JP2000232174A - 電子部品及び圧電振動子 - Google Patents
電子部品及び圧電振動子Info
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- JP2000232174A JP2000232174A JP11033214A JP3321499A JP2000232174A JP 2000232174 A JP2000232174 A JP 2000232174A JP 11033214 A JP11033214 A JP 11033214A JP 3321499 A JP3321499 A JP 3321499A JP 2000232174 A JP2000232174 A JP 2000232174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の振動子を製造する方法では、気密封止
するときに加熱し、ろう材などの接合部材を溶融して封
止するが、溶融する際に接合部材からガスが発生し、容
器内の圧力が高くなり、気密性がたもたれないという問
題があった。 【解決手段】 スパッタ法やＣＶＤ法などの乾式方法で
作成した金属膜は緻密な性質の膜が作成でき、現状使用
されている接合部材に被覆することで加熱時の接合部材
から発生するガスが抑制できると考えられるので、現状
の接合部材に、金属材の被覆膜を作成した。
するときに加熱し、ろう材などの接合部材を溶融して封
止するが、溶融する際に接合部材からガスが発生し、容
器内の圧力が高くなり、気密性がたもたれないという問
題があった。 【解決手段】 スパッタ法やＣＶＤ法などの乾式方法で
作成した金属膜は緻密な性質の膜が作成でき、現状使用
されている接合部材に被覆することで加熱時の接合部材
から発生するガスが抑制できると考えられるので、現状
の接合部材に、金属材の被覆膜を作成した。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電振動子である
水晶振動子など素子が気密容器内に封入された構成の電
子部品に関し、詳細には、圧電振動子と電子部品ケース
の固定支持に係る構成に関するものである。
水晶振動子など素子が気密容器内に封入された構成の電
子部品に関し、詳細には、圧電振動子と電子部品ケース
の固定支持に係る構成に関するものである。
【従来の技術】従来、水晶振動子は図８に示すように、
水晶振動子２をプラグ１２と呼ばれるハーメチックシー
ルのリード端子１３にろう付けし、これを真空中で金属
ケース１１に圧入して製造されている。大半の水晶振動
子はこのように製造されているが、薄型化の要求から図
９、１０に示す水晶振動子も知られている。図９は、箱
型にエッチングした水晶製の上ケース１５と下ケース１
６に、図１０に示すような枠付水晶振動子１４をはさ
み、ろう材を接合部材５として用いて封止した水晶振動
子の断面斜視図である。
水晶振動子２をプラグ１２と呼ばれるハーメチックシー
ルのリード端子１３にろう付けし、これを真空中で金属
ケース１１に圧入して製造されている。大半の水晶振動
子はこのように製造されているが、薄型化の要求から図
９、１０に示す水晶振動子も知られている。図９は、箱
型にエッチングした水晶製の上ケース１５と下ケース１
６に、図１０に示すような枠付水晶振動子１４をはさ
み、ろう材を接合部材５として用いて封止した水晶振動
子の断面斜視図である。
【発明が解決しようとする課題】従来の図８に示す水晶
振動子ではプラグ１２、金属ケース１１が高く、円筒形
であるため薄型化には水晶音叉の巾という限界があっ
た。これを改善するために図９に示す水晶振動子が考案
されたが、熱膨張係数を合わせるためケース１５、１６
の材料に高価な水晶を用いなければならず、薄型化は実
現できるものの極めて高価になるという問題点があっ
た。また、この方法では、気密封止する際に、加熱によ
りろう材などの接合部材を溶融して封止するが、はんだ
等のろう材が溶融する際にろう材からガスが発生し、容
器内の圧力が高くなり、気密性が保たれないという問題
があった。また、気密性が保たれたとしても、容器内に
密閉されたガスが水晶振動子の振動に影響を与え、振動
