JP2000207522A - Ｉｃカ―ド用基板 - Google Patents
Ｉｃカ―ド用基板Info
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- JP2000207522A JP2000207522A JP11010100A JP1010099A JP2000207522A JP 2000207522 A JP2000207522 A JP 2000207522A JP 11010100 A JP11010100 A JP 11010100A JP 1010099 A JP1010099 A JP 1010099A JP 2000207522 A JP2000207522 A JP 2000207522A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤーボンディング性と耐摩耗性の確保の
ために異質なめっき処理を必要とせず、これによって低
コスト化と品質の安定化を図ることのできるＩＣカード
用基板を提供する。 【解決手段】 ガラスエポキシ基板１と貼り合わされ、
エッチング処理によって所定のパターンにされた銅箔６
の一面を電極接続用パッド５とし、他の面をコンタクト
プローブ面３としたＩＣカード用基板において、電極接
続用パッド５とコンタクトプローブ面３にパラジウムめ
っき層９を形成する。
ために異質なめっき処理を必要とせず、これによって低
コスト化と品質の安定化を図ることのできるＩＣカード
用基板を提供する。 【解決手段】 ガラスエポキシ基板１と貼り合わされ、
エッチング処理によって所定のパターンにされた銅箔６
の一面を電極接続用パッド５とし、他の面をコンタクト
プローブ面３としたＩＣカード用基板において、電極接
続用パッド５とコンタクトプローブ面３にパラジウムめ
っき層９を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカード用基板
に関し、特に、低コストで品質的に安定したＩＣパッド
用基板に関する。
に関し、特に、低コストで品質的に安定したＩＣパッド
用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄いカード状基板にＩＣチップを内蔵さ
せたＩＣカードは、これまで多用されてきた磁気カード
に比べると、大量の情報を蓄えることが可能であり、金
融システムを始めとした広い用途に普及しつつある。
せたＩＣカードは、これまで多用されてきた磁気カード
に比べると、大量の情報を蓄えることが可能であり、金
融システムを始めとした広い用途に普及しつつある。
【０００３】ＩＣチップへのデータの書き込みおよび読
み出し手段としては２つの方式があり、１つはコンタク
トプローブ部を外部電極に接触させる接触型、もう１つ
はアンテナを介して送受信する非接触型である。
み出し手段としては２つの方式があり、１つはコンタク
トプローブ部を外部電極に接触させる接触型、もう１つ
はアンテナを介して送受信する非接触型である。
【０００４】接触型ＩＣカードは、以下のようにして組
み立てられる。まず、片面に銅箔を形成した絶縁性基板
を準備する。この基板は、基板の貫通孔から銅箔を局部
的に露出させた電極接続用パッドと、銅箔の他面側が構
成するコンタクトプローブ面を有しており、電極接続用
パッドとコンタクトプローブ面には、金めっきが施され
ている。
み立てられる。まず、片面に銅箔を形成した絶縁性基板
を準備する。この基板は、基板の貫通孔から銅箔を局部
的に露出させた電極接続用パッドと、銅箔の他面側が構
成するコンタクトプローブ面を有しており、電極接続用
パッドとコンタクトプローブ面には、金めっきが施され
ている。
【０００５】次に、この基板のダイパッドにＩＣチップ
を搭載し、チップの電極と基板の電極接続用パッド間に
ワイヤーボンディングを施した後、ＩＣチップとワイヤ
ーボンディング部の周辺を樹脂によって封止し、次い
で、この接触用モジュールをポリ塩化ビニル等のプラス
ティックフレームに嵌め込み、これによってＩＣカード
とする。
を搭載し、チップの電極と基板の電極接続用パッド間に
ワイヤーボンディングを施した後、ＩＣチップとワイヤ
ーボンディング部の周辺を樹脂によって封止し、次い
で、この接触用モジュールをポリ塩化ビニル等のプラス
ティックフレームに嵌め込み、これによってＩＣカード
とする。
【０００６】以上のＩＣカード用基板においては、電極
接続用パッドとコンタクトプローブ面に形成される金め
っき層は同質ではなく、前者には、ビッカース硬度が７
０前後で純度９９．９９％以上の軟質高純度金が使用さ
れ、後者には、硬質金が使用される。
接続用パッドとコンタクトプローブ面に形成される金め
っき層は同質ではなく、前者には、ビッカース硬度が７
０前後で純度９９．９９％以上の軟質高純度金が使用さ
れ、後者には、硬質金が使用される。
【０００７】電極接続用パッドの軟質高純度金めっき層
は、ＩＣチップとの良好なワイヤボンディング性を保証
し、一方、コンタクトプローブ面の硬質金めっき層は、
外部電極からの摩耗作用に対して耐久性を保証すること
になり、これら２つの金めっき層は別個のめっき処理に
よって形成される。
は、ＩＣチップとの良好なワイヤボンディング性を保証
し、一方、コンタクトプローブ面の硬質金めっき層は、
外部電極からの摩耗作用に対して耐久性を保証すること
になり、これら２つの金めっき層は別個のめっき処理に
よって形成される。
【０００８】めっき処理は、まず、電極接続用パッドと
コンタクトプローブ面のいずれかをマスキングした状態
で一方をめっきし、その後、めっきした側をマスキング
して他方のめっきを行うことによって進められ、これに
より、良好なワイヤボンディング性の電極接続用パッド
と優れた耐摩耗性のコンタクトプローブ面が形成され
る。
コンタクトプローブ面のいずれかをマスキングした状態
で一方をめっきし、その後、めっきした側をマスキング
して他方のめっきを行うことによって進められ、これに
より、良好なワイヤボンディング性の電極接続用パッド
と優れた耐摩耗性のコンタクトプローブ面が形成され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＩＣカ
ード用基板によると、マスキングを使用しての２種類の
金めっき処理が不可欠のため、製造が複雑になって手間
が掛かり、コストが高くなるという問題がある。
ード用基板によると、マスキングを使用しての２種類の
金めっき処理が不可欠のため、製造が複雑になって手間
が掛かり、コストが高くなるという問題がある。
【００１０】また、通常、この種基板の製造において
は、効率確保のために長尺の基板が使用され、２つの金
めっき処理が連続するライン構成となるが、前のめっき
液から持ち込まれるめっき液が、後ろのめっき液を汚染
するようになり、時間の進行とともに金めっき層に変質
を招くことがある。
は、効率確保のために長尺の基板が使用され、２つの金
めっき処理が連続するライン構成となるが、前のめっき
液から持ち込まれるめっき液が、後ろのめっき液を汚染
するようになり、時間の進行とともに金めっき層に変質
を招くことがある。
【００１１】このため、良好なＩＣカード用基板を得る
ためには、めっき液の管理が重要となり、これが不適切
な場合、軟質高純度金めっき層によるワイヤーボンディ
ング性、あるいは硬質金めっき層による耐摩耗性に悪影
響を及ぼすことがあり、さらには、金めっきの選定ミス
による不良品発生の可能性もある。
ためには、めっき液の管理が重要となり、これが不適切
な場合、軟質高純度金めっき層によるワイヤーボンディ
ング性、あるいは硬質金めっき層による耐摩耗性に悪影
響を及ぼすことがあり、さらには、金めっきの選定ミス
による不良品発生の可能性もある。
【００１２】従って、本発明の目的は、ワイヤボンディ
ング性と耐摩耗性確保のために異質なめっき処理を必要
とせず、これによって低コスト化と品質の安定化を図る
ことのできるＩＣカード用基板を提供することにある。
ング性と耐摩耗性確保のために異質なめっき処理を必要
とせず、これによって低コスト化と品質の安定化を図る
ことのできるＩＣカード用基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、絶縁性基板の片面に所定のパターンで形
成された導電層の一面を半導体チップの電極と接続され
る電極接続用パッドとし、前記導電層の他の面をコンタ
クトプローブ面とするＩＣカード用基板において、前記
導電層の前記一面と前記他の面にパラジウムめっき層を
形成したことを特徴とするＩＣカード用基板を提供する
ものである。
達成するため、絶縁性基板の片面に所定のパターンで形
成された導電層の一面を半導体チップの電極と接続され
る電極接続用パッドとし、前記導電層の他の面をコンタ
クトプローブ面とするＩＣカード用基板において、前記
導電層の前記一面と前記他の面にパラジウムめっき層を
形成したことを特徴とするＩＣカード用基板を提供する
ものである。
【００１４】上記の基板としては、ガラス繊維を補強材
として含んだエポキシ樹脂、あるいはポリエステル樹脂
等が使用され、導電層としては銅箔、あるいは銅合金箔
等が使用される。
として含んだエポキシ樹脂、あるいはポリエステル樹脂
等が使用され、導電層としては銅箔、あるいは銅合金箔
等が使用される。
【００１５】パラジウムめっき層の表面に、金めっき層
を形成することは実際的である。金めっき層の存在が、
金に比べて高級感に劣るパラジウムの銀色を隠すことに
なり、従って、従来のＩＣカードと同様の高級感を保持
することができる。
を形成することは実際的である。金めっき層の存在が、
金に比べて高級感に劣るパラジウムの銀色を隠すことに
なり、従って、従来のＩＣカードと同様の高級感を保持
することができる。
【００１６】金めっき層の構成材としては、パラジウム
めっき層の有する良好なワイヤーボンディング性に配慮
して、軟質高純度金を使用することが望ましい。また、
金めっき層の形成は、ＩＣカード組み立て時における熱
酸化作用からパラジウムめっき層を保護する効果があ
り、ワイヤボンディング性を維持するためにも好ましい
実施形態と言える。
めっき層の有する良好なワイヤーボンディング性に配慮
して、軟質高純度金を使用することが望ましい。また、
金めっき層の形成は、ＩＣカード組み立て時における熱
酸化作用からパラジウムめっき層を保護する効果があ
り、ワイヤボンディング性を維持するためにも好ましい
実施形態と言える。
【００１７】なお、その色合によって高級感を与えるこ
の金めっき層が、カードの使用とともに摩耗することは
差し支えない。金めっき層に求められるのは、カード入
手時における高級感の保持であり、カードを使い込む中
での摩耗の進行は許されることである。
の金めっき層が、カードの使用とともに摩耗することは
差し支えない。金めっき層に求められるのは、カード入
手時における高級感の保持であり、カードを使い込む中
での摩耗の進行は許されることである。
【００１８】金めっき層の厚さは、０．０２〜０．１μ
ｍの範囲内にあることが好ましい。０．０２μｍよりも
薄くなると金の色合いが不充分になり、逆に、０．１μ
ｍを上廻ると、基板のコストを許容範囲を超えて高くす
るので好ましくない。
ｍの範囲内にあることが好ましい。０．０２μｍよりも
薄くなると金の色合いが不充分になり、逆に、０．１μ
ｍを上廻ると、基板のコストを許容範囲を超えて高くす
るので好ましくない。
【００１９】パラジウムめっき層の厚さは０．１μｍ程
度で充分である。硬い物質であるので、厚付けのめっき
形成は避けるべきである。パラジウムめっき層と電極接
続用パッドおよびコンタクトプローブ面との間にニッケ
ルめっき層を介在させることは好ましく、多くの実施形
態において採用される。
度で充分である。硬い物質であるので、厚付けのめっき
形成は避けるべきである。パラジウムめっき層と電極接
続用パッドおよびコンタクトプローブ面との間にニッケ
ルめっき層を介在させることは好ましく、多くの実施形
態において採用される。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるＩＣカード用
基板の実施の形態について説明する。図１（ａ）におい
て、１はリールから送り出された３５ｍｍ幅のＦＲ−４
グレードのガラスエポキシ樹脂から構成される長尺の基
板、２はガラスエポキシ基板１を位置決めして搬送する
ために形成されたスプロケットホール、３はガラスエポ
キシ基板１に形成されたコンタクトプローブ面を示す。
基板の実施の形態について説明する。図１（ａ）におい
て、１はリールから送り出された３５ｍｍ幅のＦＲ−４
グレードのガラスエポキシ樹脂から構成される長尺の基
板、２はガラスエポキシ基板１を位置決めして搬送する
ために形成されたスプロケットホール、３はガラスエポ
キシ基板１に形成されたコンタクトプローブ面を示す。
【００２１】コンタクトプローブ面３は、厚さ２５μｍ
の銅箔を接着剤を使用してガラスエポキシ基板１に貼り
合わせ、次いで、これにフォトレジストを薄く塗布した
後、露光、現像、および湿式エッチングを施すことによ
って形成された複数の分割片３′の集合体から構成され
る。
の銅箔を接着剤を使用してガラスエポキシ基板１に貼り
合わせ、次いで、これにフォトレジストを薄く塗布した
後、露光、現像、および湿式エッチングを施すことによ
って形成された複数の分割片３′の集合体から構成され
る。
【００２２】図１（ｂ）は、図１（ａ）の裏面図を示し
たもので、ＩＣチップ搭載のためのダイパッド４と電極
接続用パッド５が所定の位置関係のもとに配列されてい
る。図１（ｃ）は、銅箔６の一面によって構成される電
極接続用パッド５と銅箔６の他の面によって構成される
コンタクトプローブ面３の相互関係を拡大して示したも
ので、電極接続用パッド５は、ガラスエポキシ基板１の
貫通孔７に露出させた銅箔６の分割片３′の各裏面によ
って構成されている。
たもので、ＩＣチップ搭載のためのダイパッド４と電極
接続用パッド５が所定の位置関係のもとに配列されてい
る。図１（ｃ）は、銅箔６の一面によって構成される電
極接続用パッド５と銅箔６の他の面によって構成される
コンタクトプローブ面３の相互関係を拡大して示したも
ので、電極接続用パッド５は、ガラスエポキシ基板１の
貫通孔７に露出させた銅箔６の分割片３′の各裏面によ
って構成されている。
【００２３】コンタクトプローブ面３と電極接続用パッ
ド５の表面には、厚さ約１μｍのニッケルめっき層８
と、厚さ約０．１μｍのパラジウムめっき層９と、厚さ
０．０５μｍの軟質高純度金めっき層１０が順に形成さ
れている。図１（ｂ）の１１は、ダイパッド４と電極接
続用パッド５を除いた部分にコーティングされたポリイ
ミド樹脂を示す。
ド５の表面には、厚さ約１μｍのニッケルめっき層８
と、厚さ約０．１μｍのパラジウムめっき層９と、厚さ
０．０５μｍの軟質高純度金めっき層１０が順に形成さ
れている。図１（ｂ）の１１は、ダイパッド４と電極接
続用パッド５を除いた部分にコーティングされたポリイ
ミド樹脂を示す。
【００２４】図２（ａ）は、以上のＩＣカード用基板を
使用して組み立てられたＩＣカード２０の一部断面構造
を示したもので、１２はガラスエポキシ基板１のダイパ
ッド４（図示省略）に搭載されたＩＣチップ、１３はＩ
Ｃチップ１２の電極と基板１の電極接続用パッド５（図
示省略）を接続したボンディングワイヤー、１４はＩＣ
チップ１２とボンディングワイヤー１３の周囲に形成さ
れた樹脂封止部を示す。図２（ｂ）は、図２（ａ）の平
面図を示し、コンタクトプローブ面３が、外部電極との
接触のために露出している。
使用して組み立てられたＩＣカード２０の一部断面構造
を示したもので、１２はガラスエポキシ基板１のダイパ
ッド４（図示省略）に搭載されたＩＣチップ、１３はＩ
Ｃチップ１２の電極と基板１の電極接続用パッド５（図
示省略）を接続したボンディングワイヤー、１４はＩＣ
チップ１２とボンディングワイヤー１３の周囲に形成さ
れた樹脂封止部を示す。図２（ｂ）は、図２（ａ）の平
面図を示し、コンタクトプローブ面３が、外部電極との
接触のために露出している。
【００２５】図１（ｃ）の構造において、金めっき層１
０を形成したＩＣカード用基板と金めっき層１０を形成
しないＩＣカード用基板をそれぞれ準備し、これらに搭
載したＩＣチップの電極と電極接続用パッド５のワイヤ
ボンディングを実施したところ、互いに遜色がなく、パ
ラジウムめっき層の良好なワイヤボンディング性が確認
された。
０を形成したＩＣカード用基板と金めっき層１０を形成
しないＩＣカード用基板をそれぞれ準備し、これらに搭
載したＩＣチップの電極と電極接続用パッド５のワイヤ
ボンディングを実施したところ、互いに遜色がなく、パ
ラジウムめっき層の良好なワイヤボンディング性が確認
された。
【００２６】また、図１のＩＣカード用基板と従来のＩ
Ｃカード用基板を使用したＩＣカードを対象に、機器へ
の脱着を想定した耐摩耗試験を実施した結果、両者の間
に差はなく、コンタクトプローブ面３の充分な耐摩耗性
が確認された。なお、試験後にコンタクトプローブ面３
を観察したところ、金めっき層１０は消失していた。
Ｃカード用基板を使用したＩＣカードを対象に、機器へ
の脱着を想定した耐摩耗試験を実施した結果、両者の間
に差はなく、コンタクトプローブ面３の充分な耐摩耗性
が確認された。なお、試験後にコンタクトプローブ面３
を観察したところ、金めっき層１０は消失していた。
【００２７】以上の実施形態においては、コンタクトプ
ローブ面３と電極接続用パッド５に形成されるめっき層
は、いずれも同一のめっき材であり、従って、これを製
造するのに、マスキングを要するような複雑なめっき処
理を一切必要としない。
ローブ面３と電極接続用パッド５に形成されるめっき層
は、いずれも同一のめっき材であり、従って、これを製
造するのに、マスキングを要するような複雑なめっき処
理を一切必要としない。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明によるＩＣカード
用基板によれば、電極接続用パッドとコンタクトプロー
ブ面にパラジウムめっき層を形成することによって、電
極接続用パッドに必要なワイヤーボンディング性とコン
タクトプローブ面に必要な耐摩耗性を同時に確保するこ
とができ、従って、従来のように異質のめっき処理から
くる作業の複雑化と品質上の問題が発生しないため、低
コストで品質の安定したＩＣカード用基板を提供するこ
とができる。
用基板によれば、電極接続用パッドとコンタクトプロー
ブ面にパラジウムめっき層を形成することによって、電
極接続用パッドに必要なワイヤーボンディング性とコン
タクトプローブ面に必要な耐摩耗性を同時に確保するこ
とができ、従って、従来のように異質のめっき処理から
くる作業の複雑化と品質上の問題が発生しないため、低
コストで品質の安定したＩＣカード用基板を提供するこ
とができる。
【図１】本発明によるＩＣカード用基板の実施の形態を
示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は裏面図、
（ｃ）は電極パッドとコンタクトプローブの関係を示す
拡大断面図である。
示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は裏面図、
（ｃ）は電極パッドとコンタクトプローブの関係を示す
拡大断面図である。
【図２】本発明によるＩＣカード用基板を使用して組み
立てられたＩＣカードを示す説明図であり、（ａ）は正
面の一部断面図、（ｂ）は平面図である。
立てられたＩＣカードを示す説明図であり、（ａ）は正
面の一部断面図、（ｂ）は平面図である。
１ ガラスエポキシ基板 ２ スプロケットホール ３ コンタクトプローブ面 ３′ 分割片 ４ ダイパッド ５ 電極接続用パッド ６ 銅箔 ７ 貫通孔 ８ ニッケルめっき層 ９ パラジウムめっき層 １０ 金めっき層 １２ ＩＣチップ １３ ボンディングワイヤー １４ 樹脂封止部 ２０ ＩＣカード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 BB33 BB35 BB38 CC06 DD04 DD06 DD19 DD20 DD21 DD54 GG02 GG20 5B035 AA00 AA07 BA03 BA05 CA01 CA02 CA08
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁性基板の片面に所定のパターンで形成
された導電層の一面を半導体チップの電極と接続される
電極接続用パッドとし、前記導電層の他の面をコンタク
トプローブ面とするＩＣカード用基板において、 前記導電層の前記一面と前記他の面にパラジウムめっき
層を形成したことを特徴とするＩＣカード用基板。 - 【請求項２】前記パラジウムめっき層は、その表面に軟
質高純度金のめっき層を有することを特徴とする請求項
第１項記載のＩＣカード用基板。 - 【請求項３】前記軟質高純度金のめっき層は、０．０２
〜０．１μｍの厚さを有することを特徴とする請求項第
２項記載のＩＣカード用基板。 - 【請求項４】前記パラジウムめっき層は、前記導電層の
前記一面と前記他の面の間にニッケルめっき層を介在さ
せて形成されることを特徴とする請求項第１項記載のＩ
Ｃカード用基板。 - 【請求項５】前記電極接続用パッドは、前記基板に形成
された貫通孔を介して前記基板に搭載される前記半導体
チップの電極と接続される構成を有することを特徴とす
る請求項第１項記載のＩＣカード用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11010100A JP2000207522A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | Ｉｃカ―ド用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11010100A JP2000207522A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | Ｉｃカ―ド用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000207522A true JP2000207522A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11740913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11010100A Pending JP2000207522A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | Ｉｃカ―ド用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000207522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9282636B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-03-08 | Johnson Electric S.A. | Contact pad carrier strip and method for making same |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP11010100A patent/JP2000207522A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9282636B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-03-08 | Johnson Electric S.A. | Contact pad carrier strip and method for making same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |