JP2000203825A - 純粋な炭化タングステン粉末を製造するための気体浸炭方法 - Google Patents

純粋な炭化タングステン粉末を製造するための気体浸炭方法

Info

Publication number
JP2000203825A
JP2000203825A JP11367949A JP36794999A JP2000203825A JP 2000203825 A JP2000203825 A JP 2000203825A JP 11367949 A JP11367949 A JP 11367949A JP 36794999 A JP36794999 A JP 36794999A JP 2000203825 A JP2000203825 A JP 2000203825A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
powder
carburized
tungsten
particle size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11367949A
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Dr Lackner
ラックナー アンドレアス
Andreas Filzwieser
フィルツウィーザー アンドレアス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plansee Tizit AG
Original Assignee
Plansee Tizit AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plansee Tizit AG filed Critical Plansee Tizit AG
Publication of JP2000203825A publication Critical patent/JP2000203825A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/949Tungsten or molybdenum carbides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微粒状のサブミクロン硬質合金に加工するこ
とのできる、流動床反応法で工業規模で極めて経済的に
純粋なWC粉末を製造する気体浸炭法を提供する。 【解決手段】 10μm以上の平均粒度d50を持ち、
浸炭される物質として用い られる粒状化されていない
溶融性のタングステン又は酸化タングステンの粉末と、
COX/H2ガス混合物(X=1及び/又は2)又は炭
化水素ガス及びH2(場 合によっては少量のH2O蒸
気を含む)から成る混合物の形の炭素含有プロセス ガ
スから出発し、流動床反応用装置内で遊離炭素含有量
0.1重量%以下で浸炭率96%以上を有する、X線回
折(XRD)分析で証明可能の異相を持たない、 平均
一次粒度0.2μm以上、5μm以下の微粒状WC粉末を
製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、10μm以上の平
均粒度d50を持ち、浸炭される物質として用いら れ
る粒状化されていない溶融性のタングステン又は酸化タ
ングステンの粉末と、COX/H2ガス混合物(X=1
及び/又は2)又は炭化水素ガス及びH2(場合 によ
っては少量のH2O蒸気を含む)から成る混合物の形の
炭素含有プロセスガ スとから出発し、流動床反応用装
置内、有利には流動層装置内で遊離炭素含有量0.1重
量%以下で浸炭率96%以上を有する、X線回折(XR
D)分析で証明 可能な異相を持たない、平均一次粒度
0.2μm以上、5μm以下の微粒状WC粉末を製造する
ための気体浸炭法に関する。
【0002】
【従来の技術】炭化タングステン粉末は、工業用硬質合
金の製造の端緒から変わることのない重要な出発物質で
ある。その製造には、数十年来酸化タングステン粉末又
は酸化タングステン含有化合物の粉末を舟型容器に満た
し、還元雰囲気下に10時間以上かけてタングステン粉
末に還元し、引続きこのタングステン粉末を炭素粉末と
混合し、再び舟形容器に満たし、複数時間継続するプロ
セス中に、タングステン粒子中への炭素の拡散により反
応させて炭化タングステンとする。酸化物の還元により
得られるタングステン金属用の技術的に使用可能な粒度
に相応して、数μmの下限粒度を有する炭化タングステ
ン粉末が製造される。
【0003】過去20年を経て改良された硬質合金の品
質への更なる開発及びいわゆるサブミクロンの炭化タン
グステン粉末の品質に対する要求が高められて、炭素の
拡散を介しての浸炭の他に、付加的に気体浸炭法が重要
性を増してきている。その名の通り後者の方法では、気
相を介してタングステン表面に運ばれる炭素によりタン
グステンの浸炭が行われる。タングステンの浸炭を、タ
ングステン粉末に付加される固体の炭素を介して行う方
法も、また炭素含有ガスを介して行う方法も公知であ
る。気相反応の使用により、プロセス時間の著しい低減
と、プロセスの制御の簡略化が期待でき、とりわけ気相
の制御及びドーピングを介して、遊離炭素の好ましくな
いの析出を熱力学的に制御できるものと思われるからで
ある。その他にプロセス温度に応じて、拡散プロセスの
際の長いプロセス時間による既に形成されたWC中の避
けられない粗粒化を回避するか、又は受容可能な限度内
に保つことが期待できる。気体浸炭法は流動床内、通常
は回転管炉内又は流動層室内で行われる。適切な装置
は、浸炭される物質に対し連続的に、あるいはそれぞれ
所定の充填量で間断なく作動する。
【0004】粗粒状の緊密な炭化タングステン粉末は技
術的に粉砕不可能であり、つまり粒度1μm以下の粉
