JP2000133815A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000133815A JP2000133815A JP10302658A JP30265898A JP2000133815A JP 2000133815 A JP2000133815 A JP 2000133815A JP 10302658 A JP10302658 A JP 10302658A JP 30265898 A JP30265898 A JP 30265898A JP 2000133815 A JP2000133815 A JP 2000133815A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン基板とガラス蓋との間に密閉空間を
有する半導体装置において、簡単な製造工程により密閉
空間から残存する酸素を除去して、真空度の高い密閉空
間を形成する。 【解決手段】 半導体装置は、シリコンからなる基板１
０とガラス材からなるガラス蓋６０との間にほぼ真空な
密閉空間Ｓを備えている。このような半導体装置におい
ては、基板１０にガラス蓋６０を陽極接合した後、ガラ
ス蓋６０の外側からガラス蓋６０で覆われた基板１０の
一部にＹＡＧレーザを照射して同一部を加熱処理する
と、同一部は陽極接合の際に発生されて密閉空間Ｓ内に
残存する酸素と結合して酸化するので、密閉空間Ｓから
残存する酸素が除去されて、真空度の高い密閉空間Ｓが
形成される。
有する半導体装置において、簡単な製造工程により密閉
空間から残存する酸素を除去して、真空度の高い密閉空
間を形成する。 【解決手段】 半導体装置は、シリコンからなる基板１
０とガラス材からなるガラス蓋６０との間にほぼ真空な
密閉空間Ｓを備えている。このような半導体装置におい
ては、基板１０にガラス蓋６０を陽極接合した後、ガラ
ス蓋６０の外側からガラス蓋６０で覆われた基板１０の
一部にＹＡＧレーザを照射して同一部を加熱処理する
と、同一部は陽極接合の際に発生されて密閉空間Ｓ内に
残存する酸素と結合して酸化するので、密閉空間Ｓから
残存する酸素が除去されて、真空度の高い密閉空間Ｓが
形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基板にガ
ラス蓋を陽極接合して、同シリコン基板と同ガラス蓋と
の間にほぼ真空な密閉空間を形成する半導体装置の製造
方法に関する。
ラス蓋を陽極接合して、同シリコン基板と同ガラス蓋と
の間にほぼ真空な密閉空間を形成する半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の製造方法に
おいては、例えば特開平１０−１２２８６９号公報に示
されているように、ガラス蓋の内側面に酸素吸収用金属
膜を蒸着しておき、ガラス蓋をシリコン基板に陽極接合
した後に、酸素吸収用金属膜を加熱することにより、前
記陽極接合によって発生した酸素が酸素吸収用金属膜の
酸化に利用されるようにして、シリコン基板とガラス蓋
との間に形成された密閉空間を減圧するようにしてい
た。また、例えば特開平１０−１４４９３５号公報に示
されているように、ガス抜き用の貫通孔を有するガラス
蓋をシリコン基板に陽極接合した後に、真空中にて前記
貫通孔にシリコン栓を陽極接合することにより同貫通孔
を封止し、シリコン基板とガラス蓋との間に形成される
密閉空間に陽極接合によって残存する酸素を極力少なく
することも行われていた。
おいては、例えば特開平１０−１２２８６９号公報に示
されているように、ガラス蓋の内側面に酸素吸収用金属
膜を蒸着しておき、ガラス蓋をシリコン基板に陽極接合
した後に、酸素吸収用金属膜を加熱することにより、前
記陽極接合によって発生した酸素が酸素吸収用金属膜の
酸化に利用されるようにして、シリコン基板とガラス蓋
との間に形成された密閉空間を減圧するようにしてい
た。また、例えば特開平１０−１４４９３５号公報に示
されているように、ガス抜き用の貫通孔を有するガラス
蓋をシリコン基板に陽極接合した後に、真空中にて前記
貫通孔にシリコン栓を陽極接合することにより同貫通孔
