JP2000141388A - 積層方法 - Google Patents
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- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/56—Compression moulding under special conditions, e.g. vacuum
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 追従性に優れ、マイクロボイドのない、更に
表面平滑性に優れた、ビルドアップ工法に有効な積層方
法を提供すること。 【解決手段】 凹凸を有する基板１に、フィルム状樹脂
２を積層するに当たり、真空積層装置３を用いて積層し
た後、ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′に
より加熱加圧処理する積層方法。
表面平滑性に優れた、ビルドアップ工法に有効な積層方
法を提供すること。 【解決手段】 凹凸を有する基板１に、フィルム状樹脂
２を積層するに当たり、真空積層装置３を用いて積層し
た後、ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′に
より加熱加圧処理する積層方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
の製造において、凹凸を有する基板にフィルム状樹脂を
積層する方法に関するものであり、更に詳しくはフィル
ム状樹脂の追従性がよく、積層後の樹脂表面平滑性に優
れ、ビルドアップ工法に有用な積層方法に関するもので
ある。
の製造において、凹凸を有する基板にフィルム状樹脂を
積層する方法に関するものであり、更に詳しくはフィル
ム状樹脂の追従性がよく、積層後の樹脂表面平滑性に優
れ、ビルドアップ工法に有用な積層方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化に伴
いプリント回路基板の高密度化、多層化が進行してい
る。かかるプリント回路基板の多層化においては、熱硬
化型樹脂組成物又は感光性樹脂組成物を絶縁層として使
用し、予め形成した内層回路の上に該熱硬化型樹脂組成
物又は感光性樹脂組成物を塗布し、あるいは該熱硬化型
樹脂組成物又は感光性樹脂組成物からなるフィルム状樹
脂を積層し、更に銅メッキを施した後、再度フォトレジ
ストフィルムを用いて光によるパターニングを行い、回
路を形成する方法、いわゆるビルドアップ工法が有効に
用いられている。
いプリント回路基板の高密度化、多層化が進行してい
る。かかるプリント回路基板の多層化においては、熱硬
化型樹脂組成物又は感光性樹脂組成物を絶縁層として使
用し、予め形成した内層回路の上に該熱硬化型樹脂組成
物又は感光性樹脂組成物を塗布し、あるいは該熱硬化型
樹脂組成物又は感光性樹脂組成物からなるフィルム状樹
脂を積層し、更に銅メッキを施した後、再度フォトレジ
ストフィルムを用いて光によるパターニングを行い、回
路を形成する方法、いわゆるビルドアップ工法が有効に
用いられている。
【０００３】特に絶縁層として用いる熱硬化型樹脂組成
物又は感光性樹脂組成物層の積層において、フィルム状
樹脂を用いる場合は、特開平５−２００８８０号公報に
記載の如き真空積層装置が用いられる。
物又は感光性樹脂組成物層の積層において、フィルム状
樹脂を用いる場合は、特開平５−２００８８０号公報に
記載の如き真空積層装置が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−２００８８０号公報に記載の装置を用いて、凹凸を
有する基板とフィルム状樹脂を積層する場合、該基板に
フィルム状樹脂を追従させるようにすると、該基板の凹
凸が反映し、積層樹脂表面に凹凸が生じる。該積層樹脂
表面の凹凸は、次工程の回路形成時に密着不良や追従性
不良、外観不良等の問題が生じることになる。最近の多
層化に伴う技術の高度化を考慮すると、良好な追従性及
び基板とフィルム状樹脂間に生じる小さな気泡（マイク
ロボイド）の抑制が重量であり、更にビルドアップ工法
においては積層後の表面平滑性が重量である。
５−２００８８０号公報に記載の装置を用いて、凹凸を
有する基板とフィルム状樹脂を積層する場合、該基板に
フィルム状樹脂を追従させるようにすると、該基板の凹
凸が反映し、積層樹脂表面に凹凸が生じる。該積層樹脂
表面の凹凸は、次工程の回路形成時に密着不良や追従性
不良、外観不良等の問題が生じることになる。最近の多
層化に伴う技術の高度化を考慮すると、良好な追従性及
び基板とフィルム状樹脂間に生じる小さな気泡（マイク
ロボイド）の抑制が重量であり、更にビルドアップ工法
においては積層後の表面平滑性が重量である。
【０００５】そこで、本発明はこのような背景下におい
て、プリント回路基板の高密度化、多層化に伴い、ビル
ドアップ工法において、追従性に優れ、マイクロボイド
の発生しない、更に積層後の表面平滑性に優れた良好な
プリント回路基板を得る積層方法を提供することを目的
とするものである。
て、プリント回路基板の高密度化、多層化に伴い、ビル
ドアップ工法において、追従性に優れ、マイクロボイド
の発生しない、更に積層後の表面平滑性に優れた良好な
プリント回路基板を得る積層方法を提供することを目的
とするものである。
【０００６】
【問題を解決するための手段】そこで本発明者は、かか
る事情に鑑み、鋭意研究をした結果、凹凸を有する基板
１に、フィルム状樹脂２を積層するに当たり、真空積層
装置３を用いて積層した後、ラミネーターロール４又は
平面プレス装置４′により加熱加圧処理する積層方法が
