JP2000180206A - 磁気検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被検出体と、検出体と、検出体の出力信号を
異なる信号形態に変換する信号処理回路を備え、検出体
と信号処理回路が同一チップ上に形成されている磁気検
出装置において、低分解能用と高分解能用のチップを共
用化することが可能な磁気検出装置を得る。 【解決手段】 チップに複数個の検出体３を形成するた
めの領域を設け、この領域に信号処理回路と接続するた
めの端子を複数個設け、一部の端子に選択的に検出体を
接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば歯車状の
磁性回転体の回転角度や回転位置を検出する磁気検出装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１６及び図１７は、従来の磁気検出装
置を示す磁気回路の模式図、図１８はその磁気検出装置
の電気回路図である。図１６は低分解能タイプの磁気検
出装置であり、（ａ）乃至（ｃ）はその側面図、斜視
図、部分平面図である。また、図１７は高分解能タイプ
の磁気検出装置であり、（ａ）乃至（ｃ）はその側面
図、斜視図、部分平面図である。

【０００３】この従来の磁気検出装置は、図１６及び図
１７に示すように、直方体形状の磁石１と、この磁石１
の上面に設けられ、検出体である磁気検出素子３と、半
導体集積回路よりなる信号処理回路５（図１８）が内蔵
されたチップ７とを有している。図１８に示すように、
信号処理回路５は、差動増幅回路５ａ、交流結合回路５
ｂ、比較回路５ｃ、出力回路５ｄ等により構成される。

【０００４】この従来の磁気検出装置では、磁気検出装
置に接近して設けられた歯車状の磁性回転体９の回転に
より、磁性回転体９の凹部９ａと凸部９ｂとがチップ７
の磁気検出素子３に交互に接近し、そのため磁石１から
磁気検出素子３に印加される磁界が変化する。この磁界
の変化が磁気検出素子３により電圧の変化として検出さ
れ、この電圧の変化が、図１８に示すチップ７内の信号
処理回路５、すなわち差動増幅回路５ａ、交流結合回路
５ｂ、比較回路５ｃ、出力回路５ｄを経てパルス波の電
気信号として外部に出力される。この電気信号は、コン
ピュータユニット（図示せず）に送られ、そこで電気信
号に基づいて磁性回転体９の回転位置すなわち回転角度
が検出される。

【０００５】以下、この従来の磁気検出装置の詳細につ
いて説明する。

【０００６】一般的に、磁気検出素子３には、磁気抵抗
素子（以下、ＭＲ素子という）、もしくは巨大磁気抵抗
素子（以下、ＧＭＲ素子という）が用いられるが、その
動作はほぼ同じであるため、以下、ＭＲ素子を用いた場
合の動作について詳細に説明する。

【０００７】ＭＲ素子は、例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ一
Ｃｏ等の強磁性体の薄膜の磁化方向と電流方向のなす角
度によって抵抗値が変化する素子である。このＭＲ素子
は、電流方向と磁化方向が直角に交わるときに抵抗値が
最小になり、０度すなわち電流方向と磁化方向が同一あ
るいは全く逆方向になるとき抵抗値が最大になる。この
抵抗値の変化をＭＲ変化率と呼び、一般に、Ｎｉ−Ｆｅ
で２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。

【０００８】磁性回転体９が回転することにより、ＭＲ
素子に印加される磁界が変化し、抵抗値が変化する。そ
こで、磁界の変化を検出するために、ＭＲ素子（ＭＲ素
子Ａ及びＭＲ素子Ｂ）によりブリッジ回路を形成し、こ
のブリッジ回路に定電圧、定電流の電源を接続し、ＭＲ
素子の抵抗値変化を電圧変化に変換して、これらのＭＲ
素子に作用している磁界変化を検出することが考えられ
る。

【０００９】このような磁気検出装置は、図１８に示す
ように、ＭＲ素子を用いたブリッジ回路３ａと、このブ
リッジ回路３ａの出力を増幅する差動増幅回路５ａと、
この差動増幅回路５ａの出力の直流成分を除去する交流
結合回路５ｂと、この交流結合回路５ｂの出力を基準値
と比較して“０”または“１”の信号を出力する比較回
路５ｃ、この比較回路５ｃの出力を受けてスイッチング
する出力回路５ｄとを備える。

【００１０】ブリッジ回路３ａは、２つのＭＲ素子Ａ、
ＭＲ素子Ｂを有し、一方は電源端子ＶＣＣに接続され、
他方は接地され、それぞれの他端は接続点である中点Ａ
に接続される。そして、ブリッジ回路５ａの中点Ａが抵
抗器１１を介して差動増幅回路５ａのアンプ１３の反転
入力端子に接続される。また、アンプ１３の非反転入力
端子は、抵抗器１５を介して基準電源を構成する分圧回
路１７に接続され、更に抵抗器１９を介して接地され
る。分圧回路１７は、電源端子ＶＣＣと接地間に互いに
直列に接続された抵抗器１７ａ，１７ｂよりなり、これ
ら抵抗器１７ａ，１７ｂの接続点に抵抗器１５の一端が
接続されている。アンプ１３の出力端子は抵抗器２１を
介して自己の反転入力端子に接続されると共に、交流結
合回路５ｂのコンデンサ２３に接続される。交流結合回
路５ｂは１つのコンデンサ２３と抵抗器２５とから構成
され、コンデンサ２３の他端は抵抗器２５と接続されて
比較回路５ｃのアンプ２７の反転入力端子に接続され
る。また、抵抗器２５の他端は比較回路５ｃの基準電源
を構成する分圧回路２９に接続される。分圧回路２９
は、電源端子ＶＣＣと接地間に互いに直列に接続された
抵抗器２９ａ，２９ｂよりなり、これら抵抗器２９ａ，
２９ｂの接続点に抵抗器２５の一端が接続されている。
比較回路５ｃのアンプ２７の非反転入力端子は基準電源
を構成する分圧回路２９に接続されると共に、抵抗器３
１を介して自己の出力端子に接続される。そして、アン
プ２７の出力端子は抵抗器３３を介して電源端子ＶＣＣ
に接続されると共に、出力回路５ｄのトランジスタ３５
のべースに接続され、そのコレクタは出力端子３７に接
続されると共に、抵抗器３９を介して電源端子ＶＣＣに
接続され、そのエミッタは接地される。

【００１１】なお、図１６の低分解能タイプと図１７の
高分解能タイプとでは、磁性回転体９の外周に形成され
る凹凸部の間隔すなわち個数が異なっており、低分解能
タイプでは凹凸部の間隔が広く、高分解能用タイプでは
凹凸部の間隔が狭くなっている。そして、これに対応し
て磁気検出素子３を構成するＭＲ素子Ａ，Ｂの配置が異
なっている。すなわち、低分解能タイプでは、図１６に
示すように、ＭＲ素子Ａ，Ｂが磁性回転体９の外周の凹
凸部９ａ，９ｂと対向する方向に整列して配置されてお
り、また、高分解能用タイプでは、図１７に示すよう
に、ＭＲ素子Ａ，Ｂは磁性回転体９の外周の凹凸部９
ａ，９ｂと対向する方向に直交する方向に整列して配置
されている。

【００１２】図１９、図２０は磁性回転体９が回転して
いる時の波形処理動作を示す波形図である。磁性回転体
９が回転することで、ＭＲ素子Ａ、ＭＲ素子Ｂには磁界
変化が与えられ、差動増幅回路５ａの出力側には、図１
９（ｂ）及び図２０（ｂ）に示す様な、図１９（ａ）及
び図２０（ａ）に示す磁性回転体９の凹凸部９ａ，９ｂ
に対応した出力が得られる。この差動増幅回路５ａの出
力は交流結合回路５ｂに供給され、直流成分が除去され
ると同時に、基準電圧（例えば１／２ＶＣＣ）が直流成
分として印加される。そして、この交流結合回路５ｂの
出力は比較回路５ｃに供給され、図１９（ｃ）及び図２
０（ｃ）に示す様に、比較レベルである基準値と比較さ
れて、“０”または“１”の信号に変換され、この信号
は更に出力回路５ｄで波形成形され、この結果、その出
力端子３７には、図１９（ｄ）及び図２０（ｄ）に示す
ように、その立上り、立下りの急峻な”０”または
“１”の出力が得られる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気検出装
置においては、図１６、図１７からも明らかなように、
低分解能用と高分解能用では、ＭＲ素子の配設位置が異
なるため、それぞれに対し異なるチップが必要であると
いう問題点があった。

【００１４】この発明は、前述のような問題点を解決し
ようとするものであり、低分解能用と高分解能用のチッ
プを共用化した磁気検出装置を得ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、この発明の磁気検出装置は、回転する被検出体と、
前記被検出体との磁気的相互作用により、該被検出体の
回転位置を検出する検出体と、検出体の出力信号を異な
る信号形態に変換する信号処理回路とを備え、前記検出
体と前記信号処理回路とは同一チップ上に形成され、さ
らに前記チップには、複数個の検出体を形成するための
領域を設けたものである。

【００１６】前記検出体を形成する領域に信号処理回路
と接続するための端子を複数個設け、一部の端子に選択
的に前記検出体を接続したものである。

【００１７】前記端子の少なくとも１つは電源端子もし
くは接地端子としたものである。

【００１８】前記端子の少なくとも１つはブリッジの中
点としたものである。

【００１９】前記端子に前記検出体を直接接続したもの
である。

【００２０】前記端子と前記検出体の接続に導電性樹脂
を用いたものである。

【００２１】前記端子と前記検出体の接続に金属ワイヤ
を用いたものである。

【００２２】前記被検出体は、外周部に凹凸を設けた磁
性回転体よりなり、前記検出体はブリッジ状に接続され
た複数のＭＲ素子或いはＧＭＲ素子を備えるものであ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して説明する。以下の説明において、
上述の従来例と同一或いは対応する部分は同一の符号を
付した。

【００２４】実施の形態１．図１、図２はこの発明の実
施の形態１に係る磁気検出装置のチップレイアウトを示
す図であり、図１は低分解能用、図２は高分解能用であ
る。図１、図２中の（ａ）、（ｂ）はＭＲ素子Ａ、Ｂの
接続を変更した時の具体的なレイアウトである。

【００２５】本実施の形態１においては、検出体として
の１つの磁気検出素子３０は一対のＭＲ素子Ａ、Ｂで構
成され、信号処理回路を内蔵した半導体チップ７の表面
には、一対のＭＲ素子Ａ、Ｂの搭載のための領域が低分
解能用と高分解能用のために２ヶ所設けてられている。
一対の低分解能用の領域は、半導体チップ７を磁石１に
取り付けたときに、磁性回転体９の凹凸９ａ，９ｂに対
向する方向に整列して設けられており、また一対の高分
解能用の領域は、磁性回転体９の凹凸９ａ，９ｂに対向
する方向と直交するように整列して設けられており、一
対の高分解能用の領域は、それらの間に低分解能用の領
域を挟むようにしてその両側に配置されている。なお、
半導体チップ７に内蔵される信号処理回路は、図１８に
示される、前述した従来例の信号処理回路５と同様のも
のである。

【００２６】また、各領域内には、信号処理回路５と接
続するための端子となる電源端子ＶＣＣと接地端子すな
わちグランド及び、一対のＭＲ素子Ａ、Ｂを互いに接続
する際の接続点となる中点がそれぞれ設けている。

【００２７】図３、図４は低分解能用において接続を変
えた時の動作波形を示しており、図３は、図１（ａ）に
示すように、ＭＲ素子ＡをＶＣＣ側に接続すると共にＭ
Ｒ素子Ｂをグランド側に接続した時の信号処理回路の動
作波形を示しており、また、図４は、図１（ｂ）に示す
ように、ＭＲ素子Ａをグランド側に接続すると共にＭＲ
素子ＢをＶＣＣ側に接続した時の信号処理回路の動作波
形を示している。図３，４において、（ａ）は磁性回転
体の凹凸部の位置を表し、（ｂ）は比較回路の入力信号
の波形を表し、（ｃ）は比較回路の出力信号の波形を表
している。

【００２８】図３に示されるように、ＭＲ素子Ａ、Ｂの
図１のような接続状態では、磁気検出素子３０が磁性回
転体の凸部を検出したときに、出力信号が高レベルとな
り、凹部を検出したときに、出力信号が低レベルとな
る。

【００２９】他方、図４に示されるように、ＭＲ素子
Ａ、Ｂの図２のような接続状態では、磁気検出素子３０
が磁性回転体の凸部を検出したときに、出力信号が低レ
ベルとなり、凹部を検出したときに、出力信号が高レベ
ルとなる。

【００３０】このように、ＭＲ素子Ａ、Ｂの電源端子Ｖ
ＣＣ及び接地端子（グランド）の接続を変更することに
より、出力信号の位相を反転させることが可能となるの
で、必要な信号形態にあわせて接続する端子を選択すれ
ばよい。

【００３１】なお、符号４１は半導体チップ７の表面に
設けられたワイヤボンディングパッドである。

【００３２】実施の形態２．図５は、この発明の実施の
形態２に係る磁気検出装置を示す電気回路図、図６はそ
の磁気検出装置のチップレイアウトを示す図である。図
６中の（ａ）、（ｂ）は接続を変更した時の具体的なレ
イアウトである。

【００３３】本実施の形態２では、信号処理回路５０は
図６に示されるように構成され、上記実施の形態１の信
号処理回路（図１８のもの）と対比して、ブリッジ回路
３０ａ及び差動増幅回路５０ａの構成が一部異なってい
るが、その他の構成、すなわち交流結合回路５０ｂ、比
較回路５０ｃ及び出力回路５０ｄは図１８の交流結合回
路５ｂ、比較回路５ｃ及び出力回路５ｄと同様である。

【００３４】本実施の形態２のブリッジ回路５０ａは、
電源端子ＶＣＣと接地端子（グランド）間に互いに直列
に接続された第１のＭＲ素子Ａ、Ｂと、これらの第１の
ＭＲ素子Ａ、Ｂとは別個に設けられ、ＶＣＣとグランド
間に互いに直列に接続された第２のＭＲ素子Ｃ、Ｄとか
らなり、また、差動増幅回路５０ａは、反転入力端子を
抵抗器１１を介して第１のＭＲ素子Ａ、Ｂの接続点であ
る中点Ａに接続される共に、その非反転入力端子は抵抗
器１２を介して第２のＭＲ素子Ｃ，Ｄの接続である中点
Ｂに接続され、またその出力端子は抵抗器２１を介して
自己の反転入力端子に接続されると共に、交流結合回路
５０ｂのコンデンサ２３に接続される。交流結合回路５
０ｂ以降の構成は図１８の構成と同じである。なお、図
６に示されるように、ＭＲ素子Ａ、Ｄは互いに平行な葛
折り（ジグザグ）状の線路から構成され、またＭＲ素子
Ｂ，Ｃも互いに平行な葛折り（ジグザグ）状の線路から
構成される。

【００３５】上記実施の形態１では接続を変更するため
の端子として電源端子ＶＣＣ及び接地端子（グランド）
を用いたが、本実施の形態２では、ブリッジ回路３０ａ
の中点Ａと中点Ｂの接続を変更することにより、同様に
出力信号の位相を反転させることが可能となる。出力信
号波形については、上記実施の形態１と同様であるので
省略する。また、ここでは低分解能用で説明したが、高
分解能用においても、同様のレイアウトとすることによ
り同じ効果を得ることが可能である。

【００３６】実施の形態３．図７、図８はこの発明の実
施の形態３に係る磁気検出装置の製造過程を示すチップ
レイアウト図である。図７は低分解能用、図８は高分解
能用である。これらの図７，８において、（ａ）はチッ
プ購入時の状態を示し、（ｂ）はＭＲ素子を成膜した
後、パターニングした状態を示し、（ｃ）は保護膜形成
後にワイヤボンディングパッドを開口させて形成した状
態を示している。また、図１３（ａ）は高分解能用にお
けるＭＲ素子と端子との電気的接続状態を示す、図８
（ｃ）のＡＡ線による断面図である（高分解用のみを示
すが、低分解能用においても同一である）。

【００３７】本実施の形態３においては、購入したチッ
プ７０（実際にはウエハ状態で購入し、プロセス終了後
に各チップにダイシングするが、ここではチップ状態で
購入するものとして説明する）上にＭＲ素子Ａ，Ｂをス
パッタ等にて成膜し、その後、写真製版技術を用いてパ
ターニングする。このとき、図１３に示すように、回路
側端子上に対してはＭＲ素子Ａが重なった状態で成膜さ
れており、この部分において電気的に接続されている。
その後、酸化膜等の保護膜をスパッタ等にて成膜し、ワ
イヤボンディングパッド４１のみを写真製版技術を用い
て開口する。本実施の形態３では、ＭＲ素子と処理回路
側端子との接続のために特別な工程を設ける必要がない
ので、生産性が向上し、同時にコストの低減が可能とな
る。但し、端子に対してＭＲ素子を直接接続するので、
低分解能用と高分解能用とで写真製版用のマスクを分け
る必要がある。

