JP2000224035A - Pll回路 - Google Patents

Pll回路

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JP2000224035A
JP2000224035A JP11019652A JP1965299A JP2000224035A JP 2000224035 A JP2000224035 A JP 2000224035A JP 11019652 A JP11019652 A JP 11019652A JP 1965299 A JP1965299 A JP 1965299A JP 2000224035 A JP2000224035 A JP 2000224035A
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pulses
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/089Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
    • H03L7/0891Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses the up-down pulses controlling source and sink current generators, e.g. a charge pump
    • H03L7/0895Details of the current generators
    • H03L7/0898Details of the current generators the source or sink current values being variable

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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ジッタの発生やロック時間の増大を解消し、
制御電圧信号に高周波成分のノイズが重畳する問題を改
善できるPLL回路を提供する。 【解決手段】 チャージポンプ306が、UPパルス4
12及びDOWNパルス413の夫々が各ゲートに入力
されるPMOSトランジスタ430及びNMOSトランジスタ4
31と、PMOSトランジスタ430及びNMOSトランジスタ
431への電流量を夫々制御する上昇側電流供給部(4
303a〜4303c)及び下降側電流供給部(431
3a〜4313c)とを備えている。PLL回路は、電
源が投入された起動時に、上昇側及び下降側電流供給部
によるPMOSトランジスタ430及びNMOSトランジスタ4
31への各供給電流値を調整した後に、基準クロック3
10と出力クロック311との位相差に対応してUPパ
ルス412及びDOWNパルス413を夫々制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェーズロックル
ープ(Phase Lock Loop:PLL)回路及びその制御方法
に関し、特に、高速動作が可能なPLL回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図13は、従来のアナログ方式のPLL
回路の構成を示すブロック図である。このPLL回路
は、基準周波数を有する基準クロック310と、同期信
号である出力クロック311の帰還分との位相を比較
し、位相差信号であるUPパルス412及びDOWNパ
ルス413を夫々出力する位相比較回路(PD)301
と、UPパルス412及びDOWNパルス413を直流
電圧信号8021に変換するチャージポンプ(CP)8
02とを有する。PLL回路は更に、直流電圧信号80
21の高周波成分を除去して制御電圧信号3081を生
成するローパスフィルタ(LPF)308と、制御電圧
信号3081により出力信号の周波数が制御される電圧
制御発振回路(VCO)309とを有する。
【0003】上記構成のPLL回路は、基準クロック3
10と出力クロック311双方の周波数及び位相が等し
く保持されるロック状態を維持するように動作し、基準
クロックの周波数の変化、使用環境温度の変化、電源電
圧の変化、及びノイズの影響等の外的要因の変化が生じ
るまでロック状態を維持する。
【0004】上記従来のPLL回路におけるチャージポ
ンプでは、製造プロセスによる素子特性のバラツキに起
因して、チャージポンプの電圧上昇(UP)側及び電圧
下降(DOWN)側の各電流駆動能力にバラツキが生じ
る。このため、PLL回路におけるジッタが増大し、ロ
ックに要する時間が増大するという問題を生じる。ま
た、LPFが半導体チップ内蔵とされる場合には、チッ
プ内に寄生する寄生素子もジッタやロック時間の増大の
一因となる。
【0005】上記問題点を解消するため、位相差に応答
してチャージポンプの駆動電流量を制御する方法が知ら
れている。図14は、この制御方法で動作する従来のチ
ャージポンプの内部構成を示す回路図である。
【0006】上記チャージポンプ回路は、UP側のPMOS
トランジスタ430とDOWN側のNMOSトランジスタ4
31とを備える。PMOSトランジスタ430は、ゲートに
UPパルス412が接続され、ソースに電流源8807
a〜8807cが直列に接続され、ドレインがNMOSトラ
ンジスタ431のドレインと出力ノード414とに共通
接続される。電流源8807aの電流路の一端及び他端
にCP能力切換えスイッチ8811が接続にされ、電流
源8807aの電流路の一端と電流源8807cの電流
路の一端とにCP能力切換えスイッチ8821が接続さ
れる。UPパルス412に第1CP能力切換え回路88
1及び第2CP能力切換え回路882が夫々接続され
る。第1CP能力切換え回路881及び第2CP能力切
換え回路882が夫々、UPパルス412の変化に応答
してCP能力切換えスイッチ8811及びCP能力切換
えスイッチ8821のオン/オフを切り換える。
【0007】NMOSトランジスタ431は、ゲートにDO
WNパルス413が接続され、ソースに電流源8807
d〜8807fが直列に接続される。電流源8807f
の電流路の一端及び他端にCP能力切換えスイッチ88
41が接続され、電流源8807fの電流路の一端と電
流源8807dの電流路の一端とにCP能力切換えスイ
