JPH11288971A - フィリップチップ実装工法 - Google Patents
フィリップチップ実装工法Info
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- JPH11288971A JPH11288971A JP35153998A JP35153998A JPH11288971A JP H11288971 A JPH11288971 A JP H11288971A JP 35153998 A JP35153998 A JP 35153998A JP 35153998 A JP35153998 A JP 35153998A JP H11288971 A JPH11288971 A JP H11288971A
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- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易、且つ低コストで行うことができ、信頼
性のあるＩＣチップの実装が可能な改良されたフィリッ
プチップ実装工法を提供すること。 【解決手段】 回路形成されたウエハ表面上にバンプを
形成する工程、バンプが形成されたウエハ表面上にエポ
キシ樹脂を含んだネガ型レジスト層を設ける工程、バン
プの位置をマスクして、ネガ型レジスト層を活性放射線
で露光する工程、未露光のバンプ上のネガ型レジスト層
を現像により除去し、バンプの上部が露出し、バンプ以
外の領域が露光により光重合したレジスト層で覆われて
いるウエハを得る工程、並びに（５）上記（４）の工程
により得られたウエハを基板に熱圧着する工程からなる
フィリップチップ実装工法。
性のあるＩＣチップの実装が可能な改良されたフィリッ
プチップ実装工法を提供すること。 【解決手段】 回路形成されたウエハ表面上にバンプを
形成する工程、バンプが形成されたウエハ表面上にエポ
キシ樹脂を含んだネガ型レジスト層を設ける工程、バン
プの位置をマスクして、ネガ型レジスト層を活性放射線
で露光する工程、未露光のバンプ上のネガ型レジスト層
を現像により除去し、バンプの上部が露出し、バンプ以
外の領域が露光により光重合したレジスト層で覆われて
いるウエハを得る工程、並びに（５）上記（４）の工程
により得られたウエハを基板に熱圧着する工程からなる
フィリップチップ実装工法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、改良されたフィリ
ップチップ実装工法、詳しくは、ウエハー上に形成され
ＩＣチップを基板に低コスト且つ高信頼性で実装するこ
とができるフィリップチップ実装工法に関する。
ップチップ実装工法、詳しくは、ウエハー上に形成され
ＩＣチップを基板に低コスト且つ高信頼性で実装するこ
とができるフィリップチップ実装工法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のエレクトロニクス関係部品の軽薄
短小化のスピードは速く、ＩＣチップをプリント基板に
直接実装するフィリップチップ実装が行われている。
短小化のスピードは速く、ＩＣチップをプリント基板に
直接実装するフィリップチップ実装が行われている。
【０００３】現在、フィリップチップ実装工法は下記の
２つの工法で行われている。その一つは、ＩＣチップに
分割する前の段階でウエハー上にバンプを形成してチッ
プ分割し、それを基板回路に加熱圧着する。そして接着
後、基板との隙間に絶縁材料である液状エポキシ樹脂を
毛細管現象を利用して、注入する工法である。しかしな
がら、この工法は、注入時間がかかる問題、チップと基
板の隙間にボイドが残り、歩留まりが悪い等の問題があ
る。
２つの工法で行われている。その一つは、ＩＣチップに
分割する前の段階でウエハー上にバンプを形成してチッ
プ分割し、それを基板回路に加熱圧着する。そして接着
後、基板との隙間に絶縁材料である液状エポキシ樹脂を
毛細管現象を利用して、注入する工法である。しかしな
がら、この工法は、注入時間がかかる問題、チップと基
板の隙間にボイドが残り、歩留まりが悪い等の問題があ
る。
【０００４】他の工法は、バンプを形成してチップ分割
後、異方性導電膜を介して基板に熱圧着する工法であ
る。この工法によれば、バンプ部に圧力がかかることに
より異方性導電膜基板が導電性となりバンプと基板が導
通し、バンプ以外の領域には圧力がかからず絶縁状態の
ままにある。しかしながら、この工法は、非常に簡単な
工程で行える利点を有するものの、絶縁部の中に導電材
料が入っているので信頼性に欠け、加えて異方性導電膜
が非常に高価である等の問題点がある。
後、異方性導電膜を介して基板に熱圧着する工法であ
る。この工法によれば、バンプ部に圧力がかかることに
より異方性導電膜基板が導電性となりバンプと基板が導
通し、バンプ以外の領域には圧力がかからず絶縁状態の
ままにある。しかしながら、この工法は、非常に簡単な
工程で行える利点を有するものの、絶縁部の中に導電材
料が入っているので信頼性に欠け、加えて異方性導電膜
が非常に高価である等の問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、容
易、且つ低コストで行うことができ、信頼性のあるＩＣ
チップの実装が可能な改良されたフィリップチップ実装
工法を提供することにある。
易、且つ低コストで行うことができ、信頼性のあるＩＣ
チップの実装が可能な改良されたフィリップチップ実装
工法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記の
フィリップチップ実装工法が提供され、本発明の上記目
的が達成される。 〔１〕（１）回路形成されたウエハ表面上にバンプを形
成する工程、（２）バンプが形成されたウエハ表面上に
エポキシ樹脂を含んだネガ型レジスト層を設ける工程、
（３）バンプの位置をマスクして、ネガ型レジスト層を
活性放射線で露光する工程、（４）未露光のバンプ上の
ネガ型レジスト層を現像により除去し、バンプの上部が
露出し、バンプ以外の領域が露光により光重合したレジ
スト層で覆われているウエハを得る工程、並びに（５）
上記（４）の工程により得られたウエハを基板に熱圧着
する工程、を含むことを特徴とするフィリップチップ実
装工法。 〔２〕ネガ型レジスト層が、酸ペンダント型エポキシア
クリレートとエポキシ樹脂とを含有することを特徴とす
る上記〔１〕に記載のフィリップチップ実装工法。以下
本発明を詳述するが、それにより本発明の他の目的、利
点及び効果が明らかとなるであろう。
フィリップチップ実装工法が提供され、本発明の上記目
的が達成される。 〔１〕（１）回路形成されたウエハ表面上にバンプを形
成する工程、（２）バンプが形成されたウエハ表面上に
エポキシ樹脂を含んだネガ型レジスト層を設ける工程、
（３）バンプの位置をマスクして、ネガ型レジスト層を
活性放射線で露光する工程、（４）未露光のバンプ上の
ネガ型レジスト層を現像により除去し、バンプの上部が
露出し、バンプ以外の領域が露光により光重合したレジ
スト層で覆われているウエハを得る工程、並びに（５）
上記（４）の工程により得られたウエハを基板に熱圧着
する工程、を含むことを特徴とするフィリップチップ実
装工法。 〔２〕ネガ型レジスト層が、酸ペンダント型エポキシア
クリレートとエポキシ樹脂とを含有することを特徴とす
る上記〔１〕に記載のフィリップチップ実装工法。以下
本発明を詳述するが、それにより本発明の他の目的、利
点及び効果が明らかとなるであろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のフィリップチップ実装工
法の詳細を、図を参照しつつ説明する。 〔工程（１）〕工程（１）では、回路が形成されたウエ
ハ表面上に、バンプが形成される。図１の（ａ）は回路
が形成されたウエハ表面の概略平面図である。また図１
の（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’面で切断したときの１個
のチップ２の切断面の概略図である。図１の（ａ）及び
（ｂ）において、ウエハ１に回路が形成されており、そ
の表面上にバンプ３が所望のパターンに形成され、その
後、複数個のチップ２に分割される。
法の詳細を、図を参照しつつ説明する。 〔工程（１）〕工程（１）では、回路が形成されたウエ
ハ表面上に、バンプが形成される。図１の（ａ）は回路
が形成されたウエハ表面の概略平面図である。また図１
の（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’面で切断したときの１個
のチップ２の切断面の概略図である。図１の（ａ）及び
（ｂ）において、ウエハ１に回路が形成されており、そ
の表面上にバンプ３が所望のパターンに形成され、その
後、複数個のチップ２に分割される。
【０００８】バンプ３は、基板上に形成された回路と電
気的に接続する機能を有する。バンプは、通常、Ａｕ、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｎｉ及びこれら金属の合金等
から形成され、幅５０〜２００μｍ、厚み１０〜５０μ
ｍ程度である。バンプを、所望のパターンにウエハ表面
上に形成するには、一般的に知られている方法、例えば
ワイヤーボンディングにより、ウエハーに金属を固定
し、しかる後にワイヤーを切断し、切断面を溶融して丸
くする方法、Ａｇ−エポキシ樹脂の導電ペーストをスク
リーン印刷して熱硬化する方法等により行うことができ
る。
気的に接続する機能を有する。バンプは、通常、Ａｕ、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｎｉ及びこれら金属の合金等
から形成され、幅５０〜２００μｍ、厚み１０〜５０μ
ｍ程度である。バンプを、所望のパターンにウエハ表面
上に形成するには、一般的に知られている方法、例えば
ワイヤーボンディングにより、ウエハーに金属を固定
し、しかる後にワイヤーを切断し、切断面を溶融して丸
くする方法、Ａｇ−エポキシ樹脂の導電ペーストをスク
リーン印刷して熱硬化する方法等により行うことができ
る。
【０００９】〔工程（２）〕工程（２）では、バンプ３
が形成されたウエハ表面上にネガ型レジスト層が設けら
れる。図２の（ａ）はネガ型レジストの溶液を塗布した
直後の様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は塗布後、
乾燥により溶媒を除去してネガ型レジスト層が形成され
た様子を示す概略断面図である。乾燥後のネガ型レジス
ト層４ａは、ウエハ１の表面のみならず、バンプ３の表
面をも覆っている。本発明の工程（２）で用いられるネ
ガ型レジストは、エポキシ樹脂を含有するレジストであ
り、下記のネガ型レジストが好ましい。しかし、これら
のレジストに限定されるものではない。酸ペンダント型
エポキシアクリレートとエポキシ樹脂とを含有するネガ
型レジスト（以下、「ネガ型レジスト」ともいう）。
が形成されたウエハ表面上にネガ型レジスト層が設けら
れる。図２の（ａ）はネガ型レジストの溶液を塗布した
直後の様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は塗布後、
乾燥により溶媒を除去してネガ型レジスト層が形成され
た様子を示す概略断面図である。乾燥後のネガ型レジス
ト層４ａは、ウエハ１の表面のみならず、バンプ３の表
面をも覆っている。本発明の工程（２）で用いられるネ
ガ型レジストは、エポキシ樹脂を含有するレジストであ
り、下記のネガ型レジストが好ましい。しかし、これら
のレジストに限定されるものではない。酸ペンダント型
エポキシアクリレートとエポキシ樹脂とを含有するネガ
型レジスト（以下、「ネガ型レジスト」ともいう）。
【００１０】以下、上記の好ましいネガ型レジストにつ
いて詳しく説明する。上記ネガ型レジストは、酸ペンダ
ント型エポキシアクリレートとエポキシ樹脂とを含有す
ることにより、後述する工程（３）の露光により、酸ペ
ンダント型エポキシアクリレートが光重合するが、エポ
キシ樹脂は反応せずに残留している。そして後述する工
程（５）で、基板と熱圧着することにより残留している
未反応のエポキシ樹脂が溶融するとともにエポキシ樹脂
の硬化反応が生じるので、絶縁被膜と基板とが強固に密
着して、基板とチップが一体化する。上記のネガ型レジ
ストは、アルカリ水溶液による現像ができ、環境問題が
生じない。このようなアルカリ現像型は、中和すれば樹
脂分は沈殿するので、上澄みの水溶液は無害となり排水
することができる。また、製造ラインは密閉する必要が
なく、製造コストは格段に安い。本発明の工法では、エ
ポキシ樹脂を加熱溶融するために、過剰のエポキシ樹脂
を配合し、エポキシ樹脂単独の重合も起きることに工夫
し、経時安定性の悪化を防止でき、且つ特性も向上す
る。
いて詳しく説明する。上記ネガ型レジストは、酸ペンダ
ント型エポキシアクリレートとエポキシ樹脂とを含有す
ることにより、後述する工程（３）の露光により、酸ペ
ンダント型エポキシアクリレートが光重合するが、エポ
キシ樹脂は反応せずに残留している。そして後述する工
程（５）で、基板と熱圧着することにより残留している
未反応のエポキシ樹脂が溶融するとともにエポキシ樹脂
の硬化反応が生じるので、絶縁被膜と基板とが強固に密
着して、基板とチップが一体化する。上記のネガ型レジ
ストは、アルカリ水溶液による現像ができ、環境問題が
生じない。このようなアルカリ現像型は、中和すれば樹
脂分は沈殿するので、上澄みの水溶液は無害となり排水
することができる。また、製造ラインは密閉する必要が
なく、製造コストは格段に安い。本発明の工法では、エ
ポキシ樹脂を加熱溶融するために、過剰のエポキシ樹脂
を配合し、エポキシ樹脂単独の重合も起きることに工夫
し、経時安定性の悪化を防止でき、且つ特性も向上す
る。
【００１１】ネガ型レジストに配合されるエポキシ樹脂
としては、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポ
キシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂などのグリシジ
ルエーテル類；３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘ
キシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘ
キサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキ
シレート、１−エポキシエチル−３，４−エポキシシク
ロヘキサンなどの脂環式エポキシ樹脂；フタル酸ジグリ
シジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエ
ステル、ダイマー酸グリシジルエステルなどのグリシジ
ルエステル類；テトラグリシジルジアミノジフェニルメ
タン、トリグリシジルｐ−アミノフェノール、Ｎ，Ｎ−
ジグリシジルアニリンなどのグリシジルアミン類；１，
３−ジグリシジル−５，５−ジメチルヒダントイン、ト
リグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ
樹脂などが挙げられる。
としては、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポ
キシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂などのグリシジ
ルエーテル類；３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘ
キシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘ
キサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキ
シレート、１−エポキシエチル−３，４−エポキシシク
ロヘキサンなどの脂環式エポキシ樹脂；フタル酸ジグリ
シジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエ
ステル、ダイマー酸グリシジルエステルなどのグリシジ
ルエステル類；テトラグリシジルジアミノジフェニルメ
タン、トリグリシジルｐ−アミノフェノール、Ｎ，Ｎ−
ジグリシジルアニリンなどのグリシジルアミン類；１，
３−ジグリシジル−５，５−ジメチルヒダントイン、ト
リグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ
樹脂などが挙げられる。
【００１２】なかでも、組成物の経時安定性の観点か
ら、結晶性エポキシ樹脂が好ましい。ここで、結晶性エ
ポキシ樹脂とは、常温で固形の比較的低分子のエポキシ
樹脂である。このようなエポキシ樹脂は結晶性があるた
め、溶剤にも溶けにくく、従ってエポキシ基と非常に反
応しやすいカルボキシル基を有する化合物と組み合わせ
ても粘度経時変化が少なく安定性がよい。結晶性エポキ
シ樹脂として、好ましくは、油化シェルエポキシエポキ
シ（株）製ＹＸ−４０００Ｈ等のビフェニル系グリシジ
ルエーテル、東都化成（株）製ＹＤＣ−１３１２等のハ
イドロキノン系グリシジルエーテル、トリグリシジルイ
ソシアネート等が挙げられる。
ら、結晶性エポキシ樹脂が好ましい。ここで、結晶性エ
ポキシ樹脂とは、常温で固形の比較的低分子のエポキシ
樹脂である。このようなエポキシ樹脂は結晶性があるた
め、溶剤にも溶けにくく、従ってエポキシ基と非常に反
応しやすいカルボキシル基を有する化合物と組み合わせ
ても粘度経時変化が少なく安定性がよい。結晶性エポキ
シ樹脂として、好ましくは、油化シェルエポキシエポキ
シ（株）製ＹＸ−４０００Ｈ等のビフェニル系グリシジ
ルエーテル、東都化成（株）製ＹＤＣ−１３１２等のハ
イドロキノン系グリシジルエーテル、トリグリシジルイ
ソシアネート等が挙げられる。
【００１３】これらエポキシ樹脂は、１種単独でまたは
２種以上を組み合わせて使用することができる。
２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００１４】上記のネガ型レジストに配合される酸ペン
ダント型アクリレートとしては、例えば酸ペンダント型
オルトクレゾールノボラックエポキシアクリレート、酸
ペンダント型フェノールノボラックエポキシアクリレー
ト、酸ペンダント型ビスフェノールＡエポキシアクリレ
ート、又は酸ペンダント型ビスフェノールＦエポキシア
クリレートなど、一般的に知られているものが用いられ
る。また、下記一般式（Ｉ）で示される酸ペンダント型
臭素化エポキシアクリレートを好ましく用いることもで
きる。
ダント型アクリレートとしては、例えば酸ペンダント型
オルトクレゾールノボラックエポキシアクリレート、酸
ペンダント型フェノールノボラックエポキシアクリレー
ト、酸ペンダント型ビスフェノールＡエポキシアクリレ
ート、又は酸ペンダント型ビスフェノールＦエポキシア
クリレートなど、一般的に知られているものが用いられ
る。また、下記一般式（Ｉ）で示される酸ペンダント型
臭素化エポキシアクリレートを好ましく用いることもで
きる。
【００１５】
【化１】
【００１６】上記式（Ｉ）中、Ｘ1 〜Ｘ3 は各々独立
に、水素原子、
に、水素原子、
【００１７】
【化２】
【００１８】を表し、但しＸ1 〜Ｘ3 のうち少なくとも
２つは水素原子以外の基を表す。ｎは０．３〜１．５を
表す。上記一般式（Ｉ）において、Ｘ1 〜Ｘ3 のうち少
なくとも２つは水素原子以外の基を表すが、好ましくは
Ｘ1 、Ｘ3 が水素原子以外の基であり、Ｘ2 が水素原子
である場合が好ましい。また、ｎは０．３〜１．５の数
字を表すが、好ましくは０．４〜１．０、より好ましく
は０．５〜０．８である。
２つは水素原子以外の基を表す。ｎは０．３〜１．５を
表す。上記一般式（Ｉ）において、Ｘ1 〜Ｘ3 のうち少
なくとも２つは水素原子以外の基を表すが、好ましくは
Ｘ1 、Ｘ3 が水素原子以外の基であり、Ｘ2 が水素原子
である場合が好ましい。また、ｎは０．３〜１．５の数
字を表すが、好ましくは０．４〜１．０、より好ましく
は０．５〜０．８である。
【００１９】上記一般式（Ｉ）の酸ペンダント型臭素化
エポキシアクリレートは、従来の酸ペンダント型臭素化
エポキシアクリレートと比較して、ペンダントさせる酸
の構造と数を選択し、なおかつ繰り返し構造の数ｎを比
較的小さいものに特定化して、該化合物の分子量を低分
子量としたものである。
エポキシアクリレートは、従来の酸ペンダント型臭素化
エポキシアクリレートと比較して、ペンダントさせる酸
の構造と数を選択し、なおかつ繰り返し構造の数ｎを比
較的小さいものに特定化して、該化合物の分子量を低分
子量としたものである。
【００２０】上記一般式（Ｉ）で示される酸ペンダント
型臭素化エポキシアクリレートの製造方法としては、基
本的にエポキシ基１個に対し、１分子のアクリル酸を反
応させるが、臭素化エポキシ樹脂のエポキシ基１当量当
たりアクリル酸を０．８〜１．１当量となる範囲にある
ことが好ましい。
型臭素化エポキシアクリレートの製造方法としては、基
本的にエポキシ基１個に対し、１分子のアクリル酸を反
応させるが、臭素化エポキシ樹脂のエポキシ基１当量当
たりアクリル酸を０．８〜１．１当量となる範囲にある
ことが好ましい。
【００２１】ネガ型レジスト中の酸ペンダント型エポキ
シアクリレートの含有量は、特に限定されるものではな
く、エポキシ樹脂のエポキシ当量によって適切に選択さ
れる。具体的には、酸ペンダント型エポキシアクリレー
トのカルボキシル当量とエポキシ樹脂のエポキシ当量の
比が、好ましくは１：１．５〜１：２．５となるよう
に、配合される。この範囲以外では、このエポキシが少
ないと後述する工程（５）の熱圧着後の基板に対する密
着性がでにくい傾向にある。あるいはエポキシが多すぎ
ると現像性が悪くなる傾向になる。
シアクリレートの含有量は、特に限定されるものではな
く、エポキシ樹脂のエポキシ当量によって適切に選択さ
れる。具体的には、酸ペンダント型エポキシアクリレー
トのカルボキシル当量とエポキシ樹脂のエポキシ当量の
比が、好ましくは１：１．５〜１：２．５となるよう
に、配合される。この範囲以外では、このエポキシが少
ないと後述する工程（５）の熱圧着後の基板に対する密
着性がでにくい傾向にある。あるいはエポキシが多すぎ
ると現像性が悪くなる傾向になる。
【００２２】ネガ型レジストには、酸ペンダント型エポ
キシアクリレートは２種以上含まれてもよい。