末、いわゆるサブミクロン粉末に粉砕することはできな
い。従ってサブミクロンの出発粉末を浸炭される物質に
使用することに関して、気体浸炭プロセスを介してサブ
ミクロンの炭化タングステンを得ることが適当と思われ
る。
【0005】しかし実際に上記の考え方に転換する場合
に、この工程の実施に関する種々の提案の大多数を無効
にする難点が生じる。
【0006】サブミクロンもしくはナノ結晶の炭化タン
グステン粉末もしくはWC−Co粉末を気体浸炭法によ
り製造するための改良方法の中で、とりわけ2つの方法
が実証されており、以下に米国特許第5372797号
並びに欧州特許第0598040号明細書に基づき詳述
する。
【0007】米国特許第5372797号明細書には、
粒子の大きさが50〜200nmの炭化タングステンの
製造方法が記載されている。それによると固体のタング
ステンを含む出発材料を、水素と分子状メタンを含む流
動性ガス雰囲気中で「実際に全てのタングステン前駆体
が、WCに変換されるまで反応させる」。この反応は2
つの処理工程で、即ち第1の工程で520℃〜約550
℃までの温度で行われ、第2の工程で、1分当たり3℃
〜10℃の昇温率で、約800℃から約900℃までの
温度で行われる。その際に生じる水の温度上昇及び分圧
は、「上記の粉末粒度が形成される」ようにコントロー
ルされる。その主請求項によれば、粒子の大きさ50〜
200nmの炭化タングステンの少なくとも50%を、
第2の処理工程中に少なくとも15分の反応時間で形成
することができる。こうして形成された炭化タングステ
ンは1〜10m2/gのBET表面積を有しており、タ
ングステン含有出発材料が0.01〜0.09m2/g
のBET表面積を有しており、これは同時に平均粒度約
10〜30μmのものが市販の「GTETO3」炭化タ
ングステン粉末として記載されている。その実施例1に
よれば、反応ガスは3%の分子状メタンと97%の分子
状水素から成る。第1の部分反応は20℃/分の昇温率
で535℃のプロセス温度に昇温して行われ、第2の反
応は5℃/分の昇温率に制御して、90分間850℃に
維持されるプロセス温度で行われる。個々の有利な実施
例により、このプロセスは、浸炭される物質を水平管炉
内に通して行われる。
【0008】このプロセス全体は、その部分プロセス内
において浸炭される物質の、重量の変化の精確な監視を
介して制御される。タングステン粉末への還元工程に引
続く次の部分プロセス中に、WCが形成されないうちに
W2C(例1参照)への十分完全な変換が行われる。
【0009】米国特許第5372797号明細書の実施
例2によれば、炭化タングステン最終産物は、全炭素含
有率6.13重量%を有しており、この粉末のBET表
面積は4.0m2/gと測定されている。ここに記載の
方法では、相応する実験が熱平衡凝集体中のみで、又は
例外的な場合20gまでの充填量の反応量でミニ実験炉
内で行われ、臨界プロセスパラメータの十分な制御に欠
けるため、商業上の製造基準に委ねることができないと
言う欠点がある。そこに規定されている、極めて複雑な
処理操作、特に浸炭される物質の領域のH2O分圧に相
関する精確な温度操作は、経済的に見て工業上の炭化タ
ングステンを製造するための設備に委ねることができ
ず、通常の工業設備内で浸炭される物質の通例の堆積で
技術的に行えるものではない。このプロセスにより製造
されるWC粉末は、常にXRD撮影で証明される不所望
なW2C粉末分及び全ての規定で好ましくない遊離炭素
を含 んでいる。
【0010】欧州特許第0598040号明細書には、
ナノ相の金属/炭化金属粒子、例えばWC−Co粉末を
製造する炭素熱反応プロセスが記載されている。この方
法の全体は3つの工程に分けられており、その際第1の
工程により炭化水素を浸透するための基板の作用をする
多孔性の前駆体粒子が準備される。第2の工程で炭素源
の作用をするガスから炭素を1.0以上の炭素活性度a
cで多孔性の前駆体粒子内に浸透させ、最後の工程で同
時に炭素と、炭素源の作用をするガスとが、少なくとも
1つの炭化相を形成し、残留する置換されなかった炭素
を、炭素と再び一体化できる第2のガスで気化すること
により除去して、前駆体粉末粒子と反応させる。多孔性
の前駆体粒子は、この明細書によれば、経費を要する湿
式反応中にH2WO4又はアンモニウム−パラタングス
テン酸塩のような公知の酸化タングステン前駆体物質か
ら化学的分解及び噴霧乾燥を介して製造される。Co
(EN)3WO4又はAMT−Co−Cl2もこのよう
な前駆体のAMTである(AMT =高価なアンモニウ
ム−メタタングステン酸塩の短縮形)。この浸炭反応は
流動床で行われると有利である。プロセス温度としては
700〜850℃が挙げられる。WC反応用プロセスガ
スとしてはCOガスが使用され、これは自動的に1以上
の炭素活性度acを表す。生じた未反応の遊離炭素を本
来のWC浸炭プロセス により反応帯域から除去するた
めに、プロセス雰囲気を、C+CO2を2COに 変換
する反応を可能にする、約0.5の炭素活性度acを持
ったCO及びCO2又はCO/H2並びにCH4H2か
ら成る混合物に変える。代替法として欧州特許第 05
98040号明細書には、前駆体を準備する際に既に遊
離炭素を添加することが提案されている。微細組織の分
析評価によれば、粒度30〜100nmのWC粉末が得
られる。この方法ではWC−Co反応の際に、コバルト
が処理工程の触媒の作用をする公知の効果的手段が使用
される。
【0011】このプロセスの場合、通常の酸化タングス
テン含有初期物質を塩溶液(食塩水)を介して噴霧乾燥
させた多孔性のタングステン及び炭素を含む初期物質に
する前処理が費用を要するという欠点がある。この場合
一部は望ましいが、それ以外は望ましくない、例えばW
C−Coのような金属/炭化金属混合物が専ら形成され