ッチ8831が接続される。DOWNパルス413に第
3CP能力切換え回路883及び第4CP能力切換え回
路884が夫々接続される。第3CP能力切換え回路8
83及び第4CP能力切換え回路884が夫々、DOW
Nパルス413の変化に応答してCP能力切換えスイッ
チ8831及びCP能力切換えスイッチ8841のオン
/オフを切り換える。
【0008】図15は、図14に示したチャージポンプ
の動作を示すフローチャートである。まず、位相比較回
路301で基準クロック(リファレンスクロック)31
0と出力クロック311双方の位相を比較する(ステッ
プ901)。この結果、位相差がある場合には、位相差
量が判定基準値以上の位相差であるか否かを判定し(ス
テップ903)、位相差が判定基準値未満の場合には処
理を終了する。ステップ903の判定の結果、位相差量
が判定基準値以上である場合には、これに対応してチャ
ージポンプ802の電流駆動能力を切り換え(ステップ
904)、位相差量が判定基準値以上ではない場合に
は、ステップ905にジャンプしてVCO309を動作
させる。
【0009】ステップ904の電流駆動能力切換え時
に、例えば、第1〜第4CP能力切換え回路881〜8
84が何れも動作しなければ、PMOSトランジスタ430
は電流源8807a〜8807cから供給される電流で
動作し、NMOSトランジスタ431は電流源8807d〜
8807fから供給される電流で動作する。このときの
チャージポンプ802は最大能力で動作する。また、第
1及び第4CP能力切換え回路881及び884が夫々
動作すると、CP能力切換えスイッチ8811及び88
41の双方がオンとなるので、PMOSトランジスタ430
は電流源8807b及び8807cから供給される電流
で動作し、NMOSトランジスタ431は電流源8807d
及び8807eから供給される電流で動作する。このと
きのチャージポンプの電流駆動能力は1段階低減する。
更に、第1〜第4CP能力切換え回路881〜884が
全て動作すると、CP能力切換えスイッチ8811〜8
841が全てオンとなるので、PMOSトランジスタ430
は電流源8807cから供給される電流のみで動作し、
NMOSトランジスタ431は電流源8807dから供給さ
れる電流のみで動作する。このときのチャージポンプの
電流駆動能力は2段階低減する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のチャージポ
ンプでは、トランジスタ430、431への供給電流を
逐次切り換える際の観測時間や切換え時間は、VCOに
よる周波数補正を行わない時間帯でなければならず、こ
の時間帯まで待機する分時間が多く必要となって、ロッ
クに要する時間が増大する。また、チャージポンプを成
すトランジスタ430、431への供給電流を切り換え
る際に、VCOの制御電圧信号(コントロールバイアス
信号)にオーバーシュートやアンダーシュート成分が生
じ、コントロールバイアス信号に高周波成分ノイズが重
畳する。このため、ジッタの発生を抑制するには不十分
であった。
【0011】本発明は、上記に鑑み、ジッタの発生やロ
ック時間の増大を解消し、制御電圧信号に高周波成分の
ノイズが重畳する問題を改善できるPLL回路を提供す
ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のPLL回路は、基準周波数を有する基準ク
ロックと前記基準周波数から生成される同期信号とを比
較する位相比較回路と、該位相比較回路からの第1及び
第2の位相差信号に応答して上昇電圧信号及び下降電圧
信号を出力することによって前記同期信号の出力ノード
に対する電流の流入及び流出を制御するチャージポンプ
とを備えるPLL回路において、前記チャージポンプ
が、前記第1及び第2の位相差信号の夫々が各ゲートに
入力される第1導電型トランジスタ及び第2導電型トラ
ンジスタと、前記第1及び第2導電型トランジスタへの
電流量を夫々制御する上昇側及び下降側電流供給部とを
備えており、前記PLL回路は、電源が投入された起動
時に、前記上昇側及び下降側電流供給部による前記第1
及び第2導電型トランジスタへの各供給電流値を調整し
た後に、前記基準クロックと前記同期信号との位相差に
対応して前記第1及び第2の位相差信号を夫々制御する
ことを特徴とする。
【0013】本発明のPLL回路では、起動時のみにチ
ャージポンプの電流駆動能力に対する粗調整を行い、粗
調整後の実動作時には、位相比較回路からの上昇電圧信
号及び下降電圧信号を制御することによって制御電圧信
号を微調整することができる。これにより、観測時間に
おける位相ずれ量、及び切換え時間における位相ずれ量
に対する従来の調整時間が不要になり、ロックに要する
時間が短縮できる。また、起動時に、上昇側及び下降側
電流供給部にトランジスタを用いた場合、トランジスタ
のオン/オフを切り換えて電流量を変化させて信号波形
を滑らかにし、高周波成分を除去することができる。こ
れにより、制御電圧信号に高周波成分ノイズが重畳する
問題を改善し、ジッタの発生を回避することができる。
【0014】ここで、前記第1及び第2導電型トランジ
スタが夫々、PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタか
ら成り、前記上昇側電流供給部は、前記PMOSトランジス
タのソースに各ドレインが共通接続された複数の別のPM
OSトランジスタから成り、前記下降側電流供給部は、前
記NMOSトランジスタのソースに各ドレインが共通接続さ
れた複数の別のNMOSトランジスタから成り、前記供給電
流値の固定処理は、前記上昇側及び下降側電流供給部に
おけるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタを選択す
ることによって実行されることが好ましい。この場合、
PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの選択状態によ
って、チャージポンプの電流駆動能力を簡便且つ速やか
に切り換えることができる。
【0015】また、前記起動時に、前記同期信号の所定
パルス数を計測して基準値として保持してから前記第1
及び第2の位相差信号に夫々第1及び第2の観測用パル
スを出力し、前記第1及び第2の観測用パルスの出力後
における前記同期信号のパルス数を前記基準値の計測時
