JP2000182291A - 情報記録再生装置 - Google Patents

情報記録再生装置

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JP2000182291A
JP2000182291A JP10352264A JP35226498A JP2000182291A JP 2000182291 A JP2000182291 A JP 2000182291A JP 10352264 A JP10352264 A JP 10352264A JP 35226498 A JP35226498 A JP 35226498A JP 2000182291 A JP2000182291 A JP 2000182291A
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Hideki Saga
秀樹 嵯峨
Hiroaki Nemoto
広明 根本
Yasushi Suketa
裕史 助田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 偏摩耗等によって生ずるスライダの浮上安定
性の問題を解決し、基体の片側から記録および再生動作
を安定に行うこと。 【解決手段】 基体表面に製膜された磁気記録膜上に反
転磁区を形成することにより情報の記録を行う情報再生
記録装置において、記録磁界発生手段およびエネルギー
収束手段の滑走面が単一の材質で形成されたスライダを
用い、基体の片側から記録磁界発生手段の中央部に設け
られたエネルギー透過構造を通じてエネルギーを照射
し、記録を行う。 【効果】 情報記録再生装置の高速化,高信頼化が図ら
れ、大容量の情報記録再生装置を小型かつ安価に提供す
ることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基体表面に製膜され
た磁気記録膜上に反転磁区を形成することにより情報の
記録を行う情報再生記録装置に関するものであり、特に
該記録膜面に記録エネルギー収束手段および磁界発生手
段を有する情報記録装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】特開平10−21598号公報に見られ
る「光磁気再生および磁気再生の両方が可能な従来の情
報記録媒体およびその記録再生装置」(第1の従来技
術)においては、基板上に形成された光磁気記録膜に対
して光源からの記録光を基板越しに照射して反転磁区を
形成することにより記録を行っていた。また情報の再生
は、前記光磁気記録膜に対して光源からの再生光を基板
越しに照射して反射光の偏光面の回転を検出すること、
および光磁気記録膜上に第2の磁性層を積層し、この第
2の磁性層から漏洩磁束再生を行うことによって行われ
ていた。本従来技術の記録再生動作において、光照射部
分に磁界を印加するための手段は、基板に関して光源と
反対側すなわち記録膜側に配置されていた。
【0003】また特開平8−7383公報に見られる
「磁界変調型光磁気記録装置」(第2の従来技術)にお
いては、基板上に形成された光磁気記録膜に対して光源
からの記録光を基板越しに照射すると同時に、記録膜表
面に磁気ヘッドを近接させて記録光の照射位置に記録磁
界を印加して反転磁区を形成することにより記録を行っ
ていた。
【0004】さらに特開平10−162444号公報に
見られる「光磁気記録媒体と記録再生方法、及び記録再
生装置」(第3の従来技術)においては、磁気コイルを
固体イマージョン・レンズの下方に組み込み、磁気コイ
ルと固体イマージヨン・レンズの出射光面とを接合して
いた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】第1,第2の各従来技
術においては、基板に関して記録膜と反対側に光源を配
置しているので、基体の両面に記録膜を形成して記録を
行うことができなかった。また基板が光源の波長に関し
て透過性を有する必要があるため基体の材質に関する自
由度が低く、薄くて機械特性に優れた安価な基体を用い
ることができなかった。さらに基体の厚さ誤差や、基体
と光軸のなす角度の誤差に関しての許容範囲が狭く、記
録再生装置および記録媒体の機械的な精度を高く保つ必
要があるために装置製造コストの点で不利であった。
【0006】また第2の従来技術においては、低消費電
力で高速な情報の記録を行うためには磁気ヘッドによる
磁界印加領域を狭くすることが必要である。このため記
録媒体を挟んで対向する光照射位置と磁界印加位置とを
記録装置製造時に精密に位置合わせすることが必要であ
った。これは光照射位置と磁化印加位置が対向している
ために外部から観察することが困難であったためであ
り、したがって高速記録のために磁界印加領域を狭くす
ることにも限界があった。また記録エネルギーの収束手
段と磁界印加手段を平行して移動させる必要があるため
に、記録媒体の外周部を迂回して両者の位置関係を支持
する大きな部材を用いるか、移動機構をおのおの独立に
用意しなければならなかった。さらに磁界印加領域が狭
いため記録再生装置部品の寸法精度を温度変化等によら
ず高く保つことも必要であった。これらの理由でシーク
