JP2000229925A - ヒドラジン誘導体の製造方法 - Google Patents
ヒドラジン誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶液状態でも安定な、式（ＩＩ）
【化１】
で表される構造を有するヒドラジン誘導体（ＩＩ）の製
造方法の提供。 【解決手段】 式（Ｉ） 【化２】 で表される構造を有するヒドラゾン誘導体（Ｉ）を接触
還元後、その反応液に含有されている還元触媒の活性を
失活させる工程を含む、上記ヒドラジン誘導体（ＩＩ）
の製造方法。
造方法の提供。 【解決手段】 式（Ｉ） 【化２】 で表される構造を有するヒドラゾン誘導体（Ｉ）を接触
還元後、その反応液に含有されている還元触媒の活性を
失活させる工程を含む、上記ヒドラジン誘導体（ＩＩ）
の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、溶液状態でも安定
な、式（ＩＩ）
な、式（ＩＩ）
【０００２】
【化８】
【０００３】で表される構造を有するヒドラジン誘導体
（ＩＩ）の製造方法に関する。
（ＩＩ）の製造方法に関する。
【０００４】
【従来の技術】式（ＩＩ）
【０００５】
【化９】
【０００６】で表される構造を有するヒドラジン誘導体
（ＩＩ）（以下、ヒドラジン誘導体（ＩＩ）ともいう）
は通常、式（Ｉ）
（ＩＩ）（以下、ヒドラジン誘導体（ＩＩ）ともいう）
は通常、式（Ｉ）
【０００７】
【化１０】
【０００８】で表される構造を有するヒドラゾン誘導体
（Ｉ）（以下、ヒドラゾン誘導体（Ｉ）ともいう）を接
触還元することにより得ることができる。従来公知の方
法により得られた該ヒドラジン誘導体（ＩＩ）を適当な
有機溶媒の溶液、例えばイソプロピルアルコール溶液と
して保存すると、ヒドラジン誘導体（ＩＩ）はヒドラゾ
ン誘導体（Ｉ）へと戻り、次工程での不純物となること
から、溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）の
製造方法が望まれていた。
（Ｉ）（以下、ヒドラゾン誘導体（Ｉ）ともいう）を接
触還元することにより得ることができる。従来公知の方
法により得られた該ヒドラジン誘導体（ＩＩ）を適当な
有機溶媒の溶液、例えばイソプロピルアルコール溶液と
して保存すると、ヒドラジン誘導体（ＩＩ）はヒドラゾ
ン誘導体（Ｉ）へと戻り、次工程での不純物となること
から、溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）の
製造方法が望まれていた。
【０００９】また、ヒドラジン誘導体（ＩＩ）である、
式（ＩＩｂ）
式（ＩＩｂ）
【００１０】
【化１１】
【００１１】（式中、ｔＢｕとはｔｅｒｔ−ブチルを表
す。）で表される、ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピ
リジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート（以下、ヒ
ドラジン誘導体（ＩＩｂ）ともいう）は、抗ＨＩＶ薬で
ある、式（Ａ）
す。）で表される、ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピ
リジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート（以下、ヒ
ドラジン誘導体（ＩＩｂ）ともいう）は、抗ＨＩＶ薬で
ある、式（Ａ）
【００１２】
【化１２】
【００１３】で表される化合物（Ａ）の合成中間体とし
て有用である。例えば、ヒドラゾン誘導体（Ｉ）であ
る、式（Ｉｂ）
て有用である。例えば、ヒドラゾン誘導体（Ｉ）であ
る、式（Ｉｂ）
【００１４】
【化１３】
【００１５】（式中、ｔＢｕとはｔｅｒｔ−ブチルを表
す。）で表される、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメ
チリデン］ヒドラジン（以下、ヒドラゾン誘導体（Ｉ
ｂ）ともいう）からＷＯ９７／４００２９号に記載の方
法により、ヒドラジン誘導体（ＩＩｂ）を経て、医薬化
合物（Ａ）へと導くことができる。
す。）で表される、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメ
チリデン］ヒドラジン（以下、ヒドラゾン誘導体（Ｉ
ｂ）ともいう）からＷＯ９７／４００２９号に記載の方
法により、ヒドラジン誘導体（ＩＩｂ）を経て、医薬化
合物（Ａ）へと導くことができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、溶液
状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）の製造方法を
提供することである。
状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）の製造方法を
提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究を行った結果、ヒドラゾン誘導体
（Ｉ）を接触還元後、その反応液に含有されている還元
触媒の活性を失活させることにより、有機溶媒の溶液に
して保存してもヒドラゾン誘導体（Ｉ）が生成すること
のない、溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）
が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決すべく鋭意研究を行った結果、ヒドラゾン誘導体
（Ｉ）を接触還元後、その反応液に含有されている還元
触媒の活性を失活させることにより、有機溶媒の溶液に
して保存してもヒドラゾン誘導体（Ｉ）が生成すること
のない、溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）
が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１８】即ち、本発明は、（１）式（Ｉ）
【００１９】
【化１４】
【００２０】で表される構造を有するヒドラゾン誘導体
（Ｉ）を接触還元後、その反応液に含有されている還元
触媒の活性を失活させる工程を含むことを特徴とする、
式（ＩＩ）
（Ｉ）を接触還元後、その反応液に含有されている還元
触媒の活性を失活させる工程を含むことを特徴とする、
式（ＩＩ）
【００２１】
【化１５】
【００２２】で表される構造を有するヒドラジン誘導体
（ＩＩ）の製造方法、（２）式（Ｉ）
（ＩＩ）の製造方法、（２）式（Ｉ）
【００２３】
【化１６】
【００２４】で表される構造を有するヒドラゾン誘導体
（Ｉ）が、式（Ｉａ）
（Ｉ）が、式（Ｉａ）
【００２５】
【化１７】
【００２６】（式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、置
換基を有していてもよいアリール、および置換基を有し
ていてもよい芳香族複素環基を表し、Ｒ’は水素原子、
アシル、アルコキシカルボニル、アルキル、および置換
基を有していてもよいフェニルを表し、Ｒ”はアシル、
アルコキシカルボニル、アルキル、および置換基を有し
ていてもよいフェニルを表す。）で表されるヒドラゾン
誘導体（Ｉａ）であり、式（ＩＩ）
素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、置
換基を有していてもよいアリール、および置換基を有し
ていてもよい芳香族複素環基を表し、Ｒ’は水素原子、
アシル、アルコキシカルボニル、アルキル、および置換
基を有していてもよいフェニルを表し、Ｒ”はアシル、
アルコキシカルボニル、アルキル、および置換基を有し
ていてもよいフェニルを表す。）で表されるヒドラゾン
誘導体（Ｉａ）であり、式（ＩＩ）
【００２７】
【化１８】
【００２８】で表される構造を有するヒドラジン誘導体
（ＩＩ）が、式（ＩＩａ）
（ＩＩ）が、式（ＩＩａ）
【００２９】
【化１９】