と同じ時間で計測し、前記同期信号の前記基準値に対す
るパルス差に対応して、前記上昇側及び下降側電流供給
部における前記別のPMOSトランジスタ及び別のNMOSトラ
ンジスタの内から制御すべきトランジスタを夫々選択し
て、前記上昇側及び下降側電流供給部双方への供給電流
値を定めることが好ましい。この場合、起動時における
チャージポンプの電流駆動能力を正確に判定し、この判
定に従って上昇側及び下降側電流供給部の動作を夫々切
り換えることによって、チャージポンプの素子特性のバ
ラツキを確実に補正することができる。
【0016】好ましくは、前記上昇又は下降電圧信号に
おける極性が変化してからの所定数のパルスの位相変化
に基づいて電圧制御発振回路の動作状態を判定し、該判
定に従って前記上昇又は下降電圧信号のパルス幅を制御
することが好ましい。この場合、PLL回路の実動作時
に、パルス幅制御による微調整によって制御電圧信号の
変動量を無くすることができるので、ジッタ発生やロッ
ク時間の増大等の問題点を解消することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明を更に詳細
に説明する。図1は、本発明の一実施形態例におけるア
ナログ方式のPLL回路を示すブロック図である。この
PLL回路は、位相比較回路301、パルス波形変形回
路302、パルス波形選択回路303、パルスカウンタ
304、CP駆動能力切換え回路305、チャージポン
プ306、観測用基準パルス発生回路307、LPF3
08、及びVCO309から構成される。LPF308
は半導体チップに内蔵される。
【0018】上記構成のPLL回路では、電源が投入さ
れた起動時に、出力クロック311のパルス数をカウン
トし、このカウント値を基準として、観測用基準パルス
発生回路307からCP駆動能力観測用のUPパルス3
071(又はDOWNパルス3072)を出力し、この
結果としての出力クロック311のパルス数をカウント
する。この結果、出力クロック311のパルス数が基準
値を超える場合には、チャージポンプ306の電流駆動
能力(以下、CP駆動能力とも呼ぶ)はUP側で高い
(又はDOWN側で低い)ことになるので、CP駆動能
力の抑制制御(又は促進制御)を行う。一方、出力クロ
ック311のパルス数が基準値未満である場合には、U
P側で低い(又はDOWN側で高い)ことになるので、
CP駆動能力の促進制御(又は抑制制御)を行う。この
ようにして、チャージポンプ306における素子特性の
バラツキを補正する。
【0019】次に、CP駆動能力の切換え機能ついて説
明する。図2はCP駆動能力制御回路の構成を示すブロ
ック図である。この制御回路は、位相比較回路301、
パルスカウンタ304を成すカウンタ401及び40
2、UP側のCP駆動能力を出力クロック311のパル
ス数で観測して以降の信号を選択するセレクタ403、
DOWN側のCP駆動能力を観測して以降の信号を選択
するセレクタ404、並びに、観測用基準パルス発生回
路307を有する。セレクタ403の次段には、UPパ
ルス数が基準値よりも多い場合に対応する信号をラッチ
するラッチ回路4061、UPパルス数が基準値よりも
少ない場合に対応する信号をラッチするラッチ回路40
71、及び、UPパルス数が基準値と等しい場合に対応
する信号をラッチするラッチ回路4081が配置され
る。ラッチ回路4061〜4081の次段には、ラッチ
回路4061〜4081の各出力が入力されるANDゲ
ート405aと、ラッチ回路4071及びラッチ回路4
081の各出力が入力されるANDゲート405bと、
バッファ414a及び414bとが配置される。
【0020】また、セレクタ404の次段には、DOW
Nパルス数が基準値よりも多い場合に対応する信号をラ
ッチするラッチ回路4091、DOWNパルス数が基準
値よりも少ない場合に対応する信号をラッチするラッチ
回路4101、及び、DOWNパルス数が基準値と等し
い場合に対応する信号をラッチするラッチ回路4111
が配置される。ラッチ回路4091〜4111の次段に
は、ラッチ回路4091〜4111の各出力が入力され
るANDゲート405cと、ラッチ回路4101及びラ
ッチ回路4111の各出力が入力されるANDゲート4
05dと、バッファ414c及び414dとが配置され
る。
【0021】位相比較回路301の出力であるUPパル
ス412及びDOWNパルス413、並びに、切換え信
号A〜C及びa〜cは夫々、チャージポンプ306の対
応する端子406〜411(図3参照)に供給される。
なお、図2では、パルス波形選択回路303及びパルス
波形変形回路302は図示省略している。
【0022】上記構成の回路では、カウンタ401が外
部クロック310を100パルス分カウントし、そのカ
ウント結果をカウンタ402、セレクタ403及び40
4に夫々与える。カウンタ402は、入力されたカウン
ト結果に応答する信号を観測用基準パルス発生回路30
7、セレクタ403及び404に夫々与える。セレクタ
403は、カウンタ401及び402からの信号に従っ
て、CP駆動能力を出力クロック311のパルス数で観
測し、その観測結果に対応する信号をラッチ回路406
1〜4081でラッチする。同様にセレクタ404も、
観測結果に対応する信号をラッチ回路4091〜411
1でラッチする。これにより、ラッチ回路4061〜4
081及び4091〜4111のラッチ結果に対応し
て、端子406〜411に夫々切換え信号A〜cが供給
される。この場合、ラッチ回路4061で信号がラッチ
されると、切換え信号A〜Cが夫々供給されてPMOSトラ
ンジスタ4303a〜4313c(図3)が全てオンと
なる。ラッチ回路4071で信号がラッチされると、切
換え信号A及びBが夫々供給されてPMOSトランジスタ4
303a及び4313bがオンとなる。ラッチ回路40
81で信号がラッチされると、切換え信号Cのみが供給
されてPMOSトランジスタ4303cがオンとなる。これ
は、DOWN側においても同様であり、切換え信号a〜
cの供給によってNMOSトランジスタ4313a〜431
3cのオン/オフが切り換えられる。以上のオン/オフ
の切換え結果は、起動時から実動作に移行する時点で固
定される。
【0023】図3は、チャージポンプ306の構成を示
すブロック図である。チャージポンプ306は、UP側
のPMOSトランジスタ430とDOWN側のNMOSトランジ
スタ431とを備える。PMOSトランジスタ430は、ゲ
ートにUPパルス412が接続され、ソースに、電流可
変用のPMOSトランジスタ4303a〜4303cのドレ
インが共通接続される。PMOSトランジスタ4303a〜
4303cは夫々、ソースがVDDに接続され、ゲート
に信号A〜Cが供給される。NMOSトランジスタ431
は、ゲートにDOWNパルス413が接続され、ソース
に、電流可変用のNMOSトランジスタ4313a〜431
3cのドレインが共通接続される。NMOSトランジスタ4
313a〜4313cは夫々、ソースが接地され、ゲー
トに信号a〜cが供給される。
【0024】上記チャージポンプ306では、CP駆動
能力の切換え時に、例えば、切換え信号A〜Cが供給さ
れると、PMOSトランジスタ4303a〜4303cがオ
ンすることによって供給される電流でPMOSトランジスタ
430が動作する。一方、切換え信号a〜cが供給され
ると、NMOSトランジスタ4313a〜4313cがオン
することによって供給される電流でNMOSトランジスタ4
31が動作する。これにより、チャージポンプ306
は、最大能力で上昇電圧信号又は下降電圧信号を出力す
る。
【0025】また、切換え信号A及びBが供給される
と、PMOSトランジスタ4303a及び4303bがオン
することによる電流でPMOSトランジスタ430が動作す
る。一方、切換え信号a及びbが供給されると、NMOSト
ランジスタ4313a及び4313bがオンすることに
よる電流でNMOSトランジスタ431が動作する。このと
きのチャージポンプ306の電流駆動能力は1段階低減
する。更に、信号C又はcのみが供給されると、PMOSト
ランジスタ4303cがオンすることによる電流でPMOS
トランジスタ430が、又は、NMOSトランジスタ431
3cがオンすることによる電流でNMOSトランジスタ43
1が動作する。これにより、チャージポンプ306は、
2段階低減した能力で上昇電圧信号又は下降電圧信号を
出力する。
【0026】上記のように、本実施形態例におけるチャ
ージポンプ306では、UP側、DOWN側における各
トランジスタ430及び431の各ソース側に、電流可
変用のトランジスタが複数列で配設されるので、この電
流可変用のトランジスタの各切換えによってCP駆動能
力を容易に切り換えることができる。
【0027】図4は、図1で説明したパルス波形変形回
路302及びパルス波形選択回路303を含む制御回路
を詳細に示すブロック図である。この制御回路は、位相
比較回路301からのUPパルス412に接続されたU
Pカウンタ502、基準値A観測回路504、基準値B
観測回路505、カウント3信号ラッチ50221、パ
ルス幅短縮処理回路50011、パルス幅延長処理回路
50012、パルス幅非変換処理回路50013、及び
入力UPパルス波形選択回路508を有する。上記制御
回路は更に、DOWNパルス413に接続されたDOW
Nカウンタ503、基準値A観測回路506、基準値B
観測回路507、カウント3信号ラッチ50321、パ
ルス幅短縮処理回路50021、パルス幅延長処理回路
50022、パルス幅非変換処理回路50023、及び
入力DOWNパルス波形選択回路509を有する。
【0028】上記制御回路は、動作時には、位相比較回
路301からのUPパルス412及びDOWNパルス4
13を、UPカウンタ502、基準値A観測回路50
4、基準値B観測回路505、及びカウント3信号ラッ
チ50221によって観測し、その結果に対応する信号
をパルス幅短縮処理回路50011、パルス幅延長処理
回路50012又はパルス幅非変換処理回路50013
でラッチし、パルス幅短縮処理、パルス幅延長処理、又
は波形をなまらせる平滑処理を行い、入力UPパルス波
形選択回路508からチャージポンプ306に向けてU
Pパルス出力5081を出力する。図中、5021はカ
ウンタ502で計測されたカウント1信号、5022は
カウント3信号であり、5041及び5051は基準デ
ィレイ観測信号である。
【0029】更に、カウンタ503、基準値A観測回路
506、基準値B観測回路507、カウント3信号ラッ
チ50321により、上記と同様にして、UPパルス4
12及びDOWNパルス413に対するパルス幅短縮処
理、パルス幅延長処理、又は平滑処理を行い、入力DO
WNパルス波形選択回路509からチャージポンプ30
6に向けてDOWNパルス出力5091を出力する。図
中、5031はカウント1信号、5032はカウント3
信号、5061及び5071は基準ディレイ観測信号で
ある。
【0030】以上により、起動時にCP駆動能力切換え
回路305によって製造バラツキを補正した後の実動作
時に、パルス波形変形回路302及びパルス波形選択回
路303が、UPパルス412及びDOWNパルス41
3のパルス幅変形処理によってコントロールバイアス信
号を微調整し、VCO309からの出力周波数を制御す
る。
【0031】次に、図5〜図9に示すフローチャートを
参照して本実施形態例のアナログPLL回路の動作を詳
細に説明する。図5は、本実施形態例におけるPLL回
路の全体動作を示すフローチャートである。ステップ1
ではCP駆動能力を測定し、ステップ2では、CP駆動
能力切換え回路305により粗調整を行ってCP駆動能
力を切換えて固定し、ステップ3では、基準クロック3
10と出力クロック311との位相を比較する。この比
較の結果、ステップ4では位相差の有無を判定し、位相
差が有る場合には、ステップ5でUPパルス412及び
DOWNパルス413の各パルス幅を変えることによっ
て微調整を行う。
【0032】図6及び図7は、図5のステップ1及び2
の処理を詳細に示すフローチャートである。ステップ1
05で電源がオンされて起動すると、外部クロック31
0の一定数(100パルス)を時間の基準とするため、
オフセット状態での出力クロック311のパルス数をカ
ウントしつつ値Cとして取り込む(ステップ106)。
ステップ107では、外部クロック310のパルス数が
100に到達したか否かを判定し、100パルスに到達
するまでステップ106の動作を繰り返す。100パル
スのカウント終了後、ステップ108では、観測用基準
パルス発生回路307から観測用基準のUPパルス30
71(図1)を5発出力し、その結果としての出力クロ
ック311のパルス数を、値Cのカウント時と同じ時間
分カウントして値Dとして取り込む(ステップ10
9)。
【0033】ステップ110では値Cと値Dとを比較す
る。比較の結果、値Dのパルス数が値Cとほぼ等しい場
合には、ステップ111で、UP側トランジスタ430
3a〜4303cの動作数を変更せずその状態を維持す
る。値Dのパルス数が値Cよりも少ない場合には、UP
側トランジスタ4303a〜4303cの動作数を増や
して、UP側のCP駆動能力を増大させる。値Dのパル
ス数が値Cよりも多い場合には、UP側トランジスタ4
303a〜4303cの動作数を減らして、UP側のC
P駆動能力を低減する。このように、UPパルス307
1を5発出力した際の出力クロック311のパルス数が
基準値未満でUP側のCP駆動能力が低すぎる場合に
は、トランジスタ4303a〜4303cの動作数を増
やしてCP駆動能力を高める。一方、5発出力した際の
出力クロック311のパルス数が基準値を超え、UP側
のCP駆動能力が高い場合には、トランジスタ4303
a〜4303cの動作数を減らしてCP駆動能力を抑え
る。
【0034】次いで、DOWN側のCP駆動能力の粗調
整を上記UP側の粗調整と同様に行う。まず、オフセッ
ト状態での出力クロック311のパルス数をカウントし
つつ値Cとして取り込む(ステップ114)。ステップ
115では、外部クロック310のパルス数が100に
到達するまでステップ114の動作を繰り返す。カウン
ト終了後、ステップ116では、DOWNパルス307
2(図1)を5発出力し、その結果としての出力クロッ
ク311のパルス数を、値Aのカウント時と同じ時間分
カウントして値Dとして取り込む(ステップ117)。
【0035】ステップ118では値Cと値Dとを比較す
る。比較の結果、値Dのパルス数が値Cとほぼ等しい場
合には、ステップ119で、DOWN側トランジスタ4
313a〜4313cの動作数を変更せずその状態を維
持する。値Dのパルス数が値Cよりも多い場合には、D
OWN側トランジスタ4313a〜4313cの動作数
を増やして、DOWN側のCP駆動能力を増大させる。
値Dのパルス数が値Cよりも少ない場合には、DOWN
側トランジスタ4313a〜4313cの動作数を減ら
して、DOWN側のCP駆動能力を低減する。このよう
に、観測用基準DOWNパルス3072を5発出力した
際の出力クロック311のパルス数が基準値を超え、D
OWN側のCP駆動能力が低い場合には、CP駆動能力
を高める。一方、5発出力した際の出力クロック311
のパルス数が基準値未満で、DOWN側のCP駆動能力
が高すぎる場合には、CP駆動能力を抑える。
【0036】出力クロック311のパルスカウント数
と、UP側/DOWN側のCP駆動能力との対応は、予
め設定しておく。設計時には、設計センター値とその前
後の値とを設定する。更に、ステップ119〜121の
処理の後、ステップ122でPLL動作許可信号を出力
し、CP駆動能力の調整処理を終了する。
【0037】図8及び図9は、CP駆動能力の粗調整の
後に行う微調整処理を示すフローチャートである。ま
ず、PLL回路が動作を開始すると、ステップ222
で、波形選択回路303によってUPパルス412及び
DOWNパルス413を観測し、位相差の有無を判定す
る。この結果、位相差がある場合には、ステップ223
で、UP側のCP駆動能力を高めるためのUPパルス4
12の有無を判定する。この結果、UPパルス412が
ある場合には、パルスカウンタ304内のDOWNカウ
ンタ(図4の503)をリセットし、UPパルス412
が無い場合には、DOWNパルス有りとしてステップ2
36に進み、パルスカウンタ304内のUPカウンタ
(図4の502)をリセットする。
【0038】次いで、ステップ225でUPカウンタ5
02を1インクリメントし、ステップ226で、UPパ
ルス412は極性が変化した1カウント目か否かを判定
する。この結果、1カウント目である場合には、極性が
変化した1パルス目の位相差が、予め設定された基準値
Aより大きいとき、その極性のコントロールバイアスは
過剰であると判定する(ステップ230)。更に、ステ
ップ231で、パルス幅変調によりDOWNパルス41
3のパルス幅を狭くし、このDOWNパルス413をパ
ルス波形変形回路302からチャージポンプ306に出
力する。これに応答して、VCO309へのコントロー
ルバイアス信号を低減させる。ステップ232では、U
Pカウンタ502をリセットする。
【0039】ステップ230で、1パルス目の位相差が
基準値Aを超えない場合には、ステップ233で、UP
パルス412の1カウント目の位相差を、予め設定され
た基準値Bと比較する。この結果、位相差が基準値Bよ
りも小さい場合には、ステップ234で、UP側トラン
ジスタ4303a〜4303cをオン/オフさせること
によって電流量を変化させ、UPパルス412波形をな
まらせて滑らかにする。ステップ233では、極性が変
化した1パルス目の位相差量が基準値Bよりも小さい場
合に、コントロールバイアス信号に高周波成分が乗って
VCO309が誤動作していることになるので、ステッ
プ234で、UPパルス波形をなまらせることによって
高周波成分を除去する。更に、ステップ235でUPカ
ウンタ502をリセットする。
【0040】ステップ227では、UPパルス412が
3カウント目か否かを観測し、3パルス以上にわたって
同極性である場合には、その極性のコントロールバイア
スが不足していると判定する。従って、ステップ227
で3カウント目であると判定した場合には、ステップ2
28で、UPパルス412のパルス幅を広くしてチャー
ジポンプ306に出力し、コントロールバイアス信号を
増大させる(ステップ229、248)。一方、ステッ
プ227で3カウント未満であれば、ステップ248に
進んでVCO309を動作させ、ステップ222に戻
る。
【0041】次いで、ステップ236ではUPカウンタ
502をリセットし、ステップ237で、DOWNカウ
ンタ503を1インクリメントする。ステップ238で
は、DOWNパルス413が1カウント目か否かを判定
する。この結果、1カウント目であればステップ242
に進み、そうでなければステップ239に進む。ステッ
プ242では、位相差と基準値Aとを比較する。この結
果、位相差が基準値Aよりも大きければ、ステップ24
3で、パルス波形変形回路302によりUPパルス41
2のパルス幅を狭くする。更に、ステップ244でDO
WNカウンタ503をリセットし、ステップ248でV
CO309を動作させ、ステップ222に戻る。ステッ
プ242で、DOWNパルス1カウント目の位相差が基
準値Aを超えなければ、ステップ245で、位相差が基
準値Bより小さいか否かを判定する。この結果、位相差
が基準値Bよりも小さければ、ステップ246でDOW
Nパルス413の波形をなまらせることによって高周波
成分を除去する。更に、ステップ247でDOWNカウ
ンタをリセットし、ステップ248でVCO309を動
作させ、ステップ222に戻る。
【0042】ステップ239では、DOWNパルス41
3が3カウント目か否かを判定する。この結果、3カウ
ント未満であれば、ステップ248でVCO309を動
作させ、ステップ222に戻る。一方、3カウント目で
あれば、ステップ240で、パルス波形変形回路302
によりDOWNパルス413のパルス幅を長くする。更
に、ステップ241でDOWNカウンタ503をリセッ
トし、ステップ248でVCO309を動作させ、ステ
ップ222に戻る。
【0043】以上のように、本実施形態例では、CP駆
動能力の粗調整を起動時に行い、粗調整後の実動作中
に、基準クロック310と出力クロック311双方の位
相差をUP/DOWNパルス数とパルス幅と極性とを参
照しつつ観測し、UP/DOWNパルスをパルス幅変調
する微調整を行った。これにより、具体的には以下の効
果を得ることができた。
【0044】従来はチャージポンプのトランジスタのば
らつきによって、コントロールバイアス信号のレベルが
ずれてVCO動作範囲がずれると、PLL回路がロック
しないという問題があった。例えば、コントロールバイ
アス信号が1Vで中心周波数が1GHz、及び調整範囲
が0.8〜1.2Vで0.8〜1.2GHzのVCO出
力に対して、チャージポンプを成すトランジスタのバラ
ツキでコントロールバイアス信号のレベルが−0.2v
シフトした場合には、中心周波数0.8GHz、調整範
囲0.6〜1.0Vで0.6〜1.0GHzとなって、
高周波数側でロックができなくなる。これに対し、本実
施形態例では、チャージポンプ306のトランジスタ4
30及び431のバラツキを、UP側トランジスタ43
03a〜4303c及びDOWN側トランジスタ431
3a〜4313cのオン/オフを切り換えることによっ
て補正する。これにより、コントロールバイアス信号の
レベルずれによってロックしないという上記問題点を解
消した。また、コントロールバイアス信号のレベルを最
適化でき、VCO動作範囲を最適化することができるの
で、ロック時間が極めて短くなった。
【0045】従来のCP駆動能力を逐次切換える方式で
は、動作時に、「観測時間」と共に「切換え時間」が存
在し、これらの時間においても位相はずれ続けるため、
位相差は「観測時間における位相差量+切換え時間にお
ける位相差量」となって、位相差の補正に要する時間が
余分に必要であった。
【0046】図10は、従来方式の位相差の時間変化例
を示すグラフである。同図では、動作ステップ0−0間
が位相ずれ量(位相差)200psの初期状態を示す。
本実施形態例の補正対象の単位時間あたりの位相差を、
例えば100ps/2000psとすると、動作ステッ
プ0−1間(1動作ステップ=2000ps)は「観測
時間」となり、動作ステップ1−2間は「切換え時間」
となる。従来方式において、これらの時間ではVCO3
09の動作は初期状態のままで、位相差100ps/2
000psが生じるため、動作ステップ2では位相差は
400psとなる。動作ステップ2以降はVCO309
の調整動作が作用するため、−100ps/2000p
sずつ補正され、動作ステップ6で補正が完了する。
【0047】図11は、本実施形態例における位相差の
時間変化例を示すグラフである。本実施形態例では、従
来方式に対して、CP駆動能力の切換え処理を起動時の
みに行い、切り換えた状態を固定する。更に、切換え処
理後の実動作に入った直後に、観測及びパルス幅変調に
よる微調整を行う。このため、「観測時間」における位
相ずれ量、及び「切換え時間」における位相ずれ量に対
する調整時間が不要となり、同図に示す動作ステップ1
−2間における通常のPLL動作時間における調整時間
のみが必要となる。
【0048】本実施形態例における1回のPLL動作時
間は例えば2000psである。これに対し、上記従来
方式の位相差の時間変化例では、動作ステップ0−1間
における「観測時間+観測時間内での位相差に対する調
整時間」と、動作ステップ1−2間における「切換え時
間+切換え時間内での位相差に対する調整時間」とが時
間増となり、1回のPLL動作時間が2000psを大
幅に超えていた。本実施形態例における補正対象の時間
あたりの位相ずれ量は、例えば100ps/2000p
s、VCO出力の補正時における単位時間あたりの位相
補正量は−100ps/2000psである。従って、
図10及び図11から分かるように、本実施形態例にお
ける位相補正時間は4ステップ分速くなり、コントロー
ルバイアス信号の補正回数が6ステップの従来方式に比
して1/3となる。このため、ロックに要する時間は従
来の1/3となった。
【0049】更に、本実施形態例によると、実動作時の
微調整によってコントロールバイアス信号の変動量を無
くすることができるので、ジッタの発生及びロック時間
の増大といった問題が回避できる。また、チャージポン
プ306のトランジスタサイズを切り換えたときのコン
トロールバイアス信号のオーバーシュートやアンダーシ
ュート成分、或いは、電源へのノイズ伝搬が発生しな
い。これにより、コントロールバイアス信号に高周波成
分ノイズが重畳する不具合が回避される。また、VCO
309への電源変動(電源ゆれ)で生じるVCO309
の誤動作による位相ずれ量の調整時間の増加分がなくな
り、これによるロック時間の増大が防止できる。更に、
UP側及びDOWN側のCP駆動能力が、起動時に等し
く且つ過不足なく調整されるので、動作時は微調整のみ
でよくなり、常にコントロールバイアス信号を適正に供
給してロック時間の短縮を図ることができた。
【0050】図12は、本実施形態例におけるCP駆動
能力切換えの変形例を示す回路図である。この変形例に
おけるチャージポンプ306Aは、UP側のPMOSトラン
ジスタ603とDOWN側のNMOSトランジスタ606と
を備える。PMOSトランジスタ603は、ゲートに電位可
変UPパルス601が接続され、ソースにVDDが接続
され、ドレインが、出力ノード607とNMOSトランジス
タ606のドレインとに共通接続される。NMOSトランジ
スタ606は、ゲートに電位可変DOWNパルス602
が接続され、ソースが接地されている。この変形例のよ
うに、チャージポンプ306Aを構成する各トランジス
タ603及び606夫々のゲートに、電位可変UPパル
ス601及び電位可変DOWNパルス602を供給し、
ゲート電位を夫々変化させることによってもCP駆動能
力を変更することができる。
【0051】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明のPLL回路は、上記実施形
態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形
態例の構成から種々の修正及び変更を施したPLL回路
も、本発明の範囲に含まれる。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のPLL回
路によると、ジッタの発生やロック時間の増大を解消
し、制御電圧信号に高周波成分のノイズが重畳する問題
を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態例におけるPLL回路の構
成を示すブロック図である。
【図2】本実施形態例におけるCP駆動能力切換え回路
を含む制御回路を示すブロック図である。
【図3】本実施形態例におけるチャージポンプの構成を
示す回路図である。
【図4】本実施形態例におけるパルス波形変形回路を含
む制御回路を詳細に示すブロック図である。
【図5】本実施形態例のPLL回路の動作を示すフロー
チャートである。
【図6】本実施形態例のPLL回路の動作を示すフロー
チャートである。
【図7】本実施形態例のPLL回路の動作を示すフロー
チャートである。
【図8】本実施形態例のPLL回路の動作を示すフロー
チャートである。
【図9】本実施形態例のPLL回路の動作を示すフロー
チャートである。
【図10】従来の逐次CP能力切換え方式の位相差の時
間変化例を示すグラフである。
【図11】本実施形態例における位相差の時間変化例を
示すグラフである。
【図12】本発明の変形例を示す回路図である。
【図13】従来のPLL回路を示すブロック図である。
【図14】従来のPLL回路におけるチャージポンプの
構成を示す回路図である。
【図15】従来のPLL回路の動作を示すフローチャー
トである。
【符号の説明】
301:位相比較回路 302:パルス波形変形回路 303:パルス波形選択回路 304:パルスカウンタ 305:CP駆動能力切換え回路 306:チャージポンプ 307:観測用基準パルス発生回路 308:ローパスフィルタ 309:電圧制御発振回路 310:基準クロック 311:出力クロック 401、402:カウンタ 403、404:セレクタ 405a〜405d:ANDゲート 412:UPパルス 413:DOWNパルス 430:PMOSトランジスタ 431:NMOSトランジスタ 4303a〜4303c:UP側トランジスタ 4313a〜4313c:DOWN側トランジスタ 4061〜4081:ラッチ回路 4091〜4111:ラッチ回路 A〜C、a〜c:切換え信号
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年11月22日(1999.11.
22)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のPLL回路は、基準周波数を有する基準ク
ロックと前記基準周波数から生成される同期信号とを比
較する位相比較回路と、該位相比較回路からの第1及び
第2の位相差信号に応答して上昇電圧信号及び下降電圧
信号を出力することによって前記同期信号の出力ノード
に対する電流の流入及び流出を制御するチャージポンプ
とを備えるPLL回路において、前記チャージポンプ
が、前記第1及び第2の位相差信号の夫々が各ゲートに
入力される第1導電型トランジスタ及び第2導電型トラ
ンジスタと、前記第1及び第2導電型トランジスタへの
電流量を夫々制御する上昇側及び下降側電流供給部とを
備えており、前記PLL回路は、電源が投入された起動
時に前記上昇側及び下降側電流供給部による前記第1及
び第2導電型トランジスタへの各供給電流値の調整を完
了させ、次いで、前記基準クロックと前記同期信号との
位相差に対応して前記上昇又は下降電圧信号のパルス幅
を制御することで前記第1及び第2の位相差信号を夫々
制御することを特徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】また、前記起動時に、前記同期信号の所定
パルス数を計測して基準値として保持してから前記第1
及び第2の位相差信号に夫々第1及び第2の観測用パル
スを出力し、前記第1及び第2の観測用パルスの出力後
における前記同期信号のパルス数を前記基準値の計測時
と同じ時間で計測し、前記同期信号の前記基準値に対す
るパルス数の差に対応して、前記上昇側及び下降側電流
供給部における前記別のPMOSトランジスタ及び別のNMOS
トランジスタの内から制御すべきトランジスタを夫々選
択して、前記上昇側及び下降側電流供給部双方への供給
電流値を定めることが好ましい。この場合、起動時にお
けるチャージポンプの電流駆動能力を正確に判定し、こ
の判定に従って上昇側及び下降側電流供給部の動作を夫
々切り換えることによって、チャージポンプの素子特性
のバラツキを確実に補正することができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】好ましくは、前記上昇電圧信号が停止して
前記下降電圧信号が開始され又は前記下降電圧信号が停
止して前記上昇電圧信号が開始される信号切換えが発生
してからの前記位相比較回路の出力パルスのパルス幅に
基づいて電圧制御発振回路の動作状態を判定し、該判定
に従って前記上昇又は下降電圧信号のパルス幅を制御す
ることが好ましい。この場合、PLL回路の実動作時
に、パルス幅制御による微調整によって制御電圧信号の
変動量を無くすることができるので、ジッタ発生やロッ
ク時間の増大等の問題点を解消することができる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正内容】
【0038】次いで、ステップ225でUPカウンタ5
02を1インクリメントし、ステップ226で、UPパ
