JP2000200972A - Multilayer build up wiring board - Google Patents

Multilayer build up wiring board

Info

Publication number
JP2000200972A
JP2000200972A JP11000315A JP31599A JP2000200972A JP 2000200972 A JP2000200972 A JP 2000200972A JP 11000315 A JP11000315 A JP 11000315A JP 31599 A JP31599 A JP 31599A JP 2000200972 A JP2000200972 A JP 2000200972A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
hole
wiring board
interlayer resin
mesh
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11000315A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4127440B2 (en
Inventor
Naohiro Hirose
直宏 広瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP00031599A priority Critical patent/JP4127440B2/en
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to US09/787,321 priority patent/US6613986B1/en
Priority to PCT/JP1999/004895 priority patent/WO2000018202A1/en
Priority to CN2008100810380A priority patent/CN101267717B/en
Priority to EP99943231A priority patent/EP1137333B1/en
Priority to DE69942279T priority patent/DE69942279D1/en
Priority to CN2008100810361A priority patent/CN101267715B/en
Priority to KR1020017003399A priority patent/KR20010085811A/en
Priority to CN99811085A priority patent/CN1318274A/en
Priority to KR1020097011027A priority patent/KR20090059173A/en
Priority to EP07115803A priority patent/EP1868423A1/en
Priority to CN2008100810376A priority patent/CN101267716B/en
Priority to KR1020087005013A priority patent/KR20080023369A/en
Priority to KR1020087005014A priority patent/KR20080024239A/en
Priority to TW088115730A priority patent/TW453146B/en
Priority to MYPI99004017A priority patent/MY123224A/en
Priority to MYPI20044069A priority patent/MY141631A/en
Publication of JP2000200972A publication Critical patent/JP2000200972A/en
Priority to US10/334,062 priority patent/US7514779B2/en
Publication of JP4127440B2 publication Critical patent/JP4127440B2/en
Application granted granted Critical
Priority to US12/406,009 priority patent/US7847318B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mutilayer build up wiring board, wherein the insulation deterioration of an inter-layer resin insulation layer is little and chip-mounting regions can be formed flat. SOLUTION: Mesh holes 35b are formed in a chip-mounting region C of a planar layer 34U and lands 36a of through-holes 36 and vias 60a are provided in the mesh holes 35b. Hence, the moisture absorbed in an interlayer resin insulation layer and a core board can be evaporated through gaps K of the mesh holes 34b, and the insulation of the interlayer resin insulation layer and the core board can be enhanced. The lands 36a and the vias 60a are formed in the mesh holes 34b at the chip mounting region C, hence no irregularity is formed, and the chip mounting region C can be made flat.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、層間樹脂絶縁層
と導体層とが交互に積層されたビルドアップ配線層が、
コア基板の両面に形成されてなる多層ビルドアップ配線
板に関し、特に、電源用導体層(電源層)又は接地用導
体層(グランド層)として形成されるプレーン層を備え
る多層ビルドアップ配線板に関するものである。
[0001] The present invention relates to a build-up wiring layer in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated,
The present invention relates to a multilayer build-up wiring board formed on both surfaces of a core substrate, and more particularly to a multilayer build-up wiring board having a plane layer formed as a power supply conductor layer (power supply layer) or a grounding conductor layer (ground layer). It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数層の導体層(導体回路)をそれぞれ
層間樹脂絶縁層にて絶縁してなる多層ビルドアップ配線
板において、一層分の導体回路をグランド層、或いは、
電源層として用いることが、ノイズの低減等の目的で行
われている。係る多層ビルドアップ配線板においては、
図13(A)に示すように、接地用導体層(グランド
層)或いは、電源用導体層(電源層)を構成するプレー
ン層459を、メッシュ孔459aを有するメッシュパ
ターンに形成することが多い。ここで、メッシュ孔45
9aを設けるのは、プレーン層459が樹脂との接続性
の低い銅で形成されているため、プレーン層の上層に配
設される層間樹脂絶縁層(図示せず)と下層に配設され
る樹脂製コア基板(図示せず)との接続性を、該メッシ
ュ孔459aにて層間樹脂絶縁層とコア基板とを直接接
触させることで改善する。また、該メッシュ孔459a
を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなる
ガスを発散し易くするためである。
2. Description of the Related Art In a multilayer build-up wiring board in which a plurality of conductive layers (conductive circuits) are insulated by interlayer resin insulating layers, one conductive circuit is connected to a ground layer or
It is used as a power supply layer for the purpose of reducing noise and the like. In such a multilayer build-up wiring board,
As shown in FIG. 13A, a ground conductor layer (ground layer) or a plane layer 459 constituting a power supply conductor layer (power supply layer) is often formed in a mesh pattern having mesh holes 459a. Here, the mesh hole 45
The reason for providing 9a is that the plane layer 459 is formed of copper having low connectivity with the resin, so that it is disposed below the interlayer resin insulation layer (not shown) disposed above the plane layer and below. The connectivity with the resin core substrate (not shown) is improved by directly contacting the interlayer resin insulation layer with the core substrate at the mesh holes 459a. In addition, the mesh hole 459a
This is for facilitating the emission of a gas composed of moisture and the like absorbed into the interlayer resin insulating layer through the insulating layer.

【0003】このメッシュ孔459aの形成位置に関し
ては、種々の提案がなされている。たとえば、特開平1
0−200271号においては、図13(B)に示すよ
うに図中Cで示すチップを搭載する領域に対向する領域
内には、メッシュ孔を配設せず、チップ搭載領域の外側
にのみメッシュ孔459aを配設することで、当該チッ
プ搭載領域に凹凸ができないようにし、多層プリント配
線板のチップ搭載領域をフラットに形成する技術が提案
されている。
[0003] Various proposals have been made regarding the formation position of the mesh hole 459a. For example, JP
In No. 0-200271, as shown in FIG. 13 (B), no mesh hole is provided in a region facing the chip mounting region shown in FIG. 13C, and the mesh is provided only outside the chip mounting region. A technique has been proposed in which the holes 459a are provided so that the chip mounting area is not uneven, and the chip mounting area of the multilayer printed wiring board is formed flat.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、メッ
シュ孔を介して層間樹脂絶縁層のガスが抜けるため、上
記技術のようにチップ搭載領域にメッシュ孔を穿設しな
いと、該チップ搭載領域下の層間樹脂絶縁層から水分が
発散しなくなり、また、層間樹脂絶縁層が剥離したり、
当該部分で層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗が低下していた。
As described above, since the gas in the interlayer resin insulating layer escapes through the mesh holes, unless the mesh holes are formed in the chip mounting region as in the above-described technique, the chip mounting region is not provided. Water does not emanate from the lower interlayer resin insulation layer, and the interlayer resin insulation layer peels off,
In this portion, the insulation resistance of the interlayer resin insulation layer was reduced.

【0005】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、層間樹脂絶縁層の絶
縁劣化が少ないと共にチップ搭載領域をフラットに形成
できる多層ビルドアップ配線板を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a multilayer build-up wiring board in which the insulation deterioration of an interlayer resin insulation layer is small and a chip mounting area can be formed flat. Is to do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積
層してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域
を備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビル
ドアップ配線板において、前記導体層として形成したプ
レーン層に、メッシュ孔を設けると共に、前記チップ搭
載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域のメッシ
ュ孔の少なくとも一部であって、その孔内にスルーホー
ル又はバイアホールのランド及びバイアホールが接続す
るパッドを配設したことを技術的特徴とする。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is to provide a chip mounting area in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated, and a chip mounting area for mounting a chip is provided on an uppermost layer. In a multilayer build-up wiring board in which conductive layers are connected by via holes, a mesh hole is provided in a plane layer formed as the conductive layer, and a mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via an interlayer resin insulating layer. And at least a part thereof is provided with a through hole or a land of a via hole and a pad connected to the via hole.

【0007】また、請求項2は、層間樹脂絶縁層と導体
層とを交互に積層してなり、最上層にチップを搭載する
チップ搭載領域を備え、導体層間がバイアホールで接続
された多層ビルドアップ配線板において、前記導体層と
して形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共
に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向
する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その
孔内にバイアホールのランドを配設したことを技術的特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a multi-layer build in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated, a chip mounting area for mounting a chip is provided on the uppermost layer, and the conductor layers are connected by via holes. In the up-wiring board, a mesh hole is provided in a plane layer formed as the conductor layer, and at least a part of the mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via an interlayer resin insulating layer. The technical feature is that the land of the via hole is located in the country.

【0008】請求項3は、層間樹脂絶縁層と導体層とを
交互に積層してなり、最上層にチップを搭載するチップ
搭載領域を備えた多層ビルドアップ配線板において、前
記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を設
けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介
して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であっ
て、その孔内にベタ状導体層を配設したことを技術的特
徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a multilayer build-up wiring board in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated, and a chip mounting area for mounting a chip is formed on the uppermost layer. A mesh hole is provided in the plane layer, and at least a part of the mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and the solid conductor layer is provided in the hole. Technical features.

