JP2000224718A - 雷保護装置及びそれを備えた接地端子盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 落雷時に電気機器の誤動作というような異常
事態を引き起こすことがないようにする。 【解決手段】 電気機器を接地するためにのみ接続され
た異なる接地線Ｌ２の間を接続するサージ吸収素子6 を
備えた構成にしてある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サージ吸収素子を
使用した雷保護装置及びそれを備えた接地端子盤に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、接地端子盤X は、図３に示すよう
に、盤本体A 、接続端子B 、接地端子C 、接続バーD を
備えている。接続端子B は、盤本体A に収容され、電気
機器のアース端子に接続された接続線Ｌ１に接続されて
いる。接地端子C は、接続端子B と同様に、盤本体A に
収容され、接地された接地線Ｌ２に接続されている。接
続バーD は、接続端子B と接地端子C との間を接続す
る。

【０００３】ここで、この接地端子盤X の近くの避雷針
Y に落雷が発生すると、落雷そのものにより接地電位が
上昇するとともに、落雷による雷電流に誘導されて発生
する誘導雷電流が接地線Ｌ２に流れることによっても、
接地電位が上昇する。このように、接地電位が上昇する
と、その上昇した接地電位が、サージ電圧として電気機
器にかかることとなり、電気機器の絶縁抵抗が破壊され
てしまう。

【０００４】このような電気機器の絶縁抵抗の破壊を防
止するために、図４に示すように、避雷針Y と複数の接
地線Ｌ２を接続した接地端子C との間に、サージ吸収素
子Eがそれぞれ接続されることが多い。このサージ吸収
素子E は、例えば、ＺｎＯ型半導体装置からなり、上昇
した接地電位が所定の制限電圧に達すると、導通するこ
とによりサージ電流を吸収して、接地電位の上昇を所定
の制限電圧に制限する。この制限電圧は、避雷針Y に接
続されたサージ吸収素子E を保護するために、避雷針Y
への直撃雷による接地電位の上昇にも絶え得るよう、数
ｋＶというような、比較的高い電圧に設定されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の技術、
すなわち、避雷針Y と複数の接地線Ｌ２を接続した接地
端子C との間にサージ吸収素子E をそれぞれ接続すると
いう技術では、落雷時にサージ電圧として電気機器にか
かる電圧は、上昇した接地電位そのものの電圧ではな
く、サージ吸収素子E により制限された所定の制限電圧
にすぎないために、電気機器の絶縁抵抗が破壊されてし
まうことは防止されている。

【０００６】しかしながら、この従来の技術では、落雷
時に、上昇した接地電位ほど高くはないとはいえ、数ｋ
Ｖというような比較的高い所定の制限電圧が、サージ電
圧として電気機器にかかるために、電気機器の誤動作と
いうような異常事態を引き起こす恐れがある。

【０００７】本発明は、上記の点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、落雷時に電気機器の誤
動作というような異常事態を引き起こすことのない雷保
護装置及びそれを備えた接地端子盤を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載の発明は、電気機器を接地するた
めにのみ接続された異なる接地線の間を接続するサージ
吸収素子を備えた構成にしてある。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記サージ吸収素子は、落雷時に絶縁抵抗
が破壊される程度の間隙からなる構成にしてある。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２のいずれかに記載の雷保護装置からなる避雷器と、
避雷器のサージ吸収素子を収容する盤本体と、を備えた
構成にしてある。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態の雷保護装
置を図１に基づいて以下に説明する。このものは、箱型
の盤本体1 と共に、接地端子盤10を構成する避雷器20で
あって、接続端子2 、接地端子3 、接続バー4 、測定端
子5 、サージ吸収素子6 を備えている。

【００１２】接続端子2 は、盤本体1 の内方に収容さ
れ、電気機器のアース端子に接続された接続線Ｌ１に接
続されている。接地端子3 は、接続端子2 と同様に、盤
本体1に収容され、避雷針を接続するためではなく電気
機器を接地するためにのみ接続された複数の接地線Ｌ２
に接続されている。詳しくは、この複数の接地線Ｌ２に
は、Ｂ種接地用の接地線Ｌ２及びＤ種接地用の接地線Ｌ
２が含まれている。なお、Ｂ種接地用の接地線Ｌ２は、
電源トランスの２次側接地用の接地線Ｌ２である。ま
た、Ｄ種接地用の接地線Ｌ２は、電源に接続される一般
の電気機器の保護接地用の接地線Ｌ２である。

【００１３】接続バー4 は、接続端子2 と接地端子3 と
の間を接続する。測定端子5 は、盤本体1 の内方に収容
され、例えば、Ｂ種接地抵抗やＤ種接地抵抗というよう
な接地抵抗を測定するためのものである。

【００１４】サージ吸収素子6 は、ＺｎＯ型半導体装置
からなり、所定の制限電圧に達すると導通することによ
りサージ電流を吸収して、落雷時の接地電位の上昇を制
限電圧に制限する。このサージ吸収素子6 は、隣接した
接続端子2 間に接続されることにより、接続バー4 及び
接地端子3 を介して、異なる接地線Ｌ２の間に接続され
ている。

【００１５】かかる雷保護装置にあっては、サージ吸収
素子6 は、電気機器を接地するためにのみ接続された異
なる接地線Ｌ２の間を接続するものであって、避雷針を
接続するラインに接続するものではないから、避雷針へ
の直撃雷による接地電位の上昇に絶え得るほどの高い制
限電圧にする必要はなく、ひいては、落雷時に電気機器
にサージ電圧としてかかる制限電圧を、例えば、数Ｖと
いうように低く抑えることができるので、電気機器の誤
動作というような異常事態を引き起こさなくなる。

【００１６】次に、本発明の第２実施形態を図２に基づ
いて以下に説明する。なお、第１実施形態と実質的に同
一の機能を有する部分には同一の符号を付し、第１実施
形態と異なるところのみ記す。第１実施形態では、サー
ジ吸収素子6 は、ＺｎＯ型半導体装置からなるのに対
し、本実施形態では、落雷時に絶縁抵抗が破壊される程
度の間隙からなる構成となっている。

【００１７】詳しくは、接続バー4 は、基片4a及びその
基片4aの中央から延設された延設片4bにより、略Ｔ字状
に形成され、隣接したもの同士では、基片4aと延設片4b
の先端とが、１ｍｍの間隙を間に有して対向している。
この１ｍｍの間隙は、落雷時に絶縁抵抗が破壊される程
度の間隙であり、サージ吸収素子6 となっている。

【００１８】かかる雷保護装置にあっては、第１実施形
態の効果に加えて、サージ吸収素子6 は、落雷時に絶縁
抵抗が破壊される程度の間隙からなるのであって、サー
ジ吸収素子6 とする部品を使用しないのであるから、部
品点数を少なくすることができる。

【００１９】なお、本実施形態では、サージ吸収素子6
をなす間隙は、１ｍｍであるが、１ｍｍに限るものでは
ない。

【００２０】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、サージ吸収素子
は、電気機器を接地するためにのみ接続された異なる接
地線の間を接続するものであって、避雷針を接続するラ
インに接続するものではないから、避雷針への直撃雷に
よる接地電位の上昇に絶え得るほどの高い制限電圧にす
る必要はなく、ひいては、落雷時に電気機器にサージ電
圧としてかかる制限電圧を低く抑えることができるの
で、電気機器の誤動作というような異常事態を引き起こ
さなくなる。

【００２１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明の効果に加えて、サージ吸収素子は、落雷時に絶縁抵
抗が破壊される程度の間隙からなるのであって、サージ
吸収素子とする部品を使用しないのであるから、部品点
数を少なくすることができる。

【００２２】請求項３記載の発明の接地端子盤は、請求
項１又は請求項２のいずれかに記載の雷保護装置からな
る避雷器を備えているから、請求項１又は請求項２のい
ずれかに記載の発明の効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の接地端子盤の斜視図で
ある。

【図２】本発明の第２実施形態の接地端子盤の斜視図で
ある。

【図３】従来の接地端子盤の概略構成図である。

【図４】サージ吸収素子を設けた接地端子盤の概略構成
図である。

【符号の説明】

1 盤本体 6 サージ吸収素子 10 接地端子盤 20 避雷器 Ｌ２ 接地線

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気機器を接地するためにのみ接続され
   た異なる接地線の間を接続するサージ吸収素子を備えた
   ことを特徴とする雷保護装置。
2. 【請求項２】 前記サージ吸収素子は、落雷時に絶縁抵
   抗が破壊される程度の間隙からなることを特徴とする請
   求項１記載の雷保護装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれかに記載
   の雷保護装置からなる避雷器と、避雷器のサージ吸収素
   子を収容する盤本体と、を備えたことを特徴とする接地
   端子盤。