【００３０】（式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は前記と同義
である）で表されるヒドラジン誘導体（ＩＩａ）である
上記（１）の製造方法、（３）還元触媒の活性を失活さ
せる工程が触媒毒および／または吸着剤の使用による上
記（１）の製造方法、（４）触媒毒が硫黄系化合物であ
る上記（３）の製造方法、（５）硫黄系化合物がハイド
ロサルファイトナトリウムである上記（４）の製造方
法、（６）吸着剤が活性炭である上記（３）の製造方
法、（７）還元触媒の活性を失活させる工程後、飽和炭
化水素系溶媒を含有する溶媒で再結晶を行う工程を含む
ことを特徴とする上記（１）の製造方法、および（８）
式（ＩＩ）
である）で表されるヒドラジン誘導体（ＩＩａ）である
上記（１）の製造方法、（３）還元触媒の活性を失活さ
せる工程が触媒毒および／または吸着剤の使用による上
記（１）の製造方法、（４）触媒毒が硫黄系化合物であ
る上記（３）の製造方法、（５）硫黄系化合物がハイド
ロサルファイトナトリウムである上記（４）の製造方
法、（６）吸着剤が活性炭である上記（３）の製造方
法、（７）還元触媒の活性を失活させる工程後、飽和炭
化水素系溶媒を含有する溶媒で再結晶を行う工程を含む
ことを特徴とする上記（１）の製造方法、および（８）
式（ＩＩ）
【００３１】
【化２０】
【００３２】で表される構造を有するヒドラジン誘導体
（ＩＩ）が、ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン
−２−イル）ベンジル］カルバゼートである上記（１）
〜（７）のいずれかの製造方法に関する。
（ＩＩ）が、ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン
−２−イル）ベンジル］カルバゼートである上記（１）
〜（７）のいずれかの製造方法に関する。
【００３３】
【発明の実施の形態】まず、本明細書中の用語および置
換基の定義を以下に説明する。一般的な触媒毒とは、触
媒反応において触媒作用を著しく減少させるか、または
全く失わせる物質を指し、本明細書における「触媒毒」
としては、後者のみを指す。
換基の定義を以下に説明する。一般的な触媒毒とは、触
媒反応において触媒作用を著しく減少させるか、または
全く失わせる物質を指し、本明細書における「触媒毒」
としては、後者のみを指す。
【００３４】本明細書における「ハロゲン原子」とは、
特に限定がない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、およびヨウ素原子のことである。
特に限定がない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、およびヨウ素原子のことである。
【００３５】本明細書における「アルキル」とは、特に
限定がない限り、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよ
い炭素数１〜４のアルキルのことであり、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、およびｔｅｒｔ−ブチルが挙げ
られる。
限定がない限り、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよ
い炭素数１〜４のアルキルのことであり、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、およびｔｅｒｔ−ブチルが挙げ
られる。
【００３６】本明細書における「アルコキシ」とは、特
に限定がない限り、直鎖状または分岐鎖状のどちらでも
よい炭素数１〜４のアルコキシのことであり、例えばメ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、およびｔｅｒ
ｔ−ブトキシが挙げられる。
に限定がない限り、直鎖状または分岐鎖状のどちらでも
よい炭素数１〜４のアルコキシのことであり、例えばメ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、およびｔｅｒ
ｔ−ブトキシが挙げられる。
【００３７】本明細書における「アルコキシカルボニ
ル」とは、特に限定がない限り、アルコキシ部が直鎖状
または分岐鎖状のどちらでもよいアルコキシである、炭
素数２〜５のアルコキシカルボニルのことであり、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカ
ルボニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシ
カルボニル、およびｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルが挙
げられる。
ル」とは、特に限定がない限り、アルコキシ部が直鎖状
または分岐鎖状のどちらでもよいアルコキシである、炭
素数２〜５のアルコキシカルボニルのことであり、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカ
ルボニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシ
カルボニル、およびｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルが挙
げられる。
【００３８】Ｒにおける「ハロゲン原子」としては、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子が挙
げられ、好ましくはフッ素原子、塩素原子、および臭素
原子である。
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子が挙
げられ、好ましくはフッ素原子、塩素原子、および臭素
原子である。
【００３９】Ｒにおける「炭素数１〜４のアルキル」と
は、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよい炭素数１〜
４のアルキルのことであり、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−
ブチル、およびｔｅｒｔ−ブチルが挙げられ、好ましく
はｔｅｒｔ−ブチルである。
は、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよい炭素数１〜
４のアルキルのことであり、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−
ブチル、およびｔｅｒｔ−ブチルが挙げられ、好ましく
はｔｅｒｔ−ブチルである。
【００４０】Ｒにおける「炭素数１〜４のアルコキシ」
とは、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよい炭素数１
〜４のアルコキシのことであり、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブ
トキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、およびｔｅｒｔ−ブトキシ
が挙げられ、好ましくはメトキシおよびエトキシであ
る。
とは、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよい炭素数１
〜４のアルコキシのことであり、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブ
トキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、およびｔｅｒｔ−ブトキシ
が挙げられ、好ましくはメトキシおよびエトキシであ
る。
【００４１】Ｒにおける「置換基を有していてもよいア
リール」とは、下記置換基で１〜３個、好ましくは１ま
たは２個置換されていてもよいアリールのことであり、
置換位置は特に限定はなく、アリールとしてはフェニ
ル、およびナフチルが挙げられる。また、置換基として
は本発明の接触還元により還元されることのない置換基
であればよく、例えばアルキル、アルコキシ、ハロゲン
原子、カルボキシ、アルコキシカルボニル、およびシア
ノが挙げられる。該「置換基を有していてもよいアリー
ル」としては、例えばフェニル、２−、３−、または４
−トリル、２−、３−、または４−メトキシフェニル、
２−、３−、または４−フルオロフェニル、２−、３
−、または４−クロロフェニル、２−、３−、または４
−カルボキシフェニル、および２−、３−、または４−
シアノフェニルが挙げられ、好ましくはフェニルであ
る。
リール」とは、下記置換基で１〜３個、好ましくは１ま
たは２個置換されていてもよいアリールのことであり、
置換位置は特に限定はなく、アリールとしてはフェニ
ル、およびナフチルが挙げられる。また、置換基として
は本発明の接触還元により還元されることのない置換基
であればよく、例えばアルキル、アルコキシ、ハロゲン
原子、カルボキシ、アルコキシカルボニル、およびシア
ノが挙げられる。該「置換基を有していてもよいアリー
ル」としては、例えばフェニル、２−、３−、または４
−トリル、２−、３−、または４−メトキシフェニル、
２−、３−、または４−フルオロフェニル、２−、３
−、または４−クロロフェニル、２−、３−、または４
−カルボキシフェニル、および２−、３−、または４−
シアノフェニルが挙げられ、好ましくはフェニルであ
る。
【００４２】Ｒにおける「置換基を有していてもよい芳
香族複素環基」とは、下記置換基で１〜３個、好ましく
は１または２個置換されていてもよい芳香族複素環基の
ことである。該芳香族複素環基とは、Ｎ、Ｏ、およびＳ
からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を
含有する芳香族複素環基のことであり、例えばフリル、
オキサゾリル、イミダゾリル、ピリジル、およびピリミ
ジニルが挙げられる。また、置換基としては本発明の接
触還元により還元されることのない置換基であればよ
く、置換位置は特に限定はなく、例えばアルキル、アル
コキシ、ハロゲン原子、カルボキシ、アルコキシカルボ
ニル、およびシアノが挙げられる。該「置換基を有して
いてもよい芳香族複素環基」としては、例えば２−、３
−、または４−ピリジルが挙げられ、好ましくは２−ピ
リジルである。
香族複素環基」とは、下記置換基で１〜３個、好ましく
は１または２個置換されていてもよい芳香族複素環基の
ことである。該芳香族複素環基とは、Ｎ、Ｏ、およびＳ
からなる群より選ばれる少なくとも１つのヘテロ原子を
含有する芳香族複素環基のことであり、例えばフリル、
オキサゾリル、イミダゾリル、ピリジル、およびピリミ
ジニルが挙げられる。また、置換基としては本発明の接
触還元により還元されることのない置換基であればよ
く、置換位置は特に限定はなく、例えばアルキル、アル
コキシ、ハロゲン原子、カルボキシ、アルコキシカルボ
ニル、およびシアノが挙げられる。該「置換基を有して
いてもよい芳香族複素環基」としては、例えば２−、３
−、または４−ピリジルが挙げられ、好ましくは２−ピ
リジルである。
【００４３】Ｒ’およびＲ”における「アシル」として
は、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、お
よびベンゾイルが挙げられ、好ましくはアセチルおよび
ベンゾイルである。
は、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、お
よびベンゾイルが挙げられ、好ましくはアセチルおよび
ベンゾイルである。
【００４４】Ｒ’およびＲ”における「アルコキシカル
ボニル」とは、炭素数２〜５のアルコキシカルボニルの
ことであり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニルが挙げられ、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニルである。
ボニル」とは、炭素数２〜５のアルコキシカルボニルの
ことであり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニルが挙げられ、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニルである。
【００４５】Ｒ’およびＲ”における「アルキル」と
は、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよい炭素数１〜
８個、好ましくは１〜４個のアルキルのことであり、例
えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、
ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペ
ンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、およびオ
クチルが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、および
プロピルである。
は、直鎖状または分岐鎖状のどちらでもよい炭素数１〜
８個、好ましくは１〜４個のアルキルのことであり、例
えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、
ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペ
ンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、およびオ
クチルが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、および
プロピルである。
【００４６】Ｒ’およびＲ”における「置換基を有して
いてもよいフェニル」とは、下記置換基で１〜３個、好
ましくは１または２個置換されていてもよいフェニルの
ことであり、置換位置は特に限定はなく、置換基として
は本発明の接触還元により還元されることのない置換基
であればよく、例えばアルキル、アルコキシ、ハロゲン
原子、カルボキシ、およびアルコキシカルボニルが挙げ
られる。該「置換基を有していてもよいフェニル」とし
ては、フェニル、２−、３−、または４−トリル、２
−、３−、または４−アルコキシフェニル、２−、３
−、または４−ハロフェニル、および２−、３−、また
は４−カルボキシフェニルが挙げられ、好ましくはフェ
ニルである。
いてもよいフェニル」とは、下記置換基で１〜３個、好
ましくは１または２個置換されていてもよいフェニルの
ことであり、置換位置は特に限定はなく、置換基として
は本発明の接触還元により還元されることのない置換基
であればよく、例えばアルキル、アルコキシ、ハロゲン
原子、カルボキシ、およびアルコキシカルボニルが挙げ
られる。該「置換基を有していてもよいフェニル」とし
ては、フェニル、２−、３−、または４−トリル、２
−、３−、または４−アルコキシフェニル、２−、３
−、または４−ハロフェニル、および２−、３−、また
は４−カルボキシフェニルが挙げられ、好ましくはフェ
ニルである。
【００４７】次に、本発明について以下に詳細に説明す
る。本発明の方法においてヒドラゾン誘導体（Ｉ）を接
触還元する工程は、公知の方法に従って行うことができ
る。例えば、ヒドラゾン誘導体（Ｉ）を適当な反応溶媒
中、触媒の存在下、水素雰囲気下で接触還元する。接触
還元後、反応液から触媒を濾去し、得られた濾液から溶
媒を濃縮留去および／または結晶化することにより、ヒ
ドラジン誘導体（ＩＩ）を得ることができる。本発明の
方法においては、接触還元後、その反応液に含有されて
いる還元触媒の活性を失活させる工程を導入することに
より、溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）が
得られる。
る。本発明の方法においてヒドラゾン誘導体（Ｉ）を接
触還元する工程は、公知の方法に従って行うことができ
