JP2000199965A - リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパタ―ンの形成方法 - Google Patents
リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパタ―ンの形成方法Info
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】微細で寸法精度に優れたリブパターンを形成で
き、かつ残渣物をリブパターン上に残すことがないリブ
加工用反射防止膜形成溶液溶剤、反射防止膜を有するリ
ブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法を提供す
ること。 【解決手段】光性材料を含有する有機溶剤からなる加工
用反射防止膜形成溶液、該反射防止膜形成溶液で形成し
た反射防止膜を有するたリブ形成用積層体およびリブパ
ターンの形成方法。
き、かつ残渣物をリブパターン上に残すことがないリブ
加工用反射防止膜形成溶液溶剤、反射防止膜を有するリ
ブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法を提供す
ること。 【解決手段】光性材料を含有する有機溶剤からなる加工
用反射防止膜形成溶液、該反射防止膜形成溶液で形成し
た反射防止膜を有するたリブ形成用積層体およびリブパ
ターンの形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶、プラズ
マディスプレイパネルなどの各種電子表示装置の製造分
野で使用されるリブパターンを形成する際に使用するリ
ブ加工用反射防止膜形成溶液、それで形成した反射防止
膜を有するリブ形成用積層体およびリブパターンの形成
方法に関し、さらに詳しくは、微細で、残渣物がなく、
シャープなリブパターンを形成できるリブ加工用反射防
止膜形成溶液、反射防止膜を有するリブ形成用積層体お
よびリブパターンの形成方法に関する。
マディスプレイパネルなどの各種電子表示装置の製造分
野で使用されるリブパターンを形成する際に使用するリ
ブ加工用反射防止膜形成溶液、それで形成した反射防止
膜を有するリブ形成用積層体およびリブパターンの形成
方法に関し、さらに詳しくは、微細で、残渣物がなく、
シャープなリブパターンを形成できるリブ加工用反射防
止膜形成溶液、反射防止膜を有するリブ形成用積層体お
よびリブパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から半導体や液晶、プラズマディスプ
レイパネルなどの各種電子表示装置の製造においては、
例えば電極間のスぺーサーやセルの隔壁などに低融点ガ
ラスペーストから形成されたリブ材が多く使用されてい
る。このリブ材の加工には各種電子表示装置の高精度化
に伴い感光性樹脂組成物を用いたリソグラフィによる微
細加工法が施されるが、このリソグラフィーによる微細
加工法では、例えばプラズマディスプレイパネル（以
下、ＰＤＰという）の製造にみられるように、基板上に
低融点ガラスペーストからなるリブ層を設け、その上に
感光性樹脂層を積層し、マスクパターンを介して活性光
線を照射、現像し、得られたパターンを保護膜として露
出したリブ層をサンドブラスト処理してリブパターンを
形成するのが一般的である。ＰＤＰの製造においては、
前記サンドブラスト処理したのち、さらに焼成してリブ
を形成し、そのセル構造やライン間に蛍光体層や電極層
を設け、放電ガスを封入して製造される。
レイパネルなどの各種電子表示装置の製造においては、
例えば電極間のスぺーサーやセルの隔壁などに低融点ガ
ラスペーストから形成されたリブ材が多く使用されてい
る。このリブ材の加工には各種電子表示装置の高精度化
に伴い感光性樹脂組成物を用いたリソグラフィによる微
細加工法が施されるが、このリソグラフィーによる微細
加工法では、例えばプラズマディスプレイパネル（以
下、ＰＤＰという）の製造にみられるように、基板上に
低融点ガラスペーストからなるリブ層を設け、その上に
感光性樹脂層を積層し、マスクパターンを介して活性光
線を照射、現像し、得られたパターンを保護膜として露
出したリブ層をサンドブラスト処理してリブパターンを
形成するのが一般的である。ＰＤＰの製造においては、
前記サンドブラスト処理したのち、さらに焼成してリブ
を形成し、そのセル構造やライン間に蛍光体層や電極層
を設け、放電ガスを封入して製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記製造方
法において、リソグラフィーによる微細加工時に低融点
ガラスペースト層からの活性光線の乱反射によるハレー
ションが起こり、パターン形状に優れた感光性樹脂パタ
ーンが得られず、この感光性樹脂パターンを保護膜とし
てサンドブラスト加工によりリブ層を切削すると、微細
で寸法精度に優れたリブパターンが形成できないという
問題を有していた。
法において、リソグラフィーによる微細加工時に低融点
ガラスペースト層からの活性光線の乱反射によるハレー
ションが起こり、パターン形状に優れた感光性樹脂パタ
ーンが得られず、この感光性樹脂パターンを保護膜とし
てサンドブラスト加工によりリブ層を切削すると、微細
で寸法精度に優れたリブパターンが形成できないという
問題を有していた。
【０００４】この問題を解消するため、リブ層の上に活
