JP2000199886A5 - 液晶表示装置、携帯情報端末、ビデオカメラ、コンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、ディスプレイ、プレーヤー及びデジタルカメラ - Google Patents

Description

図２５（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、フィールドシーケンシャル液晶表示装置２００３、キーボード２００４で構成される。

図２５（Ｂ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、フィールドシーケンシャル液晶表示装置２３０２、アーム部２３０３で構成される。

図２５（Ｃ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、フィールドシーケンシャル液晶表示装置２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５で構成される。

図２５（Ｄ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、フィールドシーケンシャル液晶表示装置２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）で構成される。

Claims (43)

1. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
2. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
   前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
3. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
   駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
   前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
   前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
   前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
4. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
   前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
5. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
   前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
6. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
   駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
   前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
   前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁 膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
   前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
7. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
   バックライトにＬＥＤを用いており、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
8. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
   前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   バックライトにＬＥＤを用いており、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
9. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
   駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
   前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
   前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
   前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
   バックライトにＬＥＤを用いており、
   フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
10. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
11. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
12. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
13. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
14. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
15. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
16. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
17. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
18. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
19. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
20. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
21. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
22. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
23. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
24. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
25. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
26. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有 し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
27. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
28. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
29. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
30. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域 とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトにＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
31. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
32. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
33. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
34. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
35. 画素に薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記半導体層と重なる２つのゲイト電極を有し、
    前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有 し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
36. 画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
    駆動回路に第２の薄膜トランジスタが設けられ、
    前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を有し、
    前記第１の半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第３のゲイト電極を有し、
    前記第２の半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、
    前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、多結晶シリコン膜であり、
    バックライトとして、赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
    フィールドシーケンシャル駆動を行い、
    時間階調により階調表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
37. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いた携帯情報端末。
38. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたビデオカメラ。
39. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたコンピュータ。
40. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたヘッドマウントディスプレイ。
41. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたディスプレイ。
42. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたプレーヤー。
43. 請求項１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたデジタルカメラ。