JP2000205992A - 半導体製造装置のリ―クチェック方法と半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置のリ―クチェック方法と半導体製造装置

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JP2000205992A
JP2000205992A JP151899A JP151899A JP2000205992A JP 2000205992 A JP2000205992 A JP 2000205992A JP 151899 A JP151899 A JP 151899A JP 151899 A JP151899 A JP 151899A JP 2000205992 A JP2000205992 A JP 2000205992A
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JP
Japan
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processing chamber
pressure
leak
chamber
vacuum
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Pending
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JP151899A
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English (en)
Inventor
Shigeo Yamanaka
滋夫 山中
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理室と真空予備室の間の開閉ゲートのリー
クを確認できるリークチェック方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 処理室を減圧してリークチェック中に
(ステップS12)で真空予備室の真空と排気を実行
し、(ステップS13)で規定期間中に前記処理室の圧
力が監視圧力にまで上昇しない状態を検出すると処理室
のリークなしと判定し、(ステップS13)で規定期間
中に前記処理室の圧力が監視圧力にまで上昇した状態を
検出して前記開閉ゲートの不良と判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
リーク原因を調べる方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置において、処理室の圧力
をチェックする方法として、処理室の排気後、圧力上昇
を監視する方法がとられている。
【0003】図5は従来の半導体製造装置を上方から見
た概略を示している。
【0004】プロセス処理を行う処理室1は、大気圧状
態と真空状態を切り替えて外部から処理室1へウエハを
搬送する真空予備室2に隣接しており、処理室1と真空
予備室2の間には真空予備室2の側に開く構造の開閉ゲ
ート3が設けられている。
【0005】4は大気側で処理するウエハを準備するウ
エハ移載部、5はそのウエハ移載部4と真空予備室2の
間の開閉ゲートである。
【0006】6は処理室1から真空ポンプ6aを用いて
排気する排気ライン、7は窒素ガス7aを用いて大気圧
ヘパージするパージラインである。8は真空予備室2か
ら真空ポンプ8aを用いて排気する排気ライン、9は窒
素ガス9aを用いて大気圧ヘパージするパージラインで
ある。
【0007】処理室1のリークチェックを行う場合は、
従来では図6に示すように処理されている。
【0008】まず、(ステップS1)で、処理室1を処
理室排気ライン6から排気する時間T1、排気を止め監
視する時間T2、監視時間中に超えるとエラーとする監
視圧力P1を、それぞれ内部のマイクロコンピュータに
入力する。
【0009】(ステップS2)では、処理室1の排気を
開始し、(ステップS2)から時間T1の経過を検出し
て(ステップS3)で排気を止める。
【0010】(ステップS4)では処理室1の現在の取
込圧力P2が監視圧力P1以上かどうか判定する。現在
の取込圧力P2が監視圧力P1を超えていれば、(ステ
ップS5)でリークが発生していると判断して終了す
る。監視圧力P1を超えていなければ、(ステップS
6)で現在の時間T2が監視時間T1を経過したかどう
か判定し、監視時間T2を経過していなければ(ステッ
プS4)(ステップS6)を繰り返し実行して、監視時
間T1の経過を検出した場合には、(ステップS7)で
リークがないものと判断して終了する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方法では、リーク発生の判定があっても、リ
ークの原因がどこにあるか特定できないという欠点を有
している。
【0012】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、リークの原因が開閉ゲート間のリークによるもので
あることを簡単に判定できる装置を提供することを目的
とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のリークチェック
方法は、処理室のリークチェック時の監視状態中に真空
予備室の排気/パージを実行して判定することを特徴と
する。
【0014】この本発明の構成によると、真空予備室か
ら処理室にリークし、処理室の圧力が安定せず、監視圧
力を超えてしまうことで、開閉ゲート間にリークが発生