る。例えば、ヒドラゾン誘導体（Ｉ）を適当な反応溶媒
中、触媒の存在下、水素雰囲気下で接触還元する。接触
還元後、反応液から触媒を濾去し、得られた濾液から溶
媒を濃縮留去および／または結晶化することにより、ヒ
ドラジン誘導体（ＩＩ）を得ることができる。本発明の
方法においては、接触還元後、その反応液に含有されて
いる還元触媒の活性を失活させる工程を導入することに
より、溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）が
得られる。
【００４８】本発明におけるヒドラゾン誘導体（Ｉ）と
しては、例えば、式（Ｉａ）
しては、例えば、式（Ｉａ）
【００４９】
【化２１】
【００５０】（式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、置
換基を有していてもよいアリール、および置換基を有し
ていてもよい芳香族複素環基を表し、Ｒ’は水素原子、
アシル、アルコキシカルボニル、アルキル、および置換
基を有していてもよいフェニルを表し、Ｒ”はアシル、
アルコキシカルボニル、アルキル、および置換基を有し
ていてもよいフェニルを表す。）で表されるヒドラゾン
誘導体（Ｉａ）が挙げられる。ヒドラゾン誘導体（Ｉ
ａ）としては、例えばＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニル
メチリデン］ヒドラジンが挙げられる。
素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、置
換基を有していてもよいアリール、および置換基を有し
ていてもよい芳香族複素環基を表し、Ｒ’は水素原子、
アシル、アルコキシカルボニル、アルキル、および置換
基を有していてもよいフェニルを表し、Ｒ”はアシル、
アルコキシカルボニル、アルキル、および置換基を有し
ていてもよいフェニルを表す。）で表されるヒドラゾン
誘導体（Ｉａ）が挙げられる。ヒドラゾン誘導体（Ｉ
ａ）としては、例えばＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニル
メチリデン］ヒドラジンが挙げられる。
【００５１】本発明におけるヒドラジン誘導体（ＩＩ）
としては、例えば、式（ＩＩａ）
としては、例えば、式（ＩＩａ）
【００５２】
【化２２】
【００５３】（式中、Ｒ、Ｒ’、およびＲ”は前記と同
義である）で表されるヒドラジン誘導体（ＩＩａ）が挙
げられる。ヒドラゾン誘導体（ＩＩａ）としては、例え
ばｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン−２−イ
ル）ベンジル］カルバゼートが挙げられる。
義である）で表されるヒドラジン誘導体（ＩＩａ）が挙
げられる。ヒドラゾン誘導体（ＩＩａ）としては、例え
ばｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン−２−イ
ル）ベンジル］カルバゼートが挙げられる。
【００５４】接触還元で使用する触媒としては、通常こ
の分野で使用されるものであれば特に限定はなく、例え
ばパラジウム炭素、パラジウム黒等のパラジウム系触
媒、白金炭素、白金黒等の白金系触媒、ロジウム系触
媒、ルテニウム系触媒、およびラネーニッケル等のニッ
ケル系触媒が挙げられ、好ましくはパラジウム炭素が挙
げられる。
の分野で使用されるものであれば特に限定はなく、例え
ばパラジウム炭素、パラジウム黒等のパラジウム系触
媒、白金炭素、白金黒等の白金系触媒、ロジウム系触
媒、ルテニウム系触媒、およびラネーニッケル等のニッ
ケル系触媒が挙げられ、好ましくはパラジウム炭素が挙
げられる。
【００５５】該触媒の使用量は、ヒドラゾン誘導体
（Ｉ）１重量部に対して１重量％〜１０重量％、好まし
くは３重量％〜６重量％である。
（Ｉ）１重量部に対して１重量％〜１０重量％、好まし
くは３重量％〜６重量％である。
【００５６】接触還元に使用する反応溶媒としては、通
常この分野で使用されるものであれば特に限定はなく、
例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のア
ルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、ト
ルエン、およびベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒が挙
げられ、好ましくはアルコール系溶媒、特に好ましくは
イソプロピルアルコールが挙げられる。
常この分野で使用されるものであれば特に限定はなく、
例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のア
ルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、ト
ルエン、およびベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒が挙
げられ、好ましくはアルコール系溶媒、特に好ましくは
イソプロピルアルコールが挙げられる。
【００５７】該反応溶媒の使用量は、ヒドラゾン誘導体
（Ｉ）１重量部に対して２重量部〜１０重量部、好まし
くは３重量部〜６重量部である。
（Ｉ）１重量部に対して２重量部〜１０重量部、好まし
くは３重量部〜６重量部である。
【００５８】接触還元は１０〜７０℃、好ましくは４０
〜５０℃の温度範囲で行う。
〜５０℃の温度範囲で行う。
【００５９】接触還元は常圧から５気圧、好ましくは常
圧から２気圧下で行う。
圧から２気圧下で行う。
【００６０】接触還元の終了は、例えばＨＰＬＣを用い
て、原料であるヒドラゾン誘導体（Ｉ）のピークの消失
を確認することにより決定できる。
て、原料であるヒドラゾン誘導体（Ｉ）のピークの消失
を確認することにより決定できる。
【００６１】溶液状態でも安定なヒドラジン誘導体（Ｉ
Ｉ）を得るためには、接触還元の終了を確認後、接触還
元後の反応液に含有されている還元触媒の活性を失活さ
せる工程を行えばよい。還元触媒の活性を失活させる工
程としては、好ましくは触媒毒および／または吸着剤の
使用であり、失活作用の増強の面から触媒毒と吸着剤の
併用がより好ましい。
Ｉ）を得るためには、接触還元の終了を確認後、接触還
元後の反応液に含有されている還元触媒の活性を失活さ
せる工程を行えばよい。還元触媒の活性を失活させる工
程としては、好ましくは触媒毒および／または吸着剤の
使用であり、失活作用の増強の面から触媒毒と吸着剤の
併用がより好ましい。
【００６２】本発明で使用する触媒毒としては、一般的
に公知の触媒毒であれば特に限定はなく、例えばＶａ属
（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ）およびＶＩａ属（Ｓ，Ｓｅ，
Ｔｅ）の単体、並びにそれらの誘導体が挙げられ、取扱
が容易であるという点から硫黄系化合物が好ましい。
に公知の触媒毒であれば特に限定はなく、例えばＶａ属
（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ）およびＶＩａ属（Ｓ，Ｓｅ，
Ｔｅ）の単体、並びにそれらの誘導体が挙げられ、取扱
が容易であるという点から硫黄系化合物が好ましい。
【００６３】本発明で使用する硫黄系化合物としては、
例えば硫黄単体、二硫化炭素、−ＳＨ基を含有する誘導
体、潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体、およびＳ−Ｓ
結合を含有する誘導体が挙げられ、好ましくは潜在的に
−ＳＨ基を含有する誘導体が挙げられる。
例えば硫黄単体、二硫化炭素、−ＳＨ基を含有する誘導
体、潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体、およびＳ−Ｓ
結合を含有する誘導体が挙げられ、好ましくは潜在的に
−ＳＨ基を含有する誘導体が挙げられる。
【００６４】「−ＳＨ基を含有する誘導体」とは、−Ｓ
