x 組成の超微粒子粉末の製造方法。 - 【請求項３】 前記Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成のｘ＝０．７
〜２．７であることを特徴とする請求項１又は２に記載
のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の超微粒子粉末の製造方法。 - 【請求項４】 金属ＭがＷまたはＭｏ、あるいはＷとＭ
ｏであるＶ(1-x) Ｏ 2 Ｍx 組成の材料をビーズミルによ
り粉砕して粒径１０〜５００ｎｍに微粒化されたことを
特徴とするＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外線遮蔽超微粒子
粉末。 - 【請求項５】 前記Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外線遮蔽
超微粒子粉末は、相転移温度が１０〜６８℃であること
を特徴とする請求項４に記載のＶ(1-x) Ｏ2Ｍx 組成の
赤外線遮蔽超微粒子粉末。 - 【請求項６】 ＶＯ2 ＋ＷＯ3 ＝１００としてｗｔ％で
ＶＯ2 ：９８〜９３、ＷＯ3 ：２〜７の比率になるよう
にしたＶ酸化物とＷ酸化物の混合粉末から高周波熱プラ
ズマにより熱合成されたＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の材料
が、ビーズミルにより粉砕して微細化され、粒径１０〜
５００ｎｍでかつ相転移温度が２５〜５０℃であること
を特徴とするＶ(1-x) Ｏ2 Ｗx 組成の超微粒子粉末。 - 【請求項７】 前記Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成のｘ＝０．７
〜２．７であることを特徴とする請求項４から６のいず
れかに記載のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の超微粒子粉末。 - 【請求項８】 前記請求項４から７のいずれかに記載の
Ｖ(1-x) Ｏ2 Ｍx 組成の赤外線遮蔽超微粒子粉末を、基
板に塗布して得られたことを特徴とする赤外線遮蔽板。 - 【請求項９】 前記基板はガラス、ポリマあるいはセラ
ミックスで、前記塗布方法は前記赤外線遮蔽超微粒子粉
末のスラリーを噴霧することにより塗布することを特徴
とする請求項８に記載の赤外線遮蔽板。 - 【請求項１０】 前記請求項４から７のいずれかに記載
のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx組成の赤外線遮蔽超微粒子粉末を基
剤に混練した混練物を成形して得られたことを特徴とす
る赤外線遮蔽板。 - 【請求項１１】 前記請求項４から７のいずれかに記載
のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx組成の赤外線遮蔽超微粒子粉末を基
剤に混練したコート材をフィルム上にコートして得られ
たことを特徴とする赤外線遮蔽フィルム。 - 【請求項１２】 前記請求項４から７のいずれかに記載
のＶ(1-x) Ｏ2 Ｍx組成の赤外線遮蔽超微粒子粉末を２
枚以上のガラスの間に介在させたことを特徴とする赤外
線遮蔽合せガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11337490A JP2000233929A (ja) | 1998-11-30 | 1999-11-29 | Ｖ（１−ｘ）Ｏ２Ｍｘ組成の超微粒子粉末とその製造方法及び赤外線遮蔽材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33999098 | 1998-11-30 | ||
| JP10-339990 | 1998-11-30 | ||
| JP11337490A JP2000233929A (ja) | 1998-11-30 | 1999-11-29 | Ｖ（１−ｘ）Ｏ２Ｍｘ組成の超微粒子粉末とその製造方法及び赤外線遮蔽材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000233929A true JP2000233929A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=26575816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11337490A Pending JP2000233929A (ja) | 1998-11-30 | 1999-11-29 | Ｖ（１−ｘ）Ｏ２Ｍｘ組成の超微粒子粉末とその製造方法及び赤外線遮蔽材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000233929A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005037932A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子 |
| JP2005187323A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法、日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子および日射遮蔽体形成用分散液並びに日射遮蔽体 |
| WO2005087680A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 日射遮蔽用合わせ構造体 |
| JP2006030327A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高性能自動調光遮熱ガラス調光層膜厚の決定方法 |
| JP2006154516A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用近赤外線吸収フィルター、及びこれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2006160579A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微細酸化鉄粉末及びその製造方法 |
| JP2006282736A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体および赤外線遮蔽体 |
| JP2006299086A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子 |
| JP2009035459A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Bridgestone Corp | 積層体 |
| JP2010265144A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合タングステン酸化物超微粒子の製造方法 |
| KR101019498B1 (ko) | 2008-09-11 | 2011-03-07 | (주) 씨에프씨테라메이트 | 텅스텐브론즈 화합물을 함유한 열차단필름과 그 제조방법 |
| US8015725B2 (en) * | 2004-09-21 | 2011-09-13 | Dos-I Solutions, S.L. | Method and machine for the sintering and/or drying of powder materials using infrared radiation |
| JP2012506463A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | データレース リミテッド | 熱吸収添加剤 |
| US8324300B2 (en) | 2009-01-20 | 2012-12-04 | Ppg Industries Ohio, Inc | Transparent, colorless infrared radiation absorbing compositions comprising nanoparticles |
| JP2012250879A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Sekisui Chem Co Ltd | サーモクロミック性フィルム、合わせガラス用中間膜、合わせガラス及び貼り付け用フィルム |
| JP2013241334A (ja) * | 2008-12-11 | 2013-12-05 | Tosoh Corp | 表面が平滑なセラミックビーズおよびその製造方法 |
| KR101398603B1 (ko) | 2012-12-06 | 2014-05-23 | 코닝정밀소재 주식회사 | 써모크로믹 윈도우 및 써모크로믹 복층 윈도우 |
| JP2017001929A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | 東亞合成株式会社 | 二酸化バナジウム微粒子の製造方法 |
| WO2018143276A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 積水化学工業株式会社 | サーモクロミック性を有する合わせガラス用中間膜、合わせガラス及び合わせガラスシステム |
| JP2019044019A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽粒子、熱線遮蔽粒子の製造方法、熱線遮蔽粒子分散液、熱線遮蔽粒子分散液の製造方法、熱線遮蔽粒子分散体、熱線遮蔽合わせ透明基材、熱線遮蔽透明基材 |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP11337490A patent/JP2000233929A/ja active Pending
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8083847B2 (en) | 2003-10-20 | 2011-12-27 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Fine particle dispersion of infrared-shielding material, infrared-shielding body, and production method of fine particles of infrared-shielding material and fine particles of infrared-shielding material |
| AU2004282041B2 (en) * | 2003-10-20 | 2010-09-30 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Infrared shielding material microparticle dispersion, infrared shield, process for producing infrared shielding material microparticle, and infrared shielding material microparticle |
| KR100701735B1 (ko) * | 2003-10-20 | 2007-03-29 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 적외선 차폐재료 미립자 분산체, 적외선 차폐체, 및 적외선차폐재료 미립자의 제조방법, 및 적외선 차폐재료 미립자 |
| WO2005037932A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子 |
| JP4626284B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2011-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法、および日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子 |
| JP2005187323A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子の製造方法、日射遮蔽体形成用タングステン酸化物微粒子および日射遮蔽体形成用分散液並びに日射遮蔽体 |
| JPWO2005087680A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2007-08-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 日射遮蔽用合わせ構造体 |
| CN100368331C (zh) * | 2004-03-16 | 2008-02-13 | 住友金属矿山株式会社 | 日照遮蔽用层合结构体 |
| WO2005087680A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 日射遮蔽用合わせ構造体 |
| US7655301B2 (en) | 2004-03-16 | 2010-02-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Laminated structure for shielding against solar radiation |
| AU2004317197B2 (en) * | 2004-03-16 | 2010-09-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Sun screening laminated structure |
| JP4665153B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2011-04-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高性能自動調光遮熱ガラス調光層膜厚の決定方法 |
| JP2006030327A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高性能自動調光遮熱ガラス調光層膜厚の決定方法 |
| US8015725B2 (en) * | 2004-09-21 | 2011-09-13 | Dos-I Solutions, S.L. | Method and machine for the sintering and/or drying of powder materials using infrared radiation |
| JP4586970B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-11-24 | 住友金属鉱山株式会社 | プラズマディスプレイパネル用近赤外線吸収フィルター、及びこれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2006154516A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用近赤外線吸収フィルター、及びこれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2006160579A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微細酸化鉄粉末及びその製造方法 |
| JP4729914B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-07-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 微細酸化鉄粉末及びその製造方法 |
| JP2006282736A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体および赤外線遮蔽体 |
| JP4678225B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-04-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体および赤外線遮蔽体 |
| JP2006299086A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子 |
| JP2009035459A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Bridgestone Corp | 積層体 |
| KR101019498B1 (ko) | 2008-09-11 | 2011-03-07 | (주) 씨에프씨테라메이트 | 텅스텐브론즈 화합물을 함유한 열차단필름과 그 제조방법 |
| JP2012506463A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-15 | データレース リミテッド | 熱吸収添加剤 |
| JP2013241334A (ja) * | 2008-12-11 | 2013-12-05 | Tosoh Corp | 表面が平滑なセラミックビーズおよびその製造方法 |
| US8324300B2 (en) | 2009-01-20 | 2012-12-04 | Ppg Industries Ohio, Inc | Transparent, colorless infrared radiation absorbing compositions comprising nanoparticles |
| JP2010265144A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合タングステン酸化物超微粒子の製造方法 |
| JP2012250879A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Sekisui Chem Co Ltd | サーモクロミック性フィルム、合わせガラス用中間膜、合わせガラス及び貼り付け用フィルム |
| KR101398603B1 (ko) | 2012-12-06 | 2014-05-23 | 코닝정밀소재 주식회사 | 써모크로믹 윈도우 및 써모크로믹 복층 윈도우 |
| JP2017001929A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | 東亞合成株式会社 | 二酸化バナジウム微粒子の製造方法 |
| WO2018143276A1 (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 積水化学工業株式会社 | サーモクロミック性を有する合わせガラス用中間膜、合わせガラス及び合わせガラスシステム |
| KR20190113525A (ko) | 2017-01-31 | 2019-10-08 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 써모크로믹성을 갖는 합판 유리용 중간막, 합판 유리 및 합판 유리 시스템 |
| JP2019044019A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽粒子、熱線遮蔽粒子の製造方法、熱線遮蔽粒子分散液、熱線遮蔽粒子分散液の製造方法、熱線遮蔽粒子分散体、熱線遮蔽合わせ透明基材、熱線遮蔽透明基材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000233929A (ja) | Ｖ（１−ｘ）Ｏ２Ｍｘ組成の超微粒子粉末とその製造方法及び赤外線遮蔽材料 | |
| JP3746094B2 (ja) | ターゲットおよびその製造方法 | |
| KR102371492B1 (ko) | 근적외선 차폐 재료 미립자와 이의 제조 방법 및 근적외선 차폐 재료 미립자 분산액 | |
| Singh et al. | Growth and characterization of ZnO nanocrystalline thin films and nanopowder via low-cost ultrasonic spray pyrolysis | |
| Song et al. | Structure and photoluminescence properties of sol–gel TiO2–SiO2 films | |
| Bastami et al. | Synthesis of nanosized (Co, Nb, Sm)-doped SnO2 powders using co-precipitation method | |
| Zhu et al. | Preparation, infrared emissivity and thermochromic properties of Co doped ZnO by solid state reaction | |
| CN103666444B (zh) | 一种氧化硅包覆氧化钒纳微粉体的制备方法及其应用 | |
| WO2006025470A1 (ja) | 導電性粒子、可視光透過型粒子分散導電体およびその製造方法、透明導電薄膜およびその製造方法、これを用いた透明導電物品、赤外線遮蔽物品 | |
| Wang et al. | Facile synthesis of VO2 (D) and its transformation to VO2 (M) with enhanced thermochromic properties for smart windows | |
| CN106147719B (zh) | 一种高透明性热相变材料的制备方法 | |
| Miao et al. | Antimony-doped tin dioxide nanometer powders prepared by the hydrothermal method | |
| CN105753050B (zh) | 金红石相二氧化钒纳米颗粒的制备方法及其颗粒 | |
| Jagtap et al. | Thick film NTC thermistor for wide range of temperature sensing | |
| Cui et al. | Thermochromic properties of vanadium oxide films prepared by dc reactive magnetron sputtering | |
| Wang et al. | Preparation of VO2 (M) nanoparticles with exemplary optical performance from VO2 (B) nanobelts by ball milling | |
| CN106146894B (zh) | 一种高透明性高隔热性热相变材料的制备方法 | |
| CN109336176A (zh) | 一种固相法大量制备金红石相二氧化钒纳米粉体的方法 | |
| KR101602486B1 (ko) | 차광 구조물의 제조방법 | |
| Wang et al. | One-step ball-milling synthesis of cesium tungsten bronze nanoparticles and near-infrared shielding performance | |
| WO2007004473A1 (ja) | Ｉｚｏスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP5673273B2 (ja) | 近赤外線吸収粒子およびその製造方法、ならびに分散液、樹脂組成物、近赤外線吸収塗膜を有する物品および近赤外線吸収物品 | |
| JP5891580B2 (ja) | 近赤外線吸収粒子の製造方法、分散液の製造方法および樹脂組成物の製造方法 | |
| EP4350029A1 (en) | Sputtering target and method for forming cesium tungsten oxide film | |
| CN100586887C (zh) | 一种玻璃反射膜的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |