JP2000200556A - マグネトロン管用貫通型ｅｍｉフィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マグネトロン管の基本波、サイドバンド、高
調波の電磁妨害雑音がフィラメント電流供給用ラインを
介し伝導するのを効果的に抑圧する。 【解決手段】 マグネトロン管のフィラメント電流供給
用ラインとなるそれぞれの内部導体４１と各内部導体４
１を個別に囲む接地用中空導体４２との間の中空部に、
偏平状の金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性体４４
をそれぞれ設けている。前記接地用中空導体４２の周囲
には、前記マグネトロン管の金属シールドケースに電気
接続されるシャーシ４３が一体に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｓｉ系等の
偏平状金属磁性体粉末と結合材から成る複合磁性材料を
フィルタ用素材とした貫通型構造のＥＭＩフィルタに係
り、特に電子レンジのマグネトロン管のフィラメント電
流供給用ラインを介して外部に伝導するマグネトロン管
の基本発振周波数成分及びその高調波成分を含む伝導性
の電磁妨害雑音（以降、伝導性ＥＭＩと略記）を抑圧す
るのに適した性能を持つ簡易な構造のマグネトロン管用
貫通型ＥＭＩフィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のマグネトロン管のフィラメント電
流供給用ラインに用いられているＥＭＩフィルタは、チ
ョークコイルと貫通型磁器コンデンサとを前記ラインの
２線にそれぞれＬ型接続とした低域通過形の構成として
いた［電子通信学会マイクロ波研究会資料ＭＷ７２−１
２５（１９７３−０２）］。

【０００３】図１７はこの種のＥＭＩフィルタのマグネ
トロン管への組み込み状態を示す構造図、図１８は同回
路図である。これらの図において、１はマグネトロン管
の本体部であり、陽極ベイン２、これと作用空間３を介
して対向する陰極（フィラメント）４、磁界印加用のフ
ェライト磁石５が収納され、上部に出力アンテナ６が設
置されている。本体部１の下部のステムセラミック７よ
りマグネトロン管のフィラメントに接続する引出線が引
き出され、さらにチョークコイル８、貫通型磁器コンデ
ンサ９を通して陰極端子１０として導出されている。ス
テムセラミック７及びチョークコイル８は本体部１の下
部に一体化された金属シールドケース１１内に収納さ
れ、貫通型磁器コンデンサ９はシールドケース１１を貫
通するように固着されている。

【０００４】図１７及び図１８の従来構成で使用してい
るチョークコイルの構造は、例えば図１９及び図２０に
示すように、直径６mm、長さ３０mm程のＮｉ−Ｚｎ系フ
ェライト磁心２０上に直径１.５mmのポリエステル銅線
２１を１０回程巻いたものであり、インダクタンス値は
３μＨ程である。

【０００５】貫通型磁器コンデンサの基本構造は、図２
１の如く直径１０mm、長さ２０mm程の円筒状ＢａＴｉＯ
_３系セラミックの内部電極を直径３mm程の貫通した内導
体に、外部電極をシャーシ電極にそれぞれ半田付けした
ものであり、その容量値は５００ｐＦ前後である。図２
２乃至図２４は実際にマグネトロン管に組み込まれてい
る貫通型磁器コンデンサの外観例で、シャーシ電極３２
を一体に持つ絶縁ケース３０、絶縁カバー３１内に図２
１に示した基本構造の磁器コンデンサを２個一体とし組
み込んでいる。

【０００６】従来技術の問題又は不具合な点を以下に列
記する。

【０００７】(1) チョークコイルにフィラメント電流
（Ｉ_ｆ：約１０Ａ程度）が流れることにより、チョーク
コイルの巻線抵抗（Ｒ_ＤＣ）に基因するＩ_ｆ ^２×Ｒ_ＤＣ
の電力消費が生じ、マグネトロン管近傍の温度上昇をも
たらす。更にはＩ_ｆ ^２×Ｒ_ＤＣの電力消費は昨今の省電
力の流れに逆行する。

【０００８】(2) チョークコイルは図１９、図２０の
ような巻線構造としているため、巻線の分布容量と自己
共振を生じ共振周波数を超えると、コイルのインピーダ
ンスは容量性に変わり、電磁妨害雑音を抑圧する機能が
劣化する。この種の巻線構造のチョークコイルの自己共
振周波数は図２５にみるとおり、１００ＭＨｚ以下であ
る。

