JP2000124437A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
提供する。 【解決手段】 画素内部の埋め込みフォトダイオードが
半導体基板表面の凸型構造領域に形成され、あるいは画
素内部の転送ゲート構造が半導体基板表面の凹型構造領
域に形成されている。
Description
の単位画素構造に係わるものであり、低雑音であり高感
度な増幅型固体撮像装置を提供するものである。
電荷蓄積部の電位を変調し、その電位により画素内部の
増幅トランジスタを変調することで画素内部に増幅機能
を持たせた固体撮像装置は増幅型固体撮像装置と呼ば
れ、低電圧単一電源動作が可能であるとともに、チップ
上に駆動回路を始めとするロジック回路を搭載可能であ
ることから、今後の固体撮像装置の主流素子として期待
されている。
成は、光電変換のためのフォトダイオードとこのフォト
ダイオードの電圧を初期化するためのリセットトランジ
スタ、増幅のためのトランジスタ、ライン選択のための
トランジスタあるいは容量結合、そしてフォトダイオー
ドと増幅トランジスタゲートとを接続する配線である。
する場合にはフォトダイオードとは異なる領域に蓄積ダ
イオードを設け、フォトダイオードと蓄積ダイオードと
の間には転送ゲートを設ける。
型固体撮像装置に、低雑音なフォトダイオード構造であ
る埋め込み型フォトダイオード構造を増幅型固体撮像装
置に適用した場合は、埋め込みフォトダイオード本来の
低雑音特性を得ることができないという課題があった。
Dにおいては、フォトダイオードの信号電荷を読み出す
際に、転送ゲートに10ボルト以上の比較的高い電圧を
印加するために、転送チャネルは上記のフォトダイオー
ド内部の電荷を完全に読み出すことで、フォトダイオー
ド内部を完全空乏化することが可能であったが、低電圧
・単一電源駆動を特長とする増幅型固体撮像装置におい
ては、転送ゲートに印加する電圧がたとえば3.3ボル
トと低電圧であるために、単純に埋め込み型フォトダイ
オード構造を導入してしまうと、上記のフォトダイオー
ド内部の電荷を完全に読み出すことが不可能となってし
まい、この不完全な読み出しのためにフォトダイオード
は完全空乏化できず、その結果として、フォトダイオー
ドの信号電荷をリセットする際のポテンシャルの揺らぎ
に起因する熱雑音を除去することができないという課題
が発生してしまう。
考えた場合に、動作電圧を上記の3.3ボルト単一電源
からたとえば1.5ボルト単一電源に低電圧化すること
を考えた場合には、完全空乏化も完全転送動作も不可能
となってしまう。
なフォトダイオード構造である埋め込み型フォトダイオ
ード構造を低電圧駆動の増幅型固体撮像装置に適用した
場合においても、完全空乏化した埋め込みフォトダイオ
ード内部のポテンシャル底部が転送トランジスタのチャ
ネル領域と同程度の深さに形成されるので、増幅型固体
撮像装置の特長である低電圧駆動においても、フォトダ
イオードを完全空乏化・完全転送動作することが可能と
なり、したがってフォトダイオードのリセット時の熱雑
音であるリセット雑音を除去することが可能であり、そ
の結果として、低雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を
得ることができる。
め込みフォトダイオード内部のポテンシャル底部が転送
トランジスタのチャネル領域と同程度の深さに形成され
るのみならず、この転送トランジスタのチャネル領域と
同程度の深さにおける蓄積ダイオードポテンシャルが蓄
積ダイオードの表面ポテンシャルと同等となるので、増
幅型固体撮像装置の特長である低駆動電圧をさらに低電
圧化した場合においても、フォトダイオードを完全空乏
化すると同時に完全転送することが可能となり、したが
ってフォトダイオードのリセット時の熱雑音であるリセ
ット雑音を除去することが可能であり、その結果とし
て、低雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることが
できる。
イオードに隣接配置される転送トランジスタのチャネル
領域の表面近傍に半導体基板と同一の導電型の不純物で
あり、半導体基板における不純物濃度よりも高濃度の不
純物領域が形成されているので、転送トランジスタのチ
ャネル領域においてもSi−SiO2界面において発生
する雑音電流はフォトダイオードには蓄積されずフォト
ダイオード表面近傍の高濃度不純物層と再結合するか、
あるいは蓄積ダイオード側に排出されるので、さらに低
雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることができ
る。
域においても、転送トランジスタのチャネル領域と同程
度の深さにおけるポテンシャルが表面ポテンシャルと同
程度に形成されるので、さらに低電圧駆動をする場合に
おいても、フォトダイオードを完全空乏化・完全転送動
作することが可能となり、したがってフォトダイオード
のリセット時の熱雑音であるリセット雑音を除去するこ
とが可能であり、その結果として、超低電駆動が可能な
低雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることができ
る。
ド構造である埋め込み型フォトダイオード構造を低電圧
駆動の増幅型固体撮像装置に適用した場合においても、
完全空乏化した埋め込みフォトダイオード内部のポテン
シャル底部が転送トランジスタのチャネル領域と同程度
の深さに形成されるので、増幅型固体撮像装置の特長で
ある低電圧駆動においても、フォトダイオードを完全空
乏化・完全転送動作することが可能となり、したがって
フォトダイオードのリセット時の熱雑音であるリセット
雑音を除去することが可能であり、その結果として、低
雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることができ
る。
め込みフォトダイオード内部のポテンシャル底部が転送
トランジスタのチャネル領域と同程度の深さに形成され
るのみならず、この転送トランジスタのチャネル領域と
同程度の深さにおける蓄積ダイオードポテンシャルが蓄
積ダイオードの表面ポテンシャルと同等となるので、増
幅型固体撮像装置の特長である低駆動電圧をさらに低電
圧化した場合においても、フォトダイオードを完全空乏
化すると同時に完全転送することが可能となり、したが
ってフォトダイオードのリセット時の熱雑音であるリセ
ット雑音を除去することが可能であり、その結果とし
て、低雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることが
できる。
イオードに隣接配置される転送トランジスタのチャネル
領域の表面近傍に半導体基板と同一の導電型の不純物で
あり、半導体基板における不純物濃度よりも高濃度の不
純物領域が形成されているので、転送トランジスタのチ
ャネル領域においてもSi−SiO2界面において発生
する雑音電流はフォトダイオードには蓄積されずフォト
ダイオード表面近傍の高濃度不純物層と再結合するか、
あるいは蓄積ダイオード側に排出されるので、さらに低
雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることができ
る。
域においても、転送トランジスタのチャネル領域と同程
度の深さにおけるポテンシャルが表面ポテンシャルと同
程度に形成されるので、さらに低電圧駆動をする場合に
おいても、フォトダイオードを完全空乏化・完全転送動
作することが可能となり、したがってフォトダイオード
のリセット時の熱雑音であるリセット雑音を除去するこ
とが可能であり、その結果として、超低電駆動が可能な
低雑音・高感度の増幅型固体撮像装置を得ることができ
る。
例を用いて説明する。
型固体撮像装置の単位画素構造を説明するための断面構
造図であり、本発明の骨子となるフォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードを含む領域の断
面構造を示している。図1に示した構造以外について
は、従来の増幅型固体撮像装置と同様であるので省略す
る。
示すように、p型半導体基板1の表面に凸部が形成され
ており、この凸領域に埋め込みフォトダイオードを形成
するためのn型不純物領域4、p+型不純物領域が形成
されている。
とえば素子分離のための酸化膜形成に先立ち、p型半導
体基板1にRIE(Reactive Ion Etc
hing)等の異方性エッチングを行うことで形成でき
る。
程の後であっても、転送トランジスタのゲート構造形成
工程の前までの適当な工程においてp型半導体基板1に
RIE(Reactive Ion Etching)
等の異方性エッチングを行うことでも形成可能である。
する。
ダイオード・トランジスタ動作のための領域がたとえば
pウェル構造等のp型領域であれば、n型半導体基板と
することもできる。
の不純物層は、たとえばn型不純物領域4は燐のイオン
注入で、p型不純物領域3は硼素のイオン注入で、各々
形成できる。
れた信号電荷は、フォトダイオード内部に蓄積されたの
ちフォトダイオードに隣接して形成される転送ゲート3
を介して、蓄積ダイオードに転送・蓄積される。
熱酸化したのちにCVD等によりゲート電極としてたと
えばポリシリコン等を堆積し、さらにフォトリソグラフ
ィーとRIE等のエッチングとを組み合わせることで図
1に示す形状に加工・形成することができる。
物領域6は、たとえば燐のイオン注入により形成するこ
とができる。
には、コンタクトホールを介してアルミニウム等の金属
配線7が接続されている。この金属配線7は、単位画素
内部の増幅トランジスタのゲート電極(不図示)に接続
され、したがって、増幅トランジスタのゲート電極に印
加されるゲート電圧は、蓄積ダイオードに蓄積された信
号電荷量により変調される。
積ダイオードに隣接して設けられたリセットゲート(不
図示)を介してリセットドレイン(不図示)に排出され
る。これらの、増幅トランジスタ構造、およびリセット
トランジスタ構造については、従来の増幅型固体撮像装
置と同様であり、通常のMOS工程により形成可能な一
般的構造であるので、その構造および形成の方法に関す
る説明を省略する。
の不純物濃度プロファイルを図3に示す。
高濃度に添加されたp+層が形成され、それよりやや深
い領域には燐が添加されたn層が形成され、さらに深い
領域はp型半導体基板となる。このとき、フォトダイオ
ードには2種類のpn接合が深さJ1、J2に形成され
る。また、n型不純物層における燐濃度が最大となる部
分の深さをPとする。
め込み型フォトダイオードのn型不純物層を完全空乏化
させた時の、フォトダイオード内部のポテンシャルプロ
ファイルは図4のようになる。そのとき、表面近傍に形
成されたp+型不純物層が高濃度であるために、表面側
の空乏層は半導体表面に到達せず、半導体/酸化膜界面
の界面準位の影響を排除することが可能となる。
全空乏化の状態で動作させることで、フォトダイオード
から蓄積ダイオードへの信号電荷の転送において、フォ
トダイオードの最大ポテンシャルφPDを一定として、
転送ゲート下のポテンシャルをφPDより高く設定する
ことにより、電荷転送時に発生するポテンシャルの揺ら
ぎに起因する熱雑音を排除することも可能となる。
の埋め込みフォトダイオードを完全空乏化の状態で動作
させることが困難であった。それは、低電圧駆動を特長
とする増幅型固体撮像装置にいては転送ゲート下のポテ
ンシャルを十分に高くできないことが理由である。
転送ゲート下のポテンシャルプロファイル(A)と埋め
込みフォトダイオードのポテンシャルプロファイル
(B)は、概ね図6のようになる。図の理解を助けるた
めに、図6には転送ゲート下の不純物層構造と、フォト
ダイオードの不純物層構造をフォトダイオード表面を基
準として併記した。
導体基板表面で最大値φSを示し、半導体基板内部に向
けて単調に減少する。ここで、φS>φPDを得ること
は容易であるが、図4に示すようにφPDは、深さbに
形成されているために、図6に示されるように2種類の
ポテンシャルプロファイル(A)(B)の交点で信号電
荷の転送が行われてしまい、その結果として埋め込みフ
ォトダイオードには残留電荷Qが残留する。この残留電
荷の存在により埋め込みフォトダイオードの特長である
完全空乏化での動作が行われず、したがって、転送時の
熱雑音が残留してしまう。
トダイオードが半導体基板の凸部に形成されているため
に、低電圧動作の増幅型固体撮像装置においても、埋め
込みフォトダイオードの完全空乏化動作が可能となる。
シャルプロファイル(A)と埋め込みフォトダイオード
のポテンシャルプロファイル(B)は、概ね図5のよう
になる。図の理解を助けるために、図5にも転送ゲート
下の不純物層構造と、フォトダイオードの不純物層構造
をフォトダイオード表面を基準として併記した。
ドを凸部に形成することで、完全空乏化した埋め込みフ
ォトダイオードの最大ポテンシャルφPDの深さbは、
半導体基板表面の凹凸部段差Sの存在により、転送ゲー
ト下のポテンシャルが最大となる深さに近く移動され
る。図5においては、図6の従来構造と同様に、最大ポ
テンシャルがφSとなるようなゲート電圧を印加してい
るにもかかわらず、半導体基板内部に存在するφPDか
ら電荷の転送が完全に行われ、埋め込みフォトダイオー
ドが完全空乏化していることがわかる。
の増幅型固体撮像装置においても埋め込みフォトダイオ
ードを完全空乏化状態で動作可能であり、不完全な電荷
転送に伴う熱雑音の発生は排除される。その結果とし
て、高感度で低雑音な増幅型固体撮像装置を得ることが
できる。
て説明する。
型固体撮像装置の単位画素構造を説明するための断面構
造図であり、本発明の骨子となるフォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードを含む領域の断
面構造を示している。図2に示した構造以外について
は、従来の増幅型固体撮像装置と同様であるので省略す
る。
示すように、p型半導体基板1の表面に凹部が形成され
ており、この凹領域に転送ゲートを形成するためのゲー
ト電極3が形成されている。
とえば素子分離のための酸化膜形成に先立ち、p型半導
体基板1にRIE(Reactive Ion Etc
hing)等の異方性エッチングを行うことで形成でき
る。
する。
ダイオード・トランジスタ動作のための領域がたとえば
pウェル構造等のp型領域であれば、n型半導体基板と
することもできる。
の不純物層は、たとえばn型不純物領域4は燐のイオン
注入で、p型不純物領域3は硼素のイオン注入で、各々
形成できる。
れた信号電荷は、フォトダイオード内部に蓄積されたの
ちフォトダイオードに隣接して形成される転送ゲート3
を介して、蓄積ダイオードに転送・蓄積される。
熱酸化したのちにCVD等によりゲート電極としてたと
えばポリシリコン等を堆積し、さらにフォトリソグラフ
ィーとRIE等のエッチングとを組み合わせることで図
2に示す形状に加工・形成することができる。
物領域6は、たとえば燐のイオン注入により形成するこ
とができる。
には、コンタクトホールを介してアルミニウム等の金属
配線7が接続されている。この金属配線7は、単位画素
内部の増幅トランジスタのゲート電極(不図示)に接続
され、したがって、増幅トランジスタのゲート電極に印
加されるゲート電圧は、蓄積ダイオードに蓄積された信
号電荷量により変調される。
積ダイオードに隣接して設けられたリセットゲート(不
図示)を介してリセットドレイン(不図示)に排出され
る。これらの、増幅トランジスタ構造、およびリセット
トランジスタ構造については、従来の増幅型固体撮像装
置と同様であり、通常のMOS工程により形成可能な一
般的構造であるので、その構造および形成の方法に関す
る説明を省略する。
ダイオードの不純物プロファイル、ポテンシャルプロフ
ァイル、転送ゲート下のポテンシャルプロファイルは、
図1の構造と同様に、各々図3、図4、図5として与え
られる。したがって、第1の実施例と同様に、低電圧駆
動の増幅型固体撮像装置においても埋め込みフォトダイ
オードを完全空乏化状態で動作可能であり、不完全な電
荷転送に伴う熱雑音の発生は排除される。その結果とし
て、高感度で低雑音な増幅型固体撮像装置を得ることが
できる。
部の段差Sについては、以下のように形成することが好
ましい。
ォトダイオードの最大ポテンシャルφPDが形成される
深さbは、燐のイオン注入により形成される不純物プロ
ファイルにおいて燐濃度が最大となる深さPと概ね一致
する。これは、埋め込みフォトダイオードの表面近傍の
p+層とp型半導体基板とがいずれも同一の基板電位
(図4〜6では0)に設定されることと、イオン注入に
より形成される燐濃度が概ね対称なガウス分布で近似で
きること、そして表面近傍のp+層の深さJ1が最大ポ
テンシャルの深さbおよびn層の深さJ2と比較して十
分に浅いことを併せて考えれば、概ね妥当な近似と言え
る。
された埋め込みフォトダイオードの最大ポテンシャルφ
PDをもっとも効率よく完全転送するためには、凹凸段
差Sが最大ポテンシャル深さbと一致させれば良い。
たうえで、効率よく完全空乏化埋め込みフォトダイオー
ドを実現するための指針として、図1および図2におけ
る凹凸段差Sと、図3におけるn型層の燐濃度が最大と
なる深さPとを、概ね等しくすることが好ましいといえ
る。
における、埋め込みフォトダイオードと転送ゲートの構
造については、図7に示すようなバリエーションが考え
られる。
り、凹凸構造に伴う段差部分と転送ゲート端部にオフセ
ットを設けている。
転送ゲート端部とを一致させた構造であり、図7(c)
は、(a)とは逆方向に凹凸構造に伴う段差部分と転送
ゲート端部とのオフセットを設けている。
述のように完全空乏化埋め込みフォトダイオードの低電
圧駆動が可能であることはいうまでもないが、、図7
(a)と比較してフォトダイオードへの光入射面積を相
対的に大きくすることが可能であり、したがってさらな
る高感度化の効果もあるので好ましく、それ以外にも完
全空乏化埋め込みフォトダイオードの最大ポテンシャル
部と転送ゲート下での最大ポテンシャル部との電荷転送
方向距離が図7(a)より短縮されていることから、そ
の効果はより著しく、好ましいといえる。
て説明する。
型固体撮像装置の単位画素構造を説明するための断面構
造図であり、本発明の骨子となるフォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードを含む領域の断
面構造を示している。図8に示した構造以外について
は、従来の増幅型固体撮像装置と同様であるので省略す
る。
に示されるように、フォトダイオードに隣接する段差部
の側壁部に形成されるチャネル領域の半導体基板表面近
傍に、p型不純物からなる不純物領域101が形成され
ている。このp型不純物領域101の存在により、フォ
トダイオード内部のn型不純物領域4から転送ゲート側
壁部に向かう空乏層は、この転送ゲート側壁部のSi−
SiO2界面に到達することが防止される。
面は、フォトダイオード領域表面のSi−SiO2界面
とは異なり、界面上をゲート酸化膜および転送ゲート電
極3により保護されているために相対的にはその界面準
位密度は低い。しかしながら、低雑音特性を重要視する
場合においては必ずしもその存在を無視することが適当
とは言えない。
れば、転送ゲート側壁部のSi−SiO2界面の界面準
位に起因する雑音電流がフォトダイオードに蓄積するこ
とが無く、さらなる低雑音特性を得ることが可能とな
る。
領域101による界面準位シールド効果を十分なものと
し、十分な低雑音特性を得るためには、このp型不純物
領域101の不純物濃度(N1)を、フォトダイオード
表面に形成されるp型不純物領域5の不純物濃度(N
2)より高いか、あるいは等しく設定する、すなわち、
N1≧N2、であることがより好ましいと言える。
半導体基板表面の凹凸形状を形成加工する前に、図8に
おけるp型不純物領域101と、このp型不純物領域1
01に隣接する凹部とを跨る広い領域にp型不純物をイ
オン注入したのちに半導体基板表面の凹凸形状を加工す
ることで実現することができる。
成加工した後に、このp型不純物領域101の側壁に対
して適当な入射角を設けてp型不純物をイオン注入する
ことでも実現可能である。
説明する。
型固体撮像装置の単位画素構造を説明するための断面構
造図であり、本発明の骨子となるフォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードを含む領域の断
面構造を示している。図9に示した構造以外について
は、従来の増幅型固体撮像装置と同様であるので省略す
る。
に示されるように、フォトダイオードに隣接する段差部
の側壁部に形成されるチャネル領域の半導体基板表面近
傍に、p型不純物からなる不純物領域101が形成され
ているうえに、半導体基板表面と平行な平面において転
送ゲート3下部に形成されるチャネル領域の半導体基板
表面近傍にもp型不純物領域102が形成されている。
域101の存在による効果は前記の第3の実施例と同様
である。
の底部に形成されるチャネル領域においても、その半導
体基板表面近傍にp型不純物領域102を形成してい
る。このp型不純物領域102の存在により、フォトダ
イオード内部のn型不純物領域4から転送ゲート3底部
に向かう空乏層は、転送ゲート3底部のSi−SiO2
界面に到達することが防止される。
は、前述の転送ゲート側壁部のSi−SiO2界面と同
様に、フォトダイオード領域表面のSi−SiO2界面
とは異なり、界面上をゲート酸化膜および転送ゲート電
極3により保護されているために相対的にはその界面準
位密度は低い。しかしながら、同様に、低雑音特性を重
要視する場合においては必ずしもその存在を無視するこ
とが適当とは言えない。したがって、本実施例に示され
る構造によれば、転送ゲート3底部のSi−SiO2界
面の界面準位に起因する雑音電流がフォトダイオードに
蓄積することが無く、さらなる低雑音特性を得ることが
可能となる。
半導体基板表面の凹凸形状を形成加工した後に、このp
型不純物領域102の領域にp型不純物をイオン注入す
ることで実現可能である。
に転送ゲート3により形成されるチャネル領域につい
て、その底部と側壁部の全てのチャネル領域において、
半導体基板表面近傍にp型不純物領域(102、10
3、他の図手前側の面および図奥側の面については図示
していない)を形成することで、転送ゲート3の全チャ
ネル領域におけるSi−SiO2界面準位からの雑音電
流を遮断することが可能となるので、この構造はより好
ましいと言える。
導体基板表面の凹凸形状を形成加工した後に、p型不純
物層を堆積し熱拡散する、いわゆる固相拡散により実現
可能である。
領域4からの空乏層がSi−SiO2界面に到達しない
という条件からは、転送ゲート3底部のp型不純物領域
102が最も距離が近いためにその不純物濃度(NC
1)は比較的高濃度であることが要求されるが、逆に転
送ゲート3側壁部のp型不純物領域(図手前側・図奥側
のため図示していない)についてはその不純物濃度(N
C2)は比較的低濃度であってもその目的を達成するこ
とが可能である。すなわち、NC1>NC2においても
低雑音化は可能である。
方法として、前述の固相拡散以外の方法が適用可能とな
り、たとえば半導体基板表面の凹凸形状を形成した後
に、凹凸形状を形成加工するためのレジストマスクを用
いて自己整合的な、傾斜イオン入射の回転イオン注入法
による不純物領域形成が可能となり、その製造方法がよ
り一般的な工程により構成可能となるのでより好ましい
といえる。次に、第11図を用いて、本発明の第6の実
施例について説明する。図11は本発明の第6の実施例
に係わる増幅型固体撮像装置の単位画素構造を説明する
ための断面構造図であり、本発明の骨子となるフォトダ
イオード、転送トランジスタ、および蓄積ダイオードを
含む領域の断面構造を示している。図11に示した構造
以外については、従来の増幅型固体撮像装置と同様であ
るので省略する。
うに、フォトダイオードに隣接する段差部の側壁部に形
成されるチャネル領域の半導体基板表面近傍に、p型不
純物からなる不純物領域101が形成されているうえ
に、半導体基板表面と平行な平面において転送ゲート3
下部に形成されるチャネル領域の半導体基板表面近傍に
もp型不純物領域102が形成されており、さらに転送
ゲート3の側壁部に形成されるチャネル領域において
も、その半導体基板表面近傍にp型不純物領域103
(図手前側面と図奥側面については図示していない)を
形成している。
域表面におけるp型不純物領域(101、102図手前
側面と図奥側面については図示していない)の存在によ
る効果は前記の第4の実施例と同様である。
ドの第1のn型不純物領域6と同一の面に、この第1の
n型不純物領域6とはその不純物濃度分布が異なる第2
のn型不純物領域104を形成している。
導体基板表面近傍において不純物濃度が最大となるよう
な不純物濃度分布を有しており、一方、第2のn型不純
物領域104は、転送ゲート3底部のチャネル領域にお
ける半導体基板表面と同程度の深さにおいて不純物濃度
が最大となうような不純物濃度分布を有している。
のチャネル領域の蓄積ダイオード側端部のポテンシャル
を蓄積ダイオード表面のポテンシャルとほぼ等しくする
ことが可能となる。したがって、蓄積ダイオードの第1
のn型不純物層6に接続されている配線7のポテンシャ
ルを蓄積ダイオード領域の第1のn型不純物層6からの
空乏化に起因する電位降下の影響なく、直接転送ゲート
3底部のチャネル領域に与えることが可能となる。した
がって、本実施例によれば、更なる低電圧動作が可能と
なる。
第1のn型不純物領域6をフォトレジストレジスト等を
マスクとしてn型不純物イオン注入により形成した直後
に、同一のフォトレジストをマスクとしてイオン注入加
速度を高電圧化して再度n型不純物をイオン注入するこ
とで容易に実現可能である。
に、第1のn型不純物領域6と第2のn型不純物領域1
05の形成範囲を同一とはせず、第2のn型不純物領域
105を転送ゲート3に隣接する領域のみに形成するこ
とによっても、まったく同様の効果を得ることが可能で
ある。
域105を蓄積ダイオードに付加することに起因する、
蓄積ダイオード容量の増加を抑止可能な点でより好まし
いと言える。
は、フォトダイオードにおいて光電変換した入射光信号
電荷を信号電圧に変換する、いわゆるフローティングデ
ィフージョンアンプ構造が蓄積ダイオードにより構成さ
れているが、このフローティングディフージョンアンプ
構造における(信号電圧/信号電荷)として性能の指標
として用いられる変換ゲインは概ね蓄積ダイオード容量
に反比例するので、本実施例の構造により蓄積ダイオー
ド容量の増大を防止することが可能である。
第2のn型不純物領域105の不純物濃度分布について
は、フォトダイオードにおけるn型不純物領域4の不純
物濃度と同一であることが好ましいといえる。それは、
フォトダイオードにおける最大ポテンシャル位置、転送
ゲートチャネルにおける最大ポテンシャル位置、そして
蓄積ダイオードにおける最大ポテンシャル位置が全て同
一の深さにおける同一平面上に形成されることにより、
最も効率よく素子動作させることが可能であるからであ
り、その理由は前述のとおりである。また、そのような
構造については、たとえば転送ゲート3を加工形成した
後に、転送ゲート3に対して自己整合的に不純物イオン
注入が可能であり、容易に実現できる。
で、種々変形実施可能である。
ると同時に、低雑音であり高感度な増幅型固体撮像装置
を実現できる。
装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転送
トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説明
するための断面構造図。
装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転送
トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説明
するための断面構造図。
度の深さ方向分布を説明するための不純物濃度プロファ
イル。
おけるポテンシャルの深さ方向分布を説明するためのポ
テンシャルプロファイル。
おける転送ゲート下のポテンシャルプロファイルと、完
全空乏化した埋め込み型フォトダイオード内部のポテン
シャルプロファイル。
下のポテンシャルプロファイルと、完全空乏下した埋め
込み型フォトダイオード内部のポテンシャルプロファイ
ル。
単位画素構造における埋め込み型フォトダイオードと転
送ゲートの構造を説明する断面構造図。
装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転送
トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説明
するための断面構造図。
装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転送
トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説明
するための断面構造図。
像装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説
明するための断面構造図。
像装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説
明するための断面構造図。
像装置の単位画素構造における、フォトダイオード、転
送トランジスタ、および蓄積ダイオードの断面構造を説
明するための断面構造図。
おける、フォトダイオード、転送トランジスタ、および
蓄積ダイオードの断面構造を説明するための断面構造
図。
域
Claims (11)
- 【請求項1】 半導体基板上に複数の単位画素を2次元
配置してなり、 各々の単位画素に、光電変換のためのフォトダイオード
と、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積する蓄
積ダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷
を蓄積ダイオードに転送するための転送トランジスタ
と、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷をリセットす
るリセットトランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積され
た信号電荷により変調される増幅トランジスタと、増幅
トランジスタからの信号電圧を読み出す信号読み出し部
とが設けられた増幅型固体撮像装置であって、 前記フォトダイオードは、第1導電型の半導体基板ある
いは第1導電型の不純物ウェル構造と、該半導体基板表
面近傍の半導体基板内部に形成された第1導電型の反対
導電型の第2導電型の不純物領域とにより構成される第
1のPN接合と、該半導体基板表面近傍に形成された第
1導電型の不純物領域と、前記半導体基板表面付近の半
導体基板内部に形成された第2導電型の不純物領域とに
より構成される第2のPN接合とにより構成されてお
り、 前記単位画素を2次元配置した領域には、半導体基板の
表面に画素配列と同じ配列の凹凸形状が形成されてお
り、単位画素を構成する構造のうち少なくとも前記フォ
トダイオードが半導体表面に凸形状が形成されている半
導体基板内部に形成されていることを特徴とする増幅型
固体撮像装置。 - 【請求項2】 半導体基板上に複数の単位画素を2次元
配置してなり、 各々の単位画素に、光電変換のためのフォトダイオード
と、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積する蓄
積ダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷
を蓄積ダイオードに転送するための転送トランジスタ
と、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷をリセットす
るリセットトランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積され
た信号電荷により変調される増幅トランジスタと、増幅
トランジスタからの信号電圧を読み出す信号読み出し部
とが設けられた増幅型固体撮像装置であって、 前記フォトダイオードは、第1導電型の半導体基板ある
いは第1導電型の不純物ウェル構造と、該半導体基板表
面近傍の半導体基板内部に形成された第1導電型の反対
導電型の第2導電型の不純物領域とにより構成される第
1のPN接合と、該半導体基板表面近傍に形成された第
1導電型の不純物領域と、前記半導体基板表面付近の半
導体基板内部に形成された第2導電型の不純物領域とに
より構成される第2のPN接合とにより構成されてお
り、 前記単位画素を2次元配置した領域には、半導体基板の
表面に画素配列と同じ配列の凹凸形状が形成されてお
り、単位画素を構成する構造のうち少なくとも前記転送
トランジスタのゲート構造が半導体表面に凹形状が形成
されている半導体基板領域に形成されていることを特徴
とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項3】 前記単位画素を2次元配置した領域に形
成された凹凸形状の段差が、前記半導体基板表面近傍の
半導体基板内部に形成された第2導電型の不純物領域に
おける第2導電型不純物濃度の深さ方向の濃度分布が最
大となるフォトダイオード表面からの深さとほぼ等しい
ことを特徴とする請求項1、2記載の増幅型固体撮像装
置。 - 【請求項4】 前記単位画素を2次元配置した領域に形
成された凹凸形状の段差部に形成される前記転送トラン
ジスタのチャネル領域のうち、すくなくとも前記フォト
ダイオードに隣接して前記段差部の側壁部に形成される
チャネル領域の半導体基板表面近傍に、前記第1導電型
の不純物からなる不純物層が形成されていることを特徴
とする請求項1〜3記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項5】 前記フォトダイオードに隣接して前記段
差部の側壁部に形成されるチャネル領域の半導体基板表
面近傍に、前記第1導電型の不純物からなる不純物層に
おける不純物濃度(N1)が、前記フォトダイオードの
表面近傍に形成される前記第1導電型の不純物からなる
不純物層の不純物濃度(N2)と等しいか、あるいはそ
れよりも高濃度である、すなわち、N1≧N2、である
ことを特徴とする請求項4記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項6】 前記転送トランジスタのチャネル領域に
おいて、前記半導体基板表面に平行な面に形成されるチ
ャネル領域の半導体基板表面近傍には、前記第1導電型
の不純物からなる不純物領域が形成されていることを特
徴とする請求項4、5記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項7】 前記転送トランジスタのチャネル領域に
おいて、前記半導体基板表面に直交する面に形成される
チャネル領域の半導体基板表面近傍には、前記第1導電
型の不純物からなる不純物領域が形成されていることを
特徴とする請求項4〜6記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項8】 前記転送トランジスタのチャネル領域に
おいて、前記半導体基板表面に平行な面に形成されるチ
ャネル領域の半導体基板表面近傍に形成される前記第1
導電型の不純物からなる第1のチャネル不純物領域の不
純物濃度(NC1)が、前記転送トランジスタのチャネ
ル領域において、前記半導体基板表面に直交する面に形
成される前記第1導電型の不純物からなる第2のチャネ
ル不純物領域の不純物濃度(NC2)よりも高いことを
特徴とする請求項7記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項9】 前記蓄積ダイオードは、少なくとも前記
半導体基板表面近傍において不純物濃度が最大となるよ
うな不純物濃度分布を有する前記第2導電型不純物から
なる第1の不純物層と、前記半導体基板表面に画素配列
と同じ配列で形成された凹凸形状の段差と同程度の深さ
において不純物濃度が最大となるような不純物濃度分布
を有する前記第2導電型不純物からなる第2の不純物層
とからなることを特徴とする請求項2〜8記載の増幅型
固体撮像装置。 - 【請求項10】 前記蓄積ダイオードを構成する前記第
2の不純物層は、該蓄積ダイオードと前記転送トランジ
スタとの境界領域近傍にのみ形成されていることを特徴
とする請求項9記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項11】 前記蓄積ダイオードを構成する前記第
2の不純物層は、前記フォトダイオードを構成する前記
第2導電型不純物からなる不純物層と同一の不純物濃度
分布を有することを特徴とする請求項9、10記載の増
幅型固体撮像装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066537A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置及びその製造方法 |
JP2006121093A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法 |
JP2011108839A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
JP2013069846A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
WO2013094430A1 (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
US8872953B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device |
US9257473B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
WO2024111280A1 (ja) * | 2022-11-25 | 2024-05-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置および電子機器 |
-
1998
- 1998-10-19 JP JP29671898A patent/JP3469105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066537A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置及びその製造方法 |
JP2006121093A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法 |
US8872953B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device |
JP2011108839A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
US8829578B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
JP2013069846A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US10044962B2 (en) | 2011-12-19 | 2018-08-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
CN103959468A (zh) * | 2011-12-19 | 2014-07-30 | 索尼公司 | 固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备 |
US9363451B2 (en) | 2011-12-19 | 2016-06-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9762832B2 (en) | 2011-12-19 | 2017-09-12 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9912891B2 (en) | 2011-12-19 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
WO2013094430A1 (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
US10645321B2 (en) | 2011-12-19 | 2020-05-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
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US11729530B2 (en) | 2011-12-19 | 2023-08-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
US9257473B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
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