JP2000171536A

JP2000171536A - フロッピーディスケット型メモリーカード入出力装置用磁気センサーおよびそれを持っている入出力装置

Info

Publication number: JP2000171536A
Application number: JP34273298A
Authority: JP
Inventors: Fumio Nitanda; 文雄二反田; Shunsuke Arakawa; 俊介荒川; Tadashi Kotani; 忠小谷
Original assignee: Hitachi Metals Ltd; Hitachi Ferrite Electronics Ltd
Current assignee: Hitachi Ferrite Electronics Ltd; Proterial Ltd
Priority date: 1998-12-02
Filing date: 1998-12-02
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】フロッピーディスクドライブに挿入組み込む
ことのできるメモリーカード入出力装置の磁気センサー
は、透磁率の高い材料であるパーマロイが使用されてい
るが、２００ｋＨｚ以上では透磁率が低下する。そこで
２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波数で出力の大きな磁気
センサーを得る。【解決手段】厚さ１０〜１００μｍの金属軟磁性体薄
板、例えばアモルファス金属軟磁性体薄板を積層して２
０μｍ〜０．５ｍｍ厚にしたコアに入出力コイルを巻回
した磁気センサーは、高周波におけるインダクタンスが
大で、大きな出力が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、市販のフロッピー
ディスクドライブに挿入して使用することのできるメモ
リーカード入出力装置に関し、特にその装置にメモリー
カードを組み込み、その入出力をフロッピーディスクド
ライブを介して行なうことのできる磁気センサーに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】個人の健康診断結果などの情報をＩＣカ
ードに蓄積しておき、そのＩＣカードを持って医療機関
などを訪れたときに、ＩＣカードに入っている情報を基
にして医療を行うことができ、また医療を施したときの
カルテの内容をＩＣカードに保管することができる。ま
た、電子マネーとしてＩＣカードを使うことも検討され
ている。すなわち、ＩＣカードに使用する人の銀行口
座、暗証番号、必要により口座の残高を記憶させてお
き、お金を使うたびにＩＣカードを経由して銀行口座と
の通信決済を行うというものである。

【０００３】またデジタルカメラの撮像情報は比較的情
報量が多いので、容量の大きいフラッシュメモリーに保
管することが提案されている。フラッシュメモリーは数
メガバイトから１０メガバイトの容量を持っているので
デジタルカメラの撮像情報をフラッシュメモリーに保管
しておき、そのフラッシュメモリーをパソコンに接続す
ることによって、パソコンで処理を行うことができ、そ
の結果をフラッシュメモリーに蓄積することでＭＯのよ
うな追加の外部記憶装置を必要としないというものであ
る。

【０００４】これらのＩＣカードにしてもフラッシュメ
モリーにしても、それらの入出力装置として独自の機器
が必要であり、この必要性のために普及が妨げられてい
る。コンピュータ、特に広く用いられているパソコンの
入出力装置としてはフロッピーディスクドライブ特に
３．５" フロッピーディスクドライブが一般に市販され
ている。３．５" フロッピーディスクドライブを用い
て、ＩＣカードやフラッシュメモリーの入出力が行なえ
ると普及にはずみが付くものと考えられる。３．５" フ
ロッピーディスクドライブを用いてＩＣカードやフラッ
シュメモリーなどメモリーカードの入出力を行うことも
考えられており、３．５" フロッピーディスクドライブ
に挿入組み込むことのできるフロッピーディスケット型
メモリーカード入出力装置が提案されている。

【０００５】フロッピーディスケット型メモリーカード
入出力装置には、フロッピーディスクドライブに挿入し
て、フロッピーディスクドライブヘッドとの間で情報の
入出力を行うために磁気センサーが付いている。磁気セ
ンサーは高い感度を必要とする事から、そのコアとして
は、透磁率の高い材料であるパーマロイが用いられてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし信号の周波数は
２００ｋＨｚ以上なので、パーマロイの透磁率μが低下
して、その出力が低くなり、入出力ができないあるい
は、誤動作を生じることがあった。

【０００７】そこで本発明では、周波数が２００ｋＨｚ
〜１ＭＨｚで出力の大きなフロッピーディスケット型メ
モリーカード入出力装置用の磁気センサーを提供し、ま
たその様な磁気センサーを持ったメモリーカード入出力
装置を提供することを目的としている。

【０００８】また、本発明では、金属薄板を積層したコ
アを持っており、その金属薄板を３００℃以下の低い温
度で熱処理を施して大きな出力が得られた磁気センサー
を提供し、またその様な磁気センサーを持ったメモリー
カード入出力装置を提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のフロッピーディ
スケット型メモリーカード入出力装置用磁気センサー
は、フロッピーディスクドライブの磁気ヘッドとの間で
電磁相互作用によって情報の入出力を行う磁気センサー
であって、金属軟磁性体薄板を積層した２０μｍ〜０．
５ｍｍ厚のコアに入出力コイルを巻回したことを特徴と
する。好ましくは、この金属軟磁性体薄板はアモルファ
ス金属薄板である。

【００１０】本発明のフロッピーディスケット型メモリ
ーカード入出力装置用磁気センサーは、２００ｋＨｚ〜
１ＭＨｚの周波数において、磁気センサーのインダクタ
ンスが４００μＨ〜８００μＨであることが好ましい。
コアの厚みは、４０μｍ〜０．１ｍｍであることが好ま
しい。

【００１１】使用しているアモルファス金属軟磁性体薄
板などの金属軟磁性体薄板の厚さが５〜１００μｍであ
り、これを積層することによって２０μｍ〜０．５ｍｍ
厚、より好ましくは４０μｍ〜０．１ｍｍ厚のコアとす
ることが高周波における特性を改善し、高出力でかつ波
形歪みの無い信号を得る事が出来る。

【００１２】本発明のフロッピーディスケット型メモリ
ーカード入出力装置用磁気センサーに用いている金属軟
磁性体薄板は、アモルファスであることが好ましく、そ
れはＣｏ系であることが好ましく、特に組成が一般式で
Ｃｏ_aＭ_bＸ_c（a, b, c:原子％）で示される材料（こ
こでＭはＦｅ，ＮｉおよびＭｎから選ばれた少なくとも
１種の元素であり、ＸはＳｉ，Ｂ，Ｐ，Ｃ，およびＧｅ
から選ばれた少なくとも１種の元素で、Ｃｏの１０原子
％以下をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも１種の元素で置換して
おり、a + b + c = 100,50 ≦ a≦ 80, b≦ 15 であ
る）であることが好適である。またこのアモルファス金
属軟磁性体薄板のキュリー温度は２５０℃以下であるこ
とが特に好ましい。

【００１３】また本発明のフロッピーディスケット型メ
モリーカード入出力装置は、上記の磁気センサーを持っ
ていることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら本発明を
詳細に説明する。図１は本発明に関するフロッピーディ
スケット型メモリーカード入出力装置の平面図で、図２
は本発明に関するフロッピーディスケット型メモリーカ
ード入出力装置用磁気センサーとフロッピーディスクド
ライブの磁気ヘッドとの関係を説明する斜視図で、図３
は本発明に関するフロッピーディスケット型メモリーカ
ード入出力装置用磁気センサーの測定回路図と信号波形
を示す図である。図４は本発明および比較例に使用して
いる金属軟磁性体薄板の熱処理条件を示す図で、図５は
図４に示した熱処理を施した金属軟磁性体薄板を用いて
作製した磁気センサーのインダクタンスの周波数特性を
示す図である。

【００１５】本発明に関するフロッピーディスケット型
メモリーカード入出力装置１は、その平面図を図１に示
すような構造をしており、フロッピーディスクドライブ
に組み込まれたときにフロッピーディスクドライブの磁
気ヘッドとの間で情報の入出力が行なえるようになって
いる。ここでは最も広く用いられている３．５″フロッ
ピーディスクドライブに取り付けられる構造をしたディ
スケットを用いているが、それ以外のサイズあるいは構
造をしたディスケットについても応用できることは以下
の説明から明らかとなるであろう。ディスケットケース
の一端にフロッピーディスクドライブの磁気ヘッドが入
り込むための開口１３があり、磁気センサーとの距離を
規定するための非磁性体のシートでカバーされている。
この開口１３の内部には軟磁性体薄板からできた磁気セ
ンサー２が設けられており、磁気センサー２の磁気ギャ
ップがフロッピーディスクドライブの磁気ヘッドと対向
するようになっている。

【００１６】入出力装置１には、ＩＣカードあるいは磁
気カードなどのように磁気ストライプを持ったメモリー
カードを収納するためのスペース１５があり、またメモ
リーカードとの間で情報をやり取りするためのカードコ
ンタクト端子１６が設けられている。磁気センサー２と
カードコンタクト端子１６との間で情報を処理するため
に必要によりＣＰＵ１８が設けられている。ＣＰＵ１８
などの駆動のための電源として電池あるいは小型発電機
が入出力装置１内に設ける必要があるが、図ではこれら
を省略している。

【００１７】磁気センサー２は、金属軟磁性体薄板を積
層した２０μｍ〜０．５ｍｍ厚のコア２１の一部に例え
ば０．５〜１ｍｍのギャップ長を持った磁気ギャップ２
２が設けられており、コア２１にはコイル２３が１００
〜２００回巻かれて設けられている。磁気センサー２の
磁気ギャップ２２がフロッピーディスクドライブの磁気
ヘッド３１のギャップ３２と小さな空隙、例えば０．１
４ｍｍのプラスチックシートを介して対向するようにし
て、フロッピーディスクドライブの磁気ヘッド３１と磁
気センサー２の間の電磁相互作用によって情報の入出力
を行うようになっている。フロッピーディスクドライブ
の磁気ヘッド３１は広く用いられているものなので詳し
い構造やその働きについての説明は必要がないだろう。

【００１８】磁気センサー２のコア２１は厚さが５〜１
００μｍの金属軟磁性体薄板を２枚以上積層して２０μ
ｍ〜０．５ｍｍ厚、好ましくは４０μｍ〜０．１ｍｍの
厚さにしている。金属軟磁性体薄板の間に接着剤例えば
エポキシ系接着剤を塗布することによって、薄板間の絶
縁と変形を防止しひいてはノイズの防止をしている。

【００１９】本発明では、５〜１００μｍ厚の金属軟磁
性体薄板を積層して用いているので、高周波帯域での表
皮効果を防止し、高周波磁界に対する磁束を大きくする
ことができる。すなわち、軟磁性体の高周波特性を十分
に利用できる。この意味でも薄板間の絶縁は有効であ
る。金属軟磁性体薄板の厚さは薄いほど高周波特性が良
くなるが、５μｍ未満になると薄板間の絶縁に使用して
いる接着剤層の体積比率が多くなるので、５μｍ以上が
好ましく、また１００μｍを超えると表皮効果が大きく
なって高周波特性が低下する。また金属軟磁性薄板とし
てＦｅ, Ｃｏ，Ｎｉなどの磁性を有する遷移金属とＢ,
Ｃ, Ｐ, Ｓｉなどのガラス形成物質とから成る非晶質合
金（アモルファス材）を用いれば、高周波特性はさらに
改善される。この理由は、パーマロイ等の一般の金属軟
磁性材料に比べてアモルファスは比抵抗が高く、薄板を
積層する効果と併せて高周波帯域での表皮効果を防止す
る作用がさらに強化されるためである。このうちＣｏ系
アモルファス材はＦｅ系アモルファスに比べて透磁率が
高く、また耐食性も良いので、高出力や高信頼性を要求
される本用途にはＣｏ系が適している。アモルファス薄
板は一般に溶湯を片ロールで急冷して作成し、厚さが５
〜５０μｍとなるので、製造面から言ってこの厚さが良
い。