【0009】また、請求項4は、スルーホールを有する
基板上に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してな
り、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を備えた
多層ビルドアップ配線板において、前記導体層として形
成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共に、該チ
ップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向する領域の
メッシュ孔の少なくとの一部であって、その孔内にスル
ーホールのランドを配設したことを技術的特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a multi-layer build-up wiring in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on a substrate having a through hole, and a chip mounting area for mounting a chip is provided on the uppermost layer. In the plate, a mesh hole is provided in the plane layer formed as the conductor layer, and at least a part of the mesh hole in a region facing the chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and It is a technical feature that a land of a through hole is provided in the vehicle.

【0010】請求項1の発明では、プレーン層のうち最
上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向す
る領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔
のうち、少なくとも一部の孔の内にスルーホール又はバ
イアホールのランド及びバイアホールが接続するパッド
をメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、これら
のランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層
の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される
層間樹脂絶縁層(又は樹脂製コア基板)とを、直接接触
させるので、接着性を高めることができる。また、これ
らランドの外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間
樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガスを発散でき
るため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能に
なる。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にランド
及びバイアホールを形成するため、凹凸ができず、当該
チップ搭載領域を平坦にできる。
According to the first aspect of the present invention, a mesh hole is formed in a region of the plane layer opposed to the uppermost chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and at least a part of the mesh holes is formed. Of the through holes or via holes and pads to be connected to the via holes are provided at an interval from the periphery of the mesh hole, so that the pads are arranged on the plane layer by the mesh holes provided on the outer periphery of these lands. Since the interlayer resin insulation layer and the interlayer resin insulation layer (or resin core substrate) provided below are brought into direct contact, the adhesiveness can be improved. Further, a gas composed of moisture absorbed in the interlayer resin insulating layer can be radiated through the mesh holes provided on the outer periphery of these lands, so that the insulating property of the interlayer resin insulating layer can be improved. Further, since lands and via holes are formed in the mesh holes in the chip mounting area, no irregularities are formed, and the chip mounting area can be made flat.

【0011】請求項2の発明では、プレーン層のうち最
上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向す
る領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔
のうちの少なくとの一部の孔内にバイアホールのランド
をメッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該バイ
アホールのランドの外周に設けられたメッシュ孔にてプ
レーン層の上層に配設される層間樹脂絶縁層と下層に配
設される層間樹脂絶縁層(又は樹脂製コア基板)とを、
直接接触させるので、接着性を高めることができる。ま
た、該バイアホールのランドの外周に設けられたメッシ
ュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等から
なるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を
高めることが可能になる。更に、該チップ搭載領域のメ
ッシュ孔内にバイアホールを形成するため、凹凸ができ
ず、当該チップ搭載領域を平坦にできる。
According to the second aspect of the present invention, a mesh hole is formed in a region of the plane layer opposed to the uppermost chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and at least a part of the mesh hole is formed. In order to provide the land of the via hole in the hole of the mesh hole with the periphery of the mesh hole, the mesh hole provided on the outer periphery of the land of the via hole forms an interlayer resin insulating layer and a lower layer which are disposed above the plane layer. The interlayer resin insulation layer (or resin core substrate)
Direct contact makes it possible to enhance the adhesiveness. In addition, a gas consisting of moisture or the like absorbed in the interlayer resin insulating layer can be radiated through the mesh holes provided on the outer periphery of the land of the via hole, so that the insulating property of the interlayer resin insulating layer can be improved. Further, since the via holes are formed in the mesh holes in the chip mounting area, no irregularities are formed, and the chip mounting area can be made flat.

【0012】請求項3の発明では、プレーン層のうち最
上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向す
る領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔
のうち少なくとも一部の孔内にベタ状導体層をメッシュ
穴の周縁と間隔をもって設けるため、該ベタ状導体層の
外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に配
設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される層間樹脂絶
縁層(又は樹脂製コア基板)とを、直接接触させるの
で、接着性を高めることができる。また、該ベタ状導体
層の外周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶
縁層に吸収された水分等からなるガスを発散できるた
め、層間樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能にな
る。更に、該チップ搭載領域のメッシュ孔内にベタ状導
体層を形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭載領
域を平坦にできる。
According to the third aspect of the present invention, a mesh hole is formed in a region of the plane layer facing the uppermost chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and at least a part of the mesh holes is formed. In order to provide the solid conductor layer at an interval with the periphery of the mesh hole, the solid conductor layer is disposed on the interlayer resin insulating layer and the lower layer disposed on the plane layer by the mesh hole provided on the outer periphery of the solid conductor layer. The direct contact with the interlayer resin insulation layer (or resin core substrate) can improve the adhesiveness. In addition, a gas consisting of moisture or the like absorbed in the interlayer resin insulating layer can be radiated through the mesh holes provided on the outer periphery of the solid conductor layer, so that the insulating property of the interlayer resin insulating layer can be improved. Further, since the solid conductor layer is formed in the mesh hole in the chip mounting area, no irregularities are formed, and the chip mounting area can be made flat.

【0013】請求項4の発明では、プレーン層のうち最
上層のチップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向す
る領域にメッシュ孔を形成すると共に、当該メッシュ孔
のうち少なくとも一部の孔内にスルーホールのランドを
メッシュ穴の周縁と間隔をもって設けるため、該ランド
の外周に設けられたメッシュ孔にてプレーン層の上層に
配設される層間樹脂絶縁層と下層に配設される層間樹脂
絶縁層(又は樹脂製コア基板)とを、直接接触させるの
で、接着性を高めることができる。また、該ランドの外
周に設けられたメッシュ孔を通して、層間樹脂絶縁層に
吸収された水分等からなるガスを発散できるため、層間
樹脂絶縁層の絶縁性を高めることが可能になる。更に、
該チップ搭載領域のメッシュ孔内にランドを形成するた
め、凹凸ができず、当該チップ搭載領域を平坦にでき
る。なお、本発明では、前記プレーン層は、チップ搭載
領域と少なくとも1層以上の層間樹脂絶縁層を介して対
向していればよい。
According to the fourth aspect of the present invention, a mesh hole is formed in a region of the plane layer opposed to the uppermost chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and at least a part of the mesh holes is formed. In order to provide the land of the through hole at an interval with the periphery of the mesh hole, the interlayer resin insulating layer provided on the upper layer of the plane layer and the interlayer resin provided on the lower layer by the mesh hole provided on the outer periphery of the land are provided. Since the insulating layer (or the resin core substrate) is brought into direct contact, the adhesiveness can be improved. Further, a gas consisting of moisture or the like absorbed in the interlayer resin insulating layer can be radiated through the mesh holes provided on the outer periphery of the land, so that the insulating property of the interlayer resin insulating layer can be improved. Furthermore,
Since lands are formed in the mesh holes in the chip mounting area, no irregularities are formed, and the chip mounting area can be made flat. In the present invention, the plane layer only needs to face the chip mounting area via at least one or more interlayer resin insulating layers.

【0014】本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電
解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶
性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適
である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂
粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーから
なる粗化面を形成できる。
In the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating as the interlayer resin insulating layer. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus-shaped anchor can be formed on the surface.

【0015】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μ
mを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and an average particle size of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 to
0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
m, and a mixture with a heat-resistant resin powder of less than 2 μm,
It is desirable to use a heat-resistant resin powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors.

【0016】粗化面の深さは、Rmax=0.01〜2
0μmがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
The depth of the roughened surface is Rmax = 0.01 to 2
0 μm is preferred. This is to ensure adhesion. Particularly, in the semi-additive method, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0017】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。
The heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent is selected from a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. It is desirable to become. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for a via hole by photolithography.

【0018】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. In the case of photosensitization, methacrylic acid, acrylic acid, or the like is subjected to an acrylate reaction with a thermosetting group. Particularly, acrylate of epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type and a cresol novolak type, and an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.

【0019】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。
熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95
/5〜50/50がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。
As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PP
E), polyetherimide (PI) and the like can be used.
The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is: thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95
/ 5 to 50/50 is preferred. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.

【0020】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、
望ましくは10〜40重量%がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる2層により構成してもよい。
The mixing weight ratio of the heat-resistant resin particles is 5 to 50% by weight based on the solid content of the heat-resistant resin matrix.
Desirably, the content is 10 to 40% by weight. As the heat-resistant resin particles, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), epoxy resin and the like are preferable. The adhesive may be composed of two layers having different compositions.