子の動きを減衰させてしまうという問題点があった。ま
た、従来の図８に示したケースの空間に比べ薄型化した
図９の容器内の空間はかなり小さくなり、発生したガス
が空間に占める割合は高くなり、上記問題点は顕著にな
っている。したがって、上記問題点を解決するために
は、接合部材からのガスの発生を押さえることが重要と
なる。そのために、まず接合部材を新たなものにするこ
とが考えられる。しかし、この方法は開発に時間がかか
るうえ、さらにコスト的にも優位になるか不明である。
振動子ではプラグ１２、金属ケース１１が高く、円筒形
であるため薄型化には水晶音叉の巾という限界があっ
た。これを改善するために図９に示す水晶振動子が考案
されたが、熱膨張係数を合わせるためケース１５、１６
の材料に高価な水晶を用いなければならず、薄型化は実
現できるものの極めて高価になるという問題点があっ
た。また、この方法では、気密封止する際に、加熱によ
りろう材などの接合部材を溶融して封止するが、はんだ
等のろう材が溶融する際にろう材からガスが発生し、容
器内の圧力が高くなり、気密性が保たれないという問題
があった。また、気密性が保たれたとしても、容器内に
密閉されたガスが水晶振動子の振動に影響を与え、振動
子の動きを減衰させてしまうという問題点があった。ま
た、従来の図８に示したケースの空間に比べ薄型化した
図９の容器内の空間はかなり小さくなり、発生したガス
が空間に占める割合は高くなり、上記問題点は顕著にな
っている。したがって、上記問題点を解決するために
は、接合部材からのガスの発生を押さえることが重要と
なる。そのために、まず接合部材を新たなものにするこ
とが考えられる。しかし、この方法は開発に時間がかか
るうえ、さらにコスト的にも優位になるか不明である。
【課題を解決するための手段】本願発明は、スパッタ法
やＣＶＤ法などの乾式方法で作成された緻密な性質の金
属膜を、現状使用されている接合部材に被覆することで
加熱時に接合部材から発生するガスが抑制できることに
着目した。すなわち、本願発明は、上記課題を解決する
ために、接合部材に金属材の被覆膜を作成することによ
り、接合部材から発生するガスを密閉空間内に封入され
ない構成を採用したものである。この方法は現状の圧電
振動子作製工程を大きく変更することなく圧電振動子が
作製可能なため、コストもわずかな上昇で押さえること
ができる。
やＣＶＤ法などの乾式方法で作成された緻密な性質の金
属膜を、現状使用されている接合部材に被覆することで
加熱時に接合部材から発生するガスが抑制できることに
着目した。すなわち、本願発明は、上記課題を解決する
ために、接合部材に金属材の被覆膜を作成することによ
り、接合部材から発生するガスを密閉空間内に封入され
ない構成を採用したものである。この方法は現状の圧電
振動子作製工程を大きく変更することなく圧電振動子が
作製可能なため、コストもわずかな上昇で押さえること
ができる。
【発明の実施の形態】本願発明による電子部品及び圧電
振動子は、２つの容器部材を被覆層を有する接合部材に
より気密封止されているため、素子の存在する密閉空間
内に接合部材から発生するガスが侵入することが防止さ
れることとなり、素子の機能が阻害されることなく信頼
性の高い電子部品を実現できる、という効果がある。
振動子は、２つの容器部材を被覆層を有する接合部材に
より気密封止されているため、素子の存在する密閉空間
内に接合部材から発生するガスが侵入することが防止さ
れることとなり、素子の機能が阻害されることなく信頼
性の高い電子部品を実現できる、という効果がある。
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説
明する。 （実施例１）本願発明の実施例１による圧電振動子を備
えた電子部品の断面模式図を図１に示す。振動子２が固
定された容器１と、蓋３とが接合部材４により互いに接
合される。図２に示すように、接合部材４は、金属接合
部材５の周囲に被覆膜６が設けられた構造である。すな
わち、容器１（あるいは蓋３）に、メッキ法によって金
属接合部材５を1μｍ以上５μｍ以下の厚みで形成し、
さらにこの金属接合部材５を覆うように、スパッタ法、
ＣＶＤ法、蒸着法などの乾式方法によって被覆膜６が１
００Å以上１μｍ以下の厚みで形成される。これは、被
覆膜６が１００Åより薄い場合ピンポールが多く、被覆
膜６によってガス発生を押さえることができなくなり、
また１μｍより厚い場合微細な亀裂が生じやすく、気密
封止時の工程で亀裂からガスが漏れることがあるためで
ある。被覆膜６は接合部材を覆うために作製するが、接
合部材を蓋上に設けた場合、特に、樹脂性の基板を蓋に
用いるときなど、蓋からガス発生がある恐れのある場合
には、図３に示すように全面に被覆膜６を形成する。金
属接合部材５の厚みはメッキで成形するため１μｍ以下
の制御は難しく、また金属接合部材５を厚くすると材料
費が高くなり、製品コストが必要以上にあがってしま
う。本実施例によれば、接合部材の厚みは５μｍ以下で
も十分な接合強度があり、５μｍ以上厚くする必要性は
ない。被覆膜６の材質には、金、白金、などの耐腐食性
の高い金属が使用される。金属接合部材５の材質には、
錫鉛系はんだの他に、錫亜鉛系はんだ、錫銀系はんだな
どの鉛フリーはんだをはじめとして、錫、金、銅、銀、
アルミが使用される。接合部材として金属材（金属接合
部材）を用いるのは、内部に含有するガスの絶対量が、
水ガラスや有機系接着剤に比べて圧倒的にすくないた
め、被覆膜による制御が可能なためである。金属接合部
材５と容器１（もしくは蓋３）との密着性を確保するた
め、スパッタ法によりクロムが容器上に形成されてい
る。金属接合部材５の材質によってはクロムに拡散が起
こって共晶金属が形成され、クロムとしての働きである
密着性を失ってしまうおそれがあるため、拡散防止層と
して、ニッケル、金、まれに銀がクロム上に形成され
る。また、この拡散防止層はクロムの酸化防止の役目も
している。すなわち、容器１（もしくは蓋３）上にスパ
ッタ法によってクロムを、さらに拡散防止層として金を
作製し、その上に前述の被覆層を有する接合部材４が形
成されている。上述のような被覆層を有する接合部材４
が設けられた容器と蓋を、加熱・加圧して気密封止し、
圧電振動子を有する電子部品が作製される。この状態を
図４に示す。接合界面上の被覆膜は接合時に拡散され消
失するが、金属接合部材５を取り囲むように被覆膜６が
残り、ガス発生を抑制している。ここで、少なくとも金
属接合部材５の内側面に被覆膜が設けられていれば、密
閉空間内部へガスが発生することを防止できる。容器１
の材質は、セラミック、ガラスセラミック、シリコンが
用いられ、蓋３には平板形状のガラス、水晶などの透明
体の他、シリコン、ＳＵＳ、アルミ、銅などの金属板が
用いられる。また、本実施例の構成の場合、ある程度の
空間は構造的に確保されるため、気密封止時の加熱によ
るガス発生量を少しでも押さえるために容器１もしくは
蓋３のどちらかに一方に被覆層を有する接合部材を形成
してもよい。また、圧電振動子と容器の接合において
も、上述の被覆層を有する接合部材を用いることによ
り、圧電振動子と容器の接合部からのガス発生も抑制で
きる。 （実施例２）本発明の実施例２による圧電振動子を有す
る電子部品の断面模式図を図５に示す。本実施例２は枠
付圧電振動子８を上ケース９と下ケース１０ではさむ構
成である。枠付圧電振動子８との接合部に被覆層を有す
る接合部材４が形成されている。実施例１と同様に、接
合部材４は金属接合部材５の周囲に被覆膜６が設けられ
た構造である。上述のような被覆層を有する接合部材４
が設けられた上ケース９及び下ケース１０と枠付圧電振
動子８を、加熱・加圧して気密封止し、圧電振動子を有
する電子部品が作製される。この状態を図６に示す。接
合界面上の被覆膜は接合時に拡散され消失するが、金属
接合部材５を取り囲むように被覆膜６が残り、ガス発生
を抑制している。ここで、少なくとも金属接合部材５の
内側面に被覆膜が設けられていれば、密閉空間内部へガ
スが発生することを防止できる。ここで、被覆膜を有す
る接合部材４をケースもしくは枠付圧電振動子体８上に
設けることに関しては、実施例１と同様であるので詳細
は省略する。上ケース９及び下ケース１０は図５、６で
示した平板状か、もしくは、凹形状をしている。凹形状
で形成されていれば密閉空間が広くなるため、たとえ意
図しないガス発生があっても、真空度を少しでも高く保
つこととなり、振動子の振動特性に影響を与え難くな
