JP2000201042A - 貫通型ｅｍｉフィルタ - Google Patents
貫通型ｅｍｉフィルタInfo
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- JP2000201042A JP2000201042A JP11002424A JP242499A JP2000201042A JP 2000201042 A JP2000201042 A JP 2000201042A JP 11002424 A JP11002424 A JP 11002424A JP 242499 A JP242499 A JP 242499A JP 2000201042 A JP2000201042 A JP 2000201042A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧＨｚ帯のような高い周波数での高減衰特性
の実現、構造の簡素化、組立作業性の改善、ひいては部
品点数の削減等による製造原価の低減を図る。 【解決手段】 偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料で円筒状成型体２を形成し、該円筒状成型体２の内
周面に内側電極３を、当該円筒状成型体２の外周面に外
側電極４を設けて貫通型ＥＭＩフィルタを構成してい
る。内側電極３の内周は中心導体を通すための中心導体
挿入部５となっている。
の実現、構造の簡素化、組立作業性の改善、ひいては部
品点数の削減等による製造原価の低減を図る。 【解決手段】 偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料で円筒状成型体２を形成し、該円筒状成型体２の内
周面に内側電極３を、当該円筒状成型体２の外周面に外
側電極４を設けて貫通型ＥＭＩフィルタを構成してい
る。内側電極３の内周は中心導体を通すための中心導体
挿入部５となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｓｉ系等の
偏平状金属磁性体粉末と結合材とを含み、扁平状金属磁
性体粉末を主成分とした複合磁性材料をフィルタ用素材
とした貫通型構造のＥＭＩフィルタに係り、特に、ＭＣ
Ｍ（マルチチップモジュール）等の電源供給ライン、信
号授受ラインを介して伝播する伝導性電磁妨害雑音（以
降、伝導性ＥＭＩと略記）を抑圧し、結果として放射性
電磁妨害雑音を低減させるのに適した性能を持つ簡易な
構造の高周波対応の貫通型ＥＭＩフィルタに関する。
偏平状金属磁性体粉末と結合材とを含み、扁平状金属磁
性体粉末を主成分とした複合磁性材料をフィルタ用素材
とした貫通型構造のＥＭＩフィルタに係り、特に、ＭＣ
Ｍ（マルチチップモジュール）等の電源供給ライン、信
号授受ラインを介して伝播する伝導性電磁妨害雑音（以
降、伝導性ＥＭＩと略記）を抑圧し、結果として放射性
電磁妨害雑音を低減させるのに適した性能を持つ簡易な
構造の高周波対応の貫通型ＥＭＩフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の貫通型ＥＭＩフィルタと
しては、図１６の従来例１の如く円筒形状の貫通型コン
デンサ５１にフェライトビーズ５２を組み合わせたもの
（実公昭５７−４０５１２号、実公昭５７−４０５１５
号等）、図１７の従来例２の如く円板形状の貫通型コン
デンサ５３にフェライトビーズ５４を組み合わせたもの
（実公平３−７４８号）がある。
しては、図１６の従来例１の如く円筒形状の貫通型コン
デンサ５１にフェライトビーズ５２を組み合わせたもの
（実公昭５７−４０５１２号、実公昭５７−４０５１５
号等）、図１７の従来例２の如く円板形状の貫通型コン
デンサ５３にフェライトビーズ５４を組み合わせたもの
（実公平３−７４８号）がある。
【０００３】ところで、近年、デジタル回路を使用した
電子機器に例をみるように、クロック周波数が数百ＭＨ
ｚと高くなり、その高調波による電磁妨害雑音の周波数
成分はＧＨｚ帯にまで及ぶ。電源供給ライン、信号授受
ライン、コントロールラインに重畳される高周波の成分
は前述のラインを伝導した後、機器の外部へ伝導性ＥＭ
Ｉとして漏洩し、更にはラインから空間へ放射される。
電子機器に例をみるように、クロック周波数が数百ＭＨ
ｚと高くなり、その高調波による電磁妨害雑音の周波数
成分はＧＨｚ帯にまで及ぶ。電源供給ライン、信号授受
ライン、コントロールラインに重畳される高周波の成分
は前述のラインを伝導した後、機器の外部へ伝導性ＥＭ
Ｉとして漏洩し、更にはラインから空間へ放射される。
【０００４】このような高周波成分を抑圧するため、機
器の筐体部を遮蔽構造とし、前述の各ラインに貫通型構
造のＥＭＩフィルタを装着する方法があるが、従来例
１，２に例示した貫通型フィルタでは、ＧＨｚ帯での伝
導性ＥＭＩの除去効果が不十分となる問題等がある。
器の筐体部を遮蔽構造とし、前述の各ラインに貫通型構
造のＥＭＩフィルタを装着する方法があるが、従来例
１，２に例示した貫通型フィルタでは、ＧＨｚ帯での伝
導性ＥＭＩの除去効果が不十分となる問題等がある。
【０００５】従来技術の問題又は不具合な点を以下に列
記する。
記する。
【０００６】(1) ＧＨｚ帯のような高い周波数での減
衰特性の劣化 フェライトビーズとして使用しているＮｉ−Ｚｎ系
等のフェライトは、磁壁共鳴、自然共鳴の生じる過程で
μｒ′（複素比透磁率の実数部）は周波数分散現象を呈
し、図１８のフェライトの複素比透磁率のグラフから判
るように急激に小くなりフェライトビーズとしての存在
価値がなくなる。 貫通型コンデンサに円筒型を使用すると、次式の共
振周波数ｆ０ ｆ０＝３×１０１０／｛２Ｌ（ε）１／２｝ ［Ｈｚ］ （但し、Ｌ：電極の長さ（ｃｍ）、ε：セラミックの誘
電率）で決まる形状共鳴が生じ、この周波数以上のリア
クタンスは誘導性になり、周波数の上昇に伴い、電磁妨
害雑音成分の側流機能がなくなる。 貫通型コンデンサに円板型を使用すると次式の共振
周波数ｆ０ ｆ０＝３×１０１０／｛0.82Ｄ（ε）１／２｝ ［Ｈｚ］ ｛但し、Ｄ：電極の直径（cm）｝で決まる共鳴現象が起
こり、この周波数を境にリアクタンスは誘導性に変わ
り、周波数の上昇に伴い電磁妨害雑音成分の側流機能が
劣化する。
衰特性の劣化 フェライトビーズとして使用しているＮｉ−Ｚｎ系
等のフェライトは、磁壁共鳴、自然共鳴の生じる過程で
μｒ′（複素比透磁率の実数部）は周波数分散現象を呈
し、図１８のフェライトの複素比透磁率のグラフから判
るように急激に小くなりフェライトビーズとしての存在
価値がなくなる。 貫通型コンデンサに円筒型を使用すると、次式の共
振周波数ｆ０ ｆ０＝３×１０１０／｛２Ｌ（ε）１／２｝ ［Ｈｚ］ （但し、Ｌ：電極の長さ（ｃｍ）、ε：セラミックの誘
電率）で決まる形状共鳴が生じ、この周波数以上のリア
クタンスは誘導性になり、周波数の上昇に伴い、電磁妨
害雑音成分の側流機能がなくなる。 貫通型コンデンサに円板型を使用すると次式の共振
周波数ｆ０ ｆ０＝３×１０１０／｛0.82Ｄ（ε）１／２｝ ［Ｈｚ］ ｛但し、Ｄ：電極の直径（cm）｝で決まる共鳴現象が起
こり、この周波数を境にリアクタンスは誘導性に変わ
り、周波数の上昇に伴い電磁妨害雑音成分の側流機能が
劣化する。
【０００７】(2) 素子数が多いことによる減衰特性の
バラツキの増大 ２素子（Ｌ型接続回路）、３素子（π型接続回路）での
遮断周波数（３ｄＢ減衰時の周波数）はフェライトビー
ズのインダクタンス値をＬ、貫通型コンデンサの容量値
をＣとすると ｆc＝１／｛π（ＬＣ）１／２｝ ［Ｈｚ］ で決まる。高周波用途においてはフェライトビーズのも
つ浮遊容量、貫通型コンデンサの寄生インダクタンスの
影響度合いが大きくなり、遮断周波数及び阻止域での減
衰量のバラツキを引き起こす。ちなみに、フェライトビ
ーズ単体のインダクタンス値のバラツキは±２０％〜３
０％である。
バラツキの増大 ２素子（Ｌ型接続回路）、３素子（π型接続回路）での
遮断周波数（３ｄＢ減衰時の周波数）はフェライトビー
ズのインダクタンス値をＬ、貫通型コンデンサの容量値
をＣとすると ｆc＝１／｛π（ＬＣ）１／２｝ ［Ｈｚ］ で決まる。高周波用途においてはフェライトビーズのも
つ浮遊容量、貫通型コンデンサの寄生インダクタンスの
影響度合いが大きくなり、遮断周波数及び阻止域での減
衰量のバラツキを引き起こす。ちなみに、フェライトビ
ーズ単体のインダクタンス値のバラツキは±２０％〜３
０％である。
【０００８】(3) 組み立て作業の繁雑さによる加工コ
ストの増大 貫通型コンデンサの２つの電極を中心導体及び外部導体
にそれぞれ半田付けする必要があるが、この作業が繁雑
であり、結果として加工コストの増大につながる。
ストの増大 貫通型コンデンサの２つの電極を中心導体及び外部導体
にそれぞれ半田付けする必要があるが、この作業が繁雑
であり、結果として加工コストの増大につながる。
【０００９】(4) 温度変化による減衰特性の変動の増
大 フェライトビーズに使用されるＮｉ−Ｚｎ系等のフ
ェライトは正の温度特性をもち、図１９の温度特性図に
示したように温度２０℃を基準にした場合、温度±２０
℃の変化に対し、インダクタンスの変化率は±１０％以
上となる。この変化は貫通型ＥＭＩフィルタの遮断周波
数、阻止域における減衰量のバラツキをもたらす。 貫通型コンデンサは山なりの温度特性をもち、図２
０の温度特性図（但し、等級Ｙ，Ｚの２種の場合を例
示）に示したように温度２０℃を基準にした場合、温度
±２０℃の変化に対し、容量値の変化率は−３０％を超
える。この変化は貫通型ＥＭＩフィルタの遮断周波数及
び阻止域の減衰量のバラツキをもたらす。
大 フェライトビーズに使用されるＮｉ−Ｚｎ系等のフ
ェライトは正の温度特性をもち、図１９の温度特性図に
示したように温度２０℃を基準にした場合、温度±２０
℃の変化に対し、インダクタンスの変化率は±１０％以
上となる。この変化は貫通型ＥＭＩフィルタの遮断周波
数、阻止域における減衰量のバラツキをもたらす。 貫通型コンデンサは山なりの温度特性をもち、図２
０の温度特性図（但し、等級Ｙ，Ｚの２種の場合を例
示）に示したように温度２０℃を基準にした場合、温度
±２０℃の変化に対し、容量値の変化率は−３０％を超
える。この変化は貫通型ＥＭＩフィルタの遮断周波数及
び阻止域の減衰量のバラツキをもたらす。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に列記
した従来技術の問題又は不具合な点を改善することを目
的とし、ＧＨｚ帯のような高い周波数での高減衰特性の
実現、構造の簡素化、組立作業性の改善、ひいては部品
点数の削減等による製造原価の低減を図った貫通型ＥＭ
Ｉフィルタを提供しようとするものである。
した従来技術の問題又は不具合な点を改善することを目
的とし、ＧＨｚ帯のような高い周波数での高減衰特性の
実現、構造の簡素化、組立作業性の改善、ひいては部品
点数の削減等による製造原価の低減を図った貫通型ＥＭ
Ｉフィルタを提供しようとするものである。
【００１１】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る貫通型ＥＭＩフィルタ
は、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、
前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で円筒
状成型体を形成し、該円筒状成型体の内周面に内側電極
を、当該円筒状成型体の外周面に外側電極を設けたこと
を特徴としている。
に、本願請求項１の発明に係る貫通型ＥＭＩフィルタ
は、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、
前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で円筒
状成型体を形成し、該円筒状成型体の内周面に内側電極
を、当該円筒状成型体の外周面に外側電極を設けたこと
を特徴としている。
【００１３】本願請求項２の発明に係る貫通型ＥＭＩフ
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で円筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、該円
筒状成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴とし
ている。
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で円筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、該円
筒状成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴とし
ている。
【００１４】本願請求項３の発明に係る貫通型ＥＭＩフ
ィルタアレイは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合
材とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁
性材料で円筒状成型体を形成し、該円筒状成型体の内周
面に内側電極を、当該円筒状成型体の外周面に外側電極
を設けてなる貫通型ＥＭＩフィルタを複数個、導電性ブ
ラケット又はハウジングに設けたことを特徴としてい
る。
ィルタアレイは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合
材とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁
性材料で円筒状成型体を形成し、該円筒状成型体の内周
面に内側電極を、当該円筒状成型体の外周面に外側電極
を設けてなる貫通型ＥＭＩフィルタを複数個、導電性ブ
ラケット又はハウジングに設けたことを特徴としてい
る。
【００１５】本願請求項４の発明に係る貫通型ＥＭＩフ
ィルタアレイは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合
材とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁
性材料で円筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設
け、該円筒状成型体の外周面に外側電極を設けてなる貫
通型ＥＭＩフィルタを複数個、導電性ブラケット又はハ
ウジングに設けたことを特徴としている。
ィルタアレイは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合
材とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁
性材料で円筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設
け、該円筒状成型体の外周面に外側電極を設けてなる貫
通型ＥＭＩフィルタを複数個、導電性ブラケット又はハ
ウジングに設けたことを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る貫通型ＥＭＩ
フィルタ及びフィルタアレイの実施の形態を図面に従っ
て説明する。
フィルタ及びフィルタアレイの実施の形態を図面に従っ
て説明する。
【００１７】図１及び図２は本発明の第１の実施の形態
で貫通型ＥＭＩフィルタの基本構成を示す。これらの図
の如く、貫通型ＥＭＩフィルタ１は、偏平状の金属磁性
体粉末と樹脂の結合材とを含み、前記金属磁性体粉末を
主成分とする複合磁性材料で円筒状成型体２を形成し、
該円筒状成型体２の内周面に内側電極３を、当該円筒状
成型体の外周面に外側電極４を形成したものである。円
筒状成型体２の内外周面は同心であり、内側電極３の内
側は貫通孔の中心導体挿入部５となっている。前記内側
電極３、外側電極４の形成はメッキ技術、導電性塗料の
塗布等で行うことができる。
で貫通型ＥＭＩフィルタの基本構成を示す。これらの図
の如く、貫通型ＥＭＩフィルタ１は、偏平状の金属磁性
体粉末と樹脂の結合材とを含み、前記金属磁性体粉末を
主成分とする複合磁性材料で円筒状成型体２を形成し、
該円筒状成型体２の内周面に内側電極３を、当該円筒状
成型体の外周面に外側電極４を形成したものである。円
筒状成型体２の内外周面は同心であり、内側電極３の内
側は貫通孔の中心導体挿入部５となっている。前記内側
電極３、外側電極４の形成はメッキ技術、導電性塗料の
塗布等で行うことができる。
【００１８】前記成型体２には、高周波（ＭＨｚ帯から
ＧＨｚ帯）において、複素比透磁率（μr′，ｊμr″）
及び複素比誘電率（εr′，ｊεr″）の大きく取れる長
さ４０〜５０μｍ、幅２０μｍ、厚さ１０μｍ程度の鱗
片状（扁平状）のＦｅ−Ｓｉ系合金の金属磁性体粉末と
成型性、熱安定性を持ち、安価なポリエステル系樹脂、
ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等を結合材
として用いた複合磁性材料を所定形状（本実施の形態で
は円筒状）に加熱、硬化させることにより成型したもの
を用いる。但し、金属磁性体粉末及び樹脂粉末の重量配
合比率は成型性の点から上限が約８０：２０である。な
お、金属磁性体粉末の配合比率の下限は十分な減衰量を
確保するために５０重量％以上必要である。５０重量％
未満では磁性体としての特性が大きく低下する。
ＧＨｚ帯）において、複素比透磁率（μr′，ｊμr″）
及び複素比誘電率（εr′，ｊεr″）の大きく取れる長
さ４０〜５０μｍ、幅２０μｍ、厚さ１０μｍ程度の鱗
片状（扁平状）のＦｅ−Ｓｉ系合金の金属磁性体粉末と
成型性、熱安定性を持ち、安価なポリエステル系樹脂、
ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂等を結合材
として用いた複合磁性材料を所定形状（本実施の形態で
は円筒状）に加熱、硬化させることにより成型したもの
を用いる。但し、金属磁性体粉末及び樹脂粉末の重量配
合比率は成型性の点から上限が約８０：２０である。な
お、金属磁性体粉末の配合比率の下限は十分な減衰量を
確保するために５０重量％以上必要である。５０重量％
未満では磁性体としての特性が大きく低下する。
【００１９】この成型体（磁性体粉末８０重量％、結合
材粉末２０重量％の複合磁性材料）の持つ複素比透磁率
の周波数特性は図３に示したとおりである。図３に示す
複素比透磁率（μr′，ｊμr″）は、ＧＨｚ帯での減衰
量の点からすると高い周波数領域までなるべく大きな値
を示すことが要求されるが、十分その要求を満たす特性
であることが判る。
材粉末２０重量％の複合磁性材料）の持つ複素比透磁率
の周波数特性は図３に示したとおりである。図３に示す
複素比透磁率（μr′，ｊμr″）は、ＧＨｚ帯での減衰
量の点からすると高い周波数領域までなるべく大きな値
を示すことが要求されるが、十分その要求を満たす特性
であることが判る。
【００２０】前記図３の特性を持つ複合磁性材料の成型
体の内外周面に電極を形成した図１及び図２の第１の実
施の形態の構造の貫通型ＥＭＩフィルタの挿入減衰量の
周波数特性を、ネットワークアナライザを用いた２ポー
ト法により測定した結果は、図４に示したとおりであ
る。但し、内径３mm、外径７mmの前記複合磁性材料の成
型体の長さを５mm、１０mm、２０mm、４０mmと変えて挿
入減衰量をそれぞれ測定した。この図４から高速信号を
取り扱うデジタル機能素子から発生するＧＨｚ帯の電磁
妨害雑音を抑圧する機能を備えていることが判る。
体の内外周面に電極を形成した図１及び図２の第１の実
施の形態の構造の貫通型ＥＭＩフィルタの挿入減衰量の
