JP2000228403A - アルミ配線の形成方法 - Google Patents
アルミ配線の形成方法Info
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- JP2000228403A JP2000228403A JP11028498A JP2849899A JP2000228403A JP 2000228403 A JP2000228403 A JP 2000228403A JP 11028498 A JP11028498 A JP 11028498A JP 2849899 A JP2849899 A JP 2849899A JP 2000228403 A JP2000228403 A JP 2000228403A
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Abstract
ールを低減できるアルミ配線の形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板1の一主表面に絶縁層2を形
成する工程と、絶縁層2上にスパッタリングによりシリ
コンを含むアルミ配線3を形成する工程と、絶縁層2及
びアルミ配線3の上にパッシベーション膜4を形成する
工程とを有するアルミ配線の形成方法において、アルミ
配線3形成のためのスパッタリング以降の工程の熱履歴
を380℃から400℃になるようにした。
Description
ルミ配線を形成するアルミ配線の形成方法に関するもの
である。
示すように、単結晶シリコン基板等の半導体基板1の一
主表面上に、熱酸化膜等の絶縁膜2を形成し、マスクを
用いてエッチングすることにより開口部21を形成する
(図4(a))。次に、絶縁膜2上にアルミ−シリコン
合金あるいはアルミ−シリコン−銅合金からなるアルミ
配線層3をスパッタリングにより形成する。その後、4
40℃の環境下でアルミシンターを行うことにより、ア
ルミを結晶化させ、さらに、配線用マスクを用いて配線
パターン形成を行う(図4(b))。次に、415℃の
環境下で常圧CVDによりパッシベーション膜4を堆積
し、パッド用マスクを用いてパッド開口を行う(図4
(c))。このようにして形成されたアルミ配線は、ア
ルミ配線層3に、数%のシリコンが含まれているので、
シリコンを含まずアルミのみの配線の場合に発生したア
ルミスパイク31(図6に示す)の発生を抑えることが
できるという利点があった。
実装形態がワイヤボンディング実装からベアチップ実装
へと変化してきたことにより、アルミ配線3の表面状態
が注目されるようになってきている。そこで、上述のよ
うなアルミ配線の形成方法では、図5に示すように、ア
ルミ配線3のパッド表面32でのシリコンノジュール
(シリコン粒)33が析出される。つまり、図4(b)
に示したアルミシンターの工程でシリコンノジュール3
3が析出され、図4(c)に示した常圧CVDの工程で
シリコンノジュール33が増加するとともに成長するの
である。このシリコンノジュールの析出がアルミ配線3
の表面状態を悪くさせるという点で問題となっている。
本発明は、上記の点に鑑みてなしたものであり、その目
的とするところは、アルミ配線表面に析出されるシリコ
ンノジュールを低減できるアルミ配線の形成方法を提供
することにある。
半導体基板の一主表面に絶縁層を形成する工程と、該絶
縁層上にスパッタリングによりシリコンを含むアルミ配
線を形成する工程と、前記絶縁層及びアルミ配線の上に
パッシベーション膜を形成する工程とを有するアルミ配
線の形成方法において、前記アルミ配線形成のためのス
パッタリング以降の工程の熱履歴を380℃から400
℃になるようにしたことを特徴とするものである。請求
項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記
アルミ配線を形成する工程の次に、前記アルミ配線の表
面にシリコンを含まないアルミ配線を形成する工程を付
加したことを特徴とするものである。
を図面に基づき説明する。図1は本発明の一実施形態に
係るアルミ配線の形成方法を示す工程図である。本実施
形態では、まず、単結晶シリコン基板等の半導体基板1
の一主表面上に、熱酸化膜等の絶縁膜2を形成し、マス
クを用いてエッチングすることにより開口部21を形成
する(図1(a))。次に、絶縁膜2上に例えばシリコ
ンを1%含んだアルミ−シリコン合金からなるアルミ配
線層3をスパッタリングにより約2μmの厚さに形成す
る。その後、窒素−水素(15%)の混合ガスを用い
て、400℃の環境下でアルミシンターを行うことによ
り、アルミを結晶化させ、さらに、配線用マスクを用い
て配線パターン形成を行う(図1(b))。次に、40
0℃の環境下で常圧CVDによりパッシベーション膜4
を堆積し、パッド用マスクを用いてパッド開口を行う
(図1(c))。本実施形態におけるアルミ配線3のパ
ッド表面32は、図2に示すように、シリコンノジュー
ルの析出がかなり減少されている。本実施形態によれ
ば、図1(b)に示したアルミシンターの工程では、従
来の方法より温度を下げて、400℃の環境下で行い、
図1(c)に示した常圧CVDの工程でも、従来の方法
より温度を下げて、400℃の環境下で行っているの
で、アルミ配線3のパッド表面32でのシリコンノジュ
ールの析出が発生しにくくなったのである。ここで、上
述の2つの工程の温度環境を380℃より下げると、膜