したことを簡単に判定できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリークチェック方
法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。なお、半
導体製造装置の機械的な構造は図5に示した従来例と同
じであるため、同一の符号を付けて説明する。
【0016】(実施の形態1)本発明のリークチェック
方法を実現する機能を備えた半導体製造装置の制御部
は、マイクロコンピュータを要部として構成されてお
り、図1〜図3に示すように構成されている。
【0017】まず、(ステップS1)では、処理室1を
排気ラインから排気する時間T3と、排気を止め監視す
る時間T4と、監視時間中に超えるとエラーとする監視
圧力P3とをそれぞれ内部のマイクロコンピュータに入
力する。
【0018】(ステップS2)では、真空予備室2の排
気時間T5と、真空予備室2のパージ時間T6と、その
排気とパージを繰り返す回数C1も同様に入力する。
【0019】(ステップS3)では、はじめに、現在の
処理回数C2を0にし、排気中フラグF1、排気/パー
ジフラグF2をクリアする。
【0020】(ステップS4)では、処理室1の排気を
開始して、(ステップS4)から排気時間T3の経過を
(ステップS5)で検出すると処理室1の排気を終了す
る。
【0021】その後、監視圧力の判定をする前に、以下
の動作を行う。
【0022】(ステップS6)では、真空予備室の排気
/パージの動作中であるか排気/パージ動作中フラグF
1で判定する。この(ステップS6)でフラグF1がオ
ン(動作停止)されていると判定された場合は、図3に
示す(ステップS16)を実行する。(ステップS6)
でフラグF1がオフ(動作中)されていると判定された
場合は、図2に示す(ステップS7)を実行する。
【0023】(ステップS7)では、真空予備室2を排
気中かどうか排気フラグF2で判定する。(ステップS
7)でフラグF2がオフ(排気中でない)と判定された
場合は、(ステップS12)を実行する。
【0024】(ステップS7)でフラグF2がオン(排
気中)と判定された場合は、(ステップS8)で真空予
備室のパージを止め排気し、(ステップS9)では(ス
テップS8)から排気時間T5を経過したかどうか判定
する。
【0025】(ステップS9)において排気時間T5が
経過したと判定された場合には(ステップS12)に移
る。(ステップS9)において排気時間T5が経過して
いないと判定された場合には、(ステップS10)を実
行する。
【0026】(ステップS10)では、現在の回数C2
が設定回数C1を超えたかどうか判定する。(ステップ
S10)で回数C1を超えたと判定した場合は、(ステ
ップS11)を実行して排気/パージ動作中フラグF1
をオンし、排気/パージ処理を中止する。
【0027】(ステップS10)で回数C1を超えてい
ないと判定した場合は、(ステップS16)を実行す
る。
【0028】(ステップS7)でフラグF2がオフ(排
気中でない)と判定された場合と、(ステップS9)に
おいて排気時間T5が経過したと判定された場合に実行
される(ステップS12)では、真空予備室2の排気を
止め、N2をパージする処理を開始する。(ステップS
13)では、(ステップS12)で処理を開始してから
設定したパージ時間T6を超えているかどうか判定す
る。
【0029】(ステップS13)において、パージ時間
T6を超えていないと判定された場合には、(ステップ
S14)を実行して排気のフラグF2をクリアし、(ス
テップS16)を実行する。
【0030】(ステップS13)において、パージ時間
T6を超えていると判定された場合には、(ステップS
15)を実行して排気のフラグF2をオンし、回数C2
を1回カウントして(ステップS16)を実行する。
【0031】処理室の監視は以下の動作を行う。
【0032】(ステップS16)では、処理室1の現在
の取込圧力P4が、監視圧力P3を超えたかどうか判定
する。(ステップS16)で取込圧力P4が監視圧力P
3を超えたと判定された場合には、(ステップS17)
を実行して処理室1にリークが発生しているものと判定
し処理終了する。
【0033】(ステップS16)で取込圧力P4が監視
圧力P3を超えていないと判定された場合には、(ステ
ップS18)を実行して監視時間T4が経過しているか
どうか判定する。
【0034】(ステップS18)において、監視時間T
4が経過していると判定された場合には、(ステップS
19)を実行してリークはないと判定し終了する。
【0035】(ステップS18)において、監視時間T
4が経過していないと判定された場合には、図1に示す
(ステップS6)へ処理を戻して真空予備室2の排気/
パージの動作判定を実行する。これを繰り返す間に開閉
ゲート間にリークがあれば、処理室1の圧力が上昇し、
(ステップS17)でエラーと判定される。
【0036】このように、処理室1のリークチェックに
おいて、真空予備室2の排気/パージを繰り返す動作を
設けることにより、処理室1と真空予備室2間の開閉ゲ
ート3でのリークをチェックすることができる。
【0037】この構成によって、処理室−真空予備室間
の開閉ゲート間にリークが発生していることを報知する
ことができる。
【0038】この(実施の形態1)では、処理室1のリ
ークチェックにおいて真空予備室2の排気/パージを繰
り返すことによって、非常に信頼性の高いリークチェッ
クを実現できたが、処理室1のリークチェックにおいて
真空予備室2の排気/パージを1回実施するだけでも、
従来に比べてよって信頼性の高いリークチェックを実現