Ｈ基を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、例え
ば硫化水素、ＮａＳＨ、ＮＨ4 ＳＨ、ＫＳＨ等のチオー
ルの塩、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチ
オール等のアルカンチオール、ベンゼンチオール等のア
レーンチオール、およびメタンジチオール、エタンジチ
オール等の−ＳＨ基を２つ以上含有する誘導体が挙げら
れる。
Ｈ基を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、例え
ば硫化水素、ＮａＳＨ、ＮＨ4 ＳＨ、ＫＳＨ等のチオー
ルの塩、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチ
オール等のアルカンチオール、ベンゼンチオール等のア
レーンチオール、およびメタンジチオール、エタンジチ
オール等の−ＳＨ基を２つ以上含有する誘導体が挙げら
れる。
【００６５】「潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体」と
は、もとは−ＳＨ基を含有しておらず、中和または対イ
オンを水素原子に置き換えることにより−ＳＨ基を含有
するような誘導体のことであり、例えば−ＳＮａ基は中
和によりＳＨ基となるため、−ＳＮａ基を有する誘導体
は潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体といえる。具体的
には、硫化ソーダ、硫化アンモニウム、およびハイドロ
サルファイトナトリウムが挙げられ、好ましくはハイド
ロサルファイトナトリウムが挙げられる。
は、もとは−ＳＨ基を含有しておらず、中和または対イ
オンを水素原子に置き換えることにより−ＳＨ基を含有
するような誘導体のことであり、例えば−ＳＮａ基は中
和によりＳＨ基となるため、−ＳＮａ基を有する誘導体
は潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体といえる。具体的
には、硫化ソーダ、硫化アンモニウム、およびハイドロ
サルファイトナトリウムが挙げられ、好ましくはハイド
ロサルファイトナトリウムが挙げられる。
【００６６】「Ｓ−Ｓ結合を含有する誘導体」とは、Ｓ
−Ｓ結合を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、
例えばジメチルジスルフィド、ジフェニルジスルフィド
等の有機ジスルフィド誘導体、Ｓ−Ｓ結合を連続して３
つ以上含有する有機ポリスルフィド誘導体、およびポリ
硫化アンモニウム等の無機ポリスルフィド誘導体が挙げ
られる。
−Ｓ結合を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、
例えばジメチルジスルフィド、ジフェニルジスルフィド
等の有機ジスルフィド誘導体、Ｓ−Ｓ結合を連続して３
つ以上含有する有機ポリスルフィド誘導体、およびポリ
硫化アンモニウム等の無機ポリスルフィド誘導体が挙げ
られる。
【００６７】該触媒毒の使用量は、触媒毒の種類並びに
触媒の種類および使用量に依存し、使用した触媒活性が
失活するまで触媒毒を添加すればよい。例えば、還元触
媒としてパラジウム炭素をヒドラゾン誘導体（Ｉ）１重
量部に対して５重量％使用し、触媒毒としてハイドロサ
ルファイトナトリウムを使用した場合、触媒毒はヒドラ
ゾン誘導体（Ｉ）１重量部に対して１〜１０重量％、好
ましくは３〜６重量％使用すればよい。
触媒の種類および使用量に依存し、使用した触媒活性が
失活するまで触媒毒を添加すればよい。例えば、還元触
媒としてパラジウム炭素をヒドラゾン誘導体（Ｉ）１重
量部に対して５重量％使用し、触媒毒としてハイドロサ
ルファイトナトリウムを使用した場合、触媒毒はヒドラ
ゾン誘導体（Ｉ）１重量部に対して１〜１０重量％、好
ましくは３〜６重量％使用すればよい。
【００６８】本発明で使用する吸着剤としては、使用し
た還元触媒を吸着するものであれば特に限定はなく、た
とえば活性炭、シリカゲル、アルミナゲルなどが挙げら
れ、好ましくは活性炭が挙げられる。
た還元触媒を吸着するものであれば特に限定はなく、た
とえば活性炭、シリカゲル、アルミナゲルなどが挙げら
れ、好ましくは活性炭が挙げられる。
【００６９】該吸着剤の使用量は、ヒドラゾン誘導体
（Ｉ）１重量部に対して、１〜１０重量％、好ましくは
３〜６重量％である。
（Ｉ）１重量部に対して、１〜１０重量％、好ましくは
３〜６重量％である。
【００７０】触媒毒および／または吸着剤の反応液への
添加は、反応が終了後触媒を除去する前、または触媒を
除去した後のどちらでもよく、触媒を除去した後が好ま
しい。反応液または濾液に触媒毒および／または吸着剤
を添加後、よく攪拌し、触媒活性を失活させる。その
後、触媒、触媒毒、および吸着剤のうち反応液に含まれ
ているものを濾去し、濾液を精製することにより、高純
度のヒドラジン誘導体（ＩＩ）を得ることができる。触
媒活性を失活する工程における温度は１０〜６０℃、好
ましくは２０〜４０℃であり、失活に要する時間は１０
分〜６０分である。
添加は、反応が終了後触媒を除去する前、または触媒を
除去した後のどちらでもよく、触媒を除去した後が好ま
しい。反応液または濾液に触媒毒および／または吸着剤
を添加後、よく攪拌し、触媒活性を失活させる。その
後、触媒、触媒毒、および吸着剤のうち反応液に含まれ
ているものを濾去し、濾液を精製することにより、高純
度のヒドラジン誘導体（ＩＩ）を得ることができる。触
媒活性を失活する工程における温度は１０〜６０℃、好
ましくは２０〜４０℃であり、失活に要する時間は１０
分〜６０分である。
【００７１】上記の様にして得られたヒドラジン誘導体
（ＩＩ）は、通常の方法、例えば再結晶、カラムクロマ
トグラフィーなどにより精製することができ、経済性の
点から再結晶により精製することが好ましい。
（ＩＩ）は、通常の方法、例えば再結晶、カラムクロマ
トグラフィーなどにより精製することができ、経済性の
点から再結晶により精製することが好ましい。
【００７２】本発明における再結晶溶媒としては、飽和
炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、芳香族炭化水素系
溶媒、エーテル系溶媒、およびエステル系溶媒が挙げら
れる。再結晶溶媒として同系溶媒を１種またはそれ以上
使用してもよく、また異系溶媒同士を併用してもよい。
炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、芳香族炭化水素系
溶媒、エーテル系溶媒、およびエステル系溶媒が挙げら
れる。再結晶溶媒として同系溶媒を１種またはそれ以上
使用してもよく、また異系溶媒同士を併用してもよい。
【００７３】本発明における再結晶溶媒としては、飽和
炭化水素系溶媒を含有する溶媒が好ましい。再結晶溶媒
に含有されている飽和炭化水素系溶媒の含有量は、再結
晶溶媒に含有されている、飽和炭化水素系溶媒および飽
和炭化水素系溶媒以外の溶媒の種類に依存する。例え
ば、飽和炭化水素系溶媒としてヘプタン、飽和炭化水素
系溶媒以外の溶媒としてイソプロピルアルコールを含有
する「飽和炭化水素系溶媒を含有する溶媒」とは、ヘプ
タン１００重量部に対して、イソプロピルアルコールを
５〜２０重量部含有する混合溶媒のことである。
炭化水素系溶媒を含有する溶媒が好ましい。再結晶溶媒
に含有されている飽和炭化水素系溶媒の含有量は、再結
晶溶媒に含有されている、飽和炭化水素系溶媒および飽
和炭化水素系溶媒以外の溶媒の種類に依存する。例え
ば、飽和炭化水素系溶媒としてヘプタン、飽和炭化水素
系溶媒以外の溶媒としてイソプロピルアルコールを含有
する「飽和炭化水素系溶媒を含有する溶媒」とは、ヘプ
タン１００重量部に対して、イソプロピルアルコールを
５〜２０重量部含有する混合溶媒のことである。
【００７４】飽和炭化水素系溶媒としては、例えばペン
タン、ヘキサン、ヘプタンなどが挙げられ、比較的蒸気
圧が低く取扱い易いという点から、ヘプタンが好まし