周波数特性を、ネットワークアナライザを用いた２ポー
ト法により測定した結果は、図４に示したとおりであ
る。但し、内径３mm、外径７mmの前記複合磁性材料の成
型体の長さを５mm、１０mm、２０mm、４０mmと変えて挿
入減衰量をそれぞれ測定した。この図４から高速信号を
取り扱うデジタル機能素子から発生するＧＨｚ帯の電磁
妨害雑音を抑圧する機能を備えていることが判る。
【００２１】図５は第１の実施の形態で示した貫通型Ｅ
ＭＩフィルタのコネクタへの応用例である。この図に示
すように、貫通型ＥＭＩフィルタ１の中心導体挿入部５
にコネクタの端子ピン１１を挿入、接続後、導体シール
ドケース１２を外装した絶縁ハウジング１３内に収納す
るのみで、貫通型ＥＭＩフィルタを装備したコネクタ１
０を実現することができる。なお、貫通型ＥＭＩフィル
タ１の外側電極４はシールドケース１２に接続した接地
用金具で兼ねることができる。
ＭＩフィルタのコネクタへの応用例である。この図に示
すように、貫通型ＥＭＩフィルタ１の中心導体挿入部５
にコネクタの端子ピン１１を挿入、接続後、導体シール
ドケース１２を外装した絶縁ハウジング１３内に収納す
るのみで、貫通型ＥＭＩフィルタを装備したコネクタ１
０を実現することができる。なお、貫通型ＥＭＩフィル
タ１の外側電極４はシールドケース１２に接続した接地
用金具で兼ねることができる。
【００２２】第１の実施の形態に示した貫通型ＥＭＩフ
ィルタによれば、次の通りの効果を得ることができる。
ィルタによれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００２３】(1) 特性向上 ＧＨｚ帯での減衰特性が良好である。 Ｆｅ−Ｓｉ系金属磁性体粉末と樹脂の結合材から成る複
合磁性材料の成型体をフィルタ素子として使用すること
により、複素比透磁率（μr′，μr″）をＧＨｚ帯迄延
ばすことにより実現している。従来のフェライトビー
ズ、貫通型磁器コンデンサの組み合わせによるフィルタ
では周波数帯域を延ばし切れない。 特性のバラツキが少ない。 Ｆｅ−Ｓｉ系金属磁性体粉末と樹脂の結合材から成る複
合磁性材料における金属磁性体の粉末の重量配合比率の
みで、複素比透磁率の特性、ひいては減衰特性が決まる
ためである。 特性の温度依存性が小さい。 Ｆｅ−Ｓｉ系金属磁性体粉末の複素比透磁率、樹脂の複
素比誘電率の温度特性は、フェライトビーズの複素比透
磁率、貫通型磁器コンデンサの複素比誘電率の温度特性
に比べて良好であり、減衰特性の温度依存性が小さい。
合磁性材料の成型体をフィルタ素子として使用すること
により、複素比透磁率（μr′，μr″）をＧＨｚ帯迄延
ばすことにより実現している。従来のフェライトビー
ズ、貫通型磁器コンデンサの組み合わせによるフィルタ
では周波数帯域を延ばし切れない。 特性のバラツキが少ない。 Ｆｅ−Ｓｉ系金属磁性体粉末と樹脂の結合材から成る複
合磁性材料における金属磁性体の粉末の重量配合比率の
みで、複素比透磁率の特性、ひいては減衰特性が決まる
ためである。 特性の温度依存性が小さい。 Ｆｅ−Ｓｉ系金属磁性体粉末の複素比透磁率、樹脂の複
素比誘電率の温度特性は、フェライトビーズの複素比透
磁率、貫通型磁器コンデンサの複素比誘電率の温度特性
に比べて良好であり、減衰特性の温度依存性が小さい。
【００２４】(2) 作業性の改善 Ｆｅ−Ｓｉ系金属磁性体粉末と樹脂の結合材から成る複
合磁性材料の成型体のみという最少のフィルタ素子で貫
通型構造のＥＭＩフィルタを構成できることによる。
合磁性材料の成型体のみという最少のフィルタ素子で貫
通型構造のＥＭＩフィルタを構成できることによる。
【００２５】(3) コストダウン 上記項目(2)の結果として実現し得るものである。
【００２６】図６及び図７は本発明の第２の実施の形態
を示す。この場合、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ａは、偏平
状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、前記金属
磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で円筒状成型体
２を形成して中心導体６の周囲に設け、該円筒状成型体
２の外周面に外側電極４を形成したものである。但し、
図示の例では円筒状成型体２の外周面と同心の内周面に
内側電極３を形成し、その内側の貫通孔である中心導体
挿入部５に中心導体６を挿通し、内側電極３と中心導体
６とを図７の如く半田付け又は導電性接着剤８で固着し
ている。
を示す。この場合、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ａは、偏平
状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、前記金属
磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で円筒状成型体
２を形成して中心導体６の周囲に設け、該円筒状成型体
２の外周面に外側電極４を形成したものである。但し、
図示の例では円筒状成型体２の外周面と同心の内周面に
内側電極３を形成し、その内側の貫通孔である中心導体
挿入部５に中心導体６を挿通し、内側電極３と中心導体
６とを図７の如く半田付け又は導電性接着剤８で固着し
ている。
【００２７】なお、円筒状成型体２は中心導体６を隙間
なく挿入できるよう複合磁性材料を予め成型しておくこ
とで、内側電極３を省略してもよい。また、中心導体６
上に成型工程にて複合磁性材料を一体成型することで円
筒状成型体２を作製してもよく、この場合にも内側電極
３は省略できる。
なく挿入できるよう複合磁性材料を予め成型しておくこ
とで、内側電極３を省略してもよい。また、中心導体６
上に成型工程にて複合磁性材料を一体成型することで円
筒状成型体２を作製してもよく、この場合にも内側電極
３は省略できる。
【００２８】図８及び図９は第２の実施の形態で示した
貫通型ＥＭＩフィルタのコネクタへの応用例である。こ
れらの図に示すように、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ａの中
心導体６としてコネクタ２０の端子ピンを貫通させたも
のを、グランドプレート２１に貫通させて配置し、グラ
ンドプレート２１の前後にシェル２２、前部絶縁体２
３、後部絶縁体２４を一体化することで、貫通型ＥＭＩ
フィルタを装備したコネクタ２０を実現することができ
る。なお、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ａの外側電極４は金
属スプリング２５等の手段でグランドプレート２１に電
気接続される。
貫通型ＥＭＩフィルタのコネクタへの応用例である。こ
れらの図に示すように、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ａの中
心導体６としてコネクタ２０の端子ピンを貫通させたも
のを、グランドプレート２１に貫通させて配置し、グラ
ンドプレート２１の前後にシェル２２、前部絶縁体２
３、後部絶縁体２４を一体化することで、貫通型ＥＭＩ
フィルタを装備したコネクタ２０を実現することができ
る。なお、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ａの外側電極４は金
属スプリング２５等の手段でグランドプレート２１に電
気接続される。
【００２９】このように、第２の実施の形態に示した如
き貫通型ＥＭＩフィルタは、中心導体６の形状、成型体
２の外径寸法の設定次第で、任意のコネクタ端子挿入穴
に嵌合させ、貫通型ＥＭＩフィルタを装備したコネクタ
２０を実現する手段として活用し得るものである。
き貫通型ＥＭＩフィルタは、中心導体６の形状、成型体
２の外径寸法の設定次第で、任意のコネクタ端子挿入穴
に嵌合させ、貫通型ＥＭＩフィルタを装備したコネクタ
２０を実現する手段として活用し得るものである。
【００３０】図１０及び図１１は本発明の第３の実施の
形態を示す。この場合、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂは、
偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、前記
金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で円筒状成
型体２を形成して中心導体６の周囲に設け、該円筒状成
型体２の外周面に外側電極４を形成し、さらにシャーシ
取付用の鍔状導体部（鍔状金具）７を外側電極４に接続
一体化している。
形態を示す。この場合、貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂは、
偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、前記
金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で円筒状成
型体２を形成して中心導体６の周囲に設け、該円筒状成
型体２の外周面に外側電極４を形成し、さらにシャーシ
取付用の鍔状導体部（鍔状金具）７を外側電極４に接続
一体化している。
【００３１】但し、図示の例では円筒状成型体２の外周
面と同心の内周面に内側電極３を形成し、その内側の貫
通孔である中心導体挿入部５に中心導体６を挿通し、内
側電極３と中心導体６とを図１１の如く半田付け又は導
電性接着剤で固着している。
面と同心の内周面に内側電極３を形成し、その内側の貫
通孔である中心導体挿入部５に中心導体６を挿通し、内
側電極３と中心導体６とを図１１の如く半田付け又は導
電性接着剤で固着している。
【００３２】なお、円筒状成型体２は中心導体６を隙間
なく挿入できるよう複合磁性材料を予め成型しておくこ
とで、内側電極３を省略してもよい。また、中心導体６
上に成型工程にて複合磁性材料を一体成型することで円
筒状成型体２を作製してもよく、この場合にも内側電極
３は省略できる。
なく挿入できるよう複合磁性材料を予め成型しておくこ
とで、内側電極３を省略してもよい。また、中心導体６
上に成型工程にて複合磁性材料を一体成型することで円
筒状成型体２を作製してもよく、この場合にも内側電極
３は省略できる。
【００３３】この第３の実施の形態の場合、第１、第２
の実施の形態の作用効果に加えて、鍔状導体部７を利用
することで、相手側の金属シャーシ、ブラケット等に容
易に取り付けでき、同時に外側電極４の接地が可能な利
点がある。
の実施の形態の作用効果に加えて、鍔状導体部７を利用
することで、相手側の金属シャーシ、ブラケット等に容
易に取り付けでき、同時に外側電極４の接地が可能な利
点がある。
【００３４】図１２は第３の実施の形態で示した貫通型
ＥＭＩフィルタのデジタル機能回路（この例ではデジタ
ル画像処理回路を示す）への応用例である。多数個の貫
通型ＥＭＩフィルタ１Ｂをデジタル機能回路における電
源供給ライン、信号授受ラインの経路に用い、デジタル
機能回路で発生する高周波の電磁妨害雑音の伝導を抑圧
し、ひいては放射電磁妨害雑音を低減せしめている。
ＥＭＩフィルタのデジタル機能回路（この例ではデジタ
ル画像処理回路を示す）への応用例である。多数個の貫
通型ＥＭＩフィルタ１Ｂをデジタル機能回路における電
源供給ライン、信号授受ラインの経路に用い、デジタル
機能回路で発生する高周波の電磁妨害雑音の伝導を抑圧
し、ひいては放射電磁妨害雑音を低減せしめている。
【００３５】図１３及び図１４は本発明の第４の実施の
形態であって、貫通型構造のＥＭＩフィルタ・ブロック
としての貫通型ＥＭＩフィルタアレイを構成している。
この場合、貫通型ＥＭＩフィルタアレイ３０は、上述の
第３の実施の形態の貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂを多数の
取付穴３２を形成した導電性金属ブラケット３１（又は
金属シャーシ）に装着し、各貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂ
の鍔状導体部７を当該ブラケット３１に半田付け等で接
続固着したものである。なお、図中、第３の実施の形態
と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略す
る。
形態であって、貫通型構造のＥＭＩフィルタ・ブロック
としての貫通型ＥＭＩフィルタアレイを構成している。
この場合、貫通型ＥＭＩフィルタアレイ３０は、上述の
第３の実施の形態の貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂを多数の
取付穴３２を形成した導電性金属ブラケット３１（又は
金属シャーシ）に装着し、各貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂ
の鍔状導体部７を当該ブラケット３１に半田付け等で接
続固着したものである。なお、図中、第３の実施の形態
と同一又は相当部分には同一符号を付して説明を省略す
る。
【００３６】この第４の実施の形態のように、貫通型Ｅ
ＭＩフィルタをアレイ構造とすることで、多数の信号授
受ライン等を持つデジタル機能回路の伝導性ＥＭＩの抑
圧等の用途に役立つ。
ＭＩフィルタをアレイ構造とすることで、多数の信号授
受ライン等を持つデジタル機能回路の伝導性ＥＭＩの抑
圧等の用途に役立つ。
【００３７】なお、第１又は第２の実施の形態に示した
貫通型ＥＭＩフィルタ１，１Ａを用いて貫通型ＥＭＩフ
ィルタアレイを構成してもよく、この場合外側電極４を
半田付け、導電性接着剤等でブラケット３１に接続固定
する構造等を採用できる。
貫通型ＥＭＩフィルタ１，１Ａを用いて貫通型ＥＭＩフ
ィルタアレイを構成してもよく、この場合外側電極４を
半田付け、導電性接着剤等でブラケット３１に接続固定
する構造等を採用できる。
【００３８】図１５は各実施の形態に示した貫通型ＥＭ
Ｉフィルタを用いたゾーンの分離によるＥＭＩ対策を説
明するものである。電子機器の筐体部を遮蔽構造、すな
わちシールド１とし、電子機器外のゾーン１から電子機
器内のゾーン２を遮蔽し、交流及び直流の電源ライン、
信号ライン、コントロールライン等に貫通型ＥＭＩフィ
ルタを装着する。また、ゾーン２内の特定のユニットの
ゾーン３をシールド２で遮蔽し、前述の各ラインに貫通
型ＥＭＩフィルタを装着する方法が取られる。
Ｉフィルタを用いたゾーンの分離によるＥＭＩ対策を説
明するものである。電子機器の筐体部を遮蔽構造、すな
わちシールド１とし、電子機器外のゾーン１から電子機
器内のゾーン２を遮蔽し、交流及び直流の電源ライン、
信号ライン、コントロールライン等に貫通型ＥＭＩフィ
ルタを装着する。また、ゾーン２内の特定のユニットの
ゾーン３をシールド２で遮蔽し、前述の各ラインに貫通
型ＥＭＩフィルタを装着する方法が取られる。
【００３９】なお、各実施の形態では、使用する金属磁
性体粉末としてＦｅ−Ｓｉ系の扁平状金属磁性体粉末を
示したが、フェライトに比してＧＨｚ帯での複素比透磁
率が大きいＦｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系等の扁平
状金属磁性体粉末を用いることもできる。
性体粉末としてＦｅ−Ｓｉ系の扁平状金属磁性体粉末を
示したが、フェライトに比してＧＨｚ帯での複素比透磁
率が大きいＦｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系等の扁平
状金属磁性体粉末を用いることもできる。
【００４０】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
以下に列記するような効果を奏することができる。
以下に列記するような効果を奏することができる。
【００４２】(1) 特性向上 ＧＨｚ帯での減衰特性が良好である。 Ｆｅ−Ｓｉ系等の扁平状金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料の成型体をフィルタ素子として使用することによ
り、複素比透磁率（μr′，μr″）をＧＨｚ帯迄延ばす
ことにより実現している。従来のフェライトビーズ、貫
通型磁器コンデンサの組み合わせによるフィルタでは周
波数帯域を延ばし切れない。 特性のバラツキが少ない。 Ｆｅ−Ｓｉ系等の扁平状金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含む複合磁性材料における金属磁性体粉末の重量配
合比率のみで、複素比透磁率の特性、ひいては減衰特性
が決まるためである。 特性の温度依存性が小さい。 Ｆｅ−Ｓｉ系等の扁平状金属磁性体粉末の複素比透磁
率、樹脂の複素比誘電率の温度特性は、フェライトビー
ズの複素比透磁率、貫通型磁器コンデンサの複素比誘電
率の温度特性に比べて良好であり、減衰特性の温度依存
性が小さい。
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料の成型体をフィルタ素子として使用することによ
り、複素比透磁率（μr′，μr″）をＧＨｚ帯迄延ばす
ことにより実現している。従来のフェライトビーズ、貫
通型磁器コンデンサの組み合わせによるフィルタでは周
波数帯域を延ばし切れない。 特性のバラツキが少ない。 Ｆｅ−Ｓｉ系等の扁平状金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含む複合磁性材料における金属磁性体粉末の重量配
合比率のみで、複素比透磁率の特性、ひいては減衰特性
が決まるためである。 特性の温度依存性が小さい。 Ｆｅ−Ｓｉ系等の扁平状金属磁性体粉末の複素比透磁
率、樹脂の複素比誘電率の温度特性は、フェライトビー
ズの複素比透磁率、貫通型磁器コンデンサの複素比誘電
率の温度特性に比べて良好であり、減衰特性の温度依存
性が小さい。
【００４３】(2) 作業性の改善 Ｆｅ−Ｓｉ系等の扁平状金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料の成型体のみという最少のフィルタ素子で貫通型構
造のＥＭＩフィルタを構成できることによる。
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料の成型体のみという最少のフィルタ素子で貫通型構
造のＥＭＩフィルタを構成できることによる。
【００４４】(3) コストダウン 上記項目(2)の結果として、つまり部品点数の削減、組
立作業の簡易化等により実現し得るものである。
立作業の簡易化等により実現し得るものである。
【図１】本発明に係る貫通型ＥＭＩフィルタの第１の実
施の形態を示す斜視図である。
施の形態を示す斜視図である。
【図２】同側断面図である。
【図３】第１の実施の形態で用いる複合磁性材料の複素
比透磁率の周波数特性を示すグラフである。
比透磁率の周波数特性を示すグラフである。
【図４】第１の実施の形態の貫通型ＥＭＩフィルタの挿
入減衰特性を示すグラフである。
入減衰特性を示すグラフである。
【図５】第１の実施の形態に係る貫通型ＥＭＩフィルタ
のコネクタへの応用例を示す側断面図である。
のコネクタへの応用例を示す側断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】同側断面図である。
【図８】第２の実施の形態に係る貫通型ＥＭＩフィルタ
のコネクタへの応用例を示す一部を断面とした側面図で
ある。
のコネクタへの応用例を示す一部を断面とした側面図で
ある。
【図９】同正面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態を示す斜視図であ
る。
る。
【図１１】同側断面図である。
【図１２】第３の実施の形態に係る貫通型ＥＭＩフィル
タのデジタル機能回路への応用例を示すブロック図であ
る。
タのデジタル機能回路への応用例を示すブロック図であ
る。
【図１３】本発明の第４の実施の形態であって貫通型Ｅ
ＭＩフィルタアレイを示す断面図である。
ＭＩフィルタアレイを示す断面図である。
【図１４】第４の実施の形態で用いるブラケット及び取
付穴配置を示す正面図である。
付穴配置を示す正面図である。
【図１５】ゾーン分離によるＥＭＩ対策を示す説明図で
ある。
ある。
【図１６】貫通型ＥＭＩフィルタの従来例１を示す側断
面図である。
面図である。
【図１７】貫通型ＥＭＩフィルタの従来例２を示す側断
面図である。
面図である。
【図１８】フェライトの複素比透磁率の周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１９】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの温度特性図であ
る。
る。
【図２０】ＢａＴｉＯ３磁器コンデンサの温度特性図で
ある。
ある。
１，１Ａ，１Ｂ 貫通型ＥＭＩフィルタ ２ 円筒状成型体 ３ 内側電極 ４ 外側電極 ５ 中心導体挿入部 ６ 中心導体 ７ 鍔状導体部 １０，２０ コネクタ ２１ グランドプレート ３０ 貫通型ＥＭＩフィルタアレイ ３１ ブラケット ３２ 取付穴
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月１９日（１９９９．３．１
９）
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 貫通型ＥＭＩフィルタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る貫通型ＥＭＩフィルタ
は、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、
前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で筒状
成型体を形成し、該筒状成型体の内周面に内側電極を、
当該筒状成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴
としている。
に、本願請求項１の発明に係る貫通型ＥＭＩフィルタ
は、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを含み、
前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料で筒状
成型体を形成し、該筒状成型体の内周面に内側電極を、
当該筒状成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴
としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】本願請求項２の発明に係る貫通型ＥＭＩフ
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、該筒状
成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴としてい
る。
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、該筒状
成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴としてい
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】本願請求項３の発明に係る貫通型ＥＭＩフ
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で筒状成型体を形成し、該筒状成型体の内周面に内側電
極を、当該筒状成型体の外周面に外側電極を設けてなる
貫通型ＥＭＩフィルタ要素を複数個、導電性ブラケット
又はハウジングに設けたことを特徴としている。
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で筒状成型体を形成し、該筒状成型体の内周面に内側電
極を、当該筒状成型体の外周面に外側電極を設けてなる
貫通型ＥＭＩフィルタ要素を複数個、導電性ブラケット
又はハウジングに設けたことを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本願請求項４の発明に係る貫通型ＥＭＩフ
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、該筒状
成型体の外周面に外側電極を設けてなる貫通型ＥＭＩフ
ィルタ要素を複数個、導電性ブラケット又はハウジング
に設けたことを特徴としている。
ィルタは、偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材とを
含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性材料
で筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、該筒状
成型体の外周面に外側電極を設けてなる貫通型ＥＭＩフ
ィルタ要素を複数個、導電性ブラケット又はハウジング
に設けたことを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る貫通型ＥＭＩ
フィルタの実施の形態を図面に従って説明する。
フィルタの実施の形態を図面に従って説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】図１３及び図１４は本発明の第４の実施の
形態であって、貫通型構造のＥＭＩフィルタ・ブロック
としてのアレイ状貫通型ＥＭＩフィルタを構成してい
る。この場合、アレイ状貫通型ＥＭＩフィルタ３０は、
各フィルタ要素として上述の第３の実施の形態の貫通型
ＥＭＩフィルタ１Ｂを多数の取付穴３２を形成した導電
性金属ブラケット３１（又は金属シャーシ）に装着し、
各貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂの鍔状導体部７を当該ブラ
ケット３１に半田付け等で接続固着したものである。な
お、図中、第３の実施の形態と同一又は相当部分には同
一符号を付して説明を省略する。
形態であって、貫通型構造のＥＭＩフィルタ・ブロック
としてのアレイ状貫通型ＥＭＩフィルタを構成してい
る。この場合、アレイ状貫通型ＥＭＩフィルタ３０は、
各フィルタ要素として上述の第３の実施の形態の貫通型
ＥＭＩフィルタ１Ｂを多数の取付穴３２を形成した導電
性金属ブラケット３１（又は金属シャーシ）に装着し、
各貫通型ＥＭＩフィルタ１Ｂの鍔状導体部７を当該ブラ
ケット３１に半田付け等で接続固着したものである。な
お、図中、第３の実施の形態と同一又は相当部分には同
一符号を付して説明を省略する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】なお、第１又は第２の実施の形態に示した
貫通型ＥＭＩフィルタ１，１Ａを用いてアレイ状貫通型
ＥＭＩフィルタを構成してもよく、この場合外側電極４
を半田付け、導電性接着剤等でブラケット３１に接続固
定する構造等を採用できる。
貫通型ＥＭＩフィルタ１，１Ａを用いてアレイ状貫通型
ＥＭＩフィルタを構成してもよく、この場合外側電極４
を半田付け、導電性接着剤等でブラケット３１に接続固
定する構造等を採用できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】本発明の第４の実施の形態であってアレイ状
貫通型ＥＭＩフィルタを示す断面図である。
貫通型ＥＭＩフィルタを示す断面図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １，１Ａ，１Ｂ 貫通型ＥＭＩフィルタ ２ 円筒状成型体 ３ 内側電極 ４ 外側電極 ５ 中心導体挿入部 ６ 中心導体 ７ 鍔状導体部 １０，２０ コネクタ ２１ グランドプレート ３０ アレイ状貫通型ＥＭＩフィルタ ３１ ブラケット ３２ 取付穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤地 義昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 今野 忠重 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB01 BA16 BB03 DA15 5J024 AA01 DA21 DA34 EA08 KA02
Claims (4)
- 【請求項１】 偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料で円筒状成型体を形成し、該円筒状成型体の内周面
に内側電極を、当該円筒状成型体の外周面に外側電極を
設けたことを特徴とする貫通型ＥＭＩフィルタ。 - 【請求項２】 偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料で円筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、
該円筒状成型体の外周面に外側電極を設けたことを特徴
とする貫通型ＥＭＩフィルタ。 - 【請求項３】 偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料で円筒状成型体を形成し、該円筒状成型体の内周面
に内側電極を、当該円筒状成型体の外周面に外側電極を
設けてなる貫通型ＥＭＩフィルタを複数個、導電性ブラ
ケット又はハウジングに設けたことを特徴とする貫通型
ＥＭＩフィルタアレイ。 - 【請求項４】 偏平状の金属磁性体粉末と樹脂の結合材
とを含み、前記金属磁性体粉末を主成分とする複合磁性
材料で円筒状成型体を形成して中心導体の周囲に設け、
該円筒状成型体の外周面に外側電極を設けてなる貫通型
ＥＭＩフィルタを複数個、導電性ブラケット又はハウジ
ングに設けたことを特徴とする貫通型ＥＭＩフィルタア
レイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002424A JP2000201042A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 貫通型ｅｍｉフィルタ |
| US09/267,620 US6225876B1 (en) | 1998-03-20 | 1999-03-15 | Feed-through EMI filter with a metal flake composite magnetic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002424A JP2000201042A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 貫通型ｅｍｉフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201042A true JP2000201042A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11528883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002424A Pending JP2000201042A (ja) | 1998-03-20 | 1999-01-08 | 貫通型ｅｍｉフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005236A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズ対策用部品およびその取付構造 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120805A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Tdk Corp | Ｌｃフィルタ |
| JPH1079302A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Tokin Corp | 複合磁性体およびそれを用いた電磁干渉抑制体 |
| JPH1092621A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Tokin Corp | 複合磁性体 |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP11002424A patent/JP2000201042A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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