JP2000174346A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JP2000174346A JP2000174346A JP34212498A JP34212498A JP2000174346A JP 2000174346 A JP2000174346 A JP 2000174346A JP 34212498 A JP34212498 A JP 34212498A JP 34212498 A JP34212498 A JP 34212498A JP 2000174346 A JP2000174346 A JP 2000174346A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色光、紫外線などの波長４５０ｎｍ以下の
短い波長の光により蛍光体が十分に励起されて高輝度の
発光が得られる発光装置を提供すること。 【解決手段】 波長４５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発
するＧａＮ系半導体レーザ１を励起光源として用い、レ
ーザ光Ｌ１で励起されて可視域の蛍光Ｌ２を発するよ
う、蛍光体２を前記レーザ１と組み合わせる。また、励
起光源にＧａＮ系ＬＥＤを用いる場合には、ＬＥＤを構
成するＧａＮ系結晶層からなる積層体に上面から凹部を
設け、該凹部の内部側面に発光層の発光部分を露出さ
せ、凹部内に蛍光体を配置する構成とする。
短い波長の光により蛍光体が十分に励起されて高輝度の
発光が得られる発光装置を提供すること。 【解決手段】 波長４５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発
するＧａＮ系半導体レーザ１を励起光源として用い、レ
ーザ光Ｌ１で励起されて可視域の蛍光Ｌ２を発するよ
う、蛍光体２を前記レーザ１と組み合わせる。また、励
起光源にＧａＮ系ＬＥＤを用いる場合には、ＬＥＤを構
成するＧａＮ系結晶層からなる積層体に上面から凹部を
設け、該凹部の内部側面に発光層の発光部分を露出さ
せ、凹部内に蛍光体を配置する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系半導体発
光素子および蛍光体の技術分野に属する。
光素子および蛍光体の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた白色
光源には、ＬＥＤの発光色だけで白色をつくり出す構成
と、ＬＥＤに蛍光体を組み合わせた構成とがある。前者
の構成は、赤色光（ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ
系、ＧａＮ系などのＬＥＤ）、緑色光（ＧａＮ系ＬＥ
Ｄ）、青色光（ＧａＮ系ＬＥＤ）を混合し、白色光とす
るものである。一方、後者の構成には、ＧａＮ系の青色
ＬＥＤを励起光源として、青色と補色関係にある黄色系
の蛍光を発する蛍光体とで白色光をつくり出す発光装置
が実現されている。この発光装置では、蛍光体を通過し
て漏れ出る励起光源からの青色光と、蛍光体からの黄色
系の蛍光とによって、白色光としている。
光源には、ＬＥＤの発光色だけで白色をつくり出す構成
と、ＬＥＤに蛍光体を組み合わせた構成とがある。前者
の構成は、赤色光（ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ
系、ＧａＮ系などのＬＥＤ）、緑色光（ＧａＮ系ＬＥ
Ｄ）、青色光（ＧａＮ系ＬＥＤ）を混合し、白色光とす
るものである。一方、後者の構成には、ＧａＮ系の青色
ＬＥＤを励起光源として、青色と補色関係にある黄色系
の蛍光を発する蛍光体とで白色光をつくり出す発光装置
が実現されている。この発光装置では、蛍光体を通過し
て漏れ出る励起光源からの青色光と、蛍光体からの黄色
系の蛍光とによって、白色光としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、従来の
青色ＬＥＤと蛍光体とを用いた発光装置の性能を検討
し、該装置から高輝度の発光が得られていないという点
を問題とした。さらにその原因を検討したところ、励起
光源として用いているＧａＮ系の青色ＬＥＤの光取り出
し効率が低く、実使用上において有効な量の蛍光体を配
置しても、それが十分に励起されていないことがわかっ
た。これは、４２０ｎｍ以下の短波長ＬＥＤを使って、
多色の発光が可能な蛍光体を励起し、現在実用化されて
いる放電管式の蛍光灯に代わる照明灯を実現するときに
も問題となり、特に、前記ＬＥＤが面発光型の場合に
は、光取り出し効率の低さが致命的欠陥になることが分
かった。
青色ＬＥＤと蛍光体とを用いた発光装置の性能を検討
し、該装置から高輝度の発光が得られていないという点
を問題とした。さらにその原因を検討したところ、励起
光源として用いているＧａＮ系の青色ＬＥＤの光取り出
し効率が低く、実使用上において有効な量の蛍光体を配
置しても、それが十分に励起されていないことがわかっ
た。これは、４２０ｎｍ以下の短波長ＬＥＤを使って、
多色の発光が可能な蛍光体を励起し、現在実用化されて
いる放電管式の蛍光灯に代わる照明灯を実現するときに
も問題となり、特に、前記ＬＥＤが面発光型の場合に
は、光取り出し効率の低さが致命的欠陥になることが分
かった。
【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、青色光、紫外線などの波長４５０ｎｍ以下
の短い波長の光により蛍光体が十分に励起されて高輝度
の発光が得られる発光装置を提供することを課題として
いる。
ものであり、青色光、紫外線などの波長４５０ｎｍ以下
の短い波長の光により蛍光体が十分に励起されて高輝度
の発光が得られる発光装置を提供することを課題として
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は以下の特徴を有している。
め、本発明は以下の特徴を有している。
【０００６】（１）波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を発
するＧａＮ系半導体レーザを励起光源として有し、該励
起光源からの前記レーザ光によって励起されて可視域の
蛍光を発するよう、蛍光体が前記励起光源と組み合わさ
れた構成を有することを特徴とする発光装置。
するＧａＮ系半導体レーザを励起光源として有し、該励
起光源からの前記レーザ光によって励起されて可視域の
蛍光を発するよう、蛍光体が前記励起光源と組み合わさ
れた構成を有することを特徴とする発光装置。
【０００７】（２）蛍光体より発せられる蛍光が、可視
域のスペクトルに２つ以上のピークを有するものである
上記（１）記載の発光装置。
域のスペクトルに２つ以上のピークを有するものである
上記（１）記載の発光装置。
【０００８】（３）蛍光体が、ＧａＮ系半導体レーザの
レーザ光出射面に設けられているものである上記（１）
記載の発光装置。
レーザ光出射面に設けられているものである上記（１）
記載の発光装置。
【０００９】（４）ＧａＮ系半導体レーザが、結晶基板
に垂直な方向に共振するよう構成された面発光レーザで
ある上記（３）記載の発光装置。
に垂直な方向に共振するよう構成された面発光レーザで
ある上記（３）記載の発光装置。
【００１０】（５）ＧａＮ系半導体レーザが、ウエハを
共通の結晶基板として該ウエハ上に複数のレーザ素子部
が形成されてなるＧａＮ系半導体レーザアレイであっ
て、蛍光体が、個々のレーザ素子部のレーザ光出射面に
設けられているものである上記（１）記載の発光装置。
共通の結晶基板として該ウエハ上に複数のレーザ素子部
が形成されてなるＧａＮ系半導体レーザアレイであっ
て、蛍光体が、個々のレーザ素子部のレーザ光出射面に
設けられているものである上記（１）記載の発光装置。
【００１１】（６）波長４５０ｎｍ以下の光を発する下
記（Ａ）のＧａＮ系発光ダイオードを励起光源として有
し、該励起光源からの前記光によって励起されて可視域
の蛍光を発するよう、蛍光体が下記（Ａ）のＧａＮ系発
光ダイオードの凹部内に配置された構成を少なくとも有
することを特徴とする発光装置。
記（Ａ）のＧａＮ系発光ダイオードを励起光源として有
し、該励起光源からの前記光によって励起されて可視域
の蛍光を発するよう、蛍光体が下記（Ａ）のＧａＮ系発
光ダイオードの凹部内に配置された構成を少なくとも有
することを特徴とする発光装置。
【００１２】（Ａ）結晶基板上に、ＧａＮ系結晶からな
る積層体が発光層を含むように形成され、これに電極が
設けられた構造を有するＧａＮ系発光ダイオードであっ
て、該積層体にはその上面から凹部が設けられ、該凹部
の内部側面には少なくとも発光層の発光部分が露出して
いるものであるＧａＮ系発光ダイオード。
る積層体が発光層を含むように形成され、これに電極が
設けられた構造を有するＧａＮ系発光ダイオードであっ
て、該積層体にはその上面から凹部が設けられ、該凹部
の内部側面には少なくとも発光層の発光部分が露出して
いるものであるＧａＮ系発光ダイオード。
【００１３】（７）蛍光体より発せられる可視域の蛍光
が、可視域のスペクトルに２つ以上のピークを有するも
のである上記（６）記載の発光装置。
が、可視域のスペクトルに２つ以上のピークを有するも
のである上記（６）記載の発光装置。
【００１４】（８）上記（Ａ）のＧａＮ系発光ダイオー
ドが、ウエハを共通の結晶基板として該ウエハ上に複数
の発光素子部が形成されてなるＧａＮ系発光ダイオード
アレイである上記（６）記載の発光装置。
ドが、ウエハを共通の結晶基板として該ウエハ上に複数
の発光素子部が形成されてなるＧａＮ系発光ダイオード
アレイである上記（６）記載の発光装置。
【００１５】本発明でいう「ＧａＮ系」とは、式ＩｎX
ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦
１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で決定される化合物半導体である
ことを意味する。
ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦
１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で決定される化合物半導体である
ことを意味する。
【００１６】
【作用】本発明では、課題を解決するための１つの態様
として、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を発するＧａＮ
系半導体レーザを、蛍光体の励起光源として用いてい
る。これによって、波長４５０ｎｍ以下の短い波長の励
起光としては、従来にない強い光が得られることにな
り、これに伴い高輝度な蛍光が得られる。特に、従来の
面発光型の青色ＬＥＤにおける光取り出し効率の低さ
は、面発光レーザを用いることによって、顕著に改善さ
れ、好ましい面発光型の発光装置となる。
として、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を発するＧａＮ
系半導体レーザを、蛍光体の励起光源として用いてい
る。これによって、波長４５０ｎｍ以下の短い波長の励
起光としては、従来にない強い光が得られることにな
り、これに伴い高輝度な蛍光が得られる。特に、従来の
面発光型の青色ＬＥＤにおける光取り出し効率の低さ
は、面発光レーザを用いることによって、顕著に改善さ
れ、好ましい面発光型の発光装置となる。
【００１７】また、本発明では、課題を解決するための
他の態様として、蛍光体の励起光源としてＧａＮ系ＬＥ
Ｄを用いる場合には、上記（Ａ）および図４に示したよ
うに、本発明独自の構造を付与したＧａＮ系ＬＥＤを用
いる。さらに該ＬＥＤに、本発明独自の組み合わせ方に
て蛍光体を取付けて発光装置を構成し、それによって蛍
光の独自の取出し方を得、青色ＬＥＤにおける光の取出
し効率の低さを改善し、青色ＬＥＤと蛍光体との組み合
わせ方に新たな態様を提供している。
他の態様として、蛍光体の励起光源としてＧａＮ系ＬＥ
Ｄを用いる場合には、上記（Ａ）および図４に示したよ
うに、本発明独自の構造を付与したＧａＮ系ＬＥＤを用
いる。さらに該ＬＥＤに、本発明独自の組み合わせ方に
て蛍光体を取付けて発光装置を構成し、それによって蛍
光の独自の取出し方を得、青色ＬＥＤにおける光の取出
し効率の低さを改善し、青色ＬＥＤと蛍光体との組み合
わせ方に新たな態様を提供している。
【００１８】上記、ＧａＮ系ＬＥＤに付与した本発明独
自の構造とは凹部であり、そして発光の主な部分を該凹
部の内部へ放出させようとした構造である。一般のＬＥ
Ｄでこのような凹部を設けた構造としても、凹部内に放
出された光は減衰するだけである。また、本発明独自の
組み合わせ方、蛍光の独自の取出し方とは、凹部の内部
に蛍光体を配置したこと、およびそれによって凹部内か
ら上方へ蛍光を取り出したことである。
自の構造とは凹部であり、そして発光の主な部分を該凹
部の内部へ放出させようとした構造である。一般のＬＥ
Ｄでこのような凹部を設けた構造としても、凹部内に放
出された光は減衰するだけである。また、本発明独自の
組み合わせ方、蛍光の独自の取出し方とは、凹部の内部
に蛍光体を配置したこと、およびそれによって凹部内か
ら上方へ蛍光を取り出したことである。
【００１９】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の発光装置の一態様
である、ＧａＮ系半導体レーザ（以下、単に「レーザ」
とも言う）を励起光源として用いた装置について説明す
る。本発明の発光装置は、図１に示すように、レーザ１
を励起光源として、このレーザ１と蛍光体２とが組み合
わされた構成を有するものである。レーザ１は、波長４
５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発するものであり、蛍光
体２はレーザ光Ｌ１によって励起されて可視域の蛍光Ｌ
２を発するものである。
である、ＧａＮ系半導体レーザ（以下、単に「レーザ」
とも言う）を励起光源として用いた装置について説明す
る。本発明の発光装置は、図１に示すように、レーザ１
を励起光源として、このレーザ１と蛍光体２とが組み合
わされた構成を有するものである。レーザ１は、波長４
５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発するものであり、蛍光
体２はレーザ光Ｌ１によって励起されて可視域の蛍光Ｌ
２を発するものである。
【００２０】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、レーザ
１と蛍光体２との組み合わせは、互いを密着させたもの
でも、分離したものでもよい。蛍光体２は、レーザ１か
らのレーザ光Ｌ１を受光し得るように、レーザ１に対し
て配置される。図１（ａ）に示すように、蛍光体を塗布
又はコーティングした面にレーザ光を照射する配置でも
良いし、レーザ光と光学的結合性（カップリング）の良
好な球状体又は光ファイバ状に加工した蛍光体を配置し
てもよい。図１（ｂ）に示すように、レーザ１に蛍光体
２を直接取り付けた態様は、コンパクトであり、作製も
装置の取扱いも容易である。
１と蛍光体２との組み合わせは、互いを密着させたもの
でも、分離したものでもよい。蛍光体２は、レーザ１か
らのレーザ光Ｌ１を受光し得るように、レーザ１に対し
て配置される。図１（ａ）に示すように、蛍光体を塗布
又はコーティングした面にレーザ光を照射する配置でも
良いし、レーザ光と光学的結合性（カップリング）の良
好な球状体又は光ファイバ状に加工した蛍光体を配置し
てもよい。図１（ｂ）に示すように、レーザ１に蛍光体
２を直接取り付けた態様は、コンパクトであり、作製も
装置の取扱いも容易である。
【００２１】ＧａＮ系半導体レーザは、波長４５０ｎｍ
以下のレーザ光を発するものであればよく、図２に示す
ような面発光型の素子、図３に示すようなストライプ型
の素子、これらのいずれかのタイプの素子がウエハ上に
配列されたレーザアレイなどが挙げられる。
以下のレーザ光を発するものであればよく、図２に示す
ような面発光型の素子、図３に示すようなストライプ型
の素子、これらのいずれかのタイプの素子がウエハ上に
配列されたレーザアレイなどが挙げられる。
【００２２】レーザ光は、その一部を蛍光体を通過させ
て蛍光と共に利用してもよいが、本発明の発光装置を照
明などに用いる場合、レーザ光を外界へ放出させるのは
人体に対して好ましくない。その場合には、蛍光体で全
て吸収させるか、或いはフィルターなどで外界へ放出さ
せないようにするのが好ましい態様となる。
て蛍光と共に利用してもよいが、本発明の発光装置を照
明などに用いる場合、レーザ光を外界へ放出させるのは
人体に対して好ましくない。その場合には、蛍光体で全
て吸収させるか、或いはフィルターなどで外界へ放出さ
せないようにするのが好ましい態様となる。
【００２３】レーザ光の波長は、波長４５０ｎｍ以下で
あればよく、蛍光体の励起に必要な波長を用いる。従っ
て、レーザ光の波長は、下記蛍光体との組み合わせを考
慮して決定すればよい。特に、上記解決すべき問題とし
て挙げたように、従来の青色ＬＥＤと蛍光体とを組み合
わせた装置で得られる白色光は、充分な光強度が得られ
ていない。従って、白色光またはそれに近い色の光を、
半導体発光素子で得るときには、本発明の有用性は特に
顕著となる。白色光またはそれに近い色の光を得るため
には、発せられる蛍光が、例えば、２色を混合された
光、３色を混合された光など、可視域のスペクトルに２
つ以上のピークを有する光となるように、蛍光体を選択
すればよい。
あればよく、蛍光体の励起に必要な波長を用いる。従っ
て、レーザ光の波長は、下記蛍光体との組み合わせを考
慮して決定すればよい。特に、上記解決すべき問題とし
て挙げたように、従来の青色ＬＥＤと蛍光体とを組み合
わせた装置で得られる白色光は、充分な光強度が得られ
ていない。従って、白色光またはそれに近い色の光を、
半導体発光素子で得るときには、本発明の有用性は特に
顕著となる。白色光またはそれに近い色の光を得るため
には、発せられる蛍光が、例えば、２色を混合された
光、３色を混合された光など、可視域のスペクトルに２
つ以上のピークを有する光となるように、蛍光体を選択
すればよい。
【００２４】本発明でいう蛍光とは、光励起によって放
出されるルミネセンスを意味する。また、本発明でいう
蛍光体とは、蛍光物質と媒体との混合物をも包含する。
蛍光体は、励起光源からの光で励起されて可視域の蛍光
を発するものであればよく、透明な媒体（特にガラスや
結晶などの固体）中に発光中心となる物質が局在したも
のや、純粋な状態で固有の発光を示す物質など、公知の
ものを用いてよい。具体的には、放電管式の蛍光灯で使
用されている蛍光体、カラーテレビのブラウン管で使用
される蛍光体が例示される。４５０ｎｍ以下の短い光で
励起され、可視光を放出する半導体材料は、本発明でい
う蛍光体に含まれる。
出されるルミネセンスを意味する。また、本発明でいう
蛍光体とは、蛍光物質と媒体との混合物をも包含する。
蛍光体は、励起光源からの光で励起されて可視域の蛍光
を発するものであればよく、透明な媒体（特にガラスや
結晶などの固体）中に発光中心となる物質が局在したも
のや、純粋な状態で固有の発光を示す物質など、公知の
ものを用いてよい。具体的には、放電管式の蛍光灯で使
用されている蛍光体、カラーテレビのブラウン管で使用
される蛍光体が例示される。４５０ｎｍ以下の短い光で
励起され、可視光を放出する半導体材料は、本発明でい
う蛍光体に含まれる。
【００２５】蛍光を、白色光に近づけるべく、可視域の
スペクトルに２つ以上のピークを有する光とするために
は、次の態様が挙げられる。 １つのピーク光を発する物質を、必要なピークの分だ
け集めて１つの蛍光体とし、複数のピーク光を混合する
態様。 多数のエネルギー準位を有し、求める２つ以上のピー
ク光が、１つの物質から発せられるようなものを蛍光体
として用いる態様。 上記を複合した態様。 上記〜のうちでも、及びは発色を自在に調整で
き有用である。
スペクトルに２つ以上のピークを有する光とするために
は、次の態様が挙げられる。 １つのピーク光を発する物質を、必要なピークの分だ
け集めて１つの蛍光体とし、複数のピーク光を混合する
態様。 多数のエネルギー準位を有し、求める２つ以上のピー
ク光が、１つの物質から発せられるようなものを蛍光体
として用いる態様。 上記を複合した態様。 上記〜のうちでも、及びは発色を自在に調整で
き有用である。
【００２６】上記の態様において、各物質から発せら
れる固有のピーク光を混合するには、各物質を、原料レ
ベルで化合、混合するか、各物質を励起光が照射される
面にマトリクス状に配列するか、各物質を励起光が順に
通過するよう積層する態様などが挙げられる。
れる固有のピーク光を混合するには、各物質を、原料レ
ベルで化合、混合するか、各物質を励起光が照射される
面にマトリクス状に配列するか、各物質を励起光が順に
通過するよう積層する態様などが挙げられる。
【００２７】蛍光体（または蛍光物質）としては、例え
ば、（社）電気学会発行、電気学会大学講座「照明工
学」（改訂第２０版）の７８頁に記載の蛍光体や、特開
平１０−１６３５３５号公報に記載の蛍光体などから選
ばれる１種以上の蛍光体を用いることができる。蛍光体
の好ましい態様としては、焼結体となされたもの、石英
のような透明な板状物に塗布されたもの、ガラス状の物
体に溶かし、球体、円柱状、ファイバ状に固化、加工、
成形されたもの等の態様が挙げられる。
ば、（社）電気学会発行、電気学会大学講座「照明工
学」（改訂第２０版）の７８頁に記載の蛍光体や、特開
平１０−１６３５３５号公報に記載の蛍光体などから選
ばれる１種以上の蛍光体を用いることができる。蛍光体
の好ましい態様としては、焼結体となされたもの、石英
のような透明な板状物に塗布されたもの、ガラス状の物
体に溶かし、球体、円柱状、ファイバ状に固化、加工、
成形されたもの等の態様が挙げられる。
【００２８】蛍光体を、図１（ａ）に示すように、レー
ザ１と蛍光体２とを分離して組み合わせる場合、蛍光体
は単独の部材、部品となる。例えば、蛍光体２を、蛍光
物質が塗布又はコーティングされた透明部材、蛍光物質
が分散したガラス部材などとし、レーザ素子と組み合わ
せて用いればよい。この場合、レーザには、面発光レー
ザが好ましい態様として挙げられる。
ザ１と蛍光体２とを分離して組み合わせる場合、蛍光体
は単独の部材、部品となる。例えば、蛍光体２を、蛍光
物質が塗布又はコーティングされた透明部材、蛍光物質
が分散したガラス部材などとし、レーザ素子と組み合わ
せて用いればよい。この場合、レーザには、面発光レー
ザが好ましい態様として挙げられる。
【００２９】蛍光体を、図１（ｂ）、図２、図３、図４
に示すように、レーザの出射部分に直接設ける場合、出
射面へ蛍光体を形成する方法としては、例えば、ゾル−
ゲル法などの液状のガラス前駆体物質に混合して製膜に
使用する方法や、蛍光物質をバインダーや溶剤などと混
合して塗布する方法や、材料によっては、スパッタリン
グ、真空蒸着などの成膜法が挙げられる。
に示すように、レーザの出射部分に直接設ける場合、出
射面へ蛍光体を形成する方法としては、例えば、ゾル−
ゲル法などの液状のガラス前駆体物質に混合して製膜に
使用する方法や、蛍光物質をバインダーや溶剤などと混
合して塗布する方法や、材料によっては、スパッタリン
グ、真空蒸着などの成膜法が挙げられる。
【００３０】図２の例は、図１（ｂ）に示す発光装置の
具体的な態様の一例であって、ＧａＮ系半導体レーザに
面発光レーザを用いたものである。同図の例では、面発
光レーザ１の出射面に、蛍光体２が膜状に形成されてい
る。同図の面発光レーザ１は、結晶基板（例えば、サフ
ァイア結晶基板）Ｂ上に、バッファ層（図示せず）を介
して、ｎ−ＡｌＧａＮ層（コンタクト層）Ｓ１、下側の
反射器Ｈ１、発光層を含むＧａＮ系結晶層（ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層Ｓ２、ＩｎＧａＮ活性層Ｓ３、ｐ−Ａｌ
ＧａＮクラッド層Ｓ４、ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ
５）が順に積層され、ｎ型電極Ｐ２、ｐ型電極Ｐ１が設
けられた構造となっている。
具体的な態様の一例であって、ＧａＮ系半導体レーザに
面発光レーザを用いたものである。同図の例では、面発
光レーザ１の出射面に、蛍光体２が膜状に形成されてい
る。同図の面発光レーザ１は、結晶基板（例えば、サフ
ァイア結晶基板）Ｂ上に、バッファ層（図示せず）を介
して、ｎ−ＡｌＧａＮ層（コンタクト層）Ｓ１、下側の
反射器Ｈ１、発光層を含むＧａＮ系結晶層（ｎ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層Ｓ２、ＩｎＧａＮ活性層Ｓ３、ｐ−Ａｌ
ＧａＮクラッド層Ｓ４、ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ
５）が順に積層され、ｎ型電極Ｐ２、ｐ型電極Ｐ１が設
けられた構造となっている。
【００３１】ｐ型電極Ｐ１の中央部分には円形の開口が
設けられ、ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ５が開口内に
露出しており、この部分に上側の反射器Ｈ２が設けら
れ、Ｈ１とＨ２とで光共振器が構成されている。蛍光体
２は、上側の反射器Ｈ２の上面に設けられている。積層
体の上側をｐ型とするのは、導電型の形成工程上の理由
から好ましい態様であるが、これに限定されず、ｎ型が
上側でもよい。
設けられ、ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ５が開口内に
露出しており、この部分に上側の反射器Ｈ２が設けら
れ、Ｈ１とＨ２とで光共振器が構成されている。蛍光体
２は、上側の反射器Ｈ２の上面に設けられている。積層
体の上側をｐ型とするのは、導電型の形成工程上の理由
から好ましい態様であるが、これに限定されず、ｎ型が
上側でもよい。
【００３２】図２に示した構成によって、活性層で発せ
られた光は基板面に垂直方向に発振し、レーザ光が蛍光
体２内に出射され、蛍光Ｌ２が外界に出射され、強い蛍
光が得られる。
られた光は基板面に垂直方向に発振し、レーザ光が蛍光
体２内に出射され、蛍光Ｌ２が外界に出射され、強い蛍
光が得られる。
【００３３】発光部分の材料、例えば、図２では活性層
の材料は、ＧａＮ系材料であって波長４５０ｎｍ以下の
光を放出し得る材料であればよく、蛍光体の励起に必要
な波長に応じて組成を決定すればよい。
の材料は、ＧａＮ系材料であって波長４５０ｎｍ以下の
光を放出し得る材料であればよく、蛍光体の励起に必要
な波長に応じて組成を決定すればよい。
【００３４】図２の例では、活性層Ｓ３のうちレーザ発
振の光路上となる部分に集中的に電流が流れるように、
電流狭窄構造が付与されている。電流狭窄構造は、ｐ型
電極の形成パターンに対応する形成パターンにて、例え
ば、低キャリア濃度のＧａＮ系結晶層やＳｉＯ2 層など
の高抵抗層Ｓ６、または、ｎ−ＧａＮ層等の逆導電型の
層Ｓ６を設けることで達成されている。
振の光路上となる部分に集中的に電流が流れるように、
電流狭窄構造が付与されている。電流狭窄構造は、ｐ型
電極の形成パターンに対応する形成パターンにて、例え
ば、低キャリア濃度のＧａＮ系結晶層やＳｉＯ2 層など
の高抵抗層Ｓ６、または、ｎ−ＧａＮ層等の逆導電型の
層Ｓ６を設けることで達成されている。
【００３５】図２の例における蛍光体は、特に、限定は
されないが、目的とする色温度、色調に相応しいもの
を、公知のまたは市販の材料の中から選択して使用され
る。形成方法としては、例えば、溶剤や樹脂などと混合
し、塗布および乾燥することで薄膜を形成する方法、ゾ
ル−ゲル法により蛍光体含有のガラス薄膜を形成する方
法等が挙げられる。
されないが、目的とする色温度、色調に相応しいもの
を、公知のまたは市販の材料の中から選択して使用され
る。形成方法としては、例えば、溶剤や樹脂などと混合
し、塗布および乾燥することで薄膜を形成する方法、ゾ
ル−ゲル法により蛍光体含有のガラス薄膜を形成する方
法等が挙げられる。
【００３６】光共振器の構成は限定されないが、下側の
反射器は、上層の結晶成長に耐え、ＧａＮ系結晶層によ
って構成し得るブラッグ反射層とするのが好ましい。ま
た、上側の反射器は、ブラッグ反射層、誘電体多層膜な
どでよい。
反射器は、上層の結晶成長に耐え、ＧａＮ系結晶層によ
って構成し得るブラッグ反射層とするのが好ましい。ま
た、上側の反射器は、ブラッグ反射層、誘電体多層膜な
どでよい。
【００３７】面発光レーザ１自体のその他の構造、各部
の形状、材料、各部の形成方法については、公知技術を
参照してもよい。また、レーザ光を基板側から出射させ
る場合には、結晶基板の裏面のうち出射される光の光路
に当たる部分に開口を設ける等、必要に応じて加工を施
してもよい。
の形状、材料、各部の形成方法については、公知技術を
参照してもよい。また、レーザ光を基板側から出射させ
る場合には、結晶基板の裏面のうち出射される光の光路
に当たる部分に開口を設ける等、必要に応じて加工を施
してもよい。
【００３８】また、上記説明の面発光レーザは、例え
ば、外径２インチのサファイア結晶基板ウエハ上に素子
として２次元マトリクス状に多数形成し、ＧａＮ系面発
光レーザアレイとしてもよい。そのとき、図２の態様の
ように蛍光体を個々の素子に個別に設けてもよいし、ま
た、大面積の板状の蛍光体をアレイの出射側に取り付け
て個々のレーザ光全てを１つの蛍光体で受ける態様とし
てもよい。
ば、外径２インチのサファイア結晶基板ウエハ上に素子
として２次元マトリクス状に多数形成し、ＧａＮ系面発
光レーザアレイとしてもよい。そのとき、図２の態様の
ように蛍光体を個々の素子に個別に設けてもよいし、ま
た、大面積の板状の蛍光体をアレイの出射側に取り付け
て個々のレーザ光全てを１つの蛍光体で受ける態様とし
てもよい。
【００３９】図２の構成によって、面発光レーザ素子１
から強い青色光であるレーザ光が蛍光体２に照射され、
従来にない高輝度な白色の蛍光を発する面発光型の発光
装置が得られる。
から強い青色光であるレーザ光が蛍光体２に照射され、
従来にない高輝度な白色の蛍光を発する面発光型の発光
装置が得られる。
【００４０】図３の例は、図１（ｂ）に示す発光装置の
他の態様の一例である。同図のＧａＮ系半導体レーザ１
は、公知のストライプ構造と同様、活性層の両端に劈開
による共振器を形成し、活性層に平行に共振させて出射
する構造である。同図の例では、共振方向は紙面に垂直
であり、レーザ光は紙面の裏から表の向きに出射される
とする。従って、劈開面や蛍光体は図面には現れていな
いが、説明のために、出射されるレーザ光のビームの中
心を活性層Ｓ３の中央部に「×」印で示し、出射面に形
成する蛍光体２を太線の一点鎖線で図に重ねて表現して
いる。この構成によって、レーザ光は紙面に垂直に発振
し、蛍光体２内に出射され、蛍光が外界に出力される。
他の態様の一例である。同図のＧａＮ系半導体レーザ１
は、公知のストライプ構造と同様、活性層の両端に劈開
による共振器を形成し、活性層に平行に共振させて出射
する構造である。同図の例では、共振方向は紙面に垂直
であり、レーザ光は紙面の裏から表の向きに出射される
とする。従って、劈開面や蛍光体は図面には現れていな
いが、説明のために、出射されるレーザ光のビームの中
心を活性層Ｓ３の中央部に「×」印で示し、出射面に形
成する蛍光体２を太線の一点鎖線で図に重ねて表現して
いる。この構成によって、レーザ光は紙面に垂直に発振
し、蛍光体２内に出射され、蛍光が外界に出力される。
【００４１】図３のレーザ１は、光共振器、ｐ型電極、
マスク層Ｍの存在以外の他の構造は図２と略同様であ
り、結晶基板Ｂ、バッファ層、ｎ−ＧａＮ系コンタクト
層Ｓ１、ｎ−ＧａＮ系クラッド層Ｓ２、ＧａＮ系活性層
Ｓ３、ｐ−ＧａＮ系クラッド層Ｓ４、電流狭窄構造Ｓ
６、ｐ−ＧａＮ系コンタクト層Ｓ５が順に積層され、こ
れに、ｎ型電極Ｐ２、ｐ型電極Ｐ１が形成された構造と
なっている。
マスク層Ｍの存在以外の他の構造は図２と略同様であ
り、結晶基板Ｂ、バッファ層、ｎ−ＧａＮ系コンタクト
層Ｓ１、ｎ−ＧａＮ系クラッド層Ｓ２、ＧａＮ系活性層
Ｓ３、ｐ−ＧａＮ系クラッド層Ｓ４、電流狭窄構造Ｓ
６、ｐ−ＧａＮ系コンタクト層Ｓ５が順に積層され、こ
れに、ｎ型電極Ｐ２、ｐ型電極Ｐ１が形成された構造と
なっている。
【００４２】蛍光体は出射側の劈開面に形成し、出射さ
れるレーザ光のビームを包含する大きさ以上であればよ
く、素子の側面全体にわたって形成してもよい。蛍光体
の材料の構成、形成方法は図１、図２の説明で挙げたも
のが利用できる。
れるレーザ光のビームを包含する大きさ以上であればよ
く、素子の側面全体にわたって形成してもよい。蛍光体
の材料の構成、形成方法は図１、図２の説明で挙げたも
のが利用できる。
【００４３】電流狭窄構造Ｓ６は、活性層の中央の紙面
に垂直なストライプ状部分に電流を集中させる構造であ
り、活性層その部分で集中的に発光し、紙面に垂直にレ
ーザ発振し、レーザ光が出射される。
に垂直なストライプ状部分に電流を集中させる構造であ
り、活性層その部分で集中的に発光し、紙面に垂直にレ
ーザ発振し、レーザ光が出射される。
【００４４】図３のレーザ１の構造中に設けられたマス
ク層Ｍは、コンタクト層Ｓ１以降のＧａＮ系結晶層を、
低転位な結晶層として成長させるために設けられたもの
である。このマスク層を用いた結晶成長方法を概略的に
説明すると、ＧａＮ系結晶が実質的に成長しないＳｉＯ
2 などの材料を用いて、基板上にマスクパターンを形成
し、マスク層が形成されていない領域（非マスク領域）
を出発面としてＧａＮ系結晶を成長させ、該結晶がマス
ク層を埋め込んで覆うまで成長を継続するという方法で
ある。図３の例では、マスク層を埋め込んで覆うＧａＮ
系結晶層は、ｎ−コンタクト層Ｓ１として用いられてい
る。このマスク層Ｍによる低転位化の構造と、高抵抗層
Ｓ６による電流狭窄構造とによって、活性層内には低転
位なストライプ状の発光部分を生じさせることができ
る。
ク層Ｍは、コンタクト層Ｓ１以降のＧａＮ系結晶層を、
低転位な結晶層として成長させるために設けられたもの
である。このマスク層を用いた結晶成長方法を概略的に
説明すると、ＧａＮ系結晶が実質的に成長しないＳｉＯ
2 などの材料を用いて、基板上にマスクパターンを形成
し、マスク層が形成されていない領域（非マスク領域）
を出発面としてＧａＮ系結晶を成長させ、該結晶がマス
ク層を埋め込んで覆うまで成長を継続するという方法で
ある。図３の例では、マスク層を埋め込んで覆うＧａＮ
系結晶層は、ｎ−コンタクト層Ｓ１として用いられてい
る。このマスク層Ｍによる低転位化の構造と、高抵抗層
Ｓ６による電流狭窄構造とによって、活性層内には低転
位なストライプ状の発光部分を生じさせることができ
る。
【００４５】また、図３で説明したレーザは、大面積の
１枚の結晶基板上に隣合った素子同士が連なるように多
数設けてレーザアレイとしてもよい。そのとき、蛍光体
は、個々の素子に個別に設けてもよいし、また、隣同士
連なった素子からのレーザ光全てを１枚で受ける板状部
材として該アレイの出射側に取り付けてもよい。
１枚の結晶基板上に隣合った素子同士が連なるように多
数設けてレーザアレイとしてもよい。そのとき、蛍光体
は、個々の素子に個別に設けてもよいし、また、隣同士
連なった素子からのレーザ光全てを１枚で受ける板状部
材として該アレイの出射側に取り付けてもよい。
【００４６】次に、本発明の他の態様として、ＧａＮ系
ＬＥＤを励起光源として用いた装置について説明する。
図４の例では、ＧａＮ系ＬＥＤは、結晶基板Ｂ上に、バ
ッファ層を介して、発光層を含むＧａＮ系結晶層（ｎ−
ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ１、ｎ−クラッド層Ｓ２、活
性層Ｓ３、ｐ−クラッド層Ｓ４、ｐ−コンタクト層Ｓ
５）の積層体が形成され、これに、ｎ型電極Ｐ２、ｐ型
電極Ｐ１が形成され、ｐ型電極Ｐ１の上面から積層体の
内部まで達する凹部（ｕ１、ｕ２、ｕ３）が設けられた
構造となっている。凹部の内部側面には、活性層Ｓ３の
断面が露出しており、活性層からの光Ｌ１が凹部内に放
出される構造となっている。
ＬＥＤを励起光源として用いた装置について説明する。
図４の例では、ＧａＮ系ＬＥＤは、結晶基板Ｂ上に、バ
ッファ層を介して、発光層を含むＧａＮ系結晶層（ｎ−
ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ１、ｎ−クラッド層Ｓ２、活
性層Ｓ３、ｐ−クラッド層Ｓ４、ｐ−コンタクト層Ｓ
５）の積層体が形成され、これに、ｎ型電極Ｐ２、ｐ型
電極Ｐ１が形成され、ｐ型電極Ｐ１の上面から積層体の
内部まで達する凹部（ｕ１、ｕ２、ｕ３）が設けられた
構造となっている。凹部の内部側面には、活性層Ｓ３の
断面が露出しており、活性層からの光Ｌ１が凹部内に放
出される構造となっている。
【００４７】図４の発光装置では、凹部内に蛍光体２
１、２２、２３が充填されており、さらに、積層体の外
側の壁面にも蛍光体２４、２５が設けられている。ま
た、図４の例では、ｐ型電極が積層体の上面全体を覆っ
ており、活性層から積層体の上方へ向かう光はｐ型電極
によって遮られる構造となっている。この構成によっ
て、活性層から凹部内に放出された光は、各蛍光体を励
起し、蛍光体から発せられる蛍光Ｌ２が、凹部内から外
界に向かって発せられる。
１、２２、２３が充填されており、さらに、積層体の外
側の壁面にも蛍光体２４、２５が設けられている。ま
た、図４の例では、ｐ型電極が積層体の上面全体を覆っ
ており、活性層から積層体の上方へ向かう光はｐ型電極
によって遮られる構造となっている。この構成によっ
て、活性層から凹部内に放出された光は、各蛍光体を励
起し、蛍光体から発せられる蛍光Ｌ２が、凹部内から外
界に向かって発せられる。
【００４８】蛍光体の態様、蛍光のピークの数、蛍光の
波長、ＬＥＤの発光波長、およびこれらの関係は、励起
光源をレーザとする場合についての上記説明と同様であ
る。また素子に蛍光体を設ける方法としては、励起光源
をレーザとする場合で挙げた方法が挙げられる。
波長、ＬＥＤの発光波長、およびこれらの関係は、励起
光源をレーザとする場合についての上記説明と同様であ
る。また素子に蛍光体を設ける方法としては、励起光源
をレーザとする場合で挙げた方法が挙げられる。
【００４９】凹部の態様は、限定されず、角穴や丸穴な
ど種々の開口形状の穴を凹部としてこれが２次元配列さ
れた態様であっても、積層体部分を分断する溝を凹部と
してこれが格子状や縞状に設けられた態様などが挙げら
れる。
ど種々の開口形状の穴を凹部としてこれが２次元配列さ
れた態様であっても、積層体部分を分断する溝を凹部と
してこれが格子状や縞状に設けられた態様などが挙げら
れる。
【００５０】凹部の深さは、少なくとも発光する部分
（例えば、ｐｎ接合における空乏層部分や、井戸型のポ
テンシャル構造における井戸の部分）が凹部の内壁に露
出するような深さであればよい。図４の例では、凹部の
深さは、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層Ｓ２に達しており、
活性層Ｓ３は完全に凹部の内壁に露出している。
（例えば、ｐｎ接合における空乏層部分や、井戸型のポ
テンシャル構造における井戸の部分）が凹部の内壁に露
出するような深さであればよい。図４の例では、凹部の
深さは、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層Ｓ２に達しており、
活性層Ｓ３は完全に凹部の内壁に露出している。
【００５１】凹部の開口形状の大きさ、例えば、丸穴の
場合の直径、角穴の場合の一辺、溝の場合の溝幅など、
図４で示す寸法ｗ１は、限定されないが、２μｍ〜２０
０μｍ程度が好ましい寸法である。一方、２つの凹部に
挟まれた積層体の幅（図４で示す寸法ｗ２）は、限定さ
れないが、発光の強度を考慮して２μｍ〜４００μｍ程
度とするのが好ましい。上記凹部の寸法ｗ１と、積層体
の幅ｗ２との比率は、最も効率よく強い蛍光が外部（上
方）へ放出されるように決定すればよい。
場合の直径、角穴の場合の一辺、溝の場合の溝幅など、
図４で示す寸法ｗ１は、限定されないが、２μｍ〜２０
０μｍ程度が好ましい寸法である。一方、２つの凹部に
挟まれた積層体の幅（図４で示す寸法ｗ２）は、限定さ
れないが、発光の強度を考慮して２μｍ〜４００μｍ程
度とするのが好ましい。上記凹部の寸法ｗ１と、積層体
の幅ｗ２との比率は、最も効率よく強い蛍光が外部（上
方）へ放出されるように決定すればよい。
【００５２】図４の例は、ｐ型電極で積層上部を完全に
覆い、発光層で発せられた光をほとんど蛍光体だけに入
射させ、蛍光だけを外部への光源として用いることを意
図する態様である。しかしそのような態様だけではな
く、ｐ型電極の占有面積やｐ型電極の透明度を調整し
て、発光層で発せられた光を直接外界へ放出させて、蛍
光と共に用いてもよい。
覆い、発光層で発せられた光をほとんど蛍光体だけに入
射させ、蛍光だけを外部への光源として用いることを意
図する態様である。しかしそのような態様だけではな
く、ｐ型電極の占有面積やｐ型電極の透明度を調整し
て、発光層で発せられた光を直接外界へ放出させて、蛍
光と共に用いてもよい。
【００５３】図４の例は、１つの素子に凹部を設けた例
として示しているが、このような素子を大面積の１枚の
結晶基板上に２次元マトリクス状に多数形成し、ＧａＮ
系ＬＥＤアレイとしてもよい。また、アレイとする場
合、個々の素子という区別を設けず、大面積の１枚の結
晶基板上に、結晶基板と同じ大きさで各ＧａＮ系結晶層
を積層し、凹部を必要なだけ形成するという態様でもよ
い。
として示しているが、このような素子を大面積の１枚の
結晶基板上に２次元マトリクス状に多数形成し、ＧａＮ
系ＬＥＤアレイとしてもよい。また、アレイとする場
合、個々の素子という区別を設けず、大面積の１枚の結
晶基板上に、結晶基板と同じ大きさで各ＧａＮ系結晶層
を積層し、凹部を必要なだけ形成するという態様でもよ
い。
【００５４】図２〜図４のいずれの態様も、結晶基板、
電極材料などは同様のものが用いられる。結晶基板に
は、サファイア結晶基板の他、ＳｉＣ、水晶など、Ｇａ
Ｎ系結晶が成長可能な公知の基板を用いることができ
る。
電極材料などは同様のものが用いられる。結晶基板に
は、サファイア結晶基板の他、ＳｉＣ、水晶など、Ｇａ
Ｎ系結晶が成長可能な公知の基板を用いることができ
る。
【００５５】発光に係る構造は、レーザの発光と発振、
ＬＥＤの発光に好ましい構造とすればよく、ダブルヘテ
ロ接合構造、ＳＱＷ（Single Quantum Well)、ＭＱＷ
（Multiple Quantum Well)、量子ドットを含む構造など
が好ましいものとして挙げられる。さらに、ＬＥＤの場
合には、ホモ接合、ヘテロ接合による単純な２層による
ｐｎ接合であってもよい。
ＬＥＤの発光に好ましい構造とすればよく、ダブルヘテ
ロ接合構造、ＳＱＷ（Single Quantum Well)、ＭＱＷ
（Multiple Quantum Well)、量子ドットを含む構造など
が好ましいものとして挙げられる。さらに、ＬＥＤの場
合には、ホモ接合、ヘテロ接合による単純な２層による
ｐｎ接合であってもよい。
【００５６】
【実施例】実施例１ 本実施例では、図２に示す態様、即ち、面発光レーザに
蛍光体を設けてなる発光装置を製作した。以下の説明に
おいて、単位〔ｃｍ-3〕のものは、キャリア濃度であ
る。 〔面発光レーザの作製〕図２に示すように、Ｃ面サファ
イア結晶基板上に、低温ＧａＮバッファ層（厚さ３０ｎ
ｍ）を介して、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎコンタクト層Ｓ
１（厚さ３μｍ、１×１０18ｃｍ-3）、ブラッグ反射層
Ｈ１、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層Ｓ２（厚さ
０．４μｍ、８×１０17ｃｍ-3）、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ
活性層Ｓ３（厚さ４ｎｍ、２×１０17ｃｍ-3、発光波長
３７０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0. 8 Ｎクラッド層Ｓ４
（厚さ０．２μｍ、５×１０17ｃｍ-3）、アンドープの
Ａｌ 0.5 Ｇａ0.5 Ｎ（厚さ８０ｎｍ）からなる電流狭窄
構造Ｓ６、ｐ−Ａｌ0.05Ｇａ 0.95Ｎコンタクト層Ｓ５
（厚さ０．２μｍ、８×１０17ｃｍ-3）を順次成長させ
た。
蛍光体を設けてなる発光装置を製作した。以下の説明に
おいて、単位〔ｃｍ-3〕のものは、キャリア濃度であ
る。 〔面発光レーザの作製〕図２に示すように、Ｃ面サファ
イア結晶基板上に、低温ＧａＮバッファ層（厚さ３０ｎ
ｍ）を介して、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎコンタクト層Ｓ
１（厚さ３μｍ、１×１０18ｃｍ-3）、ブラッグ反射層
Ｈ１、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層Ｓ２（厚さ
０．４μｍ、８×１０17ｃｍ-3）、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ
活性層Ｓ３（厚さ４ｎｍ、２×１０17ｃｍ-3、発光波長
３７０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0. 8 Ｎクラッド層Ｓ４
（厚さ０．２μｍ、５×１０17ｃｍ-3）、アンドープの
Ａｌ 0.5 Ｇａ0.5 Ｎ（厚さ８０ｎｍ）からなる電流狭窄
構造Ｓ６、ｐ−Ａｌ0.05Ｇａ 0.95Ｎコンタクト層Ｓ５
（厚さ０．２μｍ、８×１０17ｃｍ-3）を順次成長させ
た。
【００５７】前記ブラッグ反射層Ｈ１の仕様は、（Ｇａ
Ｎ、厚さ３８ｎｍ）と、（Ａｌ0.28Ｇａ0.72Ｎ、厚さ４
３ｎｍ）とを１組として、２５組積層した構造である。
Ｎ、厚さ３８ｎｍ）と、（Ａｌ0.28Ｇａ0.72Ｎ、厚さ４
３ｎｍ）とを１組として、２５組積層した構造である。
【００５８】次に、ＲＩＥによって部分的に積層体の上
層からエッチングしてｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ１
の一部を露出させ、その部分にｎ型電極Ｐ２（Ｔｉ／Ａ
ｌ）を形成し、残されたｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ
５の上面にはｐ型電極Ｐ１（Ｎｉ／Ａｕ）を形成した。
層からエッチングしてｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ１
の一部を露出させ、その部分にｎ型電極Ｐ２（Ｔｉ／Ａ
ｌ）を形成し、残されたｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ
５の上面にはｐ型電極Ｐ１（Ｎｉ／Ａｕ）を形成した。
【００５９】さらに、ｐ型電極Ｐ１の中央部分を直径５
μｍの円形に除去してｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ５
を露出させ、誘電体多層膜による上側の反射層Ｈ２を形
成した。この誘電体多層膜による反射層Ｈ２の仕様は、
上層側（ＺｒＯ2 ）と、下層側（ＳｉＯ2 ）とを１組と
して、４０組積層した構造であって、電子ビーム蒸着法
によって形成した。これによって、波長３７０ｎｍのレ
ーザ光を出射し得る面発光レーザを得た。
μｍの円形に除去してｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層Ｓ５
を露出させ、誘電体多層膜による上側の反射層Ｈ２を形
成した。この誘電体多層膜による反射層Ｈ２の仕様は、
上層側（ＺｒＯ2 ）と、下層側（ＳｉＯ2 ）とを１組と
して、４０組積層した構造であって、電子ビーム蒸着法
によって形成した。これによって、波長３７０ｎｍのレ
ーザ光を出射し得る面発光レーザを得た。
【００６０】〔蛍光体の付与〕この面発光レーザの上側
の反射層Ｈ２の上面に、ゾルゲル法によって、蛍光物質
を分散したガラスを膜状（厚さ３μｍ）に形成し、本発
明の発光装置を得た。なお、前記蛍光体は、波長３７０
ｎｍのレーザ光を受けて、青、緑、黄、赤の色成分を含
む蛍光を発するものであり、目視では、白色に近い色と
なる。
の反射層Ｈ２の上面に、ゾルゲル法によって、蛍光物質
を分散したガラスを膜状（厚さ３μｍ）に形成し、本発
明の発光装置を得た。なお、前記蛍光体は、波長３７０
ｎｍのレーザ光を受けて、青、緑、黄、赤の色成分を含
む蛍光を発するものであり、目視では、白色に近い色と
なる。
【００６１】〔評価〕上記発光装置のレーザに電力を供
給し、レーザ発振させたところ、８０〔ｌｍ／Ｗ〕のエ
ネルギー変換効率であった。
給し、レーザ発振させたところ、８０〔ｌｍ／Ｗ〕のエ
ネルギー変換効率であった。
【００６２】実施例２ 本実施例では、図３に示す態様、即ち、ストライプ型の
レーザと蛍光体とを組み合わせてなる発光装置を製作し
た。 〔レーザの作製〕先ず、ストライプ型のＧａＮ系レーザ
１として、Ｃ面サファイア結晶基板上に、低温ＧａＮバ
ッファ層（厚さ３０ｎｍ、図示せず）、ＧａＮ薄膜（厚
さ４μｍ、８×１０17ｃｍ-3、図示せず）を形成してベ
ース基板Ｂとした。スパッタおよびパターニング技術に
よって、ベース基板Ｂの上に、低転位化用のＳｉＯ2 マ
スク層Ｍ（縞模様パターン）を形成した。ＭＯＣＶＤ装
置によって、非マスク領域を結晶成長の出発面として、
ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ（１×１０18ｃｍ-3）を成長さ
せ、ＳｉＯ2 マスク層Ｍを覆うまで成長させ、ｎ−コン
タクト層Ｓ１とした。
レーザと蛍光体とを組み合わせてなる発光装置を製作し
た。 〔レーザの作製〕先ず、ストライプ型のＧａＮ系レーザ
１として、Ｃ面サファイア結晶基板上に、低温ＧａＮバ
ッファ層（厚さ３０ｎｍ、図示せず）、ＧａＮ薄膜（厚
さ４μｍ、８×１０17ｃｍ-3、図示せず）を形成してベ
ース基板Ｂとした。スパッタおよびパターニング技術に
よって、ベース基板Ｂの上に、低転位化用のＳｉＯ2 マ
スク層Ｍ（縞模様パターン）を形成した。ＭＯＣＶＤ装
置によって、非マスク領域を結晶成長の出発面として、
ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ（１×１０18ｃｍ-3）を成長さ
せ、ＳｉＯ2 マスク層Ｍを覆うまで成長させ、ｎ−コン
タクト層Ｓ１とした。
【００６３】さらに、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド
層Ｓ２（厚さ０．４μｍ、８×１０ 17ｃｍ-3）、ＭＱＷ
構造からなる活性層Ｓ３、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラ
ッド層Ｓ４（厚さ０．１μｍ、７×１０17ｃｍ-3）を形
成した。前記ＭＱＷ構造は、ｎ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎを
バリヤー層とし、ｎ−Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎをウエル層と
したものである。
層Ｓ２（厚さ０．４μｍ、８×１０ 17ｃｍ-3）、ＭＱＷ
構造からなる活性層Ｓ３、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラ
ッド層Ｓ４（厚さ０．１μｍ、７×１０17ｃｍ-3）を形
成した。前記ＭＱＷ構造は、ｎ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎを
バリヤー層とし、ｎ−Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎをウエル層と
したものである。
【００６４】さらに、ｎ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ（厚さ７
０ｎｍ、４×１０17ｃｍ-3）からなる電流狭窄構造Ｓ６
を形成し、電流狭窄構造の電流通過部をｐ−Ａｌ0.05Ｇ
ａ0. 95Ｎ（８×１０17ｃｍ-3）で充填し、同じ材料で続
けて、ｐ−コンタクト層Ｓ５（厚さ０．１μｍ）を順次
成長させ、ｐ型電極Ｐ１（Ｎｉ／Ａｕ）、ｎ型電極Ｐ２
（Ｔｉ／Ａｌ）を形成し、積層体の側面の劈開面を光共
振器として、図３の紙面に垂直に発振し、波長３７０ｎ
ｍのレーザ光を出射し得るＧａＮ系レーザを得た。
０ｎｍ、４×１０17ｃｍ-3）からなる電流狭窄構造Ｓ６
を形成し、電流狭窄構造の電流通過部をｐ−Ａｌ0.05Ｇ
ａ0. 95Ｎ（８×１０17ｃｍ-3）で充填し、同じ材料で続
けて、ｐ−コンタクト層Ｓ５（厚さ０．１μｍ）を順次
成長させ、ｐ型電極Ｐ１（Ｎｉ／Ａｕ）、ｎ型電極Ｐ２
（Ｔｉ／Ａｌ）を形成し、積層体の側面の劈開面を光共
振器として、図３の紙面に垂直に発振し、波長３７０ｎ
ｍのレーザ光を出射し得るＧａＮ系レーザを得た。
【００６５】〔蛍光体の付与〕このレーザの出射面（図
３に示す素子の活性層の手前の面）に、選ばれた蛍光体
を含有せしめた球レンズ状のガラス（平均粒径５０〜１
００μｍ）を出射レーザ光とカップリングするように配
置して、本発明の発光装置を得た。なお、前記蛍光体
は、波長３７０ｎｍのレーザ光を受けて、青、緑、黄、
赤の色成分を含む蛍光を発するものであり、目視では、
白色に近い色となる。
３に示す素子の活性層の手前の面）に、選ばれた蛍光体
を含有せしめた球レンズ状のガラス（平均粒径５０〜１
００μｍ）を出射レーザ光とカップリングするように配
置して、本発明の発光装置を得た。なお、前記蛍光体
は、波長３７０ｎｍのレーザ光を受けて、青、緑、黄、
赤の色成分を含む蛍光を発するものであり、目視では、
白色に近い色となる。
【００６６】〔評価〕上記発光装置のレーザに電力を供
給し、レーザ発振させたところ、蛍光体からは９０〔ｌ
ｍ／Ｗ〕のエネルギー変換効率であった。
給し、レーザ発振させたところ、蛍光体からは９０〔ｌ
ｍ／Ｗ〕のエネルギー変換効率であった。
【００６７】実施例３ 本実施例では、図４に示す態様、即ち、ＧａＮ系ＬＥＤ
に蛍光体を設けてなる発光装置を製作した。 〔ＧａＮ系ＬＥＤの作製〕図４に示すように、Ｃ面サフ
ァイア結晶基板上に、低温ＧａＮバッファ層（厚さ２５
μｍ、図示せず）、アンドープＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ（厚
さ３μｍ）を形成してベース基板Ｂとした。スパッタお
よびパターニング技術によって、ベース基板Ｂの上に、
低転位化用のＳｉＯ2 マスク層Ｍ（縞模様パターン）を
形成した。ＭＯＣＶＤ装置によって、非マスク領域を結
晶成長の出発面として、ｎ−Ａｌ0. 05Ｇａ0.95Ｎ（１×
１０18ｃｍ-3）を成長させ、ＳｉＯ2 マスク層Ｍを覆う
まで成長させ、ｎ−コンタクト層Ｓ１とした。
に蛍光体を設けてなる発光装置を製作した。 〔ＧａＮ系ＬＥＤの作製〕図４に示すように、Ｃ面サフ
ァイア結晶基板上に、低温ＧａＮバッファ層（厚さ２５
μｍ、図示せず）、アンドープＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ（厚
さ３μｍ）を形成してベース基板Ｂとした。スパッタお
よびパターニング技術によって、ベース基板Ｂの上に、
低転位化用のＳｉＯ2 マスク層Ｍ（縞模様パターン）を
形成した。ＭＯＣＶＤ装置によって、非マスク領域を結
晶成長の出発面として、ｎ−Ａｌ0. 05Ｇａ0.95Ｎ（１×
１０18ｃｍ-3）を成長させ、ＳｉＯ2 マスク層Ｍを覆う
まで成長させ、ｎ−コンタクト層Ｓ１とした。
【００６８】さらに、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド
層Ｓ２（厚さ０．３μｍ、１×１０ 18ｃｍ-3）、Ｉｎ
0.02Ｇａ0.98Ｎ活性層Ｓ３（厚さ３．５ｎｍ、発光波長
３７０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層Ｓ４
（厚さ０．２μｍ、７×１０17ｃｍ-3）、ｐ−Ａｌ0.05
Ｇａ0.95Ｎコンタクト層Ｓ５（厚さ０．１μｍ、１×１
０18ｃｍ-3）を順次成長させ積層体とした。
層Ｓ２（厚さ０．３μｍ、１×１０ 18ｃｍ-3）、Ｉｎ
0.02Ｇａ0.98Ｎ活性層Ｓ３（厚さ３．５ｎｍ、発光波長
３７０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラッド層Ｓ４
（厚さ０．２μｍ、７×１０17ｃｍ-3）、ｐ−Ａｌ0.05
Ｇａ0.95Ｎコンタクト層Ｓ５（厚さ０．１μｍ、１×１
０18ｃｍ-3）を順次成長させ積層体とした。
【００６９】実施例１と同様に、ＲＩＥによって部分的
に積層体の上層からエッチングしてｎ−コンタクト層Ｓ
１の一部を露出させてｎ型電極Ｐ２（Ｔｉ／Ａｌ）を形
成し、ｐ−コンタクト層Ｓ５上にはｐ型電極Ｐ１（材料
Ｎｉ／Ａｕ）を形成した。
に積層体の上層からエッチングしてｎ−コンタクト層Ｓ
１の一部を露出させてｎ型電極Ｐ２（Ｔｉ／Ａｌ）を形
成し、ｐ−コンタクト層Ｓ５上にはｐ型電極Ｐ１（材料
Ｎｉ／Ａｕ）を形成した。
【００７０】上記で形成されたＧａＮ系結晶層からなる
積層体に対し、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching ）によっ
て、ｐ型電極の上面から下方に掘り下げ、溝状の凹部ｕ
１〜Ｕ３を形成し、励起光源として用いるＬＥＤを得
た。各凹部の溝幅ｗ１は１５μｍ、積層体の幅ｗ２は５
０μｍである。各凹部の深さは、凹部側面に活性層の全
厚みが完全に現れ、底面にｎ−クラッド層が露出する深
さ（０．８μｍ）とした。
積層体に対し、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching ）によっ
て、ｐ型電極の上面から下方に掘り下げ、溝状の凹部ｕ
１〜Ｕ３を形成し、励起光源として用いるＬＥＤを得
た。各凹部の溝幅ｗ１は１５μｍ、積層体の幅ｗ２は５
０μｍである。各凹部の深さは、凹部側面に活性層の全
厚みが完全に現れ、底面にｎ−クラッド層が露出する深
さ（０．８μｍ）とした。
【００７１】〔蛍光体の付与〕上記ＬＥＤの溝状の凹部
ｕ１〜ｕ３の内部、および活性層の外側の壁面に、スク
リーン印刷法によって、蛍光体を塗布し、３００℃まで
の低温で焼結して蛍光体２１〜２５を膜状に形成し、本
発明の発光装置を得た。なお、前記蛍光体は、ＬＥＤか
らの波長３７０ｎｍの光を受けて、青、緑、黄、赤の色
成分を含む蛍光を発するものであり、目視では、白色に
近い色となる。
ｕ１〜ｕ３の内部、および活性層の外側の壁面に、スク
リーン印刷法によって、蛍光体を塗布し、３００℃まで
の低温で焼結して蛍光体２１〜２５を膜状に形成し、本
発明の発光装置を得た。なお、前記蛍光体は、ＬＥＤか
らの波長３７０ｎｍの光を受けて、青、緑、黄、赤の色
成分を含む蛍光を発するものであり、目視では、白色に
近い色となる。
【００７２】〔評価〕上記発光装置のＬＥＤに電力を供
給し、発光させたところ、８０〔ｌｍ／Ｗ〕エネルギー
変換効率であった。
給し、発光させたところ、８０〔ｌｍ／Ｗ〕エネルギー
変換効率であった。
【００７３】
【発明の効果】本発明の発光装置は、第一の態様とし
て、励起光源にレーザを用いており、これによって、波
長４５０ｎｍ以下の短い波長の光を励起光としても、蛍
光体が十分に励起されて高輝度の蛍光が得られる。ま
た、第二の態様として、励起光源にＬＥＤを用いる場合
には、該ＬＥＤに凹部を設け、凹部内に蛍光体を配置す
るという特殊な構造として蛍光を外部に放出させる。こ
の構造によって、青色ＬＥＤにおける光の取出し効率の
低さを改善している。
て、励起光源にレーザを用いており、これによって、波
長４５０ｎｍ以下の短い波長の光を励起光としても、蛍
光体が十分に励起されて高輝度の蛍光が得られる。ま
た、第二の態様として、励起光源にＬＥＤを用いる場合
には、該ＬＥＤに凹部を設け、凹部内に蛍光体を配置す
るという特殊な構造として蛍光を外部に放出させる。こ
の構造によって、青色ＬＥＤにおける光の取出し効率の
低さを改善している。
【図１】本発明の発光装置の構成の概要を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の発光装置の一態様を示す図であって、
励起光源として面発光レーザを用いた例を示している。
励起光源として面発光レーザを用いた例を示している。
【図３】本発明の発光装置の一態様を示す図であって、
励起光源としてストライプ型のレーザを用いた例を示し
ている。
励起光源としてストライプ型のレーザを用いた例を示し
ている。
【図４】本発明の発光装置の他の態様として、励起光源
としてＧａＮ系ＬＥＤを用いた例を示している。
としてＧａＮ系ＬＥＤを用いた例を示している。
１ ＧａＮ系半導体レーザ ２ 蛍光体 Ｌ１ レーザ光 Ｌ２ 蛍光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大内 洋一郎 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 湖東 雅弘 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 Ｆターム(参考） 5F041 AA11 CA04 CA05 CA12 CA34 CA40 CA46 CA65 CB03 CB15
Claims (8)
- 【請求項１】 波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を発する
ＧａＮ系半導体レーザを励起光源として有し、該励起光
源からの前記レーザ光によって励起されて可視域の蛍光
を発するよう、蛍光体が前記励起光源と組み合わされた
構成を有することを特徴とする発光装置。 - 【請求項２】 蛍光体より発せられる蛍光が、可視域の
スペクトルに２つ以上のピークを有するものである請求
項１記載の発光装置。 - 【請求項３】 蛍光体が、ＧａＮ系半導体レーザのレー
ザ光出射面に設けられているものである請求項１記載の
発光装置。 - 【請求項４】 ＧａＮ系半導体レーザが、結晶基板に垂
直な方向に共振するよう構成された面発光レーザである
請求項３記載の発光装置。 - 【請求項５】 ＧａＮ系半導体レーザが、ウエハを共通
の結晶基板として該ウエハ上に複数のレーザ素子部が形
成されてなるＧａＮ系半導体レーザアレイであって、蛍
光体が、個々のレーザ素子部のレーザ光出射面に設けら
れているものである請求項１記載の発光装置。 - 【請求項６】 波長４５０ｎｍ以下の光を発する下記
（Ａ）のＧａＮ系発光ダイオードを励起光源として有
し、該励起光源からの前記光によって励起されて可視域
の蛍光を発するよう、蛍光体が下記（Ａ）のＧａＮ系発
光ダイオードの凹部内に配置された構成を少なくとも有
することを特徴とする発光装置。 （Ａ）結晶基板上に、ＧａＮ系結晶からなる積層体が発
光層を含むように形成され、これに電極が設けられた構
造を有するＧａＮ系発光ダイオードであって、該積層体
にはその上面から凹部が設けられ、該凹部の内部側面に
は少なくとも発光層の発光部分が露出しているものであ
るＧａＮ系発光ダイオード。 - 【請求項７】 蛍光体より発せられる可視域の蛍光が、
可視域のスペクトルに２つ以上のピークを有するもので
ある請求項６記載の発光装置。 - 【請求項８】 上記（Ａ）のＧａＮ系発光ダイオード
が、ウエハを共通の結晶基板として該ウエハ上に複数の
発光素子部が形成されてなるＧａＮ系発光ダイオードア
レイである請求項６記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34212498A JP3708730B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34212498A JP3708730B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174346A true JP2000174346A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3708730B2 JP3708730B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=18351330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34212498A Expired - Fee Related JP3708730B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 発光装置 |
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|---|---|
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054503A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent |
| JP2004111493A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
| JP2004221185A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ |
| JP2004253747A (ja) * | 2002-02-27 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| WO2004097294A1 (ja) | 2003-05-02 | 2004-11-11 | Availvs Corporation | 発光面体構造体 |
| JP2005064272A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置 |
| JP2005064189A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置 |
| JP2005085895A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 光源装置及び照明装置 |
| US7194013B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | GaN semiconductor laser device, and optical disk information system using the laser device |
| JP2008010228A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具 |
| JP2009260053A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2009289976A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2010021578A (ja) * | 2002-02-27 | 2010-01-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置に用いる蛍光体 |
| JP2010541217A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出用の半導体ボディ |
| JP2011523182A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-08-04 | フェデラル−モーグル コーポレイション | ヘッドランプアセンブリおよびそのアクセント照明 |
| JP2012501045A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 小型の複数ビーム型車両照明システム |
| JP2012095911A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Fujifilm Corp | 内視鏡及び内視鏡用光源装置 |
| US8562737B2 (en) | 2000-10-19 | 2013-10-22 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group III nitride semiconductor device |
| US9074877B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Positional deviation detection unit, light emitting device, illumination apparatus, projector, vehicle headlamp, and positional deviation adjustment method |
| CN111370394A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-07-03 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种基于单峰深紫外led的多输出峰led器件及其制作方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0863119A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-03-08 | Motorola Inc | 単色ｌｅｄを用いた全色画像表示装置 |
| JPH0964475A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子および電子線励起レーザー |
| JPH09129984A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| JPH09153644A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体表示装置 |
| JPH1041546A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Nippon Sanso Kk | 発光素子 |
| JPH10163526A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Matsushita Electron Corp | 発光素子及び発光ダイオード |