い。これらの飽和炭化水素系溶媒を再結晶溶媒として、
１種または２種以上使用してもよい。
タン、ヘキサン、ヘプタンなどが挙げられ、比較的蒸気
圧が低く取扱い易いという点から、ヘプタンが好まし
い。これらの飽和炭化水素系溶媒を再結晶溶媒として、
１種または２種以上使用してもよい。
【００７５】アルコール系溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノー
ル、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールなどが挙げられる。こ
れらのアルコール系溶媒を再結晶溶媒として、１種また
は２種以上使用してもよい。
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノー
ル、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールなどが挙げられる。こ
れらのアルコール系溶媒を再結晶溶媒として、１種また
は２種以上使用してもよい。
【００７６】芳香族炭化水素系溶媒としては、例えばト
ルエン、ベンゼンなどが挙げられる。これらの芳香族炭
化水素系溶媒を再結晶溶媒として、１種または２種以上
使用してもよい。
ルエン、ベンゼンなどが挙げられる。これらの芳香族炭
化水素系溶媒を再結晶溶媒として、１種または２種以上
使用してもよい。
【００７７】エーテル系溶媒としては、例えばテトラヒ
ドロフラン、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエ
タンなどが挙げられる。これらのエーテル系溶媒を再結
晶溶媒として、１種または２種以上使用してもよい。
ドロフラン、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエ
タンなどが挙げられる。これらのエーテル系溶媒を再結
晶溶媒として、１種または２種以上使用してもよい。
【００７８】エステル系溶媒としては、例えば酢酸エチ
ル、酢酸メチル、酢酸ブチルなどが挙げられる。これら
のエステル系溶媒を再結晶溶媒として、１種または２種
以上使用してもよい。
ル、酢酸メチル、酢酸ブチルなどが挙げられる。これら
のエステル系溶媒を再結晶溶媒として、１種または２種
以上使用してもよい。
【００７９】再結晶溶媒の使用量は、ヒドラジン誘導体
（ＩＩ）１重量部に対して１〜１０重量部、好ましくは
２〜５重量部である。
（ＩＩ）１重量部に対して１〜１０重量部、好ましくは
２〜５重量部である。
【００８０】原料であるヒドラゾン誘導体（Ｉ）は公知
化合物であり、例えばヒドラジン化合物（−ＨＮ−ＮＨ
2 ）とアルデヒド化合物（−ＣＨＯ）との反応により得
られる。具体的には、４−（ピリジン−２−イル）ベン
ズアルデヒド（ＩＩＩ）とｔｅｒｔ−ブチルカルバゼー
ト（ＩＶ）とを反応させることにより、ヒドラゾン誘導
体（Ｉｂ）を得ることができる（ＷＯ９７／４００２９
号）。
化合物であり、例えばヒドラジン化合物（−ＨＮ−ＮＨ
2 ）とアルデヒド化合物（−ＣＨＯ）との反応により得
られる。具体的には、４−（ピリジン−２−イル）ベン
ズアルデヒド（ＩＩＩ）とｔｅｒｔ−ブチルカルバゼー
ト（ＩＶ）とを反応させることにより、ヒドラゾン誘導
体（Ｉｂ）を得ることができる（ＷＯ９７／４００２９
号）。
【００８１】
【化２３】
【００８２】（式中、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチルであ
る）
る）
【００８３】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はかかる実施例にのみ限定されるものではない。 参考例１ ３００ｍｌ容の４つ口フラスコにＮ−（ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イ
ル）フェニルメチリデン］ヒドラジン（２０ｇ，６７．
３ｍｍｏｌ）、イソプロピルアルコール（８０ｍｌ）、
およびパラジウム炭素（１ｇ）を仕込み、大気圧下、５
０℃で水素を添加した。同条件下で８時間水素を添加し
続けた後、反応液を濾過して触媒を除去した。得られた
濾液中のイソプロピルアルコールの９割を濃縮留去した
後、同容量のヘプタンを加えた。攪拌しながら冷却する
と４０℃付近で結晶が析出した。さらに攪拌しながら５
℃まで冷却した後、得られた結晶を濾取し乾燥させる
と、ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン−２−イ
ル）ベンジル］カルバゼートの白色結晶１６．９１ｇを
得た。収率は、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）
−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメチリ
デン］ヒドラジンに対して８４．０％であった。
発明はかかる実施例にのみ限定されるものではない。 参考例１ ３００ｍｌ容の４つ口フラスコにＮ−（ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イ
ル）フェニルメチリデン］ヒドラジン（２０ｇ，６７．
３ｍｍｏｌ）、イソプロピルアルコール（８０ｍｌ）、
およびパラジウム炭素（１ｇ）を仕込み、大気圧下、５
０℃で水素を添加した。同条件下で８時間水素を添加し
続けた後、反応液を濾過して触媒を除去した。得られた
濾液中のイソプロピルアルコールの９割を濃縮留去した
後、同容量のヘプタンを加えた。攪拌しながら冷却する
と４０℃付近で結晶が析出した。さらに攪拌しながら５
℃まで冷却した後、得られた結晶を濾取し乾燥させる
と、ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン−２−イ
ル）ベンジル］カルバゼートの白色結晶１６．９１ｇを
得た。収率は、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）
−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメチリ
デン］ヒドラジンに対して８４．０％であった。
【００８４】次に、得られたｔｅｒｔ−ブチル ３−
［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート
（２０ｍｇ）をイソプロピルアルコールに溶解して２０
ｍｌにしてＨＰＬＣ分析を行ったところ、面積百分率は
９９．５６％であり、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニル
メチリデン］ヒドラジンのピークは検出されなかった。
この溶液を２２時間、室温で放置後ＨＰＬＣ分析を再度
行ったところ、面積百分率は９９．４９％であり、Ｎ−
（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピ
リジン−２−イル）フェニルメチリデン］ヒドラジンが
０．０６％生成していた。
［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート
（２０ｍｇ）をイソプロピルアルコールに溶解して２０
ｍｌにしてＨＰＬＣ分析を行ったところ、面積百分率は
９９．５６％であり、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニル
メチリデン］ヒドラジンのピークは検出されなかった。
この溶液を２２時間、室温で放置後ＨＰＬＣ分析を再度
行ったところ、面積百分率は９９．４９％であり、Ｎ−
（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピ
リジン−２−イル）フェニルメチリデン］ヒドラジンが
０．０６％生成していた。
【００８５】参考例２ 参考例１で得られたｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピ
リジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート（２０ｍ
ｇ）にイソプロピルアルコールを加えて２０ｍｌとし、
これにパラジウム炭素（２ｍｇ）を添加したものを調製
した。この溶液を２２時間室温で放置後、ＨＰＬＣ分析
を行ったところ、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメ
チリデン］ヒドラジンが１．２％生成していた。
リジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート（２０ｍ
ｇ）にイソプロピルアルコールを加えて２０ｍｌとし、
これにパラジウム炭素（２ｍｇ）を添加したものを調製
した。この溶液を２２時間室温で放置後、ＨＰＬＣ分析
を行ったところ、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメ
チリデン］ヒドラジンが１．２％生成していた。
【００８６】実施例１ ３００ｍｌ容の４つ口フラスコにＮ−（ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イ
ル）フェニルメチリデン］ヒドラジン（２０ｇ，６７．
３ｍｍｏｌ）、イソプロピルアルコール（８０ｍｌ）、
およびパラジウム炭素（１ｇ）を仕込み、大気圧下、５
０℃で水素を添加した。同条件下で８時間水素を添加し
続けた後、反応液を濾過して触媒を除去した。次に、得
られた濾液にハイドロサルファイトナトリウム（１ｇ）
および活性炭（１ｇ）を添加し、２０〜３０℃で３０分
間攪拌した後、濾過してハイドロサルファイトナトリウ
ムおよび活性炭を除去した。得られた濾液中のイソプロ
ピルアルコールの９割を濃縮留去した後、同容量のヘプ
タンを加えた。攪拌しながら冷却すると４０℃付近で結
晶が析出した。さらに攪拌しながら５℃まで冷却した
後、得られた結晶を濾取し、乾燥させるとｔｅｒｔ−ブ
チル ３−［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カ
ルバゼートの白色結晶１６．８４ｇを得た。収率は、Ｎ
−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−
（ピリジン−２−イル）フェニルメチリデン］ヒドラジ
ンに対して８３．６％であった。
キシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イ
ル）フェニルメチリデン］ヒドラジン（２０ｇ，６７．
３ｍｍｏｌ）、イソプロピルアルコール（８０ｍｌ）、
およびパラジウム炭素（１ｇ）を仕込み、大気圧下、５
０℃で水素を添加した。同条件下で８時間水素を添加し
続けた後、反応液を濾過して触媒を除去した。次に、得
られた濾液にハイドロサルファイトナトリウム（１ｇ）
および活性炭（１ｇ）を添加し、２０〜３０℃で３０分
間攪拌した後、濾過してハイドロサルファイトナトリウ
ムおよび活性炭を除去した。得られた濾液中のイソプロ
ピルアルコールの９割を濃縮留去した後、同容量のヘプ
タンを加えた。攪拌しながら冷却すると４０℃付近で結
晶が析出した。さらに攪拌しながら５℃まで冷却した
後、得られた結晶を濾取し、乾燥させるとｔｅｒｔ−ブ
チル ３−［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カ
ルバゼートの白色結晶１６．８４ｇを得た。収率は、Ｎ
−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−
（ピリジン−２−イル）フェニルメチリデン］ヒドラジ
ンに対して８３．６％であった。
【００８７】次に、得られたｔｅｒｔ−ブチル ３−
［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート
（２０ｍｇ）をイソプロピルアルコールに溶解して２０
ｍｌにしてＨＰＬＣ分析を行ったところ面積百分率は９
９．６４％であり、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメ
チリデン］ヒドラジンのピークは検出されなかった。こ
の溶液を２６時間、室温で放置後、ＨＰＬＣ分析を再度
行ったところ、面積百分率は９９．６５％であり、Ｎ−
（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピ
リジン−２−イル）フェニルメチリデン］ヒドラジンの
ピークは検出されなかった。
［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カルバゼート
（２０ｍｇ）をイソプロピルアルコールに溶解して２０
ｍｌにしてＨＰＬＣ分析を行ったところ面積百分率は９
９．６４％であり、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）フェニルメ
チリデン］ヒドラジンのピークは検出されなかった。こ
の溶液を２６時間、室温で放置後、ＨＰＬＣ分析を再度
行ったところ、面積百分率は９９．６５％であり、Ｎ−
（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−（ピ
リジン−２−イル）フェニルメチリデン］ヒドラジンの
ピークは検出されなかった。
【００８８】公知方法により得られたヒドラジン誘導体
（ＩＩｂ）をイソプロピルアルコール溶液とし、室温で
２２時間放置した場合、元のヒドラゾン誘導体（Ｉｂ）
が存在した。これに比べて本発明の製造方法により得ら
れたヒドラジン誘導体（ＩＩｂ）は、同条件下でさらに
４時間延長して放置しても元のヒドラゾン誘導体（Ｉ
ｂ）には全く戻らず、ヒドラジン誘導体（ＩＩｂ）は高
純度のままであった。
（ＩＩｂ）をイソプロピルアルコール溶液とし、室温で
２２時間放置した場合、元のヒドラゾン誘導体（Ｉｂ）
が存在した。これに比べて本発明の製造方法により得ら
れたヒドラジン誘導体（ＩＩｂ）は、同条件下でさらに
４時間延長して放置しても元のヒドラゾン誘導体（Ｉ
ｂ）には全く戻らず、ヒドラジン誘導体（ＩＩｂ）は高
純度のままであった。
【００８９】
【発明の効果】本発明の製造方法により、溶液状態でも
安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）を製造することができ
る。また、本発明の製造方法は工業的にも優れた方法で
ある。
安定なヒドラジン誘導体（ＩＩ）を製造することができ
る。また、本発明の製造方法は工業的にも優れた方法で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 新宅 哲也 大阪市西淀川区歌島３丁目１番21号 住化 ファインケム株式会社総合研究所内 (72)発明者 板谷 信重 大阪市西淀川区歌島３丁目１番21号 住化 ファインケム株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4C055 AA01 BA02 BA27 BA30 BB17 CA01 DA01 FA15 4H006 AA02 AC11 BA21 BA23 BA24 BA25 BA26 BA55 BA70 BB11 BB14 BB15 BB25 BE20 4H039 CA71 CB30
Claims (8)
- 【請求項１】 式（Ｉ） 【化１】 で表される構造を有するヒドラゾン誘導体（Ｉ）を接触
還元後、その反応液に含有されている還元触媒の活性を
失活させる工程を含むことを特徴とする、式（ＩＩ） 【化２】 で表される構造を有するヒドラジン誘導体（ＩＩ）の製
造方法。 - 【請求項２】 式（Ｉ） 【化３】 で表される構造を有するヒドラゾン誘導体（Ｉ）が、式
（Ｉａ） 【化４】 （式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４の
アルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、置換基を有して
いてもよいアリール、および置換基を有していてもよい
