JP2000195901A - フリップチップ又はｃｓｐの絶縁膜の形成方法及び実装方法 - Google Patents
フリップチップ又はｃｓｐの絶縁膜の形成方法及び実装方法Info
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- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Abstract
(57)【要約】
【課題】容易、且つ低コストで行うことができ、しかも
信頼性のある絶縁膜をフリップチップ又はＣＳＰに形成
し得る方法、並びに上記絶縁膜が形成されたフリップチ
ップ又はＣＳＰをプリント基板に実装する方法を提供す
ること。 【解決手段】 回路形成されたウエハ表面上にバンプを
形成する工程、上記工程でバンプが形成されたウエハ表
面に、光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を有する樹脂層が存
在している支持フィルムをその樹脂層が該ウエハ表面と
接触するように熱圧着して、支持フィルムとウエハ表面
の間隙に硬化性樹脂層を形成する工程、上記で形成され
た樹脂層に活性光線を照射して上記樹脂層を光硬化する
工程、支持フィルムを剥離して、バンプ頭部の金属面を
露出させる工程を含むフリップチップ又はＣＳＰの絶縁
膜の形成方法、並びにこの方法で形成された絶縁膜を有
するフリップチップ又はＣＳＰの実装方法が提供され
る。
信頼性のある絶縁膜をフリップチップ又はＣＳＰに形成
し得る方法、並びに上記絶縁膜が形成されたフリップチ
ップ又はＣＳＰをプリント基板に実装する方法を提供す
ること。 【解決手段】 回路形成されたウエハ表面上にバンプを
形成する工程、上記工程でバンプが形成されたウエハ表
面に、光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を有する樹脂層が存
在している支持フィルムをその樹脂層が該ウエハ表面と
接触するように熱圧着して、支持フィルムとウエハ表面
の間隙に硬化性樹脂層を形成する工程、上記で形成され
た樹脂層に活性光線を照射して上記樹脂層を光硬化する
工程、支持フィルムを剥離して、バンプ頭部の金属面を
露出させる工程を含むフリップチップ又はＣＳＰの絶縁
膜の形成方法、並びにこの方法で形成された絶縁膜を有
するフリップチップ又はＣＳＰの実装方法が提供され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ及
びチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）の改良された絶
縁膜形成方法、ならびにフリップチップ及びＣＳＰの実
装方法に関する。
びチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）の改良された絶
縁膜形成方法、ならびにフリップチップ及びＣＳＰの実
装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のエレクトロニクス関係部品の軽薄
短小化のスピードは速く、ＩＣをウエハ状態で絶縁材料
で保護し、次いでチップに裁断する方法が行われてい
る。そして、裁断されたチップは、プリント基板に実装
される（フリップ実装工法）。ＣＳＰの場合、チップに
裁断される前に、バーンインテストのような信頼性テス
トが行われる。
短小化のスピードは速く、ＩＣをウエハ状態で絶縁材料
で保護し、次いでチップに裁断する方法が行われてい
る。そして、裁断されたチップは、プリント基板に実装
される（フリップ実装工法）。ＣＳＰの場合、チップに
裁断される前に、バーンインテストのような信頼性テス
トが行われる。
【０００３】現在、ＩＣをウエハ状態で絶縁材料で保護
し、次いでチップに裁断する方法はＩＣチップに分割す
る前の段階でウエハ上にバンプを形成して、従来と同様
なＩＣ封止材の粉末をウエハ上に散布し、圧縮成型する
ことにより行われている。しかしながら、この方法は著
しく生産性に劣り、しかも封止材粉末に含まれる空気を
完全に除去することが困難なため、信頼性に欠けると共
に、歩留まりが悪い等の問題がある。
し、次いでチップに裁断する方法はＩＣチップに分割す
る前の段階でウエハ上にバンプを形成して、従来と同様
なＩＣ封止材の粉末をウエハ上に散布し、圧縮成型する
ことにより行われている。しかしながら、この方法は著
しく生産性に劣り、しかも封止材粉末に含まれる空気を
完全に除去することが困難なため、信頼性に欠けると共
に、歩留まりが悪い等の問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、容
易、且つ低コストで行うことができ、しかも信頼性のあ
る絶縁膜をフリップチップ又はＣＳＰに形成し得る方法
を提供することにある。本発明の他の目的は、上記絶縁
膜が形成されたフリップチップ又はＣＳＰをプリント基
板に実装する方法を提供することにある。
易、且つ低コストで行うことができ、しかも信頼性のあ
る絶縁膜をフリップチップ又はＣＳＰに形成し得る方法
を提供することにある。本発明の他の目的は、上記絶縁
膜が形成されたフリップチップ又はＣＳＰをプリント基
板に実装する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記の
フリップチップ又はＣＳＰの絶縁膜の形成方法及び、フ
リップチップの実装方法、並びにＣＳＰの実装方法が提
供され、本発明の上記目的が達成される。 〔１〕（１）回路形成されたウエハ表面上にバンプを形
成する工程、（２）上記工程（１）でバンプが形成され
たウエハ表面に、光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を有する
樹脂層が存在している支持フィルムをその樹脂層が該ウ
エハ表面と接触するように熱圧着して、支持フィルムと
ウエハ表面の間隙に硬化性樹脂層を形成する工程、
（３）工程（２）で形成された樹脂層に活性光線を照射
して上記樹脂層を光硬化する工程、及び（４）支持フィ
ルムを剥離して、バンプ頭部の金属面を露出させる工程
を含むことを特徴とするフリップチップ又はＣＳＰの絶
縁膜の形成方法。 〔２〕上記樹脂層は、光硬化性樹脂がアクリル系モノマ
ーを主成分とし、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を主剤と
しフェノール性水酸基を有する樹脂を硬化剤とすること
を特徴とする前記〔１〕に記載のフリップチップ又はＣ
ＳＰの絶縁膜の形成方法。 〔３〕 前記〔１〕に記載の工程（１）〜（４）を行っ
た後、そのウエハのチップ裁断を行い、裁断されたチッ
プをプリント基板に熱圧着することを特徴とするフリッ
プチップの実装方法。 〔４〕 前記〔１〕に記載の工程（１）〜（４）を行
い、そのウエハを加熱硬化し、信頼性試験を行った後、
ウエハのチップ裁断を行い、裁断されたチップをプリン
ト基板に熱圧着することを特徴とするＣＳＰの実装方
法。
フリップチップ又はＣＳＰの絶縁膜の形成方法及び、フ
リップチップの実装方法、並びにＣＳＰの実装方法が提
供され、本発明の上記目的が達成される。 〔１〕（１）回路形成されたウエハ表面上にバンプを形
成する工程、（２）上記工程（１）でバンプが形成され
たウエハ表面に、光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を有する
樹脂層が存在している支持フィルムをその樹脂層が該ウ
エハ表面と接触するように熱圧着して、支持フィルムと
ウエハ表面の間隙に硬化性樹脂層を形成する工程、
（３）工程（２）で形成された樹脂層に活性光線を照射
して上記樹脂層を光硬化する工程、及び（４）支持フィ
ルムを剥離して、バンプ頭部の金属面を露出させる工程
を含むことを特徴とするフリップチップ又はＣＳＰの絶
縁膜の形成方法。 〔２〕上記樹脂層は、光硬化性樹脂がアクリル系モノマ
ーを主成分とし、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を主剤と
しフェノール性水酸基を有する樹脂を硬化剤とすること
を特徴とする前記〔１〕に記載のフリップチップ又はＣ
ＳＰの絶縁膜の形成方法。 〔３〕 前記〔１〕に記載の工程（１）〜（４）を行っ
た後、そのウエハのチップ裁断を行い、裁断されたチッ
プをプリント基板に熱圧着することを特徴とするフリッ
プチップの実装方法。 〔４〕 前記〔１〕に記載の工程（１）〜（４）を行
い、そのウエハを加熱硬化し、信頼性試験を行った後、
ウエハのチップ裁断を行い、裁断されたチップをプリン
ト基板に熱圧着することを特徴とするＣＳＰの実装方
法。
【０００６】
【発明の実施の形態】まず、本発明のフリップチップ及
びＣＳＰの絶縁膜形成方法の詳細を、図を参照しつつ説
明する。 〔工程（１）〕工程（１）では、回路が形成されたウエ
ハ表面上に、バンプが形成される。図１の（ａ）は回路
が形成されたウエハ表面の概略平面図である。また図１
の（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’面で切断したときの１個
のチップ２の切断面の概略図である。図１の（ａ）及び
（ｂ）において、ウエハ１に回路が形成されており、そ
の表面上にバンプ３が所望のパターンに形成され、その
後、複数個のチップ２に分割される。
びＣＳＰの絶縁膜形成方法の詳細を、図を参照しつつ説
明する。 〔工程（１）〕工程（１）では、回路が形成されたウエ
ハ表面上に、バンプが形成される。図１の（ａ）は回路
が形成されたウエハ表面の概略平面図である。また図１
の（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’面で切断したときの１個
のチップ２の切断面の概略図である。図１の（ａ）及び
（ｂ）において、ウエハ１に回路が形成されており、そ
の表面上にバンプ３が所望のパターンに形成され、その
後、複数個のチップ２に分割される。
【０００７】バンプ３は、ウエハに形成されている回路
とプリント基板上に形成された回路と電気的に接続する
機能を有する。バンプは、通常、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｃｕ、Ｎｉ及びこれら金属の合金等から形成され、
幅５０〜２００μｍ、厚み１０〜５０μｍ程度である。
バンプを、所望のパターンにウエハ表面上に形成するに
は、一般的に知られている方法、例えばワイヤーボンデ
ィングにより、ウエハーに金属を固定し、しかる後にワ
イヤーを切断し、切断面を溶融して丸くする方法、Ａｇ
−エポキシ樹脂の導電ペーストをスクリーン印刷して熱
硬化する方法等により行うことができる。
とプリント基板上に形成された回路と電気的に接続する
機能を有する。バンプは、通常、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｃｕ、Ｎｉ及びこれら金属の合金等から形成され、
幅５０〜２００μｍ、厚み１０〜５０μｍ程度である。
バンプを、所望のパターンにウエハ表面上に形成するに
は、一般的に知られている方法、例えばワイヤーボンデ
ィングにより、ウエハーに金属を固定し、しかる後にワ
イヤーを切断し、切断面を溶融して丸くする方法、Ａｇ
−エポキシ樹脂の導電ペーストをスクリーン印刷して熱
硬化する方法等により行うことができる。
【０００８】〔工程（２）〕工程（２）では、上記工程
（１）でバンプが形成されたウエハ表面に、光硬化性樹
脂と熱硬化性樹脂を有する樹脂層が存在している支持フ
ィルムをその樹脂層が該ウエハ表面と接触するように熱
圧着して、支持フィルムとウエハ表面の間隙に硬化性樹
脂層を形成する。支持フィルムに光硬化性樹脂及び熱硬
化性樹脂からなる樹脂層が形成する。形成される樹脂層
の厚さは、バンプの高さとウエハ上のバンプの密度によ
って変るが、工程（３）で圧着したときにバンプの金属
表面上に樹脂層がないようにするために、乾燥後の厚さ
で、好ましくはパンプの高さの４０〜９０％、より好ま
しくは５０〜８０％である。上記樹脂層の形成は、光硬
化性樹脂及び熱硬化性樹脂を溶剤に溶解して塗液を調製
し、この塗液を支持フィルムに塗布、乾燥することによ
り行われる。用いられる溶剤は、特に限定されないが、
支持フィルムへの塗布性及び乾燥性等の良いものが好ま
しい。具体的には、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素;メタノール、イソプロピルアルコール、シクロヘ
キサノール等のアルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル
等のエステル類;１,４−ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエ一テル類；メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；セロソル
ブ、ブチルセロソルブアセテート、セロソルブアセテー
ト等のグリコール誘導体；その他石油工ーテル、石油ナ
フサ等の石油系溶剤等を挙げることができる。
（１）でバンプが形成されたウエハ表面に、光硬化性樹
脂と熱硬化性樹脂を有する樹脂層が存在している支持フ
ィルムをその樹脂層が該ウエハ表面と接触するように熱
圧着して、支持フィルムとウエハ表面の間隙に硬化性樹
脂層を形成する。支持フィルムに光硬化性樹脂及び熱硬
化性樹脂からなる樹脂層が形成する。形成される樹脂層
の厚さは、バンプの高さとウエハ上のバンプの密度によ
って変るが、工程（３）で圧着したときにバンプの金属
表面上に樹脂層がないようにするために、乾燥後の厚さ
で、好ましくはパンプの高さの４０〜９０％、より好ま
しくは５０〜８０％である。上記樹脂層の形成は、光硬
化性樹脂及び熱硬化性樹脂を溶剤に溶解して塗液を調製
し、この塗液を支持フィルムに塗布、乾燥することによ
り行われる。用いられる溶剤は、特に限定されないが、
支持フィルムへの塗布性及び乾燥性等の良いものが好ま
しい。具体的には、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素;メタノール、イソプロピルアルコール、シクロヘ
キサノール等のアルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル
等のエステル類;１,４−ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン等のエ一テル類；メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；セロソル
ブ、ブチルセロソルブアセテート、セロソルブアセテー
ト等のグリコール誘導体；その他石油工ーテル、石油ナ
フサ等の石油系溶剤等を挙げることができる。
【０００９】塗液には、光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂
成分以外に、さらに必要に応じて各種の添加剤、例えば
タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシ
ウム、チタン酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化ア
ルミニウム、シリカ、クレー等の無機充填剤；アエロジ
ル等のチキソトロピー付与剤；フタロシアニンブルー、
フタロシアニングリーン、酸化チタン等の着色剤；シリ
コーン、フッ素系のレベリング剤や消泡剤；ハイドロキ
ノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル等の重合禁止
剤等を絶縁膜の電気絶縁性及び塗膜性能を高める目的で
添加することができる。
成分以外に、さらに必要に応じて各種の添加剤、例えば
タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシ
ウム、チタン酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化ア
ルミニウム、シリカ、クレー等の無機充填剤；アエロジ
ル等のチキソトロピー付与剤；フタロシアニンブルー、
フタロシアニングリーン、酸化チタン等の着色剤；シリ
コーン、フッ素系のレベリング剤や消泡剤；ハイドロキ
ノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル等の重合禁止
剤等を絶縁膜の電気絶縁性及び塗膜性能を高める目的で
添加することができる。
【００１０】塗液の塗布は、支持フィルムに、例えば工
業的にはコーターヘッド、乾燥ライン、巻取り部分から
なる塗工機が用いられる。通常、巻取り部分ではポリエ
チレンフィルムがセパレーターとして挟み込んで巻取
り、使用時にはセパレーターを剥がして使用する。支持
フィルムに塗布される光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂
は、詳細に後述する。
業的にはコーターヘッド、乾燥ライン、巻取り部分から
なる塗工機が用いられる。通常、巻取り部分ではポリエ
チレンフィルムがセパレーターとして挟み込んで巻取
り、使用時にはセパレーターを剥がして使用する。支持
フィルムに塗布される光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂
は、詳細に後述する。
【００１１】支持フィルムとしては、熱圧着する温度よ
り融点が高いフィルムであり、融点が ℃以上のフィ
ルムが好ましい。具体的には、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等の
ポリエステルフィルム；ナイロン６フィルム、ナイロン
６６フィルム等のポリアミドフィルム等が用いられる。
なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルム等が好
ましく用いられる。なお、一般に知られている表面処理
が施されたフィルムは、塗液を塗布、乾燥させる際にハ
ジキの発生、ピンホールの発生等により、工程（３）で
均一な硬化性樹脂層を形成し難くなるので、支持フィル
ムとして使用するのは、避けた方がよい。
り融点が高いフィルムであり、融点が ℃以上のフィ
ルムが好ましい。具体的には、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等の
ポリエステルフィルム；ナイロン６フィルム、ナイロン
６６フィルム等のポリアミドフィルム等が用いられる。
なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルム等が好
ましく用いられる。なお、一般に知られている表面処理
が施されたフィルムは、塗液を塗布、乾燥させる際にハ
ジキの発生、ピンホールの発生等により、工程（３）で
均一な硬化性樹脂層を形成し難くなるので、支持フィル
ムとして使用するのは、避けた方がよい。
【００１２】上記工程（１）でバンプが形成されたウエ
ハ表面に、上記で得られた硬化性樹脂の樹脂層が形成さ
れている支持フィルムをその塗布面が該ウエハ表面と接
触するように熱圧着して、支持フィルムとウエハ表面の
間隙に硬化性樹脂層を形成する。支持フィルムとバンプ
の頭部とは密接に接触しており、その間には硬化性樹脂
が存在していないことが好ましい。熱圧着は、好ましく
は熱ロールを用いて行われる。図２の（ａ）は硬化性樹
脂の樹脂層が形成されている支持フィルムをウエハ表面
に熱圧着した直後の様子を示す概略断面図である。支持
フィルム５は、バンプ３を隔ててウエハ１の表面を覆
い、支持フィルム５とウエハ１の表面の間隙には、硬化
性樹脂層４が形成され、支持フィルム５とバンプ３の頭
部は密接に接触している。この工程（３）では、従来行
われていた硬化性樹脂の粉末を散布する方法と比べて容
易に空気を逃がすことができ、硬化性樹脂層４には実質
上気泡が存在しないので、硬化後の絶縁膜は電気絶縁性
に優れ、信頼性が高い。熱圧着をゴムを材質とする熱ロ
ールを用いて行うことにより、光硬化性樹脂及び熱硬化
性樹脂は、熱ロールの熱で溶融しながら圧着され、突出
しているバンプの上を樹脂が流れ、図２の（ａ）で示さ
れる構造を容易に採ることができ、好ましい。図２の
（ａ）において、突き出ているバンプの頭部には樹脂層
が無い。
ハ表面に、上記で得られた硬化性樹脂の樹脂層が形成さ
れている支持フィルムをその塗布面が該ウエハ表面と接
触するように熱圧着して、支持フィルムとウエハ表面の
間隙に硬化性樹脂層を形成する。支持フィルムとバンプ
の頭部とは密接に接触しており、その間には硬化性樹脂
が存在していないことが好ましい。熱圧着は、好ましく
は熱ロールを用いて行われる。図２の（ａ）は硬化性樹
脂の樹脂層が形成されている支持フィルムをウエハ表面
に熱圧着した直後の様子を示す概略断面図である。支持
フィルム５は、バンプ３を隔ててウエハ１の表面を覆
い、支持フィルム５とウエハ１の表面の間隙には、硬化
性樹脂層４が形成され、支持フィルム５とバンプ３の頭
部は密接に接触している。この工程（３）では、従来行
われていた硬化性樹脂の粉末を散布する方法と比べて容
易に空気を逃がすことができ、硬化性樹脂層４には実質
上気泡が存在しないので、硬化後の絶縁膜は電気絶縁性
に優れ、信頼性が高い。熱圧着をゴムを材質とする熱ロ
ールを用いて行うことにより、光硬化性樹脂及び熱硬化
性樹脂は、熱ロールの熱で溶融しながら圧着され、突出
しているバンプの上を樹脂が流れ、図２の（ａ）で示さ
れる構造を容易に採ることができ、好ましい。図２の
（ａ）において、突き出ているバンプの頭部には樹脂層
が無い。
【００１３】また、熱圧着は、硬化性樹脂の溶融温度以
上の温度で行われるが、熱圧着温度が高いと、圧着した
ときに支持フィルムの横から樹脂がしみだすので、一般
的には５０℃〜１１０℃の温度で、硬化性樹脂の溶融温
度よりも２０℃位高い温度が好ましい。また、熱圧着の
圧力は、熱圧着を熱ロールで行なう場合、ロールの回転
速度(送り速度)により適切に設定される。例えば送り速
度１ｍ／ｍｉｎの場合、圧力１.５〜４ｋｇ／ｍ2が好ま
しく、より好ましくは１.７〜３ｋｇ／ｍ2で図２の
（ａ）に示される状態になるように熱圧着が可能であ
る。
上の温度で行われるが、熱圧着温度が高いと、圧着した
ときに支持フィルムの横から樹脂がしみだすので、一般
的には５０℃〜１１０℃の温度で、硬化性樹脂の溶融温
度よりも２０℃位高い温度が好ましい。また、熱圧着の
圧力は、熱圧着を熱ロールで行なう場合、ロールの回転
速度(送り速度)により適切に設定される。例えば送り速
度１ｍ／ｍｉｎの場合、圧力１.５〜４ｋｇ／ｍ2が好ま
しく、より好ましくは１.７〜３ｋｇ／ｍ2で図２の
（ａ）に示される状態になるように熱圧着が可能であ
る。
【００１４】〔工程（３）及び工程（４）〕工程（３）
では、工程（２）で形成された硬化樹脂層４に活性光線
を照射して上記光硬化性樹脂を硬化する工程である。活
性光線としては、光硬化性樹脂が重合、硬化し得る光線
であれば、特に制限はない。具体的には、紫外線、遠紫
外線、エキシマレーザー光線、放射線等を挙げることが
できる。好ましい照射方法として、通常のプリント基板
用の露光機で支持フイルムの上方から紫外線を、３００
ｍＪ／ｃｍ2以上の光量で、支持フィルム全面に照射す
る方法が挙げられる。光硬化性樹脂が硬化することによ
り、支持フィルムを剥離する工程（４）が容易に行うこ
とができる。上記硬化樹脂層に光硬化性樹脂が配合され
ておらず、活性光線による硬化が生じないと、支持フィ
ルムの剥離が難しい。支持フィルムが剥離することによ
り、バンプ３の頭部の金属面が露出する。バンプ３の頭
部の金属面が露出した様子が、図２の（ｂ）に模式的に
示されている。図２の（ｂ）の４ｂは光硬化後の樹脂層
である。
では、工程（２）で形成された硬化樹脂層４に活性光線
を照射して上記光硬化性樹脂を硬化する工程である。活
性光線としては、光硬化性樹脂が重合、硬化し得る光線
であれば、特に制限はない。具体的には、紫外線、遠紫
外線、エキシマレーザー光線、放射線等を挙げることが
できる。好ましい照射方法として、通常のプリント基板
用の露光機で支持フイルムの上方から紫外線を、３００
ｍＪ／ｃｍ2以上の光量で、支持フィルム全面に照射す
る方法が挙げられる。光硬化性樹脂が硬化することによ
り、支持フィルムを剥離する工程（４）が容易に行うこ
とができる。上記硬化樹脂層に光硬化性樹脂が配合され
ておらず、活性光線による硬化が生じないと、支持フィ
ルムの剥離が難しい。支持フィルムが剥離することによ
り、バンプ３の頭部の金属面が露出する。バンプ３の頭
部の金属面が露出した様子が、図２の（ｂ）に模式的に
示されている。図２の（ｂ）の４ｂは光硬化後の樹脂層
である。
【００１５】以上の工程（１）〜（４）が終了後、フリ
ップチップの実装は、チップ分割を行い、基板ヘバンプ
の溶融温度でプリント基板側の回路に熱圧着する単純な
工程で行われる。熱圧着は、バンプの金属とプリント基
板側の金属とが溶融接合する温度、例えば２００〜３０
０℃の温度で行われる。このときに、上記硬化樹脂層に
含有される未硬化の熱硬化性樹脂の熱硬化反応が完結
し、絶縁膜の信頼性が保証される。フリップチップがプ
リント回路基板に実装されている様子が図３に示されて
いる。バンプ３とプリント基板側の金属６とが接合して
おり、光硬化及び熱硬化した樹脂層４ｃは、絶縁層をな
している。
ップチップの実装は、チップ分割を行い、基板ヘバンプ
の溶融温度でプリント基板側の回路に熱圧着する単純な
工程で行われる。熱圧着は、バンプの金属とプリント基
板側の金属とが溶融接合する温度、例えば２００〜３０
０℃の温度で行われる。このときに、上記硬化樹脂層に
含有される未硬化の熱硬化性樹脂の熱硬化反応が完結
し、絶縁膜の信頼性が保証される。フリップチップがプ
リント回路基板に実装されている様子が図３に示されて
いる。バンプ３とプリント基板側の金属６とが接合して
おり、光硬化及び熱硬化した樹脂層４ｃは、絶縁層をな
している。
【００１６】一方、ＣＳＰでは、支持フィルムを剥した
後、硬化性樹脂層に含有される未硬化の熱硬化性樹脂の
熱硬化を完結し、その状態でチップ毎のＩＣ回路の良否
をバーンインテスト等で確認し、その後チップ分割し、
合格したチップ、即ちＣＳＰがプリント基板側に熱融着
されて、実装される。上記熱硬化は、通常ウエハをアル
ミのカセットに固定し、ウエハを熱風循環式乾燥機によ
り、１５０〜２００℃に加熱することにより行われる。
また、ＣＳＰとプリント基板の熱融着は、フリップチッ
プをプリント基板に実装する場合と同様な方法で行われ
る。通常ＣＳＰは市場に出荷されて、購買者がプリント
基板への実装を行う。ＣＳＰがプリント基板に実装され
ている様子は図３に示されており、フリップチップがプ
リント基板に実装されている様子と実質上変わらない。
後、硬化性樹脂層に含有される未硬化の熱硬化性樹脂の
熱硬化を完結し、その状態でチップ毎のＩＣ回路の良否
をバーンインテスト等で確認し、その後チップ分割し、
合格したチップ、即ちＣＳＰがプリント基板側に熱融着
されて、実装される。上記熱硬化は、通常ウエハをアル
ミのカセットに固定し、ウエハを熱風循環式乾燥機によ
り、１５０〜２００℃に加熱することにより行われる。
また、ＣＳＰとプリント基板の熱融着は、フリップチッ
プをプリント基板に実装する場合と同様な方法で行われ
る。通常ＣＳＰは市場に出荷されて、購買者がプリント
基板への実装を行う。ＣＳＰがプリント基板に実装され
ている様子は図３に示されており、フリップチップがプ
リント基板に実装されている様子と実質上変わらない。
【００１７】次に本発明で用いられる光硬化性樹脂と熱
硬化性樹脂について説明する。光硬化性樹脂を構成する
成分としては、光重合性化合物及び光重合開始剤が挙げ
られる。光重合性化合物は、熱硬化性樹脂の主剤と反応
する官能基を含有していてもよい。熱硬化性樹脂がエポ
キシ樹脂を主剤とする場合は、上記官能基はカルボキシ
ル基、グリシジル基、アミノ基等である。
硬化性樹脂について説明する。光硬化性樹脂を構成する
成分としては、光重合性化合物及び光重合開始剤が挙げ
られる。光重合性化合物は、熱硬化性樹脂の主剤と反応
する官能基を含有していてもよい。熱硬化性樹脂がエポ
キシ樹脂を主剤とする場合は、上記官能基はカルボキシ
ル基、グリシジル基、アミノ基等である。
【００１８】光重合性化合物としては、例えば２−エチ
ルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）ア
クリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、テ
トラヒドロフルフリール（メタ）アクリレート、イソボ
ロニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリ
レート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシジ
エチレングリコール（メタ）アクリレート等の（メタ）
アクリル酸のエステル類；ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等
のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類；メトキ
シエチル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メ
タ）アクリレート等のアルコキシアルキレングリコール
モノ（メタ）アクリレート類；エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ブタンジオールジ（メタ）アク
リレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレ
ート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト等のアルキレンポリオールポリ（メタ）アクリレー
ト；ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ト
リエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエ
チレングリコール２００ジ（メタ）アクリレート、ポリ
エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリ
レート、ポリプロポキシ化トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ポリエトキシ化ビスフェノール
Ａジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシ化ビスフェ
ノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシ化水添
ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポ
キシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、
ポリエトキシ化ジシクロペンタニエルジ（メタ）アクリ
レート、ポリプロポキシ化ジシクロペンタニエルジ（メ
タ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコール
ポリ（メタ）アクリレート類；ヒドロキシピバリン酸ネ
オペンチルグリコールエステルジ（メタ）アクリレート
等のエステルタイプのポリ（メタ）アクリレート類；ト
リス〔（メタ）アクリロキシエチル〕イソシアヌレート
等のイソシアヌレート型ポリ（メタ）アクリレート類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレー
ト、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレー
ト、ｔ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等の
アミノアルキル（メタ）アクリレート類；（メタ）アク
リルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルモルホリン
等の（メタ）アクリルアミド類；ビニルピロリドン等が
挙げられる。これらのなかでも耐熱性に優れる点から３
官能以上のアクリレートが好ましい。その他酸ペンダン
ト型エポキシアクリレート、多官能基性アクリルペンダ
ント型エポキシアクリレート等のオリゴマーを併用する
こともできる。
ルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）ア
クリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、テ
トラヒドロフルフリール（メタ）アクリレート、イソボ
ロニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリ
レート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシジ
エチレングリコール（メタ）アクリレート等の（メタ）
アクリル酸のエステル類；ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等
のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類；メトキ
シエチル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メ
タ）アクリレート等のアルコキシアルキレングリコール
モノ（メタ）アクリレート類；エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ブタンジオールジ（メタ）アク
リレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレ
ート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレー
ト等のアルキレンポリオールポリ（メタ）アクリレー
ト；ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ト
リエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエ
チレングリコール２００ジ（メタ）アクリレート、ポリ
エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリ
レート、ポリプロポキシ化トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ポリエトキシ化ビスフェノール
Ａジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシ化ビスフェ
ノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシ化水添
ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポ
キシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、
ポリエトキシ化ジシクロペンタニエルジ（メタ）アクリ
レート、ポリプロポキシ化ジシクロペンタニエルジ（メ
タ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコール
ポリ（メタ）アクリレート類；ヒドロキシピバリン酸ネ
オペンチルグリコールエステルジ（メタ）アクリレート
等のエステルタイプのポリ（メタ）アクリレート類；ト
リス〔（メタ）アクリロキシエチル〕イソシアヌレート
等のイソシアヌレート型ポリ（メタ）アクリレート類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレー
ト、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレー
ト、ｔ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等の
アミノアルキル（メタ）アクリレート類；（メタ）アク
リルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルモルホリン
等の（メタ）アクリルアミド類；ビニルピロリドン等が
挙げられる。これらのなかでも耐熱性に優れる点から３
官能以上のアクリレートが好ましい。その他酸ペンダン
ト型エポキシアクリレート、多官能基性アクリルペンダ
ント型エポキシアクリレート等のオリゴマーを併用する
こともできる。
【００１９】光重合性モノマーの配合量は、多い程重合
度が高くなるので、活性光線照射後にクラックが生じた
り、また重合収縮により応力が発生し、チップの信頼性
を損なうことがある。上記光重合性化合物の配合量の目
安としては、光硬化樹脂及び熱硬化性樹脂の合計量（固
形分）１００重量部に対して８〜４０重量部が好まし
く、より好ましくは２０〜３５重量部である。
度が高くなるので、活性光線照射後にクラックが生じた
り、また重合収縮により応力が発生し、チップの信頼性
を損なうことがある。上記光重合性化合物の配合量の目
安としては、光硬化樹脂及び熱硬化性樹脂の合計量（固
形分）１００重量部に対して８〜４０重量部が好まし
く、より好ましくは２０〜３５重量部である。
【００２０】上記光重合開始剤としては、例えばベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ぺンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
イソブチルエーテル、ベンジルメチルケタール等のベン
ゾインとそのアルキルエーテル類；アセトフェノン、
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２
−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１
−オン、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジエトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロア
セトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニ
ル〕−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン等のアセ
トフェノン類；メチルアントラキノン、２−エチルアン
トラキノン、２−タシャリーブチルアントラキノン、１
−クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン等
のアントラキノン類；チオキサントン、２，４−ジエチ
ルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４
−ジクロロチオキサントン、２−メチルチオキサント
ン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキ
サントン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジ
ルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノン、
４，４−ビスメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフ
ェノン類及びアゾ化合物等が挙げられる。なかでもアセ
トフェノン類とチオキサントン類が好ましく、より好ま
しくはアセトフェノン類とチオキサントン類の両方を使
用することが好ましい。上記光重合開始剤の配合量の目
安としては、使用する光重合化合物の総ビニル基の数に
対して比例して添加することが好ましいが、通常光硬化
性樹脂及び熱硬化性樹脂の合計量（固形分）１００重量
部に対して１．４〜２．６重量部配合することが好まし
い。
イン、ベンゾインメチルエーテル、ぺンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
イソブチルエーテル、ベンジルメチルケタール等のベン
ゾインとそのアルキルエーテル類；アセトフェノン、
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２
−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１
−オン、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジエトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロア
セトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニ
ル〕−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン等のアセ
トフェノン類；メチルアントラキノン、２−エチルアン
トラキノン、２−タシャリーブチルアントラキノン、１
−クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン等
のアントラキノン類；チオキサントン、２，４−ジエチ
ルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４
−ジクロロチオキサントン、２−メチルチオキサント
ン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキ
サントン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジ
ルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノン、
４，４−ビスメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフ
ェノン類及びアゾ化合物等が挙げられる。なかでもアセ
トフェノン類とチオキサントン類が好ましく、より好ま
しくはアセトフェノン類とチオキサントン類の両方を使
用することが好ましい。上記光重合開始剤の配合量の目
安としては、使用する光重合化合物の総ビニル基の数に
対して比例して添加することが好ましいが、通常光硬化
性樹脂及び熱硬化性樹脂の合計量（固形分）１００重量
部に対して１．４〜２．６重量部配合することが好まし
い。
【００２１】本発明で用いられる熱硬化性樹脂は、主剤
となる樹脂成分と硬化剤とから主として構成される。主
剤となる樹脂成分としては、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキ
シ樹脂が好ましい。以下、エポキシ樹脂を用いた態様を
例として、説明する。エポキシ樹脂は、常温で固形のエ
ポキシ樹脂が好ましく、具体的にはクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、結晶性エポキシ
樹脂、臭素化フェノールノボラックエポキシ樹脂、臭素
化ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂等の軟化点又は融点
が５０℃以上のものが好ましい。また、これらの固形エ
ポキシ樹脂は溶剤に溶かした溶液状態で市販されている
ものもあり、勿論使用可能である。さらに、これらのエ
ポキシ樹脂を１種単独で又は２種以上を組み合わせて使
用することが出来る。
となる樹脂成分と硬化剤とから主として構成される。主
剤となる樹脂成分としては、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキ
シ樹脂が好ましい。以下、エポキシ樹脂を用いた態様を
例として、説明する。エポキシ樹脂は、常温で固形のエ
ポキシ樹脂が好ましく、具体的にはクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、結晶性エポキシ
樹脂、臭素化フェノールノボラックエポキシ樹脂、臭素
化ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂等の軟化点又は融点
が５０℃以上のものが好ましい。また、これらの固形エ
ポキシ樹脂は溶剤に溶かした溶液状態で市販されている
ものもあり、勿論使用可能である。さらに、これらのエ
ポキシ樹脂を１種単独で又は２種以上を組み合わせて使
用することが出来る。
【００２２】また、上記のエポキシ樹脂の硬化剤として
は、通常用いられるアミン系、酸無水物系、フェノール
性水酸基を持つ樹脂等が使用できるが、好ましくは常温
で固形であり、また支持フィルム上に樹脂層として保管
するために、エポキシ樹脂と混合して経時変化ができる
だけ少ないものを選択することが好ましい。なかでもフ
ェノール性水酸基を持つ樹脂、例えばフェノールノボラ
ック、フェノールパラキシレングリコール重縮合物、ナ
フトールノボラック、ナフトールパラキシレングリコー
ル重縮合物等が好ましく、特にナフトールパラキシレン
グリコール重縮合物の常温で固形の樹脂で、軟化点が５
０℃以上のものが好ましい。さらにエポキシ樹脂とフェ
ノール性水酸基をもつ樹脂との硬化触媒として、イミダ
ゾール類、トリフェニルホスフィン、ジアザビシクロウ
ンデセン等を用いることが有効であり、好ましい。これ
らのエポキシ樹脂の硬化剤の配合量は、目安として、エ
ポキシ当量／フェノール性水酸基当量比が約１／１とな
るように配合することが好ましい。また、硬化触媒の配
合量はエポキシ樹脂１００重量部に対して約１重量部程
度である。エポキシ樹脂の樹脂層中の配合量としては、
通常光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂の合計量（固形分）
１００重量部に対して４０〜８０重量部配合することが
好ましい。
は、通常用いられるアミン系、酸無水物系、フェノール
性水酸基を持つ樹脂等が使用できるが、好ましくは常温
で固形であり、また支持フィルム上に樹脂層として保管
するために、エポキシ樹脂と混合して経時変化ができる
だけ少ないものを選択することが好ましい。なかでもフ
ェノール性水酸基を持つ樹脂、例えばフェノールノボラ
ック、フェノールパラキシレングリコール重縮合物、ナ
フトールノボラック、ナフトールパラキシレングリコー
ル重縮合物等が好ましく、特にナフトールパラキシレン
グリコール重縮合物の常温で固形の樹脂で、軟化点が５
０℃以上のものが好ましい。さらにエポキシ樹脂とフェ
ノール性水酸基をもつ樹脂との硬化触媒として、イミダ
ゾール類、トリフェニルホスフィン、ジアザビシクロウ
ンデセン等を用いることが有効であり、好ましい。これ
らのエポキシ樹脂の硬化剤の配合量は、目安として、エ
ポキシ当量／フェノール性水酸基当量比が約１／１とな
るように配合することが好ましい。また、硬化触媒の配
合量はエポキシ樹脂１００重量部に対して約１重量部程
度である。エポキシ樹脂の樹脂層中の配合量としては、
通常光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂の合計量（固形分）
１００重量部に対して４０〜８０重量部配合することが
好ましい。
【００２３】
【実施例】以下実施例に基づき、本発明を具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例によって制限されるもの
ではない。以下で、特に断りのない限り、「部」及び
「％」は重量基準である。
するが、本発明は以下の実施例によって制限されるもの
ではない。以下で、特に断りのない限り、「部」及び
「％」は重量基準である。
【００２４】 １．塗液の調合 オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂 (東都化成(株)製 エポトートＹＤＣＮ-７０４、軟化点９２℃） ５０部 フェノールノボラック (大日本インキ化学工業(株)製 フェノライトＴＤ-２０９０、軟化点１００℃ ) ２５部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(以下ＤＰＨＡと略す) (東亜合成(株)製 アロニックスＭ-４０２) ３０部 光重合開始剤 (チバスペシャリティケミカル(株)製 ＩＲ-９０７) ６部 エポキシ硬化触媒 (北興化学(株)製 トリフェニルホスフィン) ０.５部 溶剤(メチルエチルケトン) ３０部 以上の成分を溶解して均一な溶液とした。 ２．フィルム上への樹脂層の形成 上記で調製した溶液を、帝人(株)製ポリエチレンテレフ
タレートフィルム(以下ＰＥＴフィルムと略す)Ｇ２(厚
み２０μｍ)にバーコーターで塗布し、熱風循環式小型
乾燥機(タバイエスペック(株)製)で１４０℃で１分間乾
燥し、厚み４０μｍの常温でベタツキのない樹脂層を形
成した。
タレートフィルム(以下ＰＥＴフィルムと略す)Ｇ２(厚
み２０μｍ)にバーコーターで塗布し、熱風循環式小型
乾燥機(タバイエスペック(株)製)で１４０℃で１分間乾
燥し、厚み４０μｍの常温でベタツキのない樹脂層を形
成した。
【００２５】３.バンプが形成されたウエハへの樹脂層
が形成されたフィルムの熱圧着 バンプ形成されたウエハに、大成ラミネーター(株)製の
ラミネーターを用い、ロール温度６５℃、ロール圧力２
ｋｇ／ｃｍ2、送り速度１ｍ／ｍｉｎで、上記樹脂層が
形成されたフィルムをウエハ表面と樹脂層が接触するよ
うに熱圧着した。 ４.光硬化及びＰＥＴフィルムの剥離 次いでオーク製作所(株)製 密着露光機で５００ｍＪ／
ｃｍ2の紫外線を照射した後、ＰＥＴフィルムを剥離
し、絶縁膜を形成した。ここで、ウエハをチップ裁断
し、フリップチップとして、プリント基板に実装するこ
とができる。 ５．熱硬化の完結 ウエハのチップ裁断をせずに、熱風循環式小型乾燥機に
より、１８５℃で１時間加熱して熱硬化性樹脂の硬化を
完結させた。上記絶縁層を顕微鏡観察した結果、空気の
混入等による気泡は見られなかった。
が形成されたフィルムの熱圧着 バンプ形成されたウエハに、大成ラミネーター(株)製の
ラミネーターを用い、ロール温度６５℃、ロール圧力２
ｋｇ／ｃｍ2、送り速度１ｍ／ｍｉｎで、上記樹脂層が
形成されたフィルムをウエハ表面と樹脂層が接触するよ
うに熱圧着した。 ４.光硬化及びＰＥＴフィルムの剥離 次いでオーク製作所(株)製 密着露光機で５００ｍＪ／
ｃｍ2の紫外線を照射した後、ＰＥＴフィルムを剥離
し、絶縁膜を形成した。ここで、ウエハをチップ裁断
し、フリップチップとして、プリント基板に実装するこ
とができる。 ５．熱硬化の完結 ウエハのチップ裁断をせずに、熱風循環式小型乾燥機に
より、１８５℃で１時間加熱して熱硬化性樹脂の硬化を
完結させた。上記絶縁層を顕微鏡観察した結果、空気の
混入等による気泡は見られなかった。
【００２６】 比較例１（光硬化性樹脂を用いない例） １.塗液の調製 オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂 (東都化成(株)製 エポトートＹＤＣＮ-７０２、軟化点７１℃） ５０部 フェノールノボラック (大日本インキ化学工業(株)製 フェノライトＴＤ-２０９３、軟化点９０℃) ２５部 エポキシ硬化触媒 (北興化学(株)製 トリフェニルホスフィン) ０.５部 溶剤(メチルエチルケトン) ３０部 以上の成分を溶解して均一な溶液とした。 ２.フィルム上への樹脂層の形成 上記で得た溶液を用いて、実施例１と同様にして、帝人
(株)製 ＰＥＴフィルムＧ２(厚み２０μｍ)上に、厚み
４０μｍの樹脂層を形成した。 ３.バンプが形成されたウエハへ樹脂層が形成されたフ
ィルムを熱圧着 バンプ形成されたウェハーに、実施例１と同様にして、
樹脂層が形成されたフィルムをウエハ表面と樹脂層が接
触するように熱圧着した。 ４．ＰＥＴフィルムの剥離 ＰＥＴフィルムを剥そうとしたが剥れなかった。また、
ＰＥＴフィルムを剥離せずに、１８５℃、１時間で熱硬
化した後、ＰＥＴフィルムを剥そうとしたがやはり剥れ
なかった。このためにバンプの金属を表面に出すことが
出来なかった。
(株)製 ＰＥＴフィルムＧ２(厚み２０μｍ)上に、厚み
４０μｍの樹脂層を形成した。 ３.バンプが形成されたウエハへ樹脂層が形成されたフ
ィルムを熱圧着 バンプ形成されたウェハーに、実施例１と同様にして、
樹脂層が形成されたフィルムをウエハ表面と樹脂層が接
触するように熱圧着した。 ４．ＰＥＴフィルムの剥離 ＰＥＴフィルムを剥そうとしたが剥れなかった。また、
ＰＥＴフィルムを剥離せずに、１８５℃、１時間で熱硬
化した後、ＰＥＴフィルムを剥そうとしたがやはり剥れ
なかった。このためにバンプの金属を表面に出すことが
出来なかった。
【００２７】以上の実施例１は、本発明の方法により、
気泡のない絶縁層を有するフリップチップ及びＣＰＳに
形成することができることを示すものである。また、比
較例１は、フィルム上に形成する樹脂層中に光硬化性樹
脂を含有させて光重合することをしないと、フィルムを
剥離することができず、フリップチップ、ＣＳＰが製造
できないことを示すものである。
気泡のない絶縁層を有するフリップチップ及びＣＰＳに
形成することができることを示すものである。また、比
較例１は、フィルム上に形成する樹脂層中に光硬化性樹
脂を含有させて光重合することをしないと、フィルムを
剥離することができず、フリップチップ、ＣＳＰが製造
できないことを示すものである。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、容易、且つ低コスト
で、しかも信頼性のある絶縁膜をフリップチップ又はＣ
ＳＰに形成することができ、このような絶縁膜が形成さ
れたフリップチップ又はＣＳＰをプリント基板に実装す
ることができる。
で、しかも信頼性のある絶縁膜をフリップチップ又はＣ
ＳＰに形成することができ、このような絶縁膜が形成さ
れたフリップチップ又はＣＳＰをプリント基板に実装す
ることができる。
【図１】（ａ）は回路が形成されたウエハ表面上の様子
を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）をＡ−Ａ’面
で切断したときのチップ１個の概略断面図である。
を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）をＡ−Ａ’面
で切断したときのチップ１個の概略断面図である。
【図２】（ａ）は硬化性樹脂の樹脂層が形成されている
支持フィルムをウエハ表面に熱圧着した直後の様子を示
す概略断面図である。（ｂ）は活性光線を照射して光重
合した後、支持フィルムを剥離したときの様子を示す概
略断面図である。
支持フィルムをウエハ表面に熱圧着した直後の様子を示
す概略断面図である。（ｂ）は活性光線を照射して光重
合した後、支持フィルムを剥離したときの様子を示す概
略断面図である。
【図３】フリップチップ又はＣＳＰが基板上に実装され
ている様子を示す概略断面図である。
ている様子を示す概略断面図である。
１ ウエハ ２ チップ ３ バンプ ４ 硬化性樹脂層 ４ｂ 光硬化後の樹脂層 ４ｃ 光硬化及び熱硬化後の樹脂層（絶縁層） ５ 支持フィルム ６ プリント基板上の金属パターン ７ プリント基板
Claims (4)
- 【請求項１】 （１）回路形成されたウエハ表面上にバ
ンプを形成する工程、（２）上記工程（１）でバンプが
形成されたウエハ表面に、光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂
を有する樹脂層が存在している支持フィルムをその樹脂
層が該ウエハ表面と接触するように熱圧着して、支持フ
ィルムとウエハ表面の間隙に硬化性樹脂層を形成する工
程、（３）工程（２）で形成された樹脂層に活性光線を
照射して上記樹脂層を光硬化する工程、及び（４）支持
フィルムを剥離して、バンプ頭部の金属面を露出させる
工程を含むことを特徴とするフリップチップ又はＣＳＰ
の絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 上記樹脂層は、光硬化性樹脂がアクリル
系モノマーを主成分とし、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂
を主剤としフェノール性水酸基を有する樹脂を硬化剤と
することを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ
又はＣＳＰの絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の工程（１）〜（４）を
行った後、そのウエハのチップ裁断を行い、裁断された
チップをプリント基板に熱圧着することを特徴とするフ
リップチップの実装方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の工程（１）〜（４）を
行い、そのウエハを加熱硬化し、信頼性試験を行った
後、ウエハのチップ裁断を行い、裁断されたチップをプ
リント基板に熱圧着することを特徴とするＣＳＰの実装
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37076298A JP2000195901A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | フリップチップ又はｃｓｐの絶縁膜の形成方法及び実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37076298A JP2000195901A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | フリップチップ又はｃｓｐの絶縁膜の形成方法及び実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195901A true JP2000195901A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18497557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37076298A Withdrawn JP2000195901A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | フリップチップ又はｃｓｐの絶縁膜の形成方法及び実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000195901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557286B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2006-03-10 | 인피니온 테크놀로지스 아게 | 반도체 칩과 반도체 칩의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP37076298A patent/JP2000195901A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557286B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2006-03-10 | 인피니온 테크놀로지스 아게 | 반도체 칩과 반도체 칩의 제조 방법 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060307 |