上記目的に合致することを見いだし、本発明を完成し
た。
る事情に鑑み、鋭意研究をした結果、凹凸を有する基板
１に、フィルム状樹脂２を積層するに当たり、真空積層
装置３を用いて積層した後、ラミネーターロール４又は
平面プレス装置４′により加熱加圧処理する積層方法が
上記目的に合致することを見いだし、本発明を完成し
た。
【０００７】特に本発明では、上部プレート５及び下部
プレート６を有し、上部プレート５及び下部プレート６
の対向面にそれぞれ膜体７、８を載置し、上部プレート
５の膜体７と下部プレート６の膜体８の間に狭持される
ように凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂２を載置
し、下部プレート６を持ち上げて上部プレート５と密封
係合状態にして、真空状態にした後、上部より大気を入
れて積層する真空積層装置３を用いることが高真空性、
高追従性の点で好ましい。
プレート６を有し、上部プレート５及び下部プレート６
の対向面にそれぞれ膜体７、８を載置し、上部プレート
５の膜体７と下部プレート６の膜体８の間に狭持される
ように凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂２を載置
し、下部プレート６を持ち上げて上部プレート５と密封
係合状態にして、真空状態にした後、上部より大気を入
れて積層する真空積層装置３を用いることが高真空性、
高追従性の点で好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を図１、図２、図
３及び図４を参考みにして詳細に述べる。但し、これに
限定されるわけではない。図１、図２は本発明の積層方
法に用いる装置の主要部の構造図であり、１は凹凸を有
する基板、２はフィルム状樹脂、３は真空積層装置、４
はラミネートロール、４′は平面プレス装置であり、更
に５は上部プレート、６は下部プレート、７は上部プレ
ート５の膜体、８は下部プレート６の膜体である。９は
上部プレート５と下部プレート６とを密封係合するため
のシールであり、１０は上部プレート５と下部プレート
６を密封係合した後に、該密封内を真空状態にするため
の真空引き吸引口である。１１は平面プレス装置４′の
金属平面プレートで、１２は油圧シリンダーである。
３及び図４を参考みにして詳細に述べる。但し、これに
限定されるわけではない。図１、図２は本発明の積層方
法に用いる装置の主要部の構造図であり、１は凹凸を有
する基板、２はフィルム状樹脂、３は真空積層装置、４
はラミネートロール、４′は平面プレス装置であり、更
に５は上部プレート、６は下部プレート、７は上部プレ
ート５の膜体、８は下部プレート６の膜体である。９は
上部プレート５と下部プレート６とを密封係合するため
のシールであり、１０は上部プレート５と下部プレート
６を密封係合した後に、該密封内を真空状態にするため
の真空引き吸引口である。１１は平面プレス装置４′の
金属平面プレートで、１２は油圧シリンダーである。
【０００９】本発明で用いられる真空積層装置は、熱、
真空及び機械的圧力を組み合わせて自動的に加え、回路
基板とフィルム状樹脂との間の空気を全て完全に取り除
き、小さな気泡（マイクロボイド）を抑制することがで
き、エッチングした回路トレースのまわりにフィルム状
樹脂を確実に形状一致させるようにするものである。膜
体７及び８は耐熱性のものであれば特に限定されない
が、例えばシリコンゴム、フッ素ゴム等が挙げられる。
真空及び機械的圧力を組み合わせて自動的に加え、回路
基板とフィルム状樹脂との間の空気を全て完全に取り除
き、小さな気泡（マイクロボイド）を抑制することがで
き、エッチングした回路トレースのまわりにフィルム状
樹脂を確実に形状一致させるようにするものである。膜
体７及び８は耐熱性のものであれば特に限定されない
が、例えばシリコンゴム、フッ素ゴム等が挙げられる。
【００１０】本発明で好ましく用いられる真空積層装置
では、下部プレート６の膜体８上に凹凸を有する基板１
及びフィルム状樹脂２を載置し、下部プレート６を持ち
上げて上部プレート５と密封係合し、上下の真空引き吸
引口１０より吸引し、２ｈｐａ以下、好ましくは１ｈｐ
ａ以下の状態まで真空にした後、上部より大気を中に入
れて真空状態を解放し、下部プレート６を上部プレート
５から離して下方に移動させ、該基板１とフィルム状樹
脂２の積層が完了するのである。
では、下部プレート６の膜体８上に凹凸を有する基板１
及びフィルム状樹脂２を載置し、下部プレート６を持ち
上げて上部プレート５と密封係合し、上下の真空引き吸
引口１０より吸引し、２ｈｐａ以下、好ましくは１ｈｐ
ａ以下の状態まで真空にした後、上部より大気を中に入
れて真空状態を解放し、下部プレート６を上部プレート
５から離して下方に移動させ、該基板１とフィルム状樹
脂２の積層が完了するのである。
【００１１】本発明では上記真空積層工程後、かかる基
板１とフィルム状樹脂２の積層板をラミネーターロール
４又は平面プレス装置４′により加熱加圧処理する必要
があり、かかる加熱加圧処理により基板の凹凸に起因す
る積層表面の凹凸を平滑にすることができ、後工程であ
る回路形成時の密着不良をなくすことができるのであ
る。該ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′に
よる加熱加圧処理は、真空積層の後であれば、どの工程
で行われてもよいが、特にはラミネーターロール４又は
平面プレス装置４′を真空積層工程の次工程として設置
し、加熱加圧処理を行うことが好ましい。
板１とフィルム状樹脂２の積層板をラミネーターロール
４又は平面プレス装置４′により加熱加圧処理する必要
があり、かかる加熱加圧処理により基板の凹凸に起因す
る積層表面の凹凸を平滑にすることができ、後工程であ
る回路形成時の密着不良をなくすことができるのであ
る。該ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′に
よる加熱加圧処理は、真空積層の後であれば、どの工程
で行われてもよいが、特にはラミネーターロール４又は
平面プレス装置４′を真空積層工程の次工程として設置
し、加熱加圧処理を行うことが好ましい。
【００１２】かかるラミネーターロールによる加熱加圧
処理条件は、圧力１〜１０ｋｇ／ｃｍ2であることが好
ましく、特に好ましくは５〜１０ｋｇ／ｃｍ2である。
温度は２０〜２００℃であることが好ましく、特に好ま
しくは１３０〜１５０℃である。又、平面プレス装置
４′による加熱加圧処理条件は、圧力１〜５０ｋｇ／ｃ
ｍ2であることが好ましく、特に好ましくは２０〜３０
ｋｇ／ｃｍ2である。温度は２０〜２００℃であること
が好ましく、特に好ましくは１００〜１５０℃である。
処理条件は、圧力１〜１０ｋｇ／ｃｍ2であることが好
ましく、特に好ましくは５〜１０ｋｇ／ｃｍ2である。
温度は２０〜２００℃であることが好ましく、特に好ま
しくは１３０〜１５０℃である。又、平面プレス装置
４′による加熱加圧処理条件は、圧力１〜５０ｋｇ／ｃ
ｍ2であることが好ましく、特に好ましくは２０〜３０
ｋｇ／ｃｍ2である。温度は２０〜２００℃であること
が好ましく、特に好ましくは１００〜１５０℃である。
【００１３】更に本発明では、図３、図４に示す如く、
上記の真空積層装置において、上部プレート５の膜体７
とフィルム状樹脂２及び下部プレート６の膜体８と基板
１の間に、更に必要に応じ上下ラミネーターロール４と
基板１とフィルム状樹脂２の積層体の間、平面プレス装
置４′の上下プレスプレートと基板１とフィルム状樹脂
２の積層体の間に、それぞれフィルム１３、１４を設け
ることが好ましく、特には該フィルム１３、１４が連続
走行可能なフィルムであることが好ましい。ここで、図
３、図４中の１５及び１６はフィルム１３、１４を連続
走行させるためのフィルムの巻だしロールと巻き取りロ
ールである。
上記の真空積層装置において、上部プレート５の膜体７
とフィルム状樹脂２及び下部プレート６の膜体８と基板
１の間に、更に必要に応じ上下ラミネーターロール４と
基板１とフィルム状樹脂２の積層体の間、平面プレス装
置４′の上下プレスプレートと基板１とフィルム状樹脂
２の積層体の間に、それぞれフィルム１３、１４を設け
ることが好ましく、特には該フィルム１３、１４が連続
走行可能なフィルムであることが好ましい。ここで、図
３、図４中の１５及び１６はフィルム１３、１４を連続
走行させるためのフィルムの巻だしロールと巻き取りロ
ールである。
【００１４】フィルム１３及び１４は特に限定されない
が、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレ
ンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ナイロンフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、フッ
素化オレフィンフィルムのいずれかであることが好まし
い。膜厚は１０〜１００μｍであることが好ましく、更
には２０〜５０μｍが好ましい。
が、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレ
ンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ナイロンフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、フッ
素化オレフィンフィルムのいずれかであることが好まし
い。膜厚は１０〜１００μｍであることが好ましく、更
には２０〜５０μｍが好ましい。
【００１５】上記積層装置を用いて基板１とフィルム状
樹脂２を積層する場合、回路基板への追従性の向上やマ
イクロボイド発生の抑制を行うために、積層時の温度を
５〜１２０℃、好ましくは７０〜１００℃で行うことが
好ましいが、かかる温度で積層を行うと、フィルム状樹
脂端部から樹脂成分が滲みだしてくるが、本発明では、
かかるフィルム１３及び１４を設けることにより、かか
る滲みだした樹脂成分をフィルム１３及び１４に付着さ
せ、該フィルム１３及び１４を取り除くことにより、良
好な回路基板が形成できるのである。
樹脂２を積層する場合、回路基板への追従性の向上やマ
イクロボイド発生の抑制を行うために、積層時の温度を
５〜１２０℃、好ましくは７０〜１００℃で行うことが
好ましいが、かかる温度で積層を行うと、フィルム状樹
脂端部から樹脂成分が滲みだしてくるが、本発明では、
かかるフィルム１３及び１４を設けることにより、かか
る滲みだした樹脂成分をフィルム１３及び１４に付着さ
せ、該フィルム１３及び１４を取り除くことにより、良
好な回路基板が形成できるのである。
【００１６】上記フィルム１３及び１４は、必要に応じ
て、使用後は汚染部分を取り除き再利用することもでき
るし、又、汚染部分を取り除く工程を設け、回転式に連
続に供給して再利用することもできる。
て、使用後は汚染部分を取り除き再利用することもでき
るし、又、汚染部分を取り除く工程を設け、回転式に連
続に供給して再利用することもできる。
【００１７】尚、本発明では、上記フィルム状樹脂２は
特に制限されないが、特に絶縁材料である時に有用であ
り、かかるフィルム状樹脂としては、主にエポキシ樹脂
からなる熱硬化型樹脂組成物、又は高分子有機ポリマ
ー、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤からなる感
光性樹脂組成物と支持体フィルムからなることが好まし
い。
特に制限されないが、特に絶縁材料である時に有用であ
り、かかるフィルム状樹脂としては、主にエポキシ樹脂
からなる熱硬化型樹脂組成物、又は高分子有機ポリマ
ー、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤からなる感
光性樹脂組成物と支持体フィルムからなることが好まし
い。
【００１８】支持体フィルムとしては、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムや、ポリエチレンフィルム、ポリ
プロピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム等
が挙げられる。
レフタレートフィルムや、ポリエチレンフィルム、ポリ
プロピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム等
が挙げられる。
【００１９】かくして本発明は、凹凸を有する基板１と
フィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層後、ラ
ミネーターロール又は平面プレス装置により加熱加圧処
理を施すため、フィルム状樹脂の追従性がよく、更に積
層板の表面平滑性に優れるので、多層回路基板を製造す
るためのビルドアップ工法に非常に有用な積層方法であ
る。
フィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層後、ラ
ミネーターロール又は平面プレス装置により加熱加圧処
理を施すため、フィルム状樹脂の追従性がよく、更に積
層板の表面平滑性に優れるので、多層回路基板を製造す
るためのビルドアップ工法に非常に有用な積層方法であ
る。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ 図１に示す如き真空積層装置３を用い、基板１とフィル
ム状樹脂２の積層を行った。基板１は凹凸段差が３５μ
ｍの回路基板で、フィルム状樹脂は熱硬化型樹脂組成物
層（厚さ４５μｍ）とポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（厚さ３８μｍ）からなる積層体で、熱硬化型樹脂
組成物層面が基板に接している。
する。 実施例１ 図１に示す如き真空積層装置３を用い、基板１とフィル
ム状樹脂２の積層を行った。基板１は凹凸段差が３５μ
ｍの回路基板で、フィルム状樹脂は熱硬化型樹脂組成物
層（厚さ４５μｍ）とポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（厚さ３８μｍ）からなる積層体で、熱硬化型樹脂
組成物層面が基板に接している。
【００２１】下部プレート６を持ち上げ、上部プレート
５と密封係合して、２ｈｐａまで真空状態にし、５０秒
後上部より大気を中に入れて真空を解放し、基板１とフ
ィルム状樹脂２の積層を行った（積層時の温度は９５℃
であった。）。その後、引き続いてラミネーターロール
４により、温度１４０℃、圧力５．５ｋｇ／ｃｍ2、搬
送速度０．５ｍ／ｍｉｎの条件で加熱加圧処理を行っ
た。得られた回路基板は、追従性に優れ、マイクロボイ
ドの発生しない回路基板で、更に、回路の凹凸段差が３
μｍ以下という非常に表面平滑性に優れたものであり、
上記操作を繰り返し行い、多層回路基板を形成しても密
着性や追従性に劣るものは得られなかった。又、図２に
示す如く真空積層後、引き続いて平面プレス装置４′に
より、温度１３０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ2の条件で加
熱加圧処理を行った。得られた回路基板は追従性に優
れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回
路の凹凸段差が２μｍ以下という非常に表面平滑性に優
れたものであり、上記操作を繰り返し行い、多層回路基
板を形成しても密着性や追従性に劣るものは得られなか
った。
５と密封係合して、２ｈｐａまで真空状態にし、５０秒
後上部より大気を中に入れて真空を解放し、基板１とフ
ィルム状樹脂２の積層を行った（積層時の温度は９５℃
であった。）。その後、引き続いてラミネーターロール
４により、温度１４０℃、圧力５．５ｋｇ／ｃｍ2、搬
送速度０．５ｍ／ｍｉｎの条件で加熱加圧処理を行っ
た。得られた回路基板は、追従性に優れ、マイクロボイ
ドの発生しない回路基板で、更に、回路の凹凸段差が３
μｍ以下という非常に表面平滑性に優れたものであり、
上記操作を繰り返し行い、多層回路基板を形成しても密
着性や追従性に劣るものは得られなかった。又、図２に
示す如く真空積層後、引き続いて平面プレス装置４′に
より、温度１３０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ2の条件で加
熱加圧処理を行った。得られた回路基板は追従性に優
れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回
路の凹凸段差が２μｍ以下という非常に表面平滑性に優
れたものであり、上記操作を繰り返し行い、多層回路基
板を形成しても密着性や追従性に劣るものは得られなか
った。
【００２２】実施例２ 実施例１において、真空積層装置として、図３、図４に
示す如き真空積層装置を用いた以外は同様に行い、回路
基板を製造した。得られた回路基板は、追従性に優れ、
マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回路の
凹凸段差がラミネーターロール処理の場合３μｍ以下、
平面プレス装置処理の場合２μｍ以下という非常に表面
平滑性に優れたものであり、上記操作を繰り返し行い、
多層回路基板を形成しても密着性や追従性に劣るものは
得られなかった。
示す如き真空積層装置を用いた以外は同様に行い、回路
基板を製造した。得られた回路基板は、追従性に優れ、
マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回路の
凹凸段差がラミネーターロール処理の場合３μｍ以下、
平面プレス装置処理の場合２μｍ以下という非常に表面
平滑性に優れたものであり、上記操作を繰り返し行い、
多層回路基板を形成しても密着性や追従性に劣るものは
得られなかった。
【００２３】又、上記積層装置を用いることにより、レ
ジスト端部より滲みだす樹脂成分をフィルム１３及び１
４が連続的に取り除くため、積層操作を繰り返し行って
も基板を汚染することなく、追従性に優れ、マイクロボ
イドの発生しない回路基板を得ることができた。
ジスト端部より滲みだす樹脂成分をフィルム１３及び１
４が連続的に取り除くため、積層操作を繰り返し行って
も基板を汚染することなく、追従性に優れ、マイクロボ
イドの発生しない回路基板を得ることができた。
【００２４】比較例１ 実施例１において、基板１とフィルム状樹脂２を真空積
層した後、ラミネーターロール又は平面プレス装置によ
る加熱加圧処理を行わなかった以外は同様に行い、回路
基板を製造した。得られた回路基板は、追従性について
は優れるものの、回路の凹凸段差が１０μｍで、表面平
滑性の劣るものであり、上記操作を繰り返し行い、多層
回路基板を形成した場合では密着性や追従性に劣るもの
が得られた。
層した後、ラミネーターロール又は平面プレス装置によ
る加熱加圧処理を行わなかった以外は同様に行い、回路
基板を製造した。得られた回路基板は、追従性について
は優れるものの、回路の凹凸段差が１０μｍで、表面平
滑性の劣るものであり、上記操作を繰り返し行い、多層
回路基板を形成した場合では密着性や追従性に劣るもの
が得られた。
【００２５】比較例２ 実施例１において、真空積層装置３の代わりに、ラミネ
ーターロールを用いて温度１４０℃、圧力５．５ｋｇ／
ｃｍ2、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎの条件で基板１とフ
ィルム状樹脂２の積層を行なった以外は同様に行い、回
路基板を製造した。得られた回路基板は、積層後更にラ
ミネーターロールで加熱加圧処理を行った場合、追従性
不足で多数のマイクロボイドが発生しており、回路凹凸
段差も１０〜１５μｍと大きなものであった。又は積層
後更に平面プレス装置で加熱加圧処理を行った場合、回
路段差は３μｍ以下と優れているが、追従性不足で多数
のマイクロボイドが発生しているものであった。
ーターロールを用いて温度１４０℃、圧力５．５ｋｇ／
ｃｍ2、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎの条件で基板１とフ
ィルム状樹脂２の積層を行なった以外は同様に行い、回
路基板を製造した。得られた回路基板は、積層後更にラ
ミネーターロールで加熱加圧処理を行った場合、追従性
不足で多数のマイクロボイドが発生しており、回路凹凸
段差も１０〜１５μｍと大きなものであった。又は積層
後更に平面プレス装置で加熱加圧処理を行った場合、回
路段差は３μｍ以下と優れているが、追従性不足で多数
のマイクロボイドが発生しているものであった。
【００２６】
【発明の効果】本発明の積層方法は、凹凸を有する基板
１とフィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層
後、ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′によ
り加熱加圧処理を施すため、フィルム状樹脂の追従性が
よく、更に積層板の表面平滑性に優れるので、多層回路
基板を製造するためのビルドアップ工法に非常に有用な
積層方法である。
１とフィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層
後、ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′によ
り加熱加圧処理を施すため、フィルム状樹脂の追従性が
よく、更に積層板の表面平滑性に優れるので、多層回路
基板を製造するためのビルドアップ工法に非常に有用な
積層方法である。
【図１】 本発明の積層装置の主要部の構造図である。
【図２】 本発明の積層装置の主要部の構造図である。
【図３】 本発明の好ましい積層装置の主要部の構造図
である。
である。
【図４】 本発明の好ましい積層装置の主要部の構造図
である。
である。
１・・・基板 ２・・・フィルム状樹脂 ３・・・真空積層装置 ４・・・ラミネーターロール ４′・・・平面プレス装置 ５・・・上部プレート ６・・・下部プレート ７・・・上部プレートの膜体 ８・・・下部プレートの膜体 ９・・・シール １０・・・真空引き吸引口 １１・・・金属平面プレート １２・・・油圧シリンダー １３・・・上部プレートの膜体とフィルム状樹脂の間に
設けたフィルム １４・・・下部プレートの膜体と基板の間に設けたフィ
ルム １５・・・フィルム巻だしロール １６・・・フィルム巻き取りロール
設けたフィルム １４・・・下部プレートの膜体と基板の間に設けたフィ
ルム １５・・・フィルム巻だしロール １６・・・フィルム巻き取りロール
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月１０日（２０００．２．１
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【問題を解決するための手段】そこで本発明者は、かか
る事情に鑑み、鋭意研究をした結果、凹凸を有する基板
１に、フィルム状樹脂２を積層するに当たり、真空積層
装置３を用いて積層した後、真空状態を解放した状態で
ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′により加
熱加圧処理する積層方法が上記目的に合致することを見
いだし、本発明を完成した。
る事情に鑑み、鋭意研究をした結果、凹凸を有する基板
１に、フィルム状樹脂２を積層するに当たり、真空積層
装置３を用いて積層した後、真空状態を解放した状態で
ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′により加
熱加圧処理する積層方法が上記目的に合致することを見
いだし、本発明を完成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を図１、図２、図
３及び図４を参考にして詳細に述べる。但し、これに限
定されるわけではない。図１、図２は本発明の積層方法
に用いる装置の主要部の構造図であり、１は凹凸を有す
る基板、２はフィルム状樹脂、３は真空積層装置、４は
ラミネートロール、４′は平面プレス装置であり、更に
５は上部プレート、６は下部プレート、７は上部プレー
ト５の膜体、８は下部プレート６の膜体である。９は上
部プレート５と下部プレート６とを密封係合するための
シールであり、１０は上部プレート５と下部プレート６
を密封係合した後に、該密封内を真空状態にするための
真空引き吸引口である。１１は平面プレス装置４′の金
属平面プレートで、１２は油圧シリンダーである。
３及び図４を参考にして詳細に述べる。但し、これに限
定されるわけではない。図１、図２は本発明の積層方法
に用いる装置の主要部の構造図であり、１は凹凸を有す
る基板、２はフィルム状樹脂、３は真空積層装置、４は
ラミネートロール、４′は平面プレス装置であり、更に
５は上部プレート、６は下部プレート、７は上部プレー
ト５の膜体、８は下部プレート６の膜体である。９は上
部プレート５と下部プレート６とを密封係合するための
シールであり、１０は上部プレート５と下部プレート６
を密封係合した後に、該密封内を真空状態にするための
真空引き吸引口である。１１は平面プレス装置４′の金
属平面プレートで、１２は油圧シリンダーである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本発明で好ましく用いられる真空積層装置
では、下部プレート６の膜体８上に凹凸を有する基板１
及びフィルム状樹脂２を載置し、下部プレート６を持ち
上げて上部プレート５と密封係合し、上下の真空引き吸
引口１０より吸引し、２ｈＰａ以下、好ましくは１ｈＰ
ａ以下の状態まで真空にした後、上部より大気を中に入
れて真空状態を解放し、下部プレート６を上部プレート
５から離して下方に移動させ、該基板１とフィルム状樹
脂２の積層が完了するのである。
では、下部プレート６の膜体８上に凹凸を有する基板１
及びフィルム状樹脂２を載置し、下部プレート６を持ち
上げて上部プレート５と密封係合し、上下の真空引き吸
引口１０より吸引し、２ｈＰａ以下、好ましくは１ｈＰ
ａ以下の状態まで真空にした後、上部より大気を中に入
れて真空状態を解放し、下部プレート６を上部プレート
５から離して下方に移動させ、該基板１とフィルム状樹
脂２の積層が完了するのである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明では上記真空積層工程後、真空状態
を解放した状態で、かかる基板１とフィルム状樹脂２の
積層板をラミネーターロール４又は平面プレス装置４′
により加熱加圧処理する必要があり、かかる加熱加圧処
理により基板の凹凸に起因する積層表面の凹凸を平滑に
することができ、後工程である回路形成時の密着不良を
なくすことができるのである。該ラミネーターロール４
又は平面プレス装置４′による加熱加圧処理は、真空積
層の後、真空状態を解放した状態であれば、どの工程で
行われてもよいが、特にはラミネーターロール４又は平
面プレス装置４′を真空積層工程の次工程として設置
し、加熱加圧処理を行うことが好ましい。
を解放した状態で、かかる基板１とフィルム状樹脂２の
積層板をラミネーターロール４又は平面プレス装置４′
により加熱加圧処理する必要があり、かかる加熱加圧処
理により基板の凹凸に起因する積層表面の凹凸を平滑に
することができ、後工程である回路形成時の密着不良を
なくすことができるのである。該ラミネーターロール４
又は平面プレス装置４′による加熱加圧処理は、真空積
層の後、真空状態を解放した状態であれば、どの工程で
行われてもよいが、特にはラミネーターロール４又は平
面プレス装置４′を真空積層工程の次工程として設置
し、加熱加圧処理を行うことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】かくして本発明は、凹凸を有する基板１と
フィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層後、真
空状態を解放した状態でラミネーターロール４又は平面
プレス装置４′により加熱加圧処理を施すため、フィル
ム状樹脂の追従性がよく、更に積層板の表面平滑性に優
れるので、多層回路基板を製造するためのビルドアップ
工法に非常に有用な積層方法である。
フィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層後、真
空状態を解放した状態でラミネーターロール４又は平面
プレス装置４′により加熱加圧処理を施すため、フィル
ム状樹脂の追従性がよく、更に積層板の表面平滑性に優
れるので、多層回路基板を製造するためのビルドアップ
工法に非常に有用な積層方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】下部プレート６を持ち上げ、上部プレート
５と密封係合して、２ｈｐａまで真空状態にし、５０秒
後上部より大気を中に入れて真空を解放し、基板１とフ
ィルム状樹脂２の積層を行った（積層時の温度は９５℃
であった。）。その後、引き続いて、真空状態を解放し
た状態でラミネーターロール４により、温度１４０℃、
圧力５．５ｋｇ／ｃｍ2、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎの
条件で加熱加圧処理を行った。得られた回路基板は、追
従性に優れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、
更に、回路の凹凸段差が３μｍ以下という非常に表面平
滑性に優れたものであり、上記操作を繰り返し行い、多
層回路基板を形成しても密着性や追従性に劣るものは得
られなかった。又、図２に示す如く真空積層後、引き続
いて、真空状態を解放した状態で平面プレス装置４′に
より、温度１３０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ2の条件で加
熱加圧処理を行った。得られた回路基板は追従性に優
れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回
路の凹凸段差が２μｍ以下という非常に表面平滑性に優
れたものであり、上記操作を繰り返し行い、多層回路基
板を形成しても密着性や追従性に劣るものは得られなか
った。
５と密封係合して、２ｈｐａまで真空状態にし、５０秒
後上部より大気を中に入れて真空を解放し、基板１とフ
ィルム状樹脂２の積層を行った（積層時の温度は９５℃
であった。）。その後、引き続いて、真空状態を解放し
た状態でラミネーターロール４により、温度１４０℃、
圧力５．５ｋｇ／ｃｍ2、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎの
条件で加熱加圧処理を行った。得られた回路基板は、追
従性に優れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、
更に、回路の凹凸段差が３μｍ以下という非常に表面平
滑性に優れたものであり、上記操作を繰り返し行い、多
層回路基板を形成しても密着性や追従性に劣るものは得
られなかった。又、図２に示す如く真空積層後、引き続
いて、真空状態を解放した状態で平面プレス装置４′に
より、温度１３０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ2の条件で加
熱加圧処理を行った。得られた回路基板は追従性に優
れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回
路の凹凸段差が２μｍ以下という非常に表面平滑性に優
れたものであり、上記操作を繰り返し行い、多層回路基
板を形成しても密着性や追従性に劣るものは得られなか
った。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】実施例２ 実施例１において、真空積層装置３として、図３、図４
に示す如き真空積層装置３を用いた以外は同様に行い、
回路基板を製造した。得られた回路基板は、追従性に優
れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回
路の凹凸段差がラミネーターロール処理の場合３μｍ以
下、平面プレス装置処理の場合２μｍ以下という非常に
表面平滑性に優れたものであり、上記操作を繰り返し行
い、多層回路基板を形成しても密着性や追従性に劣るも
のは得られなかった。
に示す如き真空積層装置３を用いた以外は同様に行い、
回路基板を製造した。得られた回路基板は、追従性に優
れ、マイクロボイドの発生しない回路基板で、更に、回
路の凹凸段差がラミネーターロール処理の場合３μｍ以
下、平面プレス装置処理の場合２μｍ以下という非常に
表面平滑性に優れたものであり、上記操作を繰り返し行
い、多層回路基板を形成しても密着性や追従性に劣るも
のは得られなかった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】比較例１ 実施例１において、基板１とフィルム状樹脂２を真空積
層した後、真空状態を解放した状態でラミネーターロー
ル４又は平面プレス装置４′による加熱加圧処理を行わ
なかった以外は同様に行い、回路基板を製造した。得ら
れた回路基板は、追従性については優れるものの、回路
の凹凸段差が１０μｍで、表面平滑性の劣るものであ
り、上記操作を繰り返し行い、多層回路基板を形成した
場合では密着性や追従性に劣るものが得られた。
層した後、真空状態を解放した状態でラミネーターロー
ル４又は平面プレス装置４′による加熱加圧処理を行わ
なかった以外は同様に行い、回路基板を製造した。得ら
れた回路基板は、追従性については優れるものの、回路
の凹凸段差が１０μｍで、表面平滑性の劣るものであ
り、上記操作を繰り返し行い、多層回路基板を形成した
場合では密着性や追従性に劣るものが得られた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】
【発明の効果】本発明の積層方法は、凹凸を有する基板
１とフィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層
後、真空状態を解放した状態で、ラミネーターロール４
又は平面プレス装置４′により加熱加圧処理を施すた
め、フィルム状樹脂の追従性がよく、更に積層板の表面
平滑性に優れるので、多層回路基板を製造するためのビ
ルドアップ工法に非常に有用な積層方法である。
１とフィルム状樹脂２を積層するに際して、真空積層
後、真空状態を解放した状態で、ラミネーターロール４
又は平面プレス装置４′により加熱加圧処理を施すた
め、フィルム状樹脂の追従性がよく、更に積層板の表面
平滑性に優れるので、多層回路基板を製造するためのビ
ルドアップ工法に非常に有用な積層方法である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
Claims (8)
- 【請求項１】 凹凸を有する基板１に、フィルム状樹脂
２を積層するに当たり、真空積層装置３を用いて積層し
た後、ラミネーターロール４又は平面プレス装置４′に
より加熱加圧処理することを特徴とする積層方法。 - 【請求項２】 上部プレート５及び下部プレート６を有
し、上部プレート５及び下部プレート６の対向面にそれ
ぞれ膜体７、８を載置し、上部プレート５の膜体７と下
部プレート６の膜体８の間に狭持されるように凹凸を有
する基板１とフィルム状樹脂２を載置し、下部プレート
６を持ち上げて上部プレート５と密封係合状態にして、
真空状態にした後、上部より大気を入れて積層する真空
積層装置３を用いることを特徴とする請求項１記載の積
層方法。 - 【請求項３】 真空積層装置３による真空度が２ｈｐａ
以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の積層
方法。 - 【請求項４】 上部プレート５の膜体７とフィルム状樹
脂２及び下部プレート６の膜体８と基板１の間にそれぞ
れフィルム１３、１４を設けることを特徴とする請求項
１〜３いずれか記載の積層方法。 - 【請求項５】 上部プレート５の膜体７とフィルム状樹
脂２及び下部プレート６の膜体８と基板１の間にそれぞ
れ設けたフィルム１３、１４が連続走行可能なフィルム
であることを特徴とする請求項４記載の積層方法。 - 【請求項６】 上部プレート５の膜体７とフィルム状樹
脂２及び下部プレート６の膜体８と基板１の間にそれぞ
れ設けたフィルム１３、１４がポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレン
フィルム、ナイロンフィルム、ポリイミドフィルム、ポ
リスチレンフィルム、フッ素化オレフィンフィルムのい
ずれかであることを特徴とする請求項４又は５記載の積
層方法。 - 【請求項７】 ラミネーターロール４による加熱加圧処
理条件が圧力１〜１０ｋｇ／ｃｍ2、温度２０〜２００
℃、又は平面プレス装置４′による加熱加圧処理条件が
圧力１〜５０ｋｇ／ｃｍ2、温度２０〜２００℃である
ことを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の積層方
法。 - 【請求項８】 フィルム状樹脂２が絶縁材料であること
特徴とする請求項１〜７いずれか記載の積層方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33204398A JP3051381B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 積層方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33204398A JP3051381B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 積層方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000141388A true JP2000141388A (ja) | 2000-05-23 |
| JP3051381B2 JP3051381B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=18250508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33204398A Expired - Lifetime JP3051381B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 積層方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3051381B2 (ja) |
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| US10705201B1 (en) | 2015-08-31 | 2020-07-07 | Rockwell Collins, Inc. | Radar beam sharpening system and method |
| US10928510B1 (en) | 2014-09-10 | 2021-02-23 | Rockwell Collins, Inc. | System for and method of image processing for low visibility landing applications |
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-11-06 JP JP33204398A patent/JP3051381B2/ja not_active Expired - Lifetime
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