【０００９】コイルのインピーダンスを低減させるもう
一つの要因として、図２６［（Ａ）はフェライトの複素
比透磁率特性例、（Ｂ）は複素比誘電率特性例］に示す
とおり、周波数が高くなるとフェライトの複素比透磁率
の実数部（μr′）が周波数分散現像をもたらすことが
挙げられる。

【００１０】(3) 貫通コンデンサはリード線を持たな
い為、寄生インダクタンスによる自己共振周波数はない
が、図２７の各種磁器コンデンサのインピーダンス特性
に示すとおり、周波数が高くなると形状面での共振現象
が現れる（図中、インピーダンスの最小値を示す周波数
が共振周波数である）。一方、図２８のマグネトロン管
（例えば２４５０ＭＨｚ帯マグネトロン管等）が発生す
る電磁妨害雑音の周波数スペクトラム例に示すように、
抑圧対象とする電磁妨害雑音の周波数が１０ＧＨｚ迄及
ぶ場合、図２１に示した貫通型磁器コンデンサを用いて
も、形状面での共振により、インピーダンスが高くな
り、電磁妨害雑音を抑圧する機能が劣化する。

【００１１】(4) ＥＭＩフィルタ構成素子としてチョ
ークコイル２個、貫通型コンデンサ２個（または一対品
１個）と多く、費用が高くつく。

【００１２】(5) ＥＭＩフィルタ構成素子が多いた
め、マグネトロン管への組み込み、素子間接続の手間が
かかり、費用がかさむ。

【００１３】(6) フィラメント電流のように大きな電
流が流れる回路において、チョークコイルと貫通型磁器
コンデンサの接続のような箇所が増えると信頼性の低下
につながりやすい。

【００１４】(7) ＥＭＩフィルタ構成素子が多くなる
ことによって、組み込みに要する空間スペースが大きく
なり、小型化志向にそぐわない。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記列記し
た従来技術の問題又は不具合な点を改善することを目的
とし、特にマグネトロン管の基本波（例えば２.４５Ｇ
Ｈｚ付近）、サイドバンド（例えば２.２ＧＨｚ、２.６
ＧＨｚ付近），高調波（例えば２.９ＧＨｚ、７.３５Ｇ
Ｈｚ、９.８ＧＨｚ付近）の電磁妨害雑音がフィラメン
ト電流供給用ラインを介し伝導するのを効果的に抑圧可
能なマグネトロン管用貫通型ＥＭＩフィルタを提供しよ
うとするものである。

【００１６】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係るマグネトロン管用貫通型
ＥＭＩフィルタは、マグネトロン管のフィラメント電流
供給用ラインとなるそれぞれの導体と各導体を個別に囲
む接地用中空導体との間の中空部に、偏平状の金属磁性
体粉末を主成分とする複合磁性体をそれぞれ設けた構成
としている。

【００１８】本願請求項２の発明に係るマグネトロン管
用貫通型ＥＭＩフィルタは、マグネトロン管のフィラメ
ント電流供給用ラインとなるそれぞれの導体と各導体を
共通に囲む接地用中空導体との間の中空部に、偏平状の
金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性体を設けた構成
としている。

【００１９】本願請求項３の発明は、請求項２の発明に
おいて、前記フィラメント電流供給用ラインとなる導体
間に、前記複合磁性体の全長又は部分的な長さにわたっ
て当該複合磁性体が入り込まないように、絶縁体を設け
る構成としている。

【００２０】本願請求項４の発明は、請求項１，２又は
３の発明において、前記接地用中空導体の周囲に、前記
マグネトロン管の金属シールドケースに電気接続される
シャーシを一体に設けた構成としている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマグネトロン
管用貫通型ＥＭＩフィルタの実施の形態を図面に従って
説明する。