る。上ケース９及び下ケース１０が平板状の場合でも接
合部材による２〜２０μｍの隙間が確保され、一方、圧
電振動子の振幅は（設計にも関係するが）１μｍ以下で
あるので、通常は振動子の振動特性に問題を与えること
はない。図７に、凹形状のケース１７の突起部に接合部
材５がメッキで形成され、被覆膜６が接合部材５とケー
ス１７の全面に覆われた構成を示す。ケースを凹形状に
作製する方法はケースの材質によって異なる。ケース材
質がガラスや水晶である場合はふっ酸を用いたエッチン
グ法やサンドブラストなどの研削法によって、ケース材
質が金属であるときは打ち抜き加工法やＮＣなどを用い
た切削法によって作製される。また、ケース材質が樹脂
基板、セラミックである場合は、印刷、絞り加工後焼成
して、凹形状のケースを作製する。凹形状のケースを用
いると振動子周辺の空間がある程度確保されるため、被
覆層を有する接合部材４が圧電振動子体周辺か上下ケー
スかの一方に構成されることもある。あるいは、コスト
や厚みの制限のため、被覆層を有する接合部材４が圧電
振動子体周辺か上下ケースかの一方に構成されることも
ある。振動子体に水晶を用いる場合、熱膨張係数を合わ
せるために上下ケースにも水晶を用いることが多いが、
前記したようにコストが高くなる。コストをおさえるた
めに、ガラスを用いることもあるが、熱膨張係数が同一
でないため、ウェハで多数個取りの製造しようとすると
熱応力によって割れなどの問題が起こり、製造できな
い。上下ケースに水晶と同じ熱膨張係数をもつものとし
て、ＳＵＳなどの金属がある。ＳＵＳなどの金属を用い
ることでコストが安くできる。水晶以外の圧電振動子体
でもその圧電振動子体と熱膨張係数が同じ金属材料を選
定できる。また、コストを特に気にする場合、ケース材
質にガラスエポキシ樹脂や紙フェノール樹脂や液晶ポリ
マーのような樹脂基板を用いることもある。
明する。 （実施例１）本願発明の実施例１による圧電振動子を備
えた電子部品の断面模式図を図１に示す。振動子２が固
定された容器１と、蓋３とが接合部材４により互いに接
合される。図２に示すように、接合部材４は、金属接合
部材５の周囲に被覆膜６が設けられた構造である。すな
わち、容器１（あるいは蓋３）に、メッキ法によって金
属接合部材５を1μｍ以上５μｍ以下の厚みで形成し、
さらにこの金属接合部材５を覆うように、スパッタ法、
ＣＶＤ法、蒸着法などの乾式方法によって被覆膜６が１
００Å以上１μｍ以下の厚みで形成される。これは、被
覆膜６が１００Åより薄い場合ピンポールが多く、被覆
膜６によってガス発生を押さえることができなくなり、
また１μｍより厚い場合微細な亀裂が生じやすく、気密
封止時の工程で亀裂からガスが漏れることがあるためで
ある。被覆膜６は接合部材を覆うために作製するが、接
合部材を蓋上に設けた場合、特に、樹脂性の基板を蓋に
用いるときなど、蓋からガス発生がある恐れのある場合
には、図３に示すように全面に被覆膜６を形成する。金
属接合部材５の厚みはメッキで成形するため１μｍ以下
の制御は難しく、また金属接合部材５を厚くすると材料
費が高くなり、製品コストが必要以上にあがってしま
う。本実施例によれば、接合部材の厚みは５μｍ以下で
も十分な接合強度があり、５μｍ以上厚くする必要性は
ない。被覆膜６の材質には、金、白金、などの耐腐食性
の高い金属が使用される。金属接合部材５の材質には、
錫鉛系はんだの他に、錫亜鉛系はんだ、錫銀系はんだな
どの鉛フリーはんだをはじめとして、錫、金、銅、銀、
アルミが使用される。接合部材として金属材（金属接合
部材）を用いるのは、内部に含有するガスの絶対量が、
水ガラスや有機系接着剤に比べて圧倒的にすくないた
め、被覆膜による制御が可能なためである。金属接合部
材５と容器１（もしくは蓋３）との密着性を確保するた
め、スパッタ法によりクロムが容器上に形成されてい
る。金属接合部材５の材質によってはクロムに拡散が起
こって共晶金属が形成され、クロムとしての働きである
密着性を失ってしまうおそれがあるため、拡散防止層と
して、ニッケル、金、まれに銀がクロム上に形成され
る。また、この拡散防止層はクロムの酸化防止の役目も
している。すなわち、容器１（もしくは蓋３）上にスパ
ッタ法によってクロムを、さらに拡散防止層として金を
