JP2000188416A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JP2000188416A JP2000188416A JP10364245A JP36424598A JP2000188416A JP 2000188416 A JP2000188416 A JP 2000188416A JP 10364245 A JP10364245 A JP 10364245A JP 36424598 A JP36424598 A JP 36424598A JP 2000188416 A JP2000188416 A JP 2000188416A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜な波長変換層を有する受光素子を提供す
る。 【構成】 素子底面から、Ａｕからなるｎ型電極５、ｎ
型高濃度不純物層６、Ｓｉ基板７、ｐ型高濃度不純物層
である受光部８、ｐ型電極１１、ＳｉＯ２膜９、蛍光体
からなる波長変換層１０、を順に積層させた構造の受光
素子であり、前記波長変換層１０は、蛍光体を電子線蒸
着することにより成膜されている。
る。 【構成】 素子底面から、Ａｕからなるｎ型電極５、ｎ
型高濃度不純物層６、Ｓｉ基板７、ｐ型高濃度不純物層
である受光部８、ｐ型電極１１、ＳｉＯ２膜９、蛍光体
からなる波長変換層１０、を順に積層させた構造の受光
素子であり、前記波長変換層１０は、蛍光体を電子線蒸
着することにより成膜されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近では、大量の情報を記憶可能な光デ
ィスクが、情報端末や音響機器等幅広い分野で用いられ
ている。
ィスクが、情報端末や音響機器等幅広い分野で用いられ
ている。
【０００３】前記光ディスクには、例えばＣＤ（Ｃｏｍ
ｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉ
ｄｅｏ Ｄｉｓｃ）がある。
ｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉ
ｄｅｏ Ｄｉｓｃ）がある。
【０００４】前記ＣＤディスクの夫々のピットは、凹型
又は凸型の形状に形成され、この凹凸形状の光反射率の
相違により、デジタル信号１又は０の信号に対応づけら
れる。
又は凸型の形状に形成され、この凹凸形状の光反射率の
相違により、デジタル信号１又は０の信号に対応づけら
れる。
【０００５】一方、前記ＤＶＤディスクの各ピットは、
反射率の異なるアモルファス層と結晶層との層変化によ
り反射率を異ならせ、これによりデジタル信号１又は０
の信号に対応づけられる。
反射率の異なるアモルファス層と結晶層との層変化によ
り反射率を異ならせ、これによりデジタル信号１又は０
の信号に対応づけられる。
【０００６】前記光ディスクを再生する為の装置（例え
ば、ＤＶＤプレーヤ等）は、一定速度で回転している光
ディスク表面に発光素子からの光を照射し、その反射光
の強度を後述する光検出器のメインスポットで検出する
ことにより信号を再生する。
ば、ＤＶＤプレーヤ等）は、一定速度で回転している光
ディスク表面に発光素子からの光を照射し、その反射光
の強度を後述する光検出器のメインスポットで検出する
ことにより信号を再生する。
【０００７】図３は、このような光ディスク再生装置の
光検出器１の一従来例を示している。
光検出器１の一従来例を示している。
【０００８】前記光検出器１は、通常、２つのサイドス
ポット検出器２と、１つのメインスポット検出器３で構
成されている。
ポット検出器２と、１つのメインスポット検出器３で構
成されている。
【０００９】前記サイドスポット検出器２は、トラッキ
ングを正常に行う為に用いられ、前記メインスポット検
出器３は、４つの受光素子４からなり、光ディスクに記
憶されている情報を読み取る為に用いられる。
ングを正常に行う為に用いられ、前記メインスポット検
出器３は、４つの受光素子４からなり、光ディスクに記
憶されている情報を読み取る為に用いられる。
【００１０】最近では、光ディスクに記憶される情報量
を多くする為に、前記ピットの寸法を小さくし、ピット
間の距離を短くする傾向にある。
を多くする為に、前記ピットの寸法を小さくし、ピット
間の距離を短くする傾向にある。
【００１１】又、この小さなピットを検出可能にする為
には、短波長の光（例えば、青色光）を発光可能な発光
素子と、この短波長光を受光可能な受光素子が必要であ
る。現在、最も短い波長の光を発光可能な発光素子とし
ては青色発光素子が実用化されているが、このような波
長を高感度で受光可能な受光素子は未だ研究段階であ
る。
には、短波長の光（例えば、青色光）を発光可能な発光
素子と、この短波長光を受光可能な受光素子が必要であ
る。現在、最も短い波長の光を発光可能な発光素子とし
ては青色発光素子が実用化されているが、このような波
長を高感度で受光可能な受光素子は未だ研究段階であ
る。
【００１２】そこで、長波長の光（例えば、赤外光）を
受光可能な受光素子表面に、樹脂に短波長の光を長波長
の光に変換可能な蛍光体を含有させた波長変換層を設け
て、擬似的に短波長の光を受光可能とする技術が提案さ
れている（例えば、特開平８−２２７５３３号公報参
照）。
受光可能な受光素子表面に、樹脂に短波長の光を長波長
の光に変換可能な蛍光体を含有させた波長変換層を設け
て、擬似的に短波長の光を受光可能とする技術が提案さ
れている（例えば、特開平８−２２７５３３号公報参
照）。
【００１３】前記波長変換層は、厚くなるほど層に含有
される蛍光体の量が多くなり、変換効率が向上する為、
受光面への長波長光の入射光強度が高まる。
される蛍光体の量が多くなり、変換効率が向上する為、
受光面への長波長光の入射光強度が高まる。
【００１４】このような波長変換層を設ける方法として
は、ウエファーの受光面上に前記蛍光体含有樹脂を付着
した後にウエファーを回転し、所定時間の回転の後に回
転を停止させ、前記ウエファーを約８０℃〜１５０℃の
範囲で加熱されている熱板上で数分間加熱することによ
り、受光面上に樹脂を形成する方法がある（例えば、特
開平９−８０１７号公報参照）。
は、ウエファーの受光面上に前記蛍光体含有樹脂を付着
した後にウエファーを回転し、所定時間の回転の後に回
転を停止させ、前記ウエファーを約８０℃〜１５０℃の
範囲で加熱されている熱板上で数分間加熱することによ
り、受光面上に樹脂を形成する方法がある（例えば、特
開平９−８０１７号公報参照）。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】前記波長変換層の変換
効率は、この変換層中の蛍光体含有率及びその層厚に略
比例して高まる。
効率は、この変換層中の蛍光体含有率及びその層厚に略
比例して高まる。
【００１６】しかし、蛍光体含有率を高めると、樹脂の
粘性が上昇し、上述の方法では波長変換層の層厚を均一
にすることができない。この為、蛍光体の含有率は、１
０％程度に抑えなければならなかった。
粘性が上昇し、上述の方法では波長変換層の層厚を均一
にすることができない。この為、蛍光体の含有率は、１
０％程度に抑えなければならなかった。
【００１７】一方、このような低含有率の材料を利用す
る場合には、波長変換層の層厚を少なくとも数μｍ以上
としなければ実用上十分な変換効率が得られない。
る場合には、波長変換層の層厚を少なくとも数μｍ以上
としなければ実用上十分な変換効率が得られない。
【００１８】然るに、このような層厚の波長変換層を有
する受光素子を図３に示した受光素子４として採用する
と、隣接する受光素子４間でのクロストーク発生要因と
なる。
する受光素子を図３に示した受光素子４として採用する
と、隣接する受光素子４間でのクロストーク発生要因と
なる。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子は、
蛍光体からなる波長変換層を有し、前記蛍光体は、電子
線蒸着により蒸着させたことを特徴とする。
蛍光体からなる波長変換層を有し、前記蛍光体は、電子
線蒸着により蒸着させたことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明を適用した受光素
子４の一実施例の断面図を示している。
子４の一実施例の断面図を示している。
【００２１】図１の受光素子の構造を製造方法と共に以
下に説明する。
下に説明する。
【００２２】先ず、抵抗率５００Ωｃｍ以上のｎ型Ｓｉ
基板７表面上に、ボロン拡散を施すことにより不純物濃
度１×１０20ｃｍ-3、深さ１００μｍ程度のｐ型導電性
高濃度不純物層（受光部）８を形成する。
基板７表面上に、ボロン拡散を施すことにより不純物濃
度１×１０20ｃｍ-3、深さ１００μｍ程度のｐ型導電性
高濃度不純物層（受光部）８を形成する。
【００２３】次に、前記受光部８の表面上に、酸素を流
しながら熱を加える熱酸化により、厚さ約２．０μｍの
ＳｉＯ2膜９を形成する。
しながら熱を加える熱酸化により、厚さ約２．０μｍの
ＳｉＯ2膜９を形成する。
【００２４】続いて、前記受光部８の垂直上方に存在す
る前記ＳｉＯ2 膜９をフォトリソグラフィにより厚さ
０．５〜１．０μｍにする。
る前記ＳｉＯ2 膜９をフォトリソグラフィにより厚さ
０．５〜１．０μｍにする。
【００２５】その後、前記ＳｉＯ2膜９表面上には、蛍
光体からなる波長変換層１０を形成する。
光体からなる波長変換層１０を形成する。
【００２６】具体的には、先ず、酸化イットリウムと酸
化ユーロピウムに硫化剤を加えて調合し、これを１２０
０℃〜１５００℃程度で焼成した後、洗浄、乾燥させる
ことにより高純度（好ましくは略１００％）の蛍光体
（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）を形成する。
化ユーロピウムに硫化剤を加えて調合し、これを１２０
０℃〜１５００℃程度で焼成した後、洗浄、乾燥させる
ことにより高純度（好ましくは略１００％）の蛍光体
（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）を形成する。
【００２７】次に、このようにして形成された蛍光体
を、電子線蒸着によりＳｉＯ2膜９上に蒸着させること
により、厚さ５０００Åの蛍光体層を形成する。
を、電子線蒸着によりＳｉＯ2膜９上に蒸着させること
により、厚さ５０００Åの蛍光体層を形成する。
【００２８】その後、フォトリソグラフィにより受光部
８領域の直上に位置する蛍光体層以外を除去する。これ
により残存した蛍光体層が、波長変換層１０となる。
８領域の直上に位置する蛍光体層以外を除去する。これ
により残存した蛍光体層が、波長変換層１０となる。
【００２９】更に、受光部８直上のＳｉＯ2膜９及び波
長変換層１０の一部をフォトリソグラフィにより除去
し、受光部８表面の一部を露出する。
長変換層１０の一部をフォトリソグラフィにより除去
し、受光部８表面の一部を露出する。
【００３０】その後、アルミニウムを電子線蒸着により
露出された受光部８表面に蒸着し、蒸着された前記アル
ミニウムの不要部分をフォトリソグラフィにより除去
し、オーミック性のｐ型電極１１を形成する。
露出された受光部８表面に蒸着し、蒸着された前記アル
ミニウムの不要部分をフォトリソグラフィにより除去
し、オーミック性のｐ型電極１１を形成する。
【００３１】前記ｎ型Ｓｉ基板７の素子裏面には、リン
を拡散することにより、不純物濃度１×１０2 0ｃｍ
- 3 、深さ１００μｍ程度のｎ型導電性高濃度不純物層