| JPH10303493A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JPH11168262A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Canon Inc | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 |
| JPH11204832A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH11204862A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP34212498A patent/JP3708730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0863119A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-03-08 | Motorola Inc | 単色ｌｅｄを用いた全色画像表示装置 |
| JPH0964475A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子および電子線励起レーザー |
| JPH09129984A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| JPH09153644A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体表示装置 |
| JPH1041546A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Nippon Sanso Kk | 発光素子 |
| JPH10163526A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Matsushita Electron Corp | 発光素子及び発光ダイオード |
| JPH10303493A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JPH11168262A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Canon Inc | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 |
| JPH11204832A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH11204862A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8562737B2 (en) | 2000-10-19 | 2013-10-22 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group III nitride semiconductor device |
| US7157746B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-01-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device having a divalent-europium-activated alkaline earth metal orthosilicate phosphor |
| WO2002054503A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent |
| US7138660B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-11-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7679101B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-03-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6943380B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate |
| US7259396B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-08-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light source with a light-emitting element |
| US7194013B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | GaN semiconductor laser device, and optical disk information system using the laser device |
| JP2010021578A (ja) * | 2002-02-27 | 2010-01-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置に用いる蛍光体 |
| JP2004253747A (ja) * | 2002-02-27 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| JP2004111493A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
| JP2004221185A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ |
| WO2004097294A1 (ja) | 2003-05-02 | 2004-11-11 | Availvs Corporation | 発光面体構造体 |
| JP2005064189A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置 |
| JP2005064272A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置 |
| JP4561064B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2010-10-13 | 三菱化学株式会社 | 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置 |
| JP2005085895A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 光源装置及び照明装置 |
| JP2008010228A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具 |
| JP2010541217A (ja) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出用の半導体ボディ |
| US8426843B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting semiconductor body |
| JP2009260053A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2009289976A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2011523182A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-08-04 | フェデラル−モーグル コーポレイション | ヘッドランプアセンブリおよびそのアクセント照明 |
| JP2012501045A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 小型の複数ビーム型車両照明システム |
| JP2012095911A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Fujifilm Corp | 内視鏡及び内視鏡用光源装置 |
| CN102551648A (zh) * | 2010-11-04 | 2012-07-11 | 富士胶片株式会社 | 内窥镜及内窥镜用光源装置 |
| US9074877B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Positional deviation detection unit, light emitting device, illumination apparatus, projector, vehicle headlamp, and positional deviation adjustment method |
| CN111370394A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-07-03 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种基于单峰深紫外led的多输出峰led器件及其制作方法 |
| CN111370394B (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种基于单峰深紫外led的多输出峰led器件及其制作方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3708730B2 (ja) | 2005-10-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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