作製し、その上に前述の被覆層を有する接合部材４が形
成されている。上述のような被覆層を有する接合部材４
が設けられた容器と蓋を、加熱・加圧して気密封止し、
圧電振動子を有する電子部品が作製される。この状態を
図４に示す。接合界面上の被覆膜は接合時に拡散され消
失するが、金属接合部材５を取り囲むように被覆膜６が
残り、ガス発生を抑制している。ここで、少なくとも金
属接合部材５の内側面に被覆膜が設けられていれば、密
閉空間内部へガスが発生することを防止できる。容器１
の材質は、セラミック、ガラスセラミック、シリコンが
用いられ、蓋３には平板形状のガラス、水晶などの透明
体の他、シリコン、ＳＵＳ、アルミ、銅などの金属板が
用いられる。また、本実施例の構成の場合、ある程度の
空間は構造的に確保されるため、気密封止時の加熱によ
るガス発生量を少しでも押さえるために容器１もしくは
蓋３のどちらかに一方に被覆層を有する接合部材を形成
してもよい。また、圧電振動子と容器の接合において
も、上述の被覆層を有する接合部材を用いることによ
り、圧電振動子と容器の接合部からのガス発生も抑制で
きる。 （実施例２）本発明の実施例２による圧電振動子を有す
る電子部品の断面模式図を図５に示す。本実施例２は枠
付圧電振動子８を上ケース９と下ケース１０ではさむ構
成である。枠付圧電振動子８との接合部に被覆層を有す
る接合部材４が形成されている。実施例１と同様に、接
合部材４は金属接合部材５の周囲に被覆膜６が設けられ
た構造である。上述のような被覆層を有する接合部材４
が設けられた上ケース９及び下ケース１０と枠付圧電振
動子８を、加熱・加圧して気密封止し、圧電振動子を有
する電子部品が作製される。この状態を図６に示す。接
合界面上の被覆膜は接合時に拡散され消失するが、金属
接合部材５を取り囲むように被覆膜６が残り、ガス発生
を抑制している。ここで、少なくとも金属接合部材５の
内側面に被覆膜が設けられていれば、密閉空間内部へガ
スが発生することを防止できる。ここで、被覆膜を有す
る接合部材４をケースもしくは枠付圧電振動子体８上に
設けることに関しては、実施例１と同様であるので詳細
は省略する。上ケース９及び下ケース１０は図５、６で
示した平板状か、もしくは、凹形状をしている。凹形状
で形成されていれば密閉空間が広くなるため、たとえ意
図しないガス発生があっても、真空度を少しでも高く保
つこととなり、振動子の振動特性に影響を与え難くな
る。上ケース９及び下ケース１０が平板状の場合でも接
合部材による２〜２０μｍの隙間が確保され、一方、圧
電振動子の振幅は（設計にも関係するが）１μｍ以下で
あるので、通常は振動子の振動特性に問題を与えること
はない。図７に、凹形状のケース１７の突起部に接合部
材５がメッキで形成され、被覆膜６が接合部材５とケー
ス１７の全面に覆われた構成を示す。ケースを凹形状に
作製する方法はケースの材質によって異なる。ケース材
質がガラスや水晶である場合はふっ酸を用いたエッチン
グ法やサンドブラストなどの研削法によって、ケース材
質が金属であるときは打ち抜き加工法やＮＣなどを用い
た切削法によって作製される。また、ケース材質が樹脂
基板、セラミックである場合は、印刷、絞り加工後焼成
して、凹形状のケースを作製する。凹形状のケースを用
いると振動子周辺の空間がある程度確保されるため、被
覆層を有する接合部材４が圧電振動子体周辺か上下ケー
スかの一方に構成されることもある。あるいは、コスト
や厚みの制限のため、被覆層を有する接合部材４が圧電
振動子体周辺か上下ケースかの一方に構成されることも
ある。振動子体に水晶を用いる場合、熱膨張係数を合わ
せるために上下ケースにも水晶を用いることが多いが、
前記したようにコストが高くなる。コストをおさえるた
めに、ガラスを用いることもあるが、熱膨張係数が同一
でないため、ウェハで多数個取りの製造しようとすると
熱応力によって割れなどの問題が起こり、製造できな
い。上下ケースに水晶と同じ熱膨張係数をもつものとし
て、ＳＵＳなどの金属がある。ＳＵＳなどの金属を用い
ることでコストが安くできる。水晶以外の圧電振動子体
でもその圧電振動子体と熱膨張係数が同じ金属材料を選
定できる。また、コストを特に気にする場合、ケース材
質にガラスエポキシ樹脂や紙フェノール樹脂や液晶ポリ
マーのような樹脂基板を用いることもある。
【発明の効果】この発明は以上説明したように、接合部
材に金属の被覆膜を作製することによって、気密封止時
の接合部材からのガス発生を抑制でき、気密性が保たれ
るという効果がある。さらに、実施例１では水晶などの
振動子を１枚のウェハから多数個取ることができ、部材
として一番高い部分を有効に使えるため、コストが安く
できるという効果がある。実施例２では振動子が枠付き
の圧電振動子体として形成されているため、ウェハ処理
することができ、多数個取りの工程にできるため、１個
あたりの圧電振動子は安くできるという効果がある。
材に金属の被覆膜を作製することによって、気密封止時
の接合部材からのガス発生を抑制でき、気密性が保たれ
るという効果がある。さらに、実施例１では水晶などの
振動子を１枚のウェハから多数個取ることができ、部材
として一番高い部分を有効に使えるため、コストが安く
できるという効果がある。実施例２では振動子が枠付き
の圧電振動子体として形成されているため、ウェハ処理
することができ、多数個取りの工程にできるため、１個
あたりの圧電振動子は安くできるという効果がある。
【図１】本発明の実施例１における圧電振動子の断面図
である。
である。
【図２】本発明の実施例における被覆膜を有する接合部
材部分の断面図である。
材部分の断面図である。
【図３】本発明の実施例１における被覆膜を蓋全面に有
する蓋の断面図である。
する蓋の断面図である。
【図４】本発明の実施例１における気密封止後の圧電振
動子の断面図である。
動子の断面図である。
【図５】本発明の実施例２における圧電振動子の断面図
である。
である。
【図６】本発明の実施例２における気密封止後の圧電振
動子の断面図である。
動子の断面図である。
【図７】本発明の実施例２における被覆膜をケース全面
に有する圧電振動子の断面図である。
に有する圧電振動子の断面図である。
【図８】従来例による円筒形水晶振動子の断面図であ
る。
る。
【図９】従来例による薄型水晶振動子の斜視図である。
【図１０】図９における枠付水晶振動子片の平面図であ
る。
る。
１…容器 ２…振動子 ３…蓋 ４…被覆膜を有する接合部材 ５…金属接合部材 ６…被覆膜 ８…枠付圧電振動子体 ９…上ケース １０…下ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新荻 正隆 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 株 式会社エスアイアイ・アールディセンター 内 Ｆターム(参考） 5J108 BB02 CC04 EE03 EE04 EE07 EE19 GG03 GG09 GG15 GG16 GG17 MM01
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の容器部材と、第２の容器部材と、
前記第１及び第２の容器部材の間に形成された密閉空間
内に設けられた素子と、前記第１の容器部材と前記第２
の容器部材の間に設けられた接合材と、を備える電子部
品であって、 前記接合材が、接合部材と前記接合部材上に形成された
被覆層とを有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 前記接合部材が金属材であることを特徴
とする請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 前記接合部材の厚みが１μｍ以上５μｍ
以下であることを特徴とする請求項２に記載の電子部
品。 - 【請求項４】 前記被覆層が前記金属材と異なる金属薄
膜であることを特徴とする請求項２または３に記載の電
子部品。 - 【請求項５】 前記被覆層が１００Å以上１μｍ以下の
薄膜であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれ
か１項に記載の電子部品。 - 【請求項６】 第１の容器部材と、第２の容器部材と、
前記第１及び第２の容器部材の間に形成された密閉空間
内に設けられた圧電振動子体と、前記第１の容器部材と
前記第２の容器部材の間に設けられた接合材と、を備え
る圧電振動子であって、 前記接合材が、接合部材と前記接合部材上に形成された
被覆層とを有することを特徴とする圧電振動子。 - 【請求項７】 前記接合部材が１μｍ以上５μｍ以下の
金属材であるとともに、前記被覆層が１００Å以上１μ
ｍ以下の薄膜であることを特徴とする圧電振動子。 - 【請求項８】 前記第１の容器部材と前記第２の容器部
材のうち少なくとも一方が凹型形状であることを特徴と
する請求項６または７に記載の圧電振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11033214A JP2000232174A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 電子部品及び圧電振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11033214A JP2000232174A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 電子部品及び圧電振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000232174A true JP2000232174A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12380207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11033214A Pending JP2000232174A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 電子部品及び圧電振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000232174A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054442A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-23 | Brother Ind Ltd | 圧電アクチュエータ及びインクジェットヘッドの製造方法、圧電アクチュエータ及びインクジェットヘッド |
| JP2009511923A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | センサ |
| JP2010177810A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
| JPWO2024142439A1 (ja) * | 2022-12-26 | 2024-07-04 |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP11033214A patent/JP2000232174A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054442A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-23 | Brother Ind Ltd | 圧電アクチュエータ及びインクジェットヘッドの製造方法、圧電アクチュエータ及びインクジェットヘッド |
| JP2009511923A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | センサ |
| JP2010177810A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
| JPWO2024142439A1 (ja) * | 2022-12-26 | 2024-07-04 | ||
| JP7800850B2 (ja) | 2022-12-26 | 2026-01-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子 |
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