質の低下等が発生するので、380℃から400℃の温
度環境下(熱履歴)とするのが良い。つまり、上述のア
ルミシンター及び常圧CVDの工程のように、高温の温
度環境下で行う工程の温度をある程度下げることによ
り、アルミ配線3のパッド表面32でのシリコンノジュ
ールの析出を低減しているのである。図3は本発明の第
2の実施形態に係るアルミ配線の形成方法に係るアルミ
配線が形成された状態を示す断面図である。本実施形態
では、第1の実施形態の図1(b)に示した工程におい
て、アルミ配線層3をスパッタリングにより約2μmの
厚さに形成した状態で、アルミ配線層3の上に、さら
に、シリコンを含有しないアルミ配線5をスパッタリン
グにより約0.5μmの厚さに形成している。以降の工
程は、第1の実施形態と同じである。本実施形態によれ
ば、シリコンを含むアルミ配線層3の上にシリコンを含
まないアルミ配線層5を形成したので、アルミ配線層3
の表面にシリコンノジュールが析出しても、ベアチップ
実装等の際に問題になるアルミ配線層5表面にはシリコ
ンノジュールは析出しない。
れば、半導体基板の一主表面に絶縁層を形成する工程
と、該絶縁層上にスパッタリングによりシリコンを含む
アルミ配線を形成する工程と、前記絶縁層及びアルミ配
線の上にパッシベーション膜を形成する工程とを有する
アルミ配線の形成方法において、前記アルミ配線形成の
ためのスパッタリング以降の工程の熱履歴を380℃か
ら400℃になるようにしたので、、アルミ配線表面に
析出されるシリコンノジュールを低減できるアルミ配線
の形成方法が提供できた。請求項2記載の発明によれ
ば、請求項1記載の発明において、前記アルミ配線を形
成する工程の次に、前記アルミ配線の表面にシリコンを
含まないアルミ配線を形成する工程を付加したので、シ
リコンノジュールの析出がさらに低減できる。
成方法を示す工程図である。
成方法に係るアルミ配線が形成された状態を示す断面図
である。
図である。
アルミ配線が形成された状態を示す断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板の一主表面に絶縁層を形成す
る工程と、該絶縁層上にスパッタリングによりシリコン
を含むアルミ配線を形成する工程と、前記絶縁層及びア
ルミ配線の上にパッシベーション膜を形成する工程とを
有するアルミ配線の形成方法において、前記アルミ配線
形成のためのスパッタリング以降の工程の熱履歴を38
0℃から400℃になるようにしたことを特徴とするア
ルミ配線の形成方法。 - 【請求項2】 前記アルミ配線を形成する工程の次に、
前記アルミ配線の表面にシリコンを含まないアルミ配線
を形成する工程を付加したことを特徴とする請求項1記
載のアルミ配線の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11028498A JP2000228403A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | アルミ配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11028498A JP2000228403A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | アルミ配線の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000228403A true JP2000228403A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12250347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11028498A Pending JP2000228403A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | アルミ配線の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000228403A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299346A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US9437700B2 (en) | 2014-03-26 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP11028498A patent/JP2000228403A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299346A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US9437700B2 (en) | 2014-03-26 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Semiconductor device |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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