JP2000163800A

JP2000163800A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000163800A
Application number: JP10340462A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Sato; 勉佐藤; Yasunobu Ueno; 泰伸植野; Nobuo Suzuki; 信夫鈴木; Katsumi Nonomura; 克美野々村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1998-11-30
Filing date: 1998-11-30
Publication date: 2000-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】ＤＶＤ−Ｒディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供する。【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるアゾ化合物
と２価又は３価の金属又はその塩からなるアゾ金属キレ
ート化合物を少なくとも一種類含有する光記録媒体。【化１】（Ｚはピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン
を形成する残基）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、データ用大容量追
記光ディスクに関し、さらには大容量光カードに応用さ
れる光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、次世代大容量光ディスクとしてＤ
ＶＤ−Ｒの開発が進められている。その例としては、シ
アニン色素／金属反射層を記録材料として用いたもの
（ｐｉｏｎｅｅｒＲ＆Ｄ．ｖｏｌ．６Ｎo.２，ＩＳ
ＯＭ／ＯＤＳ’９６等）、アゾ金属キレート色素を記録
材としたもの（特開平８−２９５８１１、同−２９５８
１２、特開平９−１７５０３１、同−２７４７３２、同
−２７７７０３、同−３２３４７８、特開平１０−４４
６０６等）が知られている。そして記録容量の向上の要
素技術は、記録ビット微小化のための記録材料開発、Ｍ
ＰＥＧ２に代表される画像圧縮技術の採用、記象ビット
読みとりのための半導体レーザの短波長化等の技術開発
が必要である。

【０００３】これまで赤色波長域の半導体レーザとして
は、バーコードリーグ、計測器用に６７０ｎｍ体のＡｌ
ＧａＩｎＰレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶＤ
ドライブの場合、光源として６３５ｎｍ帯と６５０ｎｍ
帯のレーザダイオードの２つの波長で規格化されてい
る。高密度記録のためには、波長はより短波長化が望ま
しく、追記メディア用ドライブとしては波長６３５ｎｍ
が好ましい。一方、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブ
は波長〜６５０ｎｍで商品化されている。

【０００４】このような状況下で最も好ましいＤＶＤ−
Ｒメディアは、波長〜６３５ｎｍで記録、再生が可能で
かつ波長〜６５０ｎｍでも再生が可能なメディアであ
る。しかしながら、耐光性、保存安定性に優れ６５０ｎ
ｍ以下のレーザを用いた光ピックアップで記録、再生が
可能な記録材料は未だに開発されていない。

【０００５】現在のＣＤ−Ｒディスクシステムは、使用
レーザーの発振波長が７７０〜７９０ｎｍで、記録、再
生が行えるように構成されている。ＣＤ−Ｒは記録層に
６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素を用
い、その光学定数及び膜厚構成から７７０〜７９０ｎｍ
に高い反射率が得られるように設定してあるため、７０
０ｎｍ以下の波長域では反射率は極めて低く、レーザー
波長の短波長化に対応できず現在のＣＤ−Ｒシステムで
記録、再生している情報が、ＤＶＤ−Ｒディスクシステ
ムでは再生できない事態を招く。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来シス
テムに比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザ
ーを用いるＤＶＤ−Ｒディスクシステムに適用可能な耐
光性、保存安定性に優れた光記録媒体中の記録材料を提
供するとともに、ＣＤ−Ｒディスクシステムで記録した
情報が、ＤＶＤ−Ｒディスクシステムで再生が可能とな
るＣＤ−Ｒ媒体用の記録材料を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等が検討した結
果特定の構造を有する色素を主成分とする記録層とする
ことにより、発振波長７００ｎｍ以下の半導体レーザー
を用いる次世代大容量光ディスクシステムに適用可能な
ことを見いだした。また、本発明の化合物を現在のＣＤ
−Ｒ用記録材料として用いられている有機色素と混合し
て用いることにより、７００ｎｍ以下の波長域にも高い
反射率を得ることが可能であることを見いだし本発明に
至った。すなわち、本発明の請求項１の発明は新規アゾ
化合物を用いた下記の基本構成をもつ光記録媒体であ
る。

【０００８】第１基板上に直接又は下引き層を介して記
録層を設け、更に反射層、保護層又は第２基板を設けて
なる光記録媒体において、前記記録媒体中に一般式
（Ｉ）で示されるアゾ化合物と２価又は３価の金属又は
その塩からなるアゾ金属キレート化合物を少なくとも一
種類含有することを特徴とする光記録媒体。

【０００９】

【化２】

【００１０】（一般式（Ｉ）において、Ｚはそれが結合
している炭素原子及び窒素原子と一緒になってピリダジ
ン、ピリミジン、ピラジン、トリアジンを形成する残基
を表し、Ｒ₁〜Ｒ₂はそれぞれ独立に水素原子、置換もし
くは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニ
ル基を表し、Ｒ₁とＲ₂は連結して環を形成していても良
い。Ｒ₃〜Ｒ₅はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフ
ェニル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換も
しくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換
のカルバモイル基、置換もしくは未置換のアシル基、置
換もしくは未置換のアルコキシカルボニル基、置換もし
くは未置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしく
は無置換のアルケニル基、置換もしくは未置換のアミノ
基を表し、Ｒ₃とＲ₄、Ｒ₄とＲ₁もしくはＲ₂、Ｒ₅とＲ₁
もしくはＲ₂は、連結して環を形成していても良い。Ｒ₆
は置換もしくは未置換のアルキル基を表す。）請求項２は上記新規化合物の最適物性を規定し、請求項
３はその最適構造を示す。請求項４は現行システムで記
録、再生可能で、かつ高密度光ディスクシステムでも再
生可能な光記録媒体の基本構成を示し、請求項５はその
最適構造を示す。請求項６は高反射率、高信頼性の光記
録媒体を提供する。

【００１１】一般式（Ｉ）において、Ｚはそれが結合し
ている炭素原子及び窒素原子と一緒になってピリダジ
ン、ピリミジン、ピラジン、トリアジンを形成する残基
を表し、Ｒ₁〜Ｒ₂はそれぞれ独立に水素原子、置換もし
くは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニ
ル基を表し、Ｒ₁とＲ₂は連結して環を形成していても良
い。Ｒ₃〜Ｒ₅はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフ
ェニル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換も
しくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換
のカルバモイル基、置換もしくは未置換のアシル基、置
換もしくは未置換のアルコキシカルボニル基、置換もし
くは未置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしく
は無置換のアルケニル基、置換もしくは未置換のアミノ
基を表し、Ｒ₃とＲ₄、Ｒ₄とＲ₁もしくはＲ₂、Ｒ₅とＲ₁
もしくはＲ₂は、連結して環を形成していても良い。Ｒ₆
は置換もしくは未置換のアルキル基を表す。

【００１２】前記ハロゲン原子の具体例は、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。前記アルキル基の具
体例は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチ
ル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等
の一級アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、２−
メチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペ
ンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル
基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４
−メチルヘキシル基、５−メチルへキシル基、２−エチ
ルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプ
チル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル
基、５−メチルヘプチル基、２−エチルへキシル基、３
−エチルへキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル
基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，
２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−
エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−
ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル
基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１
−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプ
ロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチ
ル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプ
ロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル
基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチ
ル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イ
ソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル
基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルへキシル基、
１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル
基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
へキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル
基等の三級アルキル基、シクロへキシル基、４−メチル
シクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−
ｔｅｒｔ−ブチルシクロへキシル基、４−（２−エチル
ヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニ
ル基（アダマンタン基）等のシクロアルキル基等が挙げ
られる。更に、これら一級及び二級アルキル基は、水酸
基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ
基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の複
素環残基等を以て置換されていてもよく、また酸素、硫
黄、窒素等の原子を介して前記のアルキル基で置換され
ていてもよい。酸素を介して置換されているアルキル基
としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エト
キシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、
エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メト
キシプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、
モルホリノ基等が、硫黄を介して置換されているアルキ
ル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル
基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等
が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、
ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ
エチルアミノプロピル基等が挙げられる。前記フェニル
基は、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ
基、シアノ基、置換又は未置換のアリール基、置換又は
未置換の複素環残基等を以て置換されていてもよく、ま
た酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記のアルキル基
で置換されていてもよい。

【００１３】前記アルコキシ基の具体例は、酸素原子に
直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているもの
であればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体
例を挙げることができる。前記アリールオキシ基の具体
例は、酸素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結
合されているものであればよく、アリールの具体例とし
ては前述の具体例を挙げることができる。

【００１４】前記カルバモイル基の具体例は、カルバモ
イル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素原子、置
換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アルキル基、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。前記アルコキシカルボニル基の具体例は、アル
コキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置換の
アルキル基が結合されているものであればよく、アルキ
ル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができ
る。

【００１５】前記アリールオキシカルボニル基の具体例
は、アリールオキシカルボニル基の酸素原子に直接置換
又は未置換のアリール基が結合されているものであれば
よく、アリールの具体例としては前述の具体例を挙げる
ことができる。前記アシル基の具体例は、アシル基のカ
ルボニル炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル基、
置換又は未置換のアリール基が結合されているものであ
ればよく、アルキル基、アリール基の具体例としては前
述の具体例を挙げることができる。

【００１６】前記アミノ基の具体例は、窒素原子に直接
置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリー
ル基が結合されているものであればよく、アルキル基、
アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げること
ができる。前記アリール基の具体例は、フェニル基、ペ
ンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル
基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェナレニル
基、フェナントレニル基、アントラセニル基、トリフェ
ニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。

【００１７】前記複素環残基の具体例は、インドリル
基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピべリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モル
ホリノ基、ピロリル基等が挙げられる。Ｒ₁とＲ₂が連結
して環を形成したアミノ基の具体例は、ピペリジノ基、
モルホリノ基、ピロリジル基、ピペラジル基、イミダゾ
リジル基、ピラゾリジル基、インドリニル基、イソイン
ドリニル基、ピロリル基、インドリル基、イソインドリ
ル基、カルバゾリル基等が挙げられる。

【００１８】２価又は３価の金属原子の具体例は、チタ
ン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニ
ッケル、銅、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テク
ネニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム等が挙げ
られ、特に、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅のア
ゾ金属キレート化合物は、光記録材料として光学特性が
優れている。アゾ金属キレート化合物の熱物性として
は、熱重量分析で熱分解温度が３５０℃以下でかつ主減
量過程での総減量が３０％以上の熱物性である化合物を
用いることにより、高感度で低ジッタの記録が可能とな
る。熱分解温度が３５０℃以上では記録感度が悪く、高
パワーで記録してもジッタ特性が劣化する。また主減量
過程での総減量が３０％以下の熱物性の色素もジッタ特
性が劣化する。

【００１９】本発明の記録体は、通常の追記型光ディス
クである図ｌの構造（図１を２枚貼合わせたいわゆるエ
アーサンドイッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよ
い）と図２からなるＣＤ−Ｒ用メディアの構造としても
よい。図３はＤＶＤ−Ｒ用の媒体構成を示す。図中、１
は基板、２は記録層、３は下引き層、４は保護層、５は
ハードコート層、６は金属反射層、７は半透明反射層で
ある。

【００２０】本発明の記録媒体の構成としては、第１基
板と第２基板とを記録層を介して接着剤で張り合わせた
構造を基本構造とする。記録層は有機色素層単層でもよ
く、反射率を高めるため有機色素層と金属反射層との積
層でも良い。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層
を介して層成してもよく、機能向上のためそれらを積層
化した構成でも良い。最も通常に用いられるのは、第１
基板／有機色素層／金属反射層／保護層／接着層／第２
基板構造である。

【００２１】基板の必要特性としては基板側より記録再
生を行う場合のみ使用レーザー光に対して透明でなけれ
ばならず、記録層側から記録、再生を行う場合基板は透
明である必要はない。従って、本発明では、基板を１層
しか用いない場合は、請求項に記載の第２の基板のみが
透明であれば、第１の透明、不透明は問わない。

【００２２】基板材料としては例えば、ポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフイン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド等のプラスチック、ガラス、セラミックあるい
は金属等を用いることができる。尚、基板を１層しか用
いない場合、あるいは基板２枚をサンドイッチ状で用い
る場合は請求項に記載の第１の基板の表面にトラッキン
グ用の案内溝や案内ビット、さらにアドレス信号等のプ
レフォーマットが形成されている必要がある。下引き層
等を含め基板、記録層、反射層、保護層以外に設けられ
た層をここでは中間層と呼ぶことにする。この中間層は
（ａ）接着性の向上、（ｂ）水、又はガス等のバリア
ー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の
向上、（ｅ）溶剤からの基板や記録層の保護、（ｆ）案
内溝・案内ビット・プレフォーマット等の形成等を目的
として使用される。（ａ）の目的に対しては高分子材
料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル
系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム
等の種々の高分子物質、およびシランカップリング剤等
を用いることができ、（ｂ）及（ｃ）の目的に対して
は、前記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉ
Ｏ₂、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓ
ｉＮ等金属、又は半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることがで
きる。また（ｄ）の目的に対しては金属、例えばＡｌ、
Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染
料、キサンテン系染料等を用いることができ、（ｅ）及
び（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹
脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き層の
膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０
μｍが適当である。

【００２３】用いる基板としては基板側より記録、再生
を行う場合のみ使用レーザに対して透明でなければなら
ず、記録層側から記録、再生を行う場合基板は透明であ
る必要はない。基板材料としては例えば、ポリエステ
ル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹
脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド等のプラスチック又は、ガラス、セラミ
ックあるいは、金属等を用いることができる。尚、基板
の表面にトラッキング用の案内溝や、案内ピット、さら
にアドレス信号等のプレフォーマット等が形成されてい
ても良い。

【００２４】記録層はレーザー光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせ、その変化により情報を記録でき
るものであって、この記録層中には本発明の色素が含有
されていることが必要で、記録層の形成にあたって本発
明の色素を１種、又は２種以上の組合せで用いてもよ
い。さらに、本発明の前記色素は光学特性、記録感度、
信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び金属、金属
化合物と混合又は積層化しても良い。有機色素の例とし
ては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシ
アニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリ
ウム系、ナフトキノン系、アントレキノン（インダンス
レン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズ
レン系、テトレヒドロコリン系、フェナンスレン系、ト
リフェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が
挙げられ、前記の染料を単独で用いてもよいし、２種以
上の組合せにしてもよい。

【００２５】また、前記染料中に金属、金属化合物例え
ば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａ
ｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることもできる。さらに、前
記染料中に高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリン
グ剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒
に用いることができる。

【００２６】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には前記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティ
ング法によって行われる。

【００２７】用いられる有機溶剤としては一般にメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロへキサン、メチルシク
ロへキサン等の炭化水素類等を用いることができる。

【００２８】記録層の膜厚は１００Å〜１０μｍ好まし
くは２００Å〜２０００Åが適当である。反射層は単体
で高反射率の得られる腐食されにくい金属、半金属等が
挙げられ、材料例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａ
ｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射率、生産性の点
からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましく、これらの金属、
半金属は単独で使用しても良く、２種の合金としても良
い。膜形成法としては蒸着、スパッタリング等が挙げら
れ、膜圧としては５０〜５０００Å好ましくは１００〜
３０００Åである。

【００２９】保護層、又は基板面ハードコート層は
（ａ）記録層（反射吸収層）を傷、ホコリ、汚れ等から
保護する、（ｂ）記録層（反射吸収層）の保存安定性の
向上、（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。
これらの目的に対しては、前記中間層に示した材料を用
いることができる。又、無機材料として、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ₂等も用いることができ、有機材料としてポリメチル
アクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
スチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香属炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワッ
クス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、
熱溶融性樹脂も用いることができる。

【００３０】前記材料のうち保護層、又は基板表面ハー
ドコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫
外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコート層
の膜圧は０．０１〜３０μｍ好ましくは０．０５〜１０
μｍが適当である。本発明において、前記下中間層、保
護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場合と同
様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界
面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。また、
６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収最大波長を有する色素と
本発明の色素を混合して短波長対応ＣＤ−Ｒ媒体を構成
する場合従来技術に挙げた公報Ｎo.の色素をそのまま使
用することができる。

【００３１】６８０ｍｎ〜７５０ｎｍに吸収最大波長の
ある色素の好ましい例としてはシアニン色素

【００３２】

【化３】

【００３３】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄：炭素数１〜３のアル
キル基、Ｒ₅、Ｒ₆：炭素数１〜６の置換未置換のアルキ
ル基、Ｘ：酸アニオンを現す。芳香環は他の芳香環と縮合されていてもよく、アルキ
ル、ハロゲン、アルコキシ基、アシル基で置換されてい
てもよい。