る。1以上もしくは通常著しく1より大きい炭素活性度
acでは、やむを得ない所定の処理工程によりWCへの
所望の変換が行われ、不所望のW2Cへの変換 は約2
0%又はそれ以上の極めて高い炭素含有量において行わ
れなくなる。これはまた、その前に必然的に形成される
遊離炭素を反応により結合し、ガス雰囲気を介して除去
するため、再度明細書中に挙げられている低い炭素活性
度(ac1 以下)のCO、CO2又はCO/H2ガス
混合物による、時間を要する後処理を不可避とする。し
かしacが1以下の場合、粒度の安定化の理由から、で
きれば越 えてはならない約800℃のプロセス温度
は、20時間までの受容し難いプロセス時間を生じるた
め、WCの形成の第1の処理工程で1以上のacは経済
的理由 から不可欠である。700〜850℃の反応温
度は、金属/炭化金属混合物の形成を上述の金属の触媒
作用の利用に制限する場合でも、基本的に長いプロセス
時間を意味する。従ってこの方法の重大な欠点は、経費
を要する初期物質の準備及びトータルで長いプロセス時
間にある。
【0012】上記の方法を実施可能とするために、浸炭
される物質から、WCに変換した後粉砕が極めて困難で
あるか、又は技術的にナノ相の粒子にやっと不均一に凝
集分離できる、流動性の容積の大きい粒状物を形成せざ
るを得ない。
【0013】従ってこうして得られるWC−Co粉末の
更なる加工可能性は、粒子成長抑制剤を使用することに
よってのみ適切なサブミクロンWCの硬質合金に加工で
きるものである。通常硬質合金中に得られるWC粒子は
約0.6〜0.8μmである。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、前記の欠点のない微粒状のサブミクロン硬質合金に
加工できる、純粋な炭化タングステン粉末を唯1つの処
理工程で製造する方法を提供することにある。比較的容
易に、即ち工業規模ででも使用できる流動床気相プロセ
スにとって、浸炭される物質の経費を要する前処理は、
本来の浸炭プロセスに後続する硬質合金の製造にとって
不可欠の純粋な、望ましくない遊離炭素分を含まない炭
化タングステン相を安定化するための時間、従って経費
を要する反応と同様に省略されねばならない。本発明方
法は、酸化タングステンを含有する粉末状の初期物質を
使用する際にも、また浸炭される物質として、既に還元
されたタングステン粉末を使用するときにも同様に適し
ていなければならない。
【0015】
【課題を解決するための手段】この課題は、請求項1、
特にその特徴部に記載される方法により解決される。本
方法の特に有利な実施形態は、従属請求項の実施形態で
ある。
【0016】請求項1において使用されている「平均粒
度d50」とは、レーザによる粒度分析測定(湿式法)
で粒度密度分布の50%に相当する粒子の直径と定義さ
れる。
【0017】同様に請求項1で使用されている「平均一
次粒度」とは、形成されたWCについて、完全に凝集分
離されたWC粒子を有し、光学的に走査電子顕微鏡(R
EM)像で20000倍の拡大倍率で平均して求めら
れ、またd50の定義による値と一致する、そのWCの
個々の粒度のことである。浸炭率はパーセント表示で記
載されており、その際100%の浸炭度はWC中の化学
量論的組成量の6.13重量%の炭素全量に相当する。
「XRD分析」とはX線回折分析のことである。
【0018】しかしこの唯1つの処理工程で実施可能の
方法は、酸化タングステン含有粉末をまず十分完全にタ
ングステンに還元し、引続き浸炭を行ってWCとする
か、又はタングステン金属粉末から出発し、浸炭を行っ
てWCとするかによって異なる化学反応を含んでいる。
【0019】「酸化タングステン含有」粉末とは、純粋
なWO3及びWBO=WolframBlau Oxi
d(青色酸化タングステン)の他に、還元工程に通常使
用されるアンモニウム−パラタングステン酸塩及びタン
グステン酸塩のような全ての初期物質のことである。
【0020】市販の種々の品質のタングステン粉末の他
に、後に記載する図2によれば、欧州特許出願第108
08227号明細書に記載の方法により製造されたタン
グステン粉末を使用し、優れた品質のWCが得られた。
浸炭プロセスは、中間生成物のW2Cを介しても完全に
行わるが、しかし本発明方法では、第1の段階では実際
に完全にW2Cとせずにこれを引続き反応させてWCと
する上記の従来技術と は異なり、W2Cの形成及びW
Cへの更なる反応が全プロセス中に同時に並行し て進
むことが実証されている。
【0021】唯1つの処理工程が酸化タングステン含有
粉末の還元で始まる場合には、プロセス温度に達した後
反応室内に流入するプロセスガス中に、還元段階でプロ
セスガス全体の5容量%以下の少量のH2O蒸気を添加
すると有利である。プロセスを唯1つの処理工程で行う
ことで、既に形成されたタングステン粉末が酸化物粉末
に戻る逆反応を効果的に阻止できる。
【0022】流動床内での気体浸炭反応には、流動層装
置内での流動層法及び回転管炉法が最も広く使用されて
いる。浸炭しようとする粉末状物質を装置の形に応じ
て、連続的に装置を通して移動するか又は少量ずつ順
次、それぞれまとまった1つの処理工程で処理してもよ
い。
【0023】本来のプロセス前後の昇温及び冷却期間中
に、装置は規則的に貫流する不活性ガスに当たる。この
プロセスガスはプロセス温度に達した時点で初めて入れ
られる。プロセスガスは装置を貫流し、不用の反応生成
物を放出後浄化されて、再び所定のプロセスガス混合物
に調整され、最後にこのプロセスに改めて供給される。
【0024】WCへの反応のための浸炭度は96%以上
の下方臨界値が挙げられているが、しかし実際には通常
98〜99.5%に達する。遊離炭素Cfreiの含有
量は0.1重量%以下の臨界値が挙げられている。実際
の実験では、しばしば0.01重量%及びそれ以下が達
成されている。プロセス継続時間、即ち浸炭される物質
のプロセス温度での、また流れるプロセスガスの存在下
のプロセス継続時間は、流動床内で浸炭される物質の堆
積物の厚さ又は流動床の高さに依存する。しかし本発明
のプロセス温度の場合、浸炭される物質としてタングス
テン粉末から出発した場合、プロセス持続時間を60分
以下に保持すると有利に行われることが判明している。
浸炭される物質が酸化タングステン含有粉末である場
合、有利なプロセス持続時間は100分以下である。
【0025】従来技術による方法に比べて本発明方法の
主な利点は、既存のタイプの装置を使用して、高品質の
炭化タングステンを比較的経済的に製造するのに、本方
法を工業的に使用できることにある。本方法により製造
された炭化タングステン粉末は、プロセスの出費から見
て、その高い強度と高度の靱性において、この規模でこ
れまで見ることのできなかった、極めて一様なサブミク
ロン粒度の良好な硬質合金品質をもたらす。このように
して形成された炭化タングステン粉末の良好な加工可能
性及びこの粉末で優れた品質の硬質合金が得られるとい
う理由から、炭化タングステンの良好な粉砕性及び凝集
分離性は、個々の粒子内の気孔率の高いマクロ組織によ
るものである。本発明により製造されるWCはプレス加
工物に良好に加工できる。公知の従来技術に比べて本発
明方法の経済的な利点は、第一に浸炭すべき物質に、費
用のかかる高価な前処理を行う必要がないことによりも
たらされる。第二にこの経済的効果は、唯1つの処理工
程で、これまでになく驚異的に短い全プロセス継続時間
内に、純粋な炭化タングステン粉末がこの規模で予期さ
れなかった高いプロセス収量で形成されることである。
公知方法では、場合によっては特殊な粒化法により巨視
的サイズの粉末粒子に形成される、できるだけ微粒状の
サブミクロン粉末を使用するのに対し、本発明の場合、
浸炭される物質として粗く、しかも流動性で、良好に溶
ける粉末粒子から出発するため、その比較的短いプロセ
ス時間は当業者にとって驚くべきものであった。更に当
業者にとって、本発明方法による処理条件の組合わせに
より、実際に生み出される高いプロセス効率はこれまで
見られなかったものである。従来技術による方法では、
例えば、所望の最終生成物である炭化タングステンの他
に、種々の不所望な副産物又は繰り返されるサイクルで
再加工される、非反応性の前駆生成物が得られるような
低効率のプロセスを示し、或いは是認し得るプロセス時
間内に所望の炭化反応を概して初めに可能にするため、
また別の場合には妨げとなる副反応産物を回避もしくは
解消するため、本来の浸炭プロセスに個々の前及び/又
は後処理を続けなければならない。
【0026】本発明は、本発明の処理条件の組合わせに
関して、当業者にとって1を遙かに越える炭素活性度a
cの場合、浸炭反応のためにできるだけ多くの気体の形
で存在する炭素を用意する、これまで使用されてきた古
典的な手順が目的を達成しないという、驚くべき認識に
より求められ、それにより本発明方法では浸炭法の飛躍
的に高い経済的効果と、同時にこの形成された炭化タン
グステン及びこれらか製造される炭化タングステン−コ
バルト硬質合金の予想されなかった高品質が得られる。
【0027】請求項で述べた0.2μm以上及び5μm以
下のWC粒度範囲内において、実際に所望の粒度は、専
ら本発明の主たるプロセスパラメータのコントロール及
び制御により、極めて小さい粒度分布幅内で製造するこ
とができる。
【0028】
【発明の実施の形態】本発明を実施例に基づき以下に詳
述する。しかし本発明は、記載の実施例に限定されるも
のではなく、これらの実施例は高範囲に本発明の主たる
特徴部分をカバーするものであり、従来技術に記載され
る方法と対比されるものである。個々の例に基づき本発
明方法を実験室規模(熱天秤法)でテストしたものであ
るが、同様にして品質を損傷(低下)することなく工業
規模にも転用できるという事実は特に重視されるもので
ある。
【0029】例 1 欧州特許出願公開第10808227号明細書に記載の
方法により製造された検体量100mgのタングステン
金属粉末(d50=35μm(レーザ粒度測定によ り定
量)、BET表面積=2.16m2/g)をシャーレ
(直径16mm)に入 れて均一に分散させ、CAHN
熱重力測定装置/熱天秤(TGA)(TG−171形)
内で不活性ガス(Ar)下に6リットル/時の貫流率
で、できるだけ迅速に(例えば25℃/分)950℃の
等温式実験温度に昇温した。その後40%CO/60%
H2のプロセスガス混合物(ac<1)に切り換え、質
量の増加を記録した。図1から明らかなように、おおよ
そ35分後、浸炭率98.7%(+/−1%)で反応は
終了し、その際実験全体は2.5時間後において初めて
質量が更に増加することなく、また従って遊離炭素像を
記録するなく終了し、その後3時間で室温に冷却した。
図1のTGA曲線の推論から明らかなように、浸炭速度
の変化が丁度50%の浸炭率の時点で見られるが、しか
し連続した質量の増加が示すように、W2Cに一部変換
するが、同時にさらに反応してWCとなる。XRD 分
析は20000倍の拡大倍率で純粋なWCを生じ、海綿
組織化されたマクロ組織内に、0.25μmの平均WC
一次粒度(ミクロ組織)を示した。例 2 実験経過及び使用材料は例1と同様である。950℃に
昇温後プロセスガス混合物(ac<1、但し例1よりも
1に近い)を60%CO/40%H2(全貫流率6リッ
トル/時)に切り換え、質量の増加を記録した。その際
反応は20分以下で既に終了した。TGA曲線から求め
られた浸炭率は98.6%であった。この実験もTGA
曲線から見られるように、遊離炭素を形成することなく
終了した。XRD分析はW2C又はWの痕跡なく純粋な
WCを生じた。炭素分析(LECO) は炭素全量6.
10%及び遊離炭素0.01%以下を示した。2000
0倍の拡大倍率のREM(走査型電子顕微鏡)画像は、
海綿構造化されたマクロ組織内に0.26μmの平均一
次粒度(ミクロ組織)を示した。例 3 実験経過及び使用材料は例1と同様であるが、例1とは
異なり、ac>1以上のプロセスガス混合物で実験し
た。950℃に昇温後、プロセスガス混合物(ac >
1)を99%CO/1%H2(全貫流率6リットル/
時)に切り換え、質量の 増加を記録した。その際55
分後に100%の浸炭率を越え、遊離炭素の発生に関す
る連続した質量の増加が15時間後の実験の打ち切りま
で記録された。TGA曲線から求められた浸炭率は9
8.6%であった。TGA曲線から求められた浸炭率は
109.8%であった。XRD分析は確かにW2C又は
Wの痕跡のない 純粋な炭化タングステンを示したが、
炭素分析(LECO)は全炭素量6.84%及び遊離炭
素量0.6%以上を示した。例 4 実験経過は例1と同様であるが、出発物質として標準
0.6μmのタングステン(フィッシャー・サブフィル
ター・サイズ=0.62μm、レーザ粒度測定による定
量でd50=0.46μm)及び本発明の範囲外の粒度
のものを使用した。プ ロセス温度及びガス組成は例1
に準じた。反応は約60分後に終了した。TGA曲線か
ら求められた浸炭率は98.3%であった。この実験も
また、但しタングステン金属のマクロ組織の気孔率に欠
けるその比較的粗大なタングステン組織のために、例1
に比べて殆ど2倍の時間を要し、TGA曲線から見られ
るように、遊離炭素を含まず終了した。XRD分析はW
2C又はWの痕跡のない純粋な炭化 タングステンを示
した。炭素分析(LECO)では全炭素量6.04%及
び遊離炭素量0.01%以下を示した。20000倍の
拡大倍率のREM画像は、海綿構造化されたマクロ組織
内に0.6μmの平均WC一次粒度(ミクロ組織)を示
した。例 5 実験経過は例1に準ずるが、出発物質として標準5.5
μmのタングステン(フィッシャー・サブフィルター・
サイズ=5.6μm、レーザ粒度測定による定量でd5
0=6.1μm)及び本発明の範囲外の粒度のものを使
用した。プロセス温 度及びガス組成は例1に準じた。
反応の終了を待つことなく、15時間後実験を打ち切っ
た。TGA曲線から求められた浸炭率は37.3%であ
った。XRD分析はWC及びWを示した。炭素分析(L
ECO)は全炭素量2.5%及び流離炭素0.01%以
下を示し、これは40.9%の浸炭率に相当する。例 6 実験経過及び使用材料は例1と同様であるが、出発物質
に10mgの超微粒のCo(ユニオン・ミニエール(U
nion Miniere)社の標準品質Co「UME
X0.9ウルトラファイン」を欧州特許第059804
0号明細書に基づき添加した。その際記録された質量の
増加では、触媒作用により浸炭反応はより迅速に50%
の浸炭率に(即ち、触媒反応でW2Cに変換)達し、そ
の後約20分間更なる浸炭は装入された全タングステン
がW2Cに変換されるまで行われ なかった。当業者に
公知のW2CからWCへの極めて緩慢な変換の故に、W
Cへ の全浸炭工程は270分間継続した。例 7 実験経過及び使用材料は例1と同様であるが、「Ups
caling」プロセスの第1段階で100mgの代わ
りに6.042mgの検体量をセラミックス坩堝に入れ
て使用した。950℃に昇温後40%CO/60%H2
のプロセスガス混合物(ac<1)に切り換え(全貫流
率:6リットル/時)、質量の増加を記録 した。その
際1000分後に反応は終了した。TGA曲線により求
められた浸炭率は98.5%であった。この実験も遊離
炭素を記録することなく終了した。この反応メカニズム
は、TGA曲線の時間的推論でも、例1に比べて60倍
の大量負荷にも拘わらず(粉末堆積物の高さの影響)例
1と比べて変ることがなかった。XRD分析はW2C又
はWの痕跡のない純粋なWCを示した。炭素分析(LE
CO)は全炭素量6.05%と遊離炭素0.01%以
下を示した。20000倍の拡大倍率のREM画像は、
海綿構造化されたマクロ組織内に0.29μmの平 均W
C一次粒度(ミクロ組織)を示した。例 8 実験経過は例1と同様であるが、タングステン金属の代
わりに工業用の青色酸化物125mg(レーザ粒度測定
による定量でd50=54.6μm、残り:NH3=6
45ppm、O2含有率=19.5%)を使用した。9
50℃に昇温後40% CO/60%H2のプロセスガ
ス混合物(ac<1)に切り換え(全貫流率:6リット
ル/時)、質量の増加もしくは減少を記録した。その際
まずタングステン金属への完全還元はおおよそ0.14
時間後に、またその後の連続したWCへの浸炭反応は
1.5時間後に終了し、96%以上の浸炭率が記録され
た(図2参照:dm/dt=時間単位当たり質量の変
化)。この実験でも遊離炭素像を記録することなく終了
した。この反応メカニズムはTGA曲線の時間的推論で
も例1に比べて変化を生じることなく、その後の浸炭直
前のタングステン金属への完全な還元から読みとられ
る。XRD分析はW2C又はWの痕跡のない純粋なWC
である ことを示した。炭素分析(LECO)は6.0
2%の全炭素量と0.01以下の遊離炭素を示した。2
0000倍の拡大倍率で、REM画像は海綿構造化され
たWCマクロ組織内に約0.6μmの平均WC一次粒度
(ミクロ組織)を示した。例 9 実験経過は例8と同様に行われたが、出発材料として工
業用青色酸化物125mg(レーザ粒度測定による定量
でd50=51.3μm、残り:NH3=1.240p
pm、O2含有率=19.45%)を使用した。105
0℃に昇温後プロセス ガス混合物(ac<1)40%
CO/60%H2(全貫流率:6リットル/時)に切り
換え、質量の増加もしくは減少を記録した。その際まず
タングステン金属への完全還元はおおよそ0.087時
間後に、またその後の連続したWCへの浸炭反応は1.
9時間後に記録された。この実験でも遊離炭素を記録す
ることなく終了した。XRD分析はW2C又はWの痕跡
のない純粋なWCであることを示した 。炭素分析(L
ECO)は全炭素量6.12%と遊離炭素0.01%以
下を示した。20000倍の拡大倍率のREM画像は、
海綿構造化されたWCマクロ組織内に0.75μmの平
均のWC一次粒度(ミクロ組織)を示した。例 10 実験経過及び出発材料は例8と同様であるが、プロセス
ガスを変えて実験した。950℃に昇温後1.15%C
H4/98.85%H2のプロセスガス混合物(ac<
1)に切り換え(全貫流率:6リットル/時)、質量の
増加もしくは減少を 記録した。その際、まずタングス
テン金属への完全還元はおおよそ0.35時間後に、ま
たその後の連続したWCへの浸炭反応の終了は3.9時
間後に記録された。この実験も遊離炭素を記録すること
なく終了した。XRD分析はWCを生じた。炭素分析
(LECO)は全炭素量6.01%と遊離炭素0.03
%以下を示した。20000倍の拡大倍率のREM画像
は、海綿構造化されたWCマクロ組織内に0.55μm
の平均WC一次粒度(ミクロ組織)を示した。例 11 出発材料を例1と同様に選択したが、パイロット設備基
準(工業的基準に近い)で1.6kgの粉末量を直径1
0cmの流動層反応炉内に装入して実験した。この材料
をアルゴン(7リットル/分)と流動させ、その際室温
から20分で980℃に昇温した。980℃のプロセス
温度で、流動性ガス及び反応ガスとして40%CO/6
0%H2のプロセスガスに切り換えた。5時間の反応時
間後、反応炉をアルゴンの流動(7リットル/分)中に
室温にまで冷却した。XRD分析はW2C又はWの痕跡
のない純粋なWCを示した。20000倍の拡大倍率の
RE M画像は、海綿構造化されたWCマクロ組織内に
0.3〜0.4μmの平均WC 一次粒度(ミクロ組織)
を示した。例 12及び13 反応条件及び流動層反応炉は例11と同様に選択した
が、例12は出発材料として例4に相応して、また例1
3は例5に相応して、従って本発明の範囲外の粒度の出
発材料を使用した。極めて困難の後これらの材料を房の
形成及び(流動層を計測して)「ドロス」のない流動性
を獲得するために、この実験を、プロセスガスの変換の
際に当業者に公知であるような、流動の困難な腐食物質
の場合に流動性を補助するため使用可能の機械的攪拌器
でも流動性を達成できずに中断しなければならなかっ
た。例 14 出発材料を例8と同様に選択したが、パイロット設備基
準(工業的基準に本質的に近い)で8.6kgの粉末量
を直径15cmの流動層反応炉内に装入して実験した。
この材料をN2(6.1m/分)で流動させ、その際室
温から30分で990℃に昇温した。40%CO/59
%H2及び1%H2Oのプロセスガスに切り換えた後及
び6時間の全反応時間及びその後2時間で室温に冷却し
た。XRD分析はW2C又はWの痕跡のない純粋なWC
を示した。20000倍の拡大倍率の REM画像は、
海綿構造化されたWCマクロ組織内に約0.6μmの平
均WC一 次粒度(ミクロ組織)を示した。例 15 例14で得たWC粉末を、ジェットミル(Alpine
Hosakawa社のAF100、ドイツ)中で基準
通りに凝集分離した。その際多孔性のマクロ組織は破壊
され、REM画像から明瞭なWC一次粒度まで凝集分離
した。レーザ粒度測定により定量された粒度分布はd5
0=0.63μmを示した。凝集分離された WC粉末を
6%のCo(ユニオン・ミニエール(Union Mi
niere)社の標準品質Co「UMEX0.9ウルト
ラファイン」及び通常添加される量の粒子成長抑制剤
(0.5%VC)と混合し、アトライタ中でアセトンに
入れた直径4mmのWC−Coボールで5時間300回
転/分で粉砕した。乾燥及び篩かけの後、標準通りに反
転切断プレート試料に圧縮し、その後焼結した。[表 1] 密度 保磁力HC 4PiSigma 硬度HV30 気孔率 (c/cm3) (Oe.) (10-7Tm3/kg) (daN/mm2) 例 15 14.78 471 112 2031 <AO2;BO O 市販の0.6μm のWC粉末を使用 14.8 480 115 2020 <AO2;BO Oした標準品種 本方法により製造された硬質合金用WC粉末は、標準通
りに製造されたサブミクロン(WC粉末)となり、標準
通りに製造されたサブミクロンWC粉末に対して、本方
法により製造された硬質合金が無条件に比較可能のもの
であることが上記の表から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】950℃でのタングステン金属の気体浸炭のグ
ラフ図。
【図2】950℃での青色酸化タングステンの気体浸炭
のグラフ図。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 10μm以上の平均粒度d50を持ち、
    浸炭される物質として 用いられる粒状化されていない
    溶融性のタングステン又は酸化タングステンの粉末と、
    COX/H2ガス混合物(X=1及び/又は2)又は炭
    化水素ガス及びH2 (場合によっては少量のH2O蒸
    気を含む)から成る混合物の形の炭素含有プロ セスガ
    スとから出発し、流動床反応用装置内、有利には流動層
    装置内で遊離炭素含有量0.1重量%以下で浸炭率96
    %以上を有する、X線回折(XRD)分析 で証明可能な
    異相を持たない、平均一次粒度0.2μm以上、5μm以
    下の微粒状WC粉末を製造するための気体浸炭法におい
    て、浸炭される材料を、保護ガス下に1〜50℃/分の
    昇温速度で唯1つの処理工程により、連続的に900℃
    から1200℃までの一定のプロセス温度に上げ、供給
    されるプロセスガスが10〜100容量%のCOX、残
    りH2、又は0.1〜5容量%の炭化水素ガス、残りH
    2であり、また同時にプロセス温度での全プロセス時間
    中、炭素活性度acが装置内の浸炭される材料の領域で
    1以下及びできるだけ1に近い活性度を有することを特
    徴とする微粒状のWC粉末の気体浸炭製造方法。
  2. 【請求項2】 プロセスガスを流動層反応室を通して貫
    流させ、廃ガスの浄化処理後、これを所定のガス混合物
    に変え、反応室に再度供給することを特徴とする請求項
    1記載の微粒状WC粉末の製造方法。
  3. 【請求項3】 浸炭される物質としてのタングステン粉
    末を流動層装置内に4時間以下の間約1000℃のプロ
    セス温度に保持することを特徴とする請求項1又は2記
    載の微粒状のWC粉末の製造方法。
  4. 【請求項4】 浸炭される物質としての青色酸化タング
    ステン粉末を、流動層装置内に5時間以下の間、約10
    00℃のプロセス温度に保持することを特徴とする請求
    項1又は2記載の微粒状のWC粉末の製造方法。
  5. 【請求項5】 出発材料がタングステン粉末である場
    合、プロセス温度を920〜950℃、プロセスガスを
    20〜40容量%のCO分を含むCO/H2とすること
    を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の微
    粒状WC粉末の製造方法。
  6. 【請求項6】 浸炭される物質が青色酸化タングステン
    である場合、プロセス温度が950℃〜1000℃であ
    り、プロセスガスが2〜4容量%のCH4分を含むCH
    4/H2から成り、さらに最初の還元時間中付加的に3
    容量%のH2O を含んでいることを特徴とする請求項
    1乃至5のいずれか1つに記載の微粒状のWC粉末の製
    造方法。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1つに記載の
    方法により製造された、0.3〜0.8μmの平均WC
    一次粒度及び高いマクロ気孔率を有するWC粒子である
    ことを特徴とする微粒状のWC粉末。
JP11367949A 1998-12-28 1999-12-24 純粋な炭化タングステン粉末を製造するための気体浸炭方法 Pending JP2000203825A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT863/98 1998-12-28
AT0086398U AT3064U1 (de) 1998-12-28 1998-12-28 Gaskarburierungsverfahren zur herstellung von reinem wc-pulver

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000203825A true JP2000203825A (ja) 2000-07-25

Family

ID=3501552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11367949A Pending JP2000203825A (ja) 1998-12-28 1999-12-24 純粋な炭化タングステン粉末を製造するための気体浸炭方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6447742B1 (ja)
EP (1) EP1016624B1 (ja)
JP (1) JP2000203825A (ja)
AT (2) AT3064U1 (ja)
DE (1) DE59902109D1 (ja)
ES (1) ES2179595T3 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515445A (ja) * 2000-12-20 2004-05-27 トライバッハー インドゥストリ アクチエンゲゼルシャフト タングステンカーバイド製造方法
KR100586852B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-07 학교법인 영남학원 산화텡스텐의 환원-탄화공정의 효율개선방법
JP2007516918A (ja) * 2003-11-21 2007-06-28 ハー ツェー シュタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 二重相硬質材料、その製造法および該二重相硬質材料の使用
JP2014024729A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 National Institute For Materials Science シリコン結晶鋳造炉
WO2016158878A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 Jx金属株式会社 タングステンカーバイドの製造方法
US9466843B2 (en) 2010-07-30 2016-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrode catalyst and method of preparing electrode catalyst for fuel cell, and membrane electrode assembly and fuel cell including same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1289392C (zh) * 2001-07-30 2006-12-13 三菱麻铁里亚尔株式会社 微粒碳化钨粉末的制造方法及粉末
KR100494976B1 (ko) * 2002-08-29 2005-06-13 한국기계연구원 상압 기상반응법에 의한 나노 wc계 분말의 제조방법
CN101723368A (zh) * 2009-11-16 2010-06-09 江西稀有稀土金属钨业集团有限公司 一种超细碳化钨粉末的制备方法
CN103818906B (zh) * 2014-01-29 2016-08-17 浙江工业大学 碳阻超细纳米碳化钨材料及其制备方法和应用
US9992917B2 (en) 2014-03-10 2018-06-05 Vulcan GMS 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts
CN104181180B (zh) * 2014-09-09 2016-06-15 株洲硬质合金集团有限公司 一种超粗颗粒wc粉末内在质量缺陷的检验方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5466400A (en) * 1977-11-05 1979-05-28 Nippon Shinkinzoku Kk Manufacture of fine tungsten carbide powder
JPS59184719A (ja) * 1983-04-04 1984-10-20 Hitachi Metals Ltd Wc粉末の製造方法
JPH01230417A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Central Glass Co Ltd タングステンカーバイトの製造方法
JPH03252306A (ja) * 1990-01-12 1991-11-11 Tokyo Tungsten Co Ltd 回転炉を用いたwc粉の製造方法
JPH05147916A (ja) * 1991-12-02 1993-06-15 Mitsubishi Materials Corp 微細なタングステン系炭化物粉末の製造法
JPH0710517A (ja) * 1992-05-27 1995-01-13 Mitsubishi Materials Corp 炭化タングステン基超硬合金製造用微細複合炭化物粉末の製造法
JPH09511980A (ja) * 1994-04-18 1997-12-02 ローヌ−プラン シミ 非化学量論的タングステンカーバイド
JPH09309715A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Tokyo Tungsten Co Ltd 複合炭化物粉末及びその製造方法
JPH10194717A (ja) * 1996-12-05 1998-07-28 Nanodyne Inc 炭化タングステン粒子生成法
JP2002529360A (ja) * 1998-11-13 2002-09-10 エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 気相浸炭による炭化タングステンの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1237494A (fr) * 1959-01-06 1960-07-29 Gen Electric Perfectionnements apportés aux procédés pour la production de carbures de molybdène et de tungstène
JPS57191216A (en) * 1981-05-22 1982-11-25 Hitachi Metals Ltd Preparation of nonoxide powder
GB8708604D0 (en) * 1987-04-10 1987-05-13 Grieveson P Making carbides of high-melting metals
DD290859A5 (de) * 1988-11-11 1991-06-13 Tu Dresden,De Verfahren zur herstellung von elektrokatalytisch aktiven wolframcarbid
EP0598040B1 (en) 1991-08-07 1995-06-07 Rutgers, The State University Of New Jersey CARBOTHERMIC REACTION PROCESS FOR MAKING NANOPHASE WC-Co POWDERS
DE69206823T2 (de) * 1991-11-20 1996-05-23 Dow Chemical Co Niedrigtemperaturverfahren zur synthese von feinstkörnigem wolframcarbid
AT403775B (de) 1995-10-31 1998-05-25 Plansee Ag Verfahren zur reduktion von metallverbindungen
CA2221432A1 (en) * 1996-12-05 1998-06-05 Li Wu Method of forming metal carbides and metal carbide composites

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5466400A (en) * 1977-11-05 1979-05-28 Nippon Shinkinzoku Kk Manufacture of fine tungsten carbide powder
JPS59184719A (ja) * 1983-04-04 1984-10-20 Hitachi Metals Ltd Wc粉末の製造方法
JPH01230417A (ja) * 1988-03-10 1989-09-13 Central Glass Co Ltd タングステンカーバイトの製造方法
JPH03252306A (ja) * 1990-01-12 1991-11-11 Tokyo Tungsten Co Ltd 回転炉を用いたwc粉の製造方法
JPH05147916A (ja) * 1991-12-02 1993-06-15 Mitsubishi Materials Corp 微細なタングステン系炭化物粉末の製造法
JPH0710517A (ja) * 1992-05-27 1995-01-13 Mitsubishi Materials Corp 炭化タングステン基超硬合金製造用微細複合炭化物粉末の製造法
JPH09511980A (ja) * 1994-04-18 1997-12-02 ローヌ−プラン シミ 非化学量論的タングステンカーバイド
JPH09309715A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Tokyo Tungsten Co Ltd 複合炭化物粉末及びその製造方法
JPH10194717A (ja) * 1996-12-05 1998-07-28 Nanodyne Inc 炭化タングステン粒子生成法
JP2002529360A (ja) * 1998-11-13 2002-09-10 エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 気相浸炭による炭化タングステンの製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515445A (ja) * 2000-12-20 2004-05-27 トライバッハー インドゥストリ アクチエンゲゼルシャフト タングステンカーバイド製造方法
KR100586852B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-07 학교법인 영남학원 산화텡스텐의 환원-탄화공정의 효율개선방법
JP2007516918A (ja) * 2003-11-21 2007-06-28 ハー ツェー シュタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 二重相硬質材料、その製造法および該二重相硬質材料の使用
JP4773362B2 (ja) * 2003-11-21 2011-09-14 ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 二重相硬質材料、その製造法および該二重相硬質材料の使用
US9466843B2 (en) 2010-07-30 2016-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrode catalyst and method of preparing electrode catalyst for fuel cell, and membrane electrode assembly and fuel cell including same
JP2014024729A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 National Institute For Materials Science シリコン結晶鋳造炉
WO2016158878A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 Jx金属株式会社 タングステンカーバイドの製造方法
TWI612013B (zh) * 2015-03-31 2018-01-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 碳化鎢之製造方法
JPWO2016158878A1 (ja) * 2015-03-31 2018-02-01 Jx金属株式会社 タングステンカーバイドの製造方法
US10227235B2 (en) 2015-03-31 2019-03-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method for producing tungsten carbide

Also Published As

Publication number Publication date
EP1016624A1 (de) 2000-07-05
EP1016624B1 (de) 2002-07-24
DE59902109D1 (de) 2002-08-29
ATE221026T1 (de) 2002-08-15
AT3064U1 (de) 1999-09-27
US6447742B1 (en) 2002-09-10
ES2179595T3 (es) 2003-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Koc et al. Tungsten carbide (WC) synthesis from novel precursors
AU2001243276B2 (en) Rapid conversion of metal-containing compounds to form metals or metal oxides
JP3390834B2 (ja) 微粒状炭化タングステンの低温合成方法
JP2000512688A (ja) 金属炭化物―viii族金属粉末およびその製造法
JP3681398B2 (ja) 部分還元遷移金属化合物から炭化遷移金属を製造する方法
JP2000512976A (ja) ミクロン以下の大きさをもつ遷移金属の炭窒化物の製造法
JP2008512341A (ja) 金属カーバイド及びその製造方法
EP0973690B1 (en) Method to produce a transition metal carbide from a partially reduced transition metal compound
US5166103A (en) Method of making monotunsten carbide and mixtures of monotungsten carbide-titanium carbide powders
AU2001243276A1 (en) Rapid conversion of metal-containing compounds to form metals or metal oxides
JP2000203825A (ja) 純粋な炭化タングステン粉末を製造するための気体浸炭方法
CA2037413C (en) Method for producing a fine grained powder consisting of nitrides and carbonitrides of titanium
JP3963649B2 (ja) 気相浸炭による炭化タングステンの製造方法
US7625542B2 (en) Method for the production of metal carbides
WO1993002962A1 (en) CARBOTHERMIC REACTION PROCESS FOR MAKING NANOPHASE WC-Co POWDERS
JP4681560B2 (ja) 水の分解による水素製造に使用する反応媒体とその作成方法
JPS63260808A (ja) 遷移金属炭化物の製法
KR100680925B1 (ko) 탄화텅스텐의 제조 방법
RU2699620C2 (ru) Новый способ и продукт
JPH0280318A (ja) あらかじめ決められた粒子寸法を有する耐火性金属ホウ化物の合成法
JP2007045670A (ja) 金属炭化物の製造方法
Koc et al. New process for producing submicron tungsten monocarbide powders
JPS58213618A (ja) 複合炭窒化物固溶体粉末の製造法
RU2207320C1 (ru) Способ получения высокодисперсного карбида вольфрама или смеси карбида вольфрама и кобальта
JPS644999B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101019