を封止し、シリコン基板とガラス蓋との間に形成される
密閉空間に陽極接合によって残存する酸素を極力少なく
することも行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の半
導体装置の製造方法においては、酸素吸収用金属膜又は
シリコン栓をガラス蓋に設ける必要があり、製造工程が
複雑になるという問題があった。
導体装置の製造方法においては、酸素吸収用金属膜又は
シリコン栓をガラス蓋に設ける必要があり、製造工程が
複雑になるという問題があった。
【０００４】
【発明の概要】本発明は、上記問題に対処するためにな
されたもので、その目的は、簡単な製造工程により密閉
空間に残存する酸素を除去して、真空度の高い密閉空間
を形成するようにした半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
されたもので、その目的は、簡単な製造工程により密閉
空間に残存する酸素を除去して、真空度の高い密閉空間
を形成するようにした半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】上記目的を達成するために、本発明の特徴
は、シリコン基板にガラス蓋を陽極接合して同シリコン
基板と同ガラス蓋との間にほぼ真空な密閉空間を形成す
る半導体装置の製造方法において、陽極接合後に、ガラ
ス蓋の外側からシリコン基板の一部を加熱処理するよう
にしたことにある。好ましくは、前記加熱処理として、
ＹＡＧレーザをシリコン基板の一部に照射する処理を採
用するとよい。
は、シリコン基板にガラス蓋を陽極接合して同シリコン
基板と同ガラス蓋との間にほぼ真空な密閉空間を形成す
る半導体装置の製造方法において、陽極接合後に、ガラ
ス蓋の外側からシリコン基板の一部を加熱処理するよう
にしたことにある。好ましくは、前記加熱処理として、
ＹＡＧレーザをシリコン基板の一部に照射する処理を採
用するとよい。
【０００６】このような製造方法においては、加熱され
たシリコン基板の一部が、陽極接合の際に発生されて密
閉空間内に残存する酸素と結合して酸化するので、同空
間内に残存する酸素を前記シリコン基板の一部に吸収さ
せることができ、真空度の高い密閉空間を形成すること
ができる。特に、前記のように加熱処理にＹＡＧレーザ
を用いることによりガラス蓋を加熱することなく、前記
シリコン基板の一部を酸化しやすい高い温度まで上昇さ
せることができる。
たシリコン基板の一部が、陽極接合の際に発生されて密
閉空間内に残存する酸素と結合して酸化するので、同空
間内に残存する酸素を前記シリコン基板の一部に吸収さ
せることができ、真空度の高い密閉空間を形成すること
ができる。特に、前記のように加熱処理にＹＡＧレーザ
を用いることによりガラス蓋を加熱することなく、前記
シリコン基板の一部を酸化しやすい高い温度まで上昇さ
せることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を用いて説明すると、図１は同実施形態に係る半導体装
置の平面図であり、図２は同装置の２−２線に沿った断
面図である。
を用いて説明すると、図１は同実施形態に係る半導体装
置の平面図であり、図２は同装置の２−２線に沿った断
面図である。
【０００８】この半導体装置は、シリコンで方形状に形
成された基板１０と、同基板１０上ほぼ中央にその上面
から小さな所定距離だけ隔てて平行に配置された振動子
２０とを備えている。振動子２０は、ｎ形シリコンで略
方形状に形成されており、所定の間隔にて配置された複
数の方形状の貫通孔２１を有している。振動子２０は、
梁１１−１〜１１−４を介してアンカ１２−１〜１２−
４に振動可能に支持されている。梁１１−１〜１１−４
は、略Ｌ字状に振動子２０と同材料で形成されるととも
に、振動子２０と同様に前記小さな所定距離だけ基板１
０上面から浮いている。アンカ１２−１〜１２−４は、
方形状に振動子２０と同材料で形成されるとともに、基
板１０の上面に絶縁層であるシリコン酸化膜を介して固
着されている。
成された基板１０と、同基板１０上ほぼ中央にその上面
から小さな所定距離だけ隔てて平行に配置された振動子
２０とを備えている。振動子２０は、ｎ形シリコンで略
方形状に形成されており、所定の間隔にて配置された複
数の方形状の貫通孔２１を有している。振動子２０は、
梁１１−１〜１１−４を介してアンカ１２−１〜１２−
４に振動可能に支持されている。梁１１−１〜１１−４
は、略Ｌ字状に振動子２０と同材料で形成されるととも
に、振動子２０と同様に前記小さな所定距離だけ基板１
０上面から浮いている。アンカ１２−１〜１２−４は、
方形状に振動子２０と同材料で形成されるとともに、基
板１０の上面に絶縁層であるシリコン酸化膜を介して固
着されている。
【０００９】アンカ１２−３には、基板１０の上面にシ
リコン酸化膜を介して固着されたパッド部１３が接続さ
れており、同パッド部１３の上面には、振動子２０の変
位にともなう静電容量の変化を表す静電容量信号を取り
出すために、導電金属（例えばアルミニウム）で方形状
に形成された電極パッド１４が設けられている。なお、
アンカ１２−３とパッド部１３とを接続する部分とパッ
ド部１３もｎ形シリコンで形成されている。
リコン酸化膜を介して固着されたパッド部１３が接続さ
れており、同パッド部１３の上面には、振動子２０の変
位にともなう静電容量の変化を表す静電容量信号を取り
出すために、導電金属（例えばアルミニウム）で方形状
に形成された電極パッド１４が設けられている。なお、
アンカ１２−３とパッド部１３とを接続する部分とパッ
ド部１３もｎ形シリコンで形成されている。
【００１０】基板１０の上面であって振動子２０のＸ軸
方向（紙面左右方向）両外側には、振動子２０をＸ軸方
向に振動させるための一対の駆動電極部３０−１，３０
−２が設けられている。
方向（紙面左右方向）両外側には、振動子２０をＸ軸方
向に振動させるための一対の駆動電極部３０−１，３０
−２が設けられている。
【００１１】駆動電極部３０−１，３０−２は、ｎ形シ
リコンで一体的に形成された櫛歯状電極３１−１，３１
−２及びパッド部３２−１，３２−２からそれぞれな
り、基板１０の上面にシリコン酸化膜を介して固着され
ている。櫛歯状電極３１−１，３１−２は複数の電極指
３３−１，３３−２をそれぞれ有しており、同電極指３
３−１，３３−２はＸ軸方向内側に向かって互いに平行
かつ等間隔にそれぞれ延設されている。パッド部３２−
１，３２−２は、櫛歯状電極３１−１，３１−２のＸ軸
方向外側にそれぞれ連結されている。これらのパッド部
３２−１，３２−２の上面には、振動子２０をＸ軸方向
に振動させるための駆動用信号を振動子２０に印加する
ために、導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形
成された電極パッド３４−１，３４−２がそれぞれ設け
られている。
リコンで一体的に形成された櫛歯状電極３１−１，３１
−２及びパッド部３２−１，３２−２からそれぞれな
り、基板１０の上面にシリコン酸化膜を介して固着され
ている。櫛歯状電極３１−１，３１−２は複数の電極指
３３−１，３３−２をそれぞれ有しており、同電極指３
３−１，３３−２はＸ軸方向内側に向かって互いに平行
かつ等間隔にそれぞれ延設されている。パッド部３２−
１，３２−２は、櫛歯状電極３１−１，３１−２のＸ軸
方向外側にそれぞれ連結されている。これらのパッド部
３２−１，３２−２の上面には、振動子２０をＸ軸方向
に振動させるための駆動用信号を振動子２０に印加する
ために、導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形
成された電極パッド３４−１，３４−２がそれぞれ設け
られている。
【００１２】振動子２０のＸ軸方向両側部であって駆動
電極部３０−１，３０−２に対向する位置には、電極指
３３−１，３３−２と共に振動発生部をそれぞれ構成す
る複数の電極指２２−１，２２−２が、振動子２０と同
材料で形成されて、各電極指３３−１，３３−２をそれ
ぞれ挟むとともに同電極指３３−１，３３−２に平行と
なるように前記両側部からＸ軸方向外側にそれぞれ延設
されている。なお、電極指２２−１，２２−２は、振動
子２０と同様に基板１０の上面から浮いているととも
に、各隣り合う電極指３３−１，３３−２との間隔が等
しくなるように設定されている。
電極部３０−１，３０−２に対向する位置には、電極指
３３−１，３３−２と共に振動発生部をそれぞれ構成す
る複数の電極指２２−１，２２−２が、振動子２０と同
材料で形成されて、各電極指３３−１，３３−２をそれ
ぞれ挟むとともに同電極指３３−１，３３−２に平行と
なるように前記両側部からＸ軸方向外側にそれぞれ延設
されている。なお、電極指２２−１，２２−２は、振動
子２０と同様に基板１０の上面から浮いているととも
に、各隣り合う電極指３３−１，３３−２との間隔が等
しくなるように設定されている。
【００１３】基板１０の上面であって振動子２０のＹ軸
方向（紙面上下方向）両外側には、振動子２０のＹ軸方
向の振動を検出するための一対の検出電極部４０−１，
４０−２が設けられている。
方向（紙面上下方向）両外側には、振動子２０のＹ軸方
向の振動を検出するための一対の検出電極部４０−１，
４０−２が設けられている。
【００１４】検出電極部４０−１，４０−２は、ｎ形シ
リコンで一体的に形成された櫛歯状電極４１−１，４１
−２及びパッド部４２−１，４２−２からそれぞれな
り、基板１０の上面にシリコン酸化膜を介して固着され
ている。櫛歯状電極４１−１，４１−２は複数の電極指
４３−１，４３−２をそれぞれ有しており、同電極指４
３−１，４３−２はＸ軸方向に互いに平行かつ等間隔に
それぞれ延設されている。パッド部４２−１，４２−２
は、櫛歯状電極４１−１，４１−２のＹ軸方向外側にそ
れぞれ連結されている。これらのパッド部４２−１，４
２−２の上面には、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出
するための検出用信号を振動子２０に印加するために、
導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形成された
電極パッド４４−１，４４−２がそれぞれ設けられてい
る。
リコンで一体的に形成された櫛歯状電極４１−１，４１
−２及びパッド部４２−１，４２−２からそれぞれな
り、基板１０の上面にシリコン酸化膜を介して固着され
ている。櫛歯状電極４１−１，４１−２は複数の電極指
４３−１，４３−２をそれぞれ有しており、同電極指４
３−１，４３−２はＸ軸方向に互いに平行かつ等間隔に
それぞれ延設されている。パッド部４２−１，４２−２
は、櫛歯状電極４１−１，４１−２のＹ軸方向外側にそ
れぞれ連結されている。これらのパッド部４２−１，４
２−２の上面には、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出
するための検出用信号を振動子２０に印加するために、
導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形成された
電極パッド４４−１，４４−２がそれぞれ設けられてい
る。
【００１５】振動子２０のＹ軸方向両側部であって検出
電極部４０−１，４０−２に対向する位置からは、電極
指４３−１，４３−２と共に振動検出部をそれぞれ構成
する複数の電極指２２−３，２２−４が、振動子２０と
同材料で形成されるとともに、各電極指４３−１，４３
−２に平行に対向するようにＸ軸方向にそれぞれ延設さ
れている。なお、電極指２２−３，２２−４は、振動子
２０と同様に基板１０上面から浮いているとともに、各
隣り合う電極指４３−１，４３−２の幅方向中心位置か
ら内側方向にそれぞれずれるように設定されている。
電極部４０−１，４０−２に対向する位置からは、電極
指４３−１，４３−２と共に振動検出部をそれぞれ構成
する複数の電極指２２−３，２２−４が、振動子２０と
同材料で形成されるとともに、各電極指４３−１，４３
−２に平行に対向するようにＸ軸方向にそれぞれ延設さ
れている。なお、電極指２２−３，２２−４は、振動子
２０と同様に基板１０上面から浮いているとともに、各
隣り合う電極指４３−１，４３−２の幅方向中心位置か
ら内側方向にそれぞれずれるように設定されている。
【００１６】そして、基板１０上面には、所定幅を有す
る枠体５０が同基板１０の外周に沿って設けられてい
る。枠体５０は、シリコン酸化膜を介して基板１０に固
着されるとともに、駆動電極部３０−１，３０−２と検
出電極部４０−１，４０−２の外側部分（パッド部３２
−１，３２−２，４２−１，４２−２等）、アンカ１２
−１〜１２−４、パッド部１３及びアンカ１２−３とパ
ッド部１３とを接続する部分を含んでおり、これら以外
の部分はｐ形シリコンで形成されている。なお、基板１
０及び枠体５０は、本発明のシリコン基板を構成するも
のである。
る枠体５０が同基板１０の外周に沿って設けられてい
る。枠体５０は、シリコン酸化膜を介して基板１０に固
着されるとともに、駆動電極部３０−１，３０−２と検
出電極部４０−１，４０−２の外側部分（パッド部３２
−１，３２−２，４２−１，４２−２等）、アンカ１２
−１〜１２−４、パッド部１３及びアンカ１２−３とパ
ッド部１３とを接続する部分を含んでおり、これら以外
の部分はｐ形シリコンで形成されている。なお、基板１
０及び枠体５０は、本発明のシリコン基板を構成するも
のである。
【００１７】枠体５０上面内周縁部には、梁１１−１〜
１１−４、アンカ１２−１〜１２−４、振動子２０、櫛
歯状電極３１−１，３１−２，４１−１，４１−２及び
電極指２２−１〜２２−４，３３−１，３３−２，４３
−１，４３−２を覆うようにガラス材で断面略コ字状に
形成されたガラス蓋６０が陽極接合により固定され、基
板１０とガラス蓋６０との間に密閉空間Ｓが形成されて
いる。
１１−４、アンカ１２−１〜１２−４、振動子２０、櫛
歯状電極３１−１，３１−２，４１−１，４１−２及び
電極指２２−１〜２２−４，３３−１，３３−２，４３
−１，４３−２を覆うようにガラス材で断面略コ字状に
形成されたガラス蓋６０が陽極接合により固定され、基
板１０とガラス蓋６０との間に密閉空間Ｓが形成されて
いる。
【００１８】次に、上記のように構成した半導体装置の
製造方法について図２を用いて説明する。
製造方法について図２を用いて説明する。
【００１９】(１)第１工程 基板材料として単結晶シリコンからなる下層ａの上面上
に約２μｍの厚さのシリコン酸化膜からなる中間層ｂを
介して約１０μｍの厚さの単結晶シリコンからなる上層
ｃを設けたＳＯＩ(Silicon−On-Insulator)基板を用意
する。なお、上層ｃはｐ形シリコンで形成されている。
そして、上層ｃの上面であって振動子２０（貫通穴２１
を除く）、電極指２２−１〜２２−４、駆動電極部３０
−１，３０−２、検出電極部４０−１，４０−２、梁１
１−１〜１１−４、アンカ１２−１〜１２−４に相当す
る部分（ドット若しくは模様を付した部分）以外をマス
クして、マスクしていない部分にリン等の不純物をドー
ピングして同部分をｎ形シリコン化する。
に約２μｍの厚さのシリコン酸化膜からなる中間層ｂを
介して約１０μｍの厚さの単結晶シリコンからなる上層
ｃを設けたＳＯＩ(Silicon−On-Insulator)基板を用意
する。なお、上層ｃはｐ形シリコンで形成されている。
そして、上層ｃの上面であって振動子２０（貫通穴２１
を除く）、電極指２２−１〜２２−４、駆動電極部３０
−１，３０−２、検出電極部４０−１，４０−２、梁１
１−１〜１１−４、アンカ１２−１〜１２−４に相当す
る部分（ドット若しくは模様を付した部分）以外をマス
クして、マスクしていない部分にリン等の不純物をドー
ピングして同部分をｎ形シリコン化する。
【００２０】(２)第２工程 上層ｃの上面であって振動子２０（貫通穴２１を除
く）、電極指２２−１〜２２−４、駆動電極部３０−
１，３０−２、検出電極部４０−１，４０−２、梁１１
−１〜１１−４、アンカ１２−１〜１２−４及び枠体５
０に相当する部分をレジスト膜にてマスクする。そし
て、上層ｃをＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等でエ
ッチングして、中間層ｂ上に駆動電極部３０−１，３０
−２、検出電極部４０−１，４０−２、アンカ１２−１
〜１２−４及び枠体５０を形成するとともに、振動子２
０、電極指２２−１〜２２−４及び梁１１−１〜１１−
４に相当する部分を残す。
く）、電極指２２−１〜２２−４、駆動電極部３０−
１，３０−２、検出電極部４０−１，４０−２、梁１１
−１〜１１−４、アンカ１２−１〜１２−４及び枠体５
０に相当する部分をレジスト膜にてマスクする。そし
て、上層ｃをＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等でエ
ッチングして、中間層ｂ上に駆動電極部３０−１，３０
−２、検出電極部４０−１，４０−２、アンカ１２−１
〜１２−４及び枠体５０を形成するとともに、振動子２
０、電極指２２−１〜２２−４及び梁１１−１〜１１−
４に相当する部分を残す。
【００２１】(３)第３工程 振動子２０、電極指２２−１〜２２−４及び梁１１−１
〜１１−４（上層ｃ）と基板１０（下層ａ）とに挟まれ
る中間層ｂを、フッ酸水溶液でエッチングすることによ
り除去して、振動子２０、電極指２２−１〜２２−４及
び梁１１−１〜１１−４を基板１０上から浮かせて形成
する。これは、中間層ｂをフッ酸水溶液でエッチングす
ると、上下両層ａ，ｃで挟まれていない部分のみなら
ず、上下両層ａ，ｃで挟まれている部分であっても外表
面に近い部分も除去されるからである。
〜１１−４（上層ｃ）と基板１０（下層ａ）とに挟まれ
る中間層ｂを、フッ酸水溶液でエッチングすることによ
り除去して、振動子２０、電極指２２−１〜２２−４及
び梁１１−１〜１１−４を基板１０上から浮かせて形成
する。これは、中間層ｂをフッ酸水溶液でエッチングす
ると、上下両層ａ，ｃで挟まれていない部分のみなら
ず、上下両層ａ，ｃで挟まれている部分であっても外表
面に近い部分も除去されるからである。
【００２２】(４)第４工程 ガラス蓋６０を枠体２０上面に真空中にて陽極接合して
固定し、基板１０とガラス蓋６０との間に密閉空間Ｓを
形成する。なお、この陽極接合の際には、酸素が発生
し、同発生した酸素は密閉空間Ｓ内に残存する。
固定し、基板１０とガラス蓋６０との間に密閉空間Ｓを
形成する。なお、この陽極接合の際には、酸素が発生
し、同発生した酸素は密閉空間Ｓ内に残存する。
【００２３】(５)第５工程 ガラス蓋６０の外側からガラス蓋６０で覆われた基板１
０の一部（梁１１−１〜１１−４、アンカ１２−１〜１
２−４、振動子２０、櫛歯状電極３１−１，３１−２，
４１−１，４１−２及び電極指２２−１〜２２−４，３
３−１，３３−２，４３−１，４３−２を除く下層ｃの
上面）にＹＡＧレーザを照射して加熱処理すると、同一
部が密閉空間Ｓ内に残存する酸素と結合して酸化するの
で、密閉空間Ｓ内の酸素は除去される。
０の一部（梁１１−１〜１１−４、アンカ１２−１〜１
２−４、振動子２０、櫛歯状電極３１−１，３１−２，
４１−１，４１−２及び電極指２２−１〜２２−４，３
３−１，３３−２，４３−１，４３−２を除く下層ｃの
上面）にＹＡＧレーザを照射して加熱処理すると、同一
部が密閉空間Ｓ内に残存する酸素と結合して酸化するの
で、密閉空間Ｓ内の酸素は除去される。
【００２４】次に、上記のように構成した半導体装置の
動作について説明する。図示しない電気回路装置は、駆
動電極部３０−１，３０−２の電極パッド３４−１，３
４−２、検出電極部４０−１，４０−２の電極パッド４
４−１，４４−２及びアンカ１２−３の電極パッド１３
に接続されている。
動作について説明する。図示しない電気回路装置は、駆
動電極部３０−１，３０−２の電極パッド３４−１，３
４−２、検出電極部４０−１，４０−２の電極パッド４
４−１，４４−２及びアンカ１２−３の電極パッド１３
に接続されている。
【００２５】電気回路装置は、振動子２０をその固有振
動数ｆ0でＸ軸方向に一定振幅で振動させるために、互
いに逆相の駆動用信号を駆動電極部３０−１，３０−２
の電極パッド３４−１，３４−２にそれぞれ供給してい
る。また、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出するため
に、互いに逆相の検出用信号を検出電極部４０−１，４
０−２の電極パッド４４−１，４４−２に供給してい
る。これによれば、振動子２０は、電気回路装置からの
駆動用信号によって前記振動発生部（電極指３３−１，
２２−１及び電極指３３−２，２２−２）に発生する静
電引力により、一定振幅かつ固有振動数ｆ0でＸ軸方向
に振動する。
動数ｆ0でＸ軸方向に一定振幅で振動させるために、互
いに逆相の駆動用信号を駆動電極部３０−１，３０−２
の電極パッド３４−１，３４−２にそれぞれ供給してい
る。また、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出するため
に、互いに逆相の検出用信号を検出電極部４０−１，４
０−２の電極パッド４４−１，４４−２に供給してい
る。これによれば、振動子２０は、電気回路装置からの
駆動用信号によって前記振動発生部（電極指３３−１，
２２−１及び電極指３３−２，２２−２）に発生する静
電引力により、一定振幅かつ固有振動数ｆ0でＸ軸方向
に振動する。
【００２６】この状態で、振動子２０にＸ，Ｙ両軸に直
交するＺ軸回りの角速度が働くと、振動子２０はコリオ
リ力により前記角速度に比例した振幅でＹ軸方向にも振
動する。この振動子２０のＹ軸方向の振動に伴い、振動
子２０に接続された電極指２２−３，２２−４もＹ軸方
向に振動する。これにより、電極指２２−３，４３−１
における静電容量と、電極指２２−４，４３−２におけ
る静電容量は互いに逆方向に変化する。この静電容量の
変化を表す信号が、静電容量信号として電極パッド１４
を介して電気回路装置に入力される。電気回路装置は、
この静電容量信号を用いて前記Ｚ軸回りの角速度を導出
する。
交するＺ軸回りの角速度が働くと、振動子２０はコリオ
リ力により前記角速度に比例した振幅でＹ軸方向にも振
動する。この振動子２０のＹ軸方向の振動に伴い、振動
子２０に接続された電極指２２−３，２２−４もＹ軸方
向に振動する。これにより、電極指２２−３，４３−１
における静電容量と、電極指２２−４，４３−２におけ
る静電容量は互いに逆方向に変化する。この静電容量の
変化を表す信号が、静電容量信号として電極パッド１４
を介して電気回路装置に入力される。電気回路装置は、
この静電容量信号を用いて前記Ｚ軸回りの角速度を導出
する。
【００２７】上記のような製造方法においては、ＹＡＧ
レーザの照射により加熱処理された基板１０の一部が、
陽極接合の際に発生されて密閉空間Ｓ内に残存する酸素
と結合して酸化するので、同空間Ｓ内に残存する酸素を
基板１０の一部に吸収させることができ、真空度の高い
密閉空間を形成することができる。特に、前記のように
加熱処理にＹＡＧレーザを用いることによりガラス蓋６
０を加熱することなく、基板１０の一部を酸化しやすい
高い温度まで上昇させることができる。
レーザの照射により加熱処理された基板１０の一部が、
陽極接合の際に発生されて密閉空間Ｓ内に残存する酸素
と結合して酸化するので、同空間Ｓ内に残存する酸素を
基板１０の一部に吸収させることができ、真空度の高い
密閉空間を形成することができる。特に、前記のように
加熱処理にＹＡＧレーザを用いることによりガラス蓋６
０を加熱することなく、基板１０の一部を酸化しやすい
高い温度まで上昇させることができる。
【００２８】なお、上記実施形態においては、ＹＡＧレ
ーザの照射により基板１０の一部を加熱処理していた
が、ＹＡＧレーザの代わりに、ガラス蓋６０を加熱する
ことなく基板１０の一部を酸化させることが可能な十分
高い温度に加熱できる電磁波、例えばマイクロ波を基板
１０の一部に照射して加熱処理するようにしてもよい。
この場合でも、上記実施形態と同様な効果を得ることが
できる。
ーザの照射により基板１０の一部を加熱処理していた
が、ＹＡＧレーザの代わりに、ガラス蓋６０を加熱する
ことなく基板１０の一部を酸化させることが可能な十分
高い温度に加熱できる電磁波、例えばマイクロ波を基板
１０の一部に照射して加熱処理するようにしてもよい。
この場合でも、上記実施形態と同様な効果を得ることが
できる。
【図１】 本発明に係る半導体装置の平面図である。
【図２】 図１の半導体装置の２−２線に沿った断面図
である。
である。
１０…基板、１１−１〜１１−４…梁、１２−１〜１２
−４…アンカ、１３，３２−１，３２−２，４２−１，
４２−２…パッド部、１４，３４−１，３４−２，４４
−１，４４−２…電極パッド、２０…振動子、２１…貫
通孔、２２−１〜２２−４，３３−１，３３−２，４３
−１，４３−２…電極指、３０−１，３０−２…駆動電
極部、３１−１，３１−２，４１−１，４１−２…櫛歯
状電極、４０−１，４０−２…検出電極部、５０…枠
体、６０…ガラス蓋。
−４…アンカ、１３，３２−１，３２−２，４２−１，
４２−２…パッド部、１４，３４−１，３４−２，４４
−１，４４−２…電極パッド、２０…振動子、２１…貫
通孔、２２−１〜２２−４，３３−１，３３−２，４３
−１，４３−２…電極指、３０−１，３０−２…駆動電
極部、３１−１，３１−２，４１−１，４１−２…櫛歯
状電極、４０−１，４０−２…検出電極部、５０…枠
体、６０…ガラス蓋。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F105 BB15 CC04 CD03 CD05 CD13 4E068 AA01 CG00 DA09 4M112 AA02 BA07 CA24 CA26 DA03 DA04 DA12 DA13 DA18 EA03 EA06 GA01
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板にガラス蓋を陽極接合して
同シリコン基板と同ガラス蓋との間にほぼ真空な密閉空
間を形成する半導体装置の製造方法において、前記陽極
接合後に、前記ガラス蓋の外側から前記シリコン基板の
一部を加熱処理するようにしたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記請求項１に記載の加熱処理として、
ＹＡＧレーザを前記シリコン基板の一部に照射する処理
を採用したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302658A JP2000133815A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302658A JP2000133815A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133815A true JP2000133815A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17911638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302658A Pending JP2000133815A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012187664A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| CN103363975A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 精工爱普生株式会社 | 振动装置以及振动装置的制造方法 |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP10302658A patent/JP2000133815A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012187664A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| CN103363975A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 精工爱普生株式会社 | 振动装置以及振动装置的制造方法 |
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