キシアクリレートは２種以上含まれてもよい。
【００２３】ネガ型レジストは、上記成分の他に、光重
合開始剤を含有し、さらに必要に応じて光重合性ビニル
モノマー、エポキシ樹脂の硬化促進剤、潜在性硬化剤等
を含有することができる。
合開始剤を含有し、さらに必要に応じて光重合性ビニル
モノマー、エポキシ樹脂の硬化促進剤、潜在性硬化剤等
を含有することができる。
【００２４】上記光重合開始剤としては、例えばベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ぺンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
イソブチルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベ
ンゾインとそのアルキルエーテル類；アセトフェノン、
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２
−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１
−オン、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジエトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロア
セトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニ
ル〕−２−モルフォリノ−プロパン−１−オンなどのア
セトフェノン類；メチルアントラキノン、２−エチルア
ントラキノン、２−タシャリーブチルアントラキノン、
１−クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン
などのアントラキノン類；チオキサントン、２，４−ジ
エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、
２，４−ジクロロチオキサントン、２−メチルチオキサ
ントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどの
チオキサントン類；アセトフェノンジメチルケタール、
ベンジルジメチルケタールなどのケタール類；ベンゾフ
ェノン、４，４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなど
のベンゾフェノン類及びアゾ化合物などが挙げられる
が、なかでもアセトフェノン類とチオキサントン類が好
ましく、より好ましくはアセトフェノン類とチオキサン
トン類の両方を使用することが好ましい。上記光重合開
始剤のネガ型レジストへの配合量の目安としては、酸ペ
ンダント型エポキシアクリレートと光重合性ビニルモノ
マーも含めた総ビニル基の数に対して比例して添加する
ことが好ましいが、これらレジストの固形分総重量に対
して１．４〜２．６重量％が好ましい。
イン、ベンゾインメチルエーテル、ぺンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン
イソブチルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベ
ンゾインとそのアルキルエーテル類；アセトフェノン、
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２
−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１
−オン、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジエトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロア
セトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニ
ル〕−２−モルフォリノ−プロパン−１−オンなどのア
セトフェノン類；メチルアントラキノン、２−エチルア
ントラキノン、２−タシャリーブチルアントラキノン、
１−クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン
などのアントラキノン類；チオキサントン、２，４−ジ
エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、
２，４−ジクロロチオキサントン、２−メチルチオキサ
ントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどの
チオキサントン類；アセトフェノンジメチルケタール、
ベンジルジメチルケタールなどのケタール類；ベンゾフ
ェノン、４，４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなど
のベンゾフェノン類及びアゾ化合物などが挙げられる
が、なかでもアセトフェノン類とチオキサントン類が好
ましく、より好ましくはアセトフェノン類とチオキサン
トン類の両方を使用することが好ましい。上記光重合開
始剤のネガ型レジストへの配合量の目安としては、酸ペ
ンダント型エポキシアクリレートと光重合性ビニルモノ
マーも含めた総ビニル基の数に対して比例して添加する
ことが好ましいが、これらレジストの固形分総重量に対
して１．４〜２．６重量％が好ましい。
【００２５】また、光重合性ビニルモノマーとしては、
例えば２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウ
リル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）ア
クリレート、テトラヒドロフルフリール（メタ）アクリ
レート、イソボロニル（メタ）アクリレート、フェニル
（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレー
ト、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレ
ートなどの（メタ）アクリル酸のエステル類；ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メ
タ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（メタ）ア
クリレート類；メトキシエチル（メタ）アクリレート、
エトキシエチル（メタ）アクリレートなどのアルコキシ
アルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート類；エ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブタンジオ
ールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール
ジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
（メタ）アクリレートなどのアルキレンポリオールポリ
（メタ）アクリレート；ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ポリエチレングリコール２００ジ（メ
タ）アクリレート、ポリエトキシ化トリメチロールプロ
パントリ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシ化トリ
メチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリエ
トキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポ
リプロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレー
ト、ポリエトキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）ア
クリレート、ポリプロポキシ化水添ビスフェノールＡジ
（メタ）アクリレート、ポリエトキシ化ジシクロペンタ
ニエルジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシ化ジシ
クロペンタニエルジ（メタ）アクリレートなどのポリオ
キシアルキレングリコールポリ（メタ）アクリレート
類；ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールエス
テルジ（メタ）アクリレートなどのエステルタイプのポ
リ（メタ）アクリレート類；トリス〔（メタ）アクリロ
キシエチル〕イソシアヌレートなどのイソシアヌレート
型ポリ（メタ）アクリレート類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ミノエチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルアミノエ
チル（メタ）アクリレートなどのアミノアルキル（メ
タ）アクリレート類；（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メ
チル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリ
ルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、
（メタ）アクリロイルモルホリンなどの（メタ）アクリ
ルアミド類；ビニルピロリドンなどが挙げられる。これ
らのなかでも耐熱性に優れる点から３官能以上のアクリ
レートが好ましい。
例えば２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウ
リル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）ア
クリレート、テトラヒドロフルフリール（メタ）アクリ
レート、イソボロニル（メタ）アクリレート、フェニル
（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレー
ト、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレ
ートなどの（メタ）アクリル酸のエステル類；ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メ
タ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（メタ）ア
クリレート類；メトキシエチル（メタ）アクリレート、
エトキシエチル（メタ）アクリレートなどのアルコキシ
アルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート類；エ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブタンジオ
ールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール
ジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
（メタ）アクリレートなどのアルキレンポリオールポリ
（メタ）アクリレート；ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ポリエチレングリコール２００ジ（メ
タ）アクリレート、ポリエトキシ化トリメチロールプロ
パントリ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシ化トリ
メチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリエ
トキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポ
リプロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレー
ト、ポリエトキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）ア
クリレート、ポリプロポキシ化水添ビスフェノールＡジ
（メタ）アクリレート、ポリエトキシ化ジシクロペンタ
ニエルジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシ化ジシ
クロペンタニエルジ（メタ）アクリレートなどのポリオ
キシアルキレングリコールポリ（メタ）アクリレート
類；ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールエス
テルジ（メタ）アクリレートなどのエステルタイプのポ
リ（メタ）アクリレート類；トリス〔（メタ）アクリロ
キシエチル〕イソシアヌレートなどのイソシアヌレート
型ポリ（メタ）アクリレート類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ミノエチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルアミノエ
チル（メタ）アクリレートなどのアミノアルキル（メ
タ）アクリレート類；（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メ
チル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリ
ルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、
（メタ）アクリロイルモルホリンなどの（メタ）アクリ
ルアミド類；ビニルピロリドンなどが挙げられる。これ
らのなかでも耐熱性に優れる点から３官能以上のアクリ
レートが好ましい。
【００２６】光重合性モノマーの配合量は、多い程感
度、解像度が良好となるが、多すぎるとタックが発生し
たり、重合度が高くなるので、露光、現像後にクラック
が生じたりすることがある。上記光重合性モノマーのネ
ガ型レジストへの配合量の目安としては、これらレジス
トの固形分１００重量部に対して８〜２０重量部が好ま
しく、より好ましくは１０〜１８重量部である。
度、解像度が良好となるが、多すぎるとタックが発生し
たり、重合度が高くなるので、露光、現像後にクラック
が生じたりすることがある。上記光重合性モノマーのネ
ガ型レジストへの配合量の目安としては、これらレジス
トの固形分１００重量部に対して８〜２０重量部が好ま
しく、より好ましくは１０〜１８重量部である。
【００２７】エポキシ樹脂の硬化促進剤及び潜在性硬化
剤として具体的には、２−メチルイミダゾール、２−エ
チル−３−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル
ー２エチルイミダゾール、１−シアノエチル−２ウンデ
シルイミダゾール、等のイミダゾール化合物；メラミ
ン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミ
ン、エチルジアミノトリアジン、２，４−ジアミノトリ
アジン、２，４−ジアミノ−６−トリルトリアジン、
２、４−ジアミノ−６−キシリルトリアジン等のトリア
ジン誘導体；トリメチルアミン、トリエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチルアミン、ピリジン、ｍ−
アミノフェノール等の三級アミン類；ジアザビシクロウ
ンデセン、ジシアンジアミドなどが挙けられる。これら
の硬化促進剤は単独または併用して使用する事が出来
る。また、既に酸ペンダント型エポキシアクリレートの
製造の際に、反応触媒として使用したものが残存してい
る場合には、改めて使用する必要はない場合もある。
剤として具体的には、２−メチルイミダゾール、２−エ
チル−３−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル
ー２エチルイミダゾール、１−シアノエチル−２ウンデ
シルイミダゾール、等のイミダゾール化合物；メラミ
ン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミ
ン、エチルジアミノトリアジン、２，４−ジアミノトリ
アジン、２，４−ジアミノ−６−トリルトリアジン、
２、４−ジアミノ−６−キシリルトリアジン等のトリア
ジン誘導体；トリメチルアミン、トリエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチルアミン、ピリジン、ｍ−
アミノフェノール等の三級アミン類；ジアザビシクロウ
ンデセン、ジシアンジアミドなどが挙けられる。これら
の硬化促進剤は単独または併用して使用する事が出来
る。また、既に酸ペンダント型エポキシアクリレートの
製造の際に、反応触媒として使用したものが残存してい
る場合には、改めて使用する必要はない場合もある。
【００２８】なお、上記エポキシ樹脂の硬化促進剤及び
潜在性硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂に対し、１〜１
５重量％が適当である。
潜在性硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂に対し、１〜１
５重量％が適当である。
【００２９】ネガ型レジストには、上記各成分以外に、
さらに必要に応じて各種の添加剤、例えばタルク、硫酸
バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、チタン
酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、
シリカ、クレーなどの無機充填剤；アエロジルなどのチ
キソトロピー付与剤；フタロシアニンブルー、フタロシ
アニングリーン、酸化チタンなどの着色剤；シリコー
ン、フッ素系のレベリング剤や消泡剤；ハイドロキノ
ン、ハイドロキノンモノメチルエーテルなどの重合禁止
剤などを電気絶縁性及び塗膜性能を高める目的で添加す
ることができる。
さらに必要に応じて各種の添加剤、例えばタルク、硫酸
バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、チタン
酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、
シリカ、クレーなどの無機充填剤；アエロジルなどのチ
キソトロピー付与剤；フタロシアニンブルー、フタロシ
アニングリーン、酸化チタンなどの着色剤；シリコー
ン、フッ素系のレベリング剤や消泡剤；ハイドロキノ
ン、ハイドロキノンモノメチルエーテルなどの重合禁止
剤などを電気絶縁性及び塗膜性能を高める目的で添加す
ることができる。
【００３０】工程（２）では、上記のネガ型レジストか
らなる層をバンプが形成されたウエハ表面上に設ける。
ネガ型レジスト層を設ける方法としては、ウエハ表面に
ネガ型レジストをスピンコーター法やスクリーン印刷
法、静電塗装法、ロールコーター法、カーテンコーター
法などにより塗布し、乾燥する方法を挙げることができ
る。乾燥して得られたネガ型レジスト層の膜厚は、バン
プの高さに応じて、膜厚を調整する必要がある。好まし
くはバンプの厚みの５０〜９０％の膜厚にする。
らなる層をバンプが形成されたウエハ表面上に設ける。
ネガ型レジスト層を設ける方法としては、ウエハ表面に
ネガ型レジストをスピンコーター法やスクリーン印刷
法、静電塗装法、ロールコーター法、カーテンコーター
法などにより塗布し、乾燥する方法を挙げることができ
る。乾燥して得られたネガ型レジスト層の膜厚は、バン
プの高さに応じて、膜厚を調整する必要がある。好まし
くはバンプの厚みの５０〜９０％の膜厚にする。
【００３１】ネガ型レジスト層を塗布する際には有機溶
剤を用いることができる。ここで用いることができる有
機溶剤としては、例えばトルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素；メタノール、イソプロピルアルコールなど
のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類；１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどの
エーテル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類；セロソルブ、ブチルセロソルブア
セテート、セロソルブアセテートなどのグリコール誘導
体；シクロヘキサノン、シクロヘキサノールなどの脂環
式炭化水素及び石油エーテル、石油ナフサなどの石油系
溶剤などを挙げることができる。
剤を用いることができる。ここで用いることができる有
機溶剤としては、例えばトルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素；メタノール、イソプロピルアルコールなど
のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類；１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどの
エーテル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類；セロソルブ、ブチルセロソルブア
セテート、セロソルブアセテートなどのグリコール誘導
体；シクロヘキサノン、シクロヘキサノールなどの脂環
式炭化水素及び石油エーテル、石油ナフサなどの石油系
溶剤などを挙げることができる。
【００３２】〔工程（３）及び（４）〕工程（３）で
は、工程（２）でウエハ表面上に設けられたネガ型レジ
スト層を、バンプの位置をマスクして活性放射線で露光
する。工程（４）では、露光後、現像液で未露光のバン
プ上のネガ型レジスト層を除去する。その結果、バンプ
の上部が露出し、バンプ以外の領域が露光により光重合
したレジスト層で覆われているウエハが得られる。図３
の（ａ）には、マスク５によりバンプの上のネガ型レジ
スト層が露光されないようにして紫外線（ＵＶ）を照射
している工程（３）の様子が概略的に示されており、図
３の（ｂ）には、工程（４）で得られる、バンプ３の上
部が露出し、バンプ３以外の領域が露光により光重合し
たレジスト層４ｂで覆われているウエハ１の概略断面が
示されている。
は、工程（２）でウエハ表面上に設けられたネガ型レジ
スト層を、バンプの位置をマスクして活性放射線で露光
する。工程（４）では、露光後、現像液で未露光のバン
プ上のネガ型レジスト層を除去する。その結果、バンプ
の上部が露出し、バンプ以外の領域が露光により光重合
したレジスト層で覆われているウエハが得られる。図３
の（ａ）には、マスク５によりバンプの上のネガ型レジ
スト層が露光されないようにして紫外線（ＵＶ）を照射
している工程（３）の様子が概略的に示されており、図
３の（ｂ）には、工程（４）で得られる、バンプ３の上
部が露出し、バンプ３以外の領域が露光により光重合し
たレジスト層４ｂで覆われているウエハ１の概略断面が
示されている。
【００３３】工程（３）の露光に用いられる活性放射線
としては、特に制限はないが、例えば紫外線等を挙げる
ことができる。露光条件は、ネガ型レジスト層の組成、
厚み等により適宜選択されるが、通常１００〜１０００
ｍｊ／ｃｍ2 の範囲から選択される。
としては、特に制限はないが、例えば紫外線等を挙げる
ことができる。露光条件は、ネガ型レジスト層の組成、
厚み等により適宜選択されるが、通常１００〜１０００
ｍｊ／ｃｍ2 の範囲から選択される。
【００３４】工程（４）の現像に用いられる現像液は、
上記ネガ型レジストにはアルカリ性現像液が用いられ、
例えば炭酸ソーダ等の無機アルカリ水溶液、あるいはテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の有機ア
ルカリ水溶液による現像が一般的である。
上記ネガ型レジストにはアルカリ性現像液が用いられ、
例えば炭酸ソーダ等の無機アルカリ水溶液、あるいはテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の有機ア
ルカリ水溶液による現像が一般的である。
【００３５】〔工程５〕上記工程（４）で得られたバン
プの上部が露出し、バンプ以外の領域が露光により光重
合したレジスト層で覆われているウエハと基板を熱圧着
して、ウエハに形成されている分割されたチップを基板
上に実装する工程である。熱圧着することにより、露出
したバンプと基板表層上の金属パターンとが溶融接合
し、電気的に導通する。加えて、熱圧着は、基板面とレ
ジスト層が接するまで圧力を加えるので、熱によりレジ
スト層の中の未反応のエポキシ樹脂が溶融し、且つ硬化
する。その結果、レジスト層と基板面が強固に接着し、
チップが基板と一体化する。エポキシ樹脂が硬化したレ
ジスト層は、上記のように接着剤として機能すると共
に、信頼性のある絶縁層としても機能する。
プの上部が露出し、バンプ以外の領域が露光により光重
合したレジスト層で覆われているウエハと基板を熱圧着
して、ウエハに形成されている分割されたチップを基板
上に実装する工程である。熱圧着することにより、露出
したバンプと基板表層上の金属パターンとが溶融接合
し、電気的に導通する。加えて、熱圧着は、基板面とレ
ジスト層が接するまで圧力を加えるので、熱によりレジ
スト層の中の未反応のエポキシ樹脂が溶融し、且つ硬化
する。その結果、レジスト層と基板面が強固に接着し、
チップが基板と一体化する。エポキシ樹脂が硬化したレ
ジスト層は、上記のように接着剤として機能すると共
に、信頼性のある絶縁層としても機能する。
【００３６】図４には、工程（５）によってウエハに形
成されている分割されたチップが基板上に実装されてい
る様子が、概略断面図によって示されている。ウエハ１
上のバンプ３は、基板５の金属パターンと溶融接合して
いる。基板面の絶縁層は、エポキシ樹脂が硬化したレジ
スト層４ｃと強固に接着している。
成されている分割されたチップが基板上に実装されてい
る様子が、概略断面図によって示されている。ウエハ１
上のバンプ３は、基板５の金属パターンと溶融接合して
いる。基板面の絶縁層は、エポキシ樹脂が硬化したレジ
スト層４ｃと強固に接着している。
【００３７】基板は、その表層にバンプと同じ位置に電
気回路が形成されて金属パターンとなっており、他の部
分は絶縁されている。絶縁材料としてはセラミック基板
が従来多かったが、誘電率、高コスト等の問題でエポキ
シ樹脂基板が多くなっている。本発明の工法もエポキシ
樹脂系を主成分としており、密着性、線膨張率の点から
エポキシ樹脂基板を使うことが好ましい。
気回路が形成されて金属パターンとなっており、他の部
分は絶縁されている。絶縁材料としてはセラミック基板
が従来多かったが、誘電率、高コスト等の問題でエポキ
シ樹脂基板が多くなっている。本発明の工法もエポキシ
樹脂系を主成分としており、密着性、線膨張率の点から
エポキシ樹脂基板を使うことが好ましい。
【００３８】熱圧着は、通常、２００℃〜３００℃の温
度、１０〜３０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で、５秒〜１５秒間
行われる。
度、１０〜３０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で、５秒〜１５秒間
行われる。
【００３９】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明の範囲は実施例に制限されるものではない。 （実施例１）酸ペンダント型臭素化エポキシアクリレー
トであるネオポール８３１８（商品名、日本ユピカ
（株）製：固形分７５％)７５重量部、３官能エポキシ
樹脂であるトリグリシジルイソシアヌレート(商品名:Ｔ
ＥＰＩＣ−Ｓ日産化学（株）製）４１．２５重量部、ア
クリルモノマーであるジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート（商品名：アロニックス Ｍ−４０２ 東亜
合成（株）製）２０重量部、光重合開始剤であるＩＲ−
９０７（商品名、チバスペシャリティーケミカルズ社
製）０．８重量部、及びＤＥＴＸ−Ｓ（商品名、日本化
薬社製）０．８重量部、希釈溶剤としてのメチルエチル
ケトン２３重量部からなるネガ型レジスト液を調製し
た。次にこのレジスト液をスピンコーターで、バンプを
形成したウェハ（バンプの高さ２５μｍ）に塗布し、乾
燥し、膜厚２３μｍの均一な塗膜を得た。次にバンプ部
をマスクしたフィルムを当て、３００ｍｊ／ｃｍ2で密
着露光後、アルカリ現像することによりバンプを露出し
た。次に、ウエハ（チップ）を回路形成した基板に東レ
エンジニアリング（株）製フリップチップボンダーＦＣ
１０００を用いて、圧力１．５Ｋｇ、温度３００℃、時
間１２０秒の条件で熱圧着し、チップを基板に実装し
た。得られた実装を日立建機（株）製超音波解析装置で
見た所全くボイドの発生は見られなかった。ここでボイ
ドとは、アンダーフィル剤が隙間に完全に充填されてい
ないと気泡として隙間に空気が残ることをいう。
が、本発明の範囲は実施例に制限されるものではない。 （実施例１）酸ペンダント型臭素化エポキシアクリレー
トであるネオポール８３１８（商品名、日本ユピカ
（株）製：固形分７５％)７５重量部、３官能エポキシ
樹脂であるトリグリシジルイソシアヌレート(商品名:Ｔ
ＥＰＩＣ−Ｓ日産化学（株）製）４１．２５重量部、ア
クリルモノマーであるジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート（商品名：アロニックス Ｍ−４０２ 東亜
合成（株）製）２０重量部、光重合開始剤であるＩＲ−
９０７（商品名、チバスペシャリティーケミカルズ社
製）０．８重量部、及びＤＥＴＸ−Ｓ（商品名、日本化
薬社製）０．８重量部、希釈溶剤としてのメチルエチル
ケトン２３重量部からなるネガ型レジスト液を調製し
た。次にこのレジスト液をスピンコーターで、バンプを
形成したウェハ（バンプの高さ２５μｍ）に塗布し、乾
燥し、膜厚２３μｍの均一な塗膜を得た。次にバンプ部
をマスクしたフィルムを当て、３００ｍｊ／ｃｍ2で密
着露光後、アルカリ現像することによりバンプを露出し
た。次に、ウエハ（チップ）を回路形成した基板に東レ
エンジニアリング（株）製フリップチップボンダーＦＣ
１０００を用いて、圧力１．５Ｋｇ、温度３００℃、時
間１２０秒の条件で熱圧着し、チップを基板に実装し
た。得られた実装を日立建機（株）製超音波解析装置で
見た所全くボイドの発生は見られなかった。ここでボイ
ドとは、アンダーフィル剤が隙間に完全に充填されてい
ないと気泡として隙間に空気が残ることをいう。
【００４０】
【発明の効果】本発明の改良されたフィリップチップ実
装工法によれば、容易、且つ低コストで、信頼性のある
ＩＣチップの実装が可能である。
装工法によれば、容易、且つ低コストで、信頼性のある
ＩＣチップの実装が可能である。
【図１】（ａ）は回路が形成されたウエハ表面上の様子
を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）をＡ−Ａ’面
で切断したときのチップ１個の概略断面図である。
を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）をＡ−Ａ’面
で切断したときのチップ１個の概略断面図である。
【図２】（ａ）はネガ型レジストの溶液を塗布した直後
の様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は塗布後、乾燥
により溶媒を除去してネガ型レジスト層が形成された様
子を示す概略断面図である。
の様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は塗布後、乾燥
により溶媒を除去してネガ型レジスト層が形成された様
子を示す概略断面図である。
【図３】（ａ）は工程（３）の様子を概略的に示す説明
図であり、（ｂ）は工程（４）で得られるウエハの概略
断面図である。
図であり、（ｂ）は工程（４）で得られるウエハの概略
断面図である。
【図４】工程（５）によってウエハに形成されている分
割されたチップが基板上に実装されている様子を示す概
略断面図である。
割されたチップが基板上に実装されている様子を示す概
略断面図である。
１ ウエハ ２ チップ ３ バンプ ４ レジスト層（塗布直後） ４ａ レジスト層（乾燥後） ４ｂ レジスト層（露光、現像後） ４ｃ レジスト層（エポキシ樹脂硬化後） ５ 基板 ６ 基板上の金属パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 （１）回路形成されたウエハ表面上にバ
ンプを形成する工程、（２）バンプが形成されたウエハ
表面上にエポキシ樹脂を含んだネガ型レジスト層を設け
る工程、（３）バンプの位置をマスクして、ネガ型レジ
スト層を活性放射線で露光する工程、（４）未露光のバ
ンプ上のネガ型レジスト層を現像により除去し、バンプ
の上部が露出し、バンプ以外の領域が露光により光重合
したレジスト層で覆われているウエハを得る工程、並び
に（５）上記（４）の工程により得られたウエハを基板
に熱圧着する工程、を含むことを特徴とするフィリップ
チップ実装工法。 - 【請求項２】 ネガ型レジスト層が、酸ペンダント型エ
ポキシアクリレートとエポキシ樹脂とを含有することを
特徴とする請求項１に記載のフィリップチップ実装工
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35153998A JPH11288971A (ja) | 1998-02-05 | 1998-12-10 | フィリップチップ実装工法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2472198 | 1998-02-05 | ||
| JP10-24721 | 1998-02-05 | ||
| JP35153998A JPH11288971A (ja) | 1998-02-05 | 1998-12-10 | フィリップチップ実装工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288971A true JPH11288971A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=26362292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35153998A Withdrawn JPH11288971A (ja) | 1998-02-05 | 1998-12-10 | フィリップチップ実装工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288971A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008068324A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性フラックス、これを用いた半導体チップ搭載用基板、半導体パッケージ、及び、プリント配線板 |
| JP2008252132A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の実装方法 |
| US8080447B2 (en) | 2004-09-15 | 2011-12-20 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device including exposing a dicing line on a wafer |
-
1998
- 1998-12-10 JP JP35153998A patent/JPH11288971A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252132A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の実装方法 |
| US8080447B2 (en) | 2004-09-15 | 2011-12-20 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device including exposing a dicing line on a wafer |
| JP2012004603A (ja) * | 2004-09-15 | 2012-01-05 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の実装構造、半導体装置の実装方法及び基板 |
| JP2008068324A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-03-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性フラックス、これを用いた半導体チップ搭載用基板、半導体パッケージ、及び、プリント配線板 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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