JP2000124370A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
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- JP2000124370A JP2000124370A JP10314066A JP31406698A JP2000124370A JP 2000124370 A JP2000124370 A JP 2000124370A JP 10314066 A JP10314066 A JP 10314066A JP 31406698 A JP31406698 A JP 31406698A JP 2000124370 A JP2000124370 A JP 2000124370A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 搭載されたチップの熱伝導性を実用上損なう
ことなく、かつロウ付け時にセラミックの枠体のクラッ
クの発生を抑制可能な半導体装置用パッケージを提供す
る。 【解決手段】 アルミナを主体とする枠体１１と、枠体
１１の底部１２にロウ付けされた放熱板１３とを有する
半導体装置用パッケージ１０において、放熱板１３にＣ
ｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３層クラッド材を使用し、３層クラッ
ド材の厚み比率が、１のＭｏの厚みに対し、上下のＣｕ
の厚みが０．８５以上で１．５未満の範囲にある。
ことなく、かつロウ付け時にセラミックの枠体のクラッ
クの発生を抑制可能な半導体装置用パッケージを提供す
る。 【解決手段】 アルミナを主体とする枠体１１と、枠体
１１の底部１２にロウ付けされた放熱板１３とを有する
半導体装置用パッケージ１０において、放熱板１３にＣ
ｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３層クラッド材を使用し、３層クラッ
ド材の厚み比率が、１のＭｏの厚みに対し、上下のＣｕ
の厚みが０．８５以上で１．５未満の範囲にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）を主体とする枠体の底部にロウ付けされた放熱板
を有する半導体装置用パッケージに関する。
Ｏ3 ）を主体とする枠体の底部にロウ付けされた放熱板
を有する半導体装置用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば衛星などから送られてくる
高周波の信号を増幅するために用いられるトランジスタ
等のチップを搭載する専用のパッケージとして、図５に
示すような形態の半導体装置用パッケージ５０が知られ
ている。半導体装置用パッケージ５０においては、Ａｌ
2 Ｏ3 セラミックスを主体とする枠体５１が、ヒートス
プレッダ材として熱伝導率がＣｕ（銅）に近く、かつ熱
膨張係数がＣｕより小さい（Ｃｕ板＋Ｍｏ（モリブデ
ン）板＋Ｃｕ板）の３層のクラッド材（以下、ＣＭＣ基
板又は放熱板とも呼ぶ）５２にロウ付けされたものが使
用されている。このＣＭＣ基板５２におけるＣｕ板とＭ
ｏ板の厚みの比率に関しては、熱伝導性を優先している
ため、図６に示すように、上、下Ｃｕ板５３、５５の厚
みの比率を、Ｍｏ板５４の１に対して１．５〜２．０に
高く設定する傾向にあった。なお、熱膨張係数（単位：
×１０-6／℃）は、Ｍｏが５．１、Ａｌ2 Ｏ3 が７．
２、Ｃｕが１８．３である。
高周波の信号を増幅するために用いられるトランジスタ
等のチップを搭載する専用のパッケージとして、図５に
示すような形態の半導体装置用パッケージ５０が知られ
ている。半導体装置用パッケージ５０においては、Ａｌ
2 Ｏ3 セラミックスを主体とする枠体５１が、ヒートス
プレッダ材として熱伝導率がＣｕ（銅）に近く、かつ熱
膨張係数がＣｕより小さい（Ｃｕ板＋Ｍｏ（モリブデ
ン）板＋Ｃｕ板）の３層のクラッド材（以下、ＣＭＣ基
板又は放熱板とも呼ぶ）５２にロウ付けされたものが使
用されている。このＣＭＣ基板５２におけるＣｕ板とＭ
ｏ板の厚みの比率に関しては、熱伝導性を優先している
ため、図６に示すように、上、下Ｃｕ板５３、５５の厚
みの比率を、Ｍｏ板５４の１に対して１．５〜２．０に
高く設定する傾向にあった。なお、熱膨張係数（単位：
×１０-6／℃）は、Ｍｏが５．１、Ａｌ2 Ｏ3 が７．
２、Ｃｕが１８．３である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置用パッケージ５０においては、未だ解決すべ
き以下のような問題があった。熱伝導性を優先している
ため、上、下Ｃｕ板５３、５５の厚みの比率を、Ｍｏ板
５４の１に対して１．５〜２．０に高く設定しているの
で、図６に示すように、ＣＭＣ基板５２としての熱膨張
係数がＣｕの熱膨張係数に近づき、その結果、このＣＭ
Ｃ基板５２を枠体５１にロウ付けした場合には、膨張差
により枠体５１にクラック５７の発生が多くあった。即
ち、図６（Ａ）に示すように、枠体５１を構成するＡｌ
2 Ｏ3 との膨張差によって生じる上Ｃｕ板５３の上側に
発生する収縮力と、Ｍｏ板５４との膨張差によって生
じる上Ｃｕ板５３の下側に発生する収縮力との相乗効
果により、図６（Ｂ）に示すように、枠体５１の断面が
貝殻状に変形し、最大応力点５６を起点としてクラック
５７（図５も参照）が発生する。
半導体装置用パッケージ５０においては、未だ解決すべ
き以下のような問題があった。熱伝導性を優先している
ため、上、下Ｃｕ板５３、５５の厚みの比率を、Ｍｏ板
５４の１に対して１．５〜２．０に高く設定しているの
で、図６に示すように、ＣＭＣ基板５２としての熱膨張
係数がＣｕの熱膨張係数に近づき、その結果、このＣＭ
Ｃ基板５２を枠体５１にロウ付けした場合には、膨張差
により枠体５１にクラック５７の発生が多くあった。即
ち、図６（Ａ）に示すように、枠体５１を構成するＡｌ
2 Ｏ3 との膨張差によって生じる上Ｃｕ板５３の上側に
発生する収縮力と、Ｍｏ板５４との膨張差によって生
じる上Ｃｕ板５３の下側に発生する収縮力との相乗効
果により、図６（Ｂ）に示すように、枠体５１の断面が
貝殻状に変形し、最大応力点５６を起点としてクラック
５７（図５も参照）が発生する。
【０００４】反対に、図７（Ａ）に示すように、上、下
Ｃｕ板５３ａ、５５ａの厚みの比率を、Ｍｏ板５４ａに
対して小さくし過ぎて設定するならば、ＣＭＣ基板５２
ａとしての熱膨張係数はＡｌ2 Ｏ3 より小さいＭｏ板５
４ａの熱膨張係数に近づき、その結果、このＣＭＣ基板
５２ａを枠体５１にロウ付けした場合にも、膨張差によ
り枠体５１にクラック５９（図５及び図８を参照）が多
く発生した。即ち、図７（Ａ）に示すように、枠体５１
の拘束されない上側の大きな収縮力により、枠体５１
が図７（Ｂ）のように変形し、図８に示すように、枠体
５１のコーナー部に生じる最大応力点５８を起点として
クラック５９が発生する。
Ｃｕ板５３ａ、５５ａの厚みの比率を、Ｍｏ板５４ａに
対して小さくし過ぎて設定するならば、ＣＭＣ基板５２
ａとしての熱膨張係数はＡｌ2 Ｏ3 より小さいＭｏ板５
４ａの熱膨張係数に近づき、その結果、このＣＭＣ基板
５２ａを枠体５１にロウ付けした場合にも、膨張差によ
り枠体５１にクラック５９（図５及び図８を参照）が多
く発生した。即ち、図７（Ａ）に示すように、枠体５１
の拘束されない上側の大きな収縮力により、枠体５１
が図７（Ｂ）のように変形し、図８に示すように、枠体
５１のコーナー部に生じる最大応力点５８を起点として
クラック５９が発生する。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、搭載されたチップの熱伝導性を実用上損なうこ
となく、かつロウ付け時にセラミックの枠体のクラック
の発生を抑制可能な半導体装置用パッケージを提供する
ことを目的とする。
もので、搭載されたチップの熱伝導性を実用上損なうこ
となく、かつロウ付け時にセラミックの枠体のクラック
の発生を抑制可能な半導体装置用パッケージを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る半導体装置用パッケージは、アルミナを主体とする
枠体と、枠体の底部にロウ付けされた放熱板を有する半
導体装置用パッケージにおいて、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３
層クラッド材からなる放熱板の３層クラッド材の厚み比
率が、１のＭｏの厚みに対し、上下のＣｕの厚みを０．
８５以上で１．５未満の範囲としている。従って、放熱
板と枠体との膨張差が小さくなり、従来の半導体装置用
パッケージに比べて、ロウ付け時にセラミックの枠体の
クラックの発生を抑制でき、かつ熱伝導性を実用上損な
うこともない。なお、上下のＣｕの厚みをＭｏの厚み１
に対して０．８５未満又は１．５以上とすると、放熱板
と枠体との膨張差が大きくなり、その結果ロウ付けした
場合枠体にクラックが発生する。
係る半導体装置用パッケージは、アルミナを主体とする
枠体と、枠体の底部にロウ付けされた放熱板を有する半
導体装置用パッケージにおいて、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３
層クラッド材からなる放熱板の３層クラッド材の厚み比
率が、１のＭｏの厚みに対し、上下のＣｕの厚みを０．
８５以上で１．５未満の範囲としている。従って、放熱
板と枠体との膨張差が小さくなり、従来の半導体装置用
パッケージに比べて、ロウ付け時にセラミックの枠体の
クラックの発生を抑制でき、かつ熱伝導性を実用上損な
うこともない。なお、上下のＣｕの厚みをＭｏの厚み１
に対して０．８５未満又は１．５以上とすると、放熱板
と枠体との膨張差が大きくなり、その結果ロウ付けした
場合枠体にクラックが発生する。
【０００７】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置用パッケージの斜視図、図２
（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体装置用パッケージの
正断面図、同半導体装置用パッケージの枠体の平断面
図、図３は枠体の応力相対値とＣｕ板の厚みとの関係を
示すグラフ、図４はチップ−雰囲気間の熱抵抗相対値と
Ｃｕ板の厚みとの関係を示すグラフである。なお、図２
（Ａ）は図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置用パッケージの斜視図、図２
（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体装置用パッケージの
正断面図、同半導体装置用パッケージの枠体の平断面
図、図３は枠体の応力相対値とＣｕ板の厚みとの関係を
示すグラフ、図４はチップ−雰囲気間の熱抵抗相対値と
Ｃｕ板の厚みとの関係を示すグラフである。なお、図２
（Ａ）は図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【０００８】図１に示すように、本発明の一実施の形態
に係る半導体装置用パッケージ１０は、アルミナを主体
とする周知の枠体１１と、枠体１１の底部１２にロウ付
けされた（Ｃｕ板＋Ｍｏ板＋Ｃｕ板）の３層クラッド構
造（３層クラッド材）からなる放熱板の一例であるＣＭ
Ｃ基板１３とを有している。以下、これらについて詳し
く説明する。ＣＭＣ基板１３は、図２に示すように、従
来のＣＭＣ基板と同様に、上Ｃｕ板１４、Ｍｏ板１５及
び下Ｃｕ板１６をロウ付けにより一体的に構成されてい
る。ＣＭＣ基板１３の厚みＴに対して、上Ｃｕ板１４及
び下Ｃｕ板１６の厚みｔ1 とＭｏ板１５の厚みｔ2 は同
じとしている。即ち、（上Ｃｕ板１４の厚みｔ1 ）：
（Ｍｏ板１５の厚みｔ2 ）：（下Ｃｕ板１６の厚み
ｔ1 ）＝１．０：１．０：１．０としている。
に係る半導体装置用パッケージ１０は、アルミナを主体
とする周知の枠体１１と、枠体１１の底部１２にロウ付
けされた（Ｃｕ板＋Ｍｏ板＋Ｃｕ板）の３層クラッド構
造（３層クラッド材）からなる放熱板の一例であるＣＭ
Ｃ基板１３とを有している。以下、これらについて詳し
く説明する。ＣＭＣ基板１３は、図２に示すように、従
来のＣＭＣ基板と同様に、上Ｃｕ板１４、Ｍｏ板１５及
び下Ｃｕ板１６をロウ付けにより一体的に構成されてい
る。ＣＭＣ基板１３の厚みＴに対して、上Ｃｕ板１４及
び下Ｃｕ板１６の厚みｔ1 とＭｏ板１５の厚みｔ2 は同
じとしている。即ち、（上Ｃｕ板１４の厚みｔ1 ）：
（Ｍｏ板１５の厚みｔ2 ）：（下Ｃｕ板１６の厚み
ｔ1 ）＝１．０：１．０：１．０としている。
【０００９】上述のように、本発明の一実施の形態に係
る半導体装置用パッケージ１０は、従来例の半導体装置
用パッケージ５０の場合のような、ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ1 ＝
（１．５〜２．０）：１．０：（１．５〜２．０）に比
較して、Ｃｕ板の厚みを薄くしていると共に、Ｍｏ板の
厚みも所定量確保しているので、ロウ付け時にセラミッ
クの枠体１１のクラックの発生を抑制することができ、
かつパッケージの熱伝導性を実用上損なうことがない。
る半導体装置用パッケージ１０は、従来例の半導体装置
用パッケージ５０の場合のような、ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ1 ＝
（１．５〜２．０）：１．０：（１．５〜２．０）に比
較して、Ｃｕ板の厚みを薄くしていると共に、Ｍｏ板の
厚みも所定量確保しているので、ロウ付け時にセラミッ
クの枠体１１のクラックの発生を抑制することができ、
かつパッケージの熱伝導性を実用上損なうことがない。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用パ
ッケージの実用上の（ｔ1 ：ｔ2：ｔ1 ）の範囲を決定
するためのシミュレーションを行った。シミュレーショ
ンの条件として、図１、図２に示すように、ＣＭＣ基板
１３のサンプルは、外形寸法が、幅Ｗを１０ｍｍ、長さ
Ｌを２５ｍｍ、厚みＴを１．８ｍｍとする３層クラッド
材を使用し、厚みＴを一定（１．８ｍｍ）にした。ま
た、セラミックの枠体１１は、外形寸法が、幅ｗを１０
ｍｍ、長さｎを１５ｍｍ、厚みａを２ｍｍとした。ロウ
付け時の温度は７８０℃とし、開発品の熱抵抗が、従来
品の±５％以内にある場合を、従来品と同等な放熱性を
有するものとした。以上の条件の下に、３層クラッド材
の厚みの比率を変化させた場合の、ロウ付け時のセラミ
ックの枠体の応力相対値及びチップ−雰囲気間熱抵抗相
対値をシミュレーションし、その結果を、それぞれ図
３、図４に示す。
ッケージの実用上の（ｔ1 ：ｔ2：ｔ1 ）の範囲を決定
するためのシミュレーションを行った。シミュレーショ
ンの条件として、図１、図２に示すように、ＣＭＣ基板
１３のサンプルは、外形寸法が、幅Ｗを１０ｍｍ、長さ
Ｌを２５ｍｍ、厚みＴを１．８ｍｍとする３層クラッド
材を使用し、厚みＴを一定（１．８ｍｍ）にした。ま
た、セラミックの枠体１１は、外形寸法が、幅ｗを１０
ｍｍ、長さｎを１５ｍｍ、厚みａを２ｍｍとした。ロウ
付け時の温度は７８０℃とし、開発品の熱抵抗が、従来
品の±５％以内にある場合を、従来品と同等な放熱性を
有するものとした。以上の条件の下に、３層クラッド材
の厚みの比率を変化させた場合の、ロウ付け時のセラミ
ックの枠体の応力相対値及びチップ−雰囲気間熱抵抗相
対値をシミュレーションし、その結果を、それぞれ図
３、図４に示す。
【００１１】図３においては、枠体の耐クラック性を評
価するために、縦軸には発生応力相対値を用いて、ま
た、図４においては、パッケージの熱伝導性を評価する
ために、縦軸には熱抵抗相対値を用いて、従来例の
ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ1 ＝１．５：１．０：１．５の３層クラ
ッド材（ｔ1 ＝０．６７ｍｍ）の場合を基準（１００
％）にして相対的に表している。図３から明らかなよう
に、Ｃｕ板の厚みｔ1 ＝０．６２ｍｍ（ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ
1 ＝１．０：１．０：１．０）近傍で発生応力相対値は
最小となり、従来例の３層クラッド材の場合より耐クラ
ック性が向上する範囲は、ｔ1 が０．５７ｍｍ以上で
０．６７ｍｍ未満となることが判る。ｔ1 が０．５７ｍ
ｍ以上で０．６７ｍｍ未満を満足するのは、Ｍｏ板の厚
みｔ2 が１に対して、Ｃｕ板の厚みｔ1 が０．８５以上
で１．５未満となる。
価するために、縦軸には発生応力相対値を用いて、ま
た、図４においては、パッケージの熱伝導性を評価する
ために、縦軸には熱抵抗相対値を用いて、従来例の
ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ1 ＝１．５：１．０：１．５の３層クラ
ッド材（ｔ1 ＝０．６７ｍｍ）の場合を基準（１００
％）にして相対的に表している。図３から明らかなよう
に、Ｃｕ板の厚みｔ1 ＝０．６２ｍｍ（ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ
1 ＝１．０：１．０：１．０）近傍で発生応力相対値は
最小となり、従来例の３層クラッド材の場合より耐クラ
ック性が向上する範囲は、ｔ1 が０．５７ｍｍ以上で
０．６７ｍｍ未満となることが判る。ｔ1 が０．５７ｍ
ｍ以上で０．６７ｍｍ未満を満足するのは、Ｍｏ板の厚
みｔ2 が１に対して、Ｃｕ板の厚みｔ1 が０．８５以上
で１．５未満となる。
【００１２】また、図４にｔ1 が０．５７以上で０．６
７ｍｍ未満となる場合の熱抵抗の相対値は、従来例の３
層クラッド材の場合の１００〜１０２％となり、＋５％
以下にあるので、パッケージの放熱性について実用上問
題はない。なお、図４に示すように、従来例の３層クラ
ッド材の場合の＋５％（即ち、１０５％）に相当するＣ
ｕ板の厚みｔ1 は０．４９ｍｍであり、これはＭｏ板の
厚みｔ2 が１に対して、Ｃｕ板の厚みｔ1 が０．６１と
なる。以上の結果より、（ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ1 ）の比率を
（０．８５：１．０：０．８５）以上で（１．５：１．
０：１．５）未満とすることによって、従来品と比べて
パッケージの放熱性がたいして損なわれること無しに、
ロウ付け時のセラミックのクラックの可能性が抑制でき
る。
７ｍｍ未満となる場合の熱抵抗の相対値は、従来例の３
層クラッド材の場合の１００〜１０２％となり、＋５％
以下にあるので、パッケージの放熱性について実用上問
題はない。なお、図４に示すように、従来例の３層クラ
ッド材の場合の＋５％（即ち、１０５％）に相当するＣ
ｕ板の厚みｔ1 は０．４９ｍｍであり、これはＭｏ板の
厚みｔ2 が１に対して、Ｃｕ板の厚みｔ1 が０．６１と
なる。以上の結果より、（ｔ1 ：ｔ2 ：ｔ1 ）の比率を
（０．８５：１．０：０．８５）以上で（１．５：１．
０：１．５）未満とすることによって、従来品と比べて
パッケージの放熱性がたいして損なわれること無しに、
ロウ付け時のセラミックのクラックの可能性が抑制でき
る。
【００１３】
【発明の効果】請求項１記載の半導体装置用パッケージ
においては、放熱板にＣｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３層クラッド
材を使用し、３層クラッド材の厚み比率が、１のＭｏの
厚みに対し、上下のＣｕの厚みが０．８５以上で１．５
未満の範囲にあるので、従来品と比べてパッケージの放
熱性が損なわれること無しに、ロウ付け時のセラミック
の耐クラック性が向上する。
においては、放熱板にＣｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３層クラッド
材を使用し、３層クラッド材の厚み比率が、１のＭｏの
厚みに対し、上下のＣｕの厚みが０．８５以上で１．５
未満の範囲にあるので、従来品と比べてパッケージの放
熱性が損なわれること無しに、ロウ付け時のセラミック
の耐クラック性が向上する。
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用パッ
ケージの斜視図である。
ケージの斜視図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体装置用パッ
ケージの正断面図、同半導体装置用パッケージの枠体の
平断面図である。
ケージの正断面図、同半導体装置用パッケージの枠体の
平断面図である。
【図３】枠体の応力相対値とＣｕ板の厚みとの関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】チップ−雰囲気間の熱抵抗相対値とＣｕ板の厚
みとの関係を示すグラフである。
みとの関係を示すグラフである。
【図５】従来例に係る半導体装置用パッケージのクラッ
クの発生箇所を示す斜視図である。
クの発生箇所を示す斜視図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれクラックのメカニズ
ムを説明する収縮力の説明図、及びクラックの発生箇所
を示す説明図である。
ムを説明する収縮力の説明図、及びクラックの発生箇所
を示す説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ別のクラックのメカ
ニズムを説明する収縮力の説明図、及びクラックの発生
箇所を示す説明図である。
ニズムを説明する収縮力の説明図、及びクラックの発生
箇所を示す説明図である。
【図８】同クラックの詳細を説明する斜視図である。
１０ 半導体装置用パッケージ １１ 枠体 １２ 底部 １３ ＣＭＣ基
板（放熱板） １４ 上Ｃｕ板 １５ Ｍｏ板 １６ 下Ｃｕ板
板（放熱板） １４ 上Ｃｕ板 １５ Ｍｏ板 １６ 下Ｃｕ板
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミナを主体とする枠体と、該枠体の
底部にロウ付けされた放熱板とを有する半導体装置用パ
ッケージにおいて、 前記放熱板にＣｕ、Ｍｏ、Ｃｕの３層クラッド材を使用
し、該３層クラッド材の厚み比率が、１のＭｏの厚みに
対し、上下のＣｕの厚みが０．８５以上で１．５未満の
範囲にあることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314066A JP2000124370A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314066A JP2000124370A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124370A true JP2000124370A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=18048824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314066A Pending JP2000124370A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124370A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010074122A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｌｅｄ用ヒートシンク、ｌｅｄ用ヒートシンク前駆体、ｌｅｄ素子、ｌｅｄ用ヒートシンクの製造方法およびｌｅｄ素子の製造方法 |
| WO2011001795A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 住友電気工業株式会社 | 金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法 |
| US8993121B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Metal laminated structure and method for producing the same |
-
1998
- 1998-10-15 JP JP10314066A patent/JP2000124370A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010074122A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｌｅｄ用ヒートシンク、ｌｅｄ用ヒートシンク前駆体、ｌｅｄ素子、ｌｅｄ用ヒートシンクの製造方法およびｌｅｄ素子の製造方法 |
| WO2011001795A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 住友電気工業株式会社 | 金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法 |
| JP2011011366A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属積層構造体の製造方法 |
| US8993121B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Metal laminated structure and method for producing the same |
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