６を設け、前記ｎ型不純物層６の裏面全体には、電子線
蒸着によりＡｕを蒸着し、オーミック性のｎ型電極５を
形成する。
を拡散することにより、不純物濃度１×１０2 0ｃｍ
- 3 、深さ１００μｍ程度のｎ型導電性高濃度不純物層
６を設け、前記ｎ型不純物層６の裏面全体には、電子線
蒸着によりＡｕを蒸着し、オーミック性のｎ型電極５を
形成する。
【００３２】本実施例の前記波長変換層１０は、波長３
６５ｎｍの短波長光の波長を６２６ｎｍの波長に変換す
る。
６５ｎｍの短波長光の波長を６２６ｎｍの波長に変換す
る。
【００３３】図２に、前記受光部８の受光感度分布を示
す如く、受光部８の受光感度は、３００ｎｍの波長から
９００ｎｍの波長まで順に高くなっているが、９００ｎ
ｍの波長を境にして９００ｎｍから１１００ｎｍの波長
までは、急激に減少している。
す如く、受光部８の受光感度は、３００ｎｍの波長から
９００ｎｍの波長まで順に高くなっているが、９００ｎ
ｍの波長を境にして９００ｎｍから１１００ｎｍの波長
までは、急激に減少している。
【００３４】従って、受光素子４の受光部８自身は、３
６５ｎｍの波長の青色光を受光しても０．０６Ａ／Ｗの
受光感度しか得ることができない。
６５ｎｍの波長の青色光を受光しても０．０６Ａ／Ｗの
受光感度しか得ることができない。
【００３５】しかし、本実施例装置では、波長３６５ｎ
ｍの光を、受光部８では実質的に６２６ｎｍの光として
受光する為、図２に示す受光感度特性から明らかなよう
に、０．３８Ａ／Ｗの受光感度で受光できる。
ｍの光を、受光部８では実質的に６２６ｎｍの光として
受光する為、図２に示す受光感度特性から明らかなよう
に、０．３８Ａ／Ｗの受光感度で受光できる。
【００３６】本実施例では、前述の様に電子線蒸着によ
り蛍光体からなる波長変換層１０を受光素子４に形成し
ている。
り蛍光体からなる波長変換層１０を受光素子４に形成し
ている。
【００３７】前記電子線蒸着により厚さ５０００Åの波
長変換層１０を有する受光素子４を前記メインスポット
３に使用すると、前記変換層１０の厚さが薄い為に、受
光素子４間のクロストークを抑制できる。
長変換層１０を有する受光素子４を前記メインスポット
３に使用すると、前記変換層１０の厚さが薄い為に、受
光素子４間のクロストークを抑制できる。
【００３８】本実施例の波長変換層１０は、高純度の蛍
光体のみで形成されており、前記波長変換層１０の単位
体積あたりの蛍光体含有量は蛍光体を含んだ樹脂からな
る波長変換層よりも遥かに高い。
光体のみで形成されており、前記波長変換層１０の単位
体積あたりの蛍光体含有量は蛍光体を含んだ樹脂からな
る波長変換層よりも遥かに高い。
【００３９】この為、波長変換層１０を５０００Åの薄
膜としても前記波長変換層１０の変換量を十分に確保で
きる。
膜としても前記波長変換層１０の変換量を十分に確保で
きる。
【００４０】尚、本実施例では蛍光体としてＹ2Ｏ2Ｓ：
Ｅｕを使用したが、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ等、他の蛍光体
を使用してもよく、本実施例では電子線蒸着により波長
変換層１０を形成したが、スパッタリングにより前記波
長変換層１０を形成しても同様の効果が得られる。
Ｅｕを使用したが、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ等、他の蛍光体
を使用してもよく、本実施例では電子線蒸着により波長
変換層１０を形成したが、スパッタリングにより前記波
長変換層１０を形成しても同様の効果が得られる。
【００４１】又、受光部８の受光感度が十分得られない
場合には、受光素子４の出力を増幅装置で増幅すればよ
い。
場合には、受光素子４の出力を増幅装置で増幅すればよ
い。
【００４２】
【発明の効果】本発明の受光素子は波長変換層が薄い
為、メインスポットの受光素子として使用しても正確な
信号を受信することが可能である。
為、メインスポットの受光素子として使用しても正確な
信号を受信することが可能である。
【００４３】
【図１】本発明の実施例の受光素子の断面図である。
【図２】受光部８の受光感度特性を示す図である。
【図３】従来の光検出器の上面図である。
１ 光検出器 ２ サイドスポット検出器 ３ メインスポット検出器 ４ 受光素子 ５ ｎ型電極 ６ ｎ型高濃度不純物層 ７ ｎ型Ｓｉ基板 ８ 受光部 ９ ＳｉＯ2膜 １０ 波長変換層 １１ ｐ型電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB05 BA06 CA03 CB11 CB14 GA10 5F049 MA02 MB12 NA10 NB08 PA06 PA09 QA03 SE05 SS03 WA03
Claims (4)
- 【請求項１】蛍光体からなる波長変換層を有する受光素
子であって、前記受光素子は、電子線蒸着により前記蛍
光体を受光素子に蒸着させたことを特徴とする受光素
子。 - 【請求項２】請求項１の受光素子であって、前記蛍光体
は、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ又はＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎであること
を特徴とする受光素子。 - 【請求項３】請求項１の発光素子であって、前記波長変
換層は、不純物を含有しない高純度蛍光体からなること
を特徴とする。 - 【請求項４】高純度蛍光体を波長変換層として有するこ