【００２２】図１及び図２はマグネトロン管用貫通型Ｅ
ＭＩフィルタの第１の実施の形態を、図３はマグネトロ
ン管への実装例をそれぞれ示す。図中、４０はＥＭＩフ
ィルタ全体を示し、４１は内部導体（フィラメント電流
供給用ライン）、４２は円筒状の接地用中空導体（外部
導体）、４３は接地用中空導体と一体で垂直に突出した
シャーシ（マグネトロン管金属シールドケースに装着す
る鍔状金具）、４４は複合磁性体（後述する複合磁性材
料の加熱成型物）、４５−１，４５−２は樹脂等の成型
体で形成された絶縁蓋、４６，４７は内部導体両端にそ
れぞれ形成された外部接続端子である。外部接続端子４
６はマグネトロン管外部に導出された陰極端子となる。

【００２３】前記内部導体４１は円筒状の接地用中空導
体４２の中心に同軸状に配置されて同軸管を構成し、こ
の同軸管の一端に一方の絶縁蓋４５−１が配置固定さ
れ、もう一方の端から、内部導体４１とこれを個別に囲
む接地用中空導体との間の中空部に、前記複合磁性体４
４を挿入後、他方の絶縁蓋４５−２で封止する。同軸管
両側の絶縁蓋４５−１，４５−２は複合磁性体４４を脱
落しないように接地用中空導体４２の両端開口を閉塞し
て保持するとともに前記内部導体４１を貫通状態で同軸
状に支持する。

【００２４】この場合、複合磁性体４４は予め成型した
ものを使用する代わりに、磁性体粉末及び結合材として
の樹脂粉末を配合、混練した複合磁性材料を前記同軸管
内に加圧、充填した後、加熱硬化させても良い。

【００２５】図３はマグネトロン管の金属シールドケー
ス１１に図１及び図２に示した貫通型ＥＭＩフィルタ４
０を装着した構造図を示す。図３のとおり、フィラメン
ト電流を供給する２本のラインに各々独立した貫通型Ｅ
ＭＩフィルタ４０が装着された形態となる。具体的に
は、各貫通型ＥＭＩフィルタ４０は金属シールドケース
１１を貫通するように配置され、かつ接地用中空導体４
２に垂直な面を持つシャーシ４３を金属シールドケース
１１に電磁波漏洩の生じないように密着させてビス等に
より固着する。なお、図３において、図１７及び図１８
と同一又は相当部分に同一符号を付した。

【００２６】前記複合磁性体４４には高周波（ＭＨｚ帯
からＧＨｚ帯）において、複素比透磁率（μr′，ｊμ
r″）及び複素比誘電率（εr′，ｊεr″）の大きく取
れる長さ４０〜５０μｍ、幅１０μｍ、厚さ１０μｍ程
度の鱗片状（扁平状）のＦｅ−Ｓｉ系合金の磁性体粉末
と成型性、熱安定性を持ち、安価なポリエステル系樹脂
を結合材として用いた複合磁性材料を所定形状（本実施
の形態では円筒状）に加熱、硬化させて用いる。但し、
複合磁性体４４を予め加熱成型する場合、金属磁性体粉
末及び樹脂粉末の重量配合比率は成型性の点から上限が
約８０：２０である。また、前記内部導体４１とこれを
囲む円筒状の接地用中空導体４２との間の中空部内に金
属磁性体粉末及び樹脂粉末を加圧、充填後、加熱、硬化
させる構成では、金属磁性体粉末及び樹脂粉末の重量配
合比率を９５：５程度まで上げることができる。なお、
金属磁性体粉末の配合比率の下限は十分な減衰量を確保
するために５０重量％以上必要である。５０重量％未満
では磁性体としての特性が大きく低下する。

【００２７】この複合磁性体４４（金属磁性体粉末８０
重量％、結合材粉末２０重量％）の持つ複素比透磁率及
び複素比誘電率の周波数特性は図４（Ａ）,（Ｂ）に示
したとおりである。

【００２８】図５は、図４に示した特性を持つ複合磁性
材料の内径３.０４mm、外径７mm、長さ２０mmの成型体
を、第１の実施の形態の図１、図２に示す同軸管構造体
に封入した場合に得られた減衰特性の例である。但し、
入出力５０Ωの測定系での挿入減衰量を示す。マグネト
ロン管の基本波、サイドバンド、高調波を含む周波数帯
（２.２ＧＨｚ〜９.８ＧＨｚ）において、３０ｄＢ以上
の減衰特性を示している。このような特性を持つ貫通型
ＥＭＩフィルタをマグネトロン管のフィラメント電流を
供給する２本のラインに挿入することによりマグネトロ
ン管から発生する電磁妨害雑音（とくにノーマルモード
の伝導性ＥＭＩ）を効果的に抑圧できることがわかる。

【００２９】この第１の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。

【００３０】(1) チョークコイルを使用しないＥＭＩ
フィルタであるため、温度上昇、電力消費が実質的にな
い。

【００３１】(2) チョークコイルを使用しないので、
自己共振がなく、ＧＨｚ帯で高い減衰特性を示し、図２
８に示したマグネトロン管のフィラメント電流供給ライ
ンを伝導する基本波乃至高調波にわたる伝導性ＥＭＩの
抑圧に有効である。

【００３２】(3) 高透磁率の誘電体を用いた貫通コン
デンサで生じる形状的な共振が、抑圧対象となる周波数
範囲（２.２ＧＨｚ〜９.８ＧＨｚ）で起こらず、電磁妨
害雑音の抑圧に有効である。

【００３３】(4) ＥＭＩフィルタの構成素子を１個の
みで済ませられ、これをマグネトロン管のフィラメント
電流供給用ラインにそれぞれ挿入すればよく、貫通型コ
ンデンサとチョークコイルによる低域通過形フィルタを
各ラインにそれぞれ挿入するのに比して部品点数が大き
く削減され、費用も安くなる。

【００３４】(5) 構成素子が各ラインにつき１個のみ
とできるため、マグネトロン管への組み込み費用が安く
なる。

【００３５】(6) 構成素子が少なく接続箇所が少ない
ため、信頼性が高くなる。

【００３６】(7) 構成素子が各ラインにつき１個のみ
のためマグネトロン管側の所要空間スペース（金属シー
ルドケース１１内の空間）は狭くてよい。

【００３７】図６及び図７はマグネトロン管用貫通型Ｅ
ＭＩフィルタの第２の実施の形態を、図８はマグネトロ
ン管への実装例をそれぞれ示す。図中、５０はＥＭＩフ
ィルタ全体を示し、５１−１，５１−２は一対の内部導
体（一対のフィラメント電流供給用ライン）、５２は扁
平筒状の接地用中空導体（外部導体）、５３は接地用中
空導体と一体で垂直に突出したシャーシ（マグネトロン
管金属シールドケースに装着する鍔状金具）、５４は複
合磁性体、５５−１，５５−２は樹脂等の成型体で形成
された絶縁蓋、５６−１，５７−１は内部導体５１−１
両端にそれぞれ形成された外部接続端子、５６−２，５
７−２は内部導体５１−２両端にそれぞれ形成された外
部接続端子である。外部接続端子５６−１，５６−２は
マグネトロン管外部に導出された陰極端子となる。

【００３８】前記扁平筒状（例えば断面が長円形状）の
接地用中空導体５２は一対の内部導体５１−１，５１−
２を共通に取り囲んでおり、その一端に一方の絶縁蓋５
５−１を配置固定し、もう一方の端から、内部導体５１
−１，５１−２とこれらを共通に囲む接地用中空導体５
２との間の中空部に、前記複合磁性体５４を挿入後、他
方の絶縁蓋５５−２で封止する。両側の絶縁蓋５５−
１，５５−２は複合磁性体５４を脱落しないように接地
用中空導体５２の両端開口を閉塞して保持するとともに
前記内部導体５１−１，５１−２を貫通状態で支持す
る。

【００３９】なお、複合磁性体５４は第１の実施の形態
で述べた複合磁性体４４と同材質、つまり鱗片状（扁平
状）のＦｅ−Ｓｉ系合金の磁性体粉末と樹脂を結合材と
して用いた複合磁性材料を所定形状に加熱、硬化させた
ものである。あるいは、複合磁性体５４として予め成型
したものを使用する代わりに、磁性体粉末及び結合材と
しての樹脂粉末を配合、混練した複合磁性材料を前記中
空部に加圧、充填した後、加熱硬化させたものを使用で
きる。

【００４０】図８はマグネトロン管の金属シールドケー
ス１１に図６及び図７に示した貫通型ＥＭＩフィルタ５
０を装着した構造図を示す。貫通型ＥＭＩフィルタ５０
は２本の内部導体５１−１，５１−２を１個の接地用中
空導体５２内に有しており、フィラメント電流を供給す
る２本のラインに共通に１個の貫通型ＥＭＩフィルタ５
０が装着された形態となり、マグネトロン管から発生す
る電磁妨害雑音（とくにノーマルモード雑音）を効果的
に抑圧できる。具体的には、貫通型ＥＭＩフィルタ５０
は金属シールドケース１１を貫通するように配置され、
かつ接地用中空導体５２に垂直な面を持つシャーシ５３
を金属シールドケース１１に電磁波漏洩の生じないよう
に密着させてビス等により固着する。なお、図８におい
て、図３と同一又は相当部分に同一符号を付した。

【００４１】この第２の実施の形態によれば、マグネト
ロン管のフィラメント電流を供給する２本のラインに対
してＥＭＩフィルタの構成素子を１個のみ（従来は３〜
４個使用）で済ますことができ、構成の簡素化、取付ス
ペースの削減、取付作業性の改善、原価低減、並びに取
付費用の低減が可能である。その他の作用効果は、前述
した第１の実施の形態と同様である。

【００４２】図９乃至図１１はマグネトロン管用貫通型
ＥＭＩフィルタの第３の実施の形態を、図１２はマグネ
トロン管への実装例をそれぞれ示す。図中、５０ＡはＥ
ＭＩフィルタ全体を示し、５１−１，５１−２は一対の
内部導体（一対のフィラメント電流供給用ライン）、５
２は扁平筒状の接地用中空導体（外部導体）、５３は接
地用中空導体と一体で垂直に突出したシャーシ（マグネ
トロン管金属シールドケースに装着する鍔状金具）、５
４Ａは複合磁性体、５５−１，５５−２は樹脂等の成型
体で形成された絶縁蓋、５６−１，５７−１は内部導体
５１−１両端にそれぞれ形成された外部接続端子、５６
−２，５７−２は内部導体５１−２両端にそれぞれ形成
された外部接続端子、５８は非磁性の絶縁体である。

【００４３】前記非磁性の絶縁体５８は、フィラメント
電流供給用ラインとなる平行な２本の内部導体５１−
１，５１−２の導体径（あるいは導体厚）程度の肉厚を
有する樹脂等の成型体等であり、それらの内部導体５１
−１，５１−２間に配置、一体化されている。この絶縁
体５８によって、複合磁性体５４Ａの全長にわたって当
該複合磁性体が２本の内部導体５１−１，５１−２間に
入り込まないようにしている。従って、内部導体５１−
１，５１−２とこれらを共通に囲む接地用中空導体５２
との間の中空部に配置された複合磁性体５４Ａは２本の
内部導体５１−１，５１−２を大きく共通に取り囲む断
面長円状の筒体となる。なお、複合磁性体５４Ａは第２
の実施の形態で述べた複合磁性体５４と同材質である。

【００４４】図１２はマグネトロン管の金属シールドケ
ース１１に図９乃至図１１に示した貫通型ＥＭＩフィル
タ５０Ａを装着した構造図を示す。貫通型ＥＭＩフィル
タ５０Ａは２本の内部導体５１−１，５１−２を１個の
接地用中空導体５２内に有しており、フィラメント電流
を供給する２本のラインに共通に１個の貫通型ＥＭＩフ
ィルタ５０Ａが装着された形態となり、マグネトロン管
から発生する電磁妨害雑音（とくにコモンモードの伝導
性ＥＭＩ）を効果的に抑圧できる。

【００４５】なお、その他の構成、作用効果は前述の第
２の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一
符号を付して説明を省略する。

【００４６】図１３乃至図１５はマグネトロン管用貫通
型ＥＭＩフィルタの第４の実施の形態を、図１６はマグ
ネトロン管への実装例をそれぞれ示す。図中、５０Ｂは
ＥＭＩフィルタ全体を示し、５１−１，５１−２は一対
の内部導体（一対のフィラメント電流供給用ライン）、
５２は扁平筒状の接地用中空導体（外部導体）、５３は
接地用中空導体と一体で垂直に突出したシャーシ（マグ
ネトロン管金属シールドケースに装着する鍔状金具）、
５４Ｂは複合磁性体、５５−１，５５−２は樹脂等の成
型体で形成された絶縁蓋、５６−１，５７−１は内部導
体５１−１両端にそれぞれ形成された外部接続端子、５
６−２，５７−２は内部導体５１−２両端にそれぞれ形
成された外部接続端子、５９は非磁性の絶縁体である。

【００４７】前記非磁性の絶縁体５９は、フィラメント
電流供給用ラインとなる平行な２本の内部導体５１−
１，５１−２の導体径（あるいは導体厚）程度の肉厚を
有する樹脂等の成型体等であり、それらの内部導体５１
−１，５１−２間に配置、一体化されている。但し、こ
の絶縁体５９は、複合磁性体５４Ｂの長さの一部におい
て当該複合磁性体が２本の内部導体５１−１，５１−２
間に入り込まないようにしている。従って、内部導体５
１−１，５１−２とこれらを共通に囲む接地用中空導体
５２との間の中空部に配置された複合磁性体５４Ｂは、
絶縁体配置部分においては２本の内部導体５１−１，５
１−２を大きく共通に取り囲む断面長円状の筒体とな
り、その他の部分は内部導体５１−１，５１−２間にも
入り込んで各内部導体５１−１，５１−２をそれぞれ取
り囲む断面メガネ形となる。なお、複合磁性体５４Ｂは
第２の実施の形態で述べた複合磁性体５４と同材質であ
る。

【００４８】図１６はマグネトロン管の金属シールドケ
ース１１に図１３乃至図１５に示した貫通型ＥＭＩフィ
ルタ５０Ｂを装着した構造図を示す。貫通型ＥＭＩフィ
ルタ５０Ｂは２本の内部導体５１−１，５１−２を１個
の接地用中空導体５２内に有しており、フィラメント電
流を供給する２本のラインに共通に１個の貫通型ＥＭＩ
フィルタ５０Ｂが装着された形態となる。また、複合磁
性体５４Ｂは、２本の内部導体５１−１，５１−２を共
通に大きく囲む部分と、内部導体５１−１，５１−２を
それぞれ囲む部分とを有しているため、マグネトロン管
から発生する電磁妨害雑音（ノーマルモード、コモンモ
ードの両方の伝導性ＥＭＩ）を効果的に抑圧できる。

【００４９】なお、その他の構成、作用効果は前述の第
２の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一
符号を付して説明を省略する。

【００５０】上記各実施の形態では、使用する金属磁性
体粉末としてＦｅ−Ｓｉ系の扁平状金属磁性体粉末を示
したが、フェライトに比してＧＨｚ帯での複素比透磁率
が大きいＦｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系等の扁平状
金属磁性体粉末を用いることもできる。

【００５１】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマグ
ネトロン管用貫通型ＥＭＩフィルタによれば、以下の効
果を奏することができる。

【００５３】(1) チョークコイルを使用しないＥＭＩ
フィルタであるため、温度上昇、電力消費を実質的にな
くすことが可能である。

【００５４】(2) チョークコイルを使用しないので、
自己共振がなく、ＧＨｚ帯で高い減衰特性を示し、図２
８に示したマグネトロン管の基本波乃至高調波に至る電
磁妨害雑音の抑圧に有効である。

【００５５】(3) 高誘電率の誘電体を用いた貫通コン
デンサで生じる形状的な共振が、抑圧対象となる周波数
（２.２ＧＨｚ〜９.８ＧＨｚ）範囲で起こらず、とくに
マグネトロン管の電磁妨害雑音の抑圧に有効である。

【００５６】(4) ＥＭＩフィルタの構成素子を各フィ
ラメント電流供給用ラインに１個又は全ラインに１個の
み（従来は３〜４個使用）で済ませられるため、費用が
安くなる。

【００５７】(5) 構成素子を１個のみとできるため、
マグネトロン管への組み込み作業が簡単になり、取付費
用も安くなる。

【００５８】(6) 構成素子が少なく接続箇所が少ない
ため、信頼性が高くなる。

【００５９】(7) 構成素子が１個のみのため所要空間
スペースを狭くできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るマグネトロン管用貫通型ＥＭＩフ
ィルタの第１の実施の形態を示す正断面図である。

【図２】同側面図である。

【図３】第１の実施の形態の場合のマグネトロン管への
実装例を示す構成図である。

【図４】第１の実施の形態で用いる複合磁性体の複素比
透磁率及び複素比誘電率の周波数特性を示すグラフであ
る。

【図５】第１の実施の形態に示したマグネトロン管用貫
通型ＥＭＩフィルタの挿入減衰特性を入出力５０Ωの測
定系で測定したグラフである。

【図６】本発明の第２の実施の形態を示す平断面図であ
る。

【図７】同正面図である。

【図８】第２の実施の形態の場合のマグネトロン管への
実装例を示す構成図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態を示す平断面図であ
る。

【図１０】同正面図である。

【図１１】同側面図である。

【図１２】第３の実施の形態の場合のマグネトロン管へ
の実装例を示す構成図である。

【図１３】本発明の第４の実施の形態を示す平断面図で
ある。

【図１４】同正面図である。

【図１５】同側面図である。

【図１６】第４の実施の形態の場合のマグネトロン管へ
の実装例を示す構成図である。

【図１７】マグネトロン管への従来のＥＭＩフィルタの
組み込み状態を示す構成図である。

【図１８】マグネトロン管用のＥＭＩフィルタの従来例
を示す回路図である。

【図１９】従来のマグネトロン管用のＥＭＩフィルタに
おけるチョークコイルの巻線構造を示す正面図である。

【図２０】同側面図である。

【図２１】貫通型磁器コンデンサの基本構造を示す正断
面図である。

【図２２】従来のマグネトロン管用のＥＭＩフィルタに
おける貫通型磁器コンデンサの外観を示す平面図であ
る。

【図２３】同正面図である。

【図２４】同側面図である。

【図２５】チョークコイルのインピーダンス特性図であ
る。

【図２６】フェライトの複素比透磁率及び複素比誘電率
の周波数特性を示すグラフである。

【図２７】各種磁器コンデンサが形状による共振周波数
を持つことを示すインピーダンス特性図である。

【図２８】マグネトロン管が発生する電磁妨害雑音の周
波数スペクトラム図である。

【符号の説明】

１ マグネトロン管の本体部 １０ 陰極端子 １１ 金属シールドケース ４０，５０，５０Ａ，５０Ｂ 貫通型ＥＭＩフィルタ ４１，５１−１，５１−２ 内部導体 ４２，５２ 接地用中空導体 ４３，５３ シャーシ ４４，５４，５４Ａ，５４Ｂ 複合磁性体 ４５−１，４５−２，５５−１，５５−２ 絶縁蓋 ４６，４７，５６−１，５６−２，５７−１，５７−２
外部接続端子 ５８，５９ 絶縁体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤地 義昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 今野 忠重 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5C029 NN05 5E321 AA01 AA32 BB32 BB53 GG05 GG07 GG09

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マグネトロン管のフィラメント電流供給
   用ラインとなるそれぞれの導体と各導体を個別に囲む接
   地用中空導体との間の中空部に、偏平状の金属磁性体粉
   末を主成分とする複合磁性体をそれぞれ設けたことを特
   徴とするマグネトロン管用貫通型ＥＭＩフィルタ。
2. 【請求項２】 マグネトロン管のフィラメント電流供給
   用ラインとなるそれぞれの導体と各導体を共通に囲む接
   地用中空導体との間の中空部に、偏平状の金属磁性体粉
   末を主成分とする複合磁性体を設けたことを特徴とする
   マグネトロン管用貫通型ＥＭＩフィルタ。
3. 【請求項３】 前記フィラメント電流供給用ラインとな
   る導体間に、前記複合磁性体の全長又は部分的な長さに
   わたって当該複合磁性体が入り込まないように、絶縁体
   を設けた請求項２記載のマグネトロン管用貫通型ＥＭＩ
   フィルタ。
4. 【請求項４】 前記接地用中空導体の周囲には、前記マ
   グネトロン管の金属シールドケースに電気接続されるシ
   ャーシが一体に設けられている請求項１，２又は３記載
   のマグネトロン管用貫通型ＥＭＩフィルタ。