【００３８】実施の形態４．図９、図１０は、この発明
の実施の形態４に係る磁気検出装置の製造過程を示すチ
ップレイアウト図である。図９は低分解能用、図１０は
高分解能用である。これらの図９，１０において、
（ａ）はチップ購入時の状態を示し、（ｂ）はＭＲ素子
を成膜した後、パターニングした状態を示し、（ｃ）は
保護膜形成後にワイヤボンディングパッドを開口させる
と共に、導電性樹脂を塗布した状態を示している。ま
た、図１４は低分解能用におけるＭＲ素子と端子の電気
的接続状態を示す、図９（ｃ）のＢＢ線による断面図で
ある（低分解能用のみを示すが、高分解能用においても
同一である）。

【００３９】本実施の形態４においては、購入したチッ
プ７０（実際にはウエハ状態で購入し、プロセス終了後
に各チップにダイシングするが、ここではチップ状態で
購入するものとして説明する）上にＭＲ素子をスパッタ
等にて成膜し、その後写真製版技術を用いてパターニン
グする。このとき、図１４に示すように、ＭＲ素子の一
方の端部は処理回路側端子上に重なった状態で成膜され
ており、他方は孤立した端子上に重なった状態で成膜さ
れている。その後、酸化膜等の保護膜をスパッタ等にて
成膜し、ワイヤボンディングパッドと後工程で導電性樹
脂を塗布する領域（ＭＲ素子の端部とこれに電気的に接
続するべき接続用端子とを含む領域）とを写真製版技術
を用いて開口する。この工程までは、低分解能用、高分
解能用を区別することなく全く同一工程で行うことがで
きる。最後に、電気的な接続が必要な部分のみに選択的
に導電性樹脂を塗布し、高温下でキュアして樹脂を硬化
させる。本実施の形態４では、低分解能用、高分解能用
で写真製版用マスクを共用することが可能となり、生産
性が向上し、同時にコストの低減が可能となる。

【００４０】実施の形態５．図１１、図１２はこの発明
の実施の形態５に係る磁気検出装置の製造過程を示すチ
ップレイアウト図である。図１１は低分解能用、図１２
は高分解能用である。これらの図１１、１２において、
（ａ）はチップ購入時の状態を示し、（ｂ）はＭＲ素子
を成膜した後、パターニングした状態を示し、（ｃ）は
保護膜形成後にワイヤボンディングパッドを開口させる
と共に、ＭＲ素子と端子とをワイヤボンディングにより
接続した状態を示している。また、図１５は低分解能用
におけるＭＲ素子と端子との電気的接続状態を示す、図
１１（ｃ）のＣＣ線による断面図である（低分解能用の
みを示すが、高分解能用においても同一である）。

【００４１】上記実施の形態４においては導電性樹脂を
用いたが、ここでは保護膜形成後に開口された領域のＭ
Ｒ素子の端部と接続用端子とを金属ワイヤを用いてワイ
ヤボンディングにより電気的に接続する。一般的に金属
ワイヤとしては金、もしくはアルミが用いられる。本実
施の形態５では金属ワイヤを用いたのでキュアが不要と
なり、生産性が向上し、同時にコストの低減が可能とな
る。なお、この実施の形態５の製造過程は、上記ワイヤ
ボンディングを行う前までの工程は、上記実施の形態４
の製造過程と同様である。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の磁気検
出装置によれば、チップ上に複数個の検出体を形成する
ための領域を設けたので、低分解能用と高分解能用にお
いてチップを共用化することができ、コストの低減が可
能となる。

【００４３】また、検出体を形成する領域に信号処理回
路と接続するための端子を複数個設け、一部の端子に選
択的に検出体を接続したので、検出体に接続する端子を
任意に選択することにより、出力信号形態を変えること
ができ、その自由度を増大させることができる。

【００４４】また、端子の少なくとも１つは電源端子も
しくは接地端子とすることにより、少ない端子数で済む
ためチップサイズを小さくでき、コストの低減が可能と
なる。

【００４５】また、端子の少なくとも１つはブリッジの
中点とすることにより、少ない端子数で済むためチップ
サイズを小さくでき、コストの低減が可能となる。

【００４６】また、端子に検出体を直接接続することに
より、特別な接続工程は不要となり、生産性が向上し、
同時にコストの低減が可能となる。

【００４７】また、端子と検出体の接続に導電性樹脂を
用いることにより、低分解能用と高分解能用とで検出体
形成用マスクの兼用が可能となり、生産性が向上する。

【００４８】また、端子と検出体の接続に金属ワイヤを
用いることにより、検出体形成用マスクの兼用が可能と
なり、さらにはキュア工程を廃止することができ、生産
性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置を余
す低分解能用チップレイアウト図である。

【図２】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置を示
す高分解能用チップレイアウト図である。

【図３】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置の波
形処理動作を示す波形図である。

【図４】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置の波
形処理動作を示す波形図である。

【図５】 この発明の実施の形態２の磁気検出装置を示
す電気回路図である。

【図６】 この発明の実施の形態２の磁気検出装置を示
す低分解能用チップレイアウト図である。

【図７】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置の製
造過程を示す低分解能用チップレイアウト図である。

【図８】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置の製
造過程を示す高分解能用チップレイアウト図である。

【図９】 この発明の実施の形態４の磁気検出装置の製
造過程を示す低分解能用チップレイアウト図である。

【図１０】 この発明の実施の形態４の磁気検出装置の
製造過程を示す高分解能用チップレイアウト図である。

【図１１】 この発明の実施の形態５の磁気検出装置の
製造過程を示す低分解能用チップレイアウト図である。

【図１２】 この発明の実施の形態５の磁気検出装置の
製造過程を示す高分解能用チップレイアウト図である。

【図１３】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置を
示すチップ断面図である。

【図１４】 この発明の実施の形態４の磁気検出装置を
示すチップ断面図である。

【図１５】 この発明の実施の形態５の磁気検出装置を
示すチップ断面図である。

【図１６】 従来の磁気検出装置を示す低分解能用磁気
回路の模式図である。

【図１７】 従来の磁気検出装置を示す低分解能用磁気
回路の模式図である。

【図１８】 従来の磁気検出装置を示す電気回路図であ
る。

【図１９】 従来の低分解能用磁気検出装置の波形処理
動作を示す波形図である。

【図２０】 従来の高分解能用磁気検出装置の波形処理
動作を示す波形図である。

【符号の説明】

１ 磁石、３ 磁気検出素子（検出体）、５ 信号処理
回路、７ チップ、９磁性回転体（被検出体）、９ａ
凹部、９ｂ 凸部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名田 拓嗣 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2F063 AA35 BD16 CA40 DA01 DB07 DD05 DD09 EA03 GA52 GA61 GA67 GA69 GA79 GA80 2F077 AA26 AA43 CC08 NN02 NN21 NN24 PP14 QQ02 TT32 TT35 VV33 WW02 2G017 AA03 AA10 AB07 AD55 BA09

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転する被検出体と、 前記被検出体との磁気的相互作用により、該被検出体の
   回転位置を検出する検出体と、 検出体の出力信号を異なる信号形態に変換する信号処理
   回路と、を備え、 前記検出体と前記信号処理回路とは同一チップ上に形成
   されており、さらに前記チップには、複数個の検出体を
   形成するための領域を設けたことを特徴とする磁気検出
   装置。
2. 【請求項２】 請求項１の磁気検出装置において、前記
   検出体を形成する領域に前記信号処理回路と接続するた
   めの端子を複数個設け、一部の端子に選択的に前記検出
   体を接続したことを特徴とする磁気検出装置。
3. 【請求項３】 請求項２の磁気検出装置において、前記
   端子の少なくとも１つは電源端子もしくは接地端子であ
   ることを特徴とする磁気検出装置。
4. 【請求項４】 請求項２の磁気検出装置において、前記
   端子の少なくとも１つはブリッジの中点であることを特
   徴とする磁気検出装置。
5. 【請求項５】 請求項２の磁気検出装置において、前記
   端子に前記検出体を直接接続したことを特徴とする磁気
   検出装置。
6. 【請求項６】 請求項２の磁気検出装置において、前記
   端子と前記検出体とを導電性樹脂により接続したことを
   特徴とする磁気検出装置。
7. 【請求項７】 請求項２の磁気検出装置において、前記
   端子と前記検出体とを金属ワイヤにより接続したことを
   特徴とする磁気検出装置。
8. 【請求項８】 請求項１の磁気検出装置において、前記
   被検出体は、外周部に凹凸を設けた磁性回転体よりな
   り、前記検出体はブリッジ状に接続された複数のＭＲ素
   子或いはＧＭＲ素子を備えることを特徴とする磁気検出
   装置。