JP2000124388A - 単一のリ―ドフレ―ムパッケ―ジにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法 - Google Patents

単一のリ―ドフレ―ムパッケ―ジにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法

Info

Publication number
JP2000124388A
JP2000124388A JP11338800A JP33880099A JP2000124388A JP 2000124388 A JP2000124388 A JP 2000124388A JP 11338800 A JP11338800 A JP 11338800A JP 33880099 A JP33880099 A JP 33880099A JP 2000124388 A JP2000124388 A JP 2000124388A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
integrated circuit
semiconductor chip
circuit semiconductor
coil structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11338800A
Other languages
English (en)
Inventor
Lee Furey
フレイ リー
Joseph Fernandez
フェルナンデス ジョセフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microchip Technology Inc
Original Assignee
Microchip Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Microchip Technology Inc filed Critical Microchip Technology Inc
Publication of JP2000124388A publication Critical patent/JP2000124388A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/645Inductive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/16Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
    • H01Q9/26Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole with folded element or elements, the folded parts being spaced apart a small fraction of operating wavelength
    • H01Q9/27Spiral antennas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Abstract

(57)【要約】 【課題】 改良型リードフレームパッケージおよび方法
を提供する。 【解決手段】 単一のパッケージと、単一のパッケージ
内に配置され、コイル構造を有し、1水平面内に配置さ
れたリードフレームと、単一のパッケージ内に配置され
リードフレームに接続される集積回路半導体チップであ
って、リードフレームのコイル構造の少なくとも一部に
電気的に接続される少なくとも1つの端子パッドを有す
る集積回路半導体チップと、を組み合わせて備えた、単
一のリードフレームパッケージ内に組み合わされた誘導
コイルおよび集積回路半導体チップを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、概して、半導体素
子と共に受動素子を使用すること、およびそのための方
法に関し、より詳細には、単一のリードフレームパッケ
ージにおける誘導コイルおよび集積回路半導体チップの
組み合わせと、そのための方法とに関する。
【従来の技術】従来、インダクタ、コンデンサ、および
抵抗などの受動素子は、電子回路および/または電子シ
ステムを製造するために、プリント回路基板上のダイオ
ードおよびトランジスタなどの能動素子と組み合わせら
れてきた。技術が発達するにつれて、バイポーラおよび
MOS(またはユニポーラ)素子などの様々なタイプの
能動素子が、単一の半導体チップに集積されるようにな
った。これらの能動素子および抵抗およびコンデンサな
どの受動素子の単一の半導体チップへの集積は、集積回
路半導体チップとして知られるようになった単一の半導
体チップにおける電気回路の形成につながった。このよ
うな集積回路半導体チップの実装は非常に重要なものと
なった。その結果、集積回路半導体チップのメーカー
が、安価および確実に集積回路半導体チップを実装する
ための方法を探究した。初期の実装技術の1つは、通
常、セラミックパッケージのセラミック基板表面上のコ
ンデンサおよび抵抗などの受動素子を有する集積回路半
導体チップを組み込むハイブリッドパッケージを提供す
ることであった。セラミックパッケージは、金属ピンを
有しており、電子回路または電子システムを提供するた
めに相互接続された多数のそのようなセラミックパッケ
ージを備えたプリント回路基板における孔を介してセラ
ミックパッケージが挿入されることが可能となる。セラ
ミックパッケージは、非常に高価で、その結果、複数の
セラミックパッケージを用いたプリント回路基板のコス
トがより高くなった。製造コストを大幅に減らす目的
で、リードフレームパッケージが、集積回路半導体チッ
プを保護的に収容するために開発された。リードフレー
ムパッケージは、一般的に、集積回路半導体チップをそ
の一部上に有する金属リードフレーム部材から成る。ワ
イヤボンディング技術が、集積回路半導体チップの端子
部分またはパッドをリードフレーム構造体のフィンガに
電気的に接続するために使用された。次に、ワイヤボン
ド接続されたリードフレーム構造体上の集積回路半導体
チップが、プラスチックで封止され、それによってプラ
スチック封止リードフレームパッケージが提供された。
製造コストの観点から、プラスチック封止リードフレー
ムパッケージは、例えばセラミックタイプのパッケージ
と比較して非常に安価であった。
【発明が解決しようとする課題】製造が比較的安価で、
リードフレーム製造技術の利点を利用する電子タイプの
製品を開発する必要性があった。具体的には、入手可能
なリードフレーム製品によって提供されなかった機能を
果たし得る改良型リードフレームタイプの製品に対する
必要性があった。従って、本発明の目的は、改良型リー
ドフレームパッケージおよび方法を提供することであ
る。本発明のさらなる目的は、改良型リードフレームパ
ッケージと、集積回路半導体チップおよび受動素子を単
一のリードフレームパッケージにおいて結合させる方法
とを提供することである。本発明の別の目的は、改良型
リードフレームパッケージと、集積回路半導体チップお
よびインダクタを単一のリードフレームパッケージにお
いて結合させる方法とを提供することである。本発明の
またさらなる目的は、改良型リードフレームパッケージ
と、集積回路半導体チップが送信器である場合に、集積
回路半導体チップおよび誘導コイルを単一のリードフレ
ームパッケージにおいて結合させる方法とを提供するこ
とである。本発明の別の目的は、改良型リードフレーム
パッケージと、集積回路半導体チップが受信器であり、
誘導コイルが受信器のアンテナである場合に、集積回路
半導体チップおよび誘導コイルを単一のリードフレーム
パッケージにおいて結合させる方法とを提供することで
ある。
【課題を解決するための手段】本発明のある実施形態に
よれば、誘導コイルおよび集積回路半導体チップの組み
合わせが単一のリードフレームパッケージ内に設けら
れ、この単一のリードフレームパッケージは、単一のパ
ッケージと、単一のパッケージ中に配置され、且つコイ
ル構造を有するリードフレームであって、ある水平面に
配置されるリードフレームと、単一のパッケージ内に配
置され、リードフレームに接続され、リードフレームの
コイル構造の少なくとも1部分に電気的に接続された少
なくとも1つの端子パッドを有する集積回路半導体チッ
プとを組み合わせを備える。好適には、集積回路半導体
チップは、少なくとも2つの端子パッドを有し、集積回
路半導体チップの2つの端子パッドの1つは、リードフ
レームのコイル構造の一方の端部に電気的に接続され、
集積回路半導体チップの2つの端子パッドの他方が、リ
ードフレームのコイル構造の他方の端部に電気的に接続
される。本発明の別の実施形態によれば、誘導コイルお
よび集積回路半導体チップを単一のリードフレームパッ
ケージ内で結合させる方法が提供され、この方法は、単
一のパッケージを設けるステップと、単一のパッケージ
内に配置され、コイル構造を有し、ある水平面に配置さ
れるリードフレームを設けるステップと、単一のパッケ
ージ中に配置され、リードフレームに接続され、リード
フレームのコイル構造の少なくとも1部分に電気的に接
続された少なくとも1つの端子パッドを有する集積回路
半導体チップを設けるステップとを備える。本発明によ
れば、誘導コイルおよび集積回路半導体チップが単一の
リードフレームパッケージ内に組み合わせられる。好ま
しくは、リードフレームは銅合金製であり、平坦な構成
を有する。チップは誘導コイルの端部に電気的に接続さ
れ、これにより、誘導コイルがチップのアンテナとして
機能することを可能にしている。本発明による単一のリ
ードフレームパッケージ内に組み合わされた誘導コイル
および集積回路半導体チップは、単一のパッケージと、
該単一のパッケージ内に配置され、コイル構造を有し、
1水平面内に配置されたリードフレームと、該単一のパ
ッケージ内に配置され、該リードフレームに接続される
集積回路半導体チップであって、該リードフレームの該
コイル構造の少なくとも一部に電気的に接続される少な
くとも1つの端子パッドを有する集積回路半導体チップ
とを組み合わせて備えており、そのことにより上記目的
が達成される。前記集積回路半導体チップは少なくとも
2つの端子パッドを有し、該集積回路半導体チップの該
2つの端子パッドの一方は前記リードフレームの前記コ
イル構造の一方の端部に電気的に接続され、該集積回路
半導体チップの該2つの端子パッドの他方は、該リード
フレームの該コイル構造の他方の端部に電気的に接続さ
れていてもよい。前記集積回路半導体チップの前記2つ
の端子パッドの両方が該集積回路半導体チップの上面に
配置され、該集積回路半導体チップの下面部分は前記リ
ードフレームの一部に接続されていてもよい。前記単一
のパッケージはプラスチック封止された単一のパッケー
ジであってもよい。前記リードフレームの前記コイル構
造は実質的に平坦なコイル構造であってもよい。前記リ
ードフレームの前記コイル構造は銅合金製のコイルであ
ってもよい。前記銅合金はCDA/94銅合金であって
もよい。前記銅コイルは2つの端部を有し、該2つの端
部はそれぞれ銀充填先端部分(silver filled tip porti
ons)を有していてもよい。前記銀充填先端部分は、前記
銅コイルの前記2つの端部部分のそれぞれに銀メッキし
たスポット銀メッキ先端部分(spot silver plated tip
portions)であってもよい。前記リードフレームの前記
コイル構造は実質的に平坦なコイル構造であり、該リー
ドフレームの該コイル構造は銅合金製のコイルであり、
該銅コイルは2つの端部を有し、該2つの端部はそれぞ
れ銀充填先端部分を有し、前記集積回路半導体チップの
前記2つの端子パッドの一方は該銅コイルの該2つの端
部の一方に配置された該銀充填先端部分の1つに電気的
に接続され、前記集積回路半導体チップの前記2つの端
子パッドの他方は該銅コイルの該2つの端部の他方に配
置された銀充填先端部分の1つに電気的に接続されてい
てもよい。前記集積回路半導体チップは送信器であり、
前記リードフレームの前記コイル構造は該送信器の送信
アンテナであってもよい。前記集積回路半導体チップは
受信器であり、前記リードフレームの前記コイル構造は
該受信器の受信アンテナであってもよい。前記集積回路
半導体チップは、前記リードフレームの前記コイル構造
の実質的にコーナ領域の上に配置されていてもよい。前
記集積回路半導体チップは、前記リードフレームの前記
コイル構造の1つのサイド部(side portion)の近傍に配
置されていてもよい。前記集積回路半導体チップは少な
くとも2つの端子パッドを有し、該2つの端子パッドの
一方は前記リードフレームの前記コイル構造の一方の端
部に電気的に接続され、該2つの端子パッドの他方は前
記リードフレームの前記コイル構造の他方の端部に電気
的に接続されていてもよい。前記リードフレームの前記
コイル構造の前記一方の端部は前記集積回路半導体チッ
プの1つのサイドの近傍に配置され、該リードフレーム
の該コイル構造の前記他方の端部は該集積回路半導体チ
ップの別の1つのサイドの近傍に配置されていてもよ
い。前記集積回路半導体チップは少なくとも2つの端子
パッドを有し、該2つの端子パッドの一方は前記リード
フレームの前記コイル構造の一方の端部に電気的に接続
され、該2つの端子パッドの他方は該リードフレームの
該コイル構造の他方の端部に電気的に接続され、該リー
ドフレームの該コイル構造の該一方の端部は、該集積回
路半導体チップから間隔を空けた該リードフレームの該
コイル構造の中心部分に配置され、該リードフレームの
該コイル構造の該他方の端部は該集積回路半導体チップ
の1つのサイド部の近傍に配置されていてもよい。前記
集積回路半導体チップは、実質的に矩形の構成を有する
前記リードフレームの一部に配置され、且つ該リードフ
レームの該一部に取り付けられており、該リードフレー
ムの前記コイル構造の前記他方の端部から間隔を空けら
れていてもよい。前記リードフレームの前記コイル構造
の前記一方の端部は該リードフレームの該コイル構造の
中心部分に配置され、該リードフレームの該コイル構造
の該他方の端部は、前記集積回路半導体チップの下側を
通って延びていてもよい。前記集積回路半導体チップ
は、前記リードフレームの前記コイル構造の前記コーナ
領域から絶縁され、且つ該コーナ領域に取り付けられて
いてもよい。本発明による単一のリードフレームパッケ
ージ内に誘導コイルおよび集積回路半導体チップを組み
合わせる方法は、単一のパッケージを提供するステップ
と、該単一のパッケージ内に配置され、コイル構造を有
するリードフレームを提供するステップであって、該リ
ードフレームは1水平面内に配置されるステップと、該
単一のパッケージ内に配置され、該リードフレームに接
続される集積回路半導体チップを提供するステップであ
って、該集積回路半導体チップは、該リードフレームの
該コイル構造の少なくとも一部に電気的に接続される少
なくとも1つの端子パッドを有するステップと、を包含
しており、そのことにより上記目的が達成される。前記
集積回路半導体チップは少なくとも2つの端子パッドを
有し、該集積回路半導体チップの該2つの端子パッドの
1つは該リードフレームの該コイル構造の一方の端部に
電気的に接続され、該集積回路半導体チップの該2つの
端子パッドの他方は該リードフレームの該コイル構造の
他方の端部に電気的に接続されていてもよい。前記集積
回路半導体チップの前記2つの端子パッドの両方が該集
積回路半導体チップの上面に配置され、該集積回路半導
体チップの下面部分は前記リードフレームの一部に接続
されていてもよい。前記単一のパッケージはプラスチッ
ク封止された単一のパッケージであってもよい。前記リ
ードフレームの前記コイル構造は実質的に平坦なコイル
構造であってもよい。前記リードフレームの前記コイル
構造は銅合金製のコイルであってもよい。前記銅合金は
CDA/94銅合金であってもよい。前記銅コイルは2
つの端部を有し、該2つの端部はそれぞれ銀充填先端部
分を有していてもよい。前記銀充填先端部分は、前記銅
コイルの前記2つの端部部分のそれぞれに銀メッキした
スポット銀メッキ先端部分であってもよい。前記リード
フレームの前記コイル構造は実質的に平坦なコイル構造
であり、該リードフレームの該コイル構造は銅合金製の
コイルであり、該銅コイルは2つの端部を有し、該2つ
の端部はそれぞれ銀充填先端部分を有し、前記集積回路
半導体チップの前記2つの端子パッドの一方は該銅コイ
ルの該2つの端部の一方に配置された該銀充填先端部分
の1つに電気的に接続され、前記集積回路半導体チップ
の前記2つの端子パッドの他方は該銅コイルの該2つの
端部の他方に配置された銀充填先端部分の1つに電気的
に接続されていてもよい。前記集積回路半導体チップは
送信器であり、前記リードフレームの前記コイル構造は
該送信器の送信アンテナであってもよい。前記集積回路
半導体チップは受信器であり、前記リードフレームの前
記コイル構造は該受信器の受信アンテナであってもよ
い。前記集積回路半導体チップは、前記リードフレーム
の前記コイル構造の実質的にコーナ領域の上に配置され
ていてもよい。前記集積回路半導体チップは、前記リー
ドフレームの前記コイル構造の1つのサイド部の近傍に
配置されていてもよい。前記集積回路半導体チップは少
なくとも2つの端子パッドを有し、該2つの端子パッド
の一方は前記リードフレームの前記コイル構造の一方の
端部に電気的に接続され、該2つの端子パッドの他方は
前記リードフレームの前記コイル構造の他方の端部に電
気的に接続されていてもよい。前記リードフレームの前
記コイル構造の前記一方の端部は前記集積回路半導体チ
ップの1つのサイドの近傍に配置され、該リードフレー
ムの該コイル構造の前記他方の端部は該集積回路半導体
チップの別の1つのサイドの近傍に配置されていてもよ
い。前記集積回路半導体チップは少なくとも2つの端子
パッドを有し、該2つの端子パッドの一方は前記リード
フレームの前記コイル構造の一方の端部に電気的に接続
され、該2つの端子パッドの他方は該リードフレームの
該コイル構造の他方の端部に電気的に接続され、該リー
ドフレームの該コイル構造の該一方の端部は、該集積回
路半導体チップから間隔を空けた該リードフレームの該
コイル構造の中心部分に配置され、該リードフレームの
該コイル構造の該他方の端部は該集積回路半導体チップ
の1つのサイド部の近傍に配置されていてもよい。前記
集積回路半導体チップは、実質的に矩形の構成を有する
前記リードフレームの一部に配置され、且つ該リードフ
レームの該一部に取り付けられており、該リードフレー
ムの前記コイル構造の前記他方の端部から間隔を空けら
れていてもよい。前記リードフレームの前記コイル構造
の前記一方の端部は該リードフレームの該コイル構造の
中心部分に配置され、該リードフレームの該コイル構造
の該他方の端部は、前記集積回路半導体チップの下側を
通って延びていてもよい。前記集積回路半導体チップ
は、前記リードフレームの前記コイル構造の前記コーナ
領域から絶縁され、且つ該コーナ領域に取り付けられて
いてもよい。本発明の上記および他の目的、特徴、およ
び利点が、添付の図面に示されるような、以下の本発明
の好適な実施の形態のより詳細な説明から明らかとなる
であろう。
【発明の実施の形態】図1を参照すると、参照符号10
は概して単一のリードフレームパッケージ内の、誘導コ
イルと集積回路半導体チップとの組み合わせを示す。パ
ッケージ10は、プラスチック封止パッケージに用いら
れるタイプのプラスチック封止タイプ材料から形成され
たプラスチック封止エンベロープ12を含む。プラスチ
ック封止エンベロープ12内には、誘導コイル形状/構
造のリードフレーム構造14が収容されている。リード
フレーム構造14には、例えば3つのタイ部材16が取
り付けられており、これらは隣接する同様の構造を有す
るコイル形状リードフレーム(図示せず)のタイ部材
(図示せず)から切断されたものである。上記同様の構
造を有するコイル形状リードフレームは、例えば、数多
くのコイル形状リードフレームを同時に形成するために
用いられるメタルスタンプ動作においてスタンプされた
ものである。同時に形成された数多くのコイル形状リー
ドフレームは、後に、図1に示すような個々のコイル形
状リードフレーム部材に分割される。タイバー16は、
コイル14と、後述する同一平面内のダイパドルとを保
持する機能を有する。図1に示す実施形態において、誘
導コイル14は、好適には銅合金、例えばCDA194
として公知である銅合金などから形成される。好適に
は、誘導コイル14の銅線は幅約10ミルであり、隣接
する銅線間の隙間の幅は好適には約10ミルである。図
1の実施形態において、誘導コイル14は、好適には平
坦であり、6つのターンを有する。しかしながら、所望
であれば、望まれる電気的インダクタンスの大きさ又は
量に依存して、これより多い又は少ない数のターンが用
いられ得る。誘導コイル14の長さは、例えば、約16
0ミルである。RF誘導コイル14の動作信号は、例え
ば、13.6メガヘルツであり、範囲は約2、3インチ
〜約1メータである。ダイ取付パドルまたはパッド18
もまたリードフレームの一部であるが、誘導コイル14
の一部ではない。なぜなら、図1に示すように、パッド
18は誘導コイル14から間隔を開けられているからで
ある。図1において、パッド18は1対の垂直タイバー
型部材20と上部水平タイバー部材22とに接続されて
いる。部材20および22は、図1に示す構造に分割さ
れる前には、隣接するリードフレーム構造(図示せず)
の対応するタイバー部材(図示せず)に接続されてい
た。集積回路半導体チップ24の裏面が、例えば、適切
な接着剤によって、ダイ取付パドル18にマウントされ
接続されている。図1の実施形態において、集積回路半
導体チップ24の2つの端子パッド26および28がそ
れぞれ、誘導コイル14の外側端部30および内側端部
32に、導電性ワイヤボンド34および36により接続
されている。チップ24は、いずれのタイプの集積回路
半導体チップでもよいが、チップ24が送信器型集積回
路半導体チップである場合は、チップ24により発生す
る電気信号は、送信アンテナとして機能する誘導コイル
14により送信される。その場合、13.6メガヘルツ
のRF信号が約2インチ〜約1メータの範囲で送信され
る。チップ24が受信器型集積回路半導体チップである
場合は、チップ24は、受信アンテナとして機能する誘
導コイル14により、適切な電気信号を受信することが
できる。所望であれば、チップ24は送信器および受信
器の両方であり得、その場合、チップ24は送信器また
は受信器のいずれかとして選択的に機能することが可能
になる。図2を参照すると、図1で用いたものと同一の
参照符号が図2でも用いられ、同一の要素を示してい
る。図2に示す実施形態において、誘導コイル14は、
図1に示すように6つのターンではなく、4つのターン
を有する。ここでも、誘導コイルのターンの数は、誘導
コイル14に必要なインダクタンスの大きさまたは量な
どの特定の理由に基づいて変化され得る。さらに、図2
に示す実施形態において、集積回路半導体チップ24
は、好適には、コイル14の、端部30に隣接するコー
ナ部分上に位置する。コイル14のコーナ部分にチップ
24を接着させるために、誘電型接着剤またはエポキシ
が用いられ、コイル14はチップ24の下方に位置す
る。誘電型接着剤の使用は、チップ24の底部が、コイ
ル14の互いに隣接する部分間で短絡を引き起こすこと
を阻止する。図2に示す実施形態において、ワイヤボン
ド34は、チップ24の端子パッド26と、誘導コイル
14の端部30に位置する銀メッキ先端部38との間の
電気的接触を提供する。同様に、コイル14の端部32
の銀メッキ先端部40によっても、ワイヤボンド36が
集積回路チップ24の端子パッド28とコイル14の端
部32の銀メッキ先端部40との間の電気的接触を提供
する。銀メッキ先端部38および40は、銅製誘導コイ
ル14の銅表面の適切な部分を銀メッキすることにより
形成される。図2の実施形態はより小型であり、そのた
め、より短い導電路とより高い応答速度とを提供する。
さらに、図2の実施形態は、必要とするリードフレーム
材料の量が少なく、図1の実施形態の構造よりもコスト
が低い。図1および図2の実施形態のさらなる重要な利
点は、これら2つの実施形態のRF誘導コイル14が、
他のパッケージ用にリードフレームをスタンプする際に
用いられる材料と同一の材料により形成され得ることで
ある。図2の実施形態のさらなる重要な利点は、所望で
あれば単位領域当たりのコイルのターンを増加させるこ
とができ、図2において誘導コイル14のコイルの部分
間にまたがるワイヤボンドを実質的に排除するか又は最
低限に抑えることができる。図2に示す銀メッキ先端部
38および40は、所望であれば、図1の実施形態に用
いることができる。図1および図2の実施形態のさらな
る重要な利点は、所望であれば、図1および図2のパッ
ケージの外部に外部リードが設けられず、図1または図
2のパッケージに電気信号を供給するため及び所望であ
れば図1および図2のパッケージから電気信号を取り出
すためにアンテナ(誘導コイル14)のみが用いられ得
ることである。本発明を好適な実施形態に照らして特に
図示し説明してきたが、当業者であれば、形態および詳
細に関して上記およびその他の改変が、本発明の思想お
よび範囲から逸脱することなくなされ得ることを理解す
る。
【発明の効果】本発明によれば、コイル構造を有するリ
ードフレームと、集積回路半導体チップとが単一のリー
ドフレームパッケージ内に組み合わせられ、チップはリ
ードフレームのコイル構造の少なくとも一部に電気的に
接続される。これにより、誘導コイルがチップのアンテ
ナとして機能することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による、単一リードフレームプラスチッ
ク封止パッケージの断面図であり、プラスチック封止単
一リードフレームパッケージの一部分にマウントされた
集積回路半導体チップを示し、チップは、チップから間
隔をあけた誘導コイルの2つの端部に電気的に接続さ
れ、誘導コイルはパッケージのリードフレームの実質的
部分を含むことを示す図である。
【図2】本発明による、単一リードフレームプラスチッ
ク封止パッケージの別の実施形態の断面図であり、パッ
ケージのリードフレームの実質的部分を含む誘導コイル
のコーナ部分にマウントされた集積回路半導体チップを
示し、チップは、誘導コイルの、チップ下方に位置する
部分から電気的に絶縁されているが誘導コイルの2つの
端部とは電気的に接続されていることを示す図である。
【符号の説明】
10 単一のリードフレームパッケージ 12 プラスチック封止エンベロープ 14 リードフレーム構造 24 集積回路半導体チップ 26 端子パッド 28 端子パッド 30 外側端部 32 内側端部 34 導電性ワイヤボンド 36 導電性ワイヤボンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リー フレイ アメリカ合衆国 アリゾナ 85048,フェ ニックス, イー. ブリアーウッド ト レイル 366 (72)発明者 ジョセフ フェルナンデス アメリカ合衆国 アリゾナ 85296, ギ ルバート, イー. ベッツィー レーン 1118

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単一のリードフレームパッケージ内に誘
    導コイルおよび集積回路半導体チップを組み合わせる方
    法であって、 単一のパッケージを提供するステップと、 該単一のパッケージ内に配置され、コイル構造を有する
    リードフレームを提供するステップであって、該リード
    フレームは1水平面内に配置されるステップと、 該単一のパッケージ内に配置され、該リードフレームに
    接続される集積回路半導体チップを提供するステップで
    あって、該集積回路半導体チップは、該リードフレーム
    の該コイル構造の少なくとも一部に電気的に接続される
    少なくとも1つの端子パッドを有するステップと、を包
    含する方法。
  2. 【請求項2】 前記集積回路半導体チップは少なくとも
    2つの端子パッドを有し、該集積回路半導体チップの該
    2つの端子パッドの1つは該リードフレームの該コイル
    構造の一方の端部に電気的に接続され、該集積回路半導
    体チップの該2つの端子パッドの他方は該リードフレー
    ムの該コイル構造の他方の端部に電気的に接続されてい
    る、請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記集積回路半導体チップの前記2つの
    端子パッドの両方が該集積回路半導体チップの上面に配
    置され、該集積回路半導体チップの下面部分は前記リー
    ドフレームの一部に接続されている、請求項2に記載の
    方法。
  4. 【請求項4】 前記単一のパッケージはプラスチック封
    止された単一のパッケージである、請求項3に記載の方
    法。
  5. 【請求項5】 前記リードフレームの前記コイル構造は
    実質的に平坦なコイル構造である、請求項1に記載の方
    法。
  6. 【請求項6】 前記リードフレームの前記コイル構造は
    銅合金製のコイルである、請求項5に記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記銅合金はCDA/94銅合金であ
    る、請求項6に記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記銅コイルは2つの端部を有し、該2
    つの端部はそれぞれ銀充填先端部分を有する、請求項6
    に記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記銀充填先端部分は、前記銅コイルの
    前記2つの端部部分のそれぞれに銀メッキしたスポット
    銀メッキ先端部分である、請求項8に記載の方法。
  10. 【請求項10】 前記リードフレームの前記コイル構造
    は実質的に平坦なコイル構造であり、該リードフレーム
    の該コイル構造は銅合金製のコイルであり、該銅コイル
    は2つの端部を有し、該2つの端部はそれぞれ銀充填先
    端部分を有し、前記集積回路半導体チップの前記2つの
    端子パッドの一方は該銅コイルの該2つの端部の一方に
    配置された該銀充填先端部分の1つに電気的に接続さ
    れ、前記集積回路半導体チップの前記2つの端子パッド
    の他方は該銅コイルの該2つの端部の他方に配置された
    銀充填先端部分の1つに電気的に接続されている、請求
    項2に記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記集積回路半導体チップは送信器で
    あり、前記リードフレームの前記コイル構造は該送信器
    の送信アンテナである、請求項1に記載の方法。
  12. 【請求項12】 前記集積回路半導体チップは受信器で
    あり、前記リードフレームの前記コイル構造は該受信器
    の受信アンテナである、請求項11に記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記集積回路半導体チップは、前記リ
    ードフレームの前記コイル構造の実質的にコーナ領域の
    上に配置される、請求項1に記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記集積回路半導体チップは、前記リ
    ードフレームの前記コイル構造の1つのサイド部の近傍
    に配置される、請求項1に記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記集積回路半導体チップは少なくと
    も2つの端子パッドを有し、該2つの端子パッドの一方
    は前記リードフレームの前記コイル構造の一方の端部に
    電気的に接続され、該2つの端子パッドの他方は前記リ
    ードフレームの前記コイル構造の他方の端部に電気的に
    接続されている、請求項3に記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記リードフレームの前記コイル構造
    の前記一方の端部は前記集積回路半導体チップの1つの
    サイドの近傍に配置され、該リードフレームの該コイル
    構造の前記他方の端部は該集積回路半導体チップの別の
    1つのサイドの近傍に配置される、請求項15に記載の
    方法。
  17. 【請求項17】 前記集積回路半導体チップは少なくと
    も2つの端子パッドを有し、該2つの端子パッドの一方
    は前記リードフレームの前記コイル構造の一方の端部に
    電気的に接続され、該2つの端子パッドの他方は該リー
    ドフレームの該コイル構造の他方の端部に電気的に接続
    され、該リードフレームの該コイル構造の該一方の端部
    は、該集積回路半導体チップから間隔を空けた該リード
    フレームの該コイル構造の中心部分に配置され、該リー
    ドフレームの該コイル構造の該他方の端部は該集積回路
    半導体チップの1つのサイド部の近傍に配置される、請
    求項14に記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記集積回路半導体チップは、実質的
    に矩形の構成を有する前記リードフレームの一部に配置
    され、且つ該リードフレームの該一部に取り付けられて
    おり、該リードフレームの前記コイル構造の前記他方の
    端部から間隔を空けられている、請求項17に記載の方
    法。
  19. 【請求項19】 前記リードフレームの前記コイル構造
    の前記一方の端部は該リードフレームの該コイル構造の
    中心部分に配置され、該リードフレームの該コイル構造
    の該他方の端部は、前記集積回路半導体チップの下側を
    通って延びている、請求項15に記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記集積回路半導体チップは、前記リ
    ードフレームの前記コイル構造の前記コーナ領域から絶
    縁され、且つ該コーナ領域に取り付けられている、請求
    項19に記載の方法。
JP11338800A 1997-09-15 1999-11-29 単一のリ―ドフレ―ムパッケ―ジにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法 Withdrawn JP2000124388A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/929.579 1997-09-15
US08/929,579 US5909050A (en) 1997-09-15 1997-09-15 Combination inductive coil and integrated circuit semiconductor chip in a single lead frame package and method therefor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10262149A Division JPH11154727A (ja) 1997-09-15 1998-09-16 単一のリードフレームパッケージにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000124388A true JP2000124388A (ja) 2000-04-28

Family

ID=25458090

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10262149A Pending JPH11154727A (ja) 1997-09-15 1998-09-16 単一のリードフレームパッケージにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法
JP11338800A Withdrawn JP2000124388A (ja) 1997-09-15 1999-11-29 単一のリ―ドフレ―ムパッケ―ジにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10262149A Pending JPH11154727A (ja) 1997-09-15 1998-09-16 単一のリードフレームパッケージにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5909050A (ja)
EP (1) EP0902472A3 (ja)
JP (2) JPH11154727A (ja)
KR (1) KR19990029974A (ja)
TW (1) TW408452B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100954464B1 (ko) * 2002-02-25 2010-04-22 알에프 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 리드프레임 인덕터
US8633568B2 (en) 2010-02-26 2014-01-21 SK Hynix Inc. Multi-chip package with improved signal transmission

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7158031B2 (en) 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
JPH08316411A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Hitachi Ltd 半導体装置
US6339385B1 (en) 1997-08-20 2002-01-15 Micron Technology, Inc. Electronic communication devices, methods of forming electrical communication devices, and communication methods
FR2769389B1 (fr) * 1997-10-07 2000-01-28 Rue Cartes Et Systemes De Carte a microcircuit combinant des plages de contact exterieur et une antenne, et procede de fabrication d'une telle carte
US6255725B1 (en) * 1998-05-28 2001-07-03 Shinko Electric Industries Co., Ltd. IC card and plane coil for IC card
US6404643B1 (en) 1998-10-15 2002-06-11 Amerasia International Technology, Inc. Article having an embedded electronic device, and method of making same
US6303423B1 (en) 1998-12-21 2001-10-16 Megic Corporation Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process
US6274937B1 (en) * 1999-02-01 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Silicon multi-chip module packaging with integrated passive components and method of making
US6542720B1 (en) * 1999-03-01 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices, methods of operating microelectronic devices, and methods of providing microelectronic devices
US6288905B1 (en) 1999-04-15 2001-09-11 Amerasia International Technology Inc. Contact module, as for a smart card, and method for making same
US6353420B1 (en) 1999-04-28 2002-03-05 Amerasia International Technology, Inc. Wireless article including a plural-turn loop antenna
US6474380B1 (en) * 1999-04-29 2002-11-05 Bridgestone/Firestone North American Tire, Llc Pneumatic tire and monitoring device including dipole antenna
WO2001022528A1 (es) 1999-09-20 2001-03-29 Fractus, S.A. Antenas multinivel
US6421013B1 (en) 1999-10-04 2002-07-16 Amerasia International Technology, Inc. Tamper-resistant wireless article including an antenna
US6351033B1 (en) * 1999-10-06 2002-02-26 Agere Systems Guardian Corp. Multifunction lead frame and integrated circuit package incorporating the same
JP2001188891A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 非接触型icカード
ES2246226T3 (es) 2000-01-19 2006-02-16 Fractus, S.A. Antenas miniatura rellenadoras de espacio.
US6476775B1 (en) * 2000-03-13 2002-11-05 Rcd Technology Corporation Method for forming radio frequency antenna
SG98398A1 (en) * 2000-05-25 2003-09-19 Inst Of Microelectronics Integrated circuit inductor
US7161476B2 (en) 2000-07-26 2007-01-09 Bridgestone Firestone North American Tire, Llc Electronic tire management system
US8266465B2 (en) 2000-07-26 2012-09-11 Bridgestone Americas Tire Operation, LLC System for conserving battery life in a battery operated device
JP2002074301A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 非接触型icカード用アンテナ、非接触型icカード用アンテナフレーム、及び非接触型icカード
US7501954B1 (en) 2000-10-11 2009-03-10 Avante International Technology, Inc. Dual circuit RF identification tags
JP2002319011A (ja) * 2001-01-31 2002-10-31 Canon Inc 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子写真装置
US20020163479A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Wei-Kang Lin Printed radio frequency sensing cards and fabricating methods therefor
US6693541B2 (en) * 2001-07-19 2004-02-17 3M Innovative Properties Co RFID tag with bridge circuit assembly and methods of use
JP2003108961A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Hitachi Ltd 電子タグおよびその製造方法
US9755314B2 (en) 2001-10-16 2017-09-05 Fractus S.A. Loaded antenna
JP4109039B2 (ja) * 2002-08-28 2008-06-25 株式会社ルネサステクノロジ 電子タグ用インレットおよびその製造方法
JP2006505973A (ja) 2002-11-07 2006-02-16 フラクタス・ソシエダッド・アノニマ 微小アンテナを含む集積回路パッケージ
US7423592B2 (en) 2004-01-30 2008-09-09 Fractus, S.A. Multi-band monopole antennas for mobile communications devices
ES2380576T3 (es) 2002-12-22 2012-05-16 Fractus, S.A. Antena unipolar multibanda para un dispositivo de comunicaciones móvil
TWI361479B (en) * 2003-08-28 2012-04-01 Gct Semiconductor Inc Integrated circuit package having inductance loop formed from a bridge interconnect
TWI357651B (en) * 2003-08-28 2012-02-01 Gct Semiconductor Inc Integrated circuit package having inductance loop
TW200520121A (en) * 2003-08-28 2005-06-16 Gct Semiconductor Inc Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration
US7842948B2 (en) * 2004-02-27 2010-11-30 Nvidia Corporation Flip chip semiconductor die internal signal access system and method
US20060012482A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Peter Zalud Radio frequency identification tag having an inductively coupled antenna
EP1771919A1 (en) 2004-07-23 2007-04-11 Fractus, S.A. Antenna in package with reduced electromagnetic interaction with on chip elements
US7924226B2 (en) 2004-09-27 2011-04-12 Fractus, S.A. Tunable antenna
US20060214271A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Jeremy Loraine Device and applications for passive RF components in leadframes
US7607586B2 (en) * 2005-03-28 2009-10-27 R828 Llc Semiconductor structure with RF element
US8384189B2 (en) 2005-03-29 2013-02-26 Megica Corporation High performance system-on-chip using post passivation process
US20060276157A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Chen Zhi N Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US8196829B2 (en) 2006-06-23 2012-06-12 Fractus, S.A. Chip module, sim card, wireless device and wireless communication method
US8738103B2 (en) 2006-07-18 2014-05-27 Fractus, S.A. Multiple-body-configuration multimedia and smartphone multifunction wireless devices
DE102006058068B4 (de) 2006-12-07 2018-04-05 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip und passivem Spulen-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
MY145348A (en) * 2007-03-15 2012-01-31 Semiconductor Components Ind Circuit component and method of manufacture
US8058960B2 (en) * 2007-03-27 2011-11-15 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Chip scale power converter package having an inductor substrate
JP5320635B2 (ja) * 2007-05-31 2013-10-23 国立大学法人愛媛大学 アンテナ
US7588993B2 (en) * 2007-12-06 2009-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment for backside illumination sensor
US7948346B2 (en) * 2008-06-30 2011-05-24 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Planar grooved power inductor structure and method
US20100314728A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Tung Lok Li Ic package having an inductor etched into a leadframe thereof
US8664745B2 (en) * 2010-07-20 2014-03-04 Triune Ip Llc Integrated inductor
JP5734217B2 (ja) * 2012-02-03 2015-06-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9490656B2 (en) 2013-11-25 2016-11-08 A.K. Stamping Company, Inc. Method of making a wireless charging coil
US9859052B2 (en) * 2013-11-25 2018-01-02 A.K. Stamping Co., Inc. Wireless charging coil
EP3010148A1 (en) * 2014-10-16 2016-04-20 Nxp B.V. Automatic impedance adjustment
US9461222B1 (en) 2015-06-30 2016-10-04 Epistar Corporation Light-emitting element and the light-emitting module thereof
WO2017131017A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 株式会社村田製作所 インダクタ部品およびその製造方法
TWI598897B (zh) * 2016-09-12 2017-09-11 合利億股份有限公司 具有散熱功能的無線充電線圈結構
CN110010509B (zh) * 2018-01-05 2023-10-20 光宝新加坡有限公司 双引线架磁耦合封装结构及其制造方法
CN110098156B (zh) * 2018-01-29 2023-04-18 光宝新加坡有限公司 用于电容耦合隔离器的电容耦合封装结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59190717A (ja) * 1983-04-13 1984-10-29 Omron Tateisi Electronics Co 近接スイツチ
US4857893A (en) * 1986-07-18 1989-08-15 Bi Inc. Single chip transponder device
JPH0284744A (ja) * 1989-08-04 1990-03-26 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5196725A (en) * 1990-06-11 1993-03-23 Hitachi Cable Limited High pin count and multi-layer wiring lead frame
US5181975A (en) * 1991-03-27 1993-01-26 The Goodyear Tire & Rubber Company Integrated circuit transponder with coil antenna in a pneumatic tire for use in tire identification
DE4320223A1 (de) * 1993-06-18 1994-12-22 Boehringer Mannheim Gmbh Neue Phosphonobernsteinsäurederivate, Verfahren zu deren Herstellung und diese Verbindungen enthaltende Arzneimittel
JP2944403B2 (ja) * 1993-12-24 1999-09-06 日本電気株式会社 半導体装置
FR2716281B1 (fr) * 1994-02-14 1996-05-03 Gemplus Card Int Procédé de fabrication d'une carte sans contact.
US5428245A (en) * 1994-05-06 1995-06-27 National Semiconductor Corporation Lead frame including an inductor or other such magnetic component
US5429992A (en) * 1994-05-25 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion
US5541399A (en) * 1994-09-30 1996-07-30 Palomar Technologies Corporation RF transponder with resonant crossover antenna coil
US5543657A (en) * 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability
US5559360A (en) * 1994-12-19 1996-09-24 Lucent Technologies Inc. Inductor for high frequency circuits
FR2743649B1 (fr) * 1996-01-17 1998-04-03 Gemplus Card Int Module electronique sans contact, carte etiquette electronique l'incorporant, et leurs procedes de fabrication

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100954464B1 (ko) * 2002-02-25 2010-04-22 알에프 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 리드프레임 인덕터
US8633568B2 (en) 2010-02-26 2014-01-21 SK Hynix Inc. Multi-chip package with improved signal transmission

Also Published As

Publication number Publication date
US6180433B1 (en) 2001-01-30
JPH11154727A (ja) 1999-06-08
EP0902472A3 (en) 2000-10-18
TW408452B (en) 2000-10-11
EP0902472A2 (en) 1999-03-17
KR19990029974A (ko) 1999-04-26
US5909050A (en) 1999-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000124388A (ja) 単一のリ―ドフレ―ムパッケ―ジにおける組み合わされた誘導コイルおよび集積回路半導体チップおよび組み合わせるための方法
US10468344B2 (en) Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding product
US6054754A (en) Multi-capacitance lead frame decoupling device
US6847100B2 (en) High speed IC package configuration
US6384478B1 (en) Leadframe having a paddle with an isolated area
US7489021B2 (en) Lead frame with included passive devices
US20020125559A1 (en) Enhanced leadless chip carrier
US20020135049A1 (en) Electronic package with surface-mountable device built therein
US5309021A (en) Semiconductor device having particular power distribution interconnection arrangement
US6061251A (en) Lead-frame based vertical interconnect package
JP2000133767A (ja) 積層化半導体パッケ―ジ及びその製造方法
JPH08125094A (ja) 電子パッケージおよびその製造方法
US6396129B1 (en) Leadframe with dot array of silver-plated regions on die pad for use in exposed-pad semiconductor package
US5371321A (en) Package structure and method for reducing bond wire inductance
US8994157B1 (en) Circuit system in a package
US7102211B2 (en) Semiconductor device and hybrid integrated circuit device
KR100248035B1 (ko) 반도체 패키지
US20030151123A1 (en) Semiconductor die package having two die paddles
JP2002110889A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100212392B1 (ko) 반도체 패키지
JPH0519961Y2 (ja)
US20040217449A1 (en) Electronic component packaging
JPH06112337A (ja) 半導体装置用パッケージ
JP2001068595A (ja) 高周波半導体装置用パッケージおよび高周波半導体装置
JPH09252076A (ja) Ic及びic用リードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060110