ルス412は信号切換えが発生してから1カウント目か
否かを判定する。この結果、1カウント目である場合に
は、信号切換えが発生してから1パルス目の位相差(基
準クロック310と出力クロック311との位相差量を
示すパルス幅)が、予め設定された基準値Aより大きい
とき、その信号のコントロールバイアスは過剰であると
判定する(ステップ230)。更に、ステップ231
で、パルス幅変調によりDOWNパルス413のパルス
幅を狭くし、このDOWNパルス413をパルス波形変
形回路302からチャージポンプ306に出力する。こ
れに応答して、VCO309へのコントロールバイアス
信号を低減させる。ステップ232では、UPカウンタ
502をリセットする。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0039
【補正方法】変更
【補正内容】
【0039】ステップ230で、1パルス目の位相差が
基準値Aを超えない場合には、ステップ233で、UP
パルス412の1カウント目の位相差を、予め設定され
た基準値Bと比較する。この結果、位相差が基準値Bよ
りも小さい場合には、ステップ234で、UP側トラン
ジスタ4303a〜4303cをオン/オフさせること
によって電流量を変化させ、UPパルス412波形をな
まらせて滑らかにする。ステップ233では、信号切換
えが発生してから1パルス目の位相差量が基準値Bより
も小さい場合に、コントロールバイアス信号に高周波成
分が乗ってVCO309が誤動作していることになるの
で、ステップ234で、UPパルス波形をなまらせるこ
とによって高周波成分を除去する。更に、ステップ23
5でUPカウンタ502をリセットする。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0040
【補正方法】変更
【補正内容】
【0040】ステップ227では、UPパルス412が
3カウント目か否かを観測し、3パルス以上にわたって
同方向の信号である場合には、その信号のコントロール
バイアスが不足していると判定する。従って、ステップ
227で3カウント目であると判定した場合には、ステ
ップ228で、UPパルス412のパルス幅を広くして
チャージポンプ306に出力し、コントロールバイアス
信号を増大させる(ステップ229、248)。一方、
ステップ227で3カウント未満であれば、ステップ2
48に進んでVCO309を動作させ、ステップ222
に戻る。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0043
【補正方法】変更
【補正内容】
【0043】以上のように、本実施形態例では、CP駆
動能力の粗調整を起動時に行い、粗調整後の実動作中
に、基準クロック310と出力クロック311双方の位
相差を、UP/DOWNパルス数とパルス幅と信号切換
えの方向とを参照しつつ観測し、UP/DOWNパルス
をパルス幅変調する微調整を行った。これにより、具体
的には以下の効果を得ることができた。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基準周波数を有する基準クロックと前記
    基準周波数から生成される同期信号とを比較する位相比
    較回路と、該位相比較回路からの第1及び第2の位相差
    信号に応答して上昇電圧信号及び下降電圧信号を出力す
    ることによって前記同期信号の出力ノードに対する電流
    の流入及び流出を制御するチャージポンプとを備えるP
    LL回路において、 前記チャージポンプが、前記第1及び第2の位相差信号
    の夫々が各ゲートに入力される第1導電型トランジスタ
    及び第2導電型トランジスタと、前記第1及び第2導電
    型トランジスタへの電流量を夫々制御する上昇側及び下
    降側電流供給部とを備えており、 前記PLL回路は、電源が投入された起動時に、前記上
    昇側及び下降側電流供給部による前記第1及び第2導電
    型トランジスタへの各供給電流値を調整した後に、前記
    基準クロックと前記同期信号との位相差に対応して前記
    第1及び第2の位相差信号を夫々制御することを特徴と
    するPLL回路。
  2. 【請求項2】 前記第1及び第2導電型トランジスタが
    夫々、PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタから成
    り、前記上昇側電流供給部は、前記PMOSトランジスタの
    ソースに各ドレインが共通接続された複数の別のPMOSト
    ランジスタから成り、前記下降側電流供給部は、前記NM
    OSトランジスタのソースに各ドレインが共通接続された
    複数の別のNMOSトランジスタから成り、 前記供給電流値の固定処理は、前記上昇側及び下降側電
    流供給部におけるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジス
    タを選択することによって実行されることを特徴とする
    請求項1に記載のPLL回路。
  3. 【請求項3】 前記起動時に、前記同期信号の所定パル
    ス数を計測して基準値として保持してから前記第1及び
    第2の位相差信号に夫々第1及び第2の観測用パルスを
    出力し、前記第1及び第2の観測用パルスの出力後にお
    ける前記同期信号のパルス数を前記基準値の計測時と同
    じ時間で計測し、前記同期信号の前記基準値に対するパ
    ルス差に対応して、前記上昇側及び下降側電流供給部に
    おける前記別のPMOSトランジスタ及び別のNMOSトランジ
    スタの内から制御すべきトランジスタを夫々選択して、
    前記上昇側及び下降側電流供給部双方への供給電流値を
    定めることを特徴とする請求項1又は2に記載のPLL
    回路。
  4. 【請求項4】 前記上昇又は下降電圧信号における極性
    が変化してからの所定数のパルスの位相変化に基づいて
    電圧制御発振回路の動作状態を判定し、該判定に従って
    前記上昇又は下降電圧信号のパルス幅を制御することを
    特徴とする請求項1乃至3の内の何れか1項に記載のP
    LL回路。
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