JP2000164747A - 気密パッケージ - Google Patents
気密パッケージInfo
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- JP2000164747A JP2000164747A JP10339637A JP33963798A JP2000164747A JP 2000164747 A JP2000164747 A JP 2000164747A JP 10339637 A JP10339637 A JP 10339637A JP 33963798 A JP33963798 A JP 33963798A JP 2000164747 A JP2000164747 A JP 2000164747A
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- insulating base
- cap
- electrode
- metal cap
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁性ベースの開口部をキャップで封止した
気密パッケージにおいて、気密パッケージの薄型化およ
び浮遊容量や外来電磁波による電子素子の特性変動を防
止し得る気密パッケージを提供する。 【解決手段】 ガラスセラミック製の絶縁性ベース１の
端面部に接地用電極１０を形成し、絶縁性ベース１の開
口部をこれと近似した熱膨張係数の金属キャップ１３で
封止するとともに、この金属キャップ１３と接地用電極
１０とを導電性材料１５で接続した。
気密パッケージにおいて、気密パッケージの薄型化およ
び浮遊容量や外来電磁波による電子素子の特性変動を防
止し得る気密パッケージを提供する。 【解決手段】 ガラスセラミック製の絶縁性ベース１の
端面部に接地用電極１０を形成し、絶縁性ベース１の開
口部をこれと近似した熱膨張係数の金属キャップ１３で
封止するとともに、この金属キャップ１３と接地用電極
１０とを導電性材料１５で接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性ベース内に
水晶振動素子，水晶発振素子，ＳＡＷデバイス素子等の
電子素子を封入しキャップで封止する気密パツケージに
関し、特に、金属キャップを用いてこの金属キャップを
接地する気密パッケージに関する。
水晶振動素子，水晶発振素子，ＳＡＷデバイス素子等の
電子素子を封入しキャップで封止する気密パツケージに
関し、特に、金属キャップを用いてこの金属キャップを
接地する気密パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】水晶振動子用の気密パッケージとして、
絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース
外に導出された電極と、絶縁性ベースの開口部に封止材
で固着封止されたキャップを有するものがある。そのよ
うな気密パッケージは、例えば、実開平６−７７３２８
号公報に開示されている。その典型的なものについて、
以下説明する。図７は従来の気密パツケージのキャップ
を除去した平面図で、図８は図７にキャップを付加した
状態の気密パツケージのＢ−Ｂ線に沿う縦断面図であ
る。図において、８１はアルミナセラミック等の絶縁性
ベースで、底板部８２と枠体部８３とを有する。８４、
８５は絶縁性ベース８１内から絶縁性ベース８１外に導
出されている導電ペーストを塗布・焼成して形成された
電極、８６は前記電極８４、８５に接続固着された水晶
振動素子等の電子素子、８７は絶縁性ベース８１の枠体
部８３に低融点ガラス、樹脂等の封止材８８を介して固
着封止されたアルミナセラミック製の絶縁性キャップで
ある。
絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース
外に導出された電極と、絶縁性ベースの開口部に封止材
で固着封止されたキャップを有するものがある。そのよ
うな気密パッケージは、例えば、実開平６−７７３２８
号公報に開示されている。その典型的なものについて、
以下説明する。図７は従来の気密パツケージのキャップ
を除去した平面図で、図８は図７にキャップを付加した
状態の気密パツケージのＢ−Ｂ線に沿う縦断面図であ
る。図において、８１はアルミナセラミック等の絶縁性
ベースで、底板部８２と枠体部８３とを有する。８４、
８５は絶縁性ベース８１内から絶縁性ベース８１外に導
出されている導電ペーストを塗布・焼成して形成された
電極、８６は前記電極８４、８５に接続固着された水晶
振動素子等の電子素子、８７は絶縁性ベース８１の枠体
部８３に低融点ガラス、樹脂等の封止材８８を介して固
着封止されたアルミナセラミック製の絶縁性キャップで
ある。
【０００３】上記の構成の気密パツケージにおいては、
キャップ８７がアルミナセラミック等よりなる絶縁性の
ものであるため、機械的強度の面から薄型化に限度があ
るのみならず、浮遊容量や外来電磁波の影響により、水
晶振動素子等の電子素子８６の周波数特性の変動等の特
性変動が生じるという問題があった。上記の問題点のう
ち前者の問題点を解決するためには、例えば、金属製の
キャップを用いて接地することが考えられる。ところ
が、絶縁性ベース８１を構成するアルミナセラミックと
金属との熱膨張係数差が大きいため応力が発生し、この
応力に起因して封止材８８に亀裂が生じたり、金属キャ
ップ８７が剥離するという新たな問題点が発生する。ま
た、後者の問題点を解決するためには、例えば、絶縁性
キャップ８７の内面に金属層を形成して、この金属層を
接地することが考えられる。ところが、そのような構造
では、キャップがますます厚くなる。さらに、金属キャ
ップにしろ、絶縁性キャップの内面に金属層を形成する
にしろ、接地するためには、封止材８８として、はんだ
や導電性樹脂等の導電性の封止材しか使用できず、しか
もこの封止材８８を接地するための手段が必要になると
いう、新たな問題点があった。
キャップ８７がアルミナセラミック等よりなる絶縁性の
ものであるため、機械的強度の面から薄型化に限度があ
るのみならず、浮遊容量や外来電磁波の影響により、水
晶振動素子等の電子素子８６の周波数特性の変動等の特
性変動が生じるという問題があった。上記の問題点のう
ち前者の問題点を解決するためには、例えば、金属製の
キャップを用いて接地することが考えられる。ところ
が、絶縁性ベース８１を構成するアルミナセラミックと
金属との熱膨張係数差が大きいため応力が発生し、この
応力に起因して封止材８８に亀裂が生じたり、金属キャ
ップ８７が剥離するという新たな問題点が発生する。ま
た、後者の問題点を解決するためには、例えば、絶縁性
キャップ８７の内面に金属層を形成して、この金属層を
接地することが考えられる。ところが、そのような構造
では、キャップがますます厚くなる。さらに、金属キャ
ップにしろ、絶縁性キャップの内面に金属層を形成する
にしろ、接地するためには、封止材８８として、はんだ
や導電性樹脂等の導電性の封止材しか使用できず、しか
もこの封止材８８を接地するための手段が必要になると
いう、新たな問題点があった。
【０００４】また、金属キャップを用いて応力発生を防
止するためには、例えば、図９に示すように、絶縁性ベ
ース８１の枠体部８３の上面にＷ−Ｎｉ−Ａｕ等のメタ
ライズ層８９を形成し、このメタライズ層８９の上に前
記絶縁性ベース８１と金属キャップの中間の熱膨張係数
を有する金属枠体部９０をろう付けし、この金属枠体部
９０に金属キャップ９１をシーム溶接等により固着封止
することが考えられる。しかしながら、このような構造
では、メタライズ層８９の形成が必要で、加工費が嵩む
のみならず、金属枠体部９０も必要であり、材料費も嵩
む。
止するためには、例えば、図９に示すように、絶縁性ベ
ース８１の枠体部８３の上面にＷ−Ｎｉ−Ａｕ等のメタ
ライズ層８９を形成し、このメタライズ層８９の上に前
記絶縁性ベース８１と金属キャップの中間の熱膨張係数
を有する金属枠体部９０をろう付けし、この金属枠体部
９０に金属キャップ９１をシーム溶接等により固着封止
することが考えられる。しかしながら、このような構造
では、メタライズ層８９の形成が必要で、加工費が嵩む
のみならず、金属枠体部９０も必要であり、材料費も嵩
む。
【０００５】また、図１０に示すように、図９と同様に
枠体部８３の上面にメタライズ層８９を形成し、このメ
タライズ層８９の上にはんだ，Ａｕ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｓｎ
等の軟質性の封止材９２を用いて金属キャップ９１を固
着封止することも考えられる。しかしながら、このよう
な構造では、メタライズ層８９の形成が必要で、加工費
が嵩むのみならず、封止材９２を全周にわたって厚く形
成する必要があり、材料費も嵩む。
枠体部８３の上面にメタライズ層８９を形成し、このメ
タライズ層８９の上にはんだ，Ａｕ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｓｎ
等の軟質性の封止材９２を用いて金属キャップ９１を固
着封止することも考えられる。しかしながら、このよう
な構造では、メタライズ層８９の形成が必要で、加工費
が嵩むのみならず、封止材９２を全周にわたって厚く形
成する必要があり、材料費も嵩む。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、金
属キャップを用いてこの金属キャップを簡単な手段で接
地することにより、気密パッケージ全体の薄型化がで
き、かつ浮遊容量や外来電磁波等による電子素子の特性
変動が生じない気密パッケージを提供することを目的と
する。
属キャップを用いてこの金属キャップを簡単な手段で接
地することにより、気密パッケージ全体の薄型化がで
き、かつ浮遊容量や外来電磁波等による電子素子の特性
変動が生じない気密パッケージを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
発明は、絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から絶縁
性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベースの開
口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する気密
パッケージにおいて、前記絶縁性ベースの端面に接地用
電極を設けるとともに、前記キャップを前記絶縁性ベー
スと近似した熱膨張係数の金属キャップとし、かつこの
金属キャップを導電性材料で前記接地用電極に接続した
ことを特徴とする気密パッケージである。
発明は、絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から絶縁
性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベースの開
口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する気密
パッケージにおいて、前記絶縁性ベースの端面に接地用
電極を設けるとともに、前記キャップを前記絶縁性ベー
スと近似した熱膨張係数の金属キャップとし、かつこの
金属キャップを導電性材料で前記接地用電極に接続した
ことを特徴とする気密パッケージである。
【０００８】本発明の請求項２記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固
着封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースの端面に凹部を設け、この凹部に
接地用電極を設けるとともに、前記キャップを前記絶縁
性ベースと近似した熱膨張係数の金属キャップとし、か
つこの金属キャップを導電性材料で前記接地用電極に接
続したことを特徴とする気密パッケージである。
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固
着封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースの端面に凹部を設け、この凹部に
接地用電極を設けるとともに、前記キャップを前記絶縁
性ベースと近似した熱膨張係数の金属キャップとし、か
つこの金属キャップを導電性材料で前記接地用電極に接
続したことを特徴とする気密パッケージである。
【０００９】本発明の請求項３記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固
着封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記封止材は絶縁性封止材であり、前記絶縁性ベー
スの端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップ
を前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の金属キャッ
プとし、かつこの金属キャップを導電性材料で前記接地
用電極に接続したことを特徴とする気密パッケージであ
る。
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固
着封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記封止材は絶縁性封止材であり、前記絶縁性ベー
スの端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップ
を前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の金属キャッ
プとし、かつこの金属キャップを導電性材料で前記接地
用電極に接続したことを特徴とする気密パッケージであ
る。
【００１０】本発明の請求項４載の発明は、絶縁性ベー
スと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出さ
れた電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着
封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースはガラスセラミク製であり、前記
絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるとともに、前
記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の
金属キャップとし、かつこの金属キャップを導電性材料
で前記接地用電極に接続したことを特徴とする気密パッ
ケージである。
スと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出さ
れた電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着
封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースはガラスセラミク製であり、前記
絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるとともに、前
記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の
金属キャップとし、かつこの金属キャップを導電性材料
で前記接地用電極に接続したことを特徴とする気密パッ
ケージである。
【００１１】本発明の請求項５載の発明は、絶縁性ベー
スと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出さ
れた電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着
封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースは熱膨張係数が１０〜１４×１０
-6／℃のガラスセラミック製であり、前記絶縁性ベース
の端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップを
前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の金属キャップ
とし、かつこの金属キャップを導電性材料で前記接地用
電極に接続したことを特徴とする気密パッケージであ
る。
スと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出さ
れた電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着
封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースは熱膨張係数が１０〜１４×１０
-6／℃のガラスセラミック製であり、前記絶縁性ベース
の端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップを
前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の金属キャップ
とし、かつこの金属キャップを導電性材料で前記接地用
電極に接続したことを特徴とする気密パッケージであ
る。
【００１２】本発明の請求項６載の発明は、絶縁性ベー
スと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出さ
れた電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着
封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースは熱膨張係数が１０〜１４×１０
-6／℃のガラスセラミック製であり、前記絶縁性ベース
の端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップを
前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数を有するステン
レス鋼よりなる金属キャップとし、かつこの金属キャッ
プを導電性材料で前記接地用電極に接続したことを特徴
とする気密パッケージである。
スと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出さ
れた電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着
封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースは熱膨張係数が１０〜１４×１０
-6／℃のガラスセラミック製であり、前記絶縁性ベース
の端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップを
前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数を有するステン
レス鋼よりなる金属キャップとし、かつこの金属キャッ
プを導電性材料で前記接地用電極に接続したことを特徴
とする気密パッケージである。
【００１３】本発明の請求項７記載の発明は、絶縁性ベ
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固
着封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースは熱膨張係数が１０〜１４×１０
-6／℃のガラスセラミック製であり、前記絶縁性ベース
の端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップを
前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数を有するステン
レス鋼よりなる金属キャップとし、かつこの金属キャッ
プをはんだ，銀ペーストおよび導電性樹脂の中から選択
された導電性材料で前記接地用電極に接続したことを特
徴とする気密パッケージである。
ースと、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出
された電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固
着封止されたキャップとを有する気密パッケージにおい
て、前記絶縁性ベースは熱膨張係数が１０〜１４×１０
-6／℃のガラスセラミック製であり、前記絶縁性ベース
の端面に接地用電極を設けるとともに、前記キャップを
前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数を有するステン
レス鋼よりなる金属キャップとし、かつこの金属キャッ
プをはんだ，銀ペーストおよび導電性樹脂の中から選択
された導電性材料で前記接地用電極に接続したことを特
徴とする気密パッケージである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施例について、以下、
図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施例の
気密パッケージＡの要部を示す斜視図で、図２はその金
属キャップを除去した平面図、図３は図２の気密パッケ
ージＡのＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。図において、
１はセラミック製または、セラミック粉末とガラス粉末
とを混練物を焼結した熱膨張係数が１０〜１４×１０-6
／℃のガラスセラミック製の絶縁性ベースで、底板部２
と枠体部３とを有する。４ないし７は前記ベース１の長
手方向の両側面部に形成された電極形成用の凹部、８、
９は底板部２の上面の離隔した位置に導電ペーストを塗
布・焼成して形成された電極で、一方の電極８は凹部４
の端面部を通って底板部２の裏面まで延在して形成され
ている。他方の電極９は枠体部３の下を迂回して他方の
凹部６の端面部を通って底板部２の裏面まで延在して形
成されている。１０は前記凹部５の端面部を通って底板
部２の裏面まで延在して形成されている接地用電極であ
る。１１は電極８、９と同一材料でかつ同時に形成され
た、「枕」と称される電子素子の支持部である。２点鎖
線で示す１２は前記電極８、９に導電性接着材等で接続
固着される水晶振動素子等の電子素子である。１３は前
記絶縁性ベース１の枠体部３の上面に、はんだ、低融点
ガラス、樹脂等の封止材１４で固着封止された、熱膨張
係数が前記絶縁性ベース１のそれと近似している金属キ
ャップである。ここで、絶縁性ベース１と金属キャップ
とは近似した熱膨張係数のものの組合せが必要で、例え
ば、絶縁性ベース１がアルミナセラミック製の場合は、
金属キャップ１３はニッケル・鉄合金または鉄・ニッケ
ル・コバルト合金製とする。また、絶縁性ベース１が熱
膨張係数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック
製の場合は、金属キャップ１３はＣｒを１６．００〜１
９．００％含むステンレス鋼製とする。そして、この金
属キャップ１３の前記接地用電極１０が形成されている
近傍部分から前記接地用電極１０にかけて、はんだ，銀
ペーストおよび導電性樹脂等の導電材料１５により電気
的に接続されている。
図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施例の
気密パッケージＡの要部を示す斜視図で、図２はその金
属キャップを除去した平面図、図３は図２の気密パッケ
ージＡのＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。図において、
１はセラミック製または、セラミック粉末とガラス粉末
とを混練物を焼結した熱膨張係数が１０〜１４×１０-6
／℃のガラスセラミック製の絶縁性ベースで、底板部２
と枠体部３とを有する。４ないし７は前記ベース１の長
手方向の両側面部に形成された電極形成用の凹部、８、
９は底板部２の上面の離隔した位置に導電ペーストを塗
布・焼成して形成された電極で、一方の電極８は凹部４
の端面部を通って底板部２の裏面まで延在して形成され
ている。他方の電極９は枠体部３の下を迂回して他方の
凹部６の端面部を通って底板部２の裏面まで延在して形
成されている。１０は前記凹部５の端面部を通って底板
部２の裏面まで延在して形成されている接地用電極であ
る。１１は電極８、９と同一材料でかつ同時に形成され
た、「枕」と称される電子素子の支持部である。２点鎖
線で示す１２は前記電極８、９に導電性接着材等で接続
固着される水晶振動素子等の電子素子である。１３は前
記絶縁性ベース１の枠体部３の上面に、はんだ、低融点
ガラス、樹脂等の封止材１４で固着封止された、熱膨張
係数が前記絶縁性ベース１のそれと近似している金属キ
ャップである。ここで、絶縁性ベース１と金属キャップ
とは近似した熱膨張係数のものの組合せが必要で、例え
ば、絶縁性ベース１がアルミナセラミック製の場合は、
金属キャップ１３はニッケル・鉄合金または鉄・ニッケ
ル・コバルト合金製とする。また、絶縁性ベース１が熱
膨張係数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック
製の場合は、金属キャップ１３はＣｒを１６．００〜１
９．００％含むステンレス鋼製とする。そして、この金
属キャップ１３の前記接地用電極１０が形成されている
近傍部分から前記接地用電極１０にかけて、はんだ，銀
ペーストおよび導電性樹脂等の導電材料１５により電気
的に接続されている。
【００１５】上記構成の気密パッケージにおいては、金
属キャップ１３を用いているので、従来のアルミナセラ
ミック等よりなる絶縁性キャップに比較して、薄型化が
可能で、気密パッケージ全体を薄型化できる。また、前
記絶縁性ベース１の凹部５に接地用電極１０を形成する
とともに、金属キャップ１３を導電材料１５により前記
接地用電極１０に接続しているので、浮遊容量や外来電
磁波等による電子素子１２の特性変動を防止できる。さ
らに、金属キャップ１３を導電材料１５により接地用電
極１０に接続しているので、金属キャップ１３の固着封
止用の封止材１４として、はんだや導電性樹脂等の導電
性封止材のみならず、低融点ガラスや通常の樹脂接着材
等の非導電性封止材を用いることができる。
属キャップ１３を用いているので、従来のアルミナセラ
ミック等よりなる絶縁性キャップに比較して、薄型化が
可能で、気密パッケージ全体を薄型化できる。また、前
記絶縁性ベース１の凹部５に接地用電極１０を形成する
とともに、金属キャップ１３を導電材料１５により前記
接地用電極１０に接続しているので、浮遊容量や外来電
磁波等による電子素子１２の特性変動を防止できる。さ
らに、金属キャップ１３を導電材料１５により接地用電
極１０に接続しているので、金属キャップ１３の固着封
止用の封止材１４として、はんだや導電性樹脂等の導電
性封止材のみならず、低融点ガラスや通常の樹脂接着材
等の非導電性封止材を用いることができる。
【００１６】図４は、本発明の第２実施例の気密パッケ
ージＢの要部拡大縦断面図である。この実施例は、図１
ないし図３に示す実施例に比較して、絶縁性ベース２１
として、ガラスとセラツミックの混練物を焼結した熱膨
張係数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック製
で、底板部２２および枠体部２３を有し、その底板部２
２の上面周辺部に、底板部２２と一体に所定高さの段部
２２ａを設けてある。また、絶縁性ベース２１の長手方
向の両端部（図２の電極形成用の凹部４ないし７に対応
する位置）に電極形成用の凹部２４ないし２７を有す
る。ただし、図面では縦断面図に表れる２５、２６のみ
を示している。そして、前記底板部２２の上面に形成さ
れた段部２２ａの上に（図２の電極８、９に対応する位
置および形状の）電極２８、２９および支持部３１を形
成している。前記電極２８は前記凹部２４の端面部を通
って底板部２２の裏面まで延在して形成されている。ま
た、前記電極２９は枠体部２３の下を迂回して他端の凹
部２６の端面部を通って底板部２２の裏面まで延在して
形成されている。さらに、凹部２５の端面部には接地用
電極３０が形成されている。２点鎖線で示す３２は前記
電極２８、２９に接続固着された水晶振動素子等の電子
素子３２である。３３は前記絶縁性ベース２１の枠体部
２３の上面に低融点ガラスよりなる封止材３４を介して
固着封止された、熱膨張係数が前記絶縁性ベース２１の
それと近似している例えばＣｒを１６．００％〜１９．
００％含む金属キャップである。３５は前記金属キャッ
プ３３と前記凹部２５に形成された接地用電極３０とを
接続する導電性封止材である。この実施例は、図１ない
し図３に示す実施例に比較して、絶縁性ベース２１の底
板部２２の上面周辺部に底板部２２と一体の所定高さの
段部２２ａを設けて、この段部２２ａの上に、導電ペー
スト等で電極２８、２９および支持部３１を形成してい
る点が相違する。このため、図１ないし図３の実施例の
ように、電極８、９および支持部１１全体を導電ペース
ト等の導電材料で形成したものに比較して、電極２８、
２９および支持部３１を形成する導電層は薄くてもよ
く、したがって、銀・パラジウム等の高価な導電材料の
使用量を大幅に低減でき、原価低減ができるという特長
がある。
ージＢの要部拡大縦断面図である。この実施例は、図１
ないし図３に示す実施例に比較して、絶縁性ベース２１
として、ガラスとセラツミックの混練物を焼結した熱膨
張係数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック製
で、底板部２２および枠体部２３を有し、その底板部２
２の上面周辺部に、底板部２２と一体に所定高さの段部
２２ａを設けてある。また、絶縁性ベース２１の長手方
向の両端部（図２の電極形成用の凹部４ないし７に対応
する位置）に電極形成用の凹部２４ないし２７を有す
る。ただし、図面では縦断面図に表れる２５、２６のみ
を示している。そして、前記底板部２２の上面に形成さ
れた段部２２ａの上に（図２の電極８、９に対応する位
置および形状の）電極２８、２９および支持部３１を形
成している。前記電極２８は前記凹部２４の端面部を通
って底板部２２の裏面まで延在して形成されている。ま
た、前記電極２９は枠体部２３の下を迂回して他端の凹
部２６の端面部を通って底板部２２の裏面まで延在して
形成されている。さらに、凹部２５の端面部には接地用
電極３０が形成されている。２点鎖線で示す３２は前記
電極２８、２９に接続固着された水晶振動素子等の電子
素子３２である。３３は前記絶縁性ベース２１の枠体部
２３の上面に低融点ガラスよりなる封止材３４を介して
固着封止された、熱膨張係数が前記絶縁性ベース２１の
それと近似している例えばＣｒを１６．００％〜１９．
００％含む金属キャップである。３５は前記金属キャッ
プ３３と前記凹部２５に形成された接地用電極３０とを
接続する導電性封止材である。この実施例は、図１ない
し図３に示す実施例に比較して、絶縁性ベース２１の底
板部２２の上面周辺部に底板部２２と一体の所定高さの
段部２２ａを設けて、この段部２２ａの上に、導電ペー
スト等で電極２８、２９および支持部３１を形成してい
る点が相違する。このため、図１ないし図３の実施例の
ように、電極８、９および支持部１１全体を導電ペース
ト等の導電材料で形成したものに比較して、電極２８、
２９および支持部３１を形成する導電層は薄くてもよ
く、したがって、銀・パラジウム等の高価な導電材料の
使用量を大幅に低減でき、原価低減ができるという特長
がある。
【００１７】図５は、本発明の第３実施例の気密パツケ
ージＣの要部拡大縦断面図である。この実施例は、図４
に示す実施例が絶縁性ベース２１の底板部２２の上面周
辺部に所定高さの段部２２ａを設けて、この段部２２ａ
の上に電極２８、２９および支持部３１を形成している
のに対し、絶縁性ベース４１の底板部４２の上面の電極
および支持部形成位置に、それぞれ独立した凸部４２
ａ、４２ｂおよび４２ｃを設け、この凸部４２ａ、４２
ｂおよび４２ｃを覆うように電極４８、４９および支持
部５１が形成されている点が相違する。この実施例によ
れば、図４の絶縁性ベース４１の底板部４２の上面周辺
部全体に所定高さの段部２２ａを設けたものに比較し
て、凸部形成のためのガラスセラミック材料の使用量が
低減して、さらに原価低減できるという特長がある。
ージＣの要部拡大縦断面図である。この実施例は、図４
に示す実施例が絶縁性ベース２１の底板部２２の上面周
辺部に所定高さの段部２２ａを設けて、この段部２２ａ
の上に電極２８、２９および支持部３１を形成している
のに対し、絶縁性ベース４１の底板部４２の上面の電極
および支持部形成位置に、それぞれ独立した凸部４２
ａ、４２ｂおよび４２ｃを設け、この凸部４２ａ、４２
ｂおよび４２ｃを覆うように電極４８、４９および支持
部５１が形成されている点が相違する。この実施例によ
れば、図４の絶縁性ベース４１の底板部４２の上面周辺
部全体に所定高さの段部２２ａを設けたものに比較し
て、凸部形成のためのガラスセラミック材料の使用量が
低減して、さらに原価低減できるという特長がある。
【００１８】図６は、本発明の第４実施例の気密パッケ
ージＤの平面図である。この実施例は、絶縁性ベース６
１の長手方向の両端部に設けた凹部６４ないし６７のう
ち、一端の凹部６４の端面部を通って底板部６２の裏面
まで延在する電極６８を設けるとともに、他端の凹部６
６の端面部を通って底板部６２の裏面まで延在する電極
６９を設けている。また、一端の凹部６５および他端の
凹部６７の端面部を通ってそれぞれ底板部６２の裏面ま
で延在する接地用電極７０、７１を設けている。そし
て、封止材７４で固着封止された金属キャップ７３と、
前記凹部６５および６７に形成された接地用電極７０、
７１とを、それぞれ導電性材料７５、７６で接続してい
る。この実施例によれば、図１ないし図５の実施例に比
較して、金属キャップ７３と接地用電極７０、７１とを
２カ所で接地しているため、接地が確実になるのみなら
ず、各接地抵抗が並列接続されるので、接地抵抗が低減
できるという特長がある。
ージＤの平面図である。この実施例は、絶縁性ベース６
１の長手方向の両端部に設けた凹部６４ないし６７のう
ち、一端の凹部６４の端面部を通って底板部６２の裏面
まで延在する電極６８を設けるとともに、他端の凹部６
６の端面部を通って底板部６２の裏面まで延在する電極
６９を設けている。また、一端の凹部６５および他端の
凹部６７の端面部を通ってそれぞれ底板部６２の裏面ま
で延在する接地用電極７０、７１を設けている。そし
て、封止材７４で固着封止された金属キャップ７３と、
前記凹部６５および６７に形成された接地用電極７０、
７１とを、それぞれ導電性材料７５、７６で接続してい
る。この実施例によれば、図１ないし図５の実施例に比
較して、金属キャップ７３と接地用電極７０、７１とを
２カ所で接地しているため、接地が確実になるのみなら
ず、各接地抵抗が並列接続されるので、接地抵抗が低減
できるという特長がある。
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁性ベース
と、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出され
た電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着封
止されたキャップとを有する気密パッケージにおいて、
前記絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるととも
に、前記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨張
係数の金属キャップとし、かつこの金属キャップを導電
性材料で前記接地用電極に接続したことを特徴とする気
密パッケージであるから、金属キャップの採用によっ
て、キャップが薄型化でき、それに応じて気密パッケー
ジ全体の薄型化ができるのみならず、この金属キャップ
を絶縁性ベースの端面部に形成された接地用電極に導電
性材料で接続して接地しているので、浮遊容量や外来電
磁波等に起因する電子素子の特性変動が防止できる。さ
らに、また、キャップ封止用の封止材として、はんだや
導電性樹脂等の導電性接着材のみならず、低融点ガラス
や樹脂等の非導電性封止材も使用できるという各種の効
果を奏する。
と、この絶縁性ベース内から絶縁性ベース外に導出され
た電極と、前記絶縁性ベースの開口部に封止材で固着封
止されたキャップとを有する気密パッケージにおいて、
前記絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるととも
に、前記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨張
係数の金属キャップとし、かつこの金属キャップを導電
性材料で前記接地用電極に接続したことを特徴とする気
密パッケージであるから、金属キャップの採用によっ
て、キャップが薄型化でき、それに応じて気密パッケー
ジ全体の薄型化ができるのみならず、この金属キャップ
を絶縁性ベースの端面部に形成された接地用電極に導電
性材料で接続して接地しているので、浮遊容量や外来電
磁波等に起因する電子素子の特性変動が防止できる。さ
らに、また、キャップ封止用の封止材として、はんだや
導電性樹脂等の導電性接着材のみならず、低融点ガラス
や樹脂等の非導電性封止材も使用できるという各種の効
果を奏する。
【図１】 本発明の第１実施例の気密パッケージＡの要
部拡大斜視図
部拡大斜視図
【図２】 図１の気密パッケージＡの金属キャップを除
去した平面図
去した平面図
【図３】 図２の気密パッケージＡのＡ−Ａ線に沿う縦
断面図
断面図
【図４】 本発明の第２実施例の気密パッケージＢの要
部拡大縦断面図
部拡大縦断面図
【図５】 本発明の第３実施例の気密パッケージＣの要
部拡大縦断面図
部拡大縦断面図
【図６】 本発明の第４実施例の気密パッケージＤの平
面図
面図
【図７】 従来の気密パッケージのキャップを除去した
平面図
平面図
【図８】 図７の気密パッケージのＢ−Ｂ線に沿う縦断
面図
面図
【図９】 従来の異なる例の気密パッケージの縦断面図
【図１０】 従来のさらに異なる例の気密パッケージの
縦断面図
縦断面図
１、２１、４１、６１ 絶縁性ベース ２２、４２ 底板部 ２３、４３ 枠対部 ４〜７、２５、２６、６４〜６７ 電極形成用凹部 ９、２８、２９、４８、４９、６８、６９ 電極 １０、３０、７０、７１ 接地用電極 １２ 電子素子（水晶振動素子） １３、３３、７３ 金属キャップ １４、３４、７４ 封止材 １５、３５、７５、７６ 導電性材料
Claims (7)
- 【請求項１】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースの端面に接
地用電極を設けるとともに、前記キャップを前記絶縁性
ベースと近似した熱膨張係数の金属キャップとし、かつ
この金属キャップを導電性材料で前記接地用電極に接続
したことを特徴とする気密パッケージ。 - 【請求項２】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースの端面に凹
部を設け、この凹部に接地用電極を設けるとともに、前
記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨張係数の
金属キャップとし、かつこの金属キャップを導電性材料
で前記接地用電極に接続したことを特徴とする気密パッ
ケージ。 - 【請求項３】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記封止材は絶縁性封止材で
あり、前記絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けると
ともに、前記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱
膨張係数の金属キャップとし、かつこの金属キャップを
導電性材料で前記接地用電極に接続したことを特徴とす
る気密パッケージ。 - 【請求項４】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースはガラスセ
ラミック製であり、前記絶縁性ベースの端面に接地用電
極を設けるとともに、前記キャップを前記絶縁性ベース
と近似した熱膨張係数の金属キャップとし、かつこの金
属キャップを導電性材料で前記接地用電極に接続したこ
とを特徴とする気密パッケージ。 - 【請求項５】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースは熱膨張係
数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック製であ
り、前記絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるとと
もに、前記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨
張係数の金属キャップとし、かつこの金属キャップを導
電性材料で前記接地用電極に接続したことを特徴とする
気密パッケージ。 - 【請求項６】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースは熱膨張係
数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック製であ
り、前記絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるとと
もに、前記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨
張係数を有するステンレス鋼よりなる金属キャップと
し、かつこの金属キャップを導電性材料で前記接地用電
極に接続したことを特徴とする気密パッケージ。 - 【請求項７】絶縁性ベースと、この絶縁性ベース内から
絶縁性ベース外に導出された電極と、前記絶縁性ベース
の開口部に封止材で固着封止されたキャップとを有する
気密パッケージにおいて、前記絶縁性ベースは熱膨張係
数が１０〜１４×１０-6／℃のガラスセラミック製であ
り、前記絶縁性ベースの端面に接地用電極を設けるとと
もに、前記キャップを前記絶縁性ベースと近似した熱膨
張係数を有するステンレス鋼よりなる金属キャップと
し、かつこの金属キャップをはんだ，銀ペーストおよび
導電性樹脂の中から選択された導電性材料で前記接地用
電極に接続したことを特徴とする気密パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10339637A JP2000164747A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 気密パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10339637A JP2000164747A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 気密パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164747A true JP2000164747A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18329389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10339637A Pending JP2000164747A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 気密パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164747A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158216A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| JP2009065437A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
| CN102195598A (zh) * | 2010-03-09 | 2011-09-21 | 日本电波工业株式会社 | 压电振子和压电振子的制造方法 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP10339637A patent/JP2000164747A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158216A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| JP2009065437A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
| CN102195598A (zh) * | 2010-03-09 | 2011-09-21 | 日本电波工业株式会社 | 压电振子和压电振子的制造方法 |
| JP2011188308A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
| US8604675B2 (en) | 2010-03-09 | 2013-12-10 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method of manufacturing piezoelectric resonator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030528 |