【0021】なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付
加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用
でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬
化させた樹脂を使用できる。
As the solder resist layer to be added to the surface of the multilayer build-up wiring board, various resins can be used. For example, bisphenol A epoxy resin, acrylate of bisphenol A epoxy resin, novolak epoxy resin, novolak A resin obtained by curing an acrylate of a type epoxy resin with an amine curing agent or an imidazole curing agent can be used.

【0022】一方、このようなソルダーレジスト層は、
剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じること
がある。このため、補強層を設けることでソルダーレジ
スト層の剥離を防止することもできる。
On the other hand, such a solder resist layer is
Since it is composed of a resin having a rigid skeleton, peeling may occur. Therefore, the provision of the reinforcing layer can also prevent the solder resist layer from peeling off.

【0023】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used.

【0024】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ )、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール(品
名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾール(品
名:2E4MZ )を用いることができる。
The above-mentioned imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed. As such a liquid imidazole curing agent,
1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ),
1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN) and 4-methyl-2-ethylimidazole (product name: 2E4MZ) can be used.

【0025】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量
%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
The amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing is easy.

【0026】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させな
い。また、人体に対する有害性も少ない。
The composition before curing of the solder resist is as follows:
It is desirable to use a glycol ether-based solvent as the solvent. The solder resist layer using such a composition does not generate free acid and does not oxidize the copper pad surface. It is also less harmful to the human body.

【0027】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH O - (CH CH O) −CH(n=1〜5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜70wt%がよい。
As such a glycol ether-based solvent, one having the following structural formula, particularly preferably at least one selected from diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C. CH 3 O-(CH 2 CH 2 O) n -CH 3 (n = 1~5) solvent of glycol ether is a good 10 to 70 weight% relative to the total weight of the resist composition.

【0028】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。
In addition to the solder resist composition described above, various antifoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility,
A photosensitive monomer or the like can be added to improve the resolution. For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. The initiator is preferably Irgacure I907 manufactured by Ciba-Geigy, and the photosensitizer is DETX-S manufactured by Nippon Kayaku. further,
A dye or pigment may be added to the solder resist composition. This is because the wiring pattern can be hidden. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye.

【0029】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
As the thermosetting resin as an additional component, a bisphenol type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin, and when importance is attached to base resistance, the former is required to reduce viscosity (when importance is attached to coating properties). The latter is better.

【0030】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製のR−
604を用いることができる。また、これらのソルダー
レジスト組成物は、25℃で0.5〜10Pa・s、よ
り望ましくは1〜10Pa・sがよい。ロールコータで
塗布しやすい粘度だからである。
As the photosensitive monomer as an additional component, a polyvalent acrylic monomer can be used.
This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, Nippon Kayaku's DPE-6A and Kyoeisha Chemical's R-
604 can be used. Further, these solder resist compositions are preferably 0.5 to 10 Pa · s at 25 ° C., more preferably 1 to 10 Pa · s. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板及びその製造方法について図を参
照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板10の構成について、図6、図7
及び図8を参照して説明する。図6は、ICチップ搭載
前の多層プリント配線板10の断面図を示し、図7は、
図6に示す多層プリント配線板10にICチップ90を
載置し、ドータボード94へ取り付けた状態を示してい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a multilayer build-up wiring board according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the multilayer build-up wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of the multilayer printed wiring board 10 before mounting the IC chip, and FIG.
7 shows a state in which the IC chip 90 is mounted on the multilayer printed wiring board 10 shown in FIG.

【0032】図6に示すように多層ビルドアップ配線板
10では、コア基板30内にスルーホール36が形成さ
れ、該コア基板30の表面(ICチップ側)には電源層
となるプレーン層34Uが形成され、裏面(ドータボー
ド側)にはグランド層となるプレーン層34Dが形成さ
れている。また、該プレーン層34U、34Dの上に
は、バイアホール60及び導体回路58の形成された下
層側層間樹脂絶縁層50が配設されている。該下層層間
樹脂絶縁層50の上には、バイアホール160及び導体
回路158(裏面側のみ図示する)が形成された上層層
間樹脂絶縁層150が配置されている。
As shown in FIG. 6, in the multilayer build-up wiring board 10, a through hole 36 is formed in the core substrate 30, and a plane layer 34U serving as a power supply layer is formed on the surface (IC chip side) of the core substrate 30. A plain layer 34D serving as a ground layer is formed on the back surface (daughter board side). On the plane layers 34U and 34D, a lower interlayer resin insulation layer 50 having via holes 60 and conductive circuits 58 is provided. On the lower interlayer resin insulation layer 50, an upper interlayer resin insulation layer 150 in which a via hole 160 and a conductor circuit 158 (only the back side is shown) is formed.

【0033】図7に示すように多層プリント配線板の上
面側には、ICチップ90のランド92へ接続するため
の半田バンプ76Uが配設されている。半田バンプ76
Uはバイアホール160及びバイアホール60を介して
スルーホール36へ接続されている。一方、下面側に
は、ドーターボード94のランド96に接続するための
半田バンプ76Dが配設されている。該半田バンプ76
Dは、バイアホール160及びバイアホール60を介し
てスルーホール36へ接続されている。
As shown in FIG. 7, solder bumps 76U for connection to the lands 92 of the IC chip 90 are provided on the upper surface side of the multilayer printed wiring board. Solder bump 76
U is connected to the through hole 36 via the via hole 160 and the via hole 60. On the other hand, a solder bump 76D for connection to the land 96 of the daughter board 94 is provided on the lower surface side. The solder bump 76
D is connected to the through hole 36 via the via hole 160 and the via hole 60.

【0034】図7のD−D断面、即ち、コア基板30の
表面に形成されたプレーン層34Uの平面を図8に示
す。図8のE−E断面が図7に相当する。図8(A)に
示すようにプレーン層34Uには、図7中のICチップ
90の搭載される領域に層間樹脂絶縁層を介して対向す
る領域(以下、「チップ搭載領域」として参照)Cの外
側に、直径250μmのメッシュ孔35aが、ピッチP
(560μm)間隔で形成されている。一方、チップ搭
載領域Cの内側には、瓢箪型のメッシュ孔35bが形成
されている。このメッシュ孔35bを拡大して図8
(B)に示す。該メッシュ孔35b内には、5〜50μ
mの間隙Kを設けてスルーホール36のランド36a及
びバイアホール(バイアホールの底部)60aが配設さ
れている。このランド36aとバイアホールの接続する
パッドとは、導体回路34cを介して接続されている。
FIG. 8 shows a cross section taken along the line DD of FIG. 7, that is, the plane of the plane layer 34U formed on the surface of the core substrate 30. 8 corresponds to FIG. As shown in FIG. 8A, the plane layer 34U has a region facing the region where the IC chip 90 in FIG. 7 is mounted via an interlayer resin insulating layer (hereinafter, referred to as a “chip mounting region”). Outside, a mesh hole 35a having a diameter of 250 μm has a pitch P
(560 μm). On the other hand, a gourd-shaped mesh hole 35b is formed inside the chip mounting area C. FIG. 8 is an enlarged view of the mesh hole 35b.
It is shown in (B). In the mesh hole 35b, 5 to 50 μm
The land 36a of the through hole 36 and the via hole (bottom portion of the via hole) 60a are provided with a gap K of m. The land 36a and the pad connected to the via hole are connected via a conductor circuit 34c.

【0035】第1実施形態の多層プリント配線板10で
は、プレーン層34Uのチップ搭載領域Cにメッシュ孔
35bを形成すると共に、当該メッシュ孔35b内にス
ルーホール36のランド36a及びバイアホールが接続
するパッド60aを設けるため、該ランド36a及びバ
イアホールが接続するパッド60aの外周に設けられた
メッシュ孔36bの間隙Kにてプレーン層34Uの上層
に配設される層間樹脂絶縁層50と下層に配設される樹
脂製コア基板30とを、直接接触させるので、接着性を
高めることができる。また、該ランド36a及びバイア
ホールが接続するパッド60aの外周に設けられたメッ
シュ孔35bの間隙Kを通して、層間樹脂絶縁層50及
びコア基板30に吸収された水分等からなるガスを発散
できるため、層間樹脂絶縁層50及びコア基板30の絶
縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を防止するこ
とが可能になる。更に、該チップ搭載領域Cのメッシュ
孔35b内にランド36a及びバイアホールが接続する
パッド60aを形成するため、凹凸ができず、当該チッ
プ搭載領域Cを平坦にできる。即ち、該チップ搭載領域
Cにもメッシュ孔35aを配設すると、該孔内が凹みと
して残り、凹凸が出来るが、本実施形態では、孔内にラ
ンド36a及びバイアホールが接続するパッド60aを
配設することで平坦にできる。なお、図8(C)に示す
ようにランド36a及びバイアホールが接続するパッド
を一体化して瓢箪型、達磨型、涙滴型にしてもよい。
In the multilayer printed wiring board 10 of the first embodiment, a mesh hole 35b is formed in the chip mounting area C of the plane layer 34U, and the land 36a of the through hole 36 and the via hole are connected to the mesh hole 35b. In order to provide the pad 60a, the pad 60a is disposed below the interlayer resin insulating layer 50 disposed above the plane layer 34U at the gap K between the mesh holes 36b provided on the outer periphery of the pad 60a connected to the land 36a and the via hole. Since the resin core substrate 30 to be provided is brought into direct contact, the adhesiveness can be improved. Further, a gas consisting of moisture or the like absorbed by the interlayer resin insulating layer 50 and the core substrate 30 can be radiated through the gap K of the mesh hole 35b provided on the outer periphery of the pad 60a connected to the land 36a and the via hole. It is possible to enhance the insulating properties between the interlayer resin insulating layer 50 and the core substrate 30 and prevent the interlayer resin insulating layer from peeling off. Further, since the pads 60a for connecting the lands 36a and the via holes are formed in the mesh holes 35b of the chip mounting area C, the chip mounting area C can be made flat without unevenness. That is, if the mesh hole 35a is also provided in the chip mounting region C, the inside of the hole remains as a recess and irregularities are formed. In the present embodiment, the pad 60a to which the land 36a and the via hole are connected is provided in the hole. By setting it, it can be made flat. As shown in FIG. 8 (C), the land 36a and the pad connected to the via hole may be integrated into a gourd type, a Daruma type, or a teardrop type.