【００２０】本発明では金属軟磁性体薄板を積層したコ
アの厚さは２０μｍ〜０．５ｍｍとしている。コア厚さ
を２０μｍ未満とすると、コアの機械的強度が弱くなる
ために組立てや保持が困難となる。積層数が大であるほ
どコア厚も大になり、コア中を通る磁束量が多くなって
インダクタンスや出力を大きくすることができるが、コ
アの外周にコイルを取り付ける必要があるので、フロッ
ピーディスケット内に入れることのできる厚さという面
から、全体のコア厚は０．５ｍｍ以下に制限される。さ
らにノイズに比べて十分な大きさの信号出力を得るため
にはコア厚は４０μｍ以上が望ましく、また磁気センサ
ーの共振周波数を信号の周波数帯域より十分に高く保つ
ためにはコア厚を０. １ｍｍ以下にすることが望まし
い。

【００２１】金属軟磁性体薄板としてはアモルファスの
ように高周波における透磁率の高い材料が好ましい。こ
の材料を組成の面から言うとＣｏ系のアモルファス金属
軟磁性体である。これは一般式でＣｏ_aＭ_bＸ_c（a, b, c:原子％）で示される材料である。ここでＭはＦｅ，ＮｉおよびＭ
ｎから選ばれた少なくとも１種の元素であり、ＸはＳ
ｉ，Ｂ，Ｐ，Ｃ，およびＧｅから選ばれた少なくとも１
種の元素で、a + b + c = 100, 50 ≦ a≦ 80, b≦ 15
である。Ｍに含まれる元素は合金の磁歪やキュリー温度
などの磁気特性を調整する。Ｃｏ系アモルファス金属は
小さい負の磁歪を持つので磁歪を正にする元素であるＦ
ｅ，Ｎｉ，Ｍｎを適当量入れて金属の磁歪を望ましい値
にする。Ｍｎはキュリー温度を低下させるので、熱処理
温度を低くすることができるようになるが、過剰のＭｎ
の添加は温度特性を悪くするので、１０原子％以内とす
る。このことから、Ｍ元素の添加量は１５原子％以下、
好ましくは４〜１０原子％である。またＸに含まれる元
素（半金属元素）はアモルファス化する効果を持つ。Ｘ
元素のうちＢ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃが実際的な元素であり、Ｃ
ｏ系アモルファス金属の場合、Ｂ，Ｓｉが適したもので
ある。特にＢとＳｉの複合添加でアモルファス形成能が
向上する。通常Ｓｉが６〜１２原子％、Ｂが８〜１４原
子％とが添加される。Ｘ元素が増えるほど結晶化温度は
上昇し、アモルファス相が形成しやすく安定になる。し
かし、合金の共晶（あるいは亜共晶）組成に近いように
選択される。望ましい磁気特性を有する均質な非晶質合
金を安定に得るために、上記の組成範囲が選ばれたもの
である。

【００２２】また好ましくはこの一般式でＣｏの１０原
子％以下をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａから選ばれた少なくとも１種の元素で置換する
ことができる。さらに置換された元素の総量は全体の１
原子％以上であることがより好ましい。これは高透磁
率、低損失などの良好な磁気特性を維持しながら、材料
のキュリー温度をさらに下げることが可能となるためで
ある。しかし、置換量が１０原子％を超えるとキュリー
温度を大きく下げて、温度特性を劣化し、また磁歪調整
の妨げとなる。特に好ましい範囲は２〜６原子％であ
る。

【００２３】金属軟磁性体薄板がＣｏ系アモルファスの
場合、上に述べた組成になるように母合金を配合し、こ
れを非酸化性雰囲気中で高周波溶解する。例えば、１２
５０℃の溶湯を溶解炉下部に開けたノズルから銅製ロー
ラー上に噴出して、１０6 Ｋ／ｓｅｃ程度の冷却速度で
固化して１０〜２５μｍ厚のアモルファス金属軟磁性体
薄板を得る。この金属軟磁性体薄板を磁気センサーの形
状になるようにフォトエッチング法、もしくはプレスに
より型抜きを行う。型抜きをした金属軟磁性体薄板を必
要によりキュリー温度以上で結晶化温度以下で熱処理を
行う。溶湯から急冷凝固した金属材料では、凝固時の歪
みを開放する必要から熱処理を施す。この熱処理によっ
て、歪みの開放と透磁率の改善をする。この熱処理温度
は高い方が、透磁率の改善などの為には良いがその熱処
理温度はキュリー温度以上で、材料の結晶化温度や脆化
温度以下とする必要がある。脆化温度は高い方が好まし
いが、材料の構造緩和なので、結晶化温度が高い方が脆
化温度も高く安定といえるが、必ずしも結晶化温度に比
例はしない。結晶化温度が高いほどアモルファス相が安
定である。一方、キュリー温度が低いほど、熱処理温度
を下げることができるが、低すぎると磁気特性の温度依
存性が悪くなる。この材料ではキュリー温度は１５０〜
３００℃の範囲、好ましくは２５０℃以下にあるので、
熱処理をキュリー温度以上３００℃以下で行うことによ
って磁気特性を向上することができる。

【００２４】このようにして得た金属軟磁性体薄板に接
着剤を塗布して、２枚以上積層することで磁気センサー
コアが得られる。このコアに１００〜２００回コイルを
巻くが、この時に２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚにおけるイン
ダクタンスが４００〜８００μＨであることが好まし
い。これはインダクタンスが４００μＨより小さいと出
力が小さく、かつ出力波形が歪むなどの問題が生じ、ま
た８００μＨを超えると磁気センサーの共振周波数が動
作周波数帯域に近づいて出力が不安定になるためであ
る。

【００２５】このようにして得た磁気センサー２の評価
回路図と信号波形を図３に示す。この図で４は評価回路
で、そのなかにフロッピーディスクドライブ３を持って
いる。フロッピーディスクドライブの磁気ヘッド３１と
小さな空隙を介して磁気センサー２の磁気ギャップが対
向するように設置して、パルス発振回路４１から同図の
にあるような矩形波パルスを出す。フロッピーディス
クドライブ３の記録ヘッドドライバ３４から磁気ヘッド
３１のコイル３３に同図のにあるような電圧波形が与
えられる。磁気センサー２のコイル２３には同図にあ
る出力が得られる。この図で左側は５００ｋＨｚの入力
に対する応答を、右側は２５０ｋＨｚの入力に対する応
答を各々示している。この応答出力波形は急峻であり、
出力の大きさも１０００ｍＶ以上である。この大きな出
力は、インダクタンスの値が４００〜８００μＨと大き
な値を持っていることによることによるものである。

【００２６】

【実施例】アモルファス金属軟磁性体薄板ＡとしてＣｏ
₇₀Ｍｏ_0.3（Ｆｅ，Ｍｎ）₆（Ｓｉ，Ｂ）_23.7（原子
％）の組成からなり、厚さ２０μｍのものを３層積層し
て６０μｍのコアとした。またアモルファス金属軟磁性
体薄板ＢとしてＣｏ₆₉Ｍｏ_2. ₅（Ｆｅ，Ｍｎ）₅（Ｓ
ｉ，Ｂ）_23.5（原子％）の組成からなり、厚さ２０μｍ
のものを３層積層して６０μｍのコアを得た。比較例と
してＮｉ₇₉Ｍｏ₂Ｃ_0.01Ｍｎ_0.7Ｂａｌ．Ｆｅ（重量
％）の組成をしたパーマロイ薄板を用いその厚さ１００
μｍのものを１層でコアとした。アモルファス金属軟磁
性体薄板Ａのキュリー温度は２７０℃、アモルファス金
属軟磁性体薄板Ｂのキュリー温度は２００℃であった。
キュリー温度の違いは主としてＣｏを置換したＭｏの組
成比に起因したものである。他の非磁性元素で置換して
も同様にキュリー温度を下げることが出来るが、十分な
キュリー温度低減効果を得るためには全体の１原子％以
上になるまでＣｏを置換する事が必要である。

【００２７】これらのコアを図４に示す熱処理条件で熱
処理をした後、コアのギャップを押し広げて１７５ター
ンの巻き線を施したボビンを挿入し、磁気センサーとし
た。パーマロイ薄板は１１００℃で２時間保持をした後
９００℃まで炉冷を行なった後、水素中急冷を施した。
パーマロイはこのように高い温度で熱処理を施す必要が
あるので材料の弾性が失われ、表１にあるようにボビン
挿入時にコアが屈曲する問題があった。アモルファスＡ
を図４の条件Ａ〜Ｃで熱処理を施したものと、全く熱処
理を施さなかったものについてその特性を比較した。表
１にあるようにこの材料では全く熱処理を施さなかった
ものと、条件ＡおよびＢすなわち１５０〜２２０℃程度
で熱処理をしたものは、靱性が大で接着強度も十分であ
るが、それらのインダクタンスは低かった。それに比し
て、アモルファスＡでも、熱処理条件Ｃ（３１０℃で２
時間保持）のものは５００ｋＨｚにおけるインダクタン
スが大きくなったが、材料が脆くなり、接着強度が劣化
した。このため磁気センサー組み立て工程において、積
層したアモルファス薄板が剥離したり、コアが破損しや
すくなる問題があった。

【００２８】アモルファスＢは、２８０℃以下の熱処理
である熱処理条件Ａ、Ｂおよび熱処理を施さないもので
もインダクタンスが大きくなった。またこれらの熱処理
条件では靱性が大で接着強度も大であり、磁気センサー
組立工程において積層した薄板の剥離や破損などの問題
は生じなかった。さらにコアは十分な曲げ弾性を維持し
ており、巻き線を施したボビンをコアのギャップを押し
開いて挿入した後でも変形することなく、コアの平坦性
が損なわれる事は無かった。アモルファスＢであって
も、熱処理条件Ｃ、Ｄでは靱性の低下と接着強度の低下
が生じたが、このような高温での熱処理を施さなくとも
また熱処理がなくとも良好な磁気特性が得られるのでこ
のような熱処理は必要としないものである。

【００２９】

【表１】

【００３０】このようにして得た各コアに１７５回のコ
イルを巻いた磁気センサーの５００ｋＨｚにおける出力
を表１に合わせて示す。本発明による磁気センサーは出
力の大きいものであることがわかる。また出力は、信号
の周波数と同じ５００ｋＨｚにおけるインダクタンスに
ほぼ比例していた。

【００３１】また、各コアのインダクタンスの周波数特
性を図５に示している。なお図５のアモルファスＡは熱
処理条件Ｃ、アモルファスＢは熱処理条件Ｂ、パーマロ
イは熱処理条件Ｅによるものである。この図から明らか
なように、パーマロイは低周波数では大きなインダクタ
ンスを持つが２００ｋＨｚ以上では急激に低下してい
る。アモルファスはＡ，Ｂともに１００ｋＨｚ以上にな
っても大きなインダクタンスを持ち、２００ｋＨｚ〜１
ＭＨｚで４００〜８００μＨの範囲にある。この高周波
帯域におけるインダクタンスの高さが、大きい出力の得
られる原因である。またアモルファスでは周波数に対す
るインダクタンスの変化率も小さく、周波数帯域の広い
信号に対して均等な出力が要求される本用途に適したも
のである。これは主として材料自体の持つ特性に起因す
るが、本発明にあるように薄板を積層することにより高
周波領域での渦電流損が緩和された効果も加味されてい
る。ただ上に述べたようにアモルファスＡは同じ磁気特
性を実現する上でアモルファスＢに比して高い熱処理温
度を必要とし、このため靭性や接着強度が劣化する問題
がある。したがって本用途に対しては、アモルファスＢ
の方がより適している。

【００３２】

【発明の効果】本発明の、１０〜１００μｍ厚の金属軟
磁性体薄板、例えばアモルファス金属軟磁性体薄板を積
層して２０μｍ〜０．５ｍｍ厚にしたコアに入出力コイ
ルを巻回したフロッピーディスケット型メモリーカード
入出力装置用磁気センサーは、２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚ
の周波数におけるインダクタンスが大で、大きな出力が
得られる。そこでこの磁気センサーをメモリーカード入
出力装置に用いると誤動作のないものとなる。また、コ
アに用いている材質は熱処理温度が２８０℃以下と低い
ものあるいは熱処理の必要のないものなので、熱処理に
よるコア材の脆化や変形がなく、積層を必要とするコア
材として適したものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関するフロッピーディスケット型メモ
リーカード入出力装置の平面図である。

【図２】本発明に関するフロッピーディスケット型メモ
リーカード入出力装置用磁気センサーとフロッピーディ
スクドライブの磁気ヘッドとの説明斜視図である。

【図３】本発明に関するフロッピーディスケット型メモ
リーカード入出力装置用磁気センサーの測定回路図と信
号波形を示す図である。

【図４】本発明に使用している金属軟磁性体薄板の熱処
理条件を示す図である。

【図５】本発明に使用している金属軟磁性体薄板のイン
ダクタンスの周波数特性を示す図である。

【符号の説明】

１フロッピーディスケット型メモリーカード入出
力装置１３開口１５スペース１６カードコンタクト端子１８ＣＰＵ２磁気センサー２１コア２２磁気ギャップ２３コイル３フロッピーディスクドライブ３１磁気ヘッド３２ギャップ３３コイル３４記録ヘッドドライバ４評価回路４１パルス発振回路

フロントページの続き (72)発明者荒川俊介島根県安来市安来町2107番地２日立金属株式会社冶金研究所内 (72)発明者小谷忠鳥取県鳥取市南栄町26番地１日立フェライト電子株式会社内Ｆターム(参考） 2G017 AD04 AD05 AD51 AD63 AD65

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フロッピーディスクドライブの磁気ヘッ
ドとの間で電磁相互作用によって情報の入出力を行う磁
気センサーであって、アモルファス金属軟磁性体薄板を
積層した２０μｍ〜０．５ｍｍ厚のコアに入出力コイル
を巻回したことを特徴とするフロッピーディスケット型
メモリーカード入出力装置用磁気センサー。
【請求項２】２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの周波数におい
て、磁気センサーのインダクタンスが４００μＨ〜８０
０μＨであることを特徴とする請求項１記載のフロッピ
ーディスケット型メモリーカード入出力装置用磁気セン
サー。
【請求項３】コアの厚みが４０μｍ〜０．１ｍｍであ
ることを特徴とする請求項１あるいは２記載のフロッピ
ーディスケット型メモリーカード入出力装置用磁気セン
サー。
【請求項４】５〜１００μｍ厚の金属軟磁性体薄板を
積層した２０μｍ〜０．５ｍｍ厚のコアに入出力コイル
を巻回したことを特徴とするフロッピーディスケット型
メモリーカード入出力装置用磁気センサー。
【請求項５】コアの厚みが４０μｍ〜０．１ｍｍであ
ることを特徴とする請求項４記載のフロッピーディスケ
ット型メモリーカード入出力装置用磁気センサー。
【請求項６】アモルファス金属薄板が一般式でＣｏ_aＭ_bＸ_c（a, b, c:原子％）（ここでＭはＦｅ，ＮｉおよびＭｎから選ばれた少なく
とも１種の元素であり、ＸはＳｉ，Ｂ，Ｐ，Ｃ，および
Ｇｅから選ばれた少なくとも１種の元素で、Ｃｏの１０
原子％以下をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆから選ばれた少なくとも１種の元素で置換し
ており、a + b + c = 100, 50 ≦ a≦ 80,b≦ 15 であ
る。）で示されるＣｏ系であることを特徴とする請求項
１〜３いずれか記載のフロッピーディスケット型メモリ
ーカード入出力装置用磁気センサー。
【請求項７】アモルファス金属薄板のキュリー温度が
２５０℃以下であることを特徴とする請求項６記載のフ
ロッピーディスケット型メモリーカード入出力装置用磁
気センサー。
【請求項８】請求項１〜７いずれか記載の磁気センサ
ーを持っていることを特徴とするフロッピーディスケッ
ト型メモリーカード入出力装置。