とを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36424598A JP3913381B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 受光素子とその製造方法並びに受光素子を備える光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36424598A JP3913381B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 受光素子とその製造方法並びに受光素子を備える光検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188416A true JP2000188416A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3913381B2 JP3913381B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=18481346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36424598A Expired - Fee Related JP3913381B2 (ja) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | 受光素子とその製造方法並びに受光素子を備える光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3913381B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118084A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光ヘッドおよび光情報処理装置 |
| JP2011519178A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-06-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光検出器 |
| JP2011523319A (ja) * | 2008-06-11 | 2011-08-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明システムに関する光学受信器 |
| JP2013518414A (ja) * | 2010-01-21 | 2013-05-20 | ローパー サイエンティフィック インコーポレイテッド | 固体裏面照射型光子センサおよびその製造方法 |
| WO2017138327A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換素子及び光源装置 |
| US9831187B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-11-28 | Apic Yamada Corporation | Apparatus and method for electrostatic spraying or electrostatic coating of a thin film |
-
1998
- 1998-12-22 JP JP36424598A patent/JP3913381B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108604609A (zh) * | 2016-02-08 | 2018-09-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 波长变换元件以及光源装置 |
| JPWO2017138327A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2018-11-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換素子及び光源装置 |
| US20180342629A1 (en) * | 2016-02-08 | 2018-11-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength conversion element and light source device |
| EP3416197A4 (en) * | 2016-02-08 | 2019-06-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | WAVE LENGTH CONVERTING ELEMENT AND LIGHT SOURCE DEVICE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3913381B2 (ja) | 2007-05-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070131 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100209 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130209 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130209 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130209 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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