【００３４】フタロシアニン色素

【００３５】

【化４】

【００３６】Ｍ₁：Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、ＴｉＯ、ＶＯＸ₁〜Ｘ₄：α位の−ＯＲ、−ＳＲ、又は水素原子であっ
て、すべてが水素原子となることはない。

【００３７】Ｒ：炭素数３〜１２の置換未置換の直鎖、
分岐のアルキル基、シクロアルキル基、又は置換未置換
のアリール基Ｘ₁〜Ｘ₄以外のベンゼン環の置換基は水素又はハロゲン
である。

【００３８】

【化５】

【００３９】Ｍ₂：Ｓｉ、Ｉｎ、ＳｎＸ₅〜Ｘ₈：α位の−ＯＲ、−ＳＲ、又は水素原子であっ
て、すべて原子となることはない。Ｙ₁、Ｙ₂：−ＯＳｉＲａＲｂＲｃ、−ＯＣＯＲａ、−Ｏ
ＰＯＲａＲｂＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ：炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
ール基Ｘ₅〜Ｘ₈以外のベンゼン環の置換基は水素又はハロゲン
である。

【００４０】アゾ金属キレート化合物

【００４１】

【化６】

【００４２】前記一般式で示されるアゾ系化合物と金属
とのアゾ金属キレート化合物の１種又は、２種以上であ
り金属の好ましい例としてはＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、
Ｃｕ、Ｚｎ等が挙げられる。又、Ａはそれが結合してい
る炭素原子及び、窒素原子と一緒になって複素環を形成
する残基を表し、Ｂはそれが結合している２つの炭素原
子と一緒になって芳香環又は、複素環を形成する残基を
表しＸは活性水素を有する基を表す。

【００４３】ここで本発明の色素と前記具体例を含む６
８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収最大波長を有する色素との
混合比は本発明の色素／６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収
を有する色素＝１０／１００〜９００／１００好ましく
は４０／１００〜２０／１００であり記録層の厚みとし
ては５００Å〜５μｍ好ましくは１０００Å〜５０００
Åである。ここで本発明の色素と前記具体例を含む６８
０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収最大波長を有する色素との混
合比は本発明の色素／６８０ｎｍ〜７５０ｎｍに吸収を
有する色素＝１０／１００〜９０／１００好ましくは４
０／１００〜２０／１００であり記録層の厚みとしては
５００Å〜５μｍ好ましくは１０００Å〜５０００Åで
ある。

【００４４】

【発明の実施の形態】実施例１深さ１６５０Å、半値幅０．３０μｍ、トラックピッチ
０．８μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍの射出形成ポ
リカーボネート基板上に、化合物例Ｎo.３をメチルシク
ロへキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチルケ
トンの混合溶液に溶解した液をスピンナー塗布し、厚さ
８００Åの有機色素層を形成し、次いでスパッタ法によ
り金２０００Åの反射層を設け、さらにその上にアクリ
ル系フォトポリマーにて５μｍの保護層を設けた後、平
坦な厚さ０．６ｍｍの射出形成ポリカーボネート基板と
貼り合わせ記録媒体とした。

【００４５】実施例２、３、４、５、６実施例１で化合物Ｎo.３の代わりに化合物例Ｎo.１１、
１３、２５、２８、３４を用い実施例１と全く同様に記
録媒体を形成した。比較例１実施例１で化合物例Ｎo.１の代わりに、以下に示す化合
物（比−１）を用い実施例１と全く同様に記録媒体を形
成した。

【００４６】

【化７】

【００４７】下記の条件でテストを行い、結果を表１に
示す。＜記録条件＞＜再生条件＞レーザー発振波長：６３５ｎｍ(ＮＡ０．６) レーザー発振波長：６５０ｎｍ記録周波数：３．８ＭＨｚ再生パワー：０．６〜０．９ｍＷの連続光記録線速：３．０ｍ／ｓｅｃ．＜耐候テスト条件＞耐光テスト：４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、２０時間連続照
射

【００４８】

【表１】

【００４９】実施例７深さ１５００Å、半値幅０．４０μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出形成
ポリカーボネート基板上に、前記記載の化合物（比−
１）と化合物例Ｎo.３とを重量比（１／１）のメチルシ
クロヘキサン、２−メトキシエタノール、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフラン混合溶媒に溶解し、スピン
ナー塗布して、厚さ１７００Åの有機色素層を形成し、
次いでスパッタ法により金２０００Åの反射層を形成し
て、さらにその上にアクリル系フォトポリマーで５μｍ
の保護層を設け、記録媒体とした。

【００５０】実施例８、９実施例７で化合物例Ｎo.３の代わりに、それぞれＮo.１
２、１８を用い、実施例７と全く同じ様に記録媒体を得
た。

【００５１】実施例１０実施例７で記録層を化合物Ｎo.３の代わりに、それぞれ
Ｎo.２９を用い、（比−１）の代わりに（比−２）を用
いた以外は実施例７と全く同じ様に記録媒体を得た。比較例３、４実施例７で有機記録層を、それぞれ（比−１）のみ、
（比−２）のみとして、実施例７と同様に記録媒体を得
た。

【００５２】

【化８】

【００５３】この記録体に発振波長７８０ｍｎ、ビーム
径１．６μｍの半導体レーザを用い、トラッキングしな
がらＥＦＭ信号を記録し（線速１．４ｍ／ｓｅｃ）、同
じレーザ及び発振波長６５０ｎｍ、ビーム径１．０μｍ
の半導体レーザの連続光で再生し再生波形を観察した。
結果を表２に示す。

【００５４】

【表２】

【００５５】

【表３】

【００５６】

【表４】

【００５７】

【表５】

【００５８】

【表６】

【００５９】

【表７】

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、請求項１，２，３およ
び６の記録媒体で、７００ｎｍ以下の波長域のレーザー
光で記録、再生が可能で耐光性、保存安定性に優れた情
報記録媒体が提供でき、請求項４および５の記録媒体
で、現状システムでのＣＤ−Ｒとして使用でき、かつ次
世代の大容量光ディスクシステムとなっても、記録され
た情報を再生のみは可能となる情報記録媒体が提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、通常の追記型光記録媒体で
ある。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、ＣＤ−Ｒ用の媒体構成であ
る。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、ＤＶＤ−Ｒ用の媒体構成で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木信夫東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者野々村克美東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA14 EA22 EA25 EA32 EA39 EA40 EA43 FA01 FA12 FA14 FA15 FA23 FB42 FB43 FB45 5D029 JA04 JC11 JC17 TA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１基板上に直接又は下引き層を介して
記録層を設け、更に反射層、保護層又は第２基板を設け
てなる光記録媒体において、前記記録媒体中に一般式
（Ｉ）で示されるアゾ化合物と２価又は３価の金属又は
その塩からなるアゾ金属キレート化合物を少なくとも一
種類含有することを特徴とする光記録媒体。【化１】（一般式（Ｉ）において、Ｚはそれが結合している炭素
原子及び窒素原子と一緒になってピリダジン、ピリミジ
ン、ピラジン、トリアジンを形成する残基を表し、Ｒ₁
〜Ｒ₂はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニル基を表
し、Ｒ₁とＲ₂は連結して環を形成していても良い。Ｒ₃
〜Ｒ₅はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニル
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは
未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のカル
バモイル基、置換もしくは未置換のアシル基、置換もし
くは未置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは未
置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置
換のアルケニル基、置換もしくは未置換のアミノ基を表
し、Ｒ₃とＲ₄、Ｒ₄とＲ₁もしくはＲ₂、Ｒ₅とＲ₁もしく
はＲ₂は、連結して環を形成していても良い。Ｒ₆は置換
もしくは未置換のアルキル基を表す。）
【請求項２】請求項１記載の光記録媒体において、記
録層色素の熱物性が、熱重量分析で熱分解温度が３５０
℃以下でかつ主原料過程での総減量が３０％以上の熱物
性であるアゾ金属キレート化合物を用いることを特徴と
する光記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載のアゾ金属キレート
化合物において、金属原子がコバルト、ニッケル、銅よ
り選ばれることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】請求項１，２，３のいずれかに記載の光
記録媒体において、請求項１または２に記載のアゾ金属
キレート化合物以外に６８０〜７５０ｎｍに最大吸収波
長を有する色素との混合層からなることを特徴とする光
記録媒体。
【請求項５】請求項４に記載の記録媒体において、６
８０〜７５０ｎｍに最大吸収波長を有する色素がシアニ
ン色素、フタロシアニン色素又は、アゾ金属キレート化
合物からなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項６】請求項１〜５に記載のいずれかの光記録
媒体において、金属反射層及び保護層設けることを特徴
とする光記録媒体。