【0036】以下、本発明の第1実施形態に係る多層多
層ビルドアップ配線板の製造方法について図を参照して
説明する。ここでは、第1実施形態の多層多層ビルドア
ップ配線板の製造方法に用いるA.無電解めっき用接着
剤、B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤、D.ソルダ
ーレジスト組成物の組成について説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, A.E. used in the method for manufacturing a multilayer build-up wiring board of the first embodiment is described. Adhesive for electroless plating, B. Interlayer resin insulation, C.I. Resin filler, D.I. The composition of the solder resist composition will be described.

【0037】A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.15% and a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) 3.15
Parts by weight, 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65)
3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.

【0038】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
[Resin Composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.)
After mixing 7.2 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, followed by stirring and mixing with a bead mill.

【0039】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing Agent Composition] 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight.

【0040】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation agent (adhesive for lower layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
% Of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 35%, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco), N
3.6 parts by weight of MP were obtained by stirring and mixing.

【0041】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
[Resin composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.)
After mixing 14.49 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP were further added,
It was obtained by stirring and mixing with a bead mill.

【0042】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing Agent Composition] 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba-Geigy), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight with stirring.

【0043】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO球状粒子(アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
1℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [Resin composition] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface SiO 2 spherical particles (Admatech, CRS
1101-CE, where the maximum particle size is 170 parts by weight of the inner layer copper pattern described below (15 μm or less) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) by stirring and mixing. The viscosity of the mixture is 23 ±
It was obtained by adjusting to 45,000 to 49,000 cps at 1 ° C. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【0044】D.ソルダーレジスト組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
D. Solder resist composition 60% by weight of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG was sensitized with 50% of epoxy groups of acrylated oligomer (molecular weight 4000).
6.67 g, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 1.6 g, photosensitive acrylic monomer (Nippon Kayaku, R604) 3 g, polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 1.5 g, dispersion defoamer (Sannopco) , S-65), and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to the mixture. 2.0P at 25 ° C
A solder resist composition adjusted to a · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
Rotor No.4 for 60rpm, rotor for 6rpm
No.3.

【0045】引き続き、本発明の第1実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板の製造工程について図1乃至図6
を参照して説明する。この第1実施形態では、多層ビル
ドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。
Subsequently, a manufacturing process of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. In the first embodiment, a multilayer build-up wiring board is formed by a semi-additive method.

【0046】(1)図1(A)に示すように厚さ1mmの
ガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリア
ジン)樹脂からなる基板30の両面に18μmの銅箔3
2がラミネートされている銅張積層板30Aを出発材料
とした。まず、この銅張積層板30Aをドリル削孔し、
無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングする
ことによりスルーホール36及びプレーン層34U、3
4Dを形成し、図1(B)に示すコア基板30を形成す
る。図8を参照して上述したように、プレーン層34
U、34Dにはメッシュ孔35a、35bが形成され、
チップ搭載領域C内のメッシュ孔35bには、上述した
ようにスルーホール36のランド36a、導体回路34
c及びバイアホールの底部60aが配設されている。
(1) As shown in FIG. 1A, an 18 μm copper foil 3 is formed on both sides of a substrate 30 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm.
2 was used as a starting material. First, the copper clad laminate 30A is drilled,
The through holes 36 and the plane layers 34U, 3U are formed by performing an electroless plating process and etching them in a pattern.
4D is formed, and the core substrate 30 shown in FIG. 1B is formed. As described above with reference to FIG.
U and 34D are formed with mesh holes 35a and 35b,
As described above, the lands 36a of the through holes 36 and the conductor circuits 34 are provided in the mesh holes 35b in the chip mounting area C.
c and a via hole bottom 60a.

【0047】(2) プレーン層34およびスルーホール3
6を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴
(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO (40
g/l),NaPO(6g/l)、還元浴として、
NaOH(10g/l),NaBH(6g/l)を用いた酸化
−還元処理により、プレーン層34U、34Dおよびス
ルーホール36の表面に粗化層38を設けた(図1
(C)参照)。
(2) Plane layer 34 and through hole 3
After the substrate 30 on which 6 was formed was washed with water and dried, NaOH (10 g / l), NaClO 2 (40
g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l), as a reducing bath,
A roughened layer 38 was provided on the surfaces of the plain layers 34U and 34D and the through holes 36 by oxidation-reduction treatment using NaOH (10 g / l) and NaBH 4 (6 g / l) (FIG. 1).
(C)).

【0048】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。
(3) The raw material composition for preparing the resin filler C was mixed and kneaded to obtain a resin filler.

【0049】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤40を、調
製後24時間以内に基板30の両面にロールコータを用い
て塗布することにより、導体回路(プレーン層)34の
メッシュ孔35a、35b及び、スルーホール36内に
充填し、70℃,20分間で乾燥させ、他方の面についても
同様にして樹脂充填剤40をメッシュ孔35aあるいは
スルーホール36内に充填し、70℃,20分間で加熱乾燥
させた(図1(D)参照)。
(4) The resin filler 40 obtained in the above (3) is applied to both surfaces of the substrate 30 using a roll coater within 24 hours after the preparation, whereby the mesh holes of the conductor circuit (plain layer) 34 are formed. 35a, 35b and the inside of the through hole 36, and dried at 70 ° C. for 20 minutes. The other surface is filled with the resin filler 40 in the mesh hole 35a or the through hole 36 in the same manner. Heat drying was performed for 20 minutes (see FIG. 1 (D)).

【0050】(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、プレーン層34U、34D
の表面やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充
填剤40が残らないように研磨し、次いで、前記ベルト
サンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行っ
た。このような一連の研磨を基板の他方の面についても
同様に行った(図2(E)参照)。次いで、100 ℃で1
時間、120 ℃で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時
間の加熱処理を行って樹脂充填剤40を硬化した。
(5) One surface of the substrate 30 after the treatment of (4) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the plain layers 34U and 34D.
Then, the resin filler 40 was polished so as not to remain on the surface of the lands 36a and the lands 36a of the through holes 36, and then buffing was performed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate (see FIG. 2E). Then at 100 ° C for 1
The resin filler 40 was cured by performing a heat treatment at 120 ° C. for 3 hours, at 150 ° C. for 1 hour, and at 180 ° C. for 7 hours.

【0051】このようにして、スルーホール36等に充
填された樹脂充填剤40の表層部およびプレーン層34
U、34D上面の粗化層38を除去して基板30両面を
平滑化した上で、樹脂充填剤40とプレーン層34U、
34Dの側面とが粗化層38を介して強固に密着し、ま
たスルーホール36の内壁面と樹脂充填剤40とが粗化
層38を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、
この工程により、樹脂充填剤40の表面とプレーン層3
4U、34Dの表面が同一平面となる。
The surface layer of the resin filler 40 filled in the through holes 36 and the like and the plane layer 34
After removing the roughened layer 38 on the upper surface of the U and 34D and smoothing both surfaces of the substrate 30, the resin filler 40 and the plain layer 34U,
A wiring board was obtained in which the side surfaces of 34D were firmly adhered through the roughened layer 38, and the inner wall surfaces of the through holes 36 and the resin filler 40 were firmly adhered through the roughened layer 38. That is,
By this step, the surface of the resin filler 40 and the plain layer 3
The surfaces of 4U and 34D are on the same plane.

【0052】(6) プレーン層34U、34Dを形成した
基板30にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次
いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処
理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、
硫酸銅3.2×10−2mol/l、硫酸ニッケル3.
9×10−3mol/l、錯化剤5.4×10−2mo
l/l、次亜りん酸ナトリウム3.3×10−1mol
/l、ホウ酸5.0×10−1mol/l、界面活性剤
(日信化学工業製、サーフィール465)0.1g/
l、PH=9からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬1
分後に、4秒当たり1回に割合で縦、および、横振動さ
せて、プレーン層34U、34D、スルーホール36の
ランド36a及びバイアホールの底部60aの表面にC
u−Ni−Pからなる針状合金の被覆層と粗化層42を
設けた(図2(F)参照)。
(6) The substrate 30 having the plane layers 34U and 34D formed thereon is alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst. After activating
3.2 × 10 −2 mol / l copper sulfate, nickel sulfate
9 × 10 −3 mol / l, complexing agent 5.4 × 10 −2 mo
1 / l, sodium hypophosphite 3.3 × 10 −1 mol
/ L, boric acid 5.0 × 10 -1 mol / l, surfactant (Surfir 465, manufactured by Nissin Chemical Industry) 0.1 g /
1, immersion in an electroless plating solution consisting of PH = 9, immersion 1
After one minute, the plane layers 34U and 34D, the land 36a of the through hole 36, and the surface of the bottom 60a of the via hole are subjected to vertical and horizontal vibrations once every four seconds.
A coating layer of a needle-like alloy made of u-Ni-P and a roughened layer 42 were provided (see FIG. 2F).

【0053】さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/
l、チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=
1.2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ0.3μmSn層(図示せず)を設けた。
Furthermore, tin borofluoride 0.1 mol /
1, thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C., PH =
A Cu—Sn substitution reaction was performed under the conditions of 1.2, and a 0.3 μm-thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer.

【0054】(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
(7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulating agent (B) was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulating agent (for lower layer). Next, the raw material composition for preparing the adhesive for electroless plating of A was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s to obtain an adhesive solution for electroless plating (for the upper layer).

【0055】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)4
4を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベー
ク)を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度7Pa・s
の感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接着剤層
50αを形成した(図2(G)参照)。
(8) On both surfaces of the substrate of (6), the interlayer resin insulating material (for lower layer) having a viscosity of 1.5 Pa · s
4 was coated with a roll coater within 24 hours after preparation, left in a horizontal state for 20 minutes, dried at 60 ° C. for 30 minutes (prebaked), and then the viscosity of 7 Pa · obtained in the above (7) was obtained. s
Of the photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46 is applied within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes.
The adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm was formed (see FIG. 2G).

【0056】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板3
0の両面に、85μmφの黒円51aが印刷されたフォト
マスクフィルム51(図3(H))を密着させ、超高圧
水銀灯により 500mJ/cmで露光した。これをDMT
G溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板30を超高
圧水銀灯により3000mJ/cmで露光し、100 ℃で1時
間、120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加熱処理
(ポストベーク)をすることにより、フォトマスクフィ
ルムに相当する寸法精度に優れた85μmφの開口(バイ
アホール形成用開口)48を有する厚さ35μmの層間樹
脂絶縁層(2層構造)50を形成した(図3(I)参
照)。なお、バイアホールとなる開口48には、スズめ
っき層(図示せず)を部分的に露出させた。
(9) The substrate 3 on which the adhesive layer was formed in the above (8)
The photomask film 51 (FIG. 3 (H)) on which a black circle 51a of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both sides of the “0”, and exposed at 500 mJ / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp. This is DMT
The substrate 30 is exposed to 3,000 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp, and heated (post-baked) at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and then at 150 ° C. for 3 hours. In this manner, an interlayer resin insulating layer (two-layer structure) 50 having a thickness of 35 μm and having an opening (via hole formation opening) 48 of 85 μm φ excellent in dimensional accuracy corresponding to a photomask film was formed (FIG. I)). Note that a tin plating layer (not shown) was partially exposed in the opening 48 serving as a via hole.

【0057】(10)開口48が形成された基板30を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層50の表面を粗化し(図3(J)参
照)、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してか
ら水洗いした。
(10) The substrate 30 in which the opening 48 is formed is immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 50, thereby obtaining the interlayer resin insulating layer 50. Was roughened (see FIG. 3 (J)), and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water.

【0058】(11)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤
30の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)を付与
することにより、層間樹脂絶縁層50の表面に触媒核を
付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板30を浸漬して、全体に厚さ0.6μmの無
電解めっき膜52を形成する(図3(K)参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分
(11) A palladium catalyst (manufactured by Atotech) is applied to the surface of the substrate 30 whose surface has been roughened in the step (10), so that a catalyst nucleus is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 50. Thereafter, the substrate 30 is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form a 0.6 μm-thick electroless plating film 52 as a whole (see FIG. 3K). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature

【0059】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ/cmで露光、0.8 %炭酸ナト
リウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54
を設けた(図3(L)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 52 formed in the above (11), a mask is placed thereon, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 , followed by 0.8% sodium carbonate. Developed, 15μm thick plating resist 54
(See FIG. 3 (L)).

【0060】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき
膜56を形成した(図4(M)参照)。 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm 時間 30分 温度 室温
(13) Next, electrolytic copper plating was performed on the non-resist-formed portion under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm (see FIG. 4 (M)). [Electroplating conditions] Current density 1A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature

【0061】(14)めっきレジスト54を5%KOHで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜52と電解銅めっき膜5
6からなる厚さ18μmの導体回路58及びバイアホール
60を形成した(図4(N))。
(14) After stripping and removing the plating resist 54 with 5% KOH, the electroless plating film 52 under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to remove the electroless plating film. Plating film 52 and electrolytic copper plating film 5
An 18 μm-thick conductor circuit 58 and via hole 60 made of 6 were formed (FIG. 4 (N)).

【0062】(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路5
8及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(図
4(O)参照)。
(15) The same processing as in (6) is performed, and the conductor circuit 5
A roughened surface 62 made of Cu-Ni-P was formed on the surfaces of the via holes 60 and the via holes 60, and the surfaces thereof were further substituted with Sn (see FIG. 4 (O)).

【0063】(16)(7) 〜(15)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層150及びバイアホー
ル160、導体回路158を形成することで、多層ビル
ドアップ配線板を完成する(図4(P)参照)。なお、
この上層の導体回路を形成する工程においては、Sn置
換は行わなかった。
(16) By repeating the steps (7) to (15), the interlayer resin insulating layer 150, the via hole 160, and the conductor circuit 158 of the upper layer are further formed to complete the multilayer build-up wiring board. (See FIG. 4 (P)). In addition,
In the step of forming the upper conductor circuit, Sn substitution was not performed.

【0064】(17)そして、上述した多層ビルドアップ配
線板にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基
板30両面に、上記D.にて説明したソルダーレジスト
組成物70αを45μmの厚さで塗布する(図5
(Q))。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥
処理を行った後、円パターン(マスクパターン)が描画
された厚さ5mmのフォトマスクフィルム(図示せず)を
密着させて載置し、1000mJ/cm の紫外線で露光し、
DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で1時間、 100
℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で
加熱処理し、はんだパッド部分(バイアホールとそのラ
ンド部分を含む)に開口(開口径 200μm)71を有す
るソルダーレジスト層(厚み20μm)70を形成する
(図5(R)参照)。
(17) Then, the above-described multilayer build-up distribution
Form solder bumps on the wire plate. The group obtained in the above (16)
The above D.C. Solder resist explained in
The composition 70α is applied in a thickness of 45 μm (FIG. 5)
(Q)). Then dry at 70 ° C for 20 minutes and 70 ° C for 30 minutes
After processing, a circular pattern (mask pattern) is drawn
5mm thick photomask film (not shown)
Placed in close contact, 1000mJ / cm 2Exposure with ultraviolet light
Perform DMTG development processing. And then at 80 ° C for 1 hour, 100
1 hour at 120 ° C, 1 hour at 120 ° C, 3 hours at 150 ° C
Heat the solder pad (via hole and its
(Including opening part) has an opening (opening diameter 200μm) 71
Forming a solder resist layer (thickness: 20 μm) 70
(See FIG. 5 (R)).

【0065】(18)次に、塩化ニッケル2.31×10−1mo
l/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−1mol/
l、クエン酸ナトリウム1.85×10−1mol/l、から
なるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に該基板3
0を20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッ
ケルめっき層72を形成した。さらに、その基板を、シ
アン化金カリウム4.1 ×10−2mol/l、塩化アンモ
ニウム1.87×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.
16×10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7×10
−1mol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件
で7分20秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.
03μmの金めっき層74を形成することで、バイアホー
ル160及び導体回路158(裏面側のみ図示する)に
半田パッド75を形成する(図5(S)参照)。
(18) Next, nickel chloride 2.31 × 10 -1 mo
1 / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 -1 mol /
1 and 1.85 × 10 −1 mol / l of sodium citrate, and the substrate 3 was placed in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5.
0 was immersed for 20 minutes to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the opening 71. Further, the substrate was treated with potassium cyanide 4.1 × 10 −2 mol / l, ammonium chloride 1.87 × 10 −1 mol / l, sodium citrate 1.
16 × 10 −1 mol / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10
Immersion in an electroless gold plating solution of -1 mol / l at 80 ° C. for 7 minutes and 20 seconds to form a film having a thickness of 0.2 mm on the nickel plating layer.
By forming the gold plating layer 74 of 03 μm, the solder pad 75 is formed in the via hole 160 and the conductor circuit 158 (only the back side is shown) (see FIG. 5 (S)).

【0066】(19)そして、ソルダーレジスト層70の開
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76U、76D
を形成し、多層ビルドアップ配線板10を完成した(図
6参照)。
(19) Then, solder paste is printed in the opening 71 of the solder resist layer 70 and reflowed at 200 ° C., so that the solder bumps (solder bodies) 76U and 76D
To complete the multilayer build-up wiring board 10 (see FIG. 6).

【0067】完成した多層プリント配線板10の半田バ
ンプ76Uに、ICチップ90のパッド92が対応する
ように載置し、リフローを行いICチップ90を搭載す
る。その後、ICチップ90と多層プリント配線板10
との間に、アンダーフィル88を充填する。このICチ
ップ90を搭載した多層プリント配線板10を、ドータ
ボード94側のバンプ96に対応するように載置してリ
フローを行い、ドータボード94へ取り付ける。その
後、多層プリント配線板10とドータボード94との間
にアンダーフィル88を充填する。
The IC chip 90 is mounted on the solder bumps 76U of the completed multilayer printed wiring board 10 so that the pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U and reflow is performed. Then, the IC chip 90 and the multilayer printed wiring board 10
Is filled with an underfill 88. The multilayer printed wiring board 10 on which the IC chip 90 is mounted is mounted so as to correspond to the bumps 96 on the daughter board 94, reflowed, and attached to the daughter board 94. Thereafter, an underfill 88 is filled between the multilayer printed wiring board 10 and the daughter board 94.

【0068】引き続き、本発明の第2実施形態につい
て、図9及び図10を参照して説明する。図9は、第2
実施形態の多層プリント配線板110の断面図を示して
いる。上述した第1実施形態では、コア基板30の両面
にプレーン層34U、34Dが配設されたが、第2実施
形態の多層プリント配線板110では、層間樹脂絶縁層
50の上にプレーン層58U、58Dが形成されてい
る。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 shows the second
1 shows a cross-sectional view of a multilayer printed wiring board 110 of the embodiment. In the above-described first embodiment, the plane layers 34U and 34D are provided on both surfaces of the core substrate 30. However, in the multilayer printed wiring board 110 of the second embodiment, the plane layers 58U and 34U are provided on the interlayer resin insulating layer 50. 58D are formed.

【0069】即ち、第2実施形態の多層ビルドアップ配
線板110では、コア基板30の表面及び裏面に導体回
路34が形成され、導体回路34の上には、下層側層間
樹脂絶縁層50が形成されている。下層側層間樹脂絶縁
層50の上には、プレーン層58U、58Dが形成され
ている。ここで、表面側(ICチップ側)のプレーン層
58は、電源層として用いられ、裏面側(ドータボード
側)のプレーン層58は、グランド層として用いられ
る。該プレーン層58U、58Dの上側には、上層層間
樹脂絶縁層150が形成され、バイアホール160及び
導体回路158が配設されている。
That is, in the multilayer build-up wiring board 110 of the second embodiment, the conductor circuit 34 is formed on the front and back surfaces of the core substrate 30, and the lower interlayer resin insulation layer 50 is formed on the conductor circuit 34. Have been. Plain layers 58U and 58D are formed on lower interlayer resin insulation layer 50. Here, the plane layer 58 on the front side (IC chip side) is used as a power supply layer, and the plane layer 58 on the back side (daughter board side) is used as a ground layer. Above the plane layers 58U and 58D, an upper interlayer resin insulation layer 150 is formed, and via holes 160 and conductor circuits 158 are provided.

【0070】図9のF−F断面、即ち、層間樹脂絶縁層
50の表面に形成されたプレーン層58Uの平面を図1
0(A)に示す。図10(A)のG−G断面が図9に相
当する。図10に示すようにプレーン層58Uには、チ
ップ搭載領域Cの外側には、直径200μmのメッシュ
孔59aが形成されている。一方、チップ搭載領域Cの
内側には、瓢箪型のメッシュ孔59bが形成されてい
る。図10(B)に該メッシュ孔359bを拡大して示
す。該メッシュ孔59b内には、数十μmの間隙Kを設
けて層間樹脂絶縁層50に形成されたバイアホール60
及び層間樹脂絶縁層150に形成されたバイアホールが
接続するパッド(バイアホールの底部)160aが配設
されている。即ち、バイアホールのランド60及びバイ
アホールの接続するパッド160aが一体に形成されて
いる。
FIG. 1 is a sectional view taken along the line FF of FIG. 9, that is, the plane of the plane layer 58U formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 50.
0 (A). A cross section taken along line GG of FIG. 10A corresponds to FIG. As shown in FIG. 10, a mesh hole 59a having a diameter of 200 μm is formed in the plane layer 58U outside the chip mounting area C. On the other hand, a gourd-shaped mesh hole 59b is formed inside the chip mounting area C. FIG. 10B shows the mesh hole 359b in an enlarged manner. In the mesh hole 59b, a via hole 60 formed in the interlayer resin insulation layer 50 with a gap K of several tens μm is provided.
Pads (bottoms of via holes) 160a connected to via holes formed in interlayer resin insulating layer 150 are provided. That is, the via hole land 60 and the via hole connecting pad 160a are integrally formed.

【0071】第2実施形態の多層プリント配線板110
では、プレーン層58Uのチップ搭載領域Cにメッシュ
孔59bを形成すると共に、当該メッシュ孔59b内に
バイアホールのランド60、バイアホールを接続するパ
ッド160aを設けるため、該バイアホールのランド6
0、バイアホールを接続するパッド160aの外周に設
けられたメッシュ孔59bの間隙Kにてプレーン層58
Uの上層に配設される層間樹脂絶縁層150と下層に配
設される層間樹脂絶縁層50とを、直接接触させるの
で、接着性を高めることができる。また、該バイアホー
ルのランド60、バイアホールの接続するパッド160
aの外周に設けられたメッシュ孔59bの間隙Kを通し
て、層間樹脂絶縁層150、50に吸収された水分等か
らなるガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層50、1
50の絶縁性を高め、また層間樹脂絶縁層の剥離を防止
することが可能になる。更に、該チップ搭載領域Cのメ
ッシュ孔59b内にバイアホールのランド60、バイア
ホールの接続するパッド160aを形成するため、凹凸
ができず、当該チップ搭載領域Cを平坦にできる。な
お、図11(C)のようにバイアホールのランド60と
バイアホールの接続するパッド160aとの連結部分の
くびれを無くし、達磨型、或いは涙滴型の形状にしても
よい。
The multilayer printed wiring board 110 of the second embodiment
Then, a mesh hole 59b is formed in the chip mounting area C of the plane layer 58U, and a via hole land 60 and a pad 160a for connecting the via hole are provided in the mesh hole 59b.
0, the plane layer 58 is formed by the gap K between the mesh holes 59b provided on the outer periphery of the pad 160a connecting the via hole.
Since the interlayer resin insulating layer 150 provided above U and the interlayer resin insulating layer 50 provided below are brought into direct contact with each other, the adhesiveness can be improved. The via hole land 60 and the via hole connecting pad 160
Since a gas consisting of moisture or the like absorbed by the interlayer resin insulating layers 150 and 50 can be radiated through the gap K between the mesh holes 59b provided on the outer periphery of the interlayer resin insulating layers 50 and 50,
It is possible to enhance the insulation of the substrate 50 and prevent the interlayer resin insulation layer from peeling off. Further, since the land 60 of the via hole and the pad 160a connected to the via hole are formed in the mesh hole 59b of the chip mounting region C, no irregularities are formed, and the chip mounting region C can be made flat. In addition, as shown in FIG. 11C, the connection portion between the land 60 of the via hole and the pad 160a to which the via hole is connected may be eliminated, and the shape may be a dwarf type or a teardrop type.