できる。
【0039】(実施の形態2)図4は(実施の形態2)
を示す。
【0040】(実施の形態1)では処理室1のリークチ
ェックにおいて真空予備室2の排気/パージを実施した
が、この(実施の形態2)では真空予備室2の排気/パ
ージを実施せずに一定の圧力に調圧する動作に変えた点
が異なっている。
【0041】まず、(ステップS1)では(実施の形態
1)と同様に、処理室を排気ラインから排気する時間T
5、排気を止め監視する時間T6、監視時間中に超える
とエラーとする監視圧力P5をそれぞれ入力する。
【0042】(ステップS2)では真空予備室の圧力P
6を設定する。
【0043】(ステップS3)では処理室を排気時間T
5だけ排気し、(ステップS4)で処理室の排気を止め
る。
【0044】(ステップS5)では真空予備室の圧力を
あらかじめ設定されたP6に調圧する。
【0045】(ステップS6)では、処理室の現在の取
込圧力P7が監視圧力P5を超えたかどうか判定する。
超えた場合は、(ステップS7)でリークが発生してい
るものと判定し終了する。超えていない場合は(ステッ
プS8)で監視時間T6が経過しているかどうか判定し
終了する。
【0046】(ステップS8)で監視時間T6が経過し
たと判定されるまで(ステップS7)(ステップS8)
が繰り返し実行され、開閉ゲート間にリークがあれば、
処理室の圧力が上昇し、(ステップS6)でエラーと判
定される。
【0047】(ステップS8)で監視時間T6が経過し
たと判定されると、(ステップS9)でリークが発生し
ていないと判定する。
【0048】このように処理室のリークチェックにおい
て、真空予備室を一定の圧力にすることにより、処理室
−真空予備室間の開閉ゲートでのリークをチェックする
ことができる。
【0049】
【発明の効果】以上のように本発明のリークチェック方
法によれば、処理室のリークチェック時の監視状態中に
真空予備室の排気/パージを実行して判定するので、開
閉ゲート間にリークが発生したことを簡単に判定できる
ものである。
【0050】また、処理室のリークチェック時の監視状
態中に真空予備室の排気/パージを繰り返し実行して判
定するので、開閉ゲートのリークの有無をより正確に判
定できる。
【0051】また、処理室のリークチェック時の監視状
態中に真空予備室の排気/パージを実行せずに、処理室
を減圧してリークチェック中に真空予備室の内部圧力を
一定の圧力にすることによっても、開閉ゲートのリーク
の有無を判定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のリークチェック方法を実現する半導体
製造装置の(実施の形態1)の処理工程の前半部のフロ
ーチャート図
【図2】本発明のリークチェック方法を実現する半導体
製造装置の(実施の形態1)の処理工程の中段部のフロ
ーチャート図
【図3】本発明のリークチェック方法を実現する半導体
製造装置の(実施の形態1)の処理工程の後半部のフロ
ーチャート図
【図4】本発明の(実施の形態2)リークチェック方法
のフローチャート図
【図5】半導体製造装置の概略構成図
【図6】従来のリークチェック方法のフローチャート図
【符号の説明】
1 処理室 2 真空予備室 3 開閉ゲート 4 ウエハ移載部 5 開閉ゲート 6 処理室排気ライン 7 処理室パージライン 8 真空予備室排気ライン 9 真空予備室パージライン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体のプロセス処理を行う処理室を減圧
    してリークチェックするに際し、 処理室を減圧してリークチェック中に真空予備室の真空
    と排気を実行し、 規定期間中に前記処理室の圧力が監視圧力にまで上昇し
    ない状態を検出して処理室のリークなしと判定し、 規定期間中に前記処理室の圧力が監視圧力にまで上昇し
    た状態を検出して前記開閉ゲートの不良と判定するリー
    クチェック方法。
  2. 【請求項2】処理室を減圧してリークチェック中に真空
    予備室の真空と排気を繰り返し実行する請求項1記載の
    リークチェック方法。
  3. 【請求項3】半導体のプロセス処理を行う処理室と、大
    気圧状態と真空状態を切り替えて外部から前記処理室へ
    ウエハを搬送する真空予備室とを、開閉ゲートを介して
    接続した半導体製造装置において、前記処理室を減圧し
    てリークチェックするに際し、 処理室を減圧してリークチェック中に真空予備室の内部
    圧力を一定の圧力にし、 規定期間中に前記処理室の圧力が監視圧力にまで上昇し
    ない状態を検出して処理室のリークなしと判定し、 規定期間中に前記処理室の圧力が監視圧力にまで上昇し
    た状態を検出して前記開閉ゲートの不良と判定するリー
    クチェック方法。
JP151899A 1999-01-07 1999-01-07 半導体製造装置のリ―クチェック方法と半導体製造装置 Pending JP2000205992A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007022067A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Brooks Automation, Inc. System and method for electronic diagnostics of a process vacuum environment
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