性能や耐衝撃性が低下したり、装置コストの点で大きな
問題があった。
【0007】さらに第3の従来技術においては、スライ
ダ滑走面が複数の異なる材質で形成されることにより、
滑走開始時,滑走終了時および装置内へ塵埃が侵入した
場合等にスライダ滑走面の偏摩耗等によって浮上安定性
が損なわれる問題があった。すなわちエバネッセント光
発生部分の材質よりも磁気コイル部分の方が優れた耐摩
耗性を持つ場合、エバネッセント光発生部分のみが大き
く摩耗してエバネッセント光の発生が困難となる。逆に
磁気コイル部分よりもエバネッセント光発生部分の材質
の方が優れた耐摩耗性を持つ場合、摩耗の結果エバネッ
セント光発生部分のみが突出し、突出部に欠けを生じて
記録再生が不能となったり、記録媒体を傷つけたりする
危険性が高い。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記問題を解決する目的
で、基体表面に製膜された磁気記録膜上に反転磁区を形
成することにより情報の記録を行う情報再生記録装置に
おいて、記録エネルギー源であるエネルギー発生手段
と、該記録エネルギーを前記記録膜上に収束するエネル
ギー収束手段と、該記録膜表面に対向する面が単一の材
質からなり該記録膜表面を滑走するスライダと、該スラ
イダに積載され該記録エネルギーの収束位置近傍に磁界
を発生する磁界発生手段とを備える。
【0009】または前記問題を解決する目的で、基体表
面に製膜された磁気記録膜上に反転磁区を形成すること
により情報の記録を行う情報再生記録装置において、記
録エネルギー源であるエネルギー発生手段と、該記録エ
ネルギーを前記記録膜上に収束するエネルギー収束手段
と、該記録エネルギーを透過し該記録膜表面を滑走する
スライダと、該スライダに積載され該記録エネルギーの
収束位置近傍に磁界を発生する磁界発生手段とを備え
る。
【0010】以上の手段により本発明では基体の片側か
ら記録および再生動作を行うことが可能となり、装置内
の空間利用効率が改善される。加えて基体の材質に関す
る自由度が高まり、薄く,機械特性に優れ,安価な基体
を用いることが可能となる。またエネルギーの収束が基
体を経由しないため、基体の厚さ誤差の問題が解決さ
れ、同時に基体と光軸のなす角度の誤差に関しての許容
範囲が広がる。さらにエネルギー収束手段および記録磁
界発生手段を記録媒体上の任意位置に位置づける手段を
共用することが容易となり、両者の距離が接近するため
に温度変化による支持部材の熱膨張,衝撃等に関して極
めて有利となる。また高速記録のために記録磁界印加領
域を狭くした場合でもエネルギー収束位置と記録磁化印
加領域が容易に同時観察できるため、エネルギー収束手
段および記録磁界発生手段の位置関係の調整が容易とな
る。さらに記録磁界発生手段およびエネルギー収束手段
の滑走面が単一の材質で形成されることにより、偏摩耗
の問題が大きく改善される。
【0011】以上により情報記録再生装置の高速化,高
信頼化が図られ、大容量の情報記録再生装置を小型かつ
安価に提供することが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の具体
的な実施形態について詳細に説明する。
【0013】第1図は本発明による情報記録再生装置の
構成例を示した第1の図である。記録または再生動作に
並行して行われる記録,再生位置情報の取得は次の通り
行われる。すなわち半導体レーザ113から出射された
レーザ光はコリメート・レンズ114によって平行光に
変換され、ビーム・スプリッタ128を通過後、対物レ
ンズ126を通り、スライダーを構成する球面SIL
(Solid Immersion Lens)122
及び記録コイル123を通過して、記録コイル中央の光
透過部直下の記録膜119に光スポット(図示せず)を
形成する。ここで半導体レーザ113から出射されるレ
ーザ光の強度は記録膜119上の記録マーク(反転磁
区,図示せず)を破壊しない程度に十分に低いものとす
る。記録膜119による反射光は球面SIL122,対
物レンズ126を通過後、ビーム・スプリッタ128に
よって反射され、ウォラストン・プリズム109に送ら
れる。さらに反射光はウォラストン・プリズム109に
よって互いに直交する2つの偏光成分に分離され、検出
レンズ115によってそれぞれ別の光検出器116,1
17に照射される。したがって光検出器116,117
は光スポット部分における反射光の偏光成分強度信号を
出力する。この各偏光成分強度信号は増幅器109によ
って適当なレベルまで増幅された後に反射光の偏光面方
向を反映した信号と反射光強度信号に変換され、アドレ
ス認識回路105,復号器106およびアクチュエータ
駆動回路110に入力される。アドレス認識回路105
は先の反射光強度信号から光スポットの走査位置を解析
し、システム・コントローラ104に伝達する。システ
ム・コントローラ104は光スポットの位置情報および
外部機器からの記録再生要求に従って、アクチュエータ
駆動回路110,磁気ヘッド駆動回路107およびレー
ザ駆動回路108の制御を適宜行う。アクチュエータ駆
動回路110はシステム・コントローラ104からの指
示および反射光強度信号に従って、目的の情報記録トラ
ック(図示せず)の中心位置を光スポットが適切なサイ
ズで走査するようにVCM(Voice Coil M
otor)112およびレンズ・アクチュエータ125
の駆動を行う。VCM112はこの駆動信号に従いジン
バル・アーム124の先に固定された球面SIL122
および記録コイル123を移動させ、記録膜119上の
任意位置に位置づける。球面SIL122上にはレンズ
・アクチュエータ125の基部が積載されている。
【0014】情報の記録時においては、記録すべきユー
ザ・データ100が外部機器とのインタフェース回路1
01を介してシステム・コントローラ104によって受
け取られ、必要に応じてエラー検出,訂正情報等の付加
後、符号器103に伝えられる。符号器103はユーザ
・データ100に所定の変換を施し、媒体上の記録マー
クの配列を反映した信号を生成する。ここで符号器10
3の変換動作には特段の制限があるわけではなく、任意
の変調規則に従うものでよい。記録波形発生回路102
はこの変換結果を参照し、記録磁界の制御信号およびレ
ーザ発光強度の制御信号を発生する。磁気ヘッド駆動回
路107はシステム・コントローラ104からの指示を
受け、記録磁界の制御信号に従って記録コイル123を
駆動し、光スポット部分に記録磁界を発生する。またレ
ーザ駆動回路108もシステム・コントローラ104か
らの指示を受け、レーザ発光強度の制御信号に従って記
録エネルギー源である半導体レーザ113を駆動する。
半導体レーザ113から出射されたレーザ光はコリメー
ト・レンズ114,ビーム・スプリッタ128を経由
し、対物レンズ126および球面SIL122によって
絞り込まれ、基板上の記録膜119を加熱する。記録膜
119は膜面垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁気記
録膜であり、常温での保磁力は外部から印加される記録
磁界よりも高く、記録時のレーザ光による加熱時の保磁
力は記録磁界よりも低いものとする。後述する通りレー
ザ光による加熱および記録磁界を適切に制御することに
より、記録膜119上に所望の記録マークを形成するこ
とができる。
【0015】情報の再生時においては、記録膜119表
面を光スポットによって走査し、カー効果およびファラ
デー効果による反射光の偏光面方向から磁化分布を検出
する。復号器106は反射光の偏光面方向を反映した信
号を参照し、符号器103の逆変換を施すことにより記
録されていたデータを復元して復元結果をシステム・コ
ントローラ104に伝える。システム・コントローラ1
04は必要に応じてエラー検出,訂正等の処理を行い、
インタフェース回路101を介して外部機器に再生され
たユーザ・データ100を受け渡す。
【0016】第2図は本発明による情報記録再生装置の
構成例を示した第2の実施例である。記録または再生動
作に並行して行われる記録,再生位置情報の取得は次の
通り行われる。すなわち半導体レーザ216から出射さ
れたレーザ光は回折格子217を通過する。さらに回折
格子217によるレーザ光の0次回折光はスライダ21
9を構成するグレーティングSIL218によって収束
され、基板221上に形成された記録膜222上に光ス
ポット(図示せず)を結ぶ。ここで半導体レーザ216
から出射されるレーザ光の強度は記録膜222上の記録
マーク(反転磁区,図示せず)を破壊しない程度に十分
に低いものとする。また半導体レーザ216,光検出器
214および回折格子217相互の位置関係が一定とな
るように固定されており、これらはレーザ・アクチュエ
ータ226によって連動して移動する。次に記録膜22
2からの反射光はグレーティングSIL218,回折格
子217を逆に通過後、回折格子217による±1次回
折光が光検出器216上に絞り込まれる。したがって光
検出器216は記録膜222の光照射部分における反射
光強度信号を出力する。反射光強度信号は増幅器209
によって適当なレベルまで増幅された後に、アドレス認
識回路205およびアクチュエータ駆動回路210に入
力される。また以上で説明した光による反射率検出と同
時に、GMR素子223は記録膜222の表面を走査
し、磁束分布の検出を行う。記録マークまたは反転磁区
の配列を反映したGMR素子223の出力は増幅器21
1によって必要なレベルまで増幅された後に、復号器2
06,アクチュエータ駆動回路210およびアドレス認
識回路205に入力される。アドレス認識回路205は
先の反射光強度信号およびGMR素子信号から各々の走
査位置を解析し、システム・コントローラ204に伝達
する。システム・コントローラ204は光照射位置およ
びGMR素子223の位置情報および外部機器からの記
録再生要求に従って、アクチュエータ駆動回路210,
磁気ヘッド駆動回路207,レーザ駆動回路208の制
御を適宜行う。アクチュエータ駆動回路210はシステ
ム・コントローラ204からの指示,反射光強度信号お
よびGMR素子信号に従って、目的の情報記録トラック
(図示せず)の中心位置を光スポットが適切なサイズで
走査するよう、あるいはGMR素子223が目的の情報
記録トラックの中心位置を適切に走査するようにVCM
212,213,レーザ・アクチュエータ226の駆動
を行う。VCM212,213はこの駆動信号に従いジ
ンバル・アーム225,215の先に固定されたスライ
ダ219,224をそれぞれ移動させ、記録膜222上
の任意位置に位置づける。スライダ224上にはGMR
素子223が、スライダ219上にはグレーティングS
IL218,記録コイル220およびレーザ・アクチュ
エータ226の基部が積載されており、レーザ・アクチ
ュエータ226の動作によってレーザ光が記録膜222
上に適切に絞り込まれるよう調整される。
【0017】情報の記録時においては、記録すべきユー
ザ・データ200が外部機器とのインタフェース回路2
01を介してシステム・コントローラ204によって受
け取られ、必要に応じてエラー検出,訂正情報等の付加
後、符号器203に伝えられる。符号器203はユーザ
・データ200を所定の変換規則に従って変換し、記録
膜222上の記録マークの配列を反映した信号を生成す
る。記録波形発生回路202はこの信号を参照し、記録
磁界の制御信号およびレーザ発光強度の制御信号を発生
する。磁気ヘッド駆動回路207はシステム・コントロ
ーラからの指示を受け、記録磁界の制御信号に従って記
録コイル220を駆動し、レーザ光照射位置に記録磁界
を発生する。またレーザ駆動回路208もシステム・コ
ントローラ204からの指示を受け、レーザ発光強度の
制御信号に従って記録エネルギー源である半導体レーザ
216を駆動する。半導体レーザ216から出射された
レーザ光は回折格子217,グレーティングSIL21
8を経た後、基板221上の記録膜222を加熱する。
ここでレーザ光による加熱領域は記録磁界の印加領域に
比べて狭いものとする。記録膜222は膜面垂直方向に
磁化容易軸を有する垂直磁気記録膜であり、常温での保
磁力は外部から印加される記録磁界よりも高く、記録時
のレーザ光による加熱時の保磁力は記録磁界よりも低い
ものとする。後述する通りレーザ光による加熱を制御す
ることにより、記録膜222上に所望の記録マークを形
成することができる。
【0018】情報の再生時においては、記録膜222の
表面をGMR素子223によって走査し、磁束分布を検
出する。記録マークの配列を反映したGMR素子223
の出力は増幅器2211によって必要なレベルまで増幅
された後に、アクチュエータ駆動回路210,復号器2
06およびアドレス認識回路205に入力される。復号
器206は符号器203の逆変換を施すことにより記録
されていたデータを復元し、復元結果をシステム・コン
トローラ204に伝える。システム・コントローラ20
4は必要に応じてエラー検出,訂正等の処理を行い、イ
ンタフェース回路201を介して外部機器に再生された
ユーザ・データ200を受け渡す。
【0019】以上の構成では記録動作を行うグレーティ
ングSIL218および記録コイル220を積載したス
ライダ219と、再生動作を行うGMR素子223を積
載したスライダ224が独立しているため、記録動作と
再生動作を完全に独立に平行して行うことができる。ま
たスライダ219,224のシーク頻度を低減すること
ができ、情報のアクセス速度を大幅に改善することが可
能となる。
【0020】第3図は第1図および第2図で示された本
発明による情報記録再生装置の動作の一例を詳細に説明
した図である。今、記録時にユーザ・データが符号器で
変換され、記録データ300が得られたものとする。記
録データ300は記録波形発生回路を介して磁気ヘッド
駆動回路に伝えられ、記録膜上の光スポット周辺に記録
磁界を発生する。記録磁界は記録膜に垂直に印加される
ものとする。また同時にレーザ駆動回路はレーザ発光強
度301で示した通り、記録マーク長の最小変化単位
(検出窓幅)に同期したパルス状に半導体レーザを駆動
する。光スポットによる加熱領域では記録膜の保磁力が
低下して記録磁界を下回り、その領域の磁化が記録磁界
の方向にならう。これは熱磁気記録と呼ばれる記録方法
である。記録膜は光スポットの走査にともない加熱領域
の中心を移しながら加熱されるので、光パルスの照射ご
とに略円形領域の磁化方向が決定される。光パルスの照
射間隔を短縮してゆくと前記の略円形領域が重なり合
い、光パルスの照射ごとにあたかも三日月状の領域の磁
化方向が決定できるようになる。記録マーク303はこ
の様子を表したもので、レーザ発光強度301および記
録磁界302に示された記録動作を行った場合に形成さ
れる記録膜上の記録マーク形状を見たものである。光ス
ポットは紙面左から右に向かって走査し、記録磁界が正
の場合には紙面上向き方向の磁区(黒色)が、記録磁界
が負の場合には紙面下向きの磁区(白色)が形成され
る。以上は光パルス磁界変調記録方式として広く知られ
た記録方式である。磁界変調記録方式では記録磁区のサ
イズ(走査方向の磁壁間隔)が光スポットのサイズに律
則されないため、微小な記録マークの形成において極め
て有利な方法である。光パルス磁界変調方式で高速な記
録を行うためには記録磁界302を高速に反転させる必
要がある。
【0021】情報の再生時には記録マーク303をGM
R素子で走査し、再生信号304を得る。再生信号30
4は元の記録データ300を反映しており、必要に応じ
て増幅,等化,2値化,復号等の処理を施されてユーザ
・データに復元される。
【0022】以上第1図および第2図を用いて説明した
通り、本発明では第1の従来技術とは異なり、基板越し
に磁界を印加する必要がない。第1の従来技術では記録
磁界発生手段の構造上、必然的に基板厚さと同程度の直
径を持つ領域に記録磁界を発生することになる。一方本
発明では記録磁界印加領域を最小限の面積とすることが
可能であり、結果として少ない消費電力で高速記録を行
うことが可能となる。さらに本発明では基体の片側から
記録および再生動作を行うことが可能となる。また基体
が光源の波長に関して透過性を有する必要がなくなるた
め基体の材質に関する自由度が高まり、薄く機械特性に
優れ安価な基体を用いることが可能となる。したがって
装置サイズおよび記録媒体コストの点で極めて有利とな
る。加えて記録エネルギーの収束経路が基体を介さない
ため基体の厚さ誤差の問題が解決され、同時に基体と光
軸のなす角度の誤差に関しての許容範囲が広がる。した
がって記録再生装置および記録媒体の機械的な精度を緩
和でき、装置製造コストの点で極めて有利となる。
【0023】また本発明では第2の従来技術とは異な
り、記録磁界発生手段とエネルギー収束手段が基板を挟
んで対向配置されていない。第2の従来技術では記録磁
界発生手段とエネルギー収束手段を同時に移動させるた
め、一般に記録媒体の外周部側を迂回して両者を結合す
る構造材が使用されており、温度変化による支持部材の
熱膨張,シーク性能および耐衝撃等の点で不利であっ
た。また記録磁界発生手段とエネルギー収束手段位置を
記録再生装置製造時に精密に位置合わせする必要があ
り、これらの位置を直接確認することが困難であるため
に、装置製造コストの点で極めて不利であった。一方本
発明では記録磁界発生手段とエネルギー収束手段が同一
のスライダ上に積載されており、両者の間隔は極めて接
近していて大きな構造材を設ける必要がない。このため
温度変化による支持部材の熱膨張,シーク性能および耐
衝撃等の点で極めて有利となる。また両者の位置合わせ
も記録磁界発生手段内のアパーチャを通過するエネルギ
ー量を観測するだけで済む。これらの理由から装置製造
コストの点で極めて有利となる。
【0024】第4図は第1図のスライダの球面SIL1
22付近の構造例を詳細に説明した図であり、おもに記
録コイル406および球面SIL403の2つの部分か
ら構成されている。図4は記録エネルギーであるレーザ
光が通過するアパーチャの中央を通り、記録膜面に垂直
な平面による断面図である。
【0025】球面SIL403は底面に環状の凹部を有
し、その中央には突起を有する。凹部には記録磁界発生
手段である記録コイル406がメッキ等で直接形成され
ている。記録コイル406は螺旋状に形成されたコイル
導体405の間隙を絶縁体であるコイル支持材404が
充填している構造となっている。また記録コイル406
の片側面には高透磁率材料によるヨーク401が設けら
れており、コイル導体405の発生する磁束を集めてア
パーチャ402付近に導く。ここで球面SIL403の
突部と記録コイル406の高さは等しく、さらにその表
面にはスパッタ等によって保護膜408が形成されてい
る。記録エネルギーが収束される記録膜面部分に記録コ
イル406が効率よく膜面垂直方向の記録磁界を発生す
るために、保護膜408の厚さはアパーチャ402の直
径と同程度かそれよりも薄くなっている。また、効率の
よい記録磁界を発生するために、磁界発生手段である記
録コイルで囲まれた面積、すなわち、出力磁束の断面面
積はアパーチャ402の面積とほぼ同一となっている。
アパーチャ402の面積はエネルギー収束手段である球
面SIL403の入射光の断面面積よりも小さく、磁界
発生手段が球面SIL403の外側に設けられるよりも
アパーチャ402部分に磁界が集中するので、記録磁界
の効率がよくなることは明らかである。保護膜408に
は記録媒体からの浮上量を制御するためのABS(Ai
r Bearing Slider)が形成されてお
り、特にアパーチャ402付近のABS部は記録媒体に
効率よくレーザ光エネルギーを伝達するために鏡面処理
が施されている。またレーザ光の反射を防ぎエネルギー
利用効率を確保するために、球面SIL403の表面に
は無反射コーティングが施されていることがより望まし
い。さらにレーザ光の反射を防ぎエネルギー利用効率を
確保するために、球面SIL403および保護膜408
の屈折率はほぼ等しくなっている。また保護膜408は
レーザ光を透過し同時に耐摩耗性を確保するために、酸
化アルミニウム,二酸化珪素や窒化珪素等の高い硬度を
有する材質からなる。
【0026】第5図は第1図の球面SIL122付近の
他の構造例を詳細に説明した図であり、記録膜面側から
順に保護板508,記録コイル506および球面SIL
503のおもに3つの部分から構成されている。図5は
記録エネルギーであるレーザ光が通過するアパーチャの
中央を通り、記録膜面に垂直な平面による断面図であ
る。
【0027】記録膜面に対向する保護板508の底面に
は記録媒体からの浮上量を制御するためのABSが形成
されている。特にアパーチャ502直下のABS部は記
録媒体に効率よくレーザ光を伝達するために鏡面処理が
施されている。保護板508の上部には記録磁界発生手
段である記録コイル506が配置されている。記録コイ
ル506は螺旋状に形成されたコイル導体505の間隙
を絶縁体であるコイル支持材504が充填している構造
となっており、中央部には記録エネルギーを透過させる
アパーチャ502を有する。また記録コイル506の片
側面には高透磁率材料によるヨーク501が設けられて
おり、コイル導体505の発生する磁束を集めてアパー
チャ502付近に導く。記録エネルギーが収束される記
録膜面部分に記録コイル506が効率よく膜面垂直方向
の記録磁界を発生するために、保護板508の厚さはア
パーチャ502の直径と同程度かそれよりも薄くなって
いる。記録コイル506の上部には球面SIL503が
配置されており、球面SIL503は記録コイル506
のアパーチャ502および保護板508を通してレーザ
光を記録膜面表面に絞り込む。レーザ光の反射を防ぎエ
ネルギー利用効率を確保するために、球面SIL503
の表面には無反射コーティングが施されていることがよ
り望ましい。
【0028】ここで保護板508,記録コイル506お
よび球面SIL503は互いに接着されており、さらに
記録コイル506のアパーチャ502には透明樹脂50
7が充填されている。透明樹脂507と接着剤は兼用さ
れていても良い。また保護板508と記録コイル506
が別個の部品として形成後に接着されることは本発明の
必須要件ではなく、保護板508を基板としてその上に
メッキ等によって記録コイル506を積層する等の製法
によっても良い。さらにレーザ光の反射を防ぎエネルギ
ー利用効率を確保するために、透明樹脂507,球面S
IL503および保護板508の屈折率はほぼ等しくな
っている。また保護板508はレーザ光を透過し同時に
耐摩耗性を確保するために、酸化アルミニウム,二酸化
珪素や窒化珪素等の高い硬度を有する材質からなる。
【0029】第6図は第2図のスライダ部分の他の構造
例を詳細に説明した図であり、おもに記録コイル606
およびグレーティングSIL603の2つの部分から構
成されている。図6は記録エネルギーであるレーザ光が
通過するアパーチャの中央を通り、記録膜面に垂直な平
面による断面図である。
【0030】グレーティングSIL603は底面に環状
の凹部を有し、その中央には突起を有する。凹部には記
録磁界発生手段である記録コイル606がメッキ・プロ
セス等で直接形成されている。記録コイル606は螺旋
状に形成されたコイル導体605の間隙を絶縁体である
コイル支持材604が充填している構造となっている。
また記録コイル606の片側面には高透磁率材料による
ヨーク601が設けられており、コイル導体605の発
生する磁束を集めてアパーチャ602付近に導く。ここ
でグレーティングSIL603の突部と記録コイル60
6の高さは等しく、さらにその表面にはスパッタ等によ
って保護膜608が形成されている。記録エネルギーが
収束される記録膜面部分に記録コイル606が効率よく
膜面垂直方向の記録磁界を発生するために、保護膜60
8の厚さはアパーチャ602の直径と同程度かそれより
も薄くなっている。保護膜608には記録媒体からの浮
上量を制御するためのABSが形成されており、特にア
パーチャ602付近のABS部は記録媒体に効率よくレ
ーザ光エネルギーを伝達するために鏡面処理が施されて
いる。さらにレーザ光の反射を防ぎエネルギー利用効率
を確保するために、グレーティングSIL603および
保護膜608の屈折率はほぼ等しくなっている。また保
護膜608はレーザ光を透過し同時に耐摩耗性を確保す
るために、酸化アルミニウム,二酸化珪素や窒化珪素等
の高い硬度を有する材質からなる。
【0031】第7図は図2のスライダ部分のさらに他の
構造例を詳細に説明した図であり、記録膜面側から順に
保護板708,記録コイル706およびグレーティング
SIL703のおもに3つの部分から構成されている。
図7は記録エネルギーであるレーザ光が通過するアパー
チャの中央を通り、記録膜面に垂直な平面による断面図
である。
【0032】記録膜面に対向する保護板の底面には記録
媒体からの浮上量を制御するためのABSが形成されて
いる。特にアパーチャ702直下のABS部は記録媒体
に効率よくレーザ光を伝達するために鏡面処理が施され
ている。保護板708の上部には記録磁界発生手段であ
る記録コイル706が配置されている。記録コイル70
6は螺旋状に形成されたコイル導体705の間隙を絶縁
体であるコイル支持材704が充填している構造となっ
ており、中央部には記録エネルギーを透過させるアパー
チャ702を有する。また記録コイル706の片側面に
は高透磁率材料によるヨーク701が設けられており、
コイル導体705の発生する磁束を集めてアパーチャ7
02付近に導く。記録エネルギーが収束される記録膜面
部分に記録コイル706が効率よく膜面垂直方向の記録
磁界を発生するために、保護板708の厚さはアパーチ
ャ702の直径と同程度かそれよりも薄くなっている。
記録コイル706の上部にはグレーティングSIL70
3が配置されており、グレーティングSIL703は記
録コイルのアパーチャ702および保護板708を通し
てレーザ光を記録膜面表面に絞り込む。レーザ光の反射
を防ぎエネルギー利用効率を確保するために、グレーテ
ィングSIL703の表面には無反射コーティングが施
されていることがより望ましい。
【0033】ここで保護板708,記録コイル706お
よびグレーティングSIL703は互いに接着されてお
り、さらに記録コイル706のアパーチャ702には透
明樹脂707が充填されている。透明樹脂707と接着
剤は兼用されていても良い。また保護板708と記録コ
イル706が別個の部品として形成後に接着されること
は本発明の必須要件ではなく、保護板708を基板とし
てその上にメッキ等によって記録コイル706を積層す
る等の製法によっても良い。さらにレーザ光の反射を防
ぎエネルギー利用効率を確保するために、透明樹脂70
7,グレーティングSIL703および保護板708の
屈折率はほぼ等しくなっている。また保護板708はレ
ーザ光を透過し同時に耐摩耗性を確保するために、酸化
アルミニウム,二酸化珪素や窒化珪素等の高い硬度を有
する材質からなる。
【0034】以上説明した通り第4,5,6および7図
の例では記録膜に対向する部分が単一の材料で形成され
ているためにABSの形成が容易であり、加えて偏摩耗
が起こりにくく安定した浮上特性を長期間にわたって維
持しやすい利点を有する。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、基体の片側から記録お
よび再生動作を安定に行うことが可能となり、装置内の
空間利用効率が改善される。加えて基体の材質に関する
自由度が高まり、薄く,機械特性に優れ,安価な基体を
用いることが可能となる。またエネルギーの収束が基体
を経由しないため、基体の厚さ誤差の問題が解決され、
同時に基体と光軸のなす角度の誤差に関しての許容範囲
が広がる。さらにエネルギー収束手段および記録磁界発
生手段を記録媒体上の任意位置に位置づける手段を共用
することが容易となり、両者の距離が接近するために温
度変化による支持部材の熱膨張,衝撃等に関して極めて
有利となる。また高速記録のため記録磁界印加領域を狭
くした場合でもエネルギー収束手段および記録磁界発生
手段の位置関係の調整が容易となる。さらに記録磁界発
生手段およびエネルギー収束手段の滑走面が単一の材質
で形成されることにより、偏摩耗の問題が大きく改善さ
れる。
【0036】以上により情報記録再生装置の高速化,高
信頼化が図られ、大容量の情報記録再生装置を小型かつ
安価に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による情報記録再生装置の構成例を示し
た第1の図。
【図2】本発明による情報記録再生装置の構成例を示し
た第2の図。
【図3】本発明による情報記録再生装置の動作例を示し
た図。
【図4】本発明による情報記録再生装置におけるスライ
ダ部の構成例を示した第1の図。
【図5】本発明による情報記録再生装置におけるスライ
ダ部の構成例を示した第2の図。
【図6】本発明による情報記録再生装置におけるスライ
ダ部の構成例を示した第3の図。
【図7】本発明による情報記録再生装置におけるスライ
ダ部の構成例を示した第4の図。
【符号の説明】 107,207 …
磁気ヘッド駆動回路 108,208 …
レーザ駆動回路 109 …
ウォラストン・プリズム 112,212,213 …
VCM 113,216 …
半導体レーザ 116,117,214 …
光検出器 223 …
GMR素子 119,222 …
記録膜 122,403,503 …
球面SIL 123,220,406,506,606,706 …
記録コイル 125 …
レンズ・アクチュエータ 126 …
対物レンズ 217 …
回折格子 218,603,703 …
グレーティングSIL 226 …
レーザ・アクチュエータ 402,502,602,702 …
アパーチャ 408,608 …
保護膜 507,707 …
透明樹脂 508,708 …
保護板 609,709 …
グレーティング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 助田 裕史 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 5D075 AA03 CD17 CF03 CF08 5D119 AA40 BA01 JA43 JA70 LB09 MA06

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基体表面に製膜された磁気記録膜上に反転
    磁区を形成することにより情報の記録を行う情報再生記
    録装置において、記録エネルギー源であるエネルギー発
    生手段と、該記録エネルギーを前記記録膜上に収束する
    エネルギー収束手段及び該記録エネルギーの収束位置近
    傍に磁界を発生する磁界発生手段を積載し、該記録膜表
    面に対向する面が単一の材質からなり該記録膜表面を滑
    走するスライダとを有することを特徴とする情報記録再
    生装置。
  2. 【請求項2】基体表面に製膜された磁気記録膜上に反転
    磁区を形成することにより情報の記録を行う情報再生記
    録装置において、記録エネルギー源であるエネルギー発
    生手段と、該記録エネルギーを前記記録膜上に収束する
    エネルギー収束手段及び該記録エネルギーの収束位置近
    傍に磁界を発生する磁界発生手段とを搭載し、該記録膜
    表面に対向する面が該記録エネルギーを透過する単一の
    材質からなり該記録膜表面を滑走するスライダとを有す
    ることを特徴とする情報記録再生装置。
  3. 【請求項3】基体表面に製膜された磁気記録膜上に反転
    磁区を形成することにより情報の記録を行う情報再生記
    録装置において、記録エネルギー源であるエネルギー発
    生手段と、磁界発生位置に該記録エネルギーを透過する
    構造を有する磁界発生手段と該磁界発生手段の該透過構
    造を通して該記録エネルギーを前記記録膜上に収束する
    エネルギー収束手段とを具備するとともに該記録膜表面
    に対向する面が該記録エネルギーを透過する単一の材質
    からなり該記録膜表面を滑走するスライダとを有するこ
    とを特徴とする情報記録再生装置。
  4. 【請求項4】請求項3に記載の情報記録再生装置におい
    て、前記記録膜と前記磁界発生手段の間の距離が前記透
    過構造の内径よりも短いことを特徴とする情報記録再生
    装置。
  5. 【請求項5】請求項4に記載の情報記録再生装置におい
    て、前記エネルギー収束手段が前記スライダに積載され
    ていることを特徴とする情報記録再生装置。
  6. 【請求項6】基体表面に製膜された磁気記録膜上に反転
    磁区を形成することにより情報の記録を行う情報再生記
    録装置において、記録エネルギー源であるエネルギー発
    生手段と、該記録エネルギーを前記記録膜上に収束する
    エネルギー収束手段と該記録エネルギーの収束位置近傍
    に磁界を発生する磁界発生手段とを具備するとともに該
    記録エネルギーを透過し該記録膜表面を滑走するスライ
    ダとを有することを特徴とする情報記録再生装置。
  7. 【請求項7】基体表面に製膜された磁気記録膜上に反転
    磁区を形成することにより情報の記録を行う情報再生記
    録装置において、記録エネルギー源であるエネルギー発
    生手段と、磁界発生位置に該記録エネルギーを透過する
    構造を有する磁界発生手段と該磁界発生手段の該透過構
    造を通して該記録エネルギーを前記記録膜上に収束する
    エネルギー収束手段とを具備するとともに該記録膜表面
    を滑走するスライダとを有することを特徴とする情報記
    録再生装置。
  8. 【請求項8】請求項7に記載の情報記録再生装置におい
    て、スライダの厚みが前記透過構造の内径よりも小さい
    ことを特徴とする情報記録再生装置。
  9. 【請求項9】請求項8に記載の情報記録再生装置におい
    て、前記エネルギー収束手段が前記スライダに積載され
    ていることを特徴とする情報記録再生装置。
  10. 【請求項10】請求項1乃至9のいずれかに記載の情報
    記録再生装置において、前記記録エネルギーは熱又は光
    エネルギーであることを特徴とする情報記録再生装置。
  11. 【請求項11】請求項1乃至10のいずれかに記載の情
    報記録再生装置において、前記エネルギー収束手段のエ
    ネルギー入射面の断面面積は上記磁界発生手段の出力磁
    束断面面積よりも大きいことを特徴とする情報記録再生
    装置。
JP10352264A 1998-12-11 1998-12-11 情報記録再生装置 Pending JP2000182291A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6970400B1 (en) * 1999-09-27 2005-11-29 Hitachi Maxell, Ltd. Information recording medium with magnetic marks, recording and reproducing apparatus therefor, and head positioning method using detected magnetic leakage fields from the magnetic marks

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6970400B1 (en) * 1999-09-27 2005-11-29 Hitachi Maxell, Ltd. Information recording medium with magnetic marks, recording and reproducing apparatus therefor, and head positioning method using detected magnetic leakage fields from the magnetic marks

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