【0072】引き続き、第3実施形態に係る多層プリン
ト配線板の構成について、図11を参照して説明する図
11は、コア基板の表面側に形成されたプレーン層34
Uを示す平面図である。ここで、図8を参照して上述し
た第1実施形態では、チップ搭載領域C内にスルーホー
ルのランド36a及びバイアホールが接続されるパッド
60の配設されるメッシュ孔35bが穿設された。これ
に対して、第3実施形態では、チップ搭載領域C内に、
該瓢箪型のメッシュ孔35bのみならず、円形のメッシ
ュ孔35cが設けられ、該メッシュ孔35c内には、ベ
タ状導体層34dが配設されている。なお、図11
(B)に示すように、ベタ状導体層34dは、周囲のプ
レーン層34Uと少なくとも1カ所以上で接続してもよ
い。
Next, the structure of the multilayer printed wiring board according to the third embodiment will be described with reference to FIG. 11. FIG. 11 shows a plane layer 34 formed on the front side of the core substrate.
It is a top view which shows U. Here, in the first embodiment described above with reference to FIG. 8, a mesh hole 35b in which a land 36a of a through hole and a pad 60 to which a via hole is connected is provided in the chip mounting area C. . On the other hand, in the third embodiment, in the chip mounting area C,
In addition to the gourd-shaped mesh hole 35b, a circular mesh hole 35c is provided, and a solid conductor layer 34d is provided in the mesh hole 35c. Note that FIG.
As shown in (B), the solid conductor layer 34d may be connected to the surrounding plane layer 34U at at least one location.

【0073】第3実施形態の多層プリント配線板では、
プレーン層34Uのチップ搭載領域Cにメッシュ孔35
cを形成すると共に、当該メッシュ孔35c内にベタ状
導体層34dを設けるため、該ベタ状導体層34dの外
周に設けられたメッシュ孔35cの間隙にてプレーン層
34Uの上層に配設される層間樹脂絶縁層50と下層に
配設される樹脂製コア基板30とを、直接接触させるの
で、接着性を高めることができる。また、該ベタ状導体
層34dの外周に設けられたメッシュ孔35cの間隙を
通して、層間樹脂絶縁層50及びコア基板30に吸収さ
れた水分等からなるガスを発散できるため、層間樹脂絶
縁層50及びコア基板30の絶縁性を高め、また、層間
樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。更に、
該チップ搭載領域Cのメッシュ孔35c内にベタ状導体
層34dを形成するため、凹凸ができず、当該チップ搭
載領域Cを平坦にできる。
In the multilayer printed wiring board according to the third embodiment,
A mesh hole 35 is formed in the chip mounting area C of the plane layer 34U.
In order to form c and to provide the solid conductor layer 34d in the mesh hole 35c, the solid conductor layer 34d is disposed above the plane layer 34U at a gap between the mesh holes 35c provided on the outer periphery of the solid conductor layer 34d. Since the interlayer resin insulating layer 50 and the resin core substrate 30 provided in the lower layer are brought into direct contact with each other, the adhesiveness can be improved. Further, a gas consisting of moisture or the like absorbed by the interlayer resin insulating layer 50 and the core substrate 30 can be diffused through the gap of the mesh hole 35c provided on the outer periphery of the solid conductor layer 34d. It is possible to enhance the insulating properties of the core substrate 30 and prevent peeling of the interlayer resin insulating layer. Furthermore,
Since the solid conductor layer 34d is formed in the mesh hole 35c of the chip mounting area C, no irregularities are formed, and the chip mounting area C can be flattened.

【0074】引き続き、第4実施形態に係る多層プリン
ト配線板の構成について、図12を参照して説明する図
12(A)は、コア基板の表面側に形成されたプレーン
層34Uを示す平面図である。ここで、図8を参照して
上述した第1実施形態では、チップ搭載領域C内にスル
ーホールのランド36a及びバイアホールが接続するパ
ッド60の配設されるメッシュ孔35bが穿設された。
これに対して、第4実施形態では、チップ搭載領域C内
に、円形のメッシュ孔35dが設けられ、該メッシュ孔
35d内には、スルーホールのランド36aのみが配設
されている。この第4実施形態の層間樹脂絶縁層50及
びコア基板30の断面を図12(B)に示す。第4実施
形態では、コア基板30に形成されたスルーホール36
のランド36aの直上にバイアホール60が形成されて
いる。
Next, the configuration of the multilayer printed wiring board according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. 12. FIG. 12A is a plan view showing a plane layer 34U formed on the front side of the core substrate. It is. Here, in the first embodiment described above with reference to FIG. 8, the mesh holes 35b in which the lands 36a of the through holes and the pads 60 to which the via holes are connected are formed in the chip mounting area C.
On the other hand, in the fourth embodiment, a circular mesh hole 35d is provided in the chip mounting area C, and only the land 36a of the through hole is provided in the mesh hole 35d. FIG. 12B shows a cross section of the interlayer resin insulating layer 50 and the core substrate 30 of the fourth embodiment. In the fourth embodiment, the through holes 36 formed in the core substrate 30 are formed.
A via hole 60 is formed immediately above the land 36a.

【0075】第4実施形態の多層プリント配線板では、
プレーン層34Uのチップ搭載領域Cにメッシュ孔35
dを形成すると共に、当該メッシュ孔35d内にランド
36aを設けるため、該ランド36aの外周に設けられ
たメッシュ孔35dの間隙にてプレーン層34Uの上層
に配設される層間樹脂絶縁層50と下層に配設される樹
脂製コア基板30とを、直接接触させるので、接着性を
高めることができる。また、該ランド36aの外周に設
けられたメッシュ孔35dの間隙を通して、層間樹脂絶
縁層50及びコア基板30に吸収された水分等からなる
ガスを発散できるため、層間樹脂絶縁層50及びコア基
板30の絶縁性を高め、また、層間樹脂絶縁層の剥離を
防止することが可能になる。更に、該チップ搭載領域C
のメッシュ孔34d内にランド36aを形成するため、
凹凸ができず、当該チップ搭載領域Cを平坦にできる。
なお、図12(C)に示すように、スルーホールのラン
ド36aとバイアホール60とが、スルーホールを覆う
導体層(フタメッキ)を36eを介して接続されてもよ
い。
In the multilayer printed wiring board according to the fourth embodiment,
A mesh hole 35 is formed in the chip mounting area C of the plane layer 34U.
d and the land 36a is provided in the mesh hole 35d, the interlayer resin insulating layer 50 disposed above the plane layer 34U at the gap between the mesh holes 35d provided on the outer periphery of the land 36a. Since the resin core substrate 30 provided in the lower layer is brought into direct contact with the resin core substrate 30, the adhesiveness can be improved. Further, since the gas composed of the moisture and the like absorbed by the interlayer resin insulating layer 50 and the core substrate 30 can be diffused through the gap of the mesh hole 35d provided on the outer periphery of the land 36a, the interlayer resin insulating layer 50 and the core substrate 30 It is possible to enhance the insulating property of the substrate and to prevent peeling of the interlayer resin insulating layer. Further, the chip mounting area C
In order to form the land 36a in the mesh hole 34d,
No irregularities are formed, and the chip mounting area C can be flattened.
As shown in FIG. 12C, the land 36a of the through hole and the via hole 60 may be connected via a conductor layer (lid plating) 36e covering the through hole.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(A)、図1(B)、図1(C)、図1
(D)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
1 (A), 1 (B), 1 (C), 1
(D) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図2】図2(E)、図2(F)、図2(G)、図2
(H)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
FIG. 2 (E), FIG. 2 (F), FIG. 2 (G), FIG.
(H) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図3(I)、図3(J)、図3(K)、図3
(L)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
FIG. 3 (I), FIG. 3 (J), FIG. 3 (K), FIG.
(L) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】図4(M)、図4(N)、図4(O)、図4
(P)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
FIGS. 4 (M), 4 (N), 4 (O), 4
(P) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】図5(Q)、図5(R)、図5(S)は、本発
明の第1実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造
工程図である。
FIGS. 5 (Q), 5 (R), and 5 (S) are manufacturing process diagrams of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図8】図8(A)は、図7のD−D断面図であり、図
8(B)は、図8(A)のメッシュ孔の拡大図であり、
図8(C)は、改変例に係るメッシュ孔の拡大図であ
る。
8 (A) is a sectional view taken along the line DD of FIG. 7, and FIG. 8 (B) is an enlarged view of the mesh hole of FIG. 8 (A);
FIG. 8C is an enlarged view of a mesh hole according to a modification.

【図9】本発明の第2実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of a multilayer build-up wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図10】図10(A)は、図9のF−F断面図であ
り、図10(B)は、図10(A)に示すメッシュ孔の
拡大図であり、図10(C)は、改変例に係るメッシュ
孔の拡大図である。
10 (A) is a sectional view taken along line FF of FIG. 9, FIG. 10 (B) is an enlarged view of the mesh hole shown in FIG. 10 (A), and FIG. It is an enlarged view of a mesh hole concerning a modification.