芳香族複素環基を表し、Ｒ’は水素原子、アシル、アル
コキシカルボニル、アルキル、および置換基を有してい
てもよいフェニルを表し、Ｒ”はアシル、アルコキシカ
ルボニル、アルキル、および置換基を有していてもよい
フェニルを表す。）で表されるヒドラゾン誘導体（Ｉ
ａ）であり、式（ＩＩ） 【化５】 で表される構造を有するヒドラジン誘導体（ＩＩ）が、
式（ＩＩａ） 【化６】 （式中、Ｒ、Ｒ’およびＲ”は前記と同義である）で表
されるヒドラジン誘導体（ＩＩａ）である請求項１記載
の製造方法。 - 【請求項３】 還元触媒の活性を失活させる工程が触媒
毒および／または吸着剤の使用による請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項４】 触媒毒が硫黄系化合物である請求項３記
載の製造方法。 - 【請求項５】 硫黄系化合物がハイドロサルファイトナ
トリウムである請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】 吸着剤が活性炭である請求項３記載の製
造方法。 - 【請求項７】 還元触媒の活性を失活させる工程後、飽
和炭化水素系溶媒を含有する溶媒で再結晶を行う工程を
含むことを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項８】 式（ＩＩ） 【化７】 で表される構造を有するヒドラジン誘導体（ＩＩ）が、
ｔｅｒｔ−ブチル ３−［４−（ピリジン−２−イル）
ベンジル］カルバゼートである請求項１〜７のいずれか
に記載の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03528299A JP4222671B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ヒドラジン誘導体の製造方法 |
| US09/521,058 US6376678B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-03-08 | Production method of hydrazine derivative |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03528299A JP4222671B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ヒドラジン誘導体の製造方法 |
| US09/521,058 US6376678B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-03-08 | Production method of hydrazine derivative |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000229925A true JP2000229925A (ja) | 2000-08-22 |
| JP2000229925A5 JP2000229925A5 (ja) | 2005-10-27 |
| JP4222671B2 JP4222671B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=26374238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03528299A Expired - Fee Related JP4222671B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ヒドラジン誘導体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6376678B1 (ja) |
| JP (1) | JP4222671B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001066541A1 (fr) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Procede de preparation de derives d'hydrazine |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0930992A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-04 | Basf Ag | アルケンの製造方法 |
| WO1997040029A1 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-30 | Novartis Ag | Antivirally active heterocyclic azahexane derivatives |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB924600A (en) * | 1960-06-09 | 1963-04-24 | Smith & Nephew | Substituted benzyl hydrazines and semicarbazides and processes for making them |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP03528299A patent/JP4222671B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-08 US US09/521,058 patent/US6376678B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0930992A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-04 | Basf Ag | アルケンの製造方法 |
| WO1997040029A1 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-30 | Novartis Ag | Antivirally active heterocyclic azahexane derivatives |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF MEDICINAL CHEMISTRY, vol. 41, no. 18, JPN6008033255, 1998, pages 3387 - 3401, ISSN: 0001170200 * |
| 化学大辞典編集委員会編, 化学大辞典２, vol. 縮刷版第32刷, JPN6008033259, 15 August 1989 (1989-08-15), pages 437 - 438, ISSN: 0001079886 * |
| 社団法人 日本化学会編, 新実験化学講座 15 酸化と還元 II, JPN6008033262, 20 February 1977 (1977-02-20), pages 409 - 412, ISSN: 0001079885 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001066541A1 (fr) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Procede de preparation de derives d'hydrazine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6376678B1 (en) | 2002-04-23 |
| JP4222671B2 (ja) | 2009-02-12 |
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