性光線のハレーションを防止するため黒色ペースト層を
形成する方法が提案されているが、この方法では寸法精
度の高いリブパターンを形成できるが、リブ層上に黒色
ペースト層を形成するコスト高の問題やリブパターンの
焼成時に黒色の残渣物が残る問題、またＰＤＰの特性上
リブ層表面に黒色等の色をつけられないものには利用で
きないなどの問題があり、さらなる改良が強く望まれて
いた。
性光線のハレーションを防止するため黒色ペースト層を
形成する方法が提案されているが、この方法では寸法精
度の高いリブパターンを形成できるが、リブ層上に黒色
ペースト層を形成するコスト高の問題やリブパターンの
焼成時に黒色の残渣物が残る問題、またＰＤＰの特性上
リブ層表面に黒色等の色をつけられないものには利用で
きないなどの問題があり、さらなる改良が強く望まれて
いた。
【０００５】こうした現状に鑑み、本発明者等は、鋭意
研究を続けた結果、リブ形成層の上に吸光材料を含有す
る有機溶剤を塗布して反射防止膜を形成したのち、感光
性樹脂層を設けると、活性光線のハレーションが防止で
き微細で寸法精度に優れ、かつ残渣物も残らないリブパ
ターンが形成できることを見出して、本発明を完成した
ものである。すなわち、
研究を続けた結果、リブ形成層の上に吸光材料を含有す
る有機溶剤を塗布して反射防止膜を形成したのち、感光
性樹脂層を設けると、活性光線のハレーションが防止で
き微細で寸法精度に優れ、かつ残渣物も残らないリブパ
ターンが形成できることを見出して、本発明を完成した
ものである。すなわち、
【０００６】本発明は、微細で寸法精度に優れたリブパ
ターンを形成でき、かつ残渣物が残存しないリブ加工用
反射防止膜形成溶液を提供することを目的とする。
ターンを形成でき、かつ残渣物が残存しないリブ加工用
反射防止膜形成溶液を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、上記リブ加工用反射防止
膜形成溶液で形成した反射防止膜を有するリブ形成用積
層体を提供することを目的とする。
膜形成溶液で形成した反射防止膜を有するリブ形成用積
層体を提供することを目的とする。
【０００８】さらに、本発明は、上記リブ形成用積層体
を用いたリブパターンの形成方法を提供することを目的
とする。
を用いたリブパターンの形成方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、吸光性材料を含有する有機溶剤からなるリブ加工
用反射防止膜形成溶液、該溶液で形成された反射防止膜
を有するリブ形成用積層体、およびリブパターンの形成
方法に係る。
明は、吸光性材料を含有する有機溶剤からなるリブ加工
用反射防止膜形成溶液、該溶液で形成された反射防止膜
を有するリブ形成用積層体、およびリブパターンの形成
方法に係る。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
リブ加工用反射防止膜形成溶液は、上述のとおり有機溶
剤に吸光性材料を含有する溶液であるが、前記吸光性材
料としては、とくに限定されず従来公知の吸光剤を挙げ
ることができ、好ましくは波長３５０〜４５０μｍの光
の一部を吸収する染料がよい。前記染料としては、例え
ばアゾ系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染料、
アントラキノン系染料などが挙げられ、具体的にはオイ
ルイエロー、１−アルコキシ−４−（４’−Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルアミノフェニルアゾ）ベンゼン誘導体、４−ジ
エチルアミノアゾベンゼン、４−クロロ−４’−ジエチ
ルアミノアゾベンゼンなどを挙げることができる。前記
吸光剤は単独でもまた２種以上を混合して使用してもよ
い。
リブ加工用反射防止膜形成溶液は、上述のとおり有機溶
剤に吸光性材料を含有する溶液であるが、前記吸光性材
料としては、とくに限定されず従来公知の吸光剤を挙げ
ることができ、好ましくは波長３５０〜４５０μｍの光
の一部を吸収する染料がよい。前記染料としては、例え
ばアゾ系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染料、
アントラキノン系染料などが挙げられ、具体的にはオイ
ルイエロー、１−アルコキシ−４−（４’−Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルアミノフェニルアゾ）ベンゼン誘導体、４−ジ
エチルアミノアゾベンゼン、４−クロロ−４’−ジエチ
ルアミノアゾベンゼンなどを挙げることができる。前記
吸光剤は単独でもまた２種以上を混合して使用してもよ
い。
【００１１】また、上記有機溶剤としては、吸光剤を溶
解できる有機溶剤であればよく、とくに限定されない
が、具体的にはトルエン、キシレン、エチルベンゼン、
シクロヘキサン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキ
セン、シクロペンタン、芳香族炭化水素の混合溶媒であ
るスワゾール（商品名）などの炭化水素類、１，１−ジ
クロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１−ジク
ロロエチレン、１，１−ジクロロエチレン、２，３−ジ
クロロトルエン、２，４−ジクロロトルエン、２，５−
ジクロロトルエン、２，６−ジクロロトルエン、３，４
−ジクロロトルエン、３，５−ジクロロトルエン、ｏ−
ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロ
ロベンゼン、１，２，３−トリクロロベンゼン、１，
２，４−トリクロロベンゼン、１，３，５−トリクロロ
ベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテートなどを挙げることがで
きる。
解できる有機溶剤であればよく、とくに限定されない
が、具体的にはトルエン、キシレン、エチルベンゼン、
シクロヘキサン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキ
セン、シクロペンタン、芳香族炭化水素の混合溶媒であ
るスワゾール（商品名）などの炭化水素類、１，１−ジ
クロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１−ジク
ロロエチレン、１，１−ジクロロエチレン、２，３−ジ
クロロトルエン、２，４−ジクロロトルエン、２，５−
ジクロロトルエン、２，６−ジクロロトルエン、３，４
−ジクロロトルエン、３，５−ジクロロトルエン、ｏ−
ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロ
ロベンゼン、１，２，３−トリクロロベンゼン、１，
２，４−トリクロロベンゼン、１，３，５−トリクロロ
ベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテートなどを挙げることがで
きる。
【００１２】上記リブ加工用反射防止膜形成溶液中の吸
光剤の含有量は、有機溶剤に対し０．０５〜２０重量
％、好ましくは０．５〜１０重量％の範囲がよい。含有
量が０．０５重量部未満では反射防止効果がなく、また
２０重量％を超えると光の吸収が多くなり良好なパター
ンの形成が困難となる。
光剤の含有量は、有機溶剤に対し０．０５〜２０重量
％、好ましくは０．５〜１０重量％の範囲がよい。含有
量が０．０５重量部未満では反射防止効果がなく、また
２０重量％を超えると光の吸収が多くなり良好なパター
ンの形成が困難となる。
【００１３】上記リブ加工用反射防止膜形成溶液は、基
板上に形成されたリブ形成層上に、アプリケーター、バ
ーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、
カーテンフローコーターなどを用いて塗布され、乾燥さ
れて反射防止膜に形成されリブ形成用積層体が得られ
る。前記リブ形成用積層体を用いるリブパターンの形成
は、リブ形成用積層体の反射防止膜の上に感光性樹脂層
を設け、マスクパターンを介して活性光線を照射し、現
像して感光性樹脂パターンが形成し、それを保護膜とし
て露出したリブ形成層をサンドブラスト処理することで
行われる。特にＰＤＰの製造においては、前記サンドブ
ラスト処理の後焼成処理が行われる。このリブ形成層を
形成する低融点ガラスペーストとしては、無機粉末と有
機バインダーと溶剤とを混合したものが挙げられ、無機
粉末としては、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、
Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｎＯ２などが挙げられ、これら
の単独または２種以上を混合して用いてもよい。また、
有機バインダーとしては、無機粉末と反応することがな
く、焼成時に燃焼消失する材料であれば特に限定され
ず、例えばセルロース、カルボキシメチルセルロース、
ニトロセルロース、アセチルセルロース、ヒドロキシエ
チルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチ
ルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシセ
ルロース、カルボキシメチルエチルセルロースなどのセ
ルロース系高分子化合物、天然ゴム、ポリブタジエン、
クロロプレンゴム、アクリルゴム、イソプレン系合成ゴ
ム、環化ゴムなどの天然高分子、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、
ポリアミン、ポリウレタンなどの合成高分子が挙げら
れ、これらの有機バインダーの単独、混合又は共重合体
として用いられる。溶剤としては、上記無機粉末及び有
機バインダーを均一に溶解又は分散させるものであれば
よく、例えばトルエン、キシレンなどの炭化水素系、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール、α−テルピ
ネオールなどのアルコール系、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
イソホロンなどのケトン系、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチルなどのエステル系、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリ
コールモノブチルエーテルアセテートなどのエチレング
リコールエーテル系、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルアセテートなどのジエチ
レングリコールエーテル系などを挙げることができ、こ
れらの溶剤は単独でもまた混合して用いてもよい。
板上に形成されたリブ形成層上に、アプリケーター、バ
ーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、
カーテンフローコーターなどを用いて塗布され、乾燥さ
れて反射防止膜に形成されリブ形成用積層体が得られ
る。前記リブ形成用積層体を用いるリブパターンの形成
は、リブ形成用積層体の反射防止膜の上に感光性樹脂層
を設け、マスクパターンを介して活性光線を照射し、現
像して感光性樹脂パターンが形成し、それを保護膜とし
て露出したリブ形成層をサンドブラスト処理することで
行われる。特にＰＤＰの製造においては、前記サンドブ
ラスト処理の後焼成処理が行われる。このリブ形成層を
形成する低融点ガラスペーストとしては、無機粉末と有
機バインダーと溶剤とを混合したものが挙げられ、無機
粉末としては、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、
Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｎＯ２などが挙げられ、これら
の単独または２種以上を混合して用いてもよい。また、
有機バインダーとしては、無機粉末と反応することがな
く、焼成時に燃焼消失する材料であれば特に限定され
ず、例えばセルロース、カルボキシメチルセルロース、
ニトロセルロース、アセチルセルロース、ヒドロキシエ
チルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチ
ルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシセ
ルロース、カルボキシメチルエチルセルロースなどのセ
ルロース系高分子化合物、天然ゴム、ポリブタジエン、
クロロプレンゴム、アクリルゴム、イソプレン系合成ゴ
ム、環化ゴムなどの天然高分子、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、
ポリアミン、ポリウレタンなどの合成高分子が挙げら
れ、これらの有機バインダーの単独、混合又は共重合体
として用いられる。溶剤としては、上記無機粉末及び有
機バインダーを均一に溶解又は分散させるものであれば
よく、例えばトルエン、キシレンなどの炭化水素系、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール、α−テルピ
ネオールなどのアルコール系、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
イソホロンなどのケトン系、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチルなどのエステル系、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリ
コールモノブチルエーテルアセテートなどのエチレング
リコールエーテル系、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルアセテートなどのジエチ
レングリコールエーテル系などを挙げることができ、こ
れらの溶剤は単独でもまた混合して用いてもよい。
【００１４】反射防止膜層の上に設けられる感光性樹脂
層を形成する感光性樹脂組成物としては、耐サンドブラ
スト性を有し、容易に焼成除去できる材料であればよ
く、例えば特開平９−１２７６９２号公報に記載する少
なくとも２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル
基を有する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート
化合物、アルカリ可溶性高分子化合物及び光重合開始剤
を含有する感光性樹脂組成物が好ましい。前記少なくと
も２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有
する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート化合物
としては、ジオール化合物とジイソシアネート化合物と
が反応した末端イソシアネート基（−ＮＣＯ基）を有す
る化合物と、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレ
ート化合物との反応生成物が挙げられ、特に分子内に少
なくとも３個のウレタン結合を有するウレタンアクリレ
ートが好適でる。アルカリ可溶性高分子化合物として
は、カルボキシメチルセルロース、酢酸フタル酸セルロ
ースなどが挙げられ、またセルロースの部分酢酸エステ
ルに、ジカルボン酸又はトリカルボン酸、例えばコハク
酸、アジピン酸、トリメリット酸などを反応させて得た
セルロース化合物が好ましく挙げられる。前記少なくと
も２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有
する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート化合物
は、感光性樹脂組成物中５０〜９０重量％、アルカリ可
溶性のセルロースは５〜５０重量％、光重合開始剤はウ
レタンアクリレートおよびアルカリ可溶性のセルロース
との合計量に対して０．１〜２０重量％の範囲がよい。
層を形成する感光性樹脂組成物としては、耐サンドブラ
スト性を有し、容易に焼成除去できる材料であればよ
く、例えば特開平９−１２７６９２号公報に記載する少
なくとも２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル
基を有する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート
化合物、アルカリ可溶性高分子化合物及び光重合開始剤
を含有する感光性樹脂組成物が好ましい。前記少なくと
も２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有
する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート化合物
としては、ジオール化合物とジイソシアネート化合物と
が反応した末端イソシアネート基（−ＮＣＯ基）を有す
る化合物と、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレ
ート化合物との反応生成物が挙げられ、特に分子内に少
なくとも３個のウレタン結合を有するウレタンアクリレ
ートが好適でる。アルカリ可溶性高分子化合物として
は、カルボキシメチルセルロース、酢酸フタル酸セルロ
ースなどが挙げられ、またセルロースの部分酢酸エステ
ルに、ジカルボン酸又はトリカルボン酸、例えばコハク
酸、アジピン酸、トリメリット酸などを反応させて得た
セルロース化合物が好ましく挙げられる。前記少なくと
も２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有
する光重合可能なウレタン（メタ）アクリレート化合物
は、感光性樹脂組成物中５０〜９０重量％、アルカリ可
溶性のセルロースは５〜５０重量％、光重合開始剤はウ
レタンアクリレートおよびアルカリ可溶性のセルロース
との合計量に対して０．１〜２０重量％の範囲がよい。
【００１５】また、光重合開始剤としては、具体的にベ
ンゾフェノン、４、４’−ビス（ジメチルアミノ）ベン
ゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシ−ベンゾ
フェノン等のベンゾフェノン誘導体、アントラキノン、
２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノ
ン、ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン，１−クロロアン
トラキノン等のアントラキノン誘導体、ベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、
ベンゾインプロピルエーテルなどのベンゾインアルキル
エーテル誘導体、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ
−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフ
ェノン、４’−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メ
チルプロピオフェノン、２−メチル−１−〔４−（メチ
ルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノ
ンなどのアセトフェノン誘導体、２−クロロチオキサン
トン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサ
ントン、ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサ
ントン誘導体、ベンジル、２，４，６−（トリハロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（ｏ−クロロフェニル）−
４，５−ジフェニルイミダゾリル二量体、９−フェニル
アクリジン、１，７−ビス（９−アクリジニル）ヘプタ
ン、１，５−ビス（９−アクリジニル）ペンタン、１，
３−ビス（９−アクリジニル）プロパン、ジメチルベン
ジルケタール、トリメチルベンゾイルジフェニルホスフ
ィンオキシド、トリブロモメチルフェニルスルホン、２
−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォ
リノフェニル）−ブタン−１−オンなどが挙げられる。
これらの光重合開始剤は単独でも、２種以上を組み合わ
せても用いることができる。
ンゾフェノン、４、４’−ビス（ジメチルアミノ）ベン
ゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシ−ベンゾ
フェノン等のベンゾフェノン誘導体、アントラキノン、
２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノ
ン、ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン，１−クロロアン
トラキノン等のアントラキノン誘導体、ベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、
ベンゾインプロピルエーテルなどのベンゾインアルキル
エーテル誘導体、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ
−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフ
ェノン、４’−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メ
チルプロピオフェノン、２−メチル−１−〔４−（メチ
ルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノ
ンなどのアセトフェノン誘導体、２−クロロチオキサン
トン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサ
ントン、ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサ
ントン誘導体、ベンジル、２，４，６−（トリハロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（ｏ−クロロフェニル）−
４，５−ジフェニルイミダゾリル二量体、９−フェニル
アクリジン、１，７−ビス（９−アクリジニル）ヘプタ
ン、１，５−ビス（９−アクリジニル）ペンタン、１，
３−ビス（９−アクリジニル）プロパン、ジメチルベン
ジルケタール、トリメチルベンゾイルジフェニルホスフ
ィンオキシド、トリブロモメチルフェニルスルホン、２
−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォ
リノフェニル）−ブタン−１−オンなどが挙げられる。
これらの光重合開始剤は単独でも、２種以上を組み合わ
せても用いることができる。
【００１６】次に、本発明のリブパターン形成用反射防
止膜形成溶液を用いた好適なＰＤＰの製造方法の１例を
示す。先ず、ガラスなどの基板上に無機粉末と有機バイ
ンダーを有機溶剤に分散したペーストを塗布し、乾燥し
てリブ形成層を形成し、その上にリブパターン形成用反
射防止膜形成溶液を塗布、乾燥して反射防止膜を形成し
リブ形成用積層体を得る。次に、前記反射防止膜の上に
感光性樹脂組成物を塗布するか、又は可撓性支持フィル
ム上に塗布しその上に離型フィルムを配したドライフィ
ルムを用いて感光性樹脂組成物層を形成し、所定のマス
クパターンを備えたマスクを密着させ、マスクパターン
の上から活性光線を照射して露光し、現像して感光性樹
脂パターンを形成し、露出したリブ形成層をサンドブラ
スト処理により選択的にブラスト材で研削除去してリブ
パターンを形成したのち、残存する感光性樹脂層と反射
防止膜とを、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸ナトリウム、有機アルカリ
などの剥離液で除去し、次いで５００℃以上の温度で焼
成し、リブを形成し、そのセル内又はライン間に蛍光体
層や電極層を設け、放電ガスを封入することで製造され
る。前記サンドブラスト処理で使用するブラスト材とし
ては、ガラスビーズ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ ２ Ｏ３、
ＺｒＯ２、有機プラスチック材などの１〜５００μｍ程
度の微粒子が挙げられる。
止膜形成溶液を用いた好適なＰＤＰの製造方法の１例を
示す。先ず、ガラスなどの基板上に無機粉末と有機バイ
ンダーを有機溶剤に分散したペーストを塗布し、乾燥し
てリブ形成層を形成し、その上にリブパターン形成用反
射防止膜形成溶液を塗布、乾燥して反射防止膜を形成し
リブ形成用積層体を得る。次に、前記反射防止膜の上に
感光性樹脂組成物を塗布するか、又は可撓性支持フィル
ム上に塗布しその上に離型フィルムを配したドライフィ
ルムを用いて感光性樹脂組成物層を形成し、所定のマス
クパターンを備えたマスクを密着させ、マスクパターン
の上から活性光線を照射して露光し、現像して感光性樹
脂パターンを形成し、露出したリブ形成層をサンドブラ
スト処理により選択的にブラスト材で研削除去してリブ
パターンを形成したのち、残存する感光性樹脂層と反射
防止膜とを、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸ナトリウム、有機アルカリ
などの剥離液で除去し、次いで５００℃以上の温度で焼
成し、リブを形成し、そのセル内又はライン間に蛍光体
層や電極層を設け、放電ガスを封入することで製造され
る。前記サンドブラスト処理で使用するブラスト材とし
ては、ガラスビーズ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ ２ Ｏ３、
ＺｒＯ２、有機プラスチック材などの１〜５００μｍ程
度の微粒子が挙げられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。
【００１８】
【実施例】実施例１ ＰｂＯを含む低融点ガラスフリット１００重量部、エチ
ルセルロース２重量部、フタル酸ジブチル（可塑剤）５
重量部およびα−テルピネオール２０重量部を混合して
低融点ガラスペーストを調製した。
ルセルロース２重量部、フタル酸ジブチル（可塑剤）５
重量部およびα−テルピネオール２０重量部を混合して
低融点ガラスペーストを調製した。
【００１９】得られた低融点ガラスペーストを乾燥後の
膜厚が１５０ｎｍとなるようにソーダガラス上に、スク
リーン印刷法で塗布し、乾燥してリブ形成層を形成し
た。次いで芳香族炭化水素の混合溶剤であるスワゾール
１５００（丸善石油化学社製）に１重量％の４−ジエチ
ルアミノアゾベンゼン（ダイトーケミックス社製）を溶
解した反射防止膜形成溶液をリブ形成層上に塗布、乾燥
して反射防止膜を形成し、その上に、サンドブラスト用
ドライフィルムであるオーディルＢＦ−７０３（東京応
化工業社製）をラミネートし、テストマスクを介して
３．５Ｗの超高圧水銀灯で２００ｍＪ／ｃｍ２のエネル
ギー量で照射し露光した。次いで、０．２重量％の炭酸
ナトリウム水溶液でスプレー現像、水洗し、感光性樹脂
パターンを形成した。得られた感光性樹脂パターンは矩
形で、テストマスク寸法との差が０．２μｍのシャープ
性の優れたパターンであった。
膜厚が１５０ｎｍとなるようにソーダガラス上に、スク
リーン印刷法で塗布し、乾燥してリブ形成層を形成し
た。次いで芳香族炭化水素の混合溶剤であるスワゾール
１５００（丸善石油化学社製）に１重量％の４−ジエチ
ルアミノアゾベンゼン（ダイトーケミックス社製）を溶
解した反射防止膜形成溶液をリブ形成層上に塗布、乾燥
して反射防止膜を形成し、その上に、サンドブラスト用
ドライフィルムであるオーディルＢＦ−７０３（東京応
化工業社製）をラミネートし、テストマスクを介して
３．５Ｗの超高圧水銀灯で２００ｍＪ／ｃｍ２のエネル
ギー量で照射し露光した。次いで、０．２重量％の炭酸
ナトリウム水溶液でスプレー現像、水洗し、感光性樹脂
パターンを形成した。得られた感光性樹脂パターンは矩
形で、テストマスク寸法との差が０．２μｍのシャープ
性の優れたパターンであった。
【００２０】上記感光性樹脂パターンをマスクとしてガ
ラスビーズ＃８００（東芝パロティーニ社製）の研磨材
でブラスト圧０．５ｋｇ／ｃｍ２でサンドブラスト処理
し、リブ形成層を切削した。反射防止膜層の形成による
ブラストレートの低下は確認されず、テストマスクに忠
実な寸法精度の高いリブパターンが得られた。次いで前
記基材を１２重量％モノエタノールアミン水溶液に浸漬
して残存する感光性樹脂パターンと反射防止膜を剥離除
去したのち、５２０℃の温度で焼成した。得られた基材
には焼成残渣が全くみられず、強度、形状とも良好なリ
ブパターンが形成されていた。
ラスビーズ＃８００（東芝パロティーニ社製）の研磨材
でブラスト圧０．５ｋｇ／ｃｍ２でサンドブラスト処理
し、リブ形成層を切削した。反射防止膜層の形成による
ブラストレートの低下は確認されず、テストマスクに忠
実な寸法精度の高いリブパターンが得られた。次いで前
記基材を１２重量％モノエタノールアミン水溶液に浸漬
して残存する感光性樹脂パターンと反射防止膜を剥離除
去したのち、５２０℃の温度で焼成した。得られた基材
には焼成残渣が全くみられず、強度、形状とも良好なリ
ブパターンが形成されていた。
【００２１】実施例２ 実施例１で使用した反射防止膜形成溶液を、スワゾール
１５００（丸善石油化学社製）に１重量％の４−クロロ
−４’−ジエチルアミノアゾベンゼンを溶解したものに
代えた以外は、実施例１と同様の操作により感光性樹脂
パターンを形成したところ、得られた感光性樹脂パター
ンは矩形で、テストマスク寸法との差が０．２μｍのシ
ャープ性に優れたパターンであった。
１５００（丸善石油化学社製）に１重量％の４−クロロ
−４’−ジエチルアミノアゾベンゼンを溶解したものに
代えた以外は、実施例１と同様の操作により感光性樹脂
パターンを形成したところ、得られた感光性樹脂パター
ンは矩形で、テストマスク寸法との差が０．２μｍのシ
ャープ性に優れたパターンであった。
【００２２】次に、実施例１と同様のサンドブラスト処
理を施し、リブ層を切削したところ、反射防止膜層の形
成によるブラストレートの低下は確認されず、テストマ
スクに忠実な寸法精度の高いリブパターンが得られた。
次いで基材を１２重量％モノエタノールアミン水溶液に
浸漬して残存する感光性樹脂パターンと反射防止膜を剥
離除去したのち５２０℃の温度で焼成したところ、基材
には焼成残渣が全くみられず、強度、形状とも良好なリ
ブパターンが形成されていた。
理を施し、リブ層を切削したところ、反射防止膜層の形
成によるブラストレートの低下は確認されず、テストマ
スクに忠実な寸法精度の高いリブパターンが得られた。
次いで基材を１２重量％モノエタノールアミン水溶液に
浸漬して残存する感光性樹脂パターンと反射防止膜を剥
離除去したのち５２０℃の温度で焼成したところ、基材
には焼成残渣が全くみられず、強度、形状とも良好なリ
ブパターンが形成されていた。
【００２３】比較例１ 実施例１で反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と
同様の操作により感光性樹脂パターンを形成したとこ
ろ、得られた感光性樹脂パターンは裾引き形状で、テス
トマスク寸法との差が０．５μｍのシャープ性に乏しい
パターンであった。
同様の操作により感光性樹脂パターンを形成したとこ
ろ、得られた感光性樹脂パターンは裾引き形状で、テス
トマスク寸法との差が０．５μｍのシャープ性に乏しい
パターンであった。
【００２４】
【発明の効果】本発明のリブパターン形成用反射防止膜
形成溶液は、感光性樹脂層のリソグラフィ処理におい
て、リブ形成層からの活性光線の乱反射を抑えハレーシ
ョンがなく、パターン形状に優れた矩形の感光性樹脂パ
ターンを形成する。この感光性樹脂パターンをマスクと
してリブ形成層を研削除去することで、マスク寸法に忠
実な寸法精度の高いリブパターンが形成でき、それをＰ
ＤＰ製造用のリブとして用いることで実用的なＰＤＰが
容易に製造できる。
形成溶液は、感光性樹脂層のリソグラフィ処理におい
て、リブ形成層からの活性光線の乱反射を抑えハレーシ
ョンがなく、パターン形状に優れた矩形の感光性樹脂パ
ターンを形成する。この感光性樹脂パターンをマスクと
してリブ形成層を研削除去することで、マスク寸法に忠
実な寸法精度の高いリブパターンが形成でき、それをＰ
ＤＰ製造用のリブとして用いることで実用的なＰＤＰが
容易に製造できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (72)発明者 帯谷 洋之 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AB16 AB17 AB20 AC01 AD01 BC12 BC14 BC31 BC45 CC11 CC13 DA19 DA20 DA29 DA34 FA17 FA39 FA42 2H096 AA25 AA27 BA05 CA06 CA12 EA02 GA08 HA01 HA30 JA04 4J038 JA34 JB16 KA06 KA08 NA19 PB09 PB11 PC03 5C040 GF19 JA15 JA17 JA21 KA08 KA17 KB03 KB14 KB19 MA23 MA24 5F046 AA02 PA07 PA09
Claims (4)
- 【請求項１】吸光性材料を含有する有機溶剤からなるこ
とを特徴とするリブ加工用反射防止膜形成溶液。 - 【請求項２】基板、リブ形成用低融点ガラスペースト
層、リブ加工用反射防止膜形成溶液から得られた反射防
止膜が順次積層することを特徴とするリブ形成用積層
体。 - 【請求項３】基板上に低融点ガラスペースト層を設け、
その上にリブ加工用反射防止膜形成溶液を塗布し反射防
止膜を形成したのち、リブ加工用感光性樹脂組成物層を
設け、マスクパターンを介して活性光線を照射、現像し
て感光性樹脂パターンを形成し、それを保護膜としてサ
ンドブラスト処理することを特徴とするリブパターンの
形成方法。 - 【請求項４】サンドブラスト処理したのちさらに焼成す
ることを特徴とする請求項３に記載のリブパターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00168799A JP4111293B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00168799A JP4111293B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199965A true JP2000199965A (ja) | 2000-07-18 |
| JP4111293B2 JP4111293B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=11508439
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00168799A Expired - Fee Related JP4111293B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | リブ加工用反射防止膜形成溶液、それを塗布したリブ形成用積層体およびリブパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4111293B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100670338B1 (ko) | 2005-05-11 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7830011B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-11-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor element and wafer level chip size package therefor |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP00168799A patent/JP4111293B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7830011B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-11-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor element and wafer level chip size package therefor |
| KR100670338B1 (ko) | 2005-05-11 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
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|---|---|
| JP4111293B2 (ja) | 2008-07-02 |
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