【図11】図11(A)は、本発明の第3実施形態に係
る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図であ
り、図11(B)は、図11(A)に示すメッシュ孔の
改変例の拡大図である。
FIG. 11 (A) is a plan view of a plane layer of a multilayer build-up wiring board according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 11 (B) is a mesh hole shown in FIG. 11 (A). It is an enlarged view of the modification of.

【図12】図12(A)は、本発明の第4実施形態に係
る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図であ
り、図12(B)は、該多層プリント配線板の断面図で
あり、図12(C)は、改変例に係る多層プリント配線
板の断面図である。
FIG. 12A is a plan view of a plane layer of a multilayer build-up wiring board according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 12B is a cross-sectional view of the multilayer printed wiring board. FIG. 12C is a cross-sectional view of a multilayer printed wiring board according to a modification.

【図13】図13(A)及び図13(B)は、従来技術
に係る多層ビルドアップ配線板のプレーン層の平面図で
ある。
13 (A) and 13 (B) are plan views of plane layers of a multilayer build-up wiring board according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 34U、34D プレーン層 34d ベタ層 35a、35b、35c、35d メッシュ孔 36 バイアホール 36a バイアホールのランド 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 58U、58D プレーン層 59a、59b メッシュ孔 60 バイアホール 60a バイアホールの底部(バイアホールが接続する
パッド) 150 層間樹脂絶縁層 160 バイアホール 160a バイアホールの底部
Reference Signs List 30 core substrate 34U, 34D plane layer 34d solid layer 35a, 35b, 35c, 35d mesh hole 36 via hole 36a land of via hole 50 interlayer resin insulating layer 58 conductive circuit 58U, 58D plane layer 59a, 59b mesh hole 60 via hole 60a Bottom of via hole (pad connected to via hole) 150 interlayer resin insulation layer 160 via hole 160a bottom of via hole

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層
してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を
備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビルド
アップ配線板において、 前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を
設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を
介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であ
って、その孔内にスルーホール又はバイアホールのラン
ド及びバイアホールが接続するパッドを配設したことを
特徴とする多層ビルドアップ配線板。
1. A multilayer build-up wiring board in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated, a chip mounting area for mounting a chip on an uppermost layer is provided, and the conductor layers are connected by via holes. A mesh hole is provided in the plane layer formed as the conductor layer, and at least a part of the mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via an interlayer resin insulating layer, and a through hole or a via is formed in the hole. A multilayer build-up wiring board comprising a pad for connecting a land of a hole and a via hole.
【請求項2】 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層
してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を
備え、導体層間がバイアホールで接続された多層ビルド
アップ配線板において、 前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を
設けると共に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を
介して対向する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であ
って、その孔内にバイアホールのランドを配設したこと
を特徴とする多層ビルドアップ配線板。
2. A multilayer build-up wiring board in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated, a chip mounting area for mounting a chip on an uppermost layer is provided, and the conductor layers are connected by via holes. A mesh hole is provided in the plane layer formed as the conductor layer, and at least a part of the mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via an interlayer resin insulating layer, and a land of a via hole is formed in the hole. The multilayer build-up wiring board characterized by having arranged.
【請求項3】 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層
してなり、最上層にチップを搭載するチップ搭載領域を
備えた多層ビルドアップ配線板において、前記導体層と
して形成したプレーン層に、メッシュ孔を設けると共
に、前記チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介して対向
する領域のメッシュ孔の少なくとも一部であって、その
孔内にベタ状導体層を配設したことを特徴とする多層ビ
ルドアップ配線板。
3. A multilayer build-up wiring board having an interlayer resin insulating layer and a conductor layer alternately laminated and having a chip mounting area for mounting a chip on the uppermost layer, wherein the plane layer formed as the conductor layer is A mesh hole, and at least a part of a mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via an interlayer resin insulating layer, wherein a solid conductor layer is provided in the hole. Multilayer build-up wiring board.
【請求項4】 スルーホールを有する基板上に層間樹脂
絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、最上層にチッ
プを搭載するチップ搭載領域を備えた多層ビルドアップ
配線板において、 前記導体層として形成したプレーン層に、メッシュ孔を
設けると共に、該チップ搭載領域と層間樹脂絶縁層を介
して対向する領域のメッシュ孔の少なくとの一部であっ
て、その孔内にスルーホールのランドを配設したことを
特徴とする多層ビルドアップ配線板。
4. A multilayer build-up wiring board comprising a substrate having a through hole, an interlayer resin insulating layer and a conductor layer alternately laminated on each other, and having a chip mounting area for mounting a chip on an uppermost layer. A mesh hole is provided in the plane layer formed as a layer, and at least a part of the mesh hole in a region opposed to the chip mounting region via the interlayer resin insulating layer, and a land of a through hole is formed in the hole. The multilayer build-up wiring board characterized by having arranged.
JP00031599A 1998-09-17 1999-01-05 Multilayer build-up wiring board Expired - Fee Related JP4127440B2 (en)

Priority Applications (19)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00031599A JP4127440B2 (en) 1999-01-05 1999-01-05 Multilayer build-up wiring board
KR1020087005013A KR20080023369A (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
CN2008100810376A CN101267716B (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
EP99943231A EP1137333B1 (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
DE69942279T DE69942279D1 (en) 1998-09-17 1999-09-08 MULTILAYER CONSTRUCTED PCB
CN2008100810361A CN101267715B (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
KR1020017003399A KR20010085811A (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
PCT/JP1999/004895 WO2000018202A1 (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
KR1020097011027A KR20090059173A (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
KR1020087005014A KR20080024239A (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
US09/787,321 US6613986B1 (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
CN2008100810380A CN101267717B (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
EP07115803A EP1868423A1 (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
CN99811085A CN1318274A (en) 1998-09-17 1999-09-08 Multilayer build-up wiring board
TW088115730A TW453146B (en) 1998-09-17 1999-09-13 Multi-layer built-up wiring board
MYPI20044069A MY141631A (en) 1998-09-17 1999-09-16 Multilayer build-up wiring board
MYPI99004017A MY123224A (en) 1998-09-17 1999-09-16 Multilayer build-up wiring board.
US10/334,062 US7514779B2 (en) 1998-09-17 2002-12-31 Multilayer build-up wiring board
US12/406,009 US7847318B2 (en) 1998-09-17 2009-03-17 Multilayer build-up wiring board including a chip mount region

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00031599A JP4127440B2 (en) 1999-01-05 1999-01-05 Multilayer build-up wiring board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000200972A true JP2000200972A (en) 2000-07-18
JP4127440B2 JP4127440B2 (en) 2008-07-30

Family

ID=11470485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00031599A Expired - Fee Related JP4127440B2 (en) 1998-09-17 1999-01-05 Multilayer build-up wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4127440B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002185141A (en) * 2000-12-15 2002-06-28 Ibiden Co Ltd Multilayer printed board
WO2012014743A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 Substrate structure for vehicle-mounting electronic device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002185141A (en) * 2000-12-15 2002-06-28 Ibiden Co Ltd Multilayer printed board
WO2012014743A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 Substrate structure for vehicle-mounting electronic device
JP2012033664A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Hitachi Automotive Systems Ltd Substrate structure used in automotive electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP4127440B2 (en) 2008-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003023252A (en) Multilayered printed wiring board
JP2000165046A (en) Multilayer built-up wiring board
JP2003023253A (en) Multilayered printed wiring board
JP4197070B2 (en) Multilayer build-up wiring board
JP2000022317A (en) Printed wiring board and manufacture thereof
JP2000114727A (en) Multilayer printed wiring board
JP3296995B2 (en) Raw material composition for preparing interlayer resin insulator and method for preparing interlayer resin insulator
JPH1117345A (en) Multilayer printed wiring board
JP2000133941A (en) Multilayer build-up wiring board
JP3421239B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board
JP3126331B2 (en) Package substrate
JP2000200972A (en) Multilayer build up wiring board
JP3383759B2 (en) Multilayer printed wiring board and method of manufacturing multilayer printed wiring board
JP2000101246A (en) Multilayer built-up wiring board and its manufacture
JP4374683B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP2000208903A (en) Printed wiring board and manufacturing of the same
JP2008118162A (en) Printed wiring board
JP2000058710A (en) Printed wiring board
JP3733204B2 (en) Raw material composition for preparing resin filler and method for preparing resin filler
JP2000101243A (en) Multilayer built-up wiring board and its manufacture
JP4137240B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP2000349427A (en) Printed wiring board, printed wiring board for surface mounting, and surface-mount wiring board
JP3459767B2 (en) Printed wiring board
JP2996945B2 (en) Raw material composition for preparing adhesive for electroless plating and method for preparing adhesive for electroless plating
JP2000286558A (en) Multilayer printